KR20090098893A - Probe inspecting device, displacement correcting method, information processor, information processing method, and program - Google Patents

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KR20090098893A
KR20090098893A KR1020097014872A KR20097014872A KR20090098893A KR 20090098893 A KR20090098893 A KR 20090098893A KR 1020097014872 A KR1020097014872 A KR 1020097014872A KR 20097014872 A KR20097014872 A KR 20097014872A KR 20090098893 A KR20090098893 A KR 20090098893A
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히로시 카와라기
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[PROBLEMS] To always and optimally keep the contact position of a probe needle even if the probe needle is brought into contact with the negative electrode pad by appropriately correcting the displacement of the contact position of the probe needle. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] In a probe inspecting device (100) a CCD camera (6) captures a pre-contact image (51) and a post-contact image (52) of a probe needle (8a) brought into contact with each pad (40) of a chip (30) by means of a CCD camera (6), and an image processing PC (10) extracts a difference image (53) of the images, calculates the displacement value between the position of the latest needle trace (41b) shown in the difference image (53) and a target position for each pad (30), calculates the overall correction of the probe card (8) from each displacement value, and corrects the displacement by reflecting the correction on the inspection of each pad (40) of the chip (30) to be inspected next.

Description

프로브 검사 장치, 위치 이탈 보정 방법, 정보 처리 장치, 정보 처리 방법 및 프로그램{PROBE INSPECTING DEVICE, DISPLACEMENT CORRECTING METHOD, INFORMATION PROCESSOR, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND PROGRAM}PROBE INSPECTING DEVICE, DISPLACEMENT CORRECTING METHOD, INFORMATION PROCESSOR, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND PROGRAM}

본 발명은 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들(Probe Needle)을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치, 해당 프로브 검사 장치에서의 위치 이탈 보정 방법, 해당 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치, 해당 정보 처리 장치에서의 정보 처리 방법 및 프로그램에 관한 것이다.The present invention is a probe inspection device for contacting the probe needle (Probe Needle) to the electrode pad of the inspected object, the probe inspection device for inspecting the electrical characteristics of the inspected object, the position deviation correction method in the probe inspection device, information used in the probe inspection device A processing apparatus, an information processing method and a program in the information processing apparatus.

종래부터, 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고도 함)에 형성된 반도체 칩(이하, 간단히 칩이라고도 함) 등의 전자 디바이스의 전기적 특성을 검사하기 위한 프로브 검사 장치가 알려져 있다. 이 프로브 검사 장치에서는 프로브 카드에 설치된 프로브 니들을 칩 상의 전극 패드에 접촉시켜, 프로브 카드에 접속된 테스터에 의하여 소정의 전압을 걸어 출력을 측정하여, 기대치와 비교함으로써 칩의 불량 여부를 판정한다.Background Art Conventionally, probe inspection apparatuses for inspecting electrical characteristics of electronic devices such as semiconductor chips (hereinafter, simply referred to as chips) formed on semiconductor wafers (hereinafter, also simply referred to as wafers) have been known. In this probe inspection apparatus, a probe needle provided in a probe card is brought into contact with an electrode pad on a chip, a predetermined voltage is applied by a tester connected to the probe card, and the output is measured.

이 프로브 검사에서는 프로브 니들을 전극 패드의 목표 위치에 정확하게 접촉시키는 것이 중요하게 된다. 프로브 니들이 전극 패드의 중심으로부터 이탈된 주연부 또는 전극 패드 외의 위치에 접촉되면 오검사로 이어지게 된다. 또한, 하나의 칩에 대해 복수 회의 측정을 행하기 위하여, 전극 패드 상의 영역을 복수의 측정마다 분할하여 사용하는 경우도 있어, 프로브 니들이 그 측정마다의 다른 영역으로부터 이탈되어 접촉되면 복수 회의 측정이 곤란해진다.In this probe inspection, it is important to accurately contact the probe needle with the target position of the electrode pad. If the probe needle comes in contact with a periphery that is away from the center of the electrode pad or a position other than the electrode pad, it will lead to a false test. In addition, in order to perform a plurality of measurements on one chip, the area on the electrode pad may be divided and used for each of the plurality of measurements. Become.

이러한 프로브 니들의 위치 이탈을 보정하기 위한 기술로서, 하기 특허 문헌 1에는 프로브 카드의 프로브의 니들 트레이스(Needle Trace)를 컬러 카메라로 관찰하고, 이 니들 트레이스가 전극 패드 상의 적정한 위치(예를 들면, 전극 패드의 중심)에 남아있는지를 판단하여, 그 니들 트레이스의 위치가 적정한 위치로부터 이탈되어 있는 경우에는 예를 들면, 니들 트레이스의 중심과 전극 패드의 중심과의 위치 이탈을 없애도록 스테이지를 미소(微小)하게 이동시키는 방법이 개시되어 있다. 또한, 그 밖에 하기 특허 문헌 2 내지 5에도 프로브 니들의 위치 조정에 관한 기술이 기재되어 있다. As a technique for correcting the positional deviation of the probe needle, Patent Document 1 below observes a needle trace of a probe of a probe card with a color camera, and the needle trace is a proper position on the electrode pad (for example, If the position of the needle trace is deviated from an appropriate position, for example, the stage may be minutely removed so as to eliminate the positional deviation between the center of the needle trace and the center of the electrode pad. A method of moving finely is disclosed. In addition, Patent Documents 2 to 5 also describe techniques related to the position adjustment of the probe needles.

특허 문헌 1 : 일본특허공개공보 2004-63877호(단락[0006]등)Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-63877 (paragraph [0006], etc.)

특허 문헌 2 : 일본특허공개공보 평 06-005690호Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 06-005690

특허 문헌 3 : 일본특허공개공보 평 07-013990호Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-013990

특허 문헌 4 : 일본특허공보 제2575072호Patent Document 4: Japanese Patent No. 2575072

특허 문헌 5 : 일본특허공보 제2984541호Patent Document 5: Japanese Patent No. 2984541

발명이 해결하고자 하는 과제Problems to be Solved by the Invention

그런데, 상기 프로브 검사에서는 하나의 전극 패드에 대해 다양한 전기적 조건마다 복수 회의 측정이 이루어지는 경우가 있고, 이 경우에는 하나의 전극 패드 상에 복수의 니들 트레이스가 남게 된다. 그러나, 상기 각 특허 문헌의 기술에서는 이러한 복수의 니들 트레이스가 남은 전극 패드를 촬상하여도 어느 니들 트레이스가 최신의 니들 트레이스인지를 판별할 수 없으므로, 현재의 위치 이탈량을 산출할 수 없어, 위치 이탈 보정을 할 수 없게 된다. However, in the probe test, a plurality of measurements may be performed for various electrode conditions on one electrode pad, and in this case, a plurality of needle traces remain on one electrode pad. However, in the technique of each of the above patent documents, it is not possible to determine which needle trace is the latest needle trace even when imaging the electrode pads left by the plurality of needle traces. You will not be able to make corrections.

이상과 같은 사정에 비추어 보아, 본 발명의 목적은 프로브 니들이 하나의 전극 패드에 복수 회 접촉하는 경우에도, 프로브 니들의 접촉 위치의 위치 이탈을 적절히 보정함으로써, 프로브 니들의 접촉 위치를 항상 최적으로 유지할 수 있는 프로브 검사 장치, 해당 프로브 검사 장치에서의 위치 이탈 보정 방법, 해당 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치, 해당 정보 처리 장치에서의 정보 처리 방법 및 프로그램을 제공하는 것에 있다. In view of the above circumstances, an object of the present invention is to maintain the optimum contact position of the probe needle at all times by appropriately correcting the positional deviation of the contact position of the probe needle even when the probe needle contacts a single electrode pad a plurality of times. The present invention provides a probe inspection apparatus, a position deviation correction method in the probe inspection apparatus, an information processing apparatus used in the probe inspection apparatus, an information processing method and a program in the information processing apparatus.

과제를 해결하기 위한 수단Means to solve the problem

상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 주요 관점에 따른 프로브 검사 장치는, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치로서, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드와 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드를 각각 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상된 접촉 전의 상기 전극 패드의 화상을 제 1 화상으로서 기억하고, 상기 촬상된 접촉 후의 상기 전극 패드의 화상을 제 2 화상으로서 기억하는 기억 수단과, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분(差分)을 차분 화상으로서 추출하는 차분 추출 수단과, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 산출 수단과, 상기 산출된 보정량을 기초로 상기 피검사체와 상기 프로브 니들과의 상대 위치를 가변시켜 상기 위치 이탈을 보정하는 보정 수단을 구비한다.In order to solve the above problems, the probe inspection device according to the main aspect of the present invention is a probe inspection device for inspecting the electrical characteristics of the inspected object by contacting the probe needle to the electrode pad of the inspected object, Imaging means for imaging each of the electrode pad before contact of the probe needle and the electrode pad after contact of the probe needle, and an image of the electrode pad before the captured contact as a first image, and storing the image after contact Among the storage means for storing the image of the electrode pad as a second image, the difference extracting means for extracting the difference between the stored first image and the second image as a difference image, and the extracted difference image. Neck on the electrode pad to which the probe needle should contact the needle trace position of the probe needle that appears Calculating means for calculating a correction amount for correcting the positional deviation from the table position, and correction means for correcting the positional deviation by varying a relative position between the object under test and the probe needle based on the calculated correction amount. .

여기서 피검사체란, 예를 들면, 복수의 반도체 칩이 형성된 반도체 웨이퍼 또는 그 밖의 전자 디바이스이다. 이 구성에 의해, 피검사체에 프로브 니들이 복수 회 접촉하는 경우라도, 상기 차분 화상을 추출함으로써 항상 최신의 니들 트레이스만을 추출할 수 있으므로, 프로브 니들의 접촉마다 위치 이탈을 보정함으로써 접촉 상태를 항상 최적 위치로 유지할 수 있다. 따라서, 접촉 불량에 기인하는 피검사체의 전기적 특성의 측정 실패를 방지하고, 결과적으로 피검사체의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 보정 수단에 의한 상대 위치의 가변은 예를 들면, 상기 프로브 니들의 접촉 방향에 대하여 수직인 평면 상에서 상기 피검사체를 X 방향 또는 Y 방향으로 이동시킴으로써 행해진다. 또한, 상기 피검사체가 복수의 전극 패드가 설치된 복수의 반도체 칩을 갖는 반도체 웨이퍼인 경우에는 현재의 검사 대상인 하나의 반도체 칩의 각 전극 패드에 대하여 산출된 보정량을 다음의 검사 대상인 다른 반도체 칩의 각 전극 패드에 대하여 반영시켜도 좋다. Here, the object under test is a semiconductor wafer or other electronic device in which a plurality of semiconductor chips are formed, for example. With this configuration, even when the probe needle contacts the object under test a plurality of times, only the latest needle trace can be extracted by extracting the difference image, so that the contact state is always optimally corrected by correcting the position deviation for each contact of the probe needle. Can be maintained. Therefore, it is possible to prevent the measurement failure of the electrical characteristics of the inspected object due to poor contact, and consequently to improve the yield of the inspected object. In addition, the relative position of the correction means is changed by, for example, moving the inspected object in the X direction or the Y direction on a plane perpendicular to the contact direction of the probe needle. In addition, in the case where the inspected object is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of electrode pads, the correction amount calculated for each electrode pad of one semiconductor chip that is the current inspection target is determined by each of the other semiconductor chips that are the next inspection target. The electrode pads may be reflected.

