KR20090098893A - Probe inspecting device, displacement correcting method, information processor, information processing method, and program - Google Patents
Probe inspecting device, displacement correcting method, information processor, information processing method, and program Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090098893A KR20090098893A KR1020097014872A KR20097014872A KR20090098893A KR 20090098893 A KR20090098893 A KR 20090098893A KR 1020097014872 A KR1020097014872 A KR 1020097014872A KR 20097014872 A KR20097014872 A KR 20097014872A KR 20090098893 A KR20090098893 A KR 20090098893A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- image
- contact
- electrode pad
- probe needle
- probe
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2879—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to electrical aspects, e.g. to voltage or current supply or stimuli or to electrical loads
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
- G01R31/311—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
- G01R35/02—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass of auxiliary devices, e.g. of instrument transformers according to prescribed transformation ratio, phase angle, or wattage rating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들(Probe Needle)을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치, 해당 프로브 검사 장치에서의 위치 이탈 보정 방법, 해당 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치, 해당 정보 처리 장치에서의 정보 처리 방법 및 프로그램에 관한 것이다.The present invention is a probe inspection device for contacting the probe needle (Probe Needle) to the electrode pad of the inspected object, the probe inspection device for inspecting the electrical characteristics of the inspected object, the position deviation correction method in the probe inspection device, information used in the probe inspection device A processing apparatus, an information processing method and a program in the information processing apparatus.
종래부터, 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고도 함)에 형성된 반도체 칩(이하, 간단히 칩이라고도 함) 등의 전자 디바이스의 전기적 특성을 검사하기 위한 프로브 검사 장치가 알려져 있다. 이 프로브 검사 장치에서는 프로브 카드에 설치된 프로브 니들을 칩 상의 전극 패드에 접촉시켜, 프로브 카드에 접속된 테스터에 의하여 소정의 전압을 걸어 출력을 측정하여, 기대치와 비교함으로써 칩의 불량 여부를 판정한다.Background Art Conventionally, probe inspection apparatuses for inspecting electrical characteristics of electronic devices such as semiconductor chips (hereinafter, simply referred to as chips) formed on semiconductor wafers (hereinafter, also simply referred to as wafers) have been known. In this probe inspection apparatus, a probe needle provided in a probe card is brought into contact with an electrode pad on a chip, a predetermined voltage is applied by a tester connected to the probe card, and the output is measured.
이 프로브 검사에서는 프로브 니들을 전극 패드의 목표 위치에 정확하게 접촉시키는 것이 중요하게 된다. 프로브 니들이 전극 패드의 중심으로부터 이탈된 주연부 또는 전극 패드 외의 위치에 접촉되면 오검사로 이어지게 된다. 또한, 하나의 칩에 대해 복수 회의 측정을 행하기 위하여, 전극 패드 상의 영역을 복수의 측정마다 분할하여 사용하는 경우도 있어, 프로브 니들이 그 측정마다의 다른 영역으로부터 이탈되어 접촉되면 복수 회의 측정이 곤란해진다.In this probe inspection, it is important to accurately contact the probe needle with the target position of the electrode pad. If the probe needle comes in contact with a periphery that is away from the center of the electrode pad or a position other than the electrode pad, it will lead to a false test. In addition, in order to perform a plurality of measurements on one chip, the area on the electrode pad may be divided and used for each of the plurality of measurements. Become.
이러한 프로브 니들의 위치 이탈을 보정하기 위한 기술로서, 하기 특허 문헌 1에는 프로브 카드의 프로브의 니들 트레이스(Needle Trace)를 컬러 카메라로 관찰하고, 이 니들 트레이스가 전극 패드 상의 적정한 위치(예를 들면, 전극 패드의 중심)에 남아있는지를 판단하여, 그 니들 트레이스의 위치가 적정한 위치로부터 이탈되어 있는 경우에는 예를 들면, 니들 트레이스의 중심과 전극 패드의 중심과의 위치 이탈을 없애도록 스테이지를 미소(微小)하게 이동시키는 방법이 개시되어 있다. 또한, 그 밖에 하기 특허 문헌 2 내지 5에도 프로브 니들의 위치 조정에 관한 기술이 기재되어 있다. As a technique for correcting the positional deviation of the probe needle,
특허 문헌 1 : 일본특허공개공보 2004-63877호(단락[0006]등)Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-63877 (paragraph [0006], etc.)
특허 문헌 2 : 일본특허공개공보 평 06-005690호Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 06-005690
특허 문헌 3 : 일본특허공개공보 평 07-013990호Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-013990
특허 문헌 4 : 일본특허공보 제2575072호Patent Document 4: Japanese Patent No. 2575072
특허 문헌 5 : 일본특허공보 제2984541호Patent Document 5: Japanese Patent No. 2984541
발명이 해결하고자 하는 과제Problems to be Solved by the Invention
그런데, 상기 프로브 검사에서는 하나의 전극 패드에 대해 다양한 전기적 조건마다 복수 회의 측정이 이루어지는 경우가 있고, 이 경우에는 하나의 전극 패드 상에 복수의 니들 트레이스가 남게 된다. 그러나, 상기 각 특허 문헌의 기술에서는 이러한 복수의 니들 트레이스가 남은 전극 패드를 촬상하여도 어느 니들 트레이스가 최신의 니들 트레이스인지를 판별할 수 없으므로, 현재의 위치 이탈량을 산출할 수 없어, 위치 이탈 보정을 할 수 없게 된다. However, in the probe test, a plurality of measurements may be performed for various electrode conditions on one electrode pad, and in this case, a plurality of needle traces remain on one electrode pad. However, in the technique of each of the above patent documents, it is not possible to determine which needle trace is the latest needle trace even when imaging the electrode pads left by the plurality of needle traces. You will not be able to make corrections.
이상과 같은 사정에 비추어 보아, 본 발명의 목적은 프로브 니들이 하나의 전극 패드에 복수 회 접촉하는 경우에도, 프로브 니들의 접촉 위치의 위치 이탈을 적절히 보정함으로써, 프로브 니들의 접촉 위치를 항상 최적으로 유지할 수 있는 프로브 검사 장치, 해당 프로브 검사 장치에서의 위치 이탈 보정 방법, 해당 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치, 해당 정보 처리 장치에서의 정보 처리 방법 및 프로그램을 제공하는 것에 있다. In view of the above circumstances, an object of the present invention is to maintain the optimum contact position of the probe needle at all times by appropriately correcting the positional deviation of the contact position of the probe needle even when the probe needle contacts a single electrode pad a plurality of times. The present invention provides a probe inspection apparatus, a position deviation correction method in the probe inspection apparatus, an information processing apparatus used in the probe inspection apparatus, an information processing method and a program in the information processing apparatus.
과제를 해결하기 위한 수단Means to solve the problem
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 주요 관점에 따른 프로브 검사 장치는, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치로서, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드와 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드를 각각 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상된 접촉 전의 상기 전극 패드의 화상을 제 1 화상으로서 기억하고, 상기 촬상된 접촉 후의 상기 전극 패드의 화상을 제 2 화상으로서 기억하는 기억 수단과, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분(差分)을 차분 화상으로서 추출하는 차분 추출 수단과, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 산출 수단과, 상기 산출된 보정량을 기초로 상기 피검사체와 상기 프로브 니들과의 상대 위치를 가변시켜 상기 위치 이탈을 보정하는 보정 수단을 구비한다.In order to solve the above problems, the probe inspection device according to the main aspect of the present invention is a probe inspection device for inspecting the electrical characteristics of the inspected object by contacting the probe needle to the electrode pad of the inspected object, Imaging means for imaging each of the electrode pad before contact of the probe needle and the electrode pad after contact of the probe needle, and an image of the electrode pad before the captured contact as a first image, and storing the image after contact Among the storage means for storing the image of the electrode pad as a second image, the difference extracting means for extracting the difference between the stored first image and the second image as a difference image, and the extracted difference image. Neck on the electrode pad to which the probe needle should contact the needle trace position of the probe needle that appears Calculating means for calculating a correction amount for correcting the positional deviation from the table position, and correction means for correcting the positional deviation by varying a relative position between the object under test and the probe needle based on the calculated correction amount. .
