KR20090093986A - 방전등 점등장치 - Google Patents

방전등 점등장치

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KR20090093986A
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도루 아시카가
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산켄덴키 가부시키가이샤
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Abstract

직류 전원(2)에 접속된 인버터 회로(3)로부터 복수의 트랜스(41∼4n)를 통하여 각 방전등(11∼1n)에 흐르는 관전류(I1∼In)의 검출 전압(VI1∼VIn)을 출력하는 관전류 검출 회로(51∼5n)와, 관전류 검출 회로(51∼5n)의 검출 전압(VI1∼VIn)의 최대치(VIMX)를 검출하는 최대치 검출 회로(6)와, 관전류 검출 회로(51∼5n)의 검출 전압 (VI1-VIn)의 최소치(VIMN)를 검출하는 최소치 검출 회로(7)와, 최대치 검출 회로(6)의 최대치(VIMX)와 최소치 검출 회로(7)의 최소치(VIMN)의 덧셈값, 뺄셈값, 곱셈값 또는 나눗셈값중의 어느 하나 또는 복수의 연산치를 산출하여, 그 연산치가 소정치를 넘었을 때에 정지 신호(VCP)를 출력하는 비교 회로(8)와, 비교 회로(8)가 정지 신호 (VCP)를 출력했을 때, 인버터 회로(3)를 정지하는 제어 회로(9)를 구비한다. 방전등의 접속 불량에 의해 발생하는 아크 방전을 비교 회로(8)의 연산치에 의해 확실하게 검출하고, 아크 방전에 의한 접속 불량 부분의 과열로부터 방전등을 확실하게 보호한다.

Description

방전등 점등장치{DISCHARGE LAMP LIGHTING DEVICE}
본 발명은, 방전등 점등장치, 특히, 고전압이 인가되는 방전등의 접속 불량 부분에 발생하는 아크 방전에 의한 과열로부터 방전등을 보호하는 방전등 점등장치에 관한 것이다.
근래에는, 텔레비전이나 퍼스널 컴퓨터의 모니터로서, 박형화 및 전력 절약화의 견지로부터 종래의 브라운관 대신에, 액정 표시 패널(LCD)이 많이 이용되고 있다. 액정 표시 패널 자체는 발광하지 않기 때문에, 백라이트 등의 조명장치에 의해, 액정 표시 패널의 화면을 표시한다. 액정 표시 패널의 백라이트로는, 냉음극 형광 방전관(CCFL;Cold Cathode Fluorescent Lamp)이 통상 사용된다. 냉음극 형광 방전관은, 그 전기적 특성으로 인해 점등을 개시할 때에 천 수백 볼트, 점등후에는 수백 볼트의 교류 고전압을 인가할 필요가 있다. 특히 최근에는, 액정 표시 패널의 대형화에 따라서, 냉음극 형광 방전관(CCFL)의 지름을 작게 길이를 길게 하는 것이촉진되어, 전압이 더 상승하고, 소비 전력도 증대하는 경향이 있다.
고주파의 교류 고전압을 지름이 작고 길이가 긴 냉음극 형광 방전관에 인가하는 방전등 점등장치에서는, 커넥터류의 이완, 배선 패턴의 단선 또는 땜납 크랙 등에 의해 발생하는 약간의 공간에서 아크 방전이 발생할 가능성이 있다. 예를 들면, 냉음극 형광 방전관이 접속되는 트랜스의 2차 권선은, 감는 수를 보다 증가시키기 위해서 세선을 사용하는 경우가 많고, 기계적인 인장력이나, 단자부에 납땜할 때에 발생하는 땜납에 의한 침식에 의해, 2차 권선이 단선하여, 아크 방전을 일으킬 가능성이 있다. 또한, 트랜스의 단자의 변형 등에 의해, 기판에 정상적으로 트랜스의 단자가 납땜되지 않는 경우, 트랜스의 단자와 기판상의 배선 패턴의 사이에서 전기적인 접촉 불량을 일으켜, 접촉 불량 부분에서 아크 방전이 발생할 가능성이 있다. 또한, 기판상의 배선 패턴의 손상 또는 기판이 열팽창에 의해 신축하여 배선 패턴에 기계적인 부하가 가해지는 것에 의해, 배선 패턴이 절단되고, 그 절단 부분에서 아크 방전이 발생할 가능성이 있다. 또한, 냉음극 형광 방전관의 한쪽 또는 쌍방의 단자가 커넥터에 적정하게 삽입되지 않고 전기적인 접촉 불량을 일으키는 경우, 접촉 불량 부분에서 아크 방전이 발생할 가능성이 있다.
예를 들면, 종래의 방전등 점등장치의 일례로서 도 10에 도시한 조명 시스템 (100)은, 입력 단자(Tin)에 인가되는 입력 전압(Vin)을 승압하여 냉음극 형광관 (CCFL)(110)의 일단(一端)에 인가하는 전원 회로(120)와, 냉음극 형광관(110)에 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 보호 회로(140)에 부여하는 전류 검출 회로(130)와, 전류 제어 회로(210), 비점등 검출 회로(220) 및 강제 정지 회로(230)를 가진 보호 회로(140)를 구비하고 있다. 전류 제어 회로(210)는, 전류 검출 회로(130)로부터 부여되는 검출 전압에 따라서, 냉음극 형광관(110)에 흐르는 실효 전류치가 일정해지도록, 전원 회로(120)로부터 냉음극 형광관(110)에의 인가 전압을 제어한다. 비점등 검출 회로(220)는, 전류 검출 회로(130)로부터 부여되는 검출 전압에 따라서, 냉음극 형광관(110)에 흐르는 전류의 소실에 의한 비점등을 검출하고, 그 검출 신호를 강제 정지 회로(230)에 부여한다. 강제 정지 회로(230)는, 비점등 검출 회로(220)로부터 부여되는 검출 신호가 비점등 검출 상태일 때, 전원 회로(120)의 동작을 일시적으로 강제 정지시킨다. 도 10의 조명 시스템(100)에서는, 냉음극 형광관(110)의 점등 불량이나, 냉음극 형광관(110)의 커넥터로부터의 이탈 등에 의해, 냉음극 형광관(110)에 흐르는 전류가 소실되면, 보호 회로(140) 내의 비점등 검출 회로(220)로부터 비점등 검출 상태를 나타내는 검출 신호를 강제 정지 회로 (230)에 부여하고, 강제 정지 회로(230)에 의해 전원 회로(120)의 동작을 일시적으로 강제 정지시키므로, 냉음극 형광관(110)의 접속 불량 부분에서의 아크 방전의 발생을 회피할 수 있다.
