JP2008164292A - Probe inspection apparatus, position displacement correction method, information processing apparatus and method, and program - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To maintain optimal contact positions of probe needles at all times by appropriately correcting position displacements of the contact positions of the probe needles even in the case that the probe needles come into contact with one electrode pad a plurality of times. <P>SOLUTION: A probe inspection apparatus 100 acquires pre-contact images 51 and post-contact images 52 of a probe needle 8a to each pad 40 of a chip 30 by imaging by a CCD camera 6, extracts differential images 53 between both images by an image processing PC 10, computes the amount of position displacement between the position of the newest needle track 41b and a target position in the differential images 53 for respective thirty pads computes an overall amount of correction of a probe card 8 on the basis of each amount of position displacement, and corrects position displacements by reflecting the amount of correction in inspections of each pad 40 of the chip 30 to be inspected. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置、当該プローブ検査装置における位置ずれ補正方法、当該プローブ検査装置に用いられる情報処理装置、当該情報処理装置における情報処理方法及びプログラムに関する。   The present invention relates to a probe inspection apparatus that inspects the electrical characteristics of the inspection object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the inspection object, a positional deviation correction method in the probe inspection apparatus, and information used in the probe inspection apparatus The present invention relates to a processing device, an information processing method and a program in the information processing device.

従来から、例えば半導体ウェハ(以下、単にウェハともいう)に形成された半導体チップ(以下、単にチップともいう)等の電子デバイスの電気的特性を検査するためのプローブ検査装置が知られている。このプローブ検査装置においては、プローブカードに設けられたプローブ針をチップ上の電極パッドに接触させ、プローブカードに接続されたテスタにより所定の電圧をかけて出力を測定して、期待値と比較することでチップの良否を判定する。   2. Description of the Related Art Conventionally, a probe inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of an electronic device such as a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a chip) formed on a semiconductor wafer (hereinafter also simply referred to as a wafer) is known. In this probe inspection apparatus, the probe needle provided on the probe card is brought into contact with the electrode pad on the chip, the output is measured by applying a predetermined voltage with a tester connected to the probe card, and compared with the expected value. That is, the quality of the chip is determined.

このプローブ検査においては、プローブ針を電極パッドの目標位置に正確に接触させることが重要となる。プローブ針が電極パッドの中心からずれた周縁部や電極パッド外の位置に接触してしまうと誤検査に繋がってしまう。また、一のチップに対して複数回の測定を行うために、電極パッド上の領域を複数の測定毎に使い分ける場合もあり、プローブ針がその測定毎の異なる領域からずれて接触してしまうと、複数回の測定が困難となってしまう。   In this probe inspection, it is important to accurately bring the probe needle into contact with the target position of the electrode pad. If the probe needle comes in contact with the peripheral edge deviated from the center of the electrode pad or a position outside the electrode pad, it leads to an erroneous inspection. In addition, in order to perform a plurality of measurements on one chip, the region on the electrode pad may be used for each of a plurality of measurements, and if the probe needle is displaced from a different region for each measurement and contacts This makes it difficult to measure multiple times.

このようなプローブ針の位置ずれを補正するための技術として、下記特許文献1には、プローブカードの触針の針跡をカラーカメラによって観察し、この針跡が電極パッド上の適正な位置(例えば電極パッドの中心)に付けられているかを判断し、その針跡の位置が適正な位置からずれている場合には、例えば針跡の中心と電極パッドの中心との位置ずれをなくすようにステージを微小移動させる方法が開示されている。また、その他下記特許文献2〜5にも、プローブ針の位置合わせに関する技術が記載されている。
特開2004−63877号公報(段落[0006)等) 特公平06−005690号公報 特公平07−013990号公報 特許第2575072号公報 特許第2984541号公報
As a technique for correcting such misalignment of the probe needle, the following Patent Document 1 discloses a probe card stylus trace of a probe card observed with a color camera, and the needle trace is an appropriate position on the electrode pad ( For example, if the position of the needle trace is deviated from an appropriate position, the positional deviation between the center of the needle trace and the center of the electrode pad is eliminated. A method of moving the stage minutely is disclosed. In addition, Patent Documents 2 to 5 listed below also describe techniques related to probe needle alignment.
Japanese Patent Laying-Open No. 2004-63877 (paragraph [0006] etc.) Japanese Patent Publication No. 06-005690 Japanese Patent Publication No. 07-013990 Japanese Patent No. 2575072 Japanese Patent No. 2998441

ところで、上記プローブ検査においては、一の電極パッドに対して種々の電気的条件毎に複数回の測定が行われる場合があり、この場合には一の電極パッド上に複数の針跡が付くこととなる。しかしながら、上記各特許文献の技術においては、このような複数の針跡が付いた電極パッドを撮像しても、どの針跡が最新の針跡であるかが判別できないため、現在の位置ずれ量が算出できず、位置ずれ補正ができなくなってしまう。   By the way, in the probe inspection, a plurality of measurements may be performed for each electrical condition for one electrode pad, and in this case, a plurality of needle marks are attached on the one electrode pad. It becomes. However, in the technology of each of the above-mentioned patent documents, it is impossible to determine which needle trace is the latest needle trace even if an image of such an electrode pad with a plurality of needle traces is taken. Cannot be calculated, and the positional deviation cannot be corrected.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、プローブ針が一の電極パッドに複数回接触する場合においてもプローブ針の接触位置の位置ずれを適切に補正することで、プローブ針の接触位置を常に最適に保つことが可能なプローブ検査装置、当該プローブ検査装置における位置ずれ補正方法、当該プローブ検査装置に用いられる情報処理装置、当該情報処理装置における情報処理方法及びプログラムを提供することにある。   In view of the circumstances as described above, the object of the present invention is to appropriately correct the displacement of the probe needle contact position even when the probe needle contacts the electrode pad a plurality of times. Is to provide a probe inspection apparatus, a positional deviation correction method in the probe inspection apparatus, an information processing apparatus used in the probe inspection apparatus, an information processing method and a program in the information processing apparatus .

上述の課題を解決するため、本発明の主たる観点に係るプローブ検査装置は、被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置であって、前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドと、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドとをそれぞれ撮像する撮像手段と、前記撮像された接触前の前記電極パッドの画像を第1の画像として記憶し、前記撮像された接触後の前記電極パッドの画像を第2の画像として記憶する記憶手段と、前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出する差分抽出手段と、前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出する算出手段と、前記算出された補正量を基に前記被検査体と前記プローブ針との相対位置を可変させて前記位置ずれを補正する補正手段とを具備する。   In order to solve the above-described problem, a probe inspection apparatus according to a main aspect of the present invention is a probe inspection apparatus that inspects the electrical characteristics of the inspection object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the inspection object. Imaging means for imaging the electrode pad before contact of the probe needle with the object to be inspected and the electrode pad after contact with the probe needle; and the imaged image of the electrode pad before contact Is stored as a first image, the captured image of the electrode pad after contact is stored as a second image, and the difference between the stored first image and the second image Difference extraction means for extracting a difference image as a difference image, and a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be brought into contact Calculation means for calculating a correction amount for correction, and correction means for correcting the positional deviation by varying a relative position between the object to be inspected and the probe needle based on the calculated correction amount. .

ここで被検査体とは、例えば複数の半導体チップが形成された半導体ウェハやその他の電子デバイスである。この構成により、被検査体にプローブ針が複数回接触することがあっても、上記差分画像を抽出することで常に最新の針跡のみを抽出できるため、プローブ針の接触毎に位置ずれを補正することで、接触状態を常に最適位置に保つことができる。したがって、接触不良に起因する被検査体の電気的特性の測定の失敗を防止し、結果として被検査体の歩留まりを向上させることができる。なお、上記補正手段による相対位置の可変は、例えば、上記プローブ針の接触方向に対して垂直な平面上で上記被検査体をX方向やY方向へ移動させることで行われる。また、上記被検査体が、複数の電極パッドが設けられた複数の半導体チップを有する半導体ウェハである場合には、現在の検査対象である一の半導体チップの各電極パッドについて算出された補正量を、次の検査対象である他の半導体チップの各電極パッドについて反映させるようにしてもよい。   Here, the inspected object is, for example, a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor chips are formed or other electronic devices. With this configuration, even if the probe needle touches the object to be inspected multiple times, only the latest needle trace can be extracted by extracting the above-mentioned difference image. By doing so, the contact state can always be kept at the optimum position. Therefore, it is possible to prevent a failure in measurement of the electrical characteristics of the inspection object due to poor contact, and as a result, it is possible to improve the yield of the inspection object. The relative position can be changed by the correcting means by, for example, moving the object to be inspected in the X direction or the Y direction on a plane perpendicular to the contact direction of the probe needle. Further, when the object to be inspected is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of electrode pads, the correction amount calculated for each electrode pad of one semiconductor chip to be inspected at present May be reflected for each electrode pad of another semiconductor chip to be inspected next.

上記プローブ検査装置は、前記電極パッドに対して複数回に亘って前記プローブ針の接触による前記電気的特性の検査が行われる場合に、一の回の次回の検査において前記撮像手段による前記第1の画像の撮像を規制する規制手段を更に具備し、前記記憶手段は、前記一の回の検査において前記第2の画像として記憶された画像を、前記次回の検査における前記第1の画像として記憶するようにしても構わない。   In the probe inspection apparatus, when the electrical characteristics are inspected by contact with the probe needle a plurality of times with respect to the electrode pad, the first inspection by the imaging unit in the next inspection of one time. And a storage unit that stores the image stored as the second image in the first inspection as the first image in the next inspection. You may make it.

これにより、前回の検査時に撮像した第2の画像を次回の検査時に第1の画像として用いることができるため、検査毎に第1の画像を撮像する手間を省くことができ、また記憶手段の記憶容量を削減することもできる。   Accordingly, since the second image captured at the previous inspection can be used as the first image at the next inspection, it is possible to save the trouble of capturing the first image for each inspection, and the storage means The storage capacity can also be reduced.

上記プローブ検査装置において、前記記憶手段は、前記差分抽出後に前記第1の画像を削除する手段を有していてもよい。これにより、前記記憶手段の記憶容量を更に削減することができる。   In the probe inspection apparatus, the storage unit may include a unit that deletes the first image after the difference extraction. Thereby, the storage capacity of the storage means can be further reduced.