여기서 피검사체란, 예를 들면, 복수의 반도체 칩이 형성된 반도체 웨이퍼 또는 그 밖의 전자 디바이스이다. 이 구성에 의해, 피검사체에 프로브 니들이 복수 회 접촉하는 경우라도, 상기 차분 화상을 추출함으로써 항상 최신의 니들 트레이스만을 추출할 수 있으므로, 프로브 니들의 접촉마다 위치 이탈을 보정함으로써 접촉 상태를 항상 최적 위치로 유지할 수 있다. 따라서, 접촉 불량에 기인하는 피검사체의 전기적 특성의 측정 실패를 방지하고, 결과적으로 피검사체의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 보정 수단에 의한 상대 위치의 가변은 예를 들면, 상기 프로브 니들의 접촉 방향에 대하여 수직인 평면 상에서 상기 피검사체를 X 방향 또는 Y 방향으로 이동시킴으로써 행해진다. 또한, 상기 피검사체가 복수의 전극 패드가 설치된 복수의 반도체 칩을 갖는 반도체 웨이퍼인 경우에는 현재의 검사 대상인 하나의 반도체 칩의 각 전극 패드에 대하여 산출된 보정량을 다음의 검사 대상인 다른 반도체 칩의 각 전극 패드에 대하여 반영시켜도 좋다. Here, the object under test is a semiconductor wafer or other electronic device in which a plurality of semiconductor chips are formed, for example. With this configuration, even when the probe needle contacts the object under test a plurality of times, only the latest needle trace can be extracted by extracting the difference image, so that the contact state is always optimally corrected by correcting the position deviation for each contact of the probe needle. Can be maintained. Therefore, it is possible to prevent the measurement failure of the electrical characteristics of the inspected object due to poor contact, and consequently to improve the yield of the inspected object. In addition, the relative position of the correction means is changed by, for example, moving the inspected object in the X direction or the Y direction on a plane perpendicular to the contact direction of the probe needle. In addition, in the case where the inspected object is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of electrode pads, the correction amount calculated for each electrode pad of one semiconductor chip that is the current inspection target is determined by each of the other semiconductor chips that are the next inspection target. The electrode pads may be reflected.
상기 프로브 검사 장치는, 상기 전극 패드에 대하여 복수 회에 걸쳐 상기 프로브 니들의 접촉에 의한 상기 전기적 특성 검사가 행해지는 경우에 한 회 다음 회의 검사에서 상기 촬상 수단에 의한 상기 제 1 화상의 촬상을 규제하는 규제 수단을 더 구비하고, 상기 기억 수단은, 상기 한 회의 검사에서 상기 제 2 화상으로서 기억된 화상을 상기 다음 회의 검사에서의 상기 제 1 화상으로서 기억해도 상관없다.The probe inspection device regulates the imaging of the first image by the imaging means in the next inspection when the electrical characteristic inspection by the contact of the probe needle is performed with respect to the electrode pad a plurality of times. The control means may be further provided, and the storage means may store an image stored as the second image in the one inspection as the first image in the next inspection.
이에 의해, 전회(前回)의 검사 시에 촬상한 제 2 화상을 다음 회의 검사 시에 제 1 화상으로서 이용할 수 있으므로, 검사마다 제 1 화상을 촬상하는 수고를 생략할 수 있고, 또한 기억 수단의 기억 용량을 삭감할 수도 있다.Thereby, since the 2nd image image | photographed at the time of the previous test | inspection can be used as a 1st image at the time of a next test | inspection, the effort which image | photographs a 1st image for every test | inspection can be skipped, and the memory of a storage means The dose can also be reduced.
상기 프로브 검사 장치에서, 상기 기억 수단은, 상기 차분 추출 후에 상기 제 1 화상을 삭제하는 수단을 가지고 있어도 좋다. 이에 의해, 상기 기억 수단의 기억 용량을 더 삭감할 수 있다. In the probe inspection device, the storage means may have a means for deleting the first image after the difference extraction. As a result, the storage capacity of the storage means can be further reduced.
상기 프로브 검사 장치에서, 상기 피검사체는, 복수의 상기 전극 패드가 설치된 복수의 반도체 칩을 갖는 반도체 웨이퍼이며, 상기 프로브 니들은, 상기 각 반도체 칩 중 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드에 한 번에 접촉할 수 있도록 복수 존재하고, 상기 촬상 수단은, 상기 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드의 상기 제 1 및 제 2 화상을 각각 연속적으로 촬상할 수 있고, 상기 기억 수단은, 상기 각 전극 패드의 상기 제 2 화상을, 상기 하나의 반도체 칩을 식별하는 제 1 식별 정보와, 상기 하나의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드를 식별하는 제 2 식별 정보와 대응시켜 기억하고, 상기 산출 수단은, 상기 각 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 각 전극 패드 상의 각 목표 위치 사이의 각 위치 이탈을 한 번에 보정하기 위한 보정량을 산출해도 좋다.In the probe inspection device, the inspected object is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads, and the probe needle is once in each of the electrode pads of one of the semiconductor chips. And a plurality of the imaging means are capable of successively imaging the first and second images of the respective electrode pads of the one semiconductor chip, respectively, and the storage means being the respective electrode pads. And storing said second image in correspondence with first identification information for identifying said one semiconductor chip and second identification information for identifying said electrode pad of said one semiconductor chip, wherein said calculating means The amount of correction for correcting each position deviation between the needle trace position of each probe needle and each target position on the electrode pad at one time may be calculated. All.
이에 의해, 각 전극 패드에서의 각 제 1 및 제 2 화상을 연속적으로 촬상하여, 각 전극 패드에서의 위치 이탈을 한 번에 보정할 수 있고, 보정에 걸리는 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 각 전극 패드의 제 1 및 제 2 화상을 상기 제 1 및 제 2 식별 정보에 각각 대응시켜 기억하기 위해, 복수의 반도체 칩의 각 전극 패드에 대하여 검사하면서, 하나의 반도체 칩의 각 전극 패드에 대하여 복수 회 검사하는 경우에도 상기 각 식별 정보를 참조하여 전회의 제 2 화상을 다음 회의 제 1 화상으로서 용이하게 불러낼 수 있다. 이에 의해, 제 1 화상의 상기 연속 촬상 처리를 생략하여, 촬상 수단의 처리 부담 및 기억 수단의 사용 용량을 삭감함으로써, 효율적으로 위치 이탈을 보정할 수 있다. 또한, 이 경우에 산출되는 보정량은, 상기 X 및 Y 방향뿐만 아니라, 상기 평면 상에서의 회전(θ) 방향의 이동도 고려하여 산출되고, 상기 보정 수단은, 그 보정량에 기초하여 피검사체를 상기 평면 상의 X, Y 및 θ 방향 중, 적어도 한 방향으로 이동시킴으로써 위치 이탈을 보정한다. Thereby, each 1st and 2nd image in each electrode pad can be image | photographed continuously, the positional deviation in each electrode pad can be corrected at once, and the processing efficiency which a correction requires can be improved. Further, in order to store the first and second images of each electrode pad in correspondence with the first and second identification information, respectively, the electrode pads of one semiconductor chip are inspected for each electrode pad of the plurality of semiconductor chips. Even when the test is performed a plurality of times, the second image of the previous time can be easily recalled as the first image of the next meeting with reference to the respective identification information. Thereby, positional deviation can be corrected efficiently by omitting the said continuous imaging process of a 1st image, and reducing the processing burden of an imaging means, and the use capacity of a storage means. In addition, the correction amount calculated in this case is calculated in consideration of not only the X and Y directions but also the movement in the rotation (θ) direction on the plane, and the correction means determines the plane to be inspected based on the correction amount. The positional deviation is corrected by moving in at least one direction among the X, Y, and θ directions of the image.
상기 프로브 검사 장치에서, 상기 피검사체는, 복수의 상기 전극 패드가 설치된 복수의 반도체 칩을 갖는 반도체 웨이퍼이며, 상기 프로브 니들은, 상기 각 반도체 칩 중 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각의 상기 각 전극 패드에 한 번에 접촉할 수 있도록 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각에 대해 복수 존재하고, 상기 촬상 수단은, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 각각의 상기 각 전극 패드의 상기 제 1 및 제 2 화상을 각각 연속적으로 촬상할 수 있고, 상기 기억 수단은, 상기 각 전극 패드의 상기 제 2 화상을 상기 적어도 2 개의 반도체 칩을 각각 식별하는 제 1 식별 정보와 상기 적어도 2 개의 반도체 칩의 상기 각 전극 패드를 각각 식별하는 제 2 식별 정보와 대응시켜 기억하고, 상기 산출 수단은, 상기 적어도 2 개의 반도체 칩에서 상기 각 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 각 전극 패드 상의 각 목표 위치와의 사이의 각 위치 이탈을 한 번에 보정하기 위한 보정량을 산출해도 상관없다.In the probe inspection device, the inspected object is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads, and the probe needle is each of the respective electrode pads of at least two semiconductor chips of the semiconductor chips. A plurality of each of the at least two semiconductor chips so as to be in contact at a time, and the imaging means, respectively, the first and second images of the respective electrode pad of each of the at least two semiconductor chips Image capturing can be performed continuously, and said storage means respectively identifies the second image of the respective electrode pads with first identification information for identifying the at least two semiconductor chips, respectively, and the respective electrode pads of the at least two semiconductor chips. Correspondingly stored in association with the second identification information to be identified, the calculation means is the probe needle in the at least two semiconductor chips. No matter if the calculated correction amount for correcting the angular position deviation between a respective target position on the needle trace location and each of the electrode pads at a time.