상기 프로브 검사 장치는, 상기 전극 패드에 대하여 복수 회에 걸쳐 상기 프로브 니들의 접촉에 의한 상기 전기적 특성 검사가 행해지는 경우에 한 회 다음 회의 검사에서 상기 촬상 수단에 의한 상기 제 1 화상의 촬상을 규제하는 규제 수단을 더 구비하고, 상기 기억 수단은, 상기 한 회의 검사에서 상기 제 2 화상으로서 기억된 화상을 상기 다음 회의 검사에서의 상기 제 1 화상으로서 기억해도 상관없다.The probe inspection device regulates the imaging of the first image by the imaging means in the next inspection when the electrical characteristic inspection by the contact of the probe needle is performed with respect to the electrode pad a plurality of times. The control means may be further provided, and the storage means may store an image stored as the second image in the one inspection as the first image in the next inspection.

이에 의해, 전회(前回)의 검사 시에 촬상한 제 2 화상을 다음 회의 검사 시에 제 1 화상으로서 이용할 수 있으므로, 검사마다 제 1 화상을 촬상하는 수고를 생략할 수 있고, 또한 기억 수단의 기억 용량을 삭감할 수도 있다.Thereby, since the 2nd image image | photographed at the time of the previous test | inspection can be used as a 1st image at the time of a next test | inspection, the effort which image | photographs a 1st image for every test | inspection can be skipped, and the memory of a storage means The dose can also be reduced.

상기 프로브 검사 장치에서, 상기 기억 수단은, 상기 차분 추출 후에 상기 제 1 화상을 삭제하는 수단을 가지고 있어도 좋다. 이에 의해, 상기 기억 수단의 기억 용량을 더 삭감할 수 있다. In the probe inspection device, the storage means may have a means for deleting the first image after the difference extraction. As a result, the storage capacity of the storage means can be further reduced.

상기 프로브 검사 장치에서, 상기 피검사체는, 복수의 상기 전극 패드가 설치된 복수의 반도체 칩을 갖는 반도체 웨이퍼이며, 상기 프로브 니들은, 상기 각 반도체 칩 중 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드에 한 번에 접촉할 수 있도록 복수 존재하고, 상기 촬상 수단은, 상기 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드의 상기 제 1 및 제 2 화상을 각각 연속적으로 촬상할 수 있고, 상기 기억 수단은, 상기 각 전극 패드의 상기 제 2 화상을, 상기 하나의 반도체 칩을 식별하는 제 1 식별 정보와, 상기 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드를 식별하는 제 2 식별 정보와 대응시켜 기억하고, 상기 산출 수단은, 상기 각 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 각 전극 패드 상의 각 목표 위치 사이의 각 위치 이탈을 한 번에 보정하기 위한 보정량을 산출해도 좋다.In the probe inspection device, the inspected object is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads, and the probe needle is once in each of the electrode pads of one of the semiconductor chips. And a plurality of the imaging means are capable of successively imaging the first and second images of the respective electrode pads of the one semiconductor chip, respectively, and the storage means being the respective electrode pads. And storing said second image in correspondence with first identification information for identifying said one semiconductor chip and second identification information for identifying said electrode pad of said one semiconductor chip, wherein said calculating means The amount of correction for correcting each position deviation between the needle trace position of each probe needle and each target position on the electrode pad at one time may be calculated. All.

이에 의해, 각 전극 패드에서의 각 제 1 및 제 2 화상을 연속적으로 촬상하여, 각 전극 패드에서의 위치 이탈을 한 번에 보정할 수 있고, 보정에 걸리는 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 각 전극 패드의 제 1 및 제 2 화상을 상기 제 1 및 제 2 식별 정보에 각각 대응시켜 기억하기 위해, 복수의 반도체 칩의 각 전극 패드에 대하여 검사하면서, 하나의 반도체 칩의 각 전극 패드에 대하여 복수 회 검사하는 경우에도 상기 각 식별 정보를 참조하여 전회의 제 2 화상을 다음 회의 제 1 화상으로서 용이하게 불러낼 수 있다. 이에 의해, 제 1 화상의 상기 연속 촬상 처리를 생략하여, 촬상 수단의 처리 부담 및 기억 수단의 사용 용량을 삭감함으로써, 효율적으로 위치 이탈을 보정할 수 있다. 또한, 이 경우에 산출되는 보정량은, 상기 X 및 Y 방향뿐만 아니라, 상기 평면 상에서의 회전(θ) 방향의 이동도 고려하여 산출되고, 상기 보정 수단은, 그 보정량에 기초하여 피검사체를 상기 평면 상의 X, Y 및 θ 방향 중, 적어도 한 방향으로 이동시킴으로써 위치 이탈을 보정한다. Thereby, each 1st and 2nd image in each electrode pad can be image | photographed continuously, the positional deviation in each electrode pad can be corrected at once, and the processing efficiency which a correction requires can be improved. Further, in order to store the first and second images of each electrode pad in correspondence with the first and second identification information, respectively, the electrode pads of one semiconductor chip are inspected for each electrode pad of the plurality of semiconductor chips. Even when the test is performed a plurality of times, the second image of the previous time can be easily recalled as the first image of the next meeting with reference to the respective identification information. Thereby, positional deviation can be corrected efficiently by omitting the said continuous imaging process of a 1st image, and reducing the processing burden of an imaging means, and the use capacity of a storage means. In addition, the correction amount calculated in this case is calculated in consideration of not only the X and Y directions but also the movement in the rotation (θ) direction on the plane, and the correction means determines the plane to be inspected based on the correction amount. The positional deviation is corrected by moving in at least one direction among the X, Y, and θ directions of the image.

상기 프로브 검사 장치에서, 상기 피검사체는, 복수의 상기 전극 패드가 설치된 복수의 반도체 칩을 갖는 반도체 웨이퍼이며, 상기 프로브 니들은, 상기 각 반도체 칩 중 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각의 상기 각 전극 패드에 한 번에 접촉할 수 있도록 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각에 대해 복수 존재하고, 상기 촬상 수단은, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각의 상기 각 전극 패드의 상기 제 1 및 제 2 화상을 각각 연속적으로 촬상할 수 있고, 상기 기억 수단은, 상기 각 전극 패드의 상기 제 2 화상을 상기 적어도 2 개의 반도체 칩을 각각 식별하는 제 1 식별 정보와 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드를 각각 식별하는 제 2 식별 정보와 대응시켜 기억하고, 상기 산출 수단은, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩에서 상기 각 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 각 전극 패드 상의 각 목표 위치와의 사이의 각 위치 이탈을 한 번에 보정하기 위한 보정량을 산출해도 상관없다.In the probe inspection device, the inspected object is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads, and the probe needle is each of the respective electrode pads of at least two semiconductor chips of the semiconductor chips. A plurality of each of the at least two semiconductor chips so as to be in contact at a time, and the imaging means, respectively, the first and second images of the respective electrode pad of each of the at least two semiconductor chips Image capturing can be performed continuously, and said storage means respectively identifies the second image of the respective electrode pads with first identification information for identifying the at least two semiconductor chips, respectively, and the respective electrode pads of the at least two semiconductor chips. Correspondingly stored in association with the second identification information to be identified, the calculation means is the probe needle in the at least two semiconductor chips. No matter if the calculated correction amount for correcting the angular position deviation between a respective target position on the needle trace location and each of the electrode pads at a time.

이에 의해, 복수의 반도체 칩의 각 전극 패드의 위치 이탈을 한 번에 보정할 수 있어, 보정의 처리 효율이 더욱 향상된다. 또한, 이 복수의 반도체 칩에 대하여 복수 회 검사를 행하는 경우에도 상기 제 1 및 제 2 식별 정보를 참조하여 전회의 제 2 화상을 다음 회의 제 1 화상으로서 용이하게 불러냄으로써, 제 1 화상의 촬상 처리를 생략하여 효율적으로 위치 이탈을 보정할 수 있다. Thereby, the positional deviation of each electrode pad of a some semiconductor chip can be corrected at once, and the processing efficiency of correction improves further. In addition, even when the plurality of semiconductor chips are inspected a plurality of times, the first image is easily retrieved as the next image of the first image by referring to the first and second identification information. The positional deviation can be corrected efficiently by omitting.

본 발명의 다른 관점에 따른 위치 이탈 보정 방법은, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에서의 위치 이탈 보정 방법으로서, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드와 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드를 각각 촬상하는 단계와, 상기 촬상된 접촉 전의 상기 전극 패드의 화상을 제 1 화상으로서 기억하고, 상기 촬상된 접촉 후의 상기 전극 패드의 화상을 제 2 화상으로서 기억하는 단계와, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계와, 상기 산출된 보정량을 기초로 상기 피검사체와 상기 프로브 니들과의 상대 위치를 가변시켜, 상기 위치 이탈을 보정하는 단계를 구비한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for correcting a positional deviation in a probe inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of the object by contacting a probe needle with an electrode pad of the object. Imaging each of the electrode pad before contact of the probe needle and the electrode pad after contact of the probe needle, and storing an image of the electrode pad before the photographed contact as a first image, and storing the electrode after the photographed contact Storing an image of the pad as a second image, extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image, and needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image Position deviation from the target position on the electrode pad to which the probe needle And by the step, based on the calculated correction amount for calculating the correction amount for determining the relative position of the variable and the object to be inspected with the probe needle, and a step of correcting the displacement.

본 발명의 다른 관점에 따른 정보 처리 장치는, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치로서, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 기억 수단과, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 차분 추출 수단과, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 산출 수단을 구비한다.An information processing apparatus according to another aspect of the present invention is an information processing apparatus used in a probe inspection apparatus for contacting a probe needle with an electrode pad of an inspected object to inspect electrical characteristics of the inspected object, wherein the probe to the inspected object is Storage means for storing a first image in which the electrode pads before the contact of the needle is imaged and a second image in which the electrode pads after the contact of the probe needle are imaged, and the stored first image and the second image. A difference extracting means for extracting the difference as a difference image, and a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be brought into contact with A calculating means for calculating is provided.

본 발명의 다른 관점에 따른 정보 처리 방법은, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치에서의 정보 처리 방법으로서, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 단계와, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계를 구비한다.An information processing method according to another aspect of the present invention is an information processing method in an information processing apparatus used for a probe inspection apparatus for contacting a probe needle with an electrode pad of an inspected object to inspect electrical characteristics of the inspected object. Storing a first image in which the electrode pad before the contact of the probe needle with the test object is imaged and a second image in which the electrode pad after the contact of the probe needle is imaged, respectively, the stored first image and the first image; Extracting the difference from the two images as a difference image, and correcting the positional deviation of the needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image from the target position on the electrode pad to which the probe needle should contact Calculating a correction amount.

