KR20090108888A - 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치 - Google Patents

캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090108888A
KR20090108888A KR1020080034225A KR20080034225A KR20090108888A KR 20090108888 A KR20090108888 A KR 20090108888A KR 1020080034225 A KR1020080034225 A KR 1020080034225A KR 20080034225 A KR20080034225 A KR 20080034225A KR 20090108888 A KR20090108888 A KR 20090108888A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater block
carrier gas
supply
heater
discharge
Prior art date
Application number
KR1020080034225A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100960814B1 (ko
Inventor
안영웅
정기택
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020080034225A priority Critical patent/KR100960814B1/ko
Publication of KR20090108888A publication Critical patent/KR20090108888A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100960814B1 publication Critical patent/KR100960814B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 캐리어가스 히터는, 캐리어가스가 이동되기 위한 가스유로가 형성되는 복수 개의 히터블록을 구비하며, 상기 가스유로가 서로 연통되도록 복수 개의 상기 히터블록이 적층되는 본체; 및 상기 히터블록에 결합되어, 상기 히터블록을 가열하는 히터;를 구비함으로써, 복수 개로 적층되는 히터블록의 온도를 조절하고, 히터블록에 형성되는 지그재그 형태의 가스유로로 캐리어가스를 통과시키므로, 고유량의 캐리어가스의 온도조절에 용이한 효과가 있다.

Description

캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치{Carrier gas heater and deposition apparatus by using the same}
본 발명은 증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증착공정에 사용되는 캐리어가스를 가열하기 위한 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치에 관한 것이다.
최근 들어 반도체 산업 중 전자 디스플레이 산업이 급속도로 발전함에 따라 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 증가되어 왔다. 이에 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등과 같은 평판 표시 장치(Flat Panel Display, FPD)가 연구되어 왔고 그 일부는 이미 실생활에 널리 사용되고 있다.
평면디스플레이(FPD)는 TV나 컴퓨터 모니터 등에 디스플레이(Display)로 주로 사용된 음극선관(CRT, Cathode Ray Tube)보다 두께가 얇고 가벼운 영상표시장치로 액정표시장치(LCD, liquid crystal display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP, Plasma Display Panel) 및 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다.
이 중에서 유기 발광 표시장치는 유기물 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자(exiton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상을 이용하는 자발광형 디스플레이 장치이다.
이러한 유기 발광 표시장치는 저전압으로 구동이 가능하고, 경량이며, 박형이고, 시야각이 넓을 뿐만 아니라, 응답 속도 또한 빠르다는 장점을 구비하고 있어, 최근 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널을 대체할 수 있는 표시장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시장치의 유기 발광 소자는 다이오드 특성을 가져서 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)라고도 불리우며, 기판상에 적층식으로 형성되는 애노드 전극과 유기막 및 캐소드 전극을 포함한다.
여기서 유기막은 유기 발광층(Emitting layer: EL)을 구비하는데, 이 유기 발광층에서 정공과 전자가 재결합하여 여기자를 형성하고 빛을 발생시킨다. 이때 발광 효율을 보다 높이기 위해서는 정공과 전자를 유기 발광층으로 보다 원활하게 수송해야 한다.
한편, 기판에 유기막을 형성하는 일반적인 방법으로는 진공 증착(evaporation)법, 이온 플레이팅(ion plating)법, 및 스퍼터링(sputtering)법과 같은 물리 기상 증착(PVD)법과, 가스 반응에 의한 화학 기상 증착(CVD)법 등이 있 다.
이 중에서, 유기 발광 소자의 유기막을 포함하는 박막층 형성에는 가스 반응에 의한 화학 기상 증착(CVD)법이 사용되며, 유기물을 이용한 진공 증착장치가 주로 사용된다.
유기물을 이용한 진공 증착장치에는 유기물, 또는 소스물질을 공급하기 위한 별도의 유기물 공급라인이 형성된다. 유기물 공급라인은 유기물을 기체화 하여 이송하기 위한 각종 기계장치, 예를 들어 질량유량밸브, 캐리어가스 히터, 캐니스터, 밸브 등이 마련되며 이들의 유기적인 작동에 의해 유기물을 챔버로 공급한다.
한편, 기체화된 유기물을 챔버로 공급하기 위해서는 캐리어가스를 이용한다. 캐리어가스는 불활성 기체인 질소가스를 소정의 온도로 가열하여 주로 이용하며, 캐리어가스를 가열하기 위한 별도의 캐리어가스 히터가 마련된다. 이러한 캐리어가스 히터는 히터 코일을 이용한 방식이 주로 사용된다.
이러한 캐리어가스 히터는 유기물 기체의 공급에 있어 매우 중요한 역할을 수행한다. 만약 캐리어가스의 온도가 적정 온도에 미치지 못할 경우 캐리어가스에 의해 운반되는 유기물 기체가 유기물 공급라인 및 유기물 공급라인을 구성하는 구성부의 내벽에 증착되는 현상이 발생한다.