이에 의해, 복수의 반도체 칩의 각 전극 패드의 위치 이탈을 한 번에 보정할 수 있어, 보정의 처리 효율이 더욱 향상된다. 또한, 이 복수의 반도체 칩에 대하여 복수 회 검사를 행하는 경우에도 상기 제 1 및 제 2 식별 정보를 참조하여 전회의 제 2 화상을 다음 회의 제 1 화상으로서 용이하게 불러냄으로써, 제 1 화상의 촬상 처리를 생략하여 효율적으로 위치 이탈을 보정할 수 있다. Thereby, the positional deviation of each electrode pad of a some semiconductor chip can be corrected at once, and the processing efficiency of correction improves further. In addition, even when the plurality of semiconductor chips are inspected a plurality of times, the first image is easily retrieved as the next image of the first image by referring to the first and second identification information. The positional deviation can be corrected efficiently by omitting.
본 발명의 다른 관점에 따른 위치 이탈 보정 방법은, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에서의 위치 이탈 보정 방법으로서, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드와 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드를 각각 촬상하는 단계와, 상기 촬상된 접촉 전의 상기 전극 패드의 화상을 제 1 화상으로서 기억하고, 상기 촬상된 접촉 후의 상기 전극 패드의 화상을 제 2 화상으로서 기억하는 단계와, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계와, 상기 산출된 보정량을 기초로 상기 피검사체와 상기 프로브 니들과의 상대 위치를 가변시켜, 상기 위치 이탈을 보정하는 단계를 구비한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for correcting a positional deviation in a probe inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of the object by contacting a probe needle with an electrode pad of the object. Imaging each of the electrode pad before contact of the probe needle and the electrode pad after contact of the probe needle, and storing an image of the electrode pad before the photographed contact as a first image, and storing the electrode after the photographed contact Storing an image of the pad as a second image, extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image, and needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image Position deviation from the target position on the electrode pad to which the probe needle And by the step, based on the calculated correction amount for calculating the correction amount for determining the relative position of the variable and the object to be inspected with the probe needle, and a step of correcting the displacement.
본 발명의 다른 관점에 따른 정보 처리 장치는, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치로서, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 기억 수단과, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 차분 추출 수단과, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 산출 수단을 구비한다.An information processing apparatus according to another aspect of the present invention is an information processing apparatus used in a probe inspection apparatus for contacting a probe needle with an electrode pad of an inspected object to inspect electrical characteristics of the inspected object, wherein the probe to the inspected object is Storage means for storing a first image in which the electrode pads before the contact of the needle is imaged and a second image in which the electrode pads after the contact of the probe needle are imaged, and the stored first image and the second image. A difference extracting means for extracting the difference as a difference image, and a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be brought into contact with A calculating means for calculating is provided.
본 발명의 다른 관점에 따른 정보 처리 방법은, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치에서의 정보 처리 방법으로서, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 단계와, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계를 구비한다.An information processing method according to another aspect of the present invention is an information processing method in an information processing apparatus used for a probe inspection apparatus for contacting a probe needle with an electrode pad of an inspected object to inspect electrical characteristics of the inspected object. Storing a first image in which the electrode pad before the contact of the probe needle with the test object is imaged and a second image in which the electrode pad after the contact of the probe needle is imaged, respectively, the stored first image and the first image; Extracting the difference from the two images as a difference image, and correcting the positional deviation of the needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image from the target position on the electrode pad to which the probe needle should contact Calculating a correction amount.
본 발명의 다른 관점에 따른 프로그램은, 피검사체의 전극 패드에 프로브 니들을 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브 검사 장치에 이용되는 정보 처리 장치에, 상기 피검사체로의 상기 프로브 니들의 접촉 전의 상기 전극 패드가 촬상된 제 1 화상과 상기 프로브 니들의 접촉 후의 상기 전극 패드가 촬상된 제 2 화상을 각각 기억하는 단계와, 상기 기억된 제 1 화상과 상기 제 2 화상과의 차분을 차분 화상으로서 추출하는 단계와, 상기 추출된 차분 화상 중에 나타나는 상기 프로브 니들의 니들 트레이스 위치와 상기 프로브 니들을 접촉시켜야 할 상기 전극 패드 상의 목표 위치와의 위치 이탈을 보정하기 위한 보정량을 산출하는 단계를 실행시키기 위한 것이다.A program according to another aspect of the present invention is an information processing apparatus used for a probe inspection apparatus for contacting a probe needle with an electrode pad of an inspected object to inspect electrical characteristics of the inspected object, wherein the probe needle to the inspected object is Storing the first image photographed by the electrode pad before contacting and the second image photographed by the electrode pad after contacting the probe needle, respectively, and the difference between the stored first image and the second image Extracting as an image, and calculating a correction amount for correcting a position deviation of a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted differential image with a target position on the electrode pad to which the probe needle should be in contact. It is to let.
또한, 이 프로그램을 기록한 기록 매체로서 본 발명을 구성해도 좋다. 여기서, 기억 매체란 예를 들면, CD(Compact Disc), DVD(Digital Versatile Disk), BD(Blu-ray Disc), HDD(Hard Disk Drive), 플래시 메모리 등이다.The present invention may also be configured as a recording medium on which this program is recorded. Here, the storage medium is, for example, a compact disc (CD), a digital versatile disk (DVD), a Blu-ray Disc (BD), a hard disk drive (HDD), a flash memory, or the like.
발명의 효과Effects of the Invention
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 프로브 니들이 하나의 전극 패드에 복수 회 접촉하는 경우에도 프로브 니들의 접촉 위치의 위치 이탈을 적절히 보정함으로써, 프로브 니들의 접촉 위치를 항상 최적으로 유지할 수 있다.As described above, according to the present invention, even when the probe needle contacts a single electrode pad a plurality of times, the contact position of the probe needle can be optimally maintained at all times by appropriately correcting the positional deviation of the contact position of the probe needle.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 검사 장치의 구성을 도시한 도면이다.1 is a view showing the configuration of a probe inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에서의 화상 처리용 PC의 구성을 도시한 블록도이다.Fig. 2 is a block diagram showing the configuration of an image processing PC in one embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에서의 웨이퍼의 상면도이다.3 is a top view of a wafer in one embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에서의 웨이퍼의 각 칩의 확대 상면도이다.4 is an enlarged top view of each chip of the wafer in one embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일 실시예에서 각 칩의 전기적 특성 검사를 행하는 경우의 동작의 흐름을 도시한 순서도이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating an operation flow when an electrical characteristic test of each chip is performed in one embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일 실시예에서 하나의 칩 상에서의 CCD 카메라의 촬상 궤적을 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating an imaging trajectory of a CCD camera on one chip in one embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 일 실시예에서 차분 화상을 추출하는 모습을 개념적으로 도시한 도면이다.7 is a diagram conceptually illustrating a state in which a difference image is extracted in an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 일 실시예에서의 위치 이탈량의 산출 처리를 개념적으로 도시한 도면이다.8 is a diagram conceptually showing a calculation process of the position deviation amount in one embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 일 실시예에서 칩의 복수의 패드에 최신의 니들 트레이스가 남은 상태를 도시한 도면이다.FIG. 9 is a diagram illustrating a state of the latest needle traces remaining on a plurality of pads of a chip in an embodiment of the present invention.
도 10a 내지 10c는 각각 본 발명의 다른 실시예에서 하나의 패드를 복수의 영역으로 나누어 컨택트의 목표 위치를 각 영역마다 설정한 경우의 컨택트 전 화상, 컨택트 후 화상 및 차분 화상을 도시한 도면이다.10A to 10C are diagrams illustrating a pre-contact image, a post-contact image, and a differential image when each pad is divided into a plurality of regions and a target position of the contact is set for each region in another embodiment of the present invention.