또한, 종래의 방전등 점등장치의 다른 예로서 도 11에 도시한 조명 시스템 (200)은, 냉음극 형광관(110) 및 냉음극 형광관(110)을 구동하는 냉음극 형광관 구동장치(111)로 구성되고, 냉음극 형광관 구동장치(111)는, 전원 회로(141), 전류 검출 회로(142), 피크 홀드 회로(143) 및 보호 회로(144)를 구비한다. 보호 회로 (144)는, 전류 제어 회로부(161)와, 비점등 검출 회로부(162)와, 과전류 검출 회로부(163)와 정지 신호 생성 회로부(164)를 구비한다.
도 11의 조명 시스템(200)의 동작은, 예를 들면, 도 12(A)에 도시하는 바와 같이, 시각 t1∼tn에서 냉음극 형광관(110)과 도시하지 않은 커넥터의 접촉 불량에 의해 아크 방전이 n회 반복하여 발생하고, 아크 방전이 발생할 때마다 전류 검출 회로(142)의 검출 전압에 스파이크 상(狀)의 서지 전압이 중첩되면, n회 발생하는 서지 전압에 의해 피크 홀드 회로(143)내의 도시하지 않은 전압 유지용 콘덴서가 서서히 충전되고, 도 12(B)에 도시하는 바와 같이, 전압 유지용 콘덴서의 충전 전압이 완만하게 상승한다. 도 12(B)에 도시한 피크 홀드 회로(143) 내의 전압 유지용 콘덴서의 충전 전압이, 시각 tn에, 과전류 검출 회로부(163) 내의 도시하지 않은 기준 전원의 전압 Vref2에 도달하면, 도 12(C)에 도시하는 바와 같이, 과전류 검출 회로부(163)의 출력이 고전압 레벨이 된다. 과전류 검출 회로부(163)의 출력이 고전압 레벨이 되면, 정지 신호 생성 회로부(164)로부터 전원 회로(141)에 고전압 레벨의 정지 신호가 부여되고, 도 12(D)에 도시하는 바와 같이, 전원 회로(141)의 동작이 정지하여, 전원 회로(141)로부터 냉음극 형광관(110)에의 교류 고전압의 공급이 정지한다. 이에 따라, 냉음극 형광관(110)에의 전류가 정지되고, 도 12(A)에 도시하는 바와 같이, 전류 검출 회로(142)의 검출 전압도 영전위가 된다. 이 때, 도 12(B)에 도시한 피크 홀드 회로(143) 내의 전압 유지용 콘덴서의 충전 전압은, 도 12(E)에 도시한 고전압 레벨의 리셋 신호가 리셋 단자(Tr)에 부여될 때까지, 시각 tn에서의 전압치 Vref2를 유지하기 때문에, 냉음극 형광관(110)과 커넥터가 일시적으로 접촉해도, 전원 회로(141)로부터 냉음극 형광관(110)에의 전압 공급 정지상태를 유지한다. 그 후, 시각 t11에서 피크 홀드 회로(143)의 리셋 단자(Tr)에 도 12(E)에 도시한 고전압 레벨의 리셋 신호가 부여되면, 도 12(B)에 도시한 피크 홀드 회로 (143) 내의 전압 유지용 콘덴서의 전압이 대략 영전위까지 저하하고, 도 12(C)에 도시한 과전류 검출 회로부(163)의 출력이 고전압 레벨로부터 저전압 레벨이 된다. 이에 따라, 전원 회로(141)로부터 냉음극 형광관(110)에 다시 교류 고전압이 공급되고, 도 12(A)에 도시하는 바와 같이, 전류 검출 회로(142)로부터 다시 정현파상의 검출 전압이 출력된다.
도 11에 도시한 조명 시스템(200)에서는, 냉음극 형광관(110)의 접촉 불량에 의한 아크 방전이 복수회 발생할 때마다, 전류 검출 회로(142)의 검출 전압에 중첩되는 서지 전압이 피크 홀드 회로(143) 내의 전압 유지용 콘덴서에 복수회 인가되어, 전압 유지용 콘덴서의 충전 전압이 소정의 전압에 도달하면, 보호 회로(144) 내의 과전류 검출 회로부(163)로부터 정지 신호 생성 회로부(164)를 통하여 전원 회로(141)에 고전압 레벨의 정지 신호가 부여되고, 전원 회로(141)로부터 냉음극 형광관(110)에의 교류 고전압의 공급이 정지하므로, 접촉 불량 부분에서 발생하는 아크 방전에 의한 과열로부터 냉음극 형광관(110)을 보호할 수 있다. 도 10 및 도 11에 도시한 조명 시스템(100,200)과 대략 동일한 구성을 가진 방전등 점등장치는, 예를 들면 하기의 특허문헌 1에 기재되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 공개특허공보2005-340023
[도 1] 본 발명에 의한 방전등 점등장치의 일실시형태를 도시한 전기회로도
[도 2] 본 발명에 의한 방전등 점등장치의 다른 실시형태를 도시한 전기회로도
[도 3] 관전류 검출 회로를 상세하게 도시한 전기회로도
[도 4] 최대치 검출 회로를 상세하게 도시한 전기회로도
[도 5] 최소치 검출 회로를 상세하게 도시한 전기회로도
[도 6] 차동증폭 회로를 상세하게 도시한 전기회로도
[도 7] 유지 회로를 상세하게 도시한 전기회로도
[도 8] 제어 회로를 상세하게 도시한 전기회로도
[도 9] 도 1의 회로 동작시의 각 부의 전류 및 전압을 도시한 파형도
[도 10] 종래의 방전등 점등장치의 일례를 도시한 회로 블록도
[도 11] 종래의 방전등 점등장치의 다른 예를 도시한 회로 블록도
[도 12] 도 11의 회로 동작시의 각 부의 전압을 도시한 파형도
[부호의 설명]
(11∼1n)‥제1∼제n 냉음극 형광 방전관(방전등), (2)‥직류 전원, (3)‥인버터 회로, (41∼4n)‥제1∼제n 트랜스, (4a1∼4an)‥1차 권선, (4b1∼4bn)‥2차 권선, (51∼5n)‥제1∼제n 관전류 검출 회로, (6)‥최대치 검출 회로, (7)‥최소치 검출 회로, (8)‥비교 회로, (9)‥제어 회로, (10)‥차동증폭 회로, (11)‥콤퍼레이터, (12)‥기준 전원, (13)‥유지 회로, (141,151∼14n,15n)‥제1~제n 출력 커넥터, (16)‥단선 검출용 AND 게이트(단선 검출 회로),
[발명이 해결하고자 하는 과제]
그런데, 상기의 아크 방전도 그 원인에 따라서, 아래와 같이 여러가지 현상을 일으킨다. 예를 들면, 발생과 소멸을 반복하는 아크 방전의 경우는, 삐직삐직하는 이상음을 발생하여, 냉음극 형광관(110)은 점등과 소등을 반복한다. 이 경우는, 도 10에 도시한 전류 검출 회로(130)에서도 비교적 용이하게 아크 방전을 검출할 수 있다. 또한, 단선 부분의 거리가 긴 경우는, 단선 부분에서의 전압강하가 크고, 냉음극 형광관(110)에의 인가 전압이 현저하게 저하하기 때문에, 냉음극 형광관 (110)에 흐르는 전류가 현저하게 감소한다. 이 경우도, 도 10에 도시한 전류 검출 회로(130)로 비교적 용이하게 아크 방전을 검출할 수 있다. 반면, 단선 부분의 거리가 짧은 경우는, 단선 부분에서의 전압강하가 작고, 냉음극 형광관(110)에의 인가 전압의 저하가 적기 때문에, 도 10에 도시한 전류 검출 회로(130)에서는 아크 방전을 검출하는 것이 곤란하다. 게다가, 비교적 큰 전류가 냉음극 형광관(110)에 흐르기 때문에, 아크 방전의 발생 부분에서의 발열이 증대하고, 수지제의 커넥터의 하우징이나 프린트 배선 기판 등이 과열에 의해 탄화하여 그 부분이 도전부가 되어, 아크 방전이 계속적으로 발생하여 발연 발화 사고에 이르는 경우가 있다. 또한, 상기의 각 예의 현상이 복합적으로 발생하는 경우도 고려된다.