上記プローブ検査装置において、前記被検査体は、複数の前記電極パッドが設けられた複数の半導体チップを有する半導体ウェハであり、前記プローブ針は、前記各半導体チップのうち一の半導体チップの前記各電極パッドに一度に接触可能なように複数存在し、前記撮像手段は、前記一の半導体チップの前記各電極パッドの前記第1及び第2の画像をそれぞれ連続的に撮像可能であり、前記記憶手段は、前記各電極パッドの前記第2の画像を、前記一の半導体チップを識別する第1の識別情報と、当該一の半導体チップの前記各電極パッドを識別する第2の識別情報と対応付けて記憶し、前記算出手段は、前記各プローブ針の針跡位置と前記各電極パッド上の各目標位置との間の各位置ずれを一度に補正するための補正量を算出するようにしてもよい。   In the probe inspection apparatus, the object to be inspected is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads, and the probe needle is the semiconductor chip in each of the semiconductor chips. There are a plurality of electrode pads so that they can be in contact with the electrode pads at a time, and the imaging means can continuously capture the first and second images of the respective electrode pads of the one semiconductor chip, and the memory The means corresponds to the second image of each of the electrode pads, the first identification information for identifying the one semiconductor chip, and the second identification information for identifying each of the electrode pads of the one semiconductor chip. The calculation means calculates a correction amount for correcting each positional deviation between the needle trace position of each probe needle and each target position on each electrode pad at a time. It may be.

これにより、各電極パッドにおける各第1及び第2の画像を連続的に撮像して各電極パッドにおける位置ずれを一度に補正することができ、補正にかかる処理効率を向上させることができる。また、各電極パッドの第1及び第2の画像を上記第1及び第2の識別情報にそれぞれ対応付けて記憶するため、複数の半導体チップの各電極パッドについて検査をしながら、一の半導体チップの各電極パッドについて複数回検査をする場合にも、上記各識別情報を参照して前回の第2の画像を次回の第1の画像として容易に呼び出すことができる。これにより、第1の画像の上記連続撮像処理を省略して、撮像手段の処理負担及び記憶手段の使用容量を削減することにより、効率よく位置ずれを補正することができる。なお、この場合に算出される補正量は、上記X及びY方向のみならず、上記平面上における回転(θ)方向の移動も考慮して算出され、上記補正手段は、その補正量に基づいて被検査体を上記平面上のX、Y及びθ方向のうち少なくとも一方向に移動させることで位置ずれを補正する。   Thereby, each 1st and 2nd image in each electrode pad is imaged continuously, the position shift in each electrode pad can be corrected at once, and the processing efficiency concerning correction can be improved. Further, in order to store the first and second images of each electrode pad in association with the first and second identification information, respectively, one semiconductor chip is examined while inspecting each electrode pad of the plurality of semiconductor chips. Even when the electrode pads are inspected a plurality of times, the previous second image can be easily called as the next first image with reference to the identification information. As a result, it is possible to efficiently correct the misalignment by omitting the continuous imaging process of the first image and reducing the processing load of the imaging unit and the used capacity of the storage unit. The correction amount calculated in this case is calculated in consideration of not only the X and Y directions but also the movement in the rotation (θ) direction on the plane, and the correction means is based on the correction amount. The displacement is corrected by moving the object to be inspected in at least one of the X, Y, and θ directions on the plane.

上記プローブ検査装置において、前記被検査体は、複数の前記電極パッドが設けられた複数の半導体チップを有する半導体ウェハであり、前記プローブ針は、前記各半導体チップのうち少なくとも2つの半導体チップのそれぞれの前記各電極パッドに一度に接触可能なように、当該少なくとも2つの半導体チップのそれぞれに対して複数存在し、前記撮像手段は、前記少なくとも2つの半導体チップのそれぞれの前記各電極パッドの前記第1及び第2の画像をそれぞれ連続的に撮像可能であり、前記記憶手段は、前記各電極パッドの前記第2の画像を、前記少なくとも2つの半導体チップをそれぞれ識別する第1の識別情報と、当該少なくとも2つの半導体チップの前記各電極パッドをそれぞれ識別する第2の識別情報と対応付けて記憶し、前記算出手段は、前記少なくとも2つの半導体チップにおいて前記各プローブ針の針跡位置と前記各電極パッド上の各目標位置との間の各位置ずれを一度に補正するための補正量を算出するようにしても構わない。   In the probe inspection apparatus, the object to be inspected is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads, and the probe needle is provided for each of at least two semiconductor chips among the semiconductor chips. A plurality of the at least two semiconductor chips so as to be able to contact each of the electrode pads at a time, and the imaging means includes the first of the electrode pads of the at least two semiconductor chips. Each of the first and second images can be continuously captured, and the storage means includes the first identification information for identifying the second image of each of the electrode pads and the at least two semiconductor chips, respectively. Storing in association with second identification information for identifying each of the electrode pads of the at least two semiconductor chips, The calculating means calculates a correction amount for correcting each position shift between the needle trace position of each probe needle and each target position on each electrode pad in the at least two semiconductor chips at a time. It doesn't matter.

これにより、複数の半導体チップの各電極パッドの位置ずれを一度に補正することができ、補正の処理効率が更に向上する。また、この複数の半導体チップについて複数回検査を行う場合でも、上記第1及び第2の識別情報を参照して前回の第2の画像を次回の第1の画像として容易に呼び出すことで、第1の画像の撮像処理を省略して、効率よく位置ずれを補正することができる。   Thereby, it is possible to correct the positional deviation of each electrode pad of a plurality of semiconductor chips at once, and the correction processing efficiency is further improved. Further, even when the plurality of semiconductor chips are inspected a plurality of times, the previous second image can be easily called as the next first image with reference to the first and second identification information. It is possible to efficiently correct the misalignment by omitting the imaging process of one image.

本発明の他の観点に係る位置ずれ補正方法は、被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置における位置ずれ補正方法であって、前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドと、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドとをそれぞれ撮像するステップと、前記撮像された接触前の前記電極パッドの画像を第1の画像として記憶し、前記撮像された接触後の前記電極パッドの画像を第2の画像として記憶するステップと、前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出するステップと、前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出するステップと、前記算出された補正量を基に前記被検査体と前記プローブ針との相対位置を可変させて前記位置ずれを補正するステップとを具備する。   A misregistration correction method according to another aspect of the present invention is a misregistration correction method in a probe inspection apparatus that inspects electrical characteristics of the test object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the test object, Imaging each of the electrode pad before the probe needle contacts the object to be inspected and the electrode pad after the probe needle contact; and imaging the image of the electrode pad before the contact Storing the image of the imaged electrode pad after contact as a second image, and storing the difference between the stored first image and the second image as a difference image And a positional deviation between a probe mark position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be brought into contact is corrected. Calculating a correction amount for, and a step of correcting the positional deviation by varying the relative position between the probe needle and the object to be inspected based on the correction amount the calculated.

本発明の他の観点に係る情報処理装置は、被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置に用いられる情報処理装置であって、前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドが撮像された第1の画像と、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドが撮像された第2の画像とをそれぞれ記憶する記憶手段と、前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出する差分抽出手段と、前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出する算出手段とを具備する。   An information processing apparatus according to another aspect of the present invention is an information processing apparatus used in a probe inspection apparatus that inspects electrical characteristics of the inspection object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the inspection object, A memory for storing a first image obtained by imaging the electrode pad before contact of the probe needle with the subject and a second image obtained by imaging the electrode pad after contact with the probe needle, respectively. Means, a difference extracting means for extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image, a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image, and Calculating means for calculating a correction amount for correcting a positional deviation from a target position on the electrode pad to be brought into contact with the probe needle.

本発明の他の観点に係る情報処理方法は、被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置に用いられる情報処理装置における情報処理方法であって、前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドが撮像された第1の画像と、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドが撮像された第2の画像とをそれぞれ記憶するステップと、前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出するステップと、前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出するステップとを具備する。   An information processing method according to another aspect of the present invention is an information processing method in an information processing apparatus used in a probe inspection apparatus that inspects the electrical characteristics of the inspection object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the inspection object. A first image obtained by imaging the electrode pad before contact of the probe needle with the object to be inspected and a second image obtained by imaging the electrode pad after contact with the probe needle. A step of storing each, a step of extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image, a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image, Calculating a correction amount for correcting a positional deviation from a target position on the electrode pad to be brought into contact with the probe needle.

本発明の他の観点に係るプログラムは、被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置に用いられる情報処理装置に、前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドが撮像された第1の画像と、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドが撮像された第2の画像とをそれぞれ記憶するステップと、前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出するステップと、前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出するステップとを実行させるためのものである。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program stored in an information processing apparatus for use in a probe inspection apparatus that inspects an electrical characteristic of the inspection object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the inspection object. Storing each of a first image obtained by imaging the electrode pad before contact with the probe needle and a second image obtained by imaging the electrode pad after contact with the probe needle; Extracting the difference between the first image and the second image as a difference image, the needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image, and the probe needle to be contacted And a step of calculating a correction amount for correcting a positional deviation from the target position on the electrode pad.

また、このプログラムを記録した記録媒体として本発明を構成してもよい。ここで記憶媒体とは例えばCD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disk)、BD(Blu-ray Disc)、HDD(Hard Disk Drive)、フラッシュメモリ等である。   Further, the present invention may be configured as a recording medium recording this program. Here, the storage medium is, for example, a CD (Compact Disc), a DVD (Digital Versatile Disk), a BD (Blu-ray Disc), an HDD (Hard Disk Drive), a flash memory, or the like.

以上のように、本発明によれば、プローブ針が一の電極パッドに複数回接触する場合においてもプローブ針の接触位置の位置ずれを適切に補正することで、プローブ針の接触位置を常に最適に保つことができる。   As described above, according to the present invention, the probe needle contact position is always optimally corrected by appropriately correcting the displacement of the probe needle contact position even when the probe needle contacts the electrode pad a plurality of times. Can be kept in.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係るプローブ検査装置の構成を示した図である。
同図に示すように、プローブ検査装置100は、例えばシリコン製の半導体ウェハ1(以下、単にウェハ1とも称する)を保持するウェハテーブル2と、当該ウェハテーブル2を同図X、Y、Z及びθ方向へ移動させるためのステージ3と、ウェハ1を上方から撮像するCCDカメラ6と、このCCDカメラ6による撮像時にウェハ1を照明する光源7と、複数のプローブ針8aが設けられたプローブカード8と、これら各部の動作を制御するとともに後述する画像処理を行う画像処理用PC(Personal Computer)10とを有する。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a probe inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
As shown in the figure, a probe inspection apparatus 100 includes, for example, a wafer table 2 holding a semiconductor wafer 1 made of silicon (hereinafter also simply referred to as wafer 1), and the wafer table 2 as shown in FIGS. A probe card provided with a stage 3 for moving in the θ direction, a CCD camera 6 for imaging the wafer 1 from above, a light source 7 for illuminating the wafer 1 during imaging by the CCD camera 6, and a plurality of probe needles 8a 8 and an image processing PC (Personal Computer) 10 for controlling the operation of each unit and performing image processing to be described later.