부호의 설명Explanation of the sign
3 : 스테이지3: stage
4 : 모터4: motor
5 : 인코더5: encoder
6 : CCD 카메라6: CCD camera
7 : 광원7: light source
8 : 프로브 카드8: probe card
8a : 프로브 니들8a: probe needle
9 : 테스터9: tester
10 : 화상 처리용 PC10: PC for image processing
14 : 렌즈14: Lens
21 : CPU21: CPU
23 : RAM23: RAM
25 : HDD25: HDD
30 : 반도체 칩(칩, 다이) 30: semiconductor chip (chip, die)
40 : 전극 패드(패드)40: electrode pad (pad)
41 : 니들 트레이스41: Needle Trace
51 : 컨택트 전 화상51: Before Contact
52 : 컨택트 후 화상52: Burn after contact
53 : 차분 화상53: difference image
100 : 프로브 검사 장치100: probe inspection device
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 기초하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of this invention is described based on drawing.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 검사 장치의 구성을 도시한 도면이다.1 is a view showing the configuration of a probe inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시한 바와 같이, 프로브 검사 장치(100)는 예를 들면, 실리콘제(製)의 반도체 웨이퍼(1)(이하, 간단히 웨이퍼(1)라고도 함)를 유지하는 웨이퍼 테이블(2)과, 해당 웨이퍼 테이블(2)을 도 1의 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시키기 위한 스테이지(3)와, 웨이퍼(1)를 상방에서 촬상하는 CCD 카메라(6)와, 이 CCD 카메라(6)에 의한 촬상 시에 웨이퍼(1)를 조명하는 광원(7)과, 복수의 프로브 니들(8a)이 설치된 프로브 카드(8)와, 이들 각 부의 동작을 제어하며, 또한, 후술하는 화상 처리를 행하는 화상 처리용 PC(Personal Computer)(10)를 갖는다.As shown in FIG. 1, the
웨이퍼(1)는 도시하지 않은 반송 암 등에 의하여 웨이퍼 테이블(2) 상으로 반송되어, 예를 들면 도시하지 않은 진공 펌프 등의 흡착 수단에 의하여 웨이퍼 테이블(2)에 흡착되어 고정된다. 또한, 웨이퍼(1)를 웨이퍼 테이블(2)에 직접 흡착시키는 것이 아니라 예를 들면, 별도로 웨이퍼(1)를 유지할 수 있는 트레이(도시하지 않음)를 준비하여, 웨이퍼(1)가 해당 트레이에 유지된 상태에서 트레이를 흡착 고정하도록 해도 상관없다. 웨이퍼(1)에 홀이 형성되어 있는 등의 경우에는, 웨이퍼를 직접 진공 흡착시키기 곤란한 경우도 있으므로, 이 트레이를 이용한 흡착 방법은 효과적이다. The
도 3은 웨이퍼(1)의 상면도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(1) 상에는 예를 들면, 88 개의 반도체 칩(다이)(30)(이하, 간단히 칩(30)이라고 함)이 그리드 형상으로 형성되어 있다. 물론 칩(30)의 수는 88 개로 한정되는 것은 아니다. 3 is a top view of the
도 4는 웨이퍼(1)의 각 칩(30)의 확대 상면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 각 칩(30(30a ~ 30e))에는 예를 들면, 주연부를 따라 범프(Bump) 형상의 복수의 전극 패드(40)(이하, 간단히 패드라고 함)가 설치되어 있다. 본 실시예에서는 각 패드(40)는 칩(30)의 각 변에 12 개, 합계 48 개가 설치되어 있으나, 패드(40)의 수는 이에 한정되지 않는다. 또한, 패드(40)의 레이아웃도 각 칩(30)의 주연부 에 설치되는 경우에 한정되지 않고, 각 칩(30)의 전면(全面)에 걸쳐 설치되어 있어도 상관없다. 각 전극 패드(40)는 예를 들면, 금, 은, 구리, 땜납, 니켈, 알루미늄 등의 금속으로 이루어지며, 각 칩(30) 내부에 형성된 집적 회로에 접속되어 있다. 4 is an enlarged top view of each
상기 프로브 카드(8)는 상기 각 칩(30)의 전극 패드의 수 및 레이아웃에 대응된 복수의 프로브 니들(8a)을 기판 상에 고정하여 구성된다. 예를 들면, 본 실시예에서는 48 개의 프로브 니들(8a)이 상기 각 칩(30)의 레이아웃을 따라 설치된다. 각 프로브 카드(8)는 테스터(9)에 접속되어 있으며, 각 프로브 니들(8a)을 각 패드(40)에 컨택트시키고, 이 각 프로브 니들(8a)을 거쳐 각 패드(40)에 테스터(9)로부터 다양한 조건에 따라 전압을 걸고, 그 출력치를 측정하여 소정의 기대치와 비교 등을 함으로써, 각 칩(30)의 전기적 특성을 검사할 수 있다. The
도 1을 다시 참조하면, CCD 카메라(6)는 웨이퍼(1) 상방의 소정 위치에 고정되어 있으며, 렌즈 또는 셔터(도시하지 않음) 등을 내장하고 있다. CCD 카메라(6)는 화상 처리용 PC(10)로부터 출력되는 트리거 신호에 기초하여, 내장된 렌즈에 의하여 확대된, 각 칩(30) 상의 각 패드(40)의 상(像)(각 패드(40)에 남은 니들 트레이스의 상(像))을 광원(7)에 의하여 발하여진 섬광 하에서 촬상하고, 촬상 화상을 화상 처리용 PC(10)로 전송한다. 구체적으로는, CCD 카메라(6)는 하나의 칩(30)에 대한 전기적 특성 검사에서, 각 패드(40)에 각 프로브 니들(8a)이 컨택트하기 전의 화상(이하, 컨택트 전 화상이라고 함)과 컨택트한 후의 화상(이하, 컨택트 후 화상이라고 함)을 촬상한다. 또한, CCD 카메라(6) 대신에 CMOS 센서 등의 다른 촬상 소자를 내장한 카메라를 이용해도 상관없다.Referring back to FIG. 1, the
광원(7)은 웨이퍼(1) 상방의 소정 위치에 고정되어 있으며 예를 들면, 고휘도의 백색 LED 또는 크세논 램프(Xenon Lamp) 등으로 이루어진 플래시 램프 및 해당 플래시 램프의 점등을 제어하는 플래시 점등 회로 등을 갖는다. 광원(7)은 화상 처리용 PC(10)로부터 출력되는 플래시 신호에 기초하여 예를 들면, 수 μ초 정도의 소정 시간, 고휘도의 섬광을 발함으로써 각 칩(30)의 각 패드(40)를 조명한다.The
스테이지(3)는 X 스테이지(11) 및 Y 스테이지(12)를 이동축(13)을 따라 각각(또는 함께) X 방향, Y 방향, Z 방향 및 θ 방향으로 이동시키기 위한 모터(4)와, 해당 X 스테이지(11) 및 Y 스테이지(12)의 각 방향으로의 이동 거리를 판별하기 위한 인코더(5)를 갖는다. 모터(4)는 예를 들면, AC 서보 모터, DC 서보 모터, 스테핑 모터, 리니어 모터 등이며, 인코더(5)는 예를 들면, 각종 모터 인코더 또는 리니어 스케일 등이다. 인코더(5)는 X 스테이지(11) 및 Y 스테이지(12)가 X, Y, Z 및 θ 방향으로 단위 거리만큼 이동할 때마다 그 이동 정보(좌표 정보)인 인코더 신호를 생성하고, 해당 인코더 신호를 화상 처리용 PC(10)로 출력한다.The
각 칩(30)에 대하여 전기적 특성 검사를 행하는 경우에는 우선, 검사 대상 칩(30)이 프로브 카드(8)의 각 프로브 니들(8a)의 바로 아래에 위치하도록 스테이지(3)를 XY 평면에서 이동시키고, 이어서, 스테이지(3)를 바로 위(Z1 방향)로 이동시킴으로써 각 패드(40)에 각 프로브 니들(8a)을 컨택트시키고, 이 상태에서 테스터(9)로부터 전압을 건다. 검사가 종료된 경우에는, 다시 스테이지(3)를 바로 아래(Z2 방향)로 이동시켜 원래의 상태로 되돌린다. 검사 대상 칩(30)을 다른 칩(30)으로 변경하는 경우에는 스테이지(3)를 이들 칩 사이의 거리량(分)만큼 XY 평면 상 에서 이동시킨 후 유사한 동작을 반복한다.In the case of performing the electrical characteristic inspection on each
또한, 각 칩(30)의 각 패드(40)를 CCD 카메라(6)에 의하여 촬상하는 경우에는 스테이지(3)를 CCD 카메라(6)가 촬상 대상인 패드(40) 바로 위에 위치하도록 XY 평면 상에서 이동시켜, 상기 광원(7)으로부터의 섬광 하에서 촬상한다. 또한, 프로브 카드(8)에 의한 검사 시에는 스테이지(3)의 상승에 의하여 웨이퍼(1)와 CCD 카메라(6)가 접촉하지 않도록, CCD 카메라(6)는 다른 위치로 대피시켜 두고, 촬상 시에만 도 1과 같이 웨이퍼(1)의 상방에 세팅된다.In addition, when imaging each
화상 처리용 PC(10)는 인코더(5)로부터 상기 인코더 신호를 입력 받고, 해당 인코더 신호에 기초하여, 광원(7)에 대하여 플래시 신호를 출력하고, 한편으로, CCD 카메라(6)에 대하여 트리거 신호를 출력한다. 또한, 화상 처리용 PC(10)는 인코더(5)로부터 입력된 인코더 신호를 기초로, 각 칩(30)의 검사 시 및 각 패드(40)의 촬상 시에 모터(4)의 구동을 제어하는 모터 제어 신호를 모터(4)로 출력한다.The
도 2는 해당 화상 처리용 PC(10)의 구성을 도시한 블록도이다. 2 is a block diagram showing the configuration of the
도 2에 도시한 바와 같이, 화상 처리용 PC(10)는 CPU(Central Processing Unit)(21), ROM(Read Only Memory)(22), RAM(Random Access Memory)(23), 입출력 인터페이스(24), HDD(25), 표시부(26) 및 조작 입력부(27)를 가지며, 각 부는 내부 버스(28)로 상호 전기적으로 접속되어 있다.As shown in FIG. 2, the
CPU(21)는 화상 처리용 PC(10)의 각 부를 통괄적으로 제어하고, 후술하는 화상 처리 등에서의 각종 연산을 행한다. ROM(22)은 화상 처리용 PC(10)의 기동 시에 필요한 프로그램 또는 그 밖의 갱신이 불필요한 프로그램 또는 데이터를 기억하는 불휘발성의 메모리이다. RAM(23)은 CPU(21)의 작업 영역(워크 에어리어)으로서 이용되고, HDD(25) 또는 ROM(22)으로부터 각종 데이터 또는 프로그램을 독출하여 일시적으로 저장하는 휘발성의 메모리이다.The