본 발명의 다른 관점에 따른 프로그램은, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치에, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 단계와, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계를 실행시키기 위한 것이다.A program according to another aspect of the present invention is an information processing apparatus used for a probe inspection apparatus for contacting a probe needle with an electrode pad of an inspected object to inspect electrical characteristics of the inspected object, wherein the probe needle to the inspected object is Storing the first image photographed by the electrode pad before contacting and the second image photographed by the electrode pad after contacting the probe needle, respectively, and the difference between the stored first image and the second image Extracting as an image, and calculating a correction amount for correcting a position deviation of a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted differential image with a target position on the electrode pad to which the probe needle should be in contact. It is to let.

또한, 이 프로그램을 기록한 기록 매체로서 본 발명을 구성해도 좋다. 여기서, 기억 매체란 예를 들면, CD(Compact Disc), DVD(Digital Versatile Disk), BD(Blu-ray Disc), HDD(Hard Disk Drive), 플래시 메모리 등이다.The present invention may also be configured as a recording medium on which this program is recorded. Here, the storage medium is, for example, a compact disc (CD), a digital versatile disk (DVD), a Blu-ray Disc (BD), a hard disk drive (HDD), a flash memory, or the like.

발명의 효과Effects of the Invention

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 프로브 니들이 하나의 전극 패드에 복수 회 접촉하는 경우에도 프로브 니들의 접촉 위치의 위치 이탈을 적절히 보정함으로써, 프로브 니들의 접촉 위치를 항상 최적으로 유지할 수 있다.As described above, according to the present invention, even when the probe needle contacts a single electrode pad a plurality of times, the contact position of the probe needle can be optimally maintained at all times by appropriately correcting the positional deviation of the contact position of the probe needle.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 검사 장치의 구성을 도시한 도면이다.1 is a view showing the configuration of a probe inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에서의 화상 처리용 PC의 구성을 도시한 블록도이다.Fig. 2 is a block diagram showing the configuration of an image processing PC in one embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에서의 웨이퍼의 상면도이다.3 is a top view of a wafer in one embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에서의 웨이퍼의 각 칩의 확대 상면도이다.4 is an enlarged top view of each chip of the wafer in one embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에서 각 칩의 전기적 특성 검사를 행하는 경우의 동작의 흐름을 도시한 순서도이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating an operation flow when an electrical characteristic test of each chip is performed in one embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에서 하나의 칩 상에서의 CCD 카메라의 촬상 궤적을 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating an imaging trajectory of a CCD camera on one chip in one embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에서 차분 화상을 추출하는 모습을 개념적으로 도시한 도면이다.7 is a diagram conceptually illustrating a state in which a difference image is extracted in an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 일 실시예에서의 위치 이탈량의 산출 처리를 개념적으로 도시한 도면이다.8 is a diagram conceptually showing a calculation process of the position deviation amount in one embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 일 실시예에서 칩의 복수의 패드에 최신의 니들 트레이스가 남은 상태를 도시한 도면이다.FIG. 9 is a diagram illustrating a state of the latest needle traces remaining on a plurality of pads of a chip in an embodiment of the present invention.

도 10a 내지 10c는 각각 본 발명의 다른 실시예에서 하나의 패드를 복수의 영역으로 나누어 컨택트의 목표 위치를 각 영역마다 설정한 경우의 컨택트 전 화상, 컨택트 후 화상 및 차분 화상을 도시한 도면이다.10A to 10C are diagrams illustrating a pre-contact image, a post-contact image, and a differential image when each pad is divided into a plurality of regions and a target position of the contact is set for each region in another embodiment of the present invention.

부호의 설명Explanation of the sign

3 : 스테이지3: stage

4 : 모터4: motor

5 : 인코더5: encoder

6 : CCD 카메라6: CCD camera

7 : 광원7: light source

8 : 프로브 카드8: probe card

8a : 프로브 니들8a: probe needle

9 : 테스터9: tester

10 : 화상 처리용 PC10: PC for image processing

14 : 렌즈14: Lens

21 : CPU21: CPU

23 : RAM23: RAM

25 : HDD25: HDD

30 : 반도체 칩(칩, 다이) 30: semiconductor chip (chip, die)

40 : 전극 패드(패드)40: electrode pad (pad)

41 : 니들 트레이스41: Needle Trace

51 : 컨택트 전 화상51: Before Contact

52 : 컨택트 후 화상52: Burn after contact

53 : 차분 화상53: difference image

100 : 프로브 검사 장치100: probe inspection device

이하, 본 발명의 실시예를 도면에 기초하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of this invention is described based on drawing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 검사 장치의 구성을 도시한 도면이다.1 is a view showing the configuration of a probe inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 프로브 검사 장치(100)는 예를 들면, 실리콘제(製)의 반도체 웨이퍼(1)(이하, 간단히 웨이퍼(1)라고도 함)를 유지하는 웨이퍼 테이블(2)과, 해당 웨이퍼 테이블(2)을 도 1의 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시키기 위한 스테이지(3)와, 웨이퍼(1)를 상방에서 촬상하는 CCD 카메라(6)와, 이 CCD 카메라(6)에 의한 촬상 시에 웨이퍼(1)를 조명하는 광원(7)과, 복수의 프로브 니들(8a)이 설치된 프로브 카드(8)와, 이들 각 부의 동작을 제어하며, 또한, 후술하는 화상 처리를 행하는 화상 처리용 PC(Personal Computer)(10)를 갖는다.As shown in FIG. 1, the probe inspection device 100 includes, for example, a wafer table 2 holding a semiconductor wafer 1 made of silicon (hereinafter, simply referred to as a wafer 1). A stage 3 for moving the wafer table 2 in the X, Y, Z, and θ directions of FIG. 1, a CCD camera 6 for imaging the wafer 1 from above, and the CCD camera 6. Control the operation of each of these parts and the light source 7 for illuminating the wafer 1, the probe card 8 provided with the plurality of probe needles 8a, and the following image processing. It has a PC (Personal Computer) 10 for image processing.

웨이퍼(1)는 도시하지 않은 반송 암 등에 의하여 웨이퍼 테이블(2) 상으로 반송되어, 예를 들면 도시하지 않은 진공 펌프 등의 흡착 수단에 의하여 웨이퍼 테이블(2)에 흡착되어 고정된다. 또한, 웨이퍼(1)를 웨이퍼 테이블(2)에 직접 흡착시키는 것이 아니라 예를 들면, 별도로 웨이퍼(1)를 유지할 수 있는 트레이(도시하지 않음)를 준비하여, 웨이퍼(1)가 해당 트레이에 유지된 상태에서 트레이를 흡착 고정하도록 해도 상관없다. 웨이퍼(1)에 홀이 형성되어 있는 등의 경우에는, 웨이퍼를 직접 진공 흡착시키기 곤란한 경우도 있으므로, 이 트레이를 이용한 흡착 방법은 효과적이다. The wafer 1 is conveyed onto the wafer table 2 by a conveyance arm or the like not shown, and is adsorbed onto the wafer table 2 and fixed by, for example, a suction pump such as a vacuum pump (not shown). In addition, instead of directly adsorbing the wafer 1 to the wafer table 2, for example, a tray (not shown) capable of holding the wafer 1 separately is prepared, and the wafer 1 is held in the tray. The tray may be sucked and fixed in a closed state. In the case where a hole is formed in the wafer 1 or the like, it may be difficult to directly vacuum-adsorb the wafer, so the adsorption method using this tray is effective.

도 3은 웨이퍼(1)의 상면도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(1) 상에는 예를 들면, 88 개의 반도체 칩(다이)(30)(이하, 간단히 칩(30)이라고 함)이 그리드 형상으로 형성되어 있다. 물론 칩(30)의 수는 88 개로 한정되는 것은 아니다. 3 is a top view of the wafer 1. As shown in FIG. 3, on the wafer 1, for example, 88 semiconductor chips (dies) 30 (hereinafter, simply referred to as chips 30) are formed in a grid shape. Of course, the number of chips 30 is not limited to 88.

도 4는 웨이퍼(1)의 각 칩(30)의 확대 상면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 각 칩(30(30a ~ 30e))에는 예를 들면, 주연부를 따라 범프(Bump) 형상의 복수의 전극 패드(40)(이하, 간단히 패드라고 함)가 설치되어 있다. 본 실시예에서는 각 패드(40)는 칩(30)의 각 변에 12 개, 합계 48 개가 설치되어 있으나, 패드(40)의 수는 이에 한정되지 않는다. 또한, 패드(40)의 레이아웃도 각 칩(30)의 주연부 에 설치되는 경우에 한정되지 않고, 각 칩(30)의 전면(全面)에 걸쳐 설치되어 있어도 상관없다. 각 전극 패드(40)는 예를 들면, 금, 은, 구리, 땜납, 니켈, 알루미늄 등의 금속으로 이루어지며, 각 칩(30) 내부에 형성된 집적 회로에 접속되어 있다. 4 is an enlarged top view of each chip 30 of the wafer 1. As shown in Fig. 4, each chip 30 (30a to 30e) is provided with a plurality of electrode pads 40 (hereinafter simply referred to as pads) having a bump shape along the periphery, for example. have. In the present embodiment, each pad 40 is provided on each side of the chip 30, a total of 48, but the number of the pad 40 is not limited to this. In addition, the layout of the pad 40 is not limited to the case where it is provided in the periphery of each chip 30, and may be provided over the whole surface of each chip 30. As shown in FIG. Each electrode pad 40 is made of metal such as gold, silver, copper, solder, nickel, aluminum, or the like, and is connected to an integrated circuit formed inside each chip 30.

상기 프로브 카드(8)는 상기 각 칩(30)의 전극 패드의 수 및 레이아웃에 대응된 복수의 프로브 니들(8a)을 기판 상에 고정하여 구성된다. 예를 들면, 본 실시예에서는 48 개의 프로브 니들(8a)이 상기 각 칩(30)의 레이아웃을 따라 설치된다. 각 프로브 카드(8)는 테스터(9)에 접속되어 있으며, 각 프로브 니들(8a)을 각 패드(40)에 컨택트시키고, 이 각 프로브 니들(8a)을 거쳐 각 패드(40)에 테스터(9)로부터 다양한 조건에 따라 전압을 걸고, 그 출력치를 측정하여 소정의 기대치와 비교 등을 함으로써, 각 칩(30)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. The probe card 8 is configured by fixing a plurality of probe needles 8a corresponding to the number and layout of electrode pads of each chip 30 on a substrate. For example, in the present embodiment, 48 probe needles 8a are provided along the layout of each chip 30. Each probe card 8 is connected to the tester 9, and each probe needle 8a contacts each pad 40, and through each of the probe needles 8a, the tester 9 is connected to each pad 40. The electrical characteristics of each chip 30 can be inspected by applying a voltage according to various conditions, measuring the output value, comparing the predetermined value with a predetermined expected value, and the like.