ウェハ1は、図示しない搬送アーム等によりウェハテーブル2上へ搬送され、例えば図示しない真空ポンプ等の吸着手段によりウェハテーブル2に吸着され固定される。なお、ウェハ1をウェハテーブル2に直接吸着させるのではなく、例えば別途ウェハ1を保持可能なトレイ(図示せず)を用意して、ウェハ1が当該トレイに保持された状態でトレイを吸着固定するようにしても構わない。ウェハ1に孔が形成されている場合等にはウェハを直接真空吸着させることが困難な場合もあるため、このトレイを用いた吸着方法は有効である。   The wafer 1 is transferred onto the wafer table 2 by a transfer arm (not shown), and is sucked and fixed to the wafer table 2 by suction means such as a vacuum pump (not shown). Instead of directly adsorbing the wafer 1 to the wafer table 2, for example, a tray (not shown) that can hold the wafer 1 is prepared, and the tray 1 is adsorbed and fixed in a state where the wafer 1 is held on the tray. You may make it. When a hole is formed in the wafer 1 or the like, it may be difficult to directly vacuum-suck the wafer, so the suction method using this tray is effective.

図3は、ウェハ1の上面図である。同図に示すように、ウェハ1上には、例えば88個の半導体チップ(ダイ)30(以下、単にチップ30と称する)がグリッド状に形成されている。もちろんチップ30の数は88個に限られるものではない。   FIG. 3 is a top view of the wafer 1. As shown in the figure, for example, 88 semiconductor chips (die) 30 (hereinafter simply referred to as chips 30) are formed on the wafer 1 in a grid shape. Of course, the number of chips 30 is not limited to 88.

図4は、ウェハ1の各チップ30の拡大上面図である。同図に示すように、各チップ30(30a〜30e)には、例えば周縁部に沿ってバンプ状の複数の電極パッド40(以下、単にパッドと称する)が設けられている。本実施形態においては、各パッド40はチップ30の各辺に12個、計48個設けられているが、パッド40の数はこれに限られない。またパッド40のレイアウトも、各チップ30の周縁部に設けられる場合に限られず、各チップ30の全面に亘って設けられていても構わない。各電極パッド40は、例えば金、銀、銅、半田、ニッケル、アルミ等の金属でなり、各チップ30内部に形成された集積回路に接続されている。   FIG. 4 is an enlarged top view of each chip 30 of the wafer 1. As shown in the figure, each chip 30 (30a to 30e) is provided with a plurality of bump-like electrode pads 40 (hereinafter simply referred to as pads), for example, along the peripheral edge. In the present embodiment, 12 pads 40 are provided on each side of the chip 30, for a total of 48 pads, but the number of pads 40 is not limited to this. The layout of the pad 40 is not limited to the case where it is provided at the peripheral edge of each chip 30, and may be provided over the entire surface of each chip 30. Each electrode pad 40 is made of a metal such as gold, silver, copper, solder, nickel, or aluminum, and is connected to an integrated circuit formed inside each chip 30.

上記プローブカード8は、上記各チップ30の電極パッドの数及びレイアウトに対応した複数のプローブ針8aを基板上に固定して構成される。例えば本実施形態においては、48本のプローブ針8aが上記各チップ30のレイアウトに従って設けられる。各プローブカード8はテスタ9に接続されており、各プローブ針8aを各パッド40にコンタクトさせ、この各プローブ針8aを介して各パッド40にテスタ9から種々の条件により電圧をかけ、その出力値を測定し、所定の期待値と比較等することで、各チップ30の電気的特性を検査することができる。   The probe card 8 is configured by fixing a plurality of probe needles 8a corresponding to the number and layout of electrode pads of each chip 30 on a substrate. For example, in the present embodiment, 48 probe needles 8a are provided according to the layout of each chip 30 described above. Each probe card 8 is connected to a tester 9, and each probe needle 8a is brought into contact with each pad 40. A voltage is applied to each pad 40 from the tester 9 through each probe needle 8a under various conditions, and the output The electrical characteristics of each chip 30 can be inspected by measuring the value and comparing it with a predetermined expected value.

図1を再度参照し、CCDカメラ6は、ウェハ1の上方の所定位置に固定されており、レンズやシャッタ(図示せず)等を内蔵している。CCDカメラ6は、画像処理用PC10から出力されるトリガ信号に基づいて、内蔵のレンズにより拡大された、各チップ30上の各パッド40の像(各パッド40に付いた針跡の像)を、光源7により発せられた閃光下において撮像し、撮像画像を画像処理用PC10へ転送する。具体的には、CCDカメラ6は、一のチップ30に対する電気的特性の検査において、各パッド40に各プローブ針8aがコンタクトする前の画像(以下、コンタクト前画像と称する)と、コンタクトした後の画像(以下、コンタクト後画像と称する)とを撮像する。なお、CCDカメラ6の代わりにCMOSセンサ等の他の撮像素子を内蔵したカメラを用いても構わない。   Referring again to FIG. 1, the CCD camera 6 is fixed at a predetermined position above the wafer 1 and incorporates a lens, a shutter (not shown), and the like. The CCD camera 6 displays an image of each pad 40 on each chip 30 (an image of a needle mark attached to each pad 40) enlarged by a built-in lens based on a trigger signal output from the image processing PC 10. Then, an image is taken under the flash emitted by the light source 7 and the taken image is transferred to the image processing PC 10. Specifically, the CCD camera 6 is configured to check the electrical characteristics of one chip 30 before contacting each pad 40 with each probe needle 8a (hereinafter referred to as a pre-contact image). Images (hereinafter referred to as post-contact images). Instead of the CCD camera 6, a camera incorporating another image sensor such as a CMOS sensor may be used.

光源7は、ウェハ1の上方の所定位置に固定されており、例えば高輝度の白色LEDやキセノンランプ等からなるフラッシュランプ及び当該フラッシュランプの点灯を制御するフラッシュ点灯回路等を有する。光源7は、画像処理用PC10から出力されるフラッシュ信号に基づいて、例えば数μ秒程度の所定時間、高輝度の閃光を発することにより、各チップ30の各パッド40を照明する。   The light source 7 is fixed at a predetermined position above the wafer 1 and includes, for example, a flash lamp composed of a high-intensity white LED, a xenon lamp, and the like, and a flash lighting circuit that controls lighting of the flash lamp. The light source 7 illuminates each pad 40 of each chip 30 by emitting high-intensity flash light for a predetermined time of, for example, about several microseconds based on the flash signal output from the image processing PC 10.

ステージ3は、Xステージ11及びYステージ12を移動軸13に沿ってそれぞれ(またはまとめて)X方向、Y方向、Z方向及びθ方向へ移動させるためのモータ4と、当該Xステージ11及びYステージ12の各方向への移動距離を判別するためのエンコーダ5を有する。モータ4は例えばACサーボモータ、DCサーボモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等であり、エンコーダ5は例えば各種モータエンコーダやリニアスケール等である。エンコーダ5は、Xステージ11及びYステージ12がX、Y、Z及びθ方向へ単位距離だけ移動する毎に、その移動情報(座標情報)であるエンコーダ信号を生成し、当該エンコーダ信号を画像処理用PC10へ出力する。   The stage 3 includes a motor 4 for moving the X stage 11 and the Y stage 12 along the movement axis 13 (or collectively) in the X direction, the Y direction, the Z direction, and the θ direction, and the X stage 11 and the Y stage. An encoder 5 is provided for determining the moving distance of the stage 12 in each direction. The motor 4 is, for example, an AC servo motor, a DC servo motor, a stepping motor, a linear motor, or the like, and the encoder 5 is, for example, various motor encoders, a linear scale, or the like. Each time the X stage 11 and the Y stage 12 move by a unit distance in the X, Y, Z, and θ directions, the encoder 5 generates an encoder signal that is movement information (coordinate information), and performs image processing on the encoder signal. Output to PC10.

各チップ30に対して電気的特性の検査を行う場合には、まず検査対象のチップ30がプローブカード8の各プローブ針8aの真下に位置するようにステージ3をXY平面において移動させ、次にステージ3を真上(Z1方向)に移動させることで各パッド40に各プローブ針8aをコンタクトさせ、この状態でテスタ9から電圧をかける。検査が終了した場合には、再度ステージ3を真下(Z2方向)に移動させて元の状態に戻す。検査対象のチップ30を他のチップ30に変更する場合には、ステージ3をそれらのチップ間の距離の分だけXY平面上で移動させた上で、同様の動作を繰り返す。   When inspecting the electrical characteristics of each chip 30, first, the stage 3 is moved in the XY plane so that the chip 30 to be inspected is located directly below each probe needle 8 a of the probe card 8, and then Each probe needle 8a is brought into contact with each pad 40 by moving the stage 3 directly above (Z1 direction), and a voltage is applied from the tester 9 in this state. When the inspection is completed, the stage 3 is moved again downward (Z2 direction) to return to the original state. When the chip 30 to be inspected is changed to another chip 30, the same operation is repeated after the stage 3 is moved on the XY plane by the distance between the chips.

また、各チップ30の各パッド40をCCDカメラ6により撮像する場合には、ステージ3をCCDカメラ6が撮像対象のパッド40の真上に位置するようにXY平面上で移動させ、上記光源7からの閃光下で撮像する。なお、プローブカード8による検査時においては、ステージ3の上昇によりウェハ1とCCDカメラ6とが接触することがないよう、CCDカメラ6は別の位置へ待避させておき、撮像時にのみ同図のようにウェハ1の上方にセットされる。   Further, when each pad 40 of each chip 30 is imaged by the CCD camera 6, the stage 3 is moved on the XY plane so that the CCD camera 6 is positioned directly above the pad 40 to be imaged, and the light source 7. Take an image under the flash of During the inspection with the probe card 8, the CCD camera 6 is retracted to another position so that the wafer 1 and the CCD camera 6 do not come into contact with the stage 3 ascending, and only when imaging is performed. Thus, it is set above the wafer 1.