입출력 인터페이스(24)는 조작 입력부(27) 또는 상기 모터(4), 인코더(5), 광원(7) 및 CCD 카메라(6)와 내부 버스(28)와 접속하여, 조작 입력부(27)로부터의 조작 입력 신호의 입력, 또는, 모터(4), 인코더(5), 광원(7) 및 CCD 카메라(6)와의 각종 신호의 교환을 행하기 위한 인터페이스이다.The input /
HDD(25)는 OS(Operating System) 또는 후술하는 촬상 처리 및 화상 처리를 행하기 위한 각종 프로그램, 그 밖의 각종 어플리케이션, 그리고 상기 CCD 카메라(6)에서 촬상한 각 패드(40)의 화상, 또는, 각 패드(40)에 대하여 각 프로브 니들(8a)이 컨택트하기 위한 목표 위치를 나타내는 데이터, 그 밖의 각종 데이터 등을 내장된 하드디스크에 기억한다. 또한, 상기 촬상 처리 또는 화상 처리를 행하기 위한 각종 프로그램은 이들을 기록한, 예를 들면, CD, DVD, BD, 플래시 메모리 등의 기록 매체로부터 인스톨해도 상관없다.The
표시부(26)는 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display) 또는 CRT(Cathode Ray Tube) 등으로 이루어지고, 상기 CCD 카메라(6)에서 촬상한 화상 또는 화상 처리용의 각종 조작 화면 등을 표시한다. 조작 입력부(27)는 예를 들면, 키보드 또는 마우스 등으로 이루어지고, 후술하는 화상 처리 등에서의 유저로부터의 조작을 입력 받는다.The
이어서, 본 실시예에서의 프로브 검사 장치(100)의 동작에 대하여 설명한다. 이 프로브 검사 장치(100)는 각 칩(30)의 전기적 특성을 검사할 때에 각 패드(40)에 대한 각 프로브 니들(8a)의 컨택트 위치가, 미리 설정한 목표 위치에서 이탈되어 있는 경우에 이 위치 이탈을 보정할 수 있다. 이하, 이 위치 이탈 보정에 따른 동작을 중심으로 설명한다.Next, the operation of the
도 5는 각 칩(30)의 전기적 특성 검사를 행하는 경우의 동작의 흐름을 도시한 순서도이다. 또한, 본 실시예에서는, 상기 도 3에 도시한 88 개의 칩(30) 각각에 대하여 순차적으로 검사가 행해진다. 예를 들면, 도 3에 도시한 각 칩(30) 중 최상행(Y 좌표가 최대)의 좌측단의 칩(30)부터 순서대로 예를 들면, 행마다 검사가 행해진다. 또한, 각 칩(30)에 대하여 모든 검사가 종료된 경우에도 동일한 칩(30)에 대하여 전기적 조건을 바꾸어 복수 회의 검사가 행해지는 경우도 있다. 따라서, 각 칩(30)을 검사할 때에 각 칩(30)의 각 패드(40)에 이미 프로브 니들(8a)에 의한 니들 트레이스가 남아있는 경우도 있다. 도 5에서는 각 칩(30) 중 하나의 칩(30)(예를 들면, 도 4의 칩(30a))을 검사 대상으로서 검사하는 경우이며, 또한, 그 검사 전에 다른 칩(30)(예를 들면, 도 4의 칩(30e))에 대하여 동일한 검사가 행해지고 있음을 전제로 하여 설명한다.FIG. 5 is a flowchart showing the flow of operation when the electrical characteristics of each
도 5에 도시한 바와 같이, 우선, 프로브 검사 장치(100)는 금회 검사의 하나 전의 검사 대상이 된 다른 칩(30)의 검사에서 산출된 보정량을 기초로, 프로브 니들(8a)의 컨택트 위치의 위치 이탈을 보정한다(단계 101). 이 동작의 상세 설명에 대해서는 후술한다.As shown in FIG. 5, the
이어서, 프로브 검사 장치(100)의 화상 처리용 PC(10)의 CPU(21)는 금회의 검사 대상 칩(30)과 동일한 칩(30)에 있어서, 전회의 검사 시의 컨택트 후 화상이 HDD(25)에 기억되어 있는지의 여부를 판단한다(단계 102). 전회의 컨택트 후 화상이 기억되어 있는 경우(단계 102의 Yes)에는 해당 컨택트 후 화상을 금회의 검사에서의 컨택트 전 화상으로서 이용하기 위하여 HDD(25)로부터 독출한다(단계 103).Subsequently, the
전회의 컨택트 후 화상이 기억되어 있지 않은 경우(즉, 당해 하나의 칩(30)의 각 패드(40)에 대하여 처음으로 컨택트가 행해지는 경우)에 CPU(21)는 CCD 카메라(6)의 하방까지 웨이퍼(1)의 검사 대상 칩(30)을 이동시켜, 각 패드(40)의 컨택트 전 화상을 CCD 카메라(6)에 촬상시킨다(단계 104).When the image after the previous contact is not stored (that is, when a contact is made for each
도 6은 하나의 칩(30) 상에서의 CCD 카메라(6)의 촬상 궤적을 도시한 도면이다. 도 6에 도시한 바와 같이, CPU(21)는 CCD 카메라(6)가 칩(30)의 각 패드(40) 중 예를 들면, 좌변의 최상부의 패드(40)를 시작점으로 하여, 칩(30) 상의 촬상 위치를 반시계 회전 방향의 촬상 궤적을 그리면서 이동시키고, 모든 패드(40)의 컨택트 전 화상을 연속적으로 촬상하도록 모터(4)에 대하여 모터 구동 신호를 출력한다. 또한, 촬상 시에 CCD 카메라(6)의 위치 자체는 고정이므로, 이 경우에 스테이지(3)는 도 6에 도시한 궤적과는 역방향(시계 회전 방향)으로 이동하게 된다. CCD 카메라(6)는 이 이동에 맞추어 CPU(21)로부터 출력되는 트리거 신호에 기초하여, 광원(7)으로부터의 섬광 하에서 각 패드(40)를 연속적으로 플래시 촬상한다. 촬상된 각 컨택트 전 화상은 예를 들면, RAM(23)의 버퍼 영역에 보존된다.FIG. 6 is a diagram showing an imaging trajectory of the
이어서, CPU(21)는 CCD 카메라(6)를 검사 대상 칩(30)의 상방으로부터 대피시킨 후, 스테이지(3)를 Z1 방향으로 이동시키기 위한 모터 구동 신호를 모터(4)로 출력하고, 검사 대상 칩(30)의 각 패드(40)에 프로브 카드(8)의 각 프로브 니들(8a)을 컨택트시킨다(단계 105). 그리고, 이 상태에서 테스터(9)로부터 프로브 니들(8a)을 거쳐 각 패드(40)로 전압이 인가되고, 각 패드(40)로부터의 출력치가 측정된다.Subsequently, after evacuating the
컨택트 및 측정이 종료되면, CPU(21)는 검사 대상 칩(30)을 CCD 카메라(6)의 하방까지 다시 이동시킨 후, 각 패드(40)의 컨택트 후 화상을 촬상시킨다(단계 106). 즉, 상기 컨택트 전 화상의 촬상과 마찬가지로, CPU(21)는 CCD 카메라(6)가 상기 도 6에 도시한 바와 같이 이동하면서, 각 프로브 니들(8a)의 컨택트 후의 각 패드(40)를 연속적으로 촬상하도록 모터(4)로 모터 구동 신호를 출력하고, 또한, CCD 카메라(6)로 트리거 신호를 출력한다. 촬상된 각 패드(40)의 각 컨택트 후 화상은 RAM(23)의 버퍼 영역 등에 보존된다.When the contact and measurement are finished, the
이어서, CPU(21)는 각 패드(40)의 컨택트 전 화상과 컨택트 후 화상과의 차분(差分)을 차분 화상으로서 추출한다(단계 107). 도 7은 각 패드(40) 중 하나의 패드(40)에서 이 차분 화상을 추출하는 모습을 개념적으로 도시한 도면이다.Next, the
도 7에 도시한 바와 같이, 컨택트 전 화상(51)에는 패드(40)에 하나의 니들 트레이스(41a)가 남아있는 모습이 나타나 있다. 이 니들 트레이스(41a)는 이 검사 대상 칩(30)에 대한 전회의 검사에서의 컨택트에 의하여 남은 니들 트레이스이다. 또한, 컨택트 후 화상(52)에는 패드(40)에 상기 니들 트레이스(41a)에 추가적으로 또 하나의 니들 트레이스(41b)가 남아있는 모습이 나타나 있다. 이 니들 트레이스(41b)는 금회의 검사에서의 컨택트(상기 단계 105)에 의하여 남은 니들 트레이스 이다.As shown in FIG. 7, the
CPU(21)는 이 컨택트 후 화상(52)으로부터 컨택트 전 화상(51)의 차분을 취하는 화상 처리를 행함으로써 차분 화상(53)을 추출한다. 이 차분 화상(53)에는 컨택트 후 화상(52)에서의 니들 트레이스(41b)만이 나타나 있다. 즉, 이 차분 화상(53)의 추출 처리에 의하여, 칩(30)에 복수 회의 컨택트가 행해진 경우라도 최신의 니들 트레이스만을 추출할 수 있어, 금회의 검사에서 위치 이탈의 보정 대상이 되는 니들 트레이스를 특정할 수 있다. 이 차분 화상(53)의 추출 처리는 금회의 검사 대상 칩(30) 상의 모든 패드(40)에 대하여 행해진다.CPU21 extracts the
이어서, CPU(21)는 금회의 검사 대상 칩(30)의 모든 패드(40)에 대하여, 상기 추출한 차분 화상(53)에 나타난 니들 트레이스(41b)를 인식하고, 이 니들 트레이스(41b)와 미리 설정된 니들 트레이스의 목표 위치와의 사이의 위치 이탈량을 산출한다(단계 108). 또한, 이 위치 이탈은 예를 들면, 각 프로브 니들(8a)의 컨택트 수의 증가에 의한 경년 열화(經年劣化) 등에 기인하는 것이다. 또한, 프로브 검사 장치(100)에서 예를 들면, 테스터(9)로부터 프로브 니들(8a)을 거쳐, 패드(40)에 열을 가하여 검사하는 경우(이른바, 열적(熱的) 스트레스 검사)도 있고, 이 열에 의한 프로브 니들(8a)의 변이 등에 기인하여 위치 이탈이 발생되는 경우도 있다.Subsequently, the
도 8은 각 패드(40) 중 하나의 패드(40)에서 이 위치 이탈량을 산출하는 처리를 개념적으로 도시한 도면이다. 본 실시예의 프로브 검사 장치(100)에서는 예를 들면, 패드(40)의 중심을 컨택트의 목표 위치로서 설정하고, 이 목표 위치 데이터(좌표 데이터)를 HDD(25) 등에 기억하고 있다. 한편, 도 8에 도시한 바와 같이, 차 분 화상(53)에서 금회의 검사에서의 니들 트레이스(41b)는 패드(40)의 중심을 원점으로 하면, X 좌표에서 + 방향, Y 좌표에서 - 방향으로 이탈된 위치에 나타나고 있다. 따라서, 니들 트레이스(41b)와 목표 위치와의 사이에는 도 8 중의 벡터 a 만큼의 위치 이탈량이 존재하고 있다. CPU(21)는 차분 화상(53) 중으로부터, 예를 들면 2 치화(値化) 처리 등의 화상 처리에 의하여 니들 트레이스(41b)를 인식하고, 상기 목표 위치 데이터와 니들 트레이스(41b)의 중심 좌표를 비교함으로써, 이 위치 이탈량을 산출한다. CPU(21)는 이 처리를 금회의 검사 대상 칩(30)의 모든 패드(40)에 대하여 행한다.FIG. 8 is a diagram conceptually showing a process of calculating this position deviation amount in one