그러나 고유량의 캐리어가스가 공급될 경우, 캐리어가스 히터에 히터 코일을 사용하게 되면, 캐리어가스가 지나는 이동경로의 길이에 비례하여 소비되는 히터 코일의 소모량도 증가되며, 이에 따른 장비 관리의 번거로움이 발생되는 문제점이 있다.
또한, 캐리어가스 히터에 히터 코일을 사용하게 되면, 히터 코일의 노후화로 히터 코일에 접촉되는 캐리어가스에 이물질이 혼합되어, 유기물에 이물질이 섞여 제품 생산시 불량률이 증가되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 기체화된 소스물질을 이송하기 위하여 캐리어가스를 가열하는 캐리어가스 히터의 구조를 개선한 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 캐리어가스 히터는, 캐리어가스가 이동되기 위한 가스유로가 형성되는 복수 개의 히터블록을 구비하며, 상기 가스유로가 서로 연통되도록 복수 개의 상기 히터블록이 적층되는 본체; 및 상기 히터블록에 결합되어, 상기 히터블록을 가열하는 히터;를 구비한다.
상기 본체는, 상기 본체의 일측에 배치되어, 상기 캐리어가스가 공급되는 공급 히터블록;상기 본체의 타측에 배치되어, 상기 캐리어가스가 배출되는 배출 히터블록; 및 상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록의 사이에 배치되어, 상기 캐리어 가스를 상기 공급 히트블록으로부터 상기 배출 히터블록으로 안내하는 중앙 히터블록;을 구비할 수 있다.
상기 본체는, 상기 공급 히터블록과 상기 중앙 히터블록의 사이와, 상기 중앙 히터블록과 상기 배출 히터블록의 사이에 각각 배치되어, 상기 캐리어가스를 상기 공급 히터블록으로부터 상기 중앙 히터블록으로 안내하며, 상기 캐리어가스를 상기 중앙 히터블록으로부터 상기 배출 히터블록으로 안내하는 보조 히터블록;을 더 구비할 수 있다.
상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록은 상기 본체의 외측으로 개방되는 제1, 제2 가스유로를 각각 구비하며, 상기 중앙 히터블록은 상기 공급 히터블록 측으로 개방되는 제3 가스유로와, 상기 배출 히터블록 측으로 개방되는 제4 가스유로를 구비하며, 상기 보조 히터블록은 상기 공급 히터블록 측과 상기 배출 히터블록 측 중 어느 한 측으로 개방되는 제5 가스유로를 구비하되, 상기 제3, 제4, 제5 가스유로는 상기 공급 히터블록, 상기 배출 히터블록, 상기 중앙 히터블록 및 상기 보조 히터블록이 적층되어 밀폐되고, 상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록은 제1, 제2 덮개를 구비하여, 상기 제1, 제2 가스유로를 밀폐시킬 수 있다.
상기 가스유로에는 상기 캐리어가스의 접촉면적을 증가시키는 열전도성 볼이 충전되며, 상기 본체는, 상기 열전도성 볼의 지름보다 작은 폭의 관통공이 형성되어, 서로 연통되는 상기 가스유로의 공급 단부와 배출 단부에 각각 설치되는 볼 스톱퍼를 더 구비할 수 있다.
상기 본체는, 서로 연통되는 상기 가스유로에서 이동되는 상기 캐리어가스의 온도를 감지하는 제1 온도센서; 및 상기 히터블록의 온도를 감지하는 제2 온도센서를 더 구비할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 캐리어가스 히터를 이용한 증착장치는, 증착막을 형성하는 소스물질을 기화시키고, 캐리어가스에 의해 기화된 상기 소스물질을 제공하는 소스 공급부;상기 캐리어가스가 이동되기 위한 가스유로가 형성되는 복수 개의 히터블록이 적층되는 본체를 가열하는 캐리어가스 히터; 및 상기 소스물질을 기판에 증착시키기 위한 처리공간을 형성하며, 상기 소스 공급부에 의해 상기 소스물질이 공급되는 챔버;를 구비한다.
상기 본체는, 상기 본체의 일측에 배치되어, 상기 캐리어가스가 공급되는 공급 히터블록;상기 본체의 타측에 배치되어, 상기 캐리어가스가 배출되는 배출 히터블록;상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록의 사이에 배치되어, 상기 캐리어 가스를 상기 공급 히트블록으로부터 상기 배출 히터블록으로 안내하는 중앙 히터블록;상기 공급 히터블록과 상기 중앙 히터블록의 사이와, 상기 중앙 히터블록과 상기 배출 히터블록의 사이에 각각 배치되어, 상기 캐리어가스를 상기 공급 히터블록으로부터 상기 중앙 히터블록으로 안내하며, 상기 캐리어가스를 상기 중앙 히터블록으로부터 상기 배출 히터블록으로 안내하는 보조 히터블록;을 구비할 수 있다.