画像処理用PC10は、エンコーダ5から上記エンコーダ信号を入力し、当該エンコーダ信号に基づいて、光源7に対してフラッシュ信号を出力し、一方でCCDカメラ6に対してトリガ信号を出力する。また画像処理用PC10は、エンコーダ5から入力したエンコーダ信号を基に、各チップ30の検査時及び各パッド40の撮像時において、モータ4の駆動を制御するモータ制御信号をモータ4へ出力する。   The image processing PC 10 receives the encoder signal from the encoder 5, outputs a flash signal to the light source 7 based on the encoder signal, and outputs a trigger signal to the CCD camera 6. Further, the image processing PC 10 outputs a motor control signal for controlling the driving of the motor 4 to the motor 4 at the time of inspection of each chip 30 and at the time of imaging of each pad 40 based on the encoder signal input from the encoder 5.

図2は、当該画像処理用PC10の構成を示したブロック図である。
同図に示すように、画像処理用PC10は、CPU(Central Processing Unit)21、ROM(Read Only Memory)22、RAM(Random Access Memory)23、入出力インタフェース24、HDD25、表示部26及び操作入力部27を有し、各部は内部バス28で相互に電気的に接続されている。
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the image processing PC 10.
As shown in the figure, the image processing PC 10 includes a CPU (Central Processing Unit) 21, a ROM (Read Only Memory) 22, a RAM (Random Access Memory) 23, an input / output interface 24, an HDD 25, a display unit 26, and an operation input. Each unit 27 is electrically connected to each other via an internal bus 28.

CPU21は、画像処理用PC10の各部を統括的に制御し、後述する画像処理等における各種演算を行う。ROM22は、画像処理用PC10の起動時に必要なプログラムやその他の書き換え不要のプログラムやデータを記憶する不揮発性のメモリである。RAM23は、CPU21のワークエリアとして用いられ、HDD25やROM22から各種データやプログラムを読み出して一時的に格納する揮発性のメモリである。   The CPU 21 comprehensively controls each unit of the image processing PC 10 and performs various calculations in image processing and the like described later. The ROM 22 is a non-volatile memory that stores programs required when the image processing PC 10 is started up and other programs and data that do not require rewriting. The RAM 23 is a volatile memory that is used as a work area for the CPU 21 and temporarily stores various data and programs read from the HDD 25 and the ROM 22.

入出力インタフェース24は、操作入力部27や、上記モータ4、エンコーダ5、光源7及びCCDカメラ6と内部バス28とを接続して、操作入力部27からの操作入力信号の入力や、モータ4、エンコーダ5、光源7及びCCDカメラ6との各種信号のやり取りを行うためのインタフェースである。   The input / output interface 24 connects the operation input unit 27, the motor 4, the encoder 5, the light source 7 and the CCD camera 6 to the internal bus 28, and inputs an operation input signal from the operation input unit 27, and the motor 4. These are interfaces for exchanging various signals with the encoder 5, the light source 7, and the CCD camera 6.

HDD25は、OS(Operating System)や後述する撮像処理及び画像処理を行うための各種プログラム、その他の各種アプリケーション、そして上記CCDカメラ6で撮像した各パッド40の画像や、各パッド40に対して各プローブ針8aがコンタクトするための目標位置を示すデータ、その他の各種データ等を内蔵のハードディスクへ記憶する。なお、上記撮像処理や画像処理を行うための各種プログラムは、これらを記録した例えばCD、DVD、BD、フラッシュメモリ等の記録媒体からインストールするようにしても構わない。   The HDD 25 has an OS (Operating System), various programs for performing imaging processing and image processing, which will be described later, other various applications, images of each pad 40 captured by the CCD camera 6, and each pad 40. Data indicating the target position for the probe needle 8a to contact and other various data are stored in the built-in hard disk. Note that the various programs for performing the imaging processing and the image processing may be installed from a recording medium such as a CD, a DVD, a BD, or a flash memory in which these programs are recorded.

表示部26は、例えばLCD(Liquid Crystal Display)やCRT(Cathode Ray Tube)等からなり、上記CCDカメラ6で撮像した画像や画像処理用の各種操作画面等を表示する。操作入力部27は、例えばキーボードやマウス等からなり、後述する画像処理等におけるユーザからの操作を入力する。   The display unit 26 includes, for example, an LCD (Liquid Crystal Display), a CRT (Cathode Ray Tube), and the like, and displays images captured by the CCD camera 6 and various operation screens for image processing. The operation input unit 27 includes, for example, a keyboard, a mouse, and the like, and inputs an operation from a user in image processing described later.

次に、本実施形態におけるプローブ検査装置100の動作について説明する。このプローブ検査装置100は、各チップ30の電気的特性を検査する際に、各パッド40に対する各プローブ針8aのコンタクト位置が、予め設定した目標位置とずれている場合に、この位置ずれを補正することが可能である。以下、この位置ずれ補正に係る動作を中心に説明する。   Next, the operation of the probe inspection apparatus 100 in this embodiment will be described. When inspecting the electrical characteristics of each chip 30, the probe inspection apparatus 100 corrects this positional deviation when the contact position of each probe needle 8 a with respect to each pad 40 is deviated from a preset target position. Is possible. Hereinafter, the operation related to the positional deviation correction will be mainly described.

図5は、各チップ30の電気的特性の検査を行う場合の動作の流れを示したフローチャートである。なお、本実施形態においては、上記図3で示した88個のチップ30それぞれについて順次検査が行われる。例えば、図3に示した各チップ30のうち、最上行(Y座標が最大)の左端のチップ30から順に例えば行毎に検査が行われる。また、各チップ30に対して全て検査が終了した場合でも、同一のチップ30に対して電気的条件を変えて複数回の検査が行われる場合もある。したがって、各チップ30を検査する際に各チップ30の各パッド40に既にプローブ針8aによる針跡が付いている場合もある。同図においては、各チップ30のうち一のチップ30(例えば図4のチップ30a)を検査対象として検査する場合で、かつ、その検査の前に他のチップ30(例えば図4のチップ30e)に対して同様の検査が行われていることを前提として説明する。   FIG. 5 is a flowchart showing an operation flow when the electrical characteristics of each chip 30 are inspected. In this embodiment, each of the 88 chips 30 shown in FIG. 3 is sequentially inspected. For example, among the chips 30 shown in FIG. 3, the inspection is performed, for example, for each row in order from the leftmost chip 30 in the uppermost row (Y coordinate is maximum). Even when all the inspections for each chip 30 are completed, the same chip 30 may be inspected a plurality of times with different electrical conditions. Therefore, when each chip 30 is inspected, each pad 40 of each chip 30 may already have a needle mark by the probe needle 8a. In the figure, one chip 30 (for example, chip 30a in FIG. 4) of each chip 30 is inspected as an inspection object, and another chip 30 (for example, chip 30e in FIG. 4) before the inspection. Will be described on the assumption that the same inspection is performed.

同図に示すように、まず、プローブ検査装置100は、今回の検査の一つ前の検査対象となった他のチップ30の検査において算出された補正量を基に、プローブ針8aのコンタクト位置の位置ずれを補正する(ステップ101)。この動作の詳細については後述する。   As shown in the figure, first, the probe inspection apparatus 100 determines the contact position of the probe needle 8a based on the correction amount calculated in the inspection of the other chip 30 that is the inspection target immediately before the current inspection. Is corrected (step 101). Details of this operation will be described later.

続いて、プローブ検査装置100の画像処理用PC10のCPU21は、今回の検査対象のチップ30と同一のチップ30において、前回の検査時のコンタクト後画像がHDD25に記憶されているか否かを判断する(ステップ102)。前回のコンタクト後画像が記憶されている場合(ステップ102のYes)には、当該コンタクト後画像を、今回の検査におけるコンタクト前画像として利用するためにHDD25から読み出す(ステップ103)。   Subsequently, the CPU 21 of the image processing PC 10 of the probe inspection apparatus 100 determines whether or not an image after contact at the previous inspection is stored in the HDD 25 in the same chip 30 as the current inspection target chip 30. (Step 102). If the previous post-contact image is stored (Yes in step 102), the post-contact image is read from the HDD 25 to be used as the pre-contact image in the current examination (step 103).

前回のコンタクト後画像が記憶されていない場合(すなわち、当該一のチップ30の各パッド40に対して初めてコンタクトが行われる場合)には、CPU21は、CCDカメラ6の下方までウェハ1の検査対象のチップ30を移動させ、各パッド40のコンタクト前画像をCCDカメラ6に撮像させる(ステップ104)。   When the image after the previous contact is not stored (that is, when contact is made for the first time with respect to each pad 40 of the one chip 30), the CPU 21 targets the inspection of the wafer 1 to the lower side of the CCD camera 6. The chip 30 is moved, and the CCD camera 6 is caused to capture the pre-contact image of each pad 40 (step 104).

図6は、一のチップ30上におけるCCDカメラ6の撮像軌跡を示した図である。同図に示すように、CPU21は、CCDカメラ6が、チップ30の各パッド40のうち、例えば左辺の最上部のパッド40を始点として、チップ30上の撮像位置を反時計回り方向の撮像軌跡を描きながら移動させて、全てのパッド40のコンタクト前画像を連続的に撮像するように、モータ4に対してモータ駆動信号を出力する。なお、撮像時においてCCDカメラ6の位置自体は固定であるため、この場合ステージ3は同図に示した軌跡とは逆方向(時計回り方向)へ移動することとなる。CCDカメラ6は、この移動に合わせてCPU21から出力されるトリガ信号に基づいて、光源7からの閃光下で、各パッド40を連続的にフラッシュ撮像する。撮像された各コンタクト前画像は、例えばRAM23のバッファ領域に保存される。   FIG. 6 is a diagram showing an imaging trajectory of the CCD camera 6 on one chip 30. As shown in the figure, the CPU 21 causes the CCD camera 6 to pick up the imaging position on the chip 30 in the counterclockwise direction, starting from, for example, the uppermost pad 40 on the left side among the pads 40 of the chip 30. The motor drive signal is output to the motor 4 so that the pre-contact images of all the pads 40 are continuously captured. Since the position of the CCD camera 6 itself is fixed at the time of imaging, the stage 3 moves in the opposite direction (clockwise direction) to the locus shown in FIG. The CCD camera 6 continuously flashes images of the pads 40 under the flash from the light source 7 based on the trigger signal output from the CPU 21 in accordance with this movement. Each captured pre-contact image is stored in a buffer area of the RAM 23, for example.