이어서, CPU(21)는 상기 산출한 각 패드(40)에서의 각 위치 이탈량을 기초로, 프로브 카드(8) 전체로서의 보정량을 산출한다(단계 109). 도 9는 칩(30)의 복수의 패드(40)에 최신의 니들 트레이스(41b)가 남은 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 9에서는 설명의 편의 상 전회의 검사에서의 니들 트레이스(41a)는 도시하지 않는다. 도 9에 도시한 바와 같이, 각 패드(40)에서의 각 니들 트레이스(41b)의 위치 이탈량은 패드(40)마다 다른 경우가 있다. 이는, 프로브 카드(8)의 설계 상의 오차로부터 발생되는 경우도 있고, 프로브 니들(8a)마다 경년 열화 등의 진행 상태의 상이함에 의하기도 한다. CPU(21)는 이 패드(40)마다 다른 위치 이탈량이 각각 가능한 한 0에 가까워지도록 즉, 각 니들 트레이스(41b)의 좌표와 각 목표 위치의 좌표가 가능한 한 근사하도록 프로브 카드(8)의 전체 이동량으로서의 보정량을 산출한다. 이 산출은 예를 들면, 최소 제곱법 등의 공지의 수법을 이용함으로써 행해진다. 이 보정량은 프로브 카드(8)의 XY 방향으로의 이동뿐만 아니라, θ 방향으로 의 이동도 고려하여 산출된다. 산출된 보정량 데이터는 HDD(25)에 보존된다.Subsequently, the
이어서, CPU(21)는 상기 컨택트 전 화상(51)의 데이터를 RAM(23)의 버퍼 영역으로부터 소거한다(단계 110). 컨택트 전 화상(51)은 상기 차분 화상(53)의 추출에만 필요해지므로, 차분 화상(53)의 추출 후에는 이 컨택트 전 화상(51)을 소거함으로써, RAM(23)의 사용 용량을 삭감할 수 있다. 물론, 이 소거 처리는 상기 각 위치 이탈량 및 보정량의 산출 처리 전에 행해도 상관없다.Subsequently, the
이어서, CPU(21)는 상기 각 컨택트 후 화상(52)의 데이터를 RAM(23)의 버퍼 영역으로부터 HDD(25)로 기입한다(단계 111). 이 때, CPU(21)는 이 각 컨택트 후 화상(52)을 금회의 검사 대상인 칩(30)을 식별하는 칩 ID 및 이 칩(30)의 각 패드(40)를 식별하는 패드 ID와 대응시켜 HDD(25)에 기억시킨다. 이에 의해, 금회의 검사 대상이 된 칩(30)이 나중에 다시 검사 대상이 된 경우에, HDD(25)에 기억된 컨택트 후 화상(52)을 상기 칩 ID 및 패드 ID를 참조하여 독출하고, 그 재검사에서의 컨택트 전 화상(51)으로서 이용하는 것이 가능해진다. 따라서, 상기 단계 106에서의 컨택트 전 화상의 촬상 처리가 불필요하게 되어, 촬상 처리에 따른 처리 부하가 대폭 경감되고, RAM(23) 또는 HDD(25) 등의 기억 용량의 삭감으로도 이어진다. Subsequently, the
또한, 각 컨택트 후 화상은 예를 들면, 모노크롬(Monochrome)의 BMP(BitMaP)의 데이터 형식으로 보존된다. 컬러가 아닌 모노크롬의 화상으로 함으로써, HDD(25)의 사용 용량을 가능한 한 억제하면서 비압축 형식으로 함으로써 HDD(25)로의 기입 시간의 단축을 도모하고 있다. 물론, 컬러 화상이어도 상관없고, JPEG(Joint Photographic Experts Group) 또는 GIF(Graphic lnterchange Format) 등의 압축 형식의 화상이어도 상관없다.In addition, the image after each contact is stored in the data format of BMP (BitMaP) of monochrome, for example. By using a monochrome image instead of color, the write time to the
그리고, CPU(21)는 금회의 검사 대상 칩(30)(예를 들면, 도 4의 칩(30a))의 검사가 종료되고, 프로브 카드(8)가 다음의 검사 대상이 되는 다른 칩(30)(예를 들면, 도 4의 칩(30b))을 검사하도록 스테이지(3)가 이동한 경우에, 그 검사의 전 처리로서 상기 단계 101의 처리와 마찬가지로, 상기 단계 109에서 산출한 보정량을 기초로 스테이지(3)를 이동시켜 위치 이탈 보정을 행한다(단계 112). 이 경우, 패드(40) 단위로 보면 예를 들면, 도 4에 도시한 금회의 검사 대상 칩(30a) 상에서 소정의 위치(예를 들면, 좌변열(左邊列) 상으로부터 3 번째의 위치)에 존재하는 패드(40a)에서의 위치 이탈량이 다음의 검사 대상 칩(30b) 상에서, 패드(40a)와 동일한 위치에 존재하는 패드(40b)에서 보정되게 된다. 또한, 다음의 검사 대상이 되는 다른 칩(30)이란 통상적으로, 금회의 검사 대상이 된 칩(30)에 인접한 칩이지만, 인접하는 칩이 아니어도 상관없다.Then, the
CPU(21)는 이상의 처리를 검사 대상이 되는 모든 칩(30)에 대하여 반복한다. 이에 의해, 하나 전의 검사 대상이 된 칩(30)의 검사에서 산출된 보정량을 다음 칩(30)의 검사에서 피드백 제어적으로 반영시킬 수 있다. 또한, CPU(21)는 하나의 웨이퍼(1)의 모든 칩(30)에 대한 검사가 종료된 경우에는, 다음의 검사 대상인 다른 웨이퍼(1)의 각 칩(30)에 대해서도 마찬가지의 처리를 행한다.The
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는 각 칩(30)의 각 패드(40)에 복수 회 프로브 검사가 행해져 복수의 니들 트레이스가 남아있는 경우에도, 상기 컨택트 전 화상(51) 및 컨택트 후 화상(52)으로부터 차분 화상(53)을 추출하고, 이 차분 화상(53) 중의 최신의 니들 트레이스(41b)의 위치와 목표 위치와의 위치 이탈량을 패드(40)마다 산출하고, 이 각 위치 이탈량으로부터 프로브 카드(8) 전체로서의 보정량을 산출하고, 이 보정량을 다음의 검사 대상의 칩(30)의 검사에서 반영시킴으로써, 프로브 니들(8a)의 컨택트 위치를 항상 목표 위치로 유지할 수 있다.As described above, in this embodiment, even when a plurality of probe traces are performed on each
본 발명은 상술한 실시예에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이다.This invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, Of course, various changes can be added within the range which does not deviate from the summary of this invention.
상술한 실시예에서는, 패드(40)의 중심 위치를 프로브 니들(8a)의 목표 위치로 하고 있지만, 이 위치에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 하나의 패드(40)를 복수의 영역으로 나누고, 상이한 전기적 조건 하의 검사에서 복수 회의 컨택트용으로 구분하여 사용하는 경우도 있다. 도 10a 내지 10c는 이 경우의 검사에서의 컨택트 전 화상(51) 컨택트 후 화상(52) 및 차분 화상(53)을 도시한 도면이다.In the above-mentioned embodiment, although the center position of the
도 10a에 도시한 바와 같이, 컨택트 전 화상(51)에서는 패드(40)의 4 분할된 영역(80a ~ 80d) 중 영역(80a)에 니들 트레이스(41a)가 남아있다. 이는, 이 칩(30)에 대한 전회의 검사의 검사 시에 남은 니들 트레이스이다. 이 전회의 검사 시에는 영역(80a)의 중심 위치가 목표 위치로 되어있다. As shown in FIG. 10A, in the
도 10b에 도시한 바와 같이, 컨택트 후 화상(52)에서는 영역(80b)과 영역(80c)의 경계 주변에 니들 트레이스(41b)가 남아있다. 그러나, 이 검사에서는 영역(80b)의 중심 위치가 목표 위치가 되므로, 이 목표 위치와 니들 트레이스(41b)와의 사이에는 위치 이탈이 발생하고 있다.As shown in Fig. 10B, in the
여기서, 도 10c에 도시한 바와 같이, CPU(21)는 이 칩(30)의 다음 검사 대상 이 되는 다른 칩(30)의 각 패드(40)에서 니들 트레이스(41b)가 영역(80b)의 중심 위치가 되는 위치 이탈량을 산출하여, 각 패드(40)의 위치 이탈량을 기초로 보정량을 산출한다.Here, as shown in FIG. 10C, the
상술한 실시예에서는, 프로브 카드(8)가 하나의 칩의 각 패드(40)로의 컨택트에 대응하도록 프로브 니들(8a)을 갖고 있지만, 복수의 칩(30)의 각 패드(40)로의 컨택트에 한번에 대응하는 프로브 니들(8a)을 갖는 프로브 카드(8)에 의하여 검사를 행하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우, CCD 카메라(6)는 각 칩(30)마다 각 패드(40)를 연속 촬상하고, CPU(21)는 각 칩(30)마다 각 패드(40)에서의 위치 이탈량을 산출하여, 각 위치 이탈량이 복수의 칩(30)의 각 패드(40)에 대하여 가능한 한 0에 가까워지도록 하는 프로브 카드(8) 전체로서의 보정량을 산출한다In the above-described embodiment, although the
상술한 실시예에서는, 컨택트 후 화상(52)을 HDD(25)에 보존하도록 하고 있지만, RAM(23)의 용량이 충분한 경우에는 컨택트 후 화상(52)을 HDD(25)에 보존하지 않고 RAM(23)에 기억해도 좋다. 이에 의해, 컨택트 후 화상(52)의 기입 시간 및 독출 시간을 단축하여 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In the above-described embodiment, the
상술한 실시예에서는, 칩 ID 및 패드 ID를 화상 처리용 PC(10)의 HDD(25)에 보존하도록 하고 있지만, 이 칩 ID 및 패드 ID를 각 웨이퍼(1)를 식별하는 웨이퍼 ID와 함께 관리하는 ID 관리용 서버를 별도로 준비해도 좋다.In the above-described embodiment, the chip ID and the pad ID are stored in the