상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록은 상기 본체의 외측으로 개방되는 제1, 제2 가스유로를 각각 구비하며, 상기 중앙 히터블록은 상기 공급 히터블록 측으로 개방되는 제3 가스유로와, 상기 배출 히터블록 측으로 개방되는 제4 가스유로를 구비하며, 상기 보조 히터블록은 상기 공급 히터블록 측과 상기 배출 히터블록 측 중 어느 한 측으로 개방되는 제5 가스유로를 구비하되, 상기 제3, 4, 5 가스유로는 상기 공급 히터블록, 상기 배출 히터블록, 상기 중앙 히터블록 및 상기 보조 히터블록이 적층되어 밀폐되고, 상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록은 제1, 제2 덮개를 구비하여, 상기 제1, 제2 가스유로를 밀폐시킬 수 있다.
상기 가스유로에는 상기 캐리어가스의 접촉면적을 증가시키는 열전도성 볼이 충전되며, 상기 본체는, 상기 열전도성 볼의 지름보다 작은 폭의 관통공이 형성되어, 서로 연통되는 상기 가스유로의 공급 단부와 배출 단부에 각각 설치되는 볼 스톱퍼를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치에 따르면, 복수 개로 적층되는 히터블록의 온도를 조절하고, 히터블록에 형성되는 지그재그 형태의 가스유로로 캐리어가스를 통과시키므로, 고유량의 캐리어가스의 온도조절에 용이한 효과가 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치에 따르면, 히터에 캐리어가스가 직접 접촉되지 않아 이물질의 발생요소가 제거됨으로써, 청정한 캐리어가스를 공급으로 할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치에 대해, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
본 발명을 설명함에 있어서, 정의되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려 하여 정의 내려진 것으로, 본 발명의 기술적 구성요소를 한정하는 의미로 이해되어서는 아니 될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 증착장치를 나타낸 간략도이다. 도 1을 참조하면, 증착장치(100)는 소스 공급부(200)와 챔버(400)를 구비한다.
소스공급부(200)는 증착막을 형성하는 소스물질(예를 들어 유기물)(S)을 기화시시키며, 기화된 소스물질(S)을 이송하기 위한 캐리어가스(C)가 이동되는 경로를 형성한다. 이러한 소스공급부(200)는 공급관(210), 질량유량계(Mass Flow Controller, MFC)(211), 공급밸브(213), 캐리어가스 히터(300), 배출관(230), 캐니스터(250), 유로배관(270) 및 배출밸브(271)을 구비한다.
질량유량계(211)는 캐리어가스(C)가 공급되는 공급관(210)에 설치되어, 일정한 양의 캐리어가스(C)를 공급하기 위해 구비된다. 공급밸브(213)는 질량유량계(211)에 의해 공급되는 캐리어가스(C)의 유량을 제한한다.
캐리어가스 히터(300)는 공급되는 캐리어가스(C)를 가열한다. 배출관(230)은 캐니스터(250)로 연장되어, 캐리어가스 히터(300)로부터 배출되는 캐리어가스(C)를 캐니스터(250)로 안내한다.
캐니스터(250)는 저장된 소스물질(S)을 가열하여 기화시키며, 캐리어가스(C)와 소스물질(S)이 혼합되는 공간을 제공한다. 유로배관(270)은 캐니스터(250)로부터 챔버(400)로 연장되어, 캐리어가스(C)와 혼합된 소스물질(S)을 챔버(400)로 안내한다. 배출밸브(271)는 유로배관(270)에 설치되어, 캐리어가스(C)와 혼합되어 이송되는 소스물질(S)의 공급량을 조절한다.
챔버(400)는 소스공급부(200)에서 공급되는 소스물질(S)이 기판(G)에 증착되는 처리공간(401)을 형성한다. 처리공간(401)의 하부에는 증착막이 형성되기 위한 기판(G)이 안착되는 스테이지(410)가 구비된다. 처리공간(401)의 상측에는 기판(G)에 형성되는 증착막의 소스물질(S)을 공급하는 헤더(430)가 구비된다. 헤더(430)는 유로배관(270)의 단부에 연결된다.
한편, 증착장치(100)는 처리공간(401)의 진공 형성과, 증착막의 증착이 완료된 후 처리공간(401)에 잔류하는 소스물질 및 캐리어가스(C)를 배출하기 위한, 진공배기부(450)를 더 구비한다. 진공배기부(450)는 챔버(400)를 관통하여 처리공간(401)과 연통되는 배기라인(451)과, 진공펌프(미도시)로 구성될 수 있다.
