KR20090084165A

KR20090084165A - 웨이퍼 에지 연마장치

Info

Publication number: KR20090084165A
Application number: KR1020080010183A
Authority: KR
Inventors: 이경무; 정환연
Original assignee: 주식회사 실트론
Priority date: 2008-01-31
Filing date: 2008-01-31
Publication date: 2009-08-05
Also published as: KR100927298B1

Abstract

본 발명은 웨이퍼 에지 연마장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 웨이퍼를 연마하는 도중에 발생하는 진동 또는 지면(바닥)으로부터 전달되는 진동을 최소화할 수 있는 웨이퍼 에지 연마장치에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 에지 연마장치는, 베이스 평판; 베이스 평판에 설치되고 웨이퍼의 에지를 그라인딩하는 컬럼부; 및 베이스 평판을 지지하는 지지부;를 포함하고, 상기 지지부는, 상부부재; 하부부재; 및 상부부재와 하부부재 사이에 설치되고, 상부부재 및 하부부재의 두께보다 작은 두께를 가지고, 상부부재와 하부부재보다 작은 강성을 가지는 완충부재;를 포함한다.

웨이퍼, 에지, 연마, 진동

Description

웨이퍼 에지 연마장치{Apparatus for grinding of wafer edge}

본 발명은 웨이퍼 에지 연마장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 웨이퍼를 연마하는 도중에 발생하는 진동 또는 지면(바닥)으로부터 전달되는 진동을 최소화할 수 있는 웨이퍼 에지 연마장치에 관한 것이다.

일반적으로, 실리콘 웨이퍼를 제조하는 공정 중의 하나인 에지(edge) 연마공정에서는 에지 연마장치(edge grinder)가 널리 사용되고 있다. 에지 연마공정은 충격에 의하여 칩(chip)이 발생되거나 파손(broken)되는 것을 방지하고 epitaxial 적층 공정에서 크라운(crown) 현상을 방지하기 위한 목적을 가진다.

에지 연마장치는 가공 스테이지(stage) 위에 웨이퍼를 척킹한 후, 스핀들(spindle)에 장착된 가공 휠을 회전시켜 웨이퍼의 에지를 둥글게 연마한다. 가공 휠의 둘레에는 그루브(groove)가 형성되어 있는데, 웨이퍼의 에지가 상기 그루브에 접촉되면서 둥글게 가공된다.

최근에는 반도체 공정의 디자인 룰(design rule)이 미세화 됨에 따라 웨이퍼의 품질에 대한 요구수준이 높아지고 있으며, 특히 에지의 품질에 대한 요구수준이 높아지고 있는 실정이다.

웨이퍼 에지의 품질은 에지 연마장치나 가공 휠에 의하여 영향을 받기도 하지만, 진동에 의하여 크게 영향을 받는다. 즉, 에지 연마장치의 가공 스테이지나 스핀들의 회전시에 발생하는 진동, 또는 지면으로부터 전달되는 진동에 영향을 받는다. 상기 진동은 에지의 베벨(bevel) 길이 및 거칠기(roughness)에 악영향을 미친다.

따라서, 이러한 진동을 최소화할 수 있는 에지 연마장치의 개발이 필요한 실정이다.

본 발명은 상기 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼를 연마하는 도중에 발생하는 진동 또는 지면(바닥)으로부터 전달되는 진동을 최소화할 수 있는 웨이퍼 에지 연마장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 연마장치는, 베이스 평판; 베이스 평판에 설치되고 웨이퍼의 에지를 그라인딩하는 컬럼부; 및 베이스 평판을 지지하는 지지부;를 포함하고, 상기 지지부는, 상부부재; 하부부재; 및 상부부재와 하부부재 사이에 설치되고, 상부부재 및 하부부재의 두께보다 작은 두께를 가지고, 상부부재와 하부부재보다 작은 강성을 가지는 완충부재;를 포함한다.

바람직하게, 두 개의 컬럼부가 상기 베이스 평판에 설치된다.

여기에서, 상부부재와 하부부재는 금속으로 이루어지고, 완충부재는 방진고 무로 이루어진 것이 바람직하다.

바람직하게, 컬럼부의 양측에는 컬럼부를 지지하는 지지부재가 설치된다.

바람직하게, 웨이퍼 에지 연마장치는 공압/대기 유니트를 더 구비하고, 공압/대기 유니트를 지지하는 기둥부재의 둘레에는 기둥부재를 지지하는 서포트부재가 설치된다.