도 1을 다시 참조하면, CCD 카메라(6)는 웨이퍼(1) 상방의 소정 위치에 고정되어 있으며, 렌즈 또는 셔터(도시하지 않음) 등을 내장하고 있다. CCD 카메라(6)는 화상 처리용 PC(10)로부터 출력되는 트리거 신호에 기초하여, 내장된 렌즈에 의하여 확대된, 각 칩(30) 상의 각 패드(40)의 상(像)(각 패드(40)에 남은 니들 트레이스의 상(像))을 광원(7)에 의하여 발하여진 섬광 하에서 촬상하고, 촬상 화상을 화상 처리용 PC(10)로 전송한다. 구체적으로는, CCD 카메라(6)는 하나의 칩(30)에 대한 전기적 특성 검사에서, 각 패드(40)에 각 프로브 니들(8a)이 컨택트하기 전의 화상(이하, 컨택트 전 화상이라고 함)과 컨택트한 후의 화상(이하, 컨택트 후 화상이라고 함)을 촬상한다. 또한, CCD 카메라(6) 대신에 CMOS 센서 등의 다른 촬상 소자를 내장한 카메라를 이용해도 상관없다.Referring back to FIG. 1, the CCD camera 6 is fixed at a predetermined position above the wafer 1 and incorporates a lens or a shutter (not shown). On the basis of the trigger signal output from the image processing PC 10, the CCD camera 6 uses an image (each pad) of each pad 40 on each chip 30 enlarged by a built-in lens. The image of the needle trace remaining on 40) is imaged under flashing light emitted by the light source 7, and the captured image is transferred to the image processing PC 10. FIG. Specifically, the CCD camera 6 includes an image before each probe needle 8a contacts each pad 40 (hereinafter referred to as a pre-contact image) in the electrical characteristic inspection for one chip 30. An image after contact (hereinafter referred to as an after contact image) is captured. Instead of the CCD camera 6, a camera incorporating another imaging device such as a CMOS sensor may be used.

광원(7)은 웨이퍼(1) 상방의 소정 위치에 고정되어 있으며 예를 들면, 고휘도의 백색 LED 또는 크세논 램프(Xenon Lamp) 등으로 이루어진 플래시 램프 및 해당 플래시 램프의 점등을 제어하는 플래시 점등 회로 등을 갖는다. 광원(7)은 화상 처리용 PC(10)로부터 출력되는 플래시 신호에 기초하여 예를 들면, 수 μ초 정도의 소정 시간, 고휘도의 섬광을 발함으로써 각 칩(30)의 각 패드(40)를 조명한다.The light source 7 is fixed at a predetermined position above the wafer 1, and includes, for example, a flash lamp made of a high brightness white LED or a Xenon lamp and a flash lighting circuit for controlling the lighting of the flash lamp. Has The light source 7 emits a flash of high brightness for a predetermined time, for example, about several seconds, based on a flash signal output from the PC 10 for image processing, thereby for each pad 40 of each chip 30. Illuminate.

스테이지(3)는 X 스테이지(11) 및 Y 스테이지(12)를 이동축(13)을 따라 각각(또는 함께) X 방향, Y 방향, Z 방향 및 θ 방향으로 이동시키기 위한 모터(4)와, 해당 X 스테이지(11) 및 Y 스테이지(12)의 각 방향으로의 이동 거리를 판별하기 위한 인코더(5)를 갖는다. 모터(4)는 예를 들면, AC 서보 모터, DC 서보 모터, 스테핑 모터, 리니어 모터 등이며, 인코더(5)는 예를 들면, 각종 모터 인코더 또는 리니어 스케일 등이다. 인코더(5)는 X 스테이지(11) 및 Y 스테이지(12)가 X, Y, Z 및 θ 방향으로 단위 거리만큼 이동할 때마다 그 이동 정보(좌표 정보)인 인코더 신호를 생성하고, 해당 인코더 신호를 화상 처리용 PC(10)로 출력한다.The stage 3 includes a motor 4 for moving the X stage 11 and the Y stage 12 along the movement axis 13 in the X direction, the Y direction, the Z direction and the θ direction, respectively, It has an encoder 5 for determining the moving distance in each direction of the X stage 11 and the Y stage 12. The motor 4 is, for example, an AC servo motor, a DC servo motor, a stepping motor, a linear motor, or the like, and the encoder 5 is, for example, various motor encoders or linear scales. The encoder 5 generates an encoder signal which is its movement information (coordinate information) whenever the X stage 11 and the Y stage 12 move by a unit distance in the X, Y, Z and θ directions, and the encoder signal is converted into the encoder signal. Output to the PC 10 for image processing.

각 칩(30)에 대하여 전기적 특성 검사를 행하는 경우에는 우선, 검사 대상 칩(30)이 프로브 카드(8)의 각 프로브 니들(8a)의 바로 아래에 위치하도록 스테이지(3)를 XY 평면에서 이동시키고, 이어서, 스테이지(3)를 바로 위(Z1 방향)로 이동시킴으로써 각 패드(40)에 각 프로브 니들(8a)을 컨택트시키고, 이 상태에서 테스터(9)로부터 전압을 건다. 검사가 종료된 경우에는, 다시 스테이지(3)를 바로 아래(Z2 방향)로 이동시켜 원래의 상태로 되돌린다. 검사 대상 칩(30)을 다른 칩(30)으로 변경하는 경우에는 스테이지(3)를 이들 칩 사이의 거리량(分)만큼 XY 평면 상 에서 이동시킨 후 유사한 동작을 반복한다.In the case of performing the electrical characteristic inspection on each chip 30, first, the stage 3 is moved in the XY plane so that the inspection target chip 30 is located directly under each probe needle 8a of the probe card 8. Then, each probe needle 8a is contacted to each pad 40 by moving the stage 3 directly above (Z1 direction), and voltage is applied from the tester 9 in this state. When the inspection is completed, the stage 3 is moved immediately below (Z2 direction) to return to the original state. When the inspection target chip 30 is changed to another chip 30, the stage 3 is moved on the XY plane by the distance amount between these chips, and similar operations are repeated.

또한, 각 칩(30)의 각 패드(40)를 CCD 카메라(6)에 의하여 촬상하는 경우에는 스테이지(3)를 CCD 카메라(6)가 촬상 대상인 패드(40) 바로 위에 위치하도록 XY 평면 상에서 이동시켜, 상기 광원(7)으로부터의 섬광 하에서 촬상한다. 또한, 프로브 카드(8)에 의한 검사 시에는 스테이지(3)의 상승에 의하여 웨이퍼(1)와 CCD 카메라(6)가 접촉하지 않도록, CCD 카메라(6)는 다른 위치로 대피시켜 두고, 촬상 시에만 도 1과 같이 웨이퍼(1)의 상방에 세팅된다.In addition, when imaging each pad 40 of each chip 30 with the CCD camera 6, the stage 3 is moved on XY plane so that the CCD camera 6 may be located directly over the pad 40 which is imaging object. The image is taken under flashing light from the light source 7. In the inspection by the probe card 8, the CCD camera 6 is evacuated to another position so that the wafer 1 and the CCD camera 6 do not come into contact with each other by the rise of the stage 3. Only is set above the wafer 1 as shown in FIG.

화상 처리용 PC(10)는 인코더(5)로부터 상기 인코더 신호를 입력 받고, 해당 인코더 신호에 기초하여, 광원(7)에 대하여 플래시 신호를 출력하고, 한편으로, CCD 카메라(6)에 대하여 트리거 신호를 출력한다. 또한, 화상 처리용 PC(10)는 인코더(5)로부터 입력된 인코더 신호를 기초로, 각 칩(30)의 검사 시 및 각 패드(40)의 촬상 시에 모터(4)의 구동을 제어하는 모터 제어 신호를 모터(4)로 출력한다.The image processing PC 10 receives the encoder signal from the encoder 5, outputs a flash signal to the light source 7 based on the encoder signal, and triggers the CCD camera 6. Output the signal. Further, the image processing PC 10 controls the driving of the motor 4 at the time of inspection of each chip 30 and the imaging of each pad 40 based on the encoder signal input from the encoder 5. The motor control signal is output to the motor 4.

도 2는 해당 화상 처리용 PC(10)의 구성을 도시한 블록도이다. 2 is a block diagram showing the configuration of the image processing PC 10.

도 2에 도시한 바와 같이, 화상 처리용 PC(10)는 CPU(Central Processing Unit)(21), ROM(Read Only Memory)(22), RAM(Random Access Memory)(23), 입출력 인터페이스(24), HDD(25), 표시부(26) 및 조작 입력부(27)를 가지며, 각 부는 내부 버스(28)로 상호 전기적으로 접속되어 있다.As shown in FIG. 2, the image processing PC 10 includes a central processing unit (CPU) 21, a read only memory (ROM) 22, a random access memory (RAM) 23, and an input / output interface 24. ), An HDD 25, a display unit 26, and an operation input unit 27, and each unit is electrically connected to each other by an internal bus 28.

CPU(21)는 화상 처리용 PC(10)의 각 부를 통괄적으로 제어하고, 후술하는 화상 처리 등에서의 각종 연산을 행한다. ROM(22)은 화상 처리용 PC(10)의 기동 시에 필요한 프로그램 또는 그 밖의 갱신이 불필요한 프로그램 또는 데이터를 기억하는 불휘발성의 메모리이다. RAM(23)은 CPU(21)의 작업 영역(워크 에어리어)으로서 이용되고, HDD(25) 또는 ROM(22)으로부터 각종 데이터 또는 프로그램을 독출하여 일시적으로 저장하는 휘발성의 메모리이다.The CPU 21 collectively controls each unit of the image processing PC 10 and performs various operations in image processing and the like described later. The ROM 22 is a nonvolatile memory that stores programs necessary for starting up the image processing PC 10 or other programs or data that do not need updating. The RAM 23 is used as a work area (work area) of the CPU 21 and is a volatile memory that reads and temporarily stores various data or programs from the HDD 25 or the ROM 22.

입출력 인터페이스(24)는 조작 입력부(27) 또는 상기 모터(4), 인코더(5), 광원(7) 및 CCD 카메라(6)와 내부 버스(28)와 접속하여, 조작 입력부(27)로부터의 조작 입력 신호의 입력, 또는, 모터(4), 인코더(5), 광원(7) 및 CCD 카메라(6)와의 각종 신호의 교환을 행하기 위한 인터페이스이다.The input / output interface 24 is connected to the operation input unit 27 or the motor 4, the encoder 5, the light source 7, the CCD camera 6, and the internal bus 28, from the operation input unit 27. It is an interface for inputting an operation input signal or exchanging various signals with the motor 4, the encoder 5, the light source 7, and the CCD camera 6.

HDD(25)는 OS(Operating System) 또는 후술하는 촬상 처리 및 화상 처리를 행하기 위한 각종 프로그램, 그 밖의 각종 어플리케이션, 그리고 상기 CCD 카메라(6)에서 촬상한 각 패드(40)의 화상, 또는, 각 패드(40)에 대하여 각 프로브 니들(8a)이 컨택트하기 위한 목표 위치를 나타내는 데이터, 그 밖의 각종 데이터 등을 내장된 하드디스크에 기억한다. 또한, 상기 촬상 처리 또는 화상 처리를 행하기 위한 각종 프로그램은 이들을 기록한, 예를 들면, CD, DVD, BD, 플래시 메모리 등의 기록 매체로부터 인스톨해도 상관없다.The HDD 25 is an OS (Operating System) or various programs for performing image processing and image processing described later, other various applications, and images of the pads 40 captured by the CCD camera 6, or For each pad 40, data indicating a target position for contacting each probe needle 8a, other various data, and the like are stored in an internal hard disk. In addition, you may install the various programs for performing the said imaging process or image process from the recording medium which recorded these, for example, CD, DVD, BD, a flash memory.