이하 상술한 증착장치에서 캐리어가스를 가열하기 위한 캐리어가스 히터를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터를 나타낸 사시도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터를 도 2에 표기된 I-I'선을 기준으로 절단한 단면사시도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터에 마련되는 배출 히터블록을 나타낸 분해사시도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 캐리어가스 히터(300)는 본체(310) 및 히터(330)를 구비한다.
본체(310)는 히터(330)에 의해 가열되는 복수 개의 히터블록(311, 313, 315, 317)을 구비한다. 각 히터블록(311, 313, 315, 317)은 열전도성이 뛰어난 알루미늄 과 같은 금속재질로 마련된다. 각 히터블록(311, 313, 315, 317)은 장방형의 함체의 형상을 가지며, 각 히터블록(311, 313, 315, 317)에 지그재그(zigzag) 형태의 홈을 형성하여 일측면이 개방되는 가스유로(311a, 313a, 315a, 317a)를 각각 구비한다.
각 히터블록(311, 313, 315, 317)은 각 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)가 서로 연통되도록 적층되며, 서로 연통되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)의 공급 단부에는 캐리어가스(C)를 본체(310)로 공급하기 위한 공급관(210)이 결합되고, 서로 연통되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)의 배출 단부에는 캐리어가스(C)를 본체(310)로부터 배출하기 위한 배출관(230)이 결합된다.
여기서, 복수 개의 히터블록은 공급 히터블록(311), 배출 히터블록(313), 중앙 히터블록(315) 및 보조 히터블록(317)으로 구분할 수 있다.
공급 히터블록(311)은 캐리어가스(C)가 공급되는 측에 배치되어 공급관(210)이 결합되며, 배출 히터블록(313)은 캐리어가스(C)가 배출되는 측에 배치되어 배출관(230)이 결합된다. 공급 히터블록(311)은 공급관(210)에 의해 공급되는 캐리어가스(C)를 배출 히터블록(313)으로 안내하는 제1 가스유로(311a)를 구비한다. 배출 히터블록(313)은 캐리어가스(C)를 배출관(230)으로 안내하는 제2 가스유로(313a)를 구비한다.
공급 히터블록(311)과 배출 히터블록(313)은 각각 제1, 제2 가스유로(311a, 313a)가 개방되는 면이, 본체(310)의 외측을 향하도록 배치된다. 공급 히터블 록(311)과 배출 히터블록(313)은, 제1, 제2 가스유로(311a, 313b)가 개방되는 면을 밀폐시키기 위한 제1 덮개(311b)와 제2 덮개(313b)를 구비한다. 또한, 공급 히터블록(311)과 배출 히터블록(313)은 각각 본체(310)의 내측을 향한 면에, 캐리어가스(C)가 배출 히터블록(313)으로 이동되도록 제1 연통홀(311c)과 제2 연통홀(313c)이 형성된다.
중앙 히터블록(315)은 격벽(315b)을 사이에 두고, 공급 히터블록(311) 측으로 개방되는 제3 가스유로(315aa)와, 배출 히터블록(313) 측으로 개방되는 제3 가스유로(315ab)를 구비하는 복층 구조를 가진다. 중앙 히터블록(315)의 격벽(315b)에는 제3, 제4 가스유로(315aa, 315ab)가 서로 연통되도록 제3 연통홀(315c)이 형성된다.
따라서, 중앙 히터블록(315)은 공급 히터블록(311)과 배출 히터블록(313)의 사이에 배치되어, 공급 히터블록(311)을 통과하는 캐리어가스(C)가 제3, 제4 가스유로(315aa, 315ab)의 안내에 따라 배출 히터블록(313)으로 이동되도록 한다.
여기서, 도 2 및 도 3에서, 중앙 히터블록(315)은 격벽(315b)을 사이에 두고 공급 히터블록(311) 측과 배출 히터블록(313) 측으로 개방되는 제3, 제4 가스유로(315aa, 315ab)를 구비하는 일체형으로 마련되는 것으로 도시하고 있으나, 중앙 히터블록(315)은 공급 히터블록(311), 또는 배출 히터블록(313)과 유사한 형태의 단위 히터블록을 서로 대향되도록 접합시키는 방법으로 제조될 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 중앙 히터블록(315) 복층 구조를 가지므로, 본체(310)의 설치 위치에 따라, 공급 히터블록(311), 배출 히터블록(313) 및 보조 히터블 록(317)의 배치를 변경시켜, 공급되는 캐리어가스(C)의 이동 방향을 용이하게 변경할 수 있도록 한다.