続いて、CPU21は、CCDカメラ6を検査対象のチップ30の上方から待避させた上で、ステージ3をZ1方向へ移動させるためのモータ駆動信号をモータ4へ出力し、検査対象のチップ30の各パッド40にプローブカード8の各プローブ針8aをコンタクトさせる(ステップ105)。そして、この状態でテスタ9からプローブ針8aを介して各パッド40へ電圧が印加され、各パッド40からの出力値が測定される。   Subsequently, the CPU 21 retracts the CCD camera 6 from above the chip 30 to be inspected, and then outputs a motor drive signal for moving the stage 3 in the Z1 direction to the motor 4. Each probe needle 8a of the probe card 8 is brought into contact with each pad 40 (step 105). In this state, a voltage is applied from the tester 9 to each pad 40 via the probe needle 8a, and an output value from each pad 40 is measured.

コンタクト及び測定が終了すると、CPU21は、検査対象のチップ30をCCDカメラ6の下方まで再度移動させた上で、各パッド40のコンタクト後画像を撮像させる(ステップ106)。すなわち、上記コンタクト前画像の撮像と同様に、CPU21は、CCDカメラ6が上記図6に示したように移動しながら、各プローブ針8aのコンタクト後の各パッド40を連続的に撮像するように、モータ4へモータ駆動信号を出力するとともに、CCDカメラ6へトリガ信号を出力する。撮像された各パッド40の各コンタクト後画像は、RAM23のバッファ領域等に保存される。   When the contact and measurement are completed, the CPU 21 moves the chip 30 to be inspected to the lower side of the CCD camera 6 and captures an image after contact of each pad 40 (step 106). That is, in the same manner as the imaging of the pre-contact image, the CPU 21 continuously images each pad 40 after the contact of each probe needle 8a while the CCD camera 6 moves as shown in FIG. The motor drive signal is output to the motor 4 and the trigger signal is output to the CCD camera 6. The image after each contact of each imaged pad 40 is stored in a buffer area of the RAM 23 or the like.

次に、CPU21は、各パッド40のコンタクト前画像とコンタクト後画像との差分を差分画像として抽出する(ステップ107)。図7は、各パッド40のうち一のパッド40において、この差分画像を抽出する様子を概念的に示した図である。   Next, the CPU 21 extracts the difference between the pre-contact image and the post-contact image of each pad 40 as a difference image (step 107). FIG. 7 is a diagram conceptually showing how the difference image is extracted from one of the pads 40.

同図に示すように、コンタクト前画像51には、パッド40に一つの針跡41aが付いている様子が現れている。この針跡41aは、この検査対象のチップ30に対する前回の検査におけるコンタクトにより付いた針跡である。またコンタクト後画像52には、パッド40に、上記針跡41aに加えてもう一つの針跡41bが付いている様子が現れている。この針跡41bは、今回の検査におけるコンタクト(上記ステップ105)により付いた針跡である。   As shown in the figure, the pre-contact image 51 shows that one pad mark 41 a is attached to the pad 40. The needle trace 41a is a needle trace attached by contact in the previous inspection for the chip 30 to be inspected. Further, the post-contact image 52 shows that the pad 40 has another needle trace 41b in addition to the needle trace 41a. The needle trace 41b is a needle trace attached by the contact (step 105 above) in the current examination.

CPU21は、このコンタクト後画像52からコンタクト前画像51の差分を取る画像処理を行うことで、差分画像53を抽出する。この差分画像53には、コンタクト後画像52における針跡41bのみが表れている。すなわち、この差分画像53の抽出処理により、チップ30に複数回のコンタクトが行われた場合でも、最新の針跡のみを抽出することができ、今回の検査において位置ずれの補正対象となる針跡を特定することができる。この差分画像53の抽出処理は、今回の検査対象のチップ30上の全てのパッド40について行われる。   The CPU 21 extracts the difference image 53 by performing image processing that takes the difference between the pre-contact image 51 and the post-contact image 52. In the difference image 53, only the needle trace 41b in the post-contact image 52 appears. That is, by the extraction process of the difference image 53, even when the chip 30 is contacted a plurality of times, only the latest needle trace can be extracted, and the needle trace which is a correction target of the positional deviation in the current examination. Can be specified. The extraction process of the difference image 53 is performed for all the pads 40 on the chip 30 to be inspected this time.

続いて、CPU21は、今回の検査対象のチップ30の全てのパッド40について、上記抽出した差分画像53に表れた針跡41bを認識し、この針跡41bと、予め設定した針跡の目標位置との間の位置ずれ量を算出する(ステップ108)。なお、この位置ずれは、例えば各プローブ針8aのコンタクト数の増加による経年劣化等に起因するものである。また、プローブ検査装置100において例えばテスタ9からプローブ針8aを介してパッド40に熱を加えて検査する場合(いわゆる熱的ストレス検査)もあり、この熱によるプローブ針8aの変異等に起因して位置ずれが発生することもある。   Subsequently, the CPU 21 recognizes the needle trace 41b appearing in the extracted difference image 53 for all the pads 40 of the chip 30 to be inspected this time, and this needle trace 41b and a preset target position of the needle trace. (Step 108). This positional deviation is caused by, for example, deterioration over time due to an increase in the number of contacts of each probe needle 8a. Further, in the probe inspection apparatus 100, for example, a test may be performed by applying heat to the pad 40 from the tester 9 via the probe needle 8a (so-called thermal stress inspection). Misalignment may occur.

図8は、各パッド40のうち一のパッド40において、この位置ずれ量を算出する処理を概念的に示した図である。本実施形態のプローブ検査装置100においては、例えばパッド40の中心をコンタクトの目標位置として設定し、この目標位置データ(座標データ)をHDD25等に記憶している。一方、同図に示すように、差分画像53において、今回の検査における針跡41bは、パッド40の中心を原点とすると、X座標において+方向、Y座標において−方向にずれた位置に現れている。したがって、針跡41bと目標位置との間には、同図中のベクトルa分の位置ずれ量が存在している。CPU21は、差分画像53中から例えば2値化処理等の画像処理により針跡41bを認識し、上記目標位置データと、針跡41bの中心座標とを比較することでこの位置ずれ量を算出する。CPU21は、この処理を、今回の検査対象のチップ30の全てのパッド40について行う。   FIG. 8 is a diagram conceptually showing a process for calculating the positional deviation amount in one of the pads 40. In the probe inspection apparatus 100 of the present embodiment, for example, the center of the pad 40 is set as the target position of the contact, and this target position data (coordinate data) is stored in the HDD 25 or the like. On the other hand, as shown in the figure, in the difference image 53, the needle trace 41b in the current examination appears at a position shifted in the + direction in the X coordinate and in the − direction in the Y coordinate, where the center of the pad 40 is the origin. Yes. Therefore, there is a positional deviation amount corresponding to the vector a in the figure between the needle trace 41b and the target position. The CPU 21 recognizes the needle trace 41b from the difference image 53 by image processing such as binarization processing, for example, and calculates the positional deviation amount by comparing the target position data with the center coordinates of the needle trace 41b. . The CPU 21 performs this process for all the pads 40 of the chip 30 to be inspected this time.

次に、CPU21は、上記算出した各パッド40における各位置ずれ量を基に、プローブカード8全体としての補正量を算出する(ステップ109)。図9は、チップ30の複数のパッド40に最新の針跡41bが付いた様子を示した図である。なお、同図においては、説明の便宜上、前回の検査における針跡41aは図示していない。同図に示すように、各パッド40における各針跡41bの位置ずれ量は、パッド40毎に異なっている場合がある。これは、プローブカード8の設計上の誤差から生じる場合もあるし、プローブ針8a毎に経年劣化等の進み具合が異なることにもよる。CPU21は、このパッド40毎に異なる位置ずれ量がそれぞれ極力0に近づくように、すなわち、各針跡41bの座標と各目標位置の座標とが極力近似するように、プローブカード8の全体の移動量としての補正量を算出する。この算出は、例えば最小二乗法等の公知の手法を用いることで行なわれる。この補正量は、プローブカード8のXY方向への移動のみならず、θ方向への移動も考慮して算出される。算出された補正量データは、HDD25へ保存される。   Next, the CPU 21 calculates a correction amount for the probe card 8 as a whole based on the calculated amount of displacement in each pad 40 (step 109). FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which the latest needle traces 41 b are attached to the plurality of pads 40 of the chip 30. In the figure, for convenience of explanation, the needle trace 41a in the previous inspection is not shown. As shown in the figure, the amount of misalignment of the needle marks 41 b in each pad 40 may vary from pad 40 to pad 40. This may occur due to a design error of the probe card 8 or may depend on the progress of aging deterioration or the like for each probe needle 8a. The CPU 21 moves the probe card 8 as a whole so that the amount of positional deviation different for each pad 40 approaches 0 as much as possible, that is, the coordinates of each needle trace 41b and the coordinates of each target position are approximated as much as possible. A correction amount as a quantity is calculated. This calculation is performed by using a known method such as a least square method. This correction amount is calculated in consideration of not only movement of the probe card 8 in the XY direction but also movement in the θ direction. The calculated correction amount data is stored in the HDD 25.

続いて、CPU21は、上記コンタクト前画像51のデータをRAM23のバッファ領域から消去する(ステップ110)。コンタクト前画像51は、上記差分画像53の抽出にのみ必要となるため、差分画像53の抽出後はこのコンタクト前画像51を消去することで、RAM23の使用容量を削減することができる。もちろん、この消去処理は、上記各位置ずれ量及び補正量の算出処理の前に行っても構わない。   Subsequently, the CPU 21 erases the data of the pre-contact image 51 from the buffer area of the RAM 23 (step 110). Since the pre-contact image 51 is necessary only for the extraction of the differential image 53, the used capacity of the RAM 23 can be reduced by deleting the pre-contact image 51 after the differential image 53 is extracted. Of course, this erasing process may be performed before the calculation process of each positional deviation amount and correction amount.