표시부(26)는 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display) 또는 CRT(Cathode Ray Tube) 등으로 이루어지고, 상기 CCD 카메라(6)에서 촬상한 화상 또는 화상 처리용의 각종 조작 화면 등을 표시한다. 조작 입력부(27)는 예를 들면, 키보드 또는 마우스 등으로 이루어지고, 후술하는 화상 처리 등에서의 유저로부터의 조작을 입력 받는다.The display unit 26 is made of, for example, a liquid crystal display (LCD), a cathode ray tube (CRT), or the like, and displays an image captured by the CCD camera 6 or various operation screens for image processing. The operation input unit 27 is made of, for example, a keyboard or a mouse, and receives an operation from a user in image processing or the like described later.

이어서, 본 실시예에서의 프로브 검사 장치(100)의 동작에 대하여 설명한다. 이 프로브 검사 장치(100)는 각 칩(30)의 전기적 특성을 검사할 때에 각 패드(40)에 대한 각 프로브 니들(8a)의 컨택트 위치가, 미리 설정한 목표 위치에서 이탈되어 있는 경우에 이 위치 이탈을 보정할 수 있다. 이하, 이 위치 이탈 보정에 따른 동작을 중심으로 설명한다.Next, the operation of the probe inspection device 100 in the present embodiment will be described. When the probe inspection apparatus 100 examines the electrical characteristics of each chip 30, the contact position of each probe needle 8a with respect to each pad 40 is separated from a predetermined target position. Deviation can be corrected. Hereinafter, the operation based on this position deviation correction will be described.

도 5는 각 칩(30)의 전기적 특성 검사를 행하는 경우의 동작의 흐름을 도시한 순서도이다. 또한, 본 실시예에서는, 상기 도 3에 도시한 88 개의 칩(30) 각각에 대하여 순차적으로 검사가 행해진다. 예를 들면, 도 3에 도시한 각 칩(30) 중 최상행(Y 좌표가 최대)의 좌측단의 칩(30)부터 순서대로 예를 들면, 행마다 검사가 행해진다. 또한, 각 칩(30)에 대하여 모든 검사가 종료된 경우에도 동일한 칩(30)에 대하여 전기적 조건을 바꾸어 복수 회의 검사가 행해지는 경우도 있다. 따라서, 각 칩(30)을 검사할 때에 각 칩(30)의 각 패드(40)에 이미 프로브 니들(8a)에 의한 니들 트레이스가 남아있는 경우도 있다. 도 5에서는 각 칩(30) 중 하나의 칩(30)(예를 들면, 도 4의 칩(30a))을 검사 대상으로서 검사하는 경우이며, 또한, 그 검사 전에 다른 칩(30)(예를 들면, 도 4의 칩(30e))에 대하여 동일한 검사가 행해지고 있음을 전제로 하여 설명한다.FIG. 5 is a flowchart showing the flow of operation when the electrical characteristics of each chip 30 are inspected. In addition, in this embodiment, inspection is performed sequentially for each of the 88 chips 30 shown in FIG. For example, inspection is performed for each row, for example, starting from the chip 30 at the left end of the top row (Y coordinate is maximum) of the chips 30 shown in FIG. 3. In addition, even when all the inspections are completed for each chip 30, a plurality of inspections may be performed for the same chip 30 by changing electrical conditions. Therefore, when examining each chip 30, the needle trace by the probe needle 8a may already remain in each pad 40 of each chip 30. FIG. In FIG. 5, one chip 30 (for example, the chip 30a of FIG. 4) of each chip 30 is inspected as an inspection target, and another chip 30 (for example, before the inspection) is examined. For example, the same inspection is performed on the chip 30e of FIG. 4.

도 5에 도시한 바와 같이, 우선, 프로브 검사 장치(100)는 금회 검사의 하나 전의 검사 대상이 된 다른 칩(30)의 검사에서 산출된 보정량을 기초로, 프로브 니들(8a)의 컨택트 위치의 위치 이탈을 보정한다(단계 101). 이 동작의 상세 설명에 대해서는 후술한다.As shown in FIG. 5, the probe inspection apparatus 100 first determines the contact position of the probe needle 8a on the basis of the correction amount calculated in the inspection of the other chip 30 that is the inspection target before one inspection this time. Position deviation is corrected (step 101). Detailed description of this operation will be described later.

이어서, 프로브 검사 장치(100)의 화상 처리용 PC(10)의 CPU(21)는 금회의 검사 대상 칩(30)과 동일한 칩(30)에 있어서, 전회의 검사 시의 컨택트 후 화상이 HDD(25)에 기억되어 있는지의 여부를 판단한다(단계 102). 전회의 컨택트 후 화상이 기억되어 있는 경우(단계 102의 Yes)에는 해당 컨택트 후 화상을 금회의 검사에서의 컨택트 전 화상으로서 이용하기 위하여 HDD(25)로부터 독출한다(단계 103).Subsequently, the CPU 21 of the image processing PC 10 of the probe inspection device 100 has the same chip 30 as the current inspection target chip 30, so that the image after contact at the time of the previous inspection is the HDD ( It is judged whether or not it is stored in 25) (step 102). If the image after the previous contact is stored (Yes in step 102), the image after the contact is read out from the HDD 25 for use as the image before contact in the current inspection (step 103).

전회의 컨택트 후 화상이 기억되어 있지 않은 경우(즉, 당해 하나의 칩(30)의 각 패드(40)에 대하여 처음으로 컨택트가 행해지는 경우)에 CPU(21)는 CCD 카메라(6)의 하방까지 웨이퍼(1)의 검사 대상 칩(30)을 이동시켜, 각 패드(40)의 컨택트 전 화상을 CCD 카메라(6)에 촬상시킨다(단계 104).When the image after the previous contact is not stored (that is, when a contact is made for each pad 40 of the one chip 30 for the first time), the CPU 21 moves down the CCD camera 6. The inspection target chip 30 of the wafer 1 is moved to the CCD camera 6 so as to capture an image before contacting each pad 40 (step 104).

도 6은 하나의 칩(30) 상에서의 CCD 카메라(6)의 촬상 궤적을 도시한 도면이다. 도 6에 도시한 바와 같이, CPU(21)는 CCD 카메라(6)가 칩(30)의 각 패드(40) 중 예를 들면, 좌변의 최상부의 패드(40)를 시작점으로 하여, 칩(30) 상의 촬상 위치를 반시계 회전 방향의 촬상 궤적을 그리면서 이동시키고, 모든 패드(40)의 컨택트 전 화상을 연속적으로 촬상하도록 모터(4)에 대하여 모터 구동 신호를 출력한다. 또한, 촬상 시에 CCD 카메라(6)의 위치 자체는 고정이므로, 이 경우에 스테이지(3)는 도 6에 도시한 궤적과는 역방향(시계 회전 방향)으로 이동하게 된다. CCD 카메라(6)는 이 이동에 맞추어 CPU(21)로부터 출력되는 트리거 신호에 기초하여, 광원(7)으로부터의 섬광 하에서 각 패드(40)를 연속적으로 플래시 촬상한다. 촬상된 각 컨택트 전 화상은 예를 들면, RAM(23)의 버퍼 영역에 보존된다.FIG. 6 is a diagram showing an imaging trajectory of the CCD camera 6 on one chip 30. As illustrated in FIG. 6, the CPU 21 uses the CCD camera 6 as a starting point, for example, using the pad 40 at the uppermost side of the left side of the pads 40 of the chip 30 as a starting point. The image pickup position on the i) is moved while drawing the image pickup trajectory in the counterclockwise rotation direction, and a motor drive signal is output to the motor 4 to continuously image all the contacts before the pads 40. In addition, since the position itself of the CCD camera 6 is fixed at the time of imaging, in this case, the stage 3 will move in the reverse direction (clockwise rotation direction) with the locus shown in FIG. The CCD camera 6 continuously flash-images each pad 40 under the flash from the light source 7 based on the trigger signal output from the CPU 21 in accordance with this movement. Each captured before-contact image is stored in the buffer area of the RAM 23, for example.

이어서, CPU(21)는 CCD 카메라(6)를 검사 대상 칩(30)의 상방으로부터 대피시킨 후, 스테이지(3)를 Z1 방향으로 이동시키기 위한 모터 구동 신호를 모터(4)로 출력하고, 검사 대상 칩(30)의 각 패드(40)에 프로브 카드(8)의 각 프로브 니들(8a)을 컨택트시킨다(단계 105). 그리고, 이 상태에서 테스터(9)로부터 프로브 니들(8a)을 거쳐 각 패드(40)로 전압이 인가되고, 각 패드(40)로부터의 출력치가 측정된다.Subsequently, after evacuating the CCD camera 6 from above the inspection target chip 30, the CPU 21 outputs a motor drive signal for moving the stage 3 in the Z1 direction to the motor 4, and then inspects it. Each probe needle 8a of the probe card 8 is contacted to each pad 40 of the target chip 30 (step 105). In this state, a voltage is applied to each pad 40 from the tester 9 via the probe needle 8a, and the output value from each pad 40 is measured.

컨택트 및 측정이 종료되면, CPU(21)는 검사 대상 칩(30)을 CCD 카메라(6)의 하방까지 다시 이동시킨 후, 각 패드(40)의 컨택트 후 화상을 촬상시킨다(단계 106). 즉, 상기 컨택트 전 화상의 촬상과 마찬가지로, CPU(21)는 CCD 카메라(6)가 상기 도 6에 도시한 바와 같이 이동하면서, 각 프로브 니들(8a)의 컨택트 후의 각 패드(40)를 연속적으로 촬상하도록 모터(4)로 모터 구동 신호를 출력하고, 또한, CCD 카메라(6)로 트리거 신호를 출력한다. 촬상된 각 패드(40)의 각 컨택트 후 화상은 RAM(23)의 버퍼 영역 등에 보존된다.When the contact and measurement are finished, the CPU 21 moves the inspection target chip 30 back to the lower side of the CCD camera 6, and then photographs the image after the contact of each pad 40 (step 106). That is, as in the imaging of the pre-contact image, the CPU 21 continuously moves each pad 40 after the contact of each probe needle 8a while the CCD camera 6 moves as shown in FIG. The motor drive signal is output to the motor 4 so as to capture an image, and the trigger signal is output to the CCD camera 6. An image after each contact of each pad 40 captured is stored in the buffer area of the RAM 23 and the like.

이어서, CPU(21)는 각 패드(40)의 컨택트 전 화상과 컨택트 후 화상과의 차분(差分)을 차분 화상으로서 추출한다(단계 107). 도 7은 각 패드(40) 중 하나의 패드(40)에서 이 차분 화상을 추출하는 모습을 개념적으로 도시한 도면이다.Next, the CPU 21 extracts the difference between the pre-contact image and the post-contact image of each pad 40 as the difference image (step 107). FIG. 7 is a diagram conceptually showing how the difference image is extracted by one of the pads 40.