또한, 중앙 히터블록(315)은, 제3 가스유로(315aa)가 공급 히터블록(311) 측으로 개방되고, 제4 가스유로(315ab)가 배출 히터블록(313) 측으로 개방되는 복층 구조를 가짐으로써, 공급 히터블록(311), 배출 히터블록(313) 및 보조 히터블록(317)을 접합하는 공정에 있어서 편의를 제공한다. 즉, 중앙 히터블록(315)은 중앙 히터블록(315)을 기준으로 양방향으로 나머지 히터블록들(311, 315, 317)을 접합할 수 있으므로, 공정시간을 단축 할 수 있다.
보조 히터블록(317)은 공급 히터블록(311)과 중앙 히터블록(315)의 사이와, 중앙 히터블록(315)과 배출 히터블록(313)의 사이에 각각 배치된다. 보조 히터블록(317)은 공급 히터블록(311) 측과, 배출 히터블록(313) 측 중 어느 한 측으로 개방되는 제5 가스유로(317a)를 구비한다. 제5 가스유로(317a)는 캐리어가스(C)를 공급 히터블록(311)으로부터 중앙 히터블록(315)으로 안내하며, 캐리어가스(C)를 중앙 히터블록(315)으로부터 배출 히터블록(313)으로 안내한다.
공급 히터블록(311)과 중앙 히터블록(315)의 사이에 배치되는 보조 히터블록(317)은, 가스유로(317a)가 개방되는 면이 공급 히터블록(311) 측을 향하며, 중앙 히터블록(315)과 배출 히터블록(313)의 사이에 배치되는 보조 히터블록(317)은, 가스유로(317a)가 개방되는 면이 배출 히터블록(313) 측을 향하도록 배치된다.
이때, 보조 히터블록(317)은 제1 가스유로(311a)와 제3 가스유로(315aa), 또는 제4 가스유로(315ab)와 제2 가스유로(313a)가 서로 연통되도록 제4 연통 홀(317b)이 형성된다.
여기서, 도 2 및 도 3에서, 보조 히터블록(317)은 중앙 히터블록(315)을 사이에 두고, 공급 히터블록(311)과 배출 히터블록(313)의 사이에 각각 2개씩 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 보조 히터블록(317)의 개수와 배치는, 공급되는 캐리어가스(C)의 양과, 각 히터블록(311, 313, 315, 317)에 형성되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)의 길이에 따라 변경될 수 있다.
이와 같이, 공급 히터블록(311), 배출 히터블록(313), 중앙 히터블록(315) 및 보조 히터블록(317)은 각 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)가 서로 연통되도록 적층되고, 공급 히터블록(311)과 배출 히터블록(313)은 각각 제1 덮개(311a)와 제2 덮개(313a)를 구비하여, 가스유로(310a)가 밀폐되는 본체(310)를 형성한다. 이때, 각 히터블록(311, 313, 315, 317)과, 제1, 2 덮개(311a, 313a)는 아르곤 용접 또는, 전자빔 용접과 같은 방법으로 결합될 수 있다.
히터(330)는 본체(310)의 외벽에 적어도 하나 이상으로 설치되어, 각 히터블록(311, 313, 315, 317)중 적어도 하나 이상 가열시킨다. 이러한 히터(330)로는 내구력과 수명이 오래가며, 각 히터블록(311, 313, 315, 317)에 홀(미도시)을 형성하여, 쉽게 장착시켜 사용할 수 있으며, 좁은 공간에서 높은 열량을 발휘할 수 있는 카트리지 히터로 구성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터에 마련되는 배출 히터블록의 일부를 나타낸 확대사시도이다. 도 5를 참조하면, 각 히터블록(311, 313, 315, 317)이 적층된 상태에서, 서로 연통되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)에는 캐리어가스(C)의 접촉면적을 증가시키기 위한, 열전도성 볼(310a)이 충전된다. 이러한 열전도성 볼(310a)은 알루미늄 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
서로 연통되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)의 공급 단부와 배출 단부에는 열전도성 볼(310a)이 서로 연통되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)에서 배출되는 것을 방지하기 위한 볼 스톱퍼(319)가 구비된다. 볼 스톱퍼(319)는 열전도성 볼(310a)의 지름보다 작은 폭의 관통공(319a)이 형성되어, 캐리어가스(C)는 통과시키되, 서로 연통되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a) 내의 열전도성 볼(310a)이 가스유로(310a)의 외부로 배출되는 것을 방지한다.
캐리어가스 히터(300)는 제1 온도센서(350)와, 제2 온도센서(370)를 더 구비한다. 제1 온도센서(350)는 온도를 감지하는 감지부(351)가, 배출 히터블록(313)을 관통하고, 서로 연통되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)의 배출 단부에 위치하여, 본체(310)에서 배출되는 캐리어가스(C)의 온도를 감지한다. 제2 온도센서(370)는 배출 히터블록(313)의 외벽에 설치되어, 배출 히터블록(313)의 온도를 감지한다.