도 10에 도시한 조명 시스템(100)에서는, 냉음극 형광관(110)에 흐르는 전류를 전류 검출 회로(130)로 검출하여, 배선 패턴의 단선이나 냉음극 형광관(110)의 접속 불량 등에 의해 전류 검출 회로(130)가 냉음극 형광관(110)의 전류의 소실을 검출했을 때, 보호 회로(140)에 의해 전원 회로(120)의 동작을 정지하기 때문에, 고전압 인가시에 냉음극 형광관(110)의 단자와 커넥터의 접촉 불량에 의한 아크 방전이 발생한 경우에도, 냉음극 형광관(110)의 단자와 커넥터가 재차 접촉하여 도통 상태가 되면, 전원 회로(120)로부터 냉음극 형광관(110)에 고전압이 인가되고, 다시 접촉 불량 부분에 아크 방전이 발생한다. 이 때문에, 냉음극 형광관(110)의 접속 불량에 의해 발생하는 아크 방전을 확실하게 검출하지 못하고, 조명시스템(100)의 동작의 안정성 및 신뢰성에 문제를 일으키는 경우가 있다.
또한, 도 11에 도시한 조명 시스템(200)에서는, 냉음극 형광관(110)의 접촉 불량에 의해 발생하는 아크 방전에 의해, 냉음극 형광관(110)에 복수회 연속하여 서지 전류가 흘러, 복수회의 서지 전류에 의해 충전된 피크 홀드 회로(143) 내의 전압 유지용 콘덴서의 전압이 소정의 기준 전압에 도달했을 때에, 전원 회로(141)로부터 냉음극 형광관(110)에의 고전압의 공급이 정지하기 때문에, 서지 전류가 발생하는 빈도가 드물어지거나, 또는 서지 전류가 거의 발생하지 않고 냉음극 형광관 (110)에 흐르는 전류가 약간 변동하는 경우는, 냉음극 형광관(110)의 접속 불량에 의해 발생하는 아크 방전을 거의 검출할 수가 없었다.
따라서, 본 발명은, 방전등의 접속 불량에 의해 발생하는 아크 방전을 확실하게 검출하여, 아크 방전에 의한 접속 불량 부분의 과열로부터 방전등을 확실하게 보호할 수 있는 방전등 점등장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명에 의한 방전등 점등장치는, 직류 전원(2)으로부터의 직류 전압을 교류 전압으로 변환하는 인버터 회로(3)와, 인버터 회로(3)의 출력 단자에 대해서 각각 병렬로 접속된 복수의 1차 권선(4a1∼4an) 및 복수의 2차 권선(4b1∼4bn)을 가진 복수의 트랜스(41∼4n)와, 복수의 2차 권선(4b1∼4bn)의 각각에 접속된 방전등(11∼1n)을 구비하고, 각 트랜스(41∼4n)의 2차 권선(4b1∼4bn)과 각 방전등(11∼1n)의 사이에 각각 설치하여 각 방전등(11∼1n)에 흐르는 관전류(I1∼In)를 검출하며, 검출한 관전류(I1∼In)에 대응하는 레벨의 검출 신호(VI1∼VIn)를 출력하는 관전류 검출 회로 (51∼5n)와, 관전류 검출회로(51∼5n)로부터의 검출 신호(VI1∼VIn)의 최대치(VIMX)를 검출하는 최대치 검출 회로(6)와, 관전류 검출 회로(51∼5n)로부터의 검출 신호(VI1∼VIn)의 최소치(VIMN)를 검출하는 최소치 검출 회로(7)와, 최대치 검출 회로(6)의 최대치(VIMX)와 상기 최소치 검출 회로(7)의 최소치(VIMN)의 덧셈값, 뺄셈값, 곱셈값 또는 나눗셈값중의 어느 하나 또는 복수의 연산치를 산출하여, 그 연산치가 소정치를 넘었을 때에, 정지 신호(VCP)를 출력하는 비교 회로(8)와, 비교 회로(8)가 정지 신호(VCP)를 출력했을 때에, 인버터 회로(3)의 동작을 정지하는 제어 회로(9)를 구비한다.