次に、CPU21は、上記各コンタクト後画像52のデータをRAM23のバッファ領域からHDD25へ書き込む(ステップ111)。このとき、CPU21は、この各コンタクト後画像52を、今回の検査対象であるチップ30を識別するチップID及びこのチップ30の各パッド40を識別するパッドIDと対応付けてHDD25に記憶させる。これにより、今回の検査対象となったチップ30が、後に再び検査対象となった場合に、HDD25に記憶したコンタクト後画像52を上記チップID及びパッドIDを参照して読み出し、その再度の検査におけるコンタクト前画像51として利用することが可能となる。したがって、上記ステップ106におけるコンタクト前画像の撮像処理が不要となり、撮像処理に係る処理負荷が大幅に軽減され、RAM23やHDD25等の記憶容量の削減にも繋がる。   Next, the CPU 21 writes the data of each post-contact image 52 from the buffer area of the RAM 23 to the HDD 25 (step 111). At this time, the CPU 21 stores each post-contact image 52 in the HDD 25 in association with the chip ID for identifying the chip 30 to be inspected this time and the pad ID for identifying each pad 40 of the chip 30. As a result, when the chip 30 to be inspected at this time is to be inspected again later, the post-contact image 52 stored in the HDD 25 is read with reference to the chip ID and the pad ID, and in the second inspection It can be used as the pre-contact image 51. Therefore, the pre-contact image capturing process in step 106 is not necessary, the processing load related to the image capturing process is greatly reduced, and the storage capacity of the RAM 23, HDD 25, etc. is reduced.

なお、各コンタクト後画像は例えばモノクロのBMP(BitMaP)のデータ形式で保存される。カラーではなくモノクロの画像とすることでHDD25の使用容量を極力抑えながら、非圧縮形式とすることでHDD25への書き込み時間の短縮を図っている。もちろん、カラー画像であっても構わないし、JPEG(Joint Photographic Experts Group)やGIF(Graphic Interchange Format)等の圧縮形式の画像であっても構わない。   Each post-contact image is stored in, for example, a monochrome BMP (BitMaP) data format. While the use capacity of the HDD 25 is suppressed as much as possible by using a monochrome image instead of a color, the time required for writing to the HDD 25 is shortened by using an uncompressed format. Of course, it may be a color image or an image in a compression format such as JPEG (Joint Photographic Experts Group) or GIF (Graphic Interchange Format).

そして、CPU21は、今回の検査対象のチップ30(例えば図4のチップ30a)の検査が終了し、プローブカード8が次の検査対象となる他のチップ30(例えば図4のチップ30b)を検査するようにステージ3が移動した場合に、その検査の前処理として、上記ステップ101の処理と同様に、上記ステップ109において算出した補正量を基にステージ3を移動させて、位置ずれ補正を行う(ステップ112)。この場合、パッド40単位で見ると、例えば図4に示した今回の検査対象のチップ30a上で、所定の位置(例えば左辺列の上から3つめの位置)に存在するパッド40aにおける位置ずれ量が、次の検査対象のチップ30b上で、パッド40aと同一の位置に存在するパッド40bにおいて補正されることとなる。なお、次の検査対象となる他のチップ30とは、通常、今回の検査対象となったチップ30に隣接するチップであるが、隣接するチップでなくても構わない。   Then, the CPU 21 completes the inspection of the chip 30 to be inspected this time (for example, the chip 30a in FIG. 4), and the probe card 8 inspects another chip 30 to be inspected next (for example, the chip 30b in FIG. 4). When the stage 3 moves as described above, as a pre-process for the inspection, the stage 3 is moved based on the correction amount calculated in the step 109, and the positional deviation correction is performed as in the process of the step 101. (Step 112). In this case, when viewed in units of pads 40, for example, the amount of displacement in the pad 40a existing at a predetermined position (for example, the third position from the top of the left side row) on the chip 30a to be inspected this time shown in FIG. Is corrected in the pad 40b that exists at the same position as the pad 40a on the next chip 30b to be inspected. The other chip 30 to be inspected next is usually a chip adjacent to the chip 30 to be inspected this time, but may not be an adjacent chip.

CPU21は、以上の処理を、検査対象となる全てのチップ30について繰り返す。これにより、一つ前の検査対象となったチップ30の検査において算出された補正量を、次のチップ30の検査においてフィードバック制御的に反映させることができる。また、CPU21は、一のウェハ1の全てのチップ30に対する検査が終了した場合には、次の検査対象である異なるウェハ1の各チップ30に対しても同様の処理を行う。   The CPU 21 repeats the above processing for all the chips 30 to be inspected. As a result, the correction amount calculated in the inspection of the chip 30 that is the previous inspection object can be reflected in feedback control in the inspection of the next chip 30. Further, when the inspection for all the chips 30 of one wafer 1 is completed, the CPU 21 performs the same process for each chip 30 of a different wafer 1 to be inspected next.

以上説明したように、本実施形態においては、各チップ30の各パッド40に複数回プローブ検査が行われて複数の針跡が付いている場合でも、上記コンタクト前画像51及びコンタクト後画像52から差分画像53を抽出し、この差分画像53中の最新の針跡41bの位置と目標位置との位置ずれ量をパッド40毎に算出し、この各位置ずれ量からプローブカード8全体としての補正量を算出して、この補正量を次の検査対象のチップ30の検査において反映させることで、プローブ針8aのコンタクト位置を常に目標位置に保つことができる。   As described above, in the present embodiment, even when a plurality of probe inspections are performed on each pad 40 of each chip 30 and a plurality of needle marks are attached, from the pre-contact image 51 and the post-contact image 52, A difference image 53 is extracted, a positional deviation amount between the position of the latest needle trace 41b and the target position in the differential image 53 is calculated for each pad 40, and a correction amount as a whole of the probe card 8 is calculated from each positional deviation amount. And the correction amount is reflected in the next inspection of the tip 30 to be inspected, so that the contact position of the probe needle 8a can always be kept at the target position.

本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

上述の実施形態においては、パッド40の中心位置をプローブ針8aの目標位置としていたが、この位置に限られるものではない。例えば、一つのパッド40を複数の領域に分けて、異なる電気的条件下の検査において複数回のコンタクト用に使い分ける場合もある。図10は、この場合の検査におけるコンタクト前画像51、コンタクト後画像52及び差分画像53を示した図である。   In the above-described embodiment, the center position of the pad 40 is the target position of the probe needle 8a. However, the position is not limited to this position. For example, there is a case where one pad 40 is divided into a plurality of regions and used for a plurality of contacts in an inspection under different electrical conditions. FIG. 10 is a diagram showing an image 51 before contact, an image 52 after contact, and a difference image 53 in the inspection in this case.

同図(a)に示すように、コンタクト前画像51においては、パッド40の4分割された領域80a〜80dのうち、領域80aに針跡41aが付いている。これは、このチップ30に対する前回の検査の検査時に付いた針跡である。この前回の検査時には、領域80aの中心位置が目標位置とされている。   As shown in FIG. 5A, in the pre-contact image 51, the needle mark 41a is attached to the region 80a among the four regions 80a to 80d of the pad 40. This is a needle mark attached at the time of the previous inspection of the chip 30. At the time of this previous inspection, the center position of the region 80a is set as the target position.

同図(b)に示すように、コンタクト後画像52においては、領域80bと領域80cの境界辺りに針跡41bが付いている。しかし、この検査においては、領域80bの中心位置が目標位置となるため、この目標位置と針跡41bとの間には位置ずれが生じている。   As shown in FIG. 4B, the post-contact image 52 has a needle mark 41b around the boundary between the region 80b and the region 80c. However, in this inspection, since the center position of the region 80b becomes the target position, there is a positional deviation between the target position and the needle trace 41b.

そこで、同図(c)に示すように、CPU21は、このチップ30の次の検査対象となる他のチップ30の各パッド40において、針跡41bが領域80bの中心位置となるような位置ずれ量を算出し、各パッド40の位置ずれ量を基に補正量を算出する。   Therefore, as shown in FIG. 5C, the CPU 21 shifts the position of the needle mark 41b at the center position of the region 80b in each pad 40 of the other chip 30 to be inspected next to the chip 30. The amount is calculated, and the correction amount is calculated based on the positional deviation amount of each pad 40.

上述の実施形態においては、プローブカード8が一のチップの各パッド40へのコンタクトに対応するようにプローブ針8aを有していたが、複数のチップ30の各パッド40へのコンタクトに一度に対応するようなプローブ針8aを有するプローブカード8により検査を行う場合にも本発明を適用することができる。この場合、CCDカメラ6は各チップ30毎に各パッド40を連続撮像し、CPU21は各チップ30毎に各パッド40における位置ずれ量を算出し、各位置ずれ量が、複数のチップ30の各パッド40について極力0に近づくような、プローブカード8全体としての補正量を算出する。   In the above-described embodiment, the probe card 8 has the probe needle 8a so as to correspond to the contact to each pad 40 of one chip. However, the probe card 8 contacts the pads 40 of the plurality of chips 30 at a time. The present invention can also be applied to a case where an inspection is performed using a probe card 8 having a corresponding probe needle 8a. In this case, the CCD camera 6 continuously images each pad 40 for each chip 30, and the CPU 21 calculates the amount of positional deviation in each pad 40 for each chip 30, and each positional deviation amount corresponds to each of the plurality of chips 30. The correction amount of the probe card 8 as a whole is calculated so that the pad 40 approaches 0 as much as possible.

上述の実施形態においては、コンタクト後画像52をHDD25へ保存するようにしていたが、RAM23の容量が十分である場合には、コンタクト後画像52をHDD25に保存せずにRAM23に記憶するようにしてもよい。これによりコンタクト後画像52の書き込み時間及び読み出し時間を短縮して処理効率を向上させることができる。   In the above-described embodiment, the post-contact image 52 is stored in the HDD 25. However, if the capacity of the RAM 23 is sufficient, the post-contact image 52 is stored in the RAM 23 without being stored in the HDD 25. May be. Thereby, the writing time and reading time of the post-contact image 52 can be shortened to improve the processing efficiency.

上述の実施形態においては、チップID及びパッドIDを画像処理用PC10のHDD25へ保存するようにしていたが、このチップID及びパッドIDを、各ウェハ1を識別するウェハIDとともに管理するID管理用のサーバを別途用意してもよい。   In the above-described embodiment, the chip ID and the pad ID are stored in the HDD 25 of the image processing PC 10. However, the chip ID and the pad ID are managed together with the wafer ID for identifying each wafer 1. The server may be prepared separately.