상술된 설명에서, 제1, 제2 온도센서(350, 370)은 배출 히터블록(313)에 설치되는 것으로 설명하고 있으나, 공급 히터블록(311), 중간 히터블록(315) 및 보조 히터블록(317)에도 더 설치될 수 있을 것이다.
또한, 도시되지 않았지만, 캐리어가스 히터(300)는 본체(310)의 외주면에 상 기 본체(310)의 온도를 유지하기 위한 단열제를 더 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치의 작동에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 이하에서 언급되는 각각의 요소들은 상술한 설명과 도면을 참조하여 이해하여야 한다.
먼저, 도 1을 참조하면, 소스물질(S)의 공급을 위하여 질량유량계(211)를 통해 캐리어가스(C)가 일정량으로 공급됨에 따라 캐리어가스(C)가 공급밸브(213)를 통과하여 캐리어가스 히터(300)로 이동된다.
이에 캐리어가스 히터(300)로 이동된 캐리어가스(C)는 캐리어가스 히터(300)에 의해 소정의 온도로 가열되어 캐니스터(250)로 공급되며 캐니스터(250)에서 가열되어 기체화된 소스물질(S)을 이송한다.
한편, 캐니스터(250)에서 기화되어 캐리어가스(C)에 의해 이송되는 소스물질(S)은 배출밸브(271)와 유로배관(270)을 통과하여 챔버(400)의 헤더(430)로 공급되고, 공정환경이 조성된 챔버(400)에서 기판(G)에 증착되면서 증착막을 형성한다.
여기서, 캐리어가스 히터(300)를 통과하는 캐리어가스(C)는 공급관(210)을 통해 캐리어가스 히터(300)로 공급되고, 각 히터블록(311, 313, 315, 317)을 통과하면서 가열된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터를 도 2에 표기된 I-I'선을 기준으로 절단한 단면도이다. 도 6을 참조하면, 캐리어가스 히터(300)로 유입되는 캐리어가스(C)는, 공급관(210)을 통해 공급 히터블록(311)으로 공급된 다. 캐리어가스(C)는 보조 히터블록(317)과 중앙 히터블록(315)을 통과하여, 배출 히터블록(313)으로 유입된다. 배출 히터블록(313)으로 유입된 캐리어가스(C)는, 배출관(230)을 통해 캐니스터(250) 측으로 배출된다.
이때, 제1 온도센서(350)에 의해 가스유로(310a)에서 가열된 캐리어가스(C)의 온도가 감지되고, 제2 온도센서(370)에 의해 본체(310) 즉, 각 히터블록(311, 313, 315, 317)의 온도가 감지된다. 따라서 제1, 2 온도센서(350, 370)에서 감지되는 정보에 따라 히터(330)의 온도를 조절하여 캐리어가스 히터(300)에서 배출되는 캐리어가스(C)의 적정온도를 조절할 수 있다.
이와 같이, 캐리어가스 히터(300)는 복수 개로 적층되는 히터블록(311, 313, 315, 317)에 형성되는 지그재그 형태의 가스유로(310a)로 캐리어가스(C)를 통과시키므로, 고유량의 캐리어가스(C)의 온도조절에 용이하다. 또한, 캐리어가스(C)는 서로 연통되는 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)에 충전된 열전도성 볼(310a)에 의해 접촉면적이 증가되어, 가스유로(311a, 313a, 315aa, 315ab, 317a)의 단면적에 대해 고른 온도 분포를 가질 수 있다.
여기서, 상술된 설명에서 캐리어가스 히터(300)는 캐리어가스(C)의 온도를 조절하는 예를 들어 설명하고 있다. 하지만, 이러한 캐리어가스 히터(300)는 캐리어가스(C) 뿐만 아니라, 증착장치(100)의 유지 보스 등에 사용되는 퍼지가스(Purge Gas)의 온도를 조절하도록 변형 실시 될 수 있을 것이다.