도 7에 도시한 바와 같이, 컨택트 전 화상(51)에는 패드(40)에 하나의 니들 트레이스(41a)가 남아있는 모습이 나타나 있다. 이 니들 트레이스(41a)는 이 검사 대상 칩(30)에 대한 전회의 검사에서의 컨택트에 의하여 남은 니들 트레이스이다. 또한, 컨택트 후 화상(52)에는 패드(40)에 상기 니들 트레이스(41a)에 추가적으로 또 하나의 니들 트레이스(41b)가 남아있는 모습이 나타나 있다. 이 니들 트레이스(41b)는 금회의 검사에서의 컨택트(상기 단계 105)에 의하여 남은 니들 트레이스 이다.As shown in FIG. 7, the needle trace 41a remains on the pad 40 in the pre-contact image 51. This needle trace 41a is a needle trace left by a contact in the last inspection for this inspection target chip 30. In addition, in the post-contact image 52, another needle trace 41b remains on the pad 40 in addition to the needle trace 41a. This needle trace 41b is the needle trace left by the contact (step 105 above) at the present inspection.

CPU(21)는 이 컨택트 후 화상(52)으로부터 컨택트 전 화상(51)의 차분을 취하는 화상 처리를 행함으로써 차분 화상(53)을 추출한다. 이 차분 화상(53)에는 컨택트 후 화상(52)에서의 니들 트레이스(41b)만이 나타나 있다. 즉, 이 차분 화상(53)의 추출 처리에 의하여, 칩(30)에 복수 회의 컨택트가 행해진 경우라도 최신의 니들 트레이스만을 추출할 수 있어, 금회의 검사에서 위치 이탈의 보정 대상이 되는 니들 트레이스를 특정할 수 있다. 이 차분 화상(53)의 추출 처리는 금회의 검사 대상 칩(30) 상의 모든 패드(40)에 대하여 행해진다.CPU21 extracts the difference image 53 by performing the image process which takes the difference of the before-contact image 51 from this after-contact image 52. FIG. In this difference image 53, only the needle trace 41b in the post-contact image 52 is shown. That is, even when a plurality of contacts are made to the chip 30 by the extraction process of this difference image 53, only the latest needle trace can be extracted, and the needle trace which becomes a correction object of a position deviation in this test | inspection is performed. It can be specified. The extraction process of this difference image 53 is performed with respect to all the pads 40 on the inspection target chip 30 at this time.

이어서, CPU(21)는 금회의 검사 대상 칩(30)의 모든 패드(40)에 대하여, 상기 추출한 차분 화상(53)에 나타난 니들 트레이스(41b)를 인식하고, 이 니들 트레이스(41b)와 미리 설정된 니들 트레이스의 목표 위치와의 사이의 위치 이탈량을 산출한다(단계 108). 또한, 이 위치 이탈은 예를 들면, 각 프로브 니들(8a)의 컨택트 수의 증가에 의한 경년 열화(經年劣化) 등에 기인하는 것이다. 또한, 프로브 검사 장치(100)에서 예를 들면, 테스터(9)로부터 프로브 니들(8a)을 거쳐, 패드(40)에 열을 가하여 검사하는 경우(이른바, 열적(熱的) 스트레스 검사)도 있고, 이 열에 의한 프로브 니들(8a)의 변이 등에 기인하여 위치 이탈이 발생되는 경우도 있다.Subsequently, the CPU 21 recognizes the needle traces 41b shown in the extracted difference image 53 with respect to all of the pads 40 of the inspection target chip 30 at this time, and the needle traces 41b in advance. The position deviation amount between the set needle trace and the target position is calculated (step 108). This positional deviation is due to, for example, deterioration due to an increase in the number of contacts of each probe needle 8a. In addition, in the probe inspection apparatus 100, for example, the test is performed by applying heat to the pad 40 via the probe needle 8a from the tester 9 (so-called thermal stress test). In some cases, positional deviation may occur due to variations in the probe needle 8a due to this heat.

도 8은 각 패드(40) 중 하나의 패드(40)에서 이 위치 이탈량을 산출하는 처리를 개념적으로 도시한 도면이다. 본 실시예의 프로브 검사 장치(100)에서는 예를 들면, 패드(40)의 중심을 컨택트의 목표 위치로서 설정하고, 이 목표 위치 데이터(좌표 데이터)를 HDD(25) 등에 기억하고 있다. 한편, 도 8에 도시한 바와 같이, 차 분 화상(53)에서 금회의 검사에서의 니들 트레이스(41b)는 패드(40)의 중심을 원점으로 하면, X 좌표에서 + 방향, Y 좌표에서 - 방향으로 이탈된 위치에 나타나고 있다. 따라서, 니들 트레이스(41b)와 목표 위치와의 사이에는 도 8 중의 벡터 a 만큼의 위치 이탈량이 존재하고 있다. CPU(21)는 차분 화상(53) 중으로부터, 예를 들면 2 치화(値化) 처리 등의 화상 처리에 의하여 니들 트레이스(41b)를 인식하고, 상기 목표 위치 데이터와 니들 트레이스(41b)의 중심 좌표를 비교함으로써, 이 위치 이탈량을 산출한다. CPU(21)는 이 처리를 금회의 검사 대상 칩(30)의 모든 패드(40)에 대하여 행한다.FIG. 8 is a diagram conceptually showing a process of calculating this position deviation amount in one pad 40 of each pad 40. In the probe inspection apparatus 100 of this embodiment, for example, the center of the pad 40 is set as a target position of a contact, and the target position data (coordinate data) is stored in the HDD 25 or the like. On the other hand, as shown in Fig. 8, the needle trace 41b in the current inspection in the differential image 53 has the origin of the pad 40 as the origin, and the + direction in the X coordinate and the-direction in the Y coordinate. Appears in the off position. Therefore, the position deviation amount of the vector a in FIG. 8 exists between the needle trace 41b and the target position. The CPU 21 recognizes the needle trace 41b from the difference image 53 by image processing such as binarization processing, for example, and centers the target position data and the needle trace 41b. By comparing the coordinates, this position deviation amount is calculated. The CPU 21 performs this process on all the pads 40 of the inspection target chip 30 at this time.

이어서, CPU(21)는 상기 산출한 각 패드(40)에서의 각 위치 이탈량을 기초로, 프로브 카드(8) 전체로서의 보정량을 산출한다(단계 109). 도 9는 칩(30)의 복수의 패드(40)에 최신의 니들 트레이스(41b)가 남은 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 9에서는 설명의 편의 상 전회의 검사에서의 니들 트레이스(41a)는 도시하지 않는다. 도 9에 도시한 바와 같이, 각 패드(40)에서의 각 니들 트레이스(41b)의 위치 이탈량은 패드(40)마다 다른 경우가 있다. 이는, 프로브 카드(8)의 설계 상의 오차로부터 발생되는 경우도 있고, 프로브 니들(8a)마다 경년 열화 등의 진행 상태의 상이함에 의하기도 한다. CPU(21)는 이 패드(40)마다 다른 위치 이탈량이 각각 가능한 한 0에 가까워지도록 즉, 각 니들 트레이스(41b)의 좌표와 각 목표 위치의 좌표가 가능한 한 근사하도록 프로브 카드(8)의 전체 이동량으로서의 보정량을 산출한다. 이 산출은 예를 들면, 최소 제곱법 등의 공지의 수법을 이용함으로써 행해진다. 이 보정량은 프로브 카드(8)의 XY 방향으로의 이동뿐만 아니라, θ 방향으로 의 이동도 고려하여 산출된다. 산출된 보정량 데이터는 HDD(25)에 보존된다.Subsequently, the CPU 21 calculates the correction amount as the entire probe card 8 based on the calculated amount of position deviation in each of the pads 40 (step 109). FIG. 9 is a diagram illustrating a state where the latest needle traces 41b remain on the plurality of pads 40 of the chip 30. In addition, in FIG. 9, the needle trace 41a in the last test is not shown for convenience of description. As shown in FIG. 9, the positional deviation amount of each needle trace 41b in each pad 40 may be different for each pad 40. This may be caused from an error in the design of the probe card 8, or may be due to a difference in the progress state such as age deterioration for each probe needle 8a. The CPU 21 is configured so that the entire position of the probe card 8 is such that the position deviation amounts of each of the pads 40 are as close to zero as possible, that is, the coordinates of each needle trace 41b and the coordinates of each target position are as close as possible. The correction amount as the movement amount is calculated. This calculation is performed by using well-known methods, such as the least square method, for example. This correction amount is calculated taking into account not only the movement in the XY direction of the probe card 8 but also the movement in the θ direction. The calculated correction amount data is stored in the HDD 25.

이어서, CPU(21)는 상기 컨택트 전 화상(51)의 데이터를 RAM(23)의 버퍼 영역으로부터 소거한다(단계 110). 컨택트 전 화상(51)은 상기 차분 화상(53)의 추출에만 필요해지므로, 차분 화상(53)의 추출 후에는 이 컨택트 전 화상(51)을 소거함으로써, RAM(23)의 사용 용량을 삭감할 수 있다. 물론, 이 소거 처리는 상기 각 위치 이탈량 및 보정량의 산출 처리 전에 행해도 상관없다.Subsequently, the CPU 21 erases the data of the before-contact image 51 from the buffer area of the RAM 23 (step 110). Since the before-contact image 51 is necessary only for the extraction of the difference image 53, after the extraction of the difference image 53, the use capacity of the RAM 23 can be reduced by erasing the before-contact image 51. have. Of course, this erasing process may be performed before the processing of calculating the respective positional deviation amounts and the correction amounts.

이어서, CPU(21)는 상기 각 컨택트 후 화상(52)의 데이터를 RAM(23)의 버퍼 영역으로부터 HDD(25)로 기입한다(단계 111). 이 때, CPU(21)는 이 각 컨택트 후 화상(52)을 금회의 검사 대상인 칩(30)을 식별하는 칩 ID 및 이 칩(30)의 각 패드(40)를 식별하는 패드 ID와 대응시켜 HDD(25)에 기억시킨다. 이에 의해, 금회의 검사 대상이 된 칩(30)이 나중에 다시 검사 대상이 된 경우에, HDD(25)에 기억된 컨택트 후 화상(52)을 상기 칩 ID 및 패드 ID를 참조하여 독출하고, 그 재검사에서의 컨택트 전 화상(51)으로서 이용하는 것이 가능해진다. 따라서, 상기 단계 106에서의 컨택트 전 화상의 촬상 처리가 불필요하게 되어, 촬상 처리에 따른 처리 부하가 대폭 경감되고, RAM(23) 또는 HDD(25) 등의 기억 용량의 삭감으로도 이어진다. Subsequently, the CPU 21 writes the data of the images 52 after each contact from the buffer area of the RAM 23 to the HDD 25 (step 111). At this time, the CPU 21 associates the post-contact image 52 with the chip ID for identifying the chip 30 which is the object of inspection at this time and the pad ID for identifying each pad 40 of the chip 30. The HDD 25 is stored. Thereby, when the chip | tip 30 used as a test | inspection of this time becomes a test | inspection again later, the after-contact image 52 memorize | stored in the HDD 25 is read with reference to the said chip ID and the pad ID, and the It becomes possible to use it as the image before contact 51 in a retest. Therefore, the imaging process of the pre-contact image in step 106 becomes unnecessary, and the processing load according to the imaging process is greatly reduced, leading to the reduction of the storage capacity of the RAM 23 or the HDD 25 and the like.