상술한 실시예에서는, 검사 대상 칩(30)의 모든 패드(40)에 대하여 컨택트 전후 화상을 준비하고, 모든 패드(40)에서의 위치 이탈량을 기초로 보정량을 산출 하고 있지만, 모든 패드(40)가 아니라, 임의의 수(예를 들면, 4 개)의 패드(40)에 대해서만 컨택트 전후 화상을 촬상하고, 그 임의의 수의 패드(40)에서의 위치 이탈량을 기초로 보정량을 산출해도 상관없다. 이에 의해, 촬상 처리 또는 차분 화상 추출 처리, 보정량 산출 처리 등에 따른 처리 부하를 경감하여 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 보정량의 산출 처리의 대상으로 하는 패드(40)의 수를 상기 조작 입력부(27) 등을 거쳐 유저가 임의로 설정할 수 있도록 해도 상관없다. 그러나, 모든 패드(40)를 처리 대상으로 하는 편이 위치 이탈량의 보정의 정밀도 향상이라고 하는 점에서 바람직하다. 또한, 이와 같이 처리해도, 상기 CCD 카메라(6)에 의하여 각 패드(40)를 연속적으로 고속 스캔 촬상함으로써, 처리 시간의 단축을 도모할 수 있다.In the above-described embodiment, before and after contact images are prepared for all the
상술한 실시예에서는, 각 칩(30)의 각 패드(40)에 프로브 니들(8a)이 컨택트하는 경우의 컨택트 전후의 화상을 촬상하여, 두 화상으로부터 차분 화상을 추출함으로써 최신의 니들 트레이스를 검출하고 있지만 예를 들면, 프로브 니들(8a)의 컨택트 순간의 각 패드(40)의 모습을 별도로 설치한 카메라로 촬상해도 좋다. 이에 의해, 그 이전에 그 패드(40)에 니들 트레이스가 남아있었다고 해도, 그 촬상 화상만 있으면 최신의 컨택트 위치를 파악할 수 있고, 위치 이탈량을 산출할 수 있으므로, 컨택트 전후에 2 회 촬상하는 수고와 부담이 경감되게 된다.In the above-described embodiment, the latest needle trace is detected by capturing an image before and after the contact when the
Claims (9)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006350501A JP2008164292A (en) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | Probe inspection apparatus, position displacement correction method, information processing apparatus and method, and program |
JPJP-P-2006-350501 | 2006-12-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090098893A true KR20090098893A (en) | 2009-09-17 |
Family
ID=39562202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020097014872A KR20090098893A (en) | 2006-12-26 | 2007-12-18 | Probe inspecting device, displacement correcting method, information processor, information processing method, and program |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008164292A (en) |
KR (1) | KR20090098893A (en) |
CN (1) | CN101568844A (en) |
TW (1) | TW200842380A (en) |
WO (1) | WO2008078405A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101442397B1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-17 | 세메스 주식회사 | Method and apparatus for aligning probe card and wafer |
KR20150022776A (en) * | 2012-05-23 | 2015-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Probe apparatus, and wafer placing table for probe apparatus |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5433266B2 (en) | 2009-03-19 | 2014-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Needle mark determination method and needle mark determination program |
JP4480796B1 (en) * | 2009-09-02 | 2010-06-16 | 株式会社アドバンテスト | Test apparatus, test method and program |
TWI495838B (en) * | 2011-01-10 | 2015-08-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Image measuring apparatus |
JP2013137224A (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Sharp Corp | Multichip prober, method for correcting contact position thereof, control program, and readable recording medium |
CN102662090B (en) * | 2012-04-24 | 2015-08-05 | 河南正泰信创新基地有限公司 | A kind of site error automatic correcting method |
JP2013238435A (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Hioki Ee Corp | Substrate inspection device and substrate inspection method |
US9000798B2 (en) * | 2012-06-13 | 2015-04-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of test probe alignment control |
JP2014109531A (en) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Toshiba Corp | Semiconductor inspection device and semiconductor inspection method |
CN103018505A (en) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 无锡圆方半导体测试有限公司 | Probe correcting device |
WO2014132856A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 株式会社東京精密 | Alignment support device and alignment support method for probe devices |
WO2014132855A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 株式会社東京精密 | Probe device |
KR101415276B1 (en) * | 2013-10-07 | 2014-07-04 | 주식회사 쎄믹스 | Wafer prober system being capable of inspecting wafer surface |
CN107004553B (en) * | 2014-06-25 | 2019-07-26 | Fei埃法有限公司 | The device and method of nanometer detection for electronic device |
JP6305887B2 (en) * | 2014-09-16 | 2018-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
TWI576934B (en) * | 2014-11-27 | 2017-04-01 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer inspection method |
JP2016212014A (en) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 日置電機株式会社 | Offset information acquisition method of probe, and x-y substrate inspection device |
JP6877025B2 (en) * | 2016-03-23 | 2021-05-26 | ヤマハファインテック株式会社 | Circuit board inspection methods, inspection equipment, and programs |
TWI603410B (en) * | 2016-06-14 | 2017-10-21 | 豪威科技股份有限公司 | Testing system for re-constructed wafer and the method thereof |
CN106910444B (en) * | 2017-02-28 | 2020-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Lighting device and lighting test method |
CN108172154B (en) * | 2018-01-03 | 2021-03-19 | 惠科股份有限公司 | Test method and test equipment |
CN108983460B (en) * | 2018-08-17 | 2021-08-03 | 苏州凌云视界智能设备有限责任公司 | Positioning precision compensation system and method of probe crimping device |
CN109270087A (en) * | 2018-09-18 | 2019-01-25 | 广州思林杰网络科技有限公司 | Blue film vision detection system and method |
CN111562413A (en) * | 2019-02-14 | 2020-08-21 | 均豪精密工业股份有限公司 | Detection method and detection system |
CN110187259A (en) * | 2019-06-10 | 2019-08-30 | 德淮半导体有限公司 | A kind of adjustment system and method for adjustment preventing probe mark shift in wafer test |
TWI724597B (en) * | 2019-10-31 | 2021-04-11 | 力成科技股份有限公司 | Chip probe testing system without positioning by wafer cutting channel and method thereof |