또한, 상술된 설명에서 캐리어가스 히터(300)는 증착장치(100)에 적용되는 예를 들어 설명하고 있다. 하지만, 이러한 캐리어가스 히터(300)는 경화장치, 건조 장치, 반도체 패키지 제조장치 등 열처리가 필요한 모든 장치로 확대 적용될 수 있을 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 증착장치를 나타낸 간략도이다
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터를 도 2에 표기된 I-I'선을 기준으로 절단한 단면사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터에 마련되는 배출 히터블록을 나타낸 분해사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터에 마련되는 배출 히터블록의 일부를 나타낸 확대사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 증착장치의 캐리어가스 히터를 도 2에 표기된 I-I'선을 기준으로 절단한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
100 : 증착장치 200 : 소스공급부
300 : 캐리어가스 히터 310 : 본체
330 : 히터 400 : 챔버

Claims (10)

  1. 캐리어가스가 이동되기 위한 가스유로가 형성되는 복수 개의 히터블록을 구비하며, 상기 가스유로가 서로 연통되도록 복수 개의 상기 히터블록이 적층되는 본체;및
    상기 히터블록에 결합되어, 상기 히터블록을 가열하는 히터;를 구비하는 것을 특징으로 하는 캐리어가스 히터.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 본체는,
    상기 본체의 일측에 배치되어, 상기 캐리어가스가 공급되는 공급 히터블록;
    상기 본체의 타측에 배치되어, 상기 캐리어가스가 배출되는 배출 히터블록;및
    상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록의 사이에 배치되어, 상기 캐리어 가스를 상기 공급 히트블록으로부터 상기 배출 히터블록으로 안내하는 중앙 히터블록;을 구비하는 것을 특징으로 하는 캐리어가스 히터.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 본체는,
    상기 공급 히터블록과 상기 중앙 히터블록의 사이와, 상기 중앙 히터블록과 상기 배출 히터블록의 사이에 각각 배치되어,
    상기 캐리어가스를 상기 공급 히터블록으로부터 상기 중앙 히터블록으로 안내하며, 상기 캐리어가스를 상기 중앙 히터블록으로부터 상기 배출 히터블록으로 안내하는 보조 히터블록;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 캐리어가스 히터.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록은 상기 본체의 외측으로 개방되는 제1, 제2 가스유로를 각각 구비하며,
    상기 중앙 히터블록은 상기 공급 히터블록 측으로 개방되는 제3 가스유로와, 상기 배출 히터블록 측으로 개방되는 제4 가스유로를 구비하며,
    상기 보조 히터블록은 상기 공급 히터블록 측과 상기 배출 히터블록 측 중 어느 한 측으로 개방되는 제5 가스유로를 구비하되,
    상기 제3, 제4, 제5 가스유로는 상기 공급 히터블록, 상기 배출 히터블록, 상기 중앙 히터블록 및 상기 보조 히터블록이 적층되어 밀폐되고,
    상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록은 제1, 제2 덮개를 구비하여, 상기 제1, 제2 가스유로를 밀폐시키는 것을 특징으로 하는 캐리어가스 히터.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 가스유로에는 상기 캐리어가스의 접촉면적을 증가시 키는 열전도성 볼이 충전되며,
    상기 본체는,
    상기 열전도성 볼의 지름보다 작은 폭의 관통공이 형성되어, 서로 연통되는 상기 가스유로의 공급 단부와 배출 단부에 각각 설치되는 볼 스톱퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 캐리어가스 히터.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 본체는,
    서로 연통되는 상기 가스유로에서 이동되는 상기 캐리어가스의 온도를 감지하는 제1 온도센서;및
    상기 히터블록의 온도를 감지하는 제2 온도센서를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 캐리어가스 히터.
  7. 증착막을 형성하는 소스물질을 기화시키고, 캐리어가스에 의해 기화된 상기 소스물질을 제공하는 소스 공급부;
    상기 캐리어가스가 이동되기 위한 가스유로가 형성되는 복수 개의 히터블록이 적층되는 본체를 가열하는 캐리어가스 히터;및
    상기 소스물질을 기판에 증착시키기 위한 처리공간을 형성하며, 상기 소스 공급부에 의해 상기 소스물질이 공급되는 챔버;를 구비하는 것을 특징으로 하는 구 비하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 본체는,
    상기 본체의 일측에 배치되어, 상기 캐리어가스가 공급되는 공급 히터블록;
    상기 본체의 타측에 배치되어, 상기 캐리어가스가 배출되는 배출 히터블록;
    상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록의 사이에 배치되어, 상기 캐리어 가스를 상기 공급 히트블록으로부터 상기 배출 히터블록으로 안내하는 중앙 히터블록;
    상기 공급 히터블록과 상기 중앙 히터블록의 사이와, 상기 중앙 히터블록과 상기 배출 히터블록의 사이에 각각 배치되어, 상기 캐리어가스를 상기 공급 히터블록으로부터 상기 중앙 히터블록으로 안내하며, 상기 캐리어가스를 상기 중앙 히터블록으로부터 상기 배출 히터블록으로 안내하는 보조 히터블록;을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록은 상기 본체의 외측으로 개방되는 제1, 제2 가스유로를 각각 구비하며,
    상기 중앙 히터블록은 상기 공급 히터블록 측으로 개방되는 제3 가스유로와, 상기 배출 히터블록 측으로 개방되는 제4 가스유로를 구비하며,
    상기 보조 히터블록은 상기 공급 히터블록 측과 상기 배출 히터블록 측 중 어느 한 측으로 개방되는 제5 가스유로를 구비하되,
    상기 제3, 4, 5 가스유로는 상기 공급 히터블록, 상기 배출 히터블록, 상기 중앙 히터블록 및 상기 보조 히터블록이 적층되어 밀폐되고,
    상기 공급 히터블록과 상기 배출 히터블록은 제1, 제2 덮개를 구비하여, 상기 제1, 제2 가스유로를 밀폐시키는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  10. 제7 항에 있어서, 상기 가스유로에는 상기 캐리어가스의 접촉면적을 증가시키는 열전도성 볼이 충전되며,