바람직하게, 상기 장치는, 베이스 평판의 상측에 설치되어 웨이퍼 에지 연마장치를 제어하는 콘트롤 박스; 및 콘트롤 박스를 지지하도록 베이스 평판에 설치된 제1 프레임;을 포함하고, 제1 프레임의 내부에는 길이 방향을 따라 중공이 형성되고, 제1 프레임의 상부의 단면두께(D2)는 제1 프레임의 하부의 단면두께(D3)보다 얇다.

본 발명인 웨이퍼 에지 연마장치는 웨이퍼를 연마하는 도중에 발생하는 진동 또는 지면(바닥)으로부터 전달되는 진동을 최소화할 수 있다.

이하, 첨부된 도면들을 참조로 본 발명에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 실시예들에 불 과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

본 발명은 웨이퍼 에지 연마장치가 작동되는 도중에 발생하는 진동 또는 지면(바닥)으로부터 전달되는 진동을 최소화하기 위하여 구조를 개선한 것에 특징이 있다. 즉, 일반적인 웨이퍼 에지 연마장치에서 지지부, 컬럼부, 공압/대기 유니트, 제1 프레임 등의 구조를 개선하여 진동을 최소로 한 것이다.

아래에서 설명되고 도면에 도시된 장치는 국내의 '우일파인테크社'에서 제조한 모델명 'WEG-1202N'인 웨이퍼 에지 연마장치이다. 본 발명은 상기 모델명 'WEG-1202N'의 구조를 개선한 것이고, 모델명 'WEG-1202N'는 시중에서 판매되고 있어서 당업자가 용이하게 입수할 수 있으므로 각 부분의 구조와 기능에 관해서는 간단히 설명을 하고, 개선된 부분(즉, 본 발명과 관계된 부분)에 대해서만 자세히 설명하기로 한다.

한편, 상기 웨이퍼 에지 연마장치는 두 개의 컬럼부를 포함하는데, 두 개의 컬럼부가 동시에 작동되는 경우에는 각각의 컬럼부에서 발생된 진동이 서로 상쇄되기도 하기 때문에 하나의 컬럼부만이 설치된 경우에 비하여 특이한 진동 형태를 보여준다.

도 1은 일반적인 웨이퍼 에지 연마장치의 진동을 수치해석하기 위하여 요소(element)로 구획한 것을 보여주는 사시도이고, 도 2는 상기 웨이퍼 에지 연마장치를 보여주는 사시도이다. 도 2에서는 도시(圖示)와 이해의 편의를 돕기 위하여 콘트롤 박스와 가공 케이스를 생략하였다.

도면을 참조하면, 웨이퍼 에지 연마장치(100)는 베이스 평판(10)과, 베이스 평판(10)에 설치된 두께 측정부(20)와, 두께 측정부(20)의 양측에 각각 설치된 이송 로봇(25)과, 이송 로봇(25)에 의하여 이송된 웨이퍼(미도시)를 고정하는 척킹부(30)와, 스핀들(spindle)(41a)(41b)(41c)(41d)이 설치된 컬럼(column)부(40)와, 웨이퍼를 세척하고 건조하는 와시/드라이부(50)와, 장치(100)를 제어하는 콘트롤 박스(60)와, 공압/대기 유니트(65)를 구비한다.

웨이퍼가 수납된 카세트(미도시)가 두께 측정부(20)의 전방(前方)에 위치되면 로봇암(미도시)이 웨이퍼를 인출하여 두께 측정부(20)로 이동시킨다. 두께 측정부(20)는 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼의 두께를 측정한다.

이어서, 이송로봇(25)이 웨이퍼를 두께 측정부(20)로부터 척킹부(30)의 가공 스테이지(31)로 옮긴다. 척킹부(30)는 웨이퍼를 진공흡착한 후 웨이퍼를 회전시킨다. 척킹부(30)와 이송로봇(25)은 두께 측정부(20)의 양측에 각각 위치한다.

컬럼부(40)의 스핀들(41a)(41b)(41c)(41d)에는 각각 가공 휠(미도시)이 설치되어 있는데, 가공 휠은 스핀들(41a)(41b)(41c)(41d)에 의하여 회전되면서 에지를 연마한다. 즉, 가공 휠의 외주에는 그루브(groove)가 형성되어 있는데, 상기 그루브에 에지가 접촉되어 연마된다. 컬럼부(40)는 두께 측정부(20)의 양측에 각각 위치한다.

연마가 완료된 웨이퍼는 와시/드라이부(50)에서 세척되고 건조된다. 냉각액(coolant)이 와시/드라이 프레임(52)에 주입되어 웨이퍼의 세척이 이루어진다. 세척과 건조가 완료된 웨이퍼는 로봇암(미도시)에 의하여 상기 카세트(미도시)에 다시 수납된다.

이러한 장치(100)의 진동 특성을 분석하기 위하여 수치해석을 하였다. 도 1에 나타난 바와 같이, 'ANSYS'라는 상용 프로그램을 이용하여 장치(100)를 요소(element)로 구획한 후, 수치해석을 수행하여 각 구성요소의 고유 주파수(고유 진동수)를 구하였다. 아래의 표 1은 장치(100)에 구비된 각 구성요소의 고유 주파수를 나타낸다.

구성요소	고유 주파수	작동속도
지지부(12)	6, 11, 12, 33, 44
베이스 평판(10)	59, 216
제1,2,3스핀들(41a)(41b)(41c)	264, 273, 630, 623	제1스핀들(41a): 2500Hz 제2스핀들(41b): 1333Hz 제3스핀들(41c): 600Hz
제4 스핀들(41d)	272, 274, 341, 385	제4스핀들(41d): 133Hz
척킹부(30)	303, 324, 331, 369, 654, 702	13Hz
와시/드라이부(50)	13, 22, 29, 357, 480, 517, 587, 607	33Hz
컬럼부(40)	67, 77, 81, 143, 265, 273, 433, 623
제1 프레임(91)	41, 143, 151, 153, 288, 345, 406, 435, 490
제2 프레임(92)	92, 96, 97, 103, 112, 286, 294, 306, 346, 375, 395
제3 프레임(93)	194, 195, 486
제4 프레임(94)	238, 257, 500, 528, 533, 545, 654
제5 프레임(95)	50, 51, 80, 81, 147, 280, 281, 390, 391, 405, 566
공압/대기 유니트(65)	189

상기 장치(100)의 구성요소 중에서 진동원(excitation source)은 제1,2,3,4 스핀들(41a)(41b)(41c)(41d), 척킹부(30), 와시/드라이부(50), 지면(바닥)이다. 표 1에 나타난 바와 같이, 일반적인 기계 구조물에 비하여 고유주파수가 낮은데, 이것은 지지부(12)의 강성이 작기 때문이다.

도 3a는 상기 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 지지부를 보여주는 도면이다.

지지부(12)는 방진고무(12b)와, 방진고무(12b) 위에 적층된 스틸부재(12a)를 포함한다. 방진고무(12b)는 지면(바닥)으로부터 전달되는 진동을 차단하기 위해 설치된다. 방진고무(12b)의 두께(t1)는 10t이다. 방진고무(12b)는 지면의 진동이 장치(100)로 전달되는 것을 차단하는 데에는 효과적이지만, 지지부(12)의 강성을 작게 하여 장치(100)의 고유 진동수(고유 주파수)를 작게 한다. 따라서, 지면의 진동 주파수가 낮거나 장치(100)의 구성요소 중에서 회전되는 구성요소의 회전주파수가 낮은 경우에 공진이 유발되어 장치(100)가 크게 진동될 수 있다.

도 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치의 지지부를 보여주는 도면이다. 지지부(14)는 상부부재(14a)와, 하부부재(14c) 및, 상부부재(14a)와 하부부재(14c) 사이에 설치된 완충부재(14b)를 포함한다.

완충부재(14b)는 상부부재(14a) 및 하부부재(14c)의 두께(t3)보다 작은 두께(t2)를 가지고, 상부부재(14a)와 하부부재(14c)보다 작은 강성을 가진다. 강성이 큰 부재(14a)(14c) 사이에 강성이 작은 완충부재(14b)를 끼워 넣으면 강성이 증가되어 공진을 방지할 수 있음과 동시에 진동 흡수도 가능하게 된다. 바람직하게, 상부부재(14a)와 하부부재(14c)는 금속 예를 들어, 스틸로 이루어지고, 완충부재(14b)는 방진고무로 이루어진다.

한편, 지지부(14)의 강성 증가로 인하여 장치의 고유 주파수가 증가하게 되면 각 구성요소와 공진을 일으킬 수도 있다. 수치해석 결과, 상부부재(14a) 및 하부부재(14c)가 30t의 두께를 가지고, 완충부재(14b)가 0.3t의 두께를 가지면 지지부(14)의 강성이 증가함과 동시에 공진을 방지할 수 있는 것으로 확인되었다.

도 4a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 가공케이스를 보여주는 사시도이고, 도 4b는 상기 가공케이스의 다리를 보여주는 단면도이다.

가공케이스(32)는 척킹부(30)에 구비된다. 가공케이스(32)는 웨이퍼가 가공 휠과 접촉되어 가공될 경우에 가공부위에 연삭수를 공급하는 노즐이 설치되는 곳이다. 또한, 가공케이스(32)는 가공에 사용된 연삭수가 한 곳으로 배출되도록 설계된다.

가공케이스(32)의 다리(32a)는 단면이 세로(S1) 19mm이고 가로(S2) 11mm이다. 가공케이스(32)는 13Hz의 고유 주파수를 가지는데, 이 고유주파수는 척킹부(30)의 회전주파수와 공진하게 된다. 가공케이스(32)의 진동은 주로 다리(32a)의 벤딩(bending)에 의한 것이다.

도 4c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 가공 케이스의 다리를 보여주는 단면도이다. 상기 다리(33)는 세로(S3) 23mm, 가로(S4) 17mm의 단면을 가진다. 수치해석 결과, 다리(33)가 상기 치수를 가지면 척킹부(30) 뿐만 아니라 다른 구성요소와의 공진도 방지할 수 있는 것으로 확인되었다.

도 5a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 와시/드라이 프레임을 보여주는 사시도이고, 도 5b는 상기 와시/드라이 프레임의 다리를 보여주는 단면도이다.

와시/드라이 프레임(52)은 와시/드라이부(50)에 구비된다. 와시/드라이 프레임(52)의 다리(52a)는 단면이 세로(k1) 19mm이고 가로(k2) 11mm이다. 와시/드라이 프레임(52)은 13Hz, 30Hz의 고유주파수를 가지는데, 이 고유주파수는 각각 척킹부(30)의 회전주파수 및 와시/드라이부(50)의 회전 주파수와 공진할 수 있다.

도 5c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 와시/드라이 프레임의 다리를 보여주는 단면도이다. 상기 다리(53)의 단면은 세로(k3) 22mm, 가로(k4) 12.5mm이다. 수치해석 결과, 다리(53)가 상기 치수를 가지면 척킹부(30) 및 와시/드라이부(50)와의 공진을 방지할 수 있는 것으로 확인되었다.

도 6a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 컬럼부를 보여주는 사시도이고, 도 6b는 상기 장치에 구비된 공압/대기 유니트를 보여주는 사시도이다. 공압/대기 유니트(65)에는 외부로부터 에어가 공급되며, 공급된 에어를 일정한 압력으로 장치(100)에 공급할 수 있도록 압력제어기(미도시)와 수분/기름을 제거하는 레규레이터(regulator)(미도시)가 설치된다. 또한, 에어압력이 일정하지 않거나 에어가 공급되지 않는 경우에 장치(100)의 작동을 정지시키는 센서(미도시)가 부착되어 있다.

컬럼부(40)는 스핀들(41a)(41b)(41c)(41d)과, 스핀들(41a)(41b)(41c)(41d)에 장착된 가공 휠(미도시)을 구비한다. 컬럼부(40)의 고유 주파수는 67, 77, 81, 143, 265 등이고, 이러한 고유주파수 중 143Hz에서 콘트롤 박스(65)의 제1 프레임(91)과 공진한다.

도 6c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 컬럼부를 보여주는 사시도이고, 도 6d는 상기 장치에 구비된 공압/대기 유니트를 보여주는 사시도이다.

컬럼부(43)는 수직부재(43a)의 양측에 설치된 지지부재(43b)를 구비한다. 지지부재(43b)는 컬럼부(43)의 진동을 억제하고 강성을 증가시킨다. 또한, 공압/대기 유니트(67)는 기둥부재(67a)를 서로 연결하는 평판(65a)을 구비하지 않고, 기둥부재(67a)의 둘레에 설치된 서포트부재(67b)를 구비한다. 서포트부재(67b)는 기둥부재(67a)의 각 면에 하나씩 설치되어 기둥부재(67a)를 지지한다. 서포트부재(67b)는 직삼각형 형태를 가진다.

수치해석 결과, 컬럼부(43)와 공압/대기 유니트(67)가 상기 구조를 가지면 제1 프레임(91)과의 공진을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 다른 구성요소와의 공진도 방지할 수 있음을 확인하였다.

도 7a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 제1 프레임을 보여주는 단면도이다. 제1 프레임(91)은 베이스 평판(10)과 콘트롤 박스(65)를 연결하도록 설치되어 콘트롤 박스(65)를 지지한다. 제1 프레임(91)에는 길이 방향을 따라 중공이 형성되어 있다. 제1 프레임(91)의 단면두께(D1)는 3t이다. 이러한 제1 프레임(91)은 컬럼부(40)와 공진할 수 있다.

도 7b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 제1 프레임을 보여주는 정면도이고, 도 7c는 상기 제1 프레임의 상부 단면도이며, 도 7d는 상기 제1 프레임의 하부 단면도이다.

제1 프레임(91)의 진동은 벤딩(bending)에 의한 것이므로 제1 프레임(91)의 강성을 증가시키면 진동을 줄일 수 있다. 제1 프레임(97)은 대략 중앙을 중심으로 하부의 단면두께(D3)가 상부의 단면두께(D2) 보다 두껍다. 하부의 단면두께(D3)를 상부의 단면두께(D2) 보다 두껍게 함으로써 벤딩에 의한 진동을 줄일 수 있다.

바람직하게, 하부의 단면두께(D3)는 10t이고 상부의 단면두께(D2)는 5t이다. 수치해석 결과, 제1 프레임(97)이 상기 치수를 가지면 컬럼부(40) 뿐만 아니라 다른 구성요소와의 공진도 방지할 수 있는 것으로 확인되었다.

이와 같이, 지지부(14), 가공 케이스의 다리(33), 와시/드라이 프레임, 컬럼부(43), 공압/대기 유니트(67), 제1 프레임(97)의 구조를 개선한 결과 진동의 99%가 소멸되고 스핀들(41a)(41b)(41c)(41d)의 진동크기가 0.01μm 수준으로 억제됨을 확인하였다.

도 1은 일반적인 웨이퍼 에지 연마장치의 진동을 수치해석하기 위하여 요소(element)로 구획한 것을 보여주는 사시도.

도 2는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치를 보여주는 사시도.

도 3a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 지지부를 보여주는 도면.

도 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치의 지지부를 보여주는 도면.

도 4a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 가공케이스를 보여주는 사시도.

도 4b는 도 4a의 가공케이스에 구비된 다리를 보여주는 단면도.

도 4c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 가공 케이스의 다리를 보여주는 단면도.

도 5a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 와시/드라이 프레임을 보여주는 사시도.

도 5b는 도 5a의 와시/드라이 프레임에 구비된 다리를 보여주는 단면도.

도 5c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 와시/드라이 프레임의 다리를 보여주는 단면도.

도 6a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 컬럼부를 보여주는 사시도.

도 6b는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 공압/대기 유니트를 보여주는 사시도.

도 6c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 컬럼부를 보여주는 사시도.

도 6d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 공압/대기 유니트를 보여주는 사시도.

도 7a는 도 1의 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 제1 프레임을 보여주는 단면도.

도 7b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마장치에 구비된 제1 프레임을 보여주는 정면도.

도 7c는 도 7b의 제1 프레임의 상부 단면도.

도 7d는 도 7b의 제1 프레임의 하부 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 베이스 평판 12, 14 : 지지부

20 : 두께 측정부 25 : 이송 로봇

30 : 척킹부 40, 43 : 컬럼부

41a, 41b, 41c, 41d : 스핀들 50 : 와시/드라이부

60 : 콘트롤 박스 65, 67 : 공압/대기 유니트

91 : 제1 프레임 100 : 웨이퍼 에지 연마장치

Claims

베이스 평판;

베이스 평판에 설치되고 웨이퍼의 에지를 그라인딩하는 컬럼부; 및

베이스 평판을 지지하는 지지부;를 포함하고,

상기 지지부는,

상부부재;

하부부재; 및

상부부재와 하부부재 사이에 설치되고, 상부부재 및 하부부재의 두께보다 작은 두께를 가지고, 상부부재와 하부부재보다 작은 강성을 가지는 완충부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 연마장치.
제1항에 있어서,

두 개의 컬럼부가 상기 베이스 평판에 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 연마장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상부부재와 하부부재는 금속으로 이루어지고, 완충부재는 방진고무로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 연마장치.
제1항에 있어서,

컬럼부의 양측에는 컬럼부를 지지하는 지지부재가 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 연마장치.
제1항에 있어서,

웨이퍼 에지 연마장치는 공압/대기 유니트를 더 구비하고,

공압/대기 유니트를 지지하는 기둥부재의 둘레에는 기둥부재를 지지하는 서포트부재가 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 연마장치.
제1항에 있어서,

베이스 평판의 상측에 설치되어 웨이퍼 에지 연마장치를 제어하는 콘트롤 박스; 및

콘트롤 박스를 지지하도록 베이스 평판에 설치된 제1 프레임;을 포함하고,

제1 프레임의 내부에는 길이 방향을 따라 중공이 형성되고, 제1 프레임의 상부의 단면두께(D2)는 제1 프레임의 하부의 단면두께(D3)보다 얇은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 연마장치.