上述の実施形態においては、検査対象のチップ30の全てのパッド40についてコンタクト前後画像を用意し、全てのパッド40における位置ずれ量を基に補正量を算出していたが、全てのパッド40ではなく、任意の数(例えば4つ)のパッド40についてのみコンタクト前後画像を撮像し、その任意の数のパッド40における位置ずれ量を基に補正量を算出しても構わない。これにより、撮像処理や差分画像抽出処理、補正量算出処理等に係る処理負荷を軽減し処理時間を短縮することができる。また、補正量の算出処理の対象とするパッド40の数を、上記操作入力部27等を介してユーザが任意に設定できるようにしても構わない。しかしながら、全てのパッド40を処理対象とした方が、位置ずれ量の補正の精度の向上という点で好ましい。また、このように処理しても、上記CCDカメラ6により各パッド40を連続的に高速スキャン撮像することで、処理時間の短縮を図ることができる。   In the embodiment described above, images before and after contact are prepared for all the pads 40 of the chip 30 to be inspected, and the correction amount is calculated based on the positional deviation amount in all the pads 40. Alternatively, the images before and after the contact may be captured only for an arbitrary number (for example, four) of pads 40, and the correction amount may be calculated based on the positional deviation amount of the arbitrary number of pads 40. Thereby, it is possible to reduce the processing load related to the imaging process, the difference image extraction process, the correction amount calculation process, and the like, and to shorten the processing time. In addition, the user may arbitrarily set the number of pads 40 to be subjected to correction amount calculation processing via the operation input unit 27 or the like. However, it is preferable to use all the pads 40 as processing targets from the viewpoint of improving the accuracy of correcting the positional deviation amount. Even with such processing, the processing time can be shortened by continuously performing high-speed scanning imaging of each pad 40 with the CCD camera 6.

上述の実施形態においては、各チップ30の各パッド40にプローブ針8aがコンタクトする場合のコンタクト前後の画像を撮像して両画像から差分画像を抽出することで最新の針跡を検出していたが、例えばプローブ針8aのコンタクトの瞬間の各パッド40の様子を、別途設けたカメラで撮像するようにしてもよい。これにより、それ以前にそのパッド40に針跡が付いていたとしても、その撮像画像さえあれば最新のコンタクト位置が把握でき、位置ずれ量が算出できるため、コンタクト前後で2回撮像する手間と負担が軽減されることとなる。   In the above-described embodiment, the latest needle trace is detected by capturing images before and after contact when the probe needle 8a contacts each pad 40 of each chip 30 and extracting a difference image from both images. However, for example, the state of each pad 40 at the moment of contact with the probe needle 8a may be captured by a separately provided camera. As a result, even if the pad 40 had a needle mark before that, the latest contact position can be grasped and the amount of displacement can be calculated as long as the captured image exists. The burden will be reduced.

本発明の一実施形態に係るプローブ検査装置の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the probe test | inspection apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における画像処理用PCの構成を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the structure of PC for image processing in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態におけるウェハの上面図である。It is a top view of the wafer in one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態におけるウェハの各チップの拡大上面図である。It is an enlarged top view of each chip | tip of the wafer in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態において各チップの電気的特性の検査を行う場合の動作の流れを示したフローチャートである。5 is a flowchart showing a flow of operations in the case where the electrical characteristics of each chip are inspected in an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態において、一のチップ上におけるCCDカメラの撮像軌跡を示した図である。In one Embodiment of this invention, it is the figure which showed the imaging locus of the CCD camera on one chip | tip. 本発明の一実施形態において、差分画像を抽出する様子を概念的に示した図である。It is the figure which showed notionally the mode that a difference image is extracted in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における位置ずれ量の算出処理を概念的に示した図である。It is the figure which showed notionally the calculation process of the amount of positional deviation in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態においてチップの複数のパッドに最新の針跡が付いた様子を示した図である。It is the figure which showed a mode that the latest needle trace was attached to the some pad of the chip | tip in one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態において、一のパッドを複数の領域に分けてコンタクトの目標位置を各領域毎に設定した場合のコンタクト前画像、コンタクト後画像及び差分画像を示した図である。In other embodiment of this invention, it is the figure which showed the image before contact, the image after contact, and a difference image at the time of dividing one pad into a some area | region and setting the target position of a contact for every area | region.

符号の説明Explanation of symbols

3…ステージ
4…モータ
5…エンコーダ
6…CCDカメラ
7…光源
8…プローブカード
8a…プローブ針
9…テスタ
10…画像処理用PC
14…レンズ
21…CPU
23…RAM
25…HDD
30…半導体チップ(チップ、ダイ)
40…電極パッド(パッド)
41…針跡
51…コンタクト前画像
52…コンタクト後画像
53…差分画像
100…プローブ検査装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Stage 4 ... Motor 5 ... Encoder 6 ... CCD camera 7 ... Light source 8 ... Probe card 8a ... Probe needle 9 ... Tester 10 ... Image processing PC
14 ... Lens 21 ... CPU
23 ... RAM
25 ... HDD
30 ... Semiconductor chip (chip, die)
40 ... Electrode pad (pad)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 41 ... Needle trace 51 ... Image before contact 52 ... Image after contact 53 ... Difference image 100 ... Probe inspection apparatus

Claims (9)

被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置であって、
前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドと、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドとをそれぞれ撮像する撮像手段と、
前記撮像された接触前の前記電極パッドの画像を第1の画像として記憶し、前記撮像された接触後の前記電極パッドの画像を第2の画像として記憶する記憶手段と、
前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出する差分抽出手段と、
前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出する算出手段と、
前記算出された補正量を基に前記被検査体と前記プローブ針との相対位置を可変させて前記位置ずれを補正する補正手段と
を具備することを特徴とするプローブ検査装置。
A probe inspection apparatus for inspecting the electrical characteristics of the object to be inspected by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the object to be inspected,
Imaging means for imaging each of the electrode pad before contact of the probe needle to the object to be inspected and the electrode pad after contact of the probe needle;
Storage means for storing the imaged image of the electrode pad before contact as a first image, and storing the imaged image of the electrode pad after contact as a second image;
Difference extraction means for extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image;
A calculation means for calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to be brought into contact with the probe needle;
A probe inspection apparatus comprising: correction means for correcting the positional deviation by varying a relative position between the object to be inspected and the probe needle based on the calculated correction amount.
請求項1に記載のプローブ検査装置であって、
前記電極パッドに対して複数回に亘って前記プローブ針の接触による前記電気的特性の検査が行われる場合に、一の回の次回の検査において前記撮像手段による前記第1の画像の撮像を規制する規制手段を更に具備し、
前記記憶手段は、前記一の回の検査において前記第2の画像として記憶された画像を、前記次回の検査における前記第1の画像として記憶する
ことを特徴とするプローブ検査装置。
The probe inspection apparatus according to claim 1,
When the inspection of the electrical characteristics by contact with the probe needle is performed a plurality of times on the electrode pad, the imaging unit controls the imaging of the first image in the next inspection of one time. Further comprising a regulating means to
The storage means stores the image stored as the second image in the first inspection as the first image in the next inspection.
請求項2に記載のプローブ検査装置であって、
前記記憶手段は、前記差分抽出後に前記第1の画像を削除する手段を有することを特徴とするプローブ検査装置。
The probe inspection apparatus according to claim 2,
The probe inspection apparatus according to claim 1, wherein the storage unit includes a unit that deletes the first image after the difference extraction.
請求項2に記載のプローブ検査装置であって、
前記被検査体は、複数の前記電極パッドが設けられた複数の半導体チップを有する半導体ウェハであり、
前記プローブ針は、前記各半導体チップのうち一の半導体チップの前記各電極パッドに一度に接触可能なように複数存在し、
前記撮像手段は、前記一の半導体チップの前記各電極パッドの前記第1及び第2の画像をそれぞれ連続的に撮像可能であり、
前記記憶手段は、前記各電極パッドの前記第2の画像を、前記一の半導体チップを識別する第1の識別情報と、当該一の半導体チップの前記各電極パッドを識別する第2の識別情報と対応付けて記憶し、
前記算出手段は、前記各プローブ針の針跡位置と前記各電極パッド上の各目標位置との間の各位置ずれを一度に補正するための補正量を算出する
ことを特徴とするプローブ検査装置。
The probe inspection apparatus according to claim 2,
The object to be inspected is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads,
A plurality of the probe needles exist so as to be able to contact each electrode pad of one semiconductor chip among the semiconductor chips at a time,
The imaging means can continuously capture the first and second images of the electrode pads of the one semiconductor chip,
The storage means includes the second image of each electrode pad, first identification information for identifying the one semiconductor chip, and second identification information for identifying each electrode pad of the one semiconductor chip. Is stored in association with
The calculation means calculates a correction amount for correcting each positional deviation between the needle trace position of each probe needle and each target position on each electrode pad at a time. .
請求項1に記載のプローブ検査装置であって、
前記被検査体は、複数の前記電極パッドが設けられた複数の半導体チップを有する半導体ウェハであり、
前記プローブ針は、前記各半導体チップのうち少なくとも2つの半導体チップのそれぞれの前記各電極パッドに一度に接触可能なように、当該少なくとも2つの半導体チップのそれぞれに対して複数存在し、
前記撮像手段は、前記少なくとも2つの半導体チップのそれぞれの前記各電極パッドの前記第1及び第2の画像をそれぞれ連続的に撮像可能であり、
前記記憶手段は、前記各電極パッドの前記第2の画像を、前記少なくとも2つの半導体チップをそれぞれ識別する第1の識別情報と、当該少なくとも2つの半導体チップの前記各電極パッドをそれぞれ識別する第2の識別情報と対応付けて記憶し、
前記算出手段は、前記少なくとも2つの半導体チップにおいて前記各プローブ針の針跡位置と前記各電極パッド上の各目標位置との間の各位置ずれを一度に補正するための補正量を算出する
ことを特徴とするプローブ検査装置。
The probe inspection apparatus according to claim 1,
The object to be inspected is a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips provided with a plurality of the electrode pads,
A plurality of the probe needles are present for each of the at least two semiconductor chips so as to be able to contact each electrode pad of each of at least two semiconductor chips of the semiconductor chips at a time,
The imaging means can continuously capture the first and second images of the electrode pads of the at least two semiconductor chips, respectively.
The storage means identifies the second image of each of the electrode pads, first identification information for identifying the at least two semiconductor chips, and a first identification information for identifying the electrode pads of the at least two semiconductor chips, respectively. 2 in association with the identification information of 2,
The calculation means calculates a correction amount for correcting each positional deviation between the needle trace position of each probe needle and each target position on each electrode pad in the at least two semiconductor chips at a time. Probe inspection device characterized by the above.
被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置における位置ずれ補正方法であって、
前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドと、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドとをそれぞれ撮像するステップと、
前記撮像された接触前の前記電極パッドの画像を第1の画像として記憶し、前記撮像された接触後の前記電極パッドの画像を第2の画像として記憶するステップと、
前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出するステップと、
前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出するステップと、
前記算出された補正量を基に前記被検査体と前記プローブ針との相対位置を可変させて前記位置ずれを補正するステップと
を具備することを特徴とする位置ずれ補正方法。
A positional deviation correction method in a probe inspection apparatus for inspecting the electrical characteristics of the inspection object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the inspection object,
Imaging each of the electrode pads before contact of the probe needle to the object to be inspected and the electrode pads after contact of the probe needle;
Storing the imaged image of the electrode pad before contact as a first image and storing the imaged image of the electrode pad after contact as a second image;
Extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image;
Calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad with which the probe needle should be brought into contact;
And a step of correcting the positional shift by varying a relative position between the object to be inspected and the probe needle based on the calculated correction amount.
被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置に用いられる情報処理装置であって、
前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドが撮像された第1の画像と、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドが撮像された第2の画像とをそれぞれ記憶する記憶手段と、
前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出する差分抽出手段と、
前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出する算出手段と
を具備することを特徴とする情報処理装置。
An information processing apparatus used in a probe inspection apparatus for inspecting the electrical characteristics of the inspection object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the inspection object,
A memory for storing a first image obtained by imaging the electrode pad before contact of the probe needle with the subject and a second image obtained by imaging the electrode pad after contact with the probe needle, respectively. Means,
Difference extraction means for extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image;
Calculating means for calculating a correction amount for correcting a positional deviation between the needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle should be brought into contact; An information processing apparatus comprising the information processing apparatus.
被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置に用いられる情報処理装置における情報処理方法であって、
前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドが撮像された第1の画像と、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドが撮像された第2の画像とをそれぞれ記憶するステップと、
前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出するステップと、
前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出するステップと
を具備することを特徴とする情報処理方法。
An information processing method in an information processing apparatus used in a probe inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of the inspection object by bringing a probe needle into contact with an electrode pad of the inspection object,
Storing a first image obtained by imaging the electrode pad before contact of the probe needle with the subject and a second image obtained by imaging the electrode pad after contact with the probe needle, respectively; When,
Extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image;
Calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle is to be brought into contact. An information processing method characterized by:
被検査体の電極パッドにプローブ針を接触させて前記被検査体の電気的特性を検査するプローブ検査装置に用いられる情報処理装置に、
前記被検査体への前記プローブ針の接触前の前記電極パッドが撮像された第1の画像と、前記プローブ針の接触後の前記電極パッドが撮像された第2の画像とをそれぞれ記憶するステップと、
前記記憶された第1の画像と前記第2の画像との差分を差分画像として抽出するステップと、
前記抽出された差分画像中に表れる前記プローブ針の針跡位置と、前記プローブ針を接触させるべき前記電極パッド上の目標位置との位置ずれを補正するための補正量を算出するステップと
を実行させるためのプログラム。
In an information processing apparatus used in a probe inspection apparatus for inspecting the electrical characteristics of the inspection object by bringing a probe needle into contact with the electrode pad of the inspection object,
Storing a first image obtained by imaging the electrode pad before contact of the probe needle with the subject and a second image obtained by imaging the electrode pad after contact with the probe needle, respectively; When,
Extracting a difference between the stored first image and the second image as a difference image;
Performing a step of calculating a correction amount for correcting a positional deviation between a needle trace position of the probe needle appearing in the extracted difference image and a target position on the electrode pad to which the probe needle is to be brought into contact. Program to let you.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4480796B1 (en) * 2009-09-02 2010-06-16 株式会社アドバンテスト Test apparatus, test method and program
KR101153653B1 (en) 2009-03-19 2012-06-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Judging method of needle mark and computer readable recording medium having recorded program for judging needle mark thereon
JP2013238435A (en) * 2012-05-14 2013-11-28 Hioki Ee Corp Substrate inspection device and substrate inspection method
CN103852703A (en) * 2012-12-04 2014-06-11 株式会社东芝 Semiconductor inspection apparatus and semiconductor inspection method
WO2014132856A1 (en) * 2013-02-27 2014-09-04 株式会社東京精密 Alignment support device and alignment support method for probe devices
JP2016212014A (en) * 2015-05-12 2016-12-15 日置電機株式会社 Offset information acquisition method of probe, and x-y substrate inspection device
JP2017181497A (en) * 2016-03-23 2017-10-05 ヤマハファインテック株式会社 Inspection method for circuit board, inspection device, and program