또한, 각 컨택트 후 화상은 예를 들면, 모노크롬(Monochrome)의 BMP(BitMaP)의 데이터 형식으로 보존된다. 컬러가 아닌 모노크롬의 화상으로 함으로써, HDD(25)의 사용 용량을 가능한 한 억제하면서 비압축 형식으로 함으로써 HDD(25)로의 기입 시간의 단축을 도모하고 있다. 물론, 컬러 화상이어도 상관없고, JPEG(Joint Photographic Experts Group) 또는 GIF(Graphic lnterchange Format) 등의 압축 형식의 화상이어도 상관없다.In addition, the image after each contact is stored in the data format of BMP (BitMaP) of monochrome, for example. By using a monochrome image instead of color, the write time to the HDD 25 is shortened by setting it as an uncompressed format while suppressing the use capacity of the HDD 25 as much as possible. Of course, the image may be a color image, or may be an image in a compressed format such as JPEG (Joint Photographic Experts Group) or GIF (Graphic lnterchange Format).

그리고, CPU(21)는 금회의 검사 대상 칩(30)(예를 들면, 도 4의 칩(30a))의 검사가 종료되고, 프로브 카드(8)가 다음의 검사 대상이 되는 다른 칩(30)(예를 들면, 도 4의 칩(30b))을 검사하도록 스테이지(3)가 이동한 경우에, 그 검사의 전 처리로서 상기 단계 101의 처리와 마찬가지로, 상기 단계 109에서 산출한 보정량을 기초로 스테이지(3)를 이동시켜 위치 이탈 보정을 행한다(단계 112). 이 경우, 패드(40) 단위로 보면 예를 들면, 도 4에 도시한 금회의 검사 대상 칩(30a) 상에서 소정의 위치(예를 들면, 좌변열(左邊列) 상으로부터 3 번째의 위치)에 존재하는 패드(40a)에서의 위치 이탈량이 다음의 검사 대상 칩(30b) 상에서, 패드(40a)와 동일한 위치에 존재하는 패드(40b)에서 보정되게 된다. 또한, 다음의 검사 대상이 되는 다른 칩(30)이란 통상적으로, 금회의 검사 대상이 된 칩(30)에 인접한 칩이지만, 인접하는 칩이 아니어도 상관없다.Then, the CPU 21 ends the inspection of the inspection target chip 30 (for example, the chip 30a of FIG. 4) at this time, and the other chip 30 on which the probe card 8 is the next inspection target. (3, for example, the chip 30b of FIG. 4), when the stage 3 is moved, based on the correction amount calculated in the step 109 as in the step 101, as the pre-process of the inspection. The stage 3 is moved to perform position deviation correction (step 112). In this case, when viewed in units of pads 40, for example, at a predetermined position (for example, the third position from the left side column) on the current inspection target chip 30a shown in FIG. The amount of position deviation in the existing pad 40a is corrected in the pad 40b existing at the same position as the pad 40a on the next inspection target chip 30b. In addition, although the other chip | tip 30 used as a test | inspection object is a chip | tip adjacent to the chip | tip 30 used as a test | inspection object of this time, it does not matter even if it is an adjacent chip | tip.

CPU(21)는 이상의 처리를 검사 대상이 되는 모든 칩(30)에 대하여 반복한다. 이에 의해, 하나 전의 검사 대상이 된 칩(30)의 검사에서 산출된 보정량을 다음 칩(30)의 검사에서 피드백 제어적으로 반영시킬 수 있다. 또한, CPU(21)는 하나의 웨이퍼(1)의 모든 칩(30)에 대한 검사가 종료된 경우에는, 다음의 검사 대상인 다른 웨이퍼(1)의 각 칩(30)에 대해서도 마찬가지의 처리를 행한다.The CPU 21 repeats the above process for all the chips 30 to be inspected. Thereby, the correction amount calculated by the inspection of the chip 30 which has become the inspection target of the previous one can be reflected in feedback control in the inspection of the next chip 30. In addition, when the inspection of all the chips 30 of one wafer 1 is finished, the CPU 21 performs the same processing on each chip 30 of the other wafer 1 which is the next inspection target. .

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는 각 칩(30)의 각 패드(40)에 복수 회 프로브 검사가 행해져 복수의 니들 트레이스가 남아있는 경우에도, 상기 컨택트 전 화상(51) 및 컨택트 후 화상(52)으로부터 차분 화상(53)을 추출하고, 이 차분 화상(53) 중의 최신의 니들 트레이스(41b)의 위치와 목표 위치와의 위치 이탈량을 패드(40)마다 산출하고, 이 각 위치 이탈량으로부터 프로브 카드(8) 전체로서의 보정량을 산출하고, 이 보정량을 다음의 검사 대상의 칩(30)의 검사에서 반영시킴으로써, 프로브 니들(8a)의 컨택트 위치를 항상 목표 위치로 유지할 수 있다.As described above, in this embodiment, even when a plurality of probe traces are performed on each pad 40 of each chip 30 and a plurality of needle traces remain, the pre-contact image 51 and the post-contact image 52 ), The difference image 53 is extracted, and the position deviation amount between the position of the latest needle trace 41b and the target position in the difference image 53 is calculated for each of the pads 40, and from the respective position deviation amounts By calculating the correction amount as the entire probe card 8 and reflecting the correction amount in the inspection of the chip 30 to be inspected next, the contact position of the probe needle 8a can always be maintained at the target position.

본 발명은 상술한 실시예에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이다.This invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, Of course, various changes can be added within the range which does not deviate from the summary of this invention.

상술한 실시예에서는, 패드(40)의 중심 위치를 프로브 니들(8a)의 목표 위치로 하고 있지만, 이 위치에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 하나의 패드(40)를 복수의 영역으로 나누고, 상이한 전기적 조건 하의 검사에서 복수 회의 컨택트용으로 구분하여 사용하는 경우도 있다. 도 10a 내지 10c는 이 경우의 검사에서의 컨택트 전 화상(51) 컨택트 후 화상(52) 및 차분 화상(53)을 도시한 도면이다.In the above-mentioned embodiment, although the center position of the pad 40 is made into the target position of the probe needle 8a, it is not limited to this position. For example, one pad 40 may be divided into a plurality of areas, and may be used separately for a plurality of times of contact in the inspection under different electrical conditions. 10A to 10C show the before-contact image 51 and the after-contact image 52 and the difference image 53 in the inspection in this case.

도 10a에 도시한 바와 같이, 컨택트 전 화상(51)에서는 패드(40)의 4 분할된 영역(80a ~ 80d) 중 영역(80a)에 니들 트레이스(41a)가 남아있다. 이는, 이 칩(30)에 대한 전회의 검사의 검사 시에 남은 니들 트레이스이다. 이 전회의 검사 시에는 영역(80a)의 중심 위치가 목표 위치로 되어있다. As shown in FIG. 10A, in the pre-contact image 51, the needle trace 41a remains in the region 80a of the four divided regions 80a to 80d of the pad 40. This is the needle trace left during the inspection of the last inspection for this chip 30. In this last inspection, the center position of the region 80a is the target position.

도 10b에 도시한 바와 같이, 컨택트 후 화상(52)에서는 영역(80b)과 영역(80c)의 경계 주변에 니들 트레이스(41b)가 남아있다. 그러나, 이 검사에서는 영역(80b)의 중심 위치가 목표 위치가 되므로, 이 목표 위치와 니들 트레이스(41b)와의 사이에는 위치 이탈이 발생하고 있다.As shown in Fig. 10B, in the post-contact image 52, the needle trace 41b remains around the boundary between the region 80b and the region 80c. However, in this inspection, since the center position of the area 80b becomes the target position, positional deviation occurs between the target position and the needle trace 41b.

여기서, 도 10c에 도시한 바와 같이, CPU(21)는 이 칩(30)의 다음 검사 대상 이 되는 다른 칩(30)의 각 패드(40)에서 니들 트레이스(41b)가 영역(80b)의 중심 위치가 되는 위치 이탈량을 산출하여, 각 패드(40)의 위치 이탈량을 기초로 보정량을 산출한다.Here, as shown in FIG. 10C, the CPU 21 has the needle trace 41b at the center of the region 80b at each pad 40 of another chip 30 to be the next inspection target of the chip 30. The positional deviation amount used as a position is calculated, and a correction amount is calculated based on the positional deviation amount of each pad 40.

상술한 실시예에서는, 프로브 카드(8)가 하나의 칩의 각 패드(40)로의 컨택트에 대응하도록 프로브 니들(8a)을 갖고 있지만, 복수의 칩(30)의 각 패드(40)로의 컨택트에 한번에 대응하는 프로브 니들(8a)을 갖는 프로브 카드(8)에 의하여 검사를 행하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우, CCD 카메라(6)는 각 칩(30)마다 각 패드(40)를 연속 촬상하고, CPU(21)는 각 칩(30)마다 각 패드(40)에서의 위치 이탈량을 산출하여, 각 위치 이탈량이 복수의 칩(30)의 각 패드(40)에 대하여 가능한 한 0에 가까워지도록 하는 프로브 카드(8) 전체로서의 보정량을 산출한다In the above-described embodiment, although the probe card 8 has probe needles 8a so as to correspond to the contacts to each pad 40 of one chip, the probe cards 8 have contacts to each pad 40 of the plurality of chips 30. The present invention can also be applied when the inspection is performed by the probe card 8 having the probe needle 8a corresponding at one time. In this case, the CCD camera 6 continuously photographs each pad 40 for each chip 30, and the CPU 21 calculates the amount of deviation from each pad 40 for each chip 30. The amount of correction as the entire probe card 8 is calculated so that each position deviation amount is as close to zero as possible with respect to each pad 40 of the plurality of chips 30.

상술한 실시예에서는, 컨택트 후 화상(52)을 HDD(25)에 보존하도록 하고 있지만, RAM(23)의 용량이 충분한 경우에는 컨택트 후 화상(52)을 HDD(25)에 보존하지 않고 RAM(23)에 기억해도 좋다. 이에 의해, 컨택트 후 화상(52)의 기입 시간 및 독출 시간을 단축하여 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In the above-described embodiment, the post-contact image 52 is stored in the HDD 25. However, when the capacity of the RAM 23 is sufficient, the post-contact image 52 is not stored in the HDD 25, but the RAM ( 23) may be remembered. Thereby, the writing time and reading time of the post-contact image 52 can be shortened and processing efficiency can be improved.

상술한 실시예에서는, 칩 ID 및 패드 ID를 화상 처리용 PC(10)의 HDD(25)에 보존하도록 하고 있지만, 이 칩 ID 및 패드 ID를 각 웨이퍼(1)를 식별하는 웨이퍼 ID와 함께 관리하는 ID 관리용 서버를 별도로 준비해도 좋다.In the above-described embodiment, the chip ID and the pad ID are stored in the HDD 25 of the image processing PC 10, but the chip ID and the pad ID are managed together with the wafer ID for identifying each wafer 1. You may separately prepare a server for ID management.