    상기 본체는,
    상기 열전도성 볼의 지름보다 작은 폭의 관통공이 형성되어, 서로 연통되는 상기 가스유로의 공급 단부와 배출 단부에 각각 설치되는 볼 스톱퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
KR1020080034225A 2008-04-14 2008-04-14 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치 KR100960814B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080034225A KR100960814B1 (ko) 2008-04-14 2008-04-14 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080034225A KR100960814B1 (ko) 2008-04-14 2008-04-14 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090108888A true KR20090108888A (ko) 2009-10-19
KR100960814B1 KR100960814B1 (ko) 2010-06-08

Family

ID=41552246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080034225A KR100960814B1 (ko) 2008-04-14 2008-04-14 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100960814B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101959266B1 (ko) * 2018-05-31 2019-03-18 주식회사 에이치엔씨 반도체 제조장치 배출라인의 고정용 지그 장치
KR20200074401A (ko) * 2018-12-17 2020-06-25 (주)에이텍솔루션 고효율 유로형상을 가지는 반도체 증착용 기화기
KR20210097267A (ko) * 2020-01-29 2021-08-09 (주)선재하이테크 표면처리장치용 약액 기화기

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102269079B1 (ko) * 2015-05-08 2021-06-25 (주)지오엘리먼트 충진이 용이하고 기화 효율이 향상된 기화기

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100237828B1 (ko) 1997-01-24 2000-02-01 윤종용 고순도의 가스 고온가열장치
JP2000070664A (ja) 1998-06-18 2000-03-07 Kokusai Electric Co Ltd 加熱型トラップ装置および成膜装置
JP3842512B2 (ja) 2000-02-24 2006-11-08 オムロン株式会社 流体加熱装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101959266B1 (ko) * 2018-05-31 2019-03-18 주식회사 에이치엔씨 반도체 제조장치 배출라인의 고정용 지그 장치
KR20200074401A (ko) * 2018-12-17 2020-06-25 (주)에이텍솔루션 고효율 유로형상을 가지는 반도체 증착용 기화기
KR20210097267A (ko) * 2020-01-29 2021-08-09 (주)선재하이테크 표면처리장치용 약액 기화기

Also Published As

Publication number Publication date
KR100960814B1 (ko) 2010-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5710734B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
US7951421B2 (en) Vapor deposition of a layer
WO2012124563A1 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法
KR101665748B1 (ko) 패턴화된 유기 박막의 침착을 위한 방법 및 시스템
KR101173645B1 (ko) 가스 분사 유닛 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
US20130323882A1 (en) Vapor deposition particle emitting device, vapor deposition apparatus, vapor deposition method
JP2007070679A (ja) 成膜装置、成膜装置系、成膜方法、及び電子機器または有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20180048444A (ko) 재료 증착 소스 어레인지먼트의 분배 어셈블리를 위한 노즐, 재료 증착 소스 어레인지먼트, 진공 증착 시스템, 및 재료를 증착하기 위한 방법
KR100960814B1 (ko) 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치
US20180114953A1 (en) Method of producing organic electroluminescent display device by using vapor deposition device
JP5091678B2 (ja) 成膜用材料の推定方法、解析方法、及び成膜方法
JP2015214740A (ja) 蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4602054B2 (ja) 蒸着装置
CN103031520A (zh) 蒸发源及成膜装置
JP5242549B2 (ja) 基板表面に共蒸着層を形成する方法
WO2013122059A1 (ja) 成膜装置
KR20080098813A (ko) 캐니스터 온도조절장치, 유기물 공급라인 및 이를 이용한유기물 증착장치
JP2010525163A (ja) 気化した有機材料の微調整
WO2008018500A1 (fr) Dispositif de formation de film, système de formation de film et procédé de formation de film
JP2004220852A (ja) 成膜装置および有機ｅｌ素子の製造装置
KR100931604B1 (ko) 캐리어가스 히터 및 이를 이용한 증착장치
JP6549835B2 (ja) 蒸着装置、及び有機ｅｌ装置の製造方法
KR100757798B1 (ko) 유기박막 증착용 도가니 장치
JP6271241B2 (ja) 蒸着装置、及び有機ｅｌ装置の製造方法
KR101458474B1 (ko) 챔버에 유기물을 제공하는 캐니스터

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130527

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140527

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee