KR20090077451A - 금속 커패시터 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 336
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 336
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 75
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 69
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Chemical compound [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
Description
Claims (33)
- 일면에 다수개의 홈이 형성된 금속부재와,상기 금속부재에 형성되는 금속산화막과,상기 다수개의 홈이 채워지도록 상기 금속산화막에 형성되는 매립전극부재와,상기 매립전극부재와 상기 금속산화막에 형성되어 금속부재와 매립전극부재를 절연시키는 절연막으로 구비됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 금속부재는 포일이나 판 형상으로 이루어지며, 그 재질은 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 지르코늄(Zr) 및 티탄늄(Ti)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 금속부재에 형성된 다수개의 홈은 원형 홈이나 다각형 홈으로 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 금속부재는 전극인출부가 하나 이상 더 구비되어 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 금속산화막은 상기 금속부재의 전면에 형성되거나 다 수개의 홈이 형성된 일면에 형성되며, 그 재질은 알루미나(Al2O3), 산화 니오븀(Nb2O5), 니오브 일산화물(NbO), 산화 탄탈(Ta2O5), 산화 지르코늄(ZrO2) 및 산화 티탄늄(TiO2)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 매립전극부재는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 코발트(Co), 루테늄(Ru) 및 금(Au)중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 금속산화막과 상기 매립전극부재 사이에는 금속부재에 형성된 다수개의 홈에 매립전극부재가 매립되어 형성되도록 하기 위해 시드전극막이 더 구비되며,상기 시드전극막은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 코발트(Co), 루테늄(Ru) 및 금(Au)중 하나가 적용됨을 특징을 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 금속부재와 상기 매립전극부재는 각각 다수개의 제1외부전극이나 다수개의 제2외부전극이 더 구비되어 연결되며,상기 다수개의 제2외부전극중 하나는 애노드 전극이고 나머지 하나는 캐소드 전극임을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 금속부재는 몰딩부재로 밀봉되며, 상기 몰딩부재는 금속부재를 판형과 원통형중 하나의 형상으로 몰딩시키고 상기 원통형으로 몰딩 시 금속부재를 권취한 후 밀봉시킴을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 일면에 다수개의 홈을 형성한 금속부재와, 상기 금속부재에 형성되는 금속산화막과, 상기 다수개의 홈이 채워지도록 상기 금속산화막에 형성되는 매립전극부재와, 상기 매립전극부재와 상기 금속산화막에 형성되어 금속부재와 매립전극부재를 절연시키는 절연막으로 이루어지는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재와;상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 금속부재에 각각 연결되는 다수개의 제1외부전극으로 구성되며,상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재는 매립전극부재가 서로 접하도록 적층되어 병렬 적층됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제10항에 있어서, 상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재를 이루는 금속산화막은 금속부재의 전면에 형성되거나 다수개의 홈이 형성된 일면에 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제10항에 있어서, 상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재는 하나가 애노드 전극이고 나머지 하나는 캐소드 전극인 다수개의 제2외부전극이 연결되며,상기 다수개의 제2외부전극중 하나는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 금속부재에 연결되고 나머지 하는 서로 접하는 매립전극부재에 연결됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제10항에 있어서, 상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 사이에는 접착력을 개선하기 위한 도전성 접착부재가 더 구비되어 설치됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제10항에 있어서, 상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재는 몰딩부재가 더 구비되며,상기 몰딩부재는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재를 판형과 원통형중 하나의 형상으로 몰딩시키고, 상기 원통형으로 몰딩 시 다수개의 단층 금속커패시턴스부재를 권취한 후 밀봉시킴을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 일면에 다수개의 홈을 형성한 금속부재와, 상기 금속부재에 형성되는 금속산화막과, 상기 다수개의 홈이 채워지도록 상기 금속산화막에 형성되는 매립전극부재와, 상기 매립전극부재와 상기 금속산화막에 형성되어 금속부재와 매립전극부재를 절연시키는 절연막으로 이루어지는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재와;상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 매립전극부재에 각각 연결되는 다수개의 제1외부전극으로 구성되며,상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재는 금속부재가 서로 접하도록 적층되어 병렬 적층됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제14항에 있어서, 상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재는 하나가 애노드 전극이면 나머지 하나는 캐소드 전극인 다수개의 제2외부전극이 연결되며,상기 다수개의 제2외부전극중 하나는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 매립전극부재에 연결되고 나머지 하나는 서로 접하는 금속부재에 연결됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 일면에 다수개의 홈을 형성한 금속부재와, 상기 금속부재에 형성되는 금속산화막과, 상기 다수개의 홈이 채워지도록 상기 금속산화막에 형성되는 매립전극부재와, 상기 매립전극부재와 상기 금속산화막에 형성되어 금속부재와 매립전극부재를 절연시키는 절연막으로 이루어지는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재와;상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 매립전극부재에 각각 연결되는 다수개의 제1외부전극으로 구성되며,상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재는 금속부재가 서로 접하도록 적층되어 병렬 적층됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 일면에 다수개의 홈을 형성한 금속부재와, 상기 금속부재에 형성되는 금속산화막과, 상기 다수개의 홈이 채워지도록 상기 금속산화막에 형성되는 매립전극부재 와, 상기 매립전극부재와 상기 금속산화막에 형성되어 금속부재와 매립전극부재를 절연시키는 절연막으로 이루어지는 다수개의 단층 금속 커패시턴스부재중 홀수 번째의 단층 금속 커패시턴스부재의 매립전극부재와 짝수 번째의 단층 금속 커패시턴스부재의 매립전극부재가 서로 접하도록 병렬 적층되는 다수개의 제1병렬적층체와,일면에 다수개의 홈을 형성한 금속부재와, 상기 금속부재에 형성되는 금속산화막과, 상기 다수개의 홈이 채워지도록 상기 금속산화막에 형성되는 매립전극부재와, 상기 매립전극부재와 상기 금속산화막에 형성되어 금속부재와 매립전극부재를 절연시키는 절연막으로 이루어지는 다수개의 단층 금속 커패시턴스부재중 홀수 번째의 단층 금속 커패시턴스부재의 금속부재와 짝수 번째의 단층 금속 커패시턴스부재의 금속부재가 서로 접하도록 병렬 적층되는 다수개의 제2병렬적층체와,상기 다수개의 제1병렬적층체중 첫 번째로 위치한 제1병렬적층체의 홀수 번째의 단층 금속 커패시턴스부재의 금속부재와 상기 다수개의 제2병렬적층체중 마지막 번째로 위치한 제2병렬적층체의 짝수 번째의 단층 금속 커패시턴스부재의 금속부재에 각각 연결되는 다수개의 제1외부전극으로 구성되며,상기 제1병렬적층체의 짝수 번째의 단층 금속 커패시턴스부재의 금속부재와 상기 제2병렬적층체의 홀수 번째의 단층 금속 커패시턴스부재의 매립전극부재가 각각 서로 접하도록 상기 다수개의 제1병렬적층체와 상기 다수개의 제2병렬적층체를 각각 적층하여 직/병렬 적층됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제18항에 있어서, 상기 다수개의 제1병렬적층체는 각각 하나는 애노드 전극 이고 나머지 하나는 캐소드 전극인 다수개의 제2외부전극이 연결되며,상기 다수개의 제2외부전극중 하나는 다수개의 제1병렬적층체의 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 금속부재에 연결되고 나머지 하나는 서로 접하는 매립전극부재에 연결됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제18항에 있어서, 상기 다수개의 제2병렬적층체는 각각 하나는 애노드 전극이고 나머지 하나는 캐소드 전극인 다수개의 제2외부전극이 연결되며,상기 다수개의 제2외부전극중 하나는 다수개의 제2병렬적층체의 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 매립전극부재에 연결되고 나머지 하나는 서로 접하는 금속부재에 연결됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제18항에 있어서, 상기 다수개의 제1병렬적층체와 상기 다수개의 제2병렬적층체 사이에는 각각 도전성 접착부재가 더 구비되어 설치됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제18항에 있어서, 상기 다수개의 제1병렬적층체와 상기 다수개의 제2병렬적층체에 각각 구비되는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재의 금속산화막은 금속부재의 전면에 형성되거나 다수개의 홈이 형성된 일면에 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 일면에 다수개의 홈을 형성한 금속부재와, 상기 금속부재에 형성되는 금속산화막과, 상기 다수개의 홈이 채워지도록 상기 금속산화막에 형성되는 매립전극부재와, 상기 매립전극부재와 상기 금속산화막에 형성되어 금속부재와 매립전극부재를 절연시키는 절연막으로 이루어지는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재와;상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재중 첫 번째와 마지막 번째의 단층 금속커패시턴스부재의 금속부재에 각각 연결되는 다수개의 제1외부전극으로 구성되며,상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재는 각각의 금속부재와 매립전극부재가 서로 접하도록 적층되어 직렬 적층됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제23항에 있어서, 상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재는 하나는 애노드 전극이고 나머지 하나는 캐소드 전극인 다수개의 제2외부전극이 연결되며,상기 다수개의 제2외부전극중 하나는 다수개의 단층 금속커패시턴스부재중 첫 번째 단층 금속 커패시턴스부재의 금속부재에 연결되고 나머지 하나는 마지막 번째 단층 금속 커패시턴스부재의 매립전극부재에 연결됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 제23항에 있어서, 상기 다수개의 단층 금속커패시턴스부재를 이루는 금속산화막은 금속부재의 전면에 형성되거나 다수개의 홈이 형성된 일면에 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터.
- 금속부재의 타면을 수지필름을 이용하여 마스킹하는 과정과,금속부재의 타면이 마스킹되면 DC 식각방법을 이용하여 금속부재의 일면에 다수개의 홈이 배열되도록 형성하는 식각과정과,상기 금속부재에 다수개의 홈이 형성되면 양극산화방법을 이용하여 금속부재에 금속산화막을 형성하는 화성과정과,상기 금속산화막이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 금속부재에 형성된 다수개의 홈이 채워지도록 매립전극부재를 형성하는 과정과,상기 매립전극부재가 형성되면 CVD 방법을 이용하여 매립전극부재와 금속산화막에 절연막을 형성하는 과정으로 구성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 금속부재의 타면을 수지필름을 이용하여 마스킹하는 과정과,금속부재의 타면이 마스킹되면 DC 식각방법을 이용하여 금속부재의 일면에 다수개의 홈이 배열되도록 형성하는 식각과정과,상기 금속부재에 다수개의 홈이 형성되면 양극산화방법을 이용하여 금속부재에 금속산화막을 형성하는 화성과정과,상기 금속산화막이 형성되면 전해 도금이나 무전해 도금방법을 이용하여 다수개의 시드전극막을 매개로 금속부재에 형성된 다수개의 홈이 채워지도록 매립전극부재를 형성하는 과정과,상기 매립전극부재가 형성되면 CVD 방법을 이용하여 매립전극부재와 금속산화막에 절연막을 형성하는 과정과,상기 절연막이 형성되면 금속부재나 매립전극부재에 다수개의 제1외부전극을 연결하는 전극 형성과정과,상기 다수개의 제1외부전극이 연결되면 다수개의 제1외부전극이 외부로 노출되도록 금속부재를 밀봉부재로 밀봉시키는 과정으로 구성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 금속부재의 일면에 다수개의 홈이 배열되도록 형성하는 식각과정에서 다수개의 홈은 각각 원형 홈이나 다각형 홈으로 형성되고 원형 홈으로 형성 시 지름은 1㎚ 내지 100㎛가 되도록 형성되며, 다수개의 홈의 형성 시 AC 식각이나 습식 식각으로 형성됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 금속산화막을 형성하는 화성과정은 금속산화막을 금속부재의 전면에 형성하거나 다수개의 홈이 형성된 일면에 형성함을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 금속산화막을 형성하는 화성과정과 상기 매립전극부재를 형성하는 과정 사이에는 시드전극막을 형성하는 과정이 더 구비되며, 시드전극막의 형성은 CVD 방법, MOCVD 방법 및 MBE 방법중 하나가 적용됨을 특징으로 하 는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 과정과 상기 전극 형성과정 사이에는 도전성 접착부재를 형성하는 과정이 더 구비되며, 상기 도전성 접착부재의 형성은 금속 접착제, 솔더 페이스트, 무전해도금 및 전해도금중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 전극 형성과정에서 금속부재와 매립전극부재에 하나가 애노드 전극이면 나머지 하나는 캐소드 전극인 다수개의 제2외부전극을 연결함을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 금속부재를 밀봉부재로 밀봉시키는 과정은 금속부재를 밀봉 시 몰딩재질이나 내부가 빈 커버부재로 밀봉시킴을 특징으로 하는 금속 커패시터의 제조방법.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080003420A KR100942121B1 (ko) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 금속 커패시터 |
US12/155,770 US8203823B2 (en) | 2008-01-11 | 2008-06-10 | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
TW097121894A TWI419187B (zh) | 2008-01-11 | 2008-06-12 | 金屬電容器及其製造方法(五) |
CNA2008101266755A CN101483100A (zh) | 2008-01-11 | 2008-06-17 | 金属电容器及其制造方法 |
JP2008157790A JP2009170861A (ja) | 2008-01-11 | 2008-06-17 | 金属キャパシタ及びその製造方法 |
DE102008028693.1A DE102008028693B4 (de) | 2008-01-11 | 2008-06-17 | Metallkondensator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080003420A KR100942121B1 (ko) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 금속 커패시터 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090047314A Division KR100958457B1 (ko) | 2009-05-29 | 2009-05-29 | 금속 커패시터 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090077451A true KR20090077451A (ko) | 2009-07-15 |
KR100942121B1 KR100942121B1 (ko) | 2010-02-12 |
Family
ID=40880161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080003420A KR100942121B1 (ko) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 금속 커패시터 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100942121B1 (ko) |
CN (1) | CN101483100A (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7087352B2 (ja) * | 2017-11-22 | 2022-06-21 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサモジュール、フィルタ回路および電力変換器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005079463A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Nec Tokin Corp | 積層型固体電解コンデンサおよび積層型伝送線路素子 |
JP3891304B2 (ja) | 2004-11-08 | 2007-03-14 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4660222B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2011-03-30 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
KR100779263B1 (ko) * | 2007-02-06 | 2007-11-27 | 오영주 | 무극성 금속 전해 커패시터 및 그의 제조방법 |
-
2008
- 2008-01-11 KR KR1020080003420A patent/KR100942121B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-17 CN CNA2008101266755A patent/CN101483100A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100942121B1 (ko) | 2010-02-12 |
CN101483100A (zh) | 2009-07-15 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160128 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200129 Year of fee payment: 11 |