1개 또는 복수개의 방전등(11∼1n)의 접속 불량에 의해 아크 방전이 발생하여, 접속 불량의 방전등(11)에 흐르는 관전류(I1)가 감소하면, 다른 방전등(12∼1n)에 흐르는 각 관전류(I2∼In)가 증가하기 때문에, 복수의 방전등(11∼1n)에 흐르는 각 관전류(I1∼In)의 최대치(IMAX)와 최소치(IMIN)의 차는 증대한다. 또한, 아크 방전이 발생하는 회로에 접속된 방전등(11)의 관전류(I1)의 감소량이 작을 때에도, 다른 방전등(12∼1n)의 각 관전류(I2∼In)는, 반대로 증가하기 때문에, 각 관전류(I1∼In)의 최대치(IMAX)와 최소치(IMIN)의 차가 확대한다. 따라서, 관전류 검출 회로(51∼5n)에 의해 검출된 복수의 방전등(11∼1n)의 각 관전류(I1∼In)에 대응하는 검출 신호 (VI1∼VIn)의 최대치(VIMX) 및 최소치(VIMN)를 각각 최대치 검출 회로(6) 및 최소치 검출 회로(7)에 의해 고정밀도로 검출하고, 최대치(VIMX)와 최소치(VIMN)의 덧셈값, 뺄셈값, 곱셈값 또는 나눗셈값중의 어느 하나 또는 복수의 연산치를 산출하고, 예를 들면, 뺀 값(VDF)의 전압 레벨이 소정의 기준 전압(VR1)를 넘었을 때, 비교회로(8)로부터 정지 신호(VCP)를 출력하여 제어 회로(9)에 의해 인버터 회로(3)의 동작을 정지한다. 이와 같이, 방전등의 접속 불량에 의해 발생하는 아크 방전을 비교 회로 (8)의 연산치에 의해 확실하게 검출하여, 인버터 회로로부터 방전등에의 전력 공급을 정지하는 것에 의해, 아크 방전에 의한 접속 불량 부분의 과열로부터 방전등을 확실하게 보호할 수 있다.
[발명의 효과]
본 발명에 의하면, 복수의 방전등의 각 관전류의 최대치 및 최소치를 높은 정밀도로 검출하여, 최대치와 최소치의 덧셈값, 뺄셈값, 곱셈값 또는 나눗셈값중의 어느 하나 또는 복수의 연산치를 산출하므로, 방전등의 접속 불량 부분에서의 아크 방전을 확실하게 검출하여, 인버터 회로로부터 방전등에의 전력 공급을 정지하는 것에 의해, 아크 방전에 의한 접속 불량 부분의 과열로부터 방전등을 확실하게 보호할 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 방전등 점등장치를 냉음극 형광 방전관(CCFL)의 점등장치에 적용한 실시형태를 도 1∼도 9에 대하여 설명한다.
본 실시형태의 방전등 점등장치는, 도 1에 도시한 바와 같이, 직류 전원(2)으로부터의 직류 전압을 교류 전압으로 변환하는 인버터 회로(3)와, 인버터 회로 (3)의 출력 단자에 대해서 각각 병렬로 접속된 제1∼제n의 1차 권선(4a1∼4an) 및 제1∼제n의 2차 권선(4b1∼4bn)을 가진 제1∼제n의 트랜스(41∼4n)와, 제1∼제n의 2차 권선(4b1∼4bn)의 각각에 제1∼제n의 출력 커넥터(141,151∼14n,15n)를 통하여 접속된 방전등으로서의 제1∼제n의 냉음극 형광 방전관(11∼1n)을 구비한다. 또한, 도 1에 도시한 방전등 점등장치는, 제1∼제n의 트랜스(41∼4n)의 2차 권선(4b1∼4bn)과 제1∼제n의 냉음극 형광 방전관(11∼1n)의 사이에 각각 설치되고, 또한 각 냉음극 형광 방전관(11∼1n)에 흐르는 관전류(I1∼In)를 검출하여, 그들 검출 전압(VI1∼VIn)을 출력하는 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)와, 제1∼제n의 관전류 검출 회로 (51∼5n)가 검출한 각 관전류(I1∼In)의 최대치(IMAX)에 대응하는 최대 검출 전압 (VIMX)을 출력하는 최대치 검출 회로(6)와, 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)가 검출한 각 관전류(I1∼In)의 최소치(IMIN)에 대응하는 최소 검출 전압(VIMN)을 출력하는 최소치 검출 회로(7)와, 최대치 검출 회로(6)로부터의 최대 검출 전압(VIMX)과 최소치 검출 회로(7)로부터의 최소 검출 전압(VIMN)과의 차전압치를 산출하여, 그 차전압치가 소정치를 넘었을 때에 정지 신호(VCP)를 출력하는 비교회로(8)와, 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)의 각 검출 전압(VI1∼VIn)에 따라 인버터 회로(3)의 교류 출력전압을 제어하는 동시에, 비교 회로(8)로부터 정지 신호(VCP)가 출력되었을 때에 인버터 회로(3)의 동작을 정지하는 구동 신호(VDR)를 출력하는 제어 회로 (9)를 구비한다. 도시하지 않지만, 인버터 회로(3)는, 예를 들면 직류 전원(2)에 대해서 교락(브릿지) 접속된 복수의 MOS-FET, IGBT(절연 게이트형 바이폴러 트랜지스터) 또는 GTO(게이트 턴 오프 사이리스터) 등의 스위칭 소자를 구비하고, 제어 회로(9)로부터의 구동 신호(VDR)에 의해 복수의 스위칭 소자의 온·오프를 제어하여, 직류 전원(2)으로부터의 직류 전압을 수십 킬로헤르츠의 주파수를 가진 수백∼천 수백 볼트의 교류 전압으로 변환한다.
비교 회로(8)는, 최대치 검출 회로(6)로부터의 최대 검출 전압(VIMX)과 최소치 검출 회로(7)로부터의 최소 검출 전압(VIMN)의 차전압 신호(VDF)를 출력하는 차동증폭 회로(10)와, 차동증폭 회로(10)의 차전압 신호(VDF)의 전압 레벨이 기준 전원 (12)의 기준 전압(VR1)을 넘었을 때에 고전압(H) 레벨의 정지 신호(VCP)를 출력하는 콤퍼레이터(11)를 구비한다. 비교 회로(8)와 제어 회로(9)의 사이에는, 리셋 단자 (136)에 리셋 신호(VRT)가 부여될 때까지 비교 회로(8)로부터 부여되는 정지 신호 (VCP)의 전압 레벨을 유지하여 정지 유지 신호(VST)를 제어 회로(9)에 부여하는 유지 회로(13)가 설치된다. 이에 따라, 제어 회로(9)는, 유지 회로(13)가 정지 유지 신호(VST)를 출력하는 사이에 인버터 회로(3)의 동작을 정지한다.
제1 관전류 검출 회로(51)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 다른쪽의 제1 출력 커넥터(151)와 제1 트랜스(41)의 2차 권선(4b1)의 접지단의 사이에 직렬로 접속된 관전류 검출용 저항(51) 및 정류 다이오드(52)와, 관전류 검출용 저항(51) 및 정류 다이오드(52)의 직렬 접속 회로와 역병렬로 접속된 역도통 다이오드(53)와, 역도통 다이오드(53)와 병렬로 접속된 저항(54)과, 저항(54)과 병렬로 접속된 평활 콘덴서 (55)를 구비한다. 도 3에 도시한 제1 관전류 검출회로(51)의 동작은, 제1 트랜스 (41)의 2차 권선(4b1)으로부터 제1 냉음극 형광 방전관(11)에 양의 반주기의 관전류 (I1)가 흐를 때, 제1 관전류 검출 회로(51)내의 정류 다이오드(52)가 순방향으로 바이어스되고, 관전류 검출용 저항(51)의 양단에 관전류(I1)에 비례하는 검출 전압 (VI1)이 발생한다. 또한, 제1 트랜스(41)의 2차 권선(4b1)으로부터 제1 냉음극 형광 방전관(11)에 음의 반주기의 관전류(I1)가 흐를 때에는, 제1 관전류 검출 회로(51) 내의 정류 다이오드(52)가 역방향으로 바이어스되어 관전류 검출용 저항(51)에 관전류(I1)가 흐르지 않기 때문에, 검출 전압(VI1)이 발생하지 않고, 관전류(I1)는 순방향으로 바이어스된 도통 다이오드(53)를 통과하여 흐른다. 관전류 검출용 저항(51)의 양단에 발생한 검출 전압(VI1)은, 저항(54) 및 평활 콘덴서(55)에 의해 평활화되어, 관전류(I1)의 양의 최대치의 변화에 대응하여 전압 레벨이 변화하는 검출 전압(VI1)로 변환된다. 도시하지 않지만, 제2∼제n의 관전류 검출 회로(52∼5n)도 도 3에 도시한 제1 관전류 검출회로(51)와 동일한 회로구성을 가지며, 상기와 대략 동일한 동작을 행한다.
최대치 검출 회로(6)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 각각의 애노드가 제1∼제n 관전류 검출 회로(51∼5n)의 각각에 접속되고 또한 각각의 캐소드가 서로 접속된 제1∼제n의 순바이어스용 다이오드(611∼61n)와, 제1∼제n 순바이어스용 다이오드(611∼61n)의 캐소드와 접지 단자의 사이에 접속된 최대 전류 검출용 저항(62)과, 최대 전류 검출용 저항(62)의 양단에 발생하는 전압을 최대 검출 전압(VIMX)으로서 출력하는 완충(버퍼)증폭기(63)를 구비한다. 도 4에 도시한 최대치 검출 회로(6)의 동작은, 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)로부터 부여되는 각 검출 전압(VI1∼VIn)중에서, 가장 높은 검출 전압(VI2)가 애노드에 부여된 순바이어스용 다이오드 (612)가 도통하여, 최대 전류 검출용 저항(62)의 양단에 그 검출 전압(VI2)에 비례하는 전압이 발생하여 완충 증폭기(63)의 비반전 입력 단자(+)에 부여되어, 완충 증폭기(63)의 출력 단자로부터 최대 검출 전압(VIMX)이 출력된다.
최소치 검출 회로(7)는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 각각의 캐소드가 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)의 각각에 접속되고 또한 각각의 애노드가 서로 접속된 제1∼제n의 역바이어스용 다이오드(711∼71n)와, 제1∼제n의 역바이어스용 다이오드(711∼71n)의 애노드와 구동용 전원(+Vcc)의 사이에 접속된 최소 전류 검출용 저항(72)과, 최소 전류 검출용 저항(72)의 양단에 발생하는 전압을 최소 검출 전압 (VIMN)으로서 출력하는 완충 증폭기(73)를 구비한다. 도 5에 도시한 최소치 검출 회로(7)의 동작은, 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)로부터 부여되는 각 검출 전압(VI1∼VIn) 중에서, 가장 낮은 검출 전압(VI1)이 캐소드에 부여된 역바이어스용 다이오드(711)가 도통하고, 최소 전류 검출용 저항(72)의 양단에 그 검출 전압(VI1)에 비례하는 전압이 발생하여 완충 증폭기(73)의 비반전 입력 단자(+)에 부여되고, 완충 증폭기(73)의 출력 단자로부터 최소 검출 전압(VIMN)이 출력된다.
차동증폭 회로(10)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 최대치 검출 회로(6)에 접속된 분압저항(101,102)과, 비반전 입력 단자(+)의 분압 저항(101,102)의 분압점에 접속된 연산 증폭기(103)와, 최소치 검출 회로(7)와 연산 증폭기(103)의 반전 입력 단자(-)의 사이에 접속된 직렬 저항(104)과, 연산 증폭기(103)의 출력 단자와 반전 입력 단자(-)의 사이에 접속된 귀환 저항(105)을 구비한다. 도 6에 도시한 차동증폭 회로(10)의 동작은, 최대치 검출 회로(6)로부터의 최대 검출 전압(VIMX)이 분압 저항(101,102)에 부여되는 동시에, 최소치 검출 회로(7)로부터의 최소 검출 전압 (VIMN)이 직렬 저항(104)에 부여되면, 연산 증폭기(103)의 비반전 입력 단자(+)에 입력되는 분압 저항(101,102)의 분압점의 전압과 반전 입력 단자(-)에 입력되는 직렬 저항(104) 및 귀환 저항(105)의 접속점의 전압과의 차전압 신호(VDF)가 연산 증폭기(103)의 출력 단자로부터 출력된다.
유지 회로(13)는, 도 7에 도시하는 바와 같이, 애노드가 비교 회로(8)의 콤퍼레이터(11)의 출력 단자에 접속된 역저지 다이오드(131)와, 일단이 역저지 다이오드(131)의 캐소드에 접속된 저항(132)과, 저항(132)의 타단과 접지 단자의 사이에 접속된 유지용 콘덴서(133)와, 유지용 콘덴서(133)와 병렬로 접속되어 게이트에 접속된 리셋 단자(136)에 리셋 신호(VRT)를 부여했을 때에 온 상태가 되는 방전용 MOS-FET(134)와, 유지용 콘덴서(133)의 전압 레벨을 반전하는 반전기(135)를 구비한다. 도 7에 도시한 유지 회로(13)의 동작은, 비교 회로(8)의 콤퍼레이터(11)로부터 고전압(H) 레벨의 정지 신호(VCP)가 역저지 다이오드(131)의 애노드에 부여되면, 역저지 다이오드(131)가 순방향으로 바이어스되어 도통하고, 저항(132)을 통해 유지용 콘덴서(133)가 충전되어, 유지용 콘덴서(133)의 전압을 고전압(H) 레벨로 유지한다. 고전압(H) 레벨로 유지된 유지용 콘덴서(133)의 충전 전압은, 반전기(135)에 의해 저전압(L) 레벨의 정지 유지 신호(VST)로 변환된다. 리셋 단자(136)에 고전압(H) 레벨의 리셋 신호(VRT)를 부여하면, 방전용 MOS-FET(134)가 온 상태가 되고, 유지용 콘덴서(133)가 급속히 방전되어 반전기(135)를 통하여 출력되는 정지 유지 신호(VST)가 저전압(L) 레벨로부터 고전압(H) 레벨이 된다.
제어 회로(9)는, 도 8에 도시한 바와 같이, 각각의 일단이 제1∼ 제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)의 각각에 접속되고 또한 각각의 타단이 서로 접속된 제1∼제n의 저항(911∼91n)과, 비반전 입력 단자(+)가 접지되고 또한 반전 입력 단자(-)가 제1∼제n의 저항(911∼91n)의 타단에 접속된 연산 증폭기(92)와, 연산 증폭기(92)의 출력 단자와 반전 입력 단자(-)의 사이에 접속된 귀환 저항(93)과, 연산 증폭기 (92)의 출력전압(VA)이 기준 전원(96)의 기준 전압(VR2)을 넘지 않을 때, 고전압(H) 레벨의 제어 신호(VCT)를 출력하고, 연산 증폭기(92)의 출력전압(VA)이 기준 전원(96)의 기준 전압(VR2)을 넘었을 때, 저전압(L) 레벨의 제어 신호(VCT)를 출력하는 출력제어용 콤퍼레이터(95)와, 출력제어용 콤퍼레이터(95)의 제어 신호(VCT)와 유지 회로(13)의 정지 유지 신호(VST)의 논리곱 신호를 인버터 회로(3)의 구동 신호(VDR)로서 출력하는 AND 게이트(97)를 구비한다. 연산 증폭기(92) 및 귀환 저항(93)은, 증폭 회로(94)를 구성한다. 도 8에 도시한 제어 회로(9)의 동작은, 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)의 검출 전압(VI1∼VIn)이 각각 제1∼제n의 저항(911∼91n)의 일단에 부여되면, 각 저항(911∼91n)의 타단에 각 관전류 검출 회로(51∼5n)의 검출 전압(VI1∼VIn)의 총합의 평균 전압(VIA)이 발생한다. 이 평균 전압(VIA)은, 증폭 회로(94)를 구성하는 연산 증폭기(92)의 반전 입력 단자(-)에 부여되어 전압 증폭되고, 연산 증폭기(92)의 출력전압(VA)이 기준 전원(96)의 기준 전압(VR2)을 넘었을 때에, 출력제어용 콤퍼레이터(95)로부터 출력되는 제어 신호(VCT)를 고전압(H) 레벨로부터 저전압(L) 레벨로 전환하고, AND 게이트(97)로부터 인버터 회로(3)에 저전압(L) 레벨의 구동 신호(VDR)를 부여하여 인버터 회로(3)의 교류 출력전압을 제어한다. 또한, 출력제어용 콤퍼레이터(95)로부터 출력되는 제어 신호(VCT)가 고전압(H) 레벨 상태에서, 비교 회로(8)의 콤퍼레이터(11)로부터 고전압(H) 레벨의 정지 신호 (VCP)가 출력되면, 유지 회로(13)로부터 AND 게이트(97)에 저전압(L) 레벨의 정지 유지 신호(VST)가 부여되기 때문에, AND 게이트(97)로부터 인버터 회로(3)에 저전압 (L) 레벨의 구동 신호(VDR)가 부여되고, 인버터 회로(3)의 동작이 정지한다.
다음에, 도 1에 도시한 실시형태의 방전등 점등장치의 동작에 대하여 설명한다. 도 9에 도시한 시각 t1에서, 예를 들면 제1 냉음극 형광 방전관(11)의 한쪽 또는 쌍방의 단자와 제1 출력 커넥터(141,151)의 접촉 불량에 의해 발생하는 공간내에서 아크 방전이 발생하고, 도 9(A)에 도시하는 바와 같이, 제1 냉음극 형광 방전관 (11)에 흐르는 관전류(I1)가 감소하면, 도 9(B)에 도시하는 바와 같이, 제2∼제n의 냉음극 형광 방전관(12∼1n)에 흐르는 각 관전류(I2∼In)가 증가한다. 이에 따라, 도 9(C)에 도시한 제1 관전류 검출 회로(51)의 검출 전압(VI1)이 완만하게 저하하여 대략 일정한 값으로 수렴하는 동시에, 도 9(D)에 도시한 제2∼제n의 관전류 검출 회로(52∼5n)의 검출 전압(VI2∼VIn)이 완만하게 상승하여 대략 일정한 값으로 수렴한다. 다만, 도 9(B) 및(D)에서는, 제2 냉음극 형광 방전관(12)에 가장 큰 관전류(I2)가 흐르는 경우에 대하여 도시하였다.
제1 냉음극 형광 방전관(11)에 흐르는 관전류(I1)의 감소에 의해, 제1 관전류 검출 회로(51)의 검출 전압(VI1)이 최소가 되면, 최소치 검출 회로(7) 내의 제1 역바이어스용 다이오드(711)만이 도통하여, 최소 전류 검출용 저항(72)의 양단에 제1 관전류 검출 회로(51)의 검출 전압(VI1)에 비례하는 전압이 발생하고, 최소치 검출 회로(7) 내의 완충 증폭기(73)로부터 최소 검출 전압(VIMN)이 출력된다. 한편, 제2∼제n의 냉음극 형광 방전관(12∼1n)에 흐르는 각 관전류(I2∼In)의 증가에 의해, 제2 냉음극 형광 방전관(12)에 흐르는 관전류(I2)가 최대가 되어, 제2 관전류 검출 회로(52)의 검출 전압(VI2)이 최대가 되면, 최대치 검출 회로(6) 내의 제2의 순바이어스용 다이오드(612)만이 도통하고, 최대 전류 검출용 저항(62)의 양단에 제2의 관전류 검출 회로(52)의 검출 전압(VI2)에 비례하는 전압이 발생하여, 최대치 검출 회로(6) 내의 완충 증폭기(63)로부터 최대 검출 전압(VIMX)이 출력된다.
최대치 검출 회로(6)로부터 출력된 최대 검출 전압(VIMX) 및 최소치 검출 회로(7)로부터 출력된 최소 검출 전압(VIMN)은, 비교 회로(8) 내의 차동증폭 회로(10)에 각각 부여되어, 차동증폭 회로(10)로부터 도 9(E)에 도시한 최대 검출 전압 (VIMX)과 최소 검출 전압(VIMN)의 차전압 신호(VDF)가 출력된다. 도 9(E)에 도시한 차동증폭 회로(10)의 차전압 신호(VDF)는, 콤퍼레이터(11)에 의해 기준 전원(12)의 기준 전압(VR1)과 비교되어, 시각 t2에서 차전압 신호(VDF)의 전압 레벨이 기준 전원 (12)의 기준 전압(VR1)을 넘으면, 콤퍼레이터(11)로부터 고전압(H) 레벨의 정지 신호(VCP)가 출력된다. 비교 회로(8) 내의 콤퍼레이터(11)로부터 유지 회로(13) 내의 역저지 다이오드(131)에 고전압(H) 레벨의 정지 신호(VCP)가 부여되면, 역저지 다이오드(131)가 순방향으로 바이어스되어 도통 상태가 되고, 저항(132)을 통해 유지용 콘덴서(133)가 고전압(H) 레벨까지 충전되고, 리셋 단자(136)에 고전압(H) 레벨의 리셋 신호(VRT)가 부여되어 방전용 MOS-FET(134)가 온 상태가 될 때까지 고전압(H) 레벨을 유지한다. 유지용 콘덴서(133)의 고전압(H) 레벨의 충전 전압은, 반전기 (135)에 의해 반전되고, 제어 회로(9) 내의 AND 게이트(97)에 도 9(F)에 도시한 저전압(L) 레벨의 정지 유지 신호(VST)가 부여된다. 이에 따라, 제어 회로(9) 내의 출력제어용 콤퍼레이터(95)로부터 출력되는 제어 신호(VCT)의 전압 레벨의 여하에 상관없이, AND 게이트(97)로부터 인버터 회로(3)에 저전압(L) 레벨의 구동 신호(VDR)를 부여하여, 인버터 회로(3)의 동작을 정지시킬 수 있다.
그 후, 제1 냉음극 형광 방전관(11)의 한쪽 또는 쌍방의 단자와 제1 출력 커넥터(141,151)의 접촉 불량을 해소하여, 유지 회로(13)의 리셋 단자(136)에 고전압 (H) 레벨의 리셋 신호(VRT)를 부여하면, 유지 회로(13) 내의 방전용 MOS-FET(134)가 온 상태가 되어, 유지용 콘덴서(133)가 급속히 방전되므로, 반전기(135)를 통하여 제어회로(9) 내의 AND 게이트(97)에 고전압(H) 레벨의 정지 유지 신호(VST)가 부여된다. 이에 따라, 제어 회로(9) 내의 출력제어용 콤퍼레이터(95)로부터 AND 게이트 (97)를 통하여 출력되는 제어 신호(VCT)의 전압 레벨에 따라 인버터 회로(3)의 교류 출력전압을 제어하여, 제1∼제n의 냉음극 형광 방전관(11∼1n)을 안정성이 높게 점등할 수 있다.
도 1에 도시한 실시형태의 방전등 점등장치에서는, 예를 들면 제1 냉음극 형광 방전관(11)의 한쪽 또는 쌍방의 단자와 제1 출력 커넥터(141,151)의 접촉 불량에 의해 아크 방전이 발생하고, 제1 냉음극 형광 방전관(11)에 흐르는 관전류(I1)가 감소하면, 제2∼제n 냉음극 형광 방전관(12∼1n)에 흐르는 각 관전류(I2∼In)가 증가하기 때문에, 각 냉음극 형광 방전관(11∼1n)에 흐르는 각 관전류(I1∼In)의 최대치 (IMAX)와 최소치(IMIN)의 차는 증대한다. 또한, 아크 방전이 발생하는 회로에 접속된 제1 냉음극 형광 방전관(11)의 관전류(I1)의 감소량이 작을 때에도, 제2∼제n의 냉음극 형광 방전관(12∼1n)의 각 관전류(I2∼In)는 반대로 증가하기 때문에, 각 관전류(I1∼In)의 최대치(IMAX)와 최소치(IMIN)의 차가 확대한다. 따라서, 제1∼제n 관전류 검출 회로(51∼5n)에 의해 검출된 제1∼제n 냉음극 형광 방전관(I1∼In)의 각 관전류(I1∼In)의 최대치(IMAX)에 대응하는 최대 검출 전압(VIMX) 및 최소치(IMIN)에 대응하는 최소 검출 전압(VIMN)을 각각 최대치 검출 회로(6) 및 최소치 검출 회로(7)에 의해 고정밀도로 검출하고, 비교 회로(8) 내의 차동증폭 회로(10)로부터 출력되는 최대 검출 전압(VIMX)과 최소 검출 전압(VIMN)과의 차전압 신호(VDF)의 전압 레벨이 기준 전원(12)의 기준 전압(VR1)을 넘었을 때, 콤퍼레이터(11)로부터 정지 신호 (VCP)를 출력하여 제어 회로(9)에 의해 인버터 회로(3)의 동작을 정지한다. 이와 같이, 1개 또는 복수개의 냉음극 형광 방전관(11)의 접속 불량에 의해 발생하는 아크 방전을 확실하게 검출하여, 인버터 회로(3)로부터 각 냉음극 형광 방전관(11∼1n)에의 전력 공급을 정지하는 것에 의해, 아크 방전에 의한 접속 불량 부분의 과열로부터 냉음극 형광 방전관(11)을 확실하게 보호할 수 있다. 또한, 아크 방전이 발생하는 회로에 접속된 냉음극 형광 방전관(11)에서, 그 관전류(I1)의 값이 일시적으로 변동해도, 비교 회로(8)로부터 출력되는 정지 신호(VCP)의 전압 레벨이 유지 회로 (13)에 의해 유지되기 때문에, 제어 회로(9)에 의해 인버터 회로(3)가 재기동되지 않고, 인버터 회로(3)로부터 각 트랜스(41∼4n)를 통하여 각 냉음극 형광 방전관(11∼1n)에의 전력 공급 정지상태가 유지된다. 이 때문에, 아크 방전이 계속적으로 발생하지 않고, 접속 불량 부분의 과열에 의한 발연 발화 사고를 회피할 수 있다.
도 1에 도시한 방전등 점등장치는 변경이 가능하다. 예를 들면, 도 2에 도시한 다른 실시형태의 방전등 점등장치는, 제1∼제n 냉음극 형광 방전관(11∼1n)의 전부 또는 일부의 관전류(I1∼In)의 소실을 검출하여 검출 신호(VDT)를 발생하는 단선 검출 회로로서의 단선 검출용 AND 게이트(16)를 도 1에 도시한 제1∼제n 관전류 검출 회로(51∼5n)와 제어 회로(9)의 사이에 설치한 것이다. 제1∼제n 관전류 검출 회로(51∼5n)의 각 출력 단자는, 단선 검출용 AND 게이트(16)의 각 입력 단자에 각각 접속되고, 단선 검출용 AND 게이트(16)의 출력 단자는, 도 8의 2점 쇄선으로 도시한 바와 같이, 제어 회로(9) 내의 AND 게이트(97)의 입력 단자에 접속된다. 기타 구성은, 도 1에 도시한 방전등 점등장치와 대략 동일하다.
도 2에 도시한 실시형태의 방전등 점등장치에서는, 예를 들면 제1∼제n의 트랜스(41∼4n)의 각 2차 권선(4b1∼4bn)과 제1∼제n 냉음극 형광 방전관(11∼1n)의 전부 또는 일부의 단자와의 접속이 절단되면, 제1∼제n 냉음극 형광 방전관(11∼1n)의 전부 또는 일부의 관전류(I1∼In)가 소실하기 때문에, 제1∼제n 관전류 검출 회로(51∼5n)의 전부 또는 일부의 검출 전압(VI1∼VIn)이 대략 영이 되어, 단선 검출용 AND 게이트(16)가 저전압(L) 레벨의 검출 신호(VDT)를 발생한다. 이 때, 제어 회로 (9) 내의 AND 게이트(97)로부터 인버터 회로(3)에 저전압(L) 레벨의 구동 신호(VDR)가 부여되므로, 인버터 회로(3)의 동작이 정지한다. 이 때문에, 제1∼제n 냉음극 형광 방전관(11∼1n)에 고전압을 인가할 때에 단선 부분의 아크 방전의 발생을 회피할 수 있다.
본 발명의 상기 각 실시형태는, 여러 가지 변경이 더 가능하다. 예를 들면 상기의 각 실시형태에서는, 제1∼제n의 냉음극 형광 방전관(11∼1n)의 각 관전류(I1∼In)의 최대치(IMAX) 및 최소치(IMIN)를 각각 최대치 검출 회로(6) 및 최소치 검출 회로(7)로 정밀도 높게 검출하고, 최대 관전류치(IMAX)와 최소 관전류치(IMIN)의 차전류치를 차동증폭회로(10)로 산출했지만, 최대 관전류치(IMAX)와 최소 관전류치(IMIN)의 덧셈값, 곱셈값 또는 나눗셈값중의 어느 하나 또는 복수의 연산치를 산출해도 좋다. 이 경우는, 차동증폭 회로(10) 대신에, 가산 회로, 적산 회로, 제산 회로 또는 이들 복합 연산 회로 등의 여러 가지 연산 회로를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 상기의 각 실시형태에서는, 제1∼제n 냉음극 형광 방전관(11∼1n)에 흐르는 각 관전류(I1∼In)의 양의 반주기만을 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)로 검출했지만, 각 관전류(I1∼In)의 전체주기에 걸쳐서 제1∼제n의 관전류 검출 회로(51∼5n)로 검출하도록 구성해도 좋다. 또한, 상기의 각 실시형태에서는, 방전등으로서 냉음극 형광 방전관(CCFL)을 사용했지만, 그 이외의 각종 방전등(수은등, 네온 방전관, HID 램프 등)도 사용하는 것이 가능하다.
본 발명은, 고출력 전압의 단일의 인버터 회로에 의해, 복수의 방전등을 동시에 점등하는 방전등 점등장치에 유효하게 적용할 수 있다.

Claims (4)

  1. 직류 전원으로부터의 직류 전압을 교류 전압으로 변환하는 인버터 회로와, 상기 인버터 회로의 출력 단자에 대해서 각각 병렬로 접속된 복수의 1차 권선 및 복수의 2차 권선을 가진 복수의 트랜스와, 상기 복수의 2차 권선의 각각에 접속된 방전등을 구비한 방전등 점등장치에 있어서,
    상기 각 트랜스의 2차 권선과 상기 각 방전등의 사이에 각각 설치되어 상기 각 방전등에 흐르는 관전류를 검출하고, 검출한 상기 관전류에 대응하는 레벨의 검출 신호를 출력하는 관전류 검출 회로와,
    상기 관전류 검출 회로로부터의 검출 신호의 최대치를 검출하는 최대치 검출 회로와,
    상기 관전류 검출 회로로부터의 검출 신호의 최소치를 검출하는 최소치 검출 회로와,
    상기 최대치 검출 회로의 최대치와 상기 최소치 검출 회로의 최소치의 덧셈값, 뺄셈값, 곱셈값 또는 나눗셈값중의 어느 하나 또는 복수의 연산치를 산출하여, 상기 연산치가 소정치를 넘었을 때에, 정지 신호를 출력하는 비교 회로와,
    상기 비교 회로가 정지 신호를 출력했을 때에, 상기 인버터 회로의 동작을 정지하는 제어 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 방전등 점등장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 비교 회로는, 상기 최대치 검출 회로의 최대치와 상기 최소치 검출 회로의 최소치의 차신호를 출력하는 차동증폭 회로와, 상기 차동증폭 회로의 출력 신호의 전압 레벨이 소정의 기준 전압을 넘었을 때에, 정지 신호를 출력하는 콤퍼레이터를 구비한 방전등 점등장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 비교 회로와 상기 제어 회로의 사이에 설치되어 리셋 단자에 리셋 신호가 부여될 때까지, 상기 비교 회로로부터 부여되는 상기 정지 신호의 전압 레벨을 유지하는 유지 회로를 구비하고,
    상기 제어 회로는, 상기 유지 회로가 상기 비교 회로의 정지 신호의 전압 레벨을 유지하는 동안, 상기 인버터 회로의 동작을 정지하는 방전등 점등장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중의 어느 한 항에 있어서, 복수의 상기 방전등의 전부 또는 일부의 관전류의 소실을 검출하여 검출 신호를 발생하는 단선 검출 회로를 구비하고,
    상기 제어 회로는, 상기 단선 검출 회로가 상기 검출 신호를 발생했을 때, 상기 인버터 회로의 동작을 정지하는 방전등 점등장치.
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