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI495838B (en) * 2011-01-10 2015-08-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Image measuring apparatus
JP2013137224A (en) * 2011-12-28 2013-07-11 Sharp Corp Multichip prober, method for correcting contact position thereof, control program, and readable recording medium
CN102662090B (en) * 2012-04-24 2015-08-05 河南正泰信创新基地有限公司 A kind of site error automatic correcting method
JP6001326B2 (en) * 2012-05-23 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 Probe device and wafer mounting table for probe device
US9000798B2 (en) * 2012-06-13 2015-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of test probe alignment control
CN103018505A (en) * 2012-12-04 2013-04-03 无锡圆方半导体测试有限公司 Probe correcting device
JP5825502B2 (en) * 2013-02-27 2015-12-02 株式会社東京精密 Probe device
KR101442397B1 (en) * 2013-02-27 2014-09-17 세메스 주식회사 Method and apparatus for aligning probe card and wafer
KR101415276B1 (en) * 2013-10-07 2014-07-04 주식회사 쎄믹스 Wafer prober system being capable of inspecting wafer surface
US10539589B2 (en) * 2014-06-25 2020-01-21 Fei Efa, Inc. Through process flow intra-chip and inter-chip electrical analysis and process control using in-line nanoprobing
JP6305887B2 (en) * 2014-09-16 2018-04-04 東芝メモリ株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
TWI576934B (en) * 2014-11-27 2017-04-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer inspection method
TWI603410B (en) * 2016-06-14 2017-10-21 豪威科技股份有限公司 Testing system for re-constructed wafer and the method thereof
CN106910444B (en) * 2017-02-28 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 Lighting device and lighting test method
CN108172154B (en) * 2018-01-03 2021-03-19 惠科股份有限公司 Test method and test equipment
CN108983460B (en) * 2018-08-17 2021-08-03 苏州凌云视界智能设备有限责任公司 Positioning precision compensation system and method of probe crimping device
CN109270087A (en) * 2018-09-18 2019-01-25 广州思林杰网络科技有限公司 Blue film vision detection system and method
CN111562413A (en) * 2019-02-14 2020-08-21 均豪精密工业股份有限公司 Detection method and detection system
CN110187259A (en) * 2019-06-10 2019-08-30 德淮半导体有限公司 A kind of adjustment system and method for adjustment preventing probe mark shift in wafer test
TWI724597B (en) * 2019-10-31 2021-04-11 力成科技股份有限公司 Chip probe testing system without positioning by wafer cutting channel and method thereof
CN113091979B (en) * 2019-12-23 2022-07-22 马洪文 Distributed multi-dimensional force measuring system and force measuring method
CN111162021B (en) * 2020-01-03 2020-09-18 合肥芯测半导体有限公司 Test probe apparatus for testing semiconductor dies and related systems and methods
TWI745829B (en) * 2020-01-13 2021-11-11 華邦電子股份有限公司 Semiconductor device and detecting method of needle mark offset
CN113805025A (en) * 2020-06-01 2021-12-17 均豪精密工业股份有限公司 Photoelectric detection system and method for detecting crystal grains
US11532524B2 (en) 2020-07-27 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit test method and structure thereof
CN112362580B (en) * 2020-10-26 2023-04-07 琉明光电(常州)有限公司 Photographing detection system and method for probe mark
CN112684224A (en) * 2020-12-29 2021-04-20 无锡圆方半导体测试有限公司 Method and system for efficiently preventing chip welding spot needle insertion deviation
CN112731097A (en) * 2020-12-30 2021-04-30 前海晶云(深圳)存储技术有限公司 Positioning method, storage device, computer equipment and testing device
DE102021105594B3 (en) * 2021-03-09 2022-06-09 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Method for correcting the position of components with a recording device, recording device, computer program product and computer-readable medium
CN113012125B (en) * 2021-03-16 2024-02-09 上海哥瑞利软件股份有限公司 Automatic pin card checking method and system for semiconductor CP equipment based on image recognition
CN113075233A (en) * 2021-04-12 2021-07-06 长春光华微电子设备工程中心有限公司 Probe mark detection method for probe station
JP2024047872A (en) * 2022-09-27 2024-04-08 東京エレクトロン株式会社 Inspection method, inspection device, and program

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661317A (en) * 1992-08-03 1994-03-04 Tokyo Electron Ltd Probe device
JP2004327805A (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Okutekku:Kk Probe equipment and alignment method
JP2006278381A (en) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Inspection apparatus and method for acquiring amount of positional deviation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661317A (en) * 1992-08-03 1994-03-04 Tokyo Electron Ltd Probe device
JP2004327805A (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Okutekku:Kk Probe equipment and alignment method
JP2006278381A (en) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Inspection apparatus and method for acquiring amount of positional deviation

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101153653B1 (en) 2009-03-19 2012-06-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Judging method of needle mark and computer readable recording medium having recorded program for judging needle mark thereon
JP4480796B1 (en) * 2009-09-02 2010-06-16 株式会社アドバンテスト Test apparatus, test method and program
WO2011027392A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 株式会社アドバンテスト Testing apparatus, testing method, and program
US8493083B2 (en) 2009-09-02 2013-07-23 Advantest Corporation Test apparatus, test method and computer readable medium
JP2013238435A (en) * 2012-05-14 2013-11-28 Hioki Ee Corp Substrate inspection device and substrate inspection method
CN103852703A (en) * 2012-12-04 2014-06-11 株式会社东芝 Semiconductor inspection apparatus and semiconductor inspection method
WO2014132856A1 (en) * 2013-02-27 2014-09-04 株式会社東京精密 Alignment support device and alignment support method for probe devices
JP5825569B2 (en) * 2013-02-27 2015-12-02 株式会社東京精密 Alignment support apparatus and alignment support method for probe apparatus
US9442156B2 (en) 2013-02-27 2016-09-13 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Alignment support device and alignment support method for probe device
JP2016212014A (en) * 2015-05-12 2016-12-15 日置電機株式会社 Offset information acquisition method of probe, and x-y substrate inspection device
JP2017181497A (en) * 2016-03-23 2017-10-05 ヤマハファインテック株式会社 Inspection method for circuit board, inspection device, and program

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