상술한 실시예에서는, 검사 대상 칩(30)의 모든 패드(40)에 대하여 컨택트 전후 화상을 준비하고, 모든 패드(40)에서의 위치 이탈량을 기초로 보정량을 산출 하고 있지만, 모든 패드(40)가 아니라, 임의의 수(예를 들면, 4 개)의 패드(40)에 대해서만 컨택트 전후 화상을 촬상하고, 그 임의의 수의 패드(40)에서의 위치 이탈량을 기초로 보정량을 산출해도 상관없다. 이에 의해, 촬상 처리 또는 차분 화상 추출 처리, 보정량 산출 처리 등에 따른 처리 부하를 경감하여 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 보정량의 산출 처리의 대상으로 하는 패드(40)의 수를 상기 조작 입력부(27) 등을 거쳐 유저가 임의로 설정할 수 있도록 해도 상관없다. 그러나, 모든 패드(40)를 처리 대상으로 하는 편이 위치 이탈량의 보정의 정밀도 향상이라고 하는 점에서 바람직하다. 또한, 이와 같이 처리해도, 상기 CCD 카메라(6)에 의하여 각 패드(40)를 연속적으로 고속 스캔 촬상함으로써, 처리 시간의 단축을 도모할 수 있다.In the above-described embodiment, before and after contact images are prepared for all the pads 40 of the inspection target chip 30, and the correction amount is calculated based on the amount of position deviation in all the pads 40, but all the pads 40 Image of the contact before and after only for any number of pads 40 (for example, four), and the amount of correction is calculated based on the amount of positional deviation in the arbitrary number of pads 40. Does not matter. Thereby, the processing time according to the imaging process, the differential image extraction process, the correction amount calculation process, or the like can be reduced to shorten the processing time. In addition, you may make it possible for a user to set the number of pads 40 made into the calculation process of the correction amount via the said operation input part 27 etc. arbitrarily. However, it is preferable to make all the pads 40 the object of processing in terms of improving the accuracy of the correction of the positional deviation amount. Moreover, even if it processes in this way, processing time can be shortened by carrying out high speed scan imaging of each pad 40 by the said CCD camera 6 continuously.

상술한 실시예에서는, 각 칩(30)의 각 패드(40)에 프로브 니들(8a)이 컨택트하는 경우의 컨택트 전후의 화상을 촬상하여, 두 화상으로부터 차분 화상을 추출함으로써 최신의 니들 트레이스를 검출하고 있지만 예를 들면, 프로브 니들(8a)의 컨택트 순간의 각 패드(40)의 모습을 별도로 설치한 카메라로 촬상해도 좋다. 이에 의해, 그 이전에 그 패드(40)에 니들 트레이스가 남아있었다고 해도, 그 촬상 화상만 있으면 최신의 컨택트 위치를 파악할 수 있고, 위치 이탈량을 산출할 수 있으므로, 컨택트 전후에 2 회 촬상하는 수고와 부담이 경감되게 된다.In the above-described embodiment, the latest needle trace is detected by capturing an image before and after the contact when the probe needle 8a contacts each pad 40 of each chip 30 and extracting a differential image from the two images. For example, you may image with the camera which installed separately the state of each pad 40 at the time of contact of the probe needle 8a. As a result, even if the needle trace remains on the pad 40, the latest contact position can be grasped and the position deviation can be calculated if the captured image is provided. And the burden will be reduced.

Claims (9)

피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치로서, A probe inspection device for inspecting electrical characteristics of an object by contacting a probe needle with an electrode pad of the object, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드와 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드를 각각 촬상하는 촬상 수단과, Imaging means for imaging each of the electrode pad before contact of the probe needle with the test subject and the electrode pad after contact of the probe needle; 상기 촬상된 접촉 전의 상기 전극 패드의 화상을 제 1 화상으로서 기억하고, 상기 촬상된 접촉 후의 상기 전극 패드의 화상을 제 2 화상으로서 기억하는 기억 수단과, Storage means for storing an image of the electrode pad before the imaged contact as a first image, and storing an image of the electrode pad after the imaged contact as a second image; 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분(差分)을 차분 화상으로서 추출하는 차분 추출 수단과, Difference extracting means for extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image; 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스(Needle Trace) 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 산출 수단과, Calculating means for calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted differential image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be in contact; 상기 산출된 보정량을 기초로, 상기 피검사체와 상기 프로브 니들과의 상대 위치를 가변시켜 상기 위치 이탈을 보정하는 보정 수단Correction means for correcting the positional deviation by varying a relative position between the object under test and the probe needle based on the calculated correction amount 을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 검사 장치.Probe inspection apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극 패드에 대하여 복수 회에 걸쳐 상기 프로브 니들의 접촉에 의한 상기 전기적 특성 검사가 행해지는 경우에, 한 회 다음 회의 검사에서 상기 촬상 수단에 의한 상기 제 1 화상의 촬상을 규제하는 규제 수단을 더 구비하고, In the case where the electrical characteristic inspection by the contact of the probe needle is performed with respect to the electrode pad a plurality of times, further restricting means for regulating the imaging of the first image by the imaging means in the next inspection. Equipped, 상기 기억 수단은, 상기 한 회의 검사에서 상기 제 2 화상으로서 기억된 화상을 상기 다음 회의 검사에서의 상기 제 1 화상으로서 기억하는 것을 특징으로 하는 프로브 검사 장치.And the storage means stores the image stored as the second image in the one inspection as the first image in the next inspection. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기억 수단은, 상기 차분 추출 후에 상기 제 1 화상을 삭제하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 검사 장치.And said storage means has means for deleting said first image after said difference extraction. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 피검사체는, 복수의 상기 전극 패드가 설치된 복수의 반도체 칩을 갖는 반도체 웨이퍼이며, The test object is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads, 상기 프로브 니들은, 상기 각 반도체 칩 중 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드에 한 번에 접촉할 수 있도록 복수 존재하고, The probe needle may be provided in plurality so as to be in contact with each of the electrode pads of one of the semiconductor chips at a time, 상기 촬상 수단은, 상기 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드의 상기 제 1 및 제 2 화상을 각각 연속적으로 촬상할 수 있으며, The imaging means may continuously image the first and second images of the respective electrode pads of the one semiconductor chip, respectively, 상기 기억 수단은, 상기 각 전극 패드의 상기 제 2 화상을 상기 하나의 반도체 칩을 식별하는 제 1 식별 정보와, 상기 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드를 식별하는 제 2 식별 정보와 대응시켜 기억하고, The storage means stores the second image of each electrode pad in correspondence with first identification information for identifying the one semiconductor chip and second identification information for identifying each electrode pad of the one semiconductor chip. and, 상기 산출 수단은, 상기 각 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 각 전극 패드 상의 각 목표 위치 사이의 각 위치 이탈을 한 번에 보정하기 위한 보정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 프로브 검사 장치.And the calculating means calculates a correction amount for correcting each positional deviation between the needle trace position of each probe needle and each target position on each electrode pad at a time. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 피검사체는, 복수의 상기 전극 패드가 설치된 복수의 반도체 칩을 갖는 반도체 웨이퍼이며, The test object is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads, 상기 프로브 니들은, 상기 각 반도체 칩 중 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각의 상기 각 전극 패드에 한 번에 접촉할 수 있도록, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각에 대해 복수 존재하고, A plurality of probe needles are present for each of the at least two semiconductor chips so as to be in contact with each of the electrode pads of each of the at least two semiconductor chips of the semiconductor chips at one time; 상기 촬상 수단은, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각의 상기 각 전극 패드의 상기 제 1 및 제 2 화상을 각각 연속적으로 촬상할 수 있으며, The imaging means may sequentially image the first and second images of the respective electrode pads of the at least two semiconductor chips, respectively, 상기 기억 수단은, 상기 각 전극 패드의 상기 제 2 화상을, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩을 각각 식별하는 제 1 식별 정보와, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드를 각각 식별하는 제 2 식별 정보와 대응시켜 기억하고, The storage means includes first identification information for identifying each of the at least two semiconductor chips, and second identification for identifying each of the electrode pads of the at least two semiconductor chips. I correspond to information and remember it, 상기 산출 수단은, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩에서 상기 각 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 각 전극 패드 상의 각 목표 위치 사이의 각 위치 이탈을 한 번에 보정하기 위한 보정량을 산출하는 것을 특징으로 하는 프로브 검사 장치.And the calculating means calculates a correction amount for correcting each positional deviation between the needle trace position of each probe needle and each target position on each electrode pad in the at least two semiconductor chips at one time. Inspection device. 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에서의 위치 이탈 보정 방법으로서, A method for correcting position deviation in a probe inspection apparatus for contacting a probe needle with an electrode pad of an object to inspect electrical characteristics of the object, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드와 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드를 각각 촬상하는 단계와, Imaging the electrode pad before the contact of the probe needle with the test subject and the electrode pad after the contact of the probe needle, respectively; 상기 촬상된 접촉 전의 상기 전극 패드의 화상을 제 1 화상으로서 기억하고, 상기 촬상된 접촉 후의 상기 전극 패드의 화상을 제 2 화상으로서 기억하는 단계와, Storing an image of the electrode pad before the imaged contact as a first image, and storing an image of the electrode pad after the imaged contact as a second image; 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, Extracting the difference between the stored first image and the second image as a difference image; 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계와, Calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted differential image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should contact; 상기 산출된 보정량을 기초로 상기 피검사체와 상기 프로브 니들과의 상대 위치를 가변시켜, 상기 위치 이탈을 보정하는 단계Correcting the positional deviation by varying a relative position between the object under test and the probe needle based on the calculated correction amount. 를 구비하는 것을 특징으로 하는 위치 이탈 보정 방법.Position deviation correction method characterized in that it comprises a. 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치로서, An information processing apparatus used for a probe inspection apparatus for contacting a probe needle with an electrode pad of an inspected object to inspect electrical characteristics of the inspected object. 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 기억 수단과, Storage means for respectively storing a first image of the electrode pad before contact of the probe needle with the test object and a second image of the electrode pad after contact of the probe needle; 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 차분 추출 수단과, Difference extraction means for extracting the difference between the stored first image and the second image as a difference image; 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 산출 수단Calculating means for calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be in contact 을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치.An information processing apparatus, comprising: a. 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치에서의 정보 처리 방법으로서,An information processing method in an information processing apparatus for use in a probe inspection device for contacting a probe needle with an electrode pad of an inspected object to inspect electrical characteristics of the inspected object. 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 단계와, Storing a first image in which the electrode pad before the contact of the probe needle with the test object is imaged and a second image in which the electrode pad after the contact of the probe needle is imaged, respectively; 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, Extracting the difference between the stored first image and the second image as a difference image; 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계Calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be in contact 를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 처리 방법.An information processing method comprising: 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치에, In the information processing apparatus used in the probe inspection device for contacting the probe needle to the electrode pad of the object to be inspected the electrical characteristics of the object, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 단계와, Storing a first image in which the electrode pad before the contact of the probe needle with the test object is imaged and a second image in which the electrode pad after the contact of the probe needle is imaged, respectively; 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, Extracting the difference between the stored first image and the second image as a difference image; 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계Calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be in contact 를 실행시키기 위한 프로그램.Program to run.
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