CN113091979B (en) * | 2019-12-23 | 2022-07-22 | 马洪文 | Distributed multi-dimensional force measuring system and force measuring method |
CN111162021B (en) * | 2020-01-03 | 2020-09-18 | 合肥芯测半导体有限公司 | Test probe apparatus for testing semiconductor dies and related systems and methods |
TWI745829B (en) * | 2020-01-13 | 2021-11-11 | 華邦電子股份有限公司 | Semiconductor device and detecting method of needle mark offset |
CN113805025A (en) * | 2020-06-01 | 2021-12-17 | 均豪精密工业股份有限公司 | Photoelectric detection system and method for detecting crystal grains |
US11532524B2 (en) | 2020-07-27 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit test method and structure thereof |
CN112362580B (en) * | 2020-10-26 | 2023-04-07 | 琉明光电(常州)有限公司 | Photographing detection system and method for probe mark |
CN112684224A (en) * | 2020-12-29 | 2021-04-20 | 无锡圆方半导体测试有限公司 | Method and system for efficiently preventing chip welding spot needle insertion deviation |
CN112731097A (en) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 前海晶云(深圳)存储技术有限公司 | Positioning method, storage device, computer equipment and testing device |
DE102021105594B3 (en) * | 2021-03-09 | 2022-06-09 | Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg | Method for correcting the position of components with a recording device, recording device, computer program product and computer-readable medium |
CN113012125B (en) * | 2021-03-16 | 2024-02-09 | 上海哥瑞利软件股份有限公司 | Automatic pin card checking method and system for semiconductor CP equipment based on image recognition |
CN113075233A (en) * | 2021-04-12 | 2021-07-06 | 长春光华微电子设备工程中心有限公司 | Probe mark detection method for probe station |
JP2024047872A (en) * | 2022-09-27 | 2024-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Inspection method, inspection device, and program |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3245227B2 (en) * | 1992-08-03 | 2002-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Probe device |
JP4156968B2 (en) * | 2003-04-25 | 2008-09-24 | 株式会社オクテック | Probe apparatus and alignment method |
JP4594144B2 (en) * | 2005-03-28 | 2010-12-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Inspection apparatus and positional deviation amount acquisition method |
-
2006
- 2006-12-26 JP JP2006350501A patent/JP2008164292A/en active Pending
-
2007
- 2007-12-18 WO PCT/JP2007/001421 patent/WO2008078405A1/en active Application Filing
- 2007-12-18 CN CNA2007800480079A patent/CN101568844A/en active Pending
- 2007-12-18 KR KR1020097014872A patent/KR20090098893A/en not_active Application Discontinuation
- 2007-12-25 TW TW96149991A patent/TW200842380A/en unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150022776A (en) * | 2012-05-23 | 2015-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Probe apparatus, and wafer placing table for probe apparatus |
KR101442397B1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-17 | 세메스 주식회사 | Method and apparatus for aligning probe card and wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101568844A (en) | 2009-10-28 |
WO2008078405A1 (en) | 2008-07-03 |
TW200842380A (en) | 2008-11-01 |
JP2008164292A (en) | 2008-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20090098893A (en) | Probe inspecting device, displacement correcting method, information processor, information processing method, and program | |
JP4997127B2 (en) | Inspection method and program recording medium recording this inspection method | |
US7026832B2 (en) | Probe mark reading device and probe mark reading method | |
TWI392040B (en) | Inspection device and position offset acquisition method | |
JP4781430B2 (en) | Imaging position correction method and substrate imaging apparatus | |
JP4484844B2 (en) | Image binarization processing method, image processing apparatus, and computer program | |
CN111386595A (en) | Method for adjusting position of probe tip and inspection device | |
JP5154527B2 (en) | Foreign matter inspection device | |
JP2000346627A (en) | Inspection system | |
JP2019027922A (en) | Electronic component conveyance device and electronic component inspection device | |
US7991219B2 (en) | Method and apparatus for detecting positions of electrode pads | |
JP5178781B2 (en) | Sensor output data correction device and sensor output data correction method | |
JP2005351631A (en) | Defect detection device and method | |
JP2010238908A (en) | Method for setting contact parameter, program for setting contact parameter, and recording medium recording the program for setting contact parameter | |
JP4074624B2 (en) | Pattern inspection method | |
JP2019110259A (en) | Prober | |
JP2019219357A (en) | Imaging apparatus, imaging method, and imaging program | |
JPH08327658A (en) | Inspection equipment for substrate | |
CN110998815A (en) | Inspection apparatus, inspection method, and storage medium | |
JP7336814B1 (en) | Inspection device, mounting device, inspection method, and program | |
TWI845721B (en) | Wafer appearance inspection device and method | |
WO2023106150A1 (en) | Inspection method, correction amount calculation method, and inspection device | |
KR101124566B1 (en) | Apparatus for examining a wafer | |
JPH09266238A (en) | Defect inspection apparatus for electronic circuit | |
CN118339461A (en) | Inspection method, correction amount calculation method, and inspection device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |