KR20090074358A - 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 질화물계 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 질화물계 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물계 발광 소자의 제조방법에 있어서, 육방정계 결정구조를 가지는 비극성(non-polar) 기판 상에 비극성 성장 방향을 가지는 제1전도성 반도체층, 활성층, 및 제2전도성 반도체층을 포함하는 GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 제1전도성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제2전도성 반도체층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

발광 소자, 비극성, 반도체, LED, 결정.

Description

질화물계 발광 소자 및 그 제조방법{Nitride light emitting device and method of making the same}

본 발명은 질화물계 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 질화물계 발광 소자에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.

이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.

질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2eV)을 가지고 있어, LED를 포함한 고출력 전자부품 소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다.

이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.

이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.

이러한 GaN 계열 물질의 이점들로 인해, GaN 계열의 LED 시장이 급속히 성장하고 있다. 따라서, 1994년에 상업적으로 도입한 이래로 GaN 계열의 광전자장치 기술도 급격히 발달하였다.

상술한 바와 같은 GaN 계열 물질을 이용한 LED의 휘도 또는 출력은 크게, 활성층의 구조, 빛을 외부로 추출할 수 있는 광추출 효율, LED 칩의 크기, 램프 패키지 조립 시 몰드(mold)의 종류 및 각도, 형광물질 등에 의해서 좌우된다.

한편, 이러한 GaN 계열 반도체 성장이 다른 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체보다 어려운 이유 중에 하나는 고품질의 기판, 즉, GaN, InN, AlN 등의 물질의 웨이퍼가 존재하지 않기 때문이다.

따라서 사파이어와 같은 이종 기판 위에 LED 구조를 성장하게 되며, 이때 많은 결함이 발생하게 되고, 이러한 결함들은 LED 성능에 큰 영향을 미치게 되므로, 이러한 결함들을 효과적으로 제어할 필요가 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 비극성 기판 상에 비극성 결정 구조를 가지는 발광 소자를 제공함으로써, 질화물계 발광 소자의 극성에 의하여 발생하는 문제점을 해결하고, 발광 소자의 제조를 보다 용이하게 수행할 수 있는 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제1관점으로서, 본 발명은, 질화물계 발광 소자의 제조방법에 있어서, 육방정계 결정구조를 가지는 비극성(non-polar) 기판 상에 비극성 성장 방향을 가지는 제1전도성 반도체층, 활성층, 및 제2전도성 반도체층을 포함하는 GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 제1전도성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제2전도성 반도체층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제2관점으로서, 본 발명은, 질화물계 발광 소자에 있어서, 육방정계 결정구조를 가지는 비극성(non-polar) 기판과; 상기 비극성 기판 상에 위치하는 비극성 반도체층으로서, 제1전도성 반도체층, 상기 제1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층, 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2전도성 반도체층을 포함하는 GaN 계열 반도체층과; 상기 제1전도성 반도체층 상에 위치하는 제1전극과; 상기 제2전도성 반도체층 상에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 a-면 또는 m-면을 갖는 비극성 기판(non-polar substrate) 상에 비극성을 갖는 a-면 또는 m-면 GaN 계열 반도체 박막을 효율적으로 성장될 수 있어, 보다 고품질의 발광 소자를 제공할 수 있다.

또한, 개개의 소자로 분리를 위하여 GaN 계열 반도체층에 레이저 스크라이빙(scribing)과 같은 물리적인 힘을 가하지 않아도 되므로 반도체층의 손상을 줄일 수 있어, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.

층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 표면과 같은 구성 요소의 일부가 '내부(inner)'라고 표현된다면 이것은 그 요소의 다른 부분들 보다도 소자의 외측으로부터 더 멀리 있다는 것을 의미한다고 이해할 수 있을 것이다.

나아가 '아래(beneath)' 또는 '중첩(overlies)'과 같은 상대적인 용어는 여 기에서는 도면에서 도시된 바와 같이 기판 또는 기준층과 관련하여 한 층 또는 영역과 다른 층 또는 영역에 대한 한 층 또는 영역의 관계를 설명하기 위해 사용될 수 있다.

이러한 용어들은 도면들에서 묘사된 방향에 더하여 소자의 다른 방향들을 포함하려는 의도라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 마지막으로 '직접(directly)'라는 용어는 중간에 개입되는 어떠한 요소가 없다는 것을 의미한다. 여기에서 사용되는 바와 같이 '및/또는'이라는 용어는 기록된 관련 항목 중의 하나 또는 그 이상의 어느 조합 및 모든 조합을 포함한다.

비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.

본 발명의 실시예들은 예를 들어, 사파이어(Al₂O₃)계 기판과 같은 비도전성 기판상에 형성된 질화갈륨(GaN)계 발광 소자를 참조하여 설명될 것이다. 그러나 본 발명은 이러한 구조에 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 실시예들은 도전성 기판을 포함하여 다른 기판을 사용할 수 있다. 따라서 GaP 기판상의 AlGaInP 다이오드, SiC 기판상의 GaN 다이오드, SiC 기판상의 SiC 다이오드, 사파이어 기판상의 SiC 다이오드, 및/또는 GaN, SiC, AlN, ZnO 및/또는 다른 기판상의 질화물계 다이오드 등의 조합이 포함될 수 있다. 더구나 본 발 명은 활성영역은 다이오드 영역의 사용에 한정되는 것은 아니다. 또한 활성영역의 다른 형태들이 본 발명의 일부 실시예들에 따라서 사용될 수도 있다.

GaN 계열의 소자들은 일반적으로 사파이어(Al₂O₃) 기판상에 제조된다. 이는 사파이어 웨이퍼가 GaN 계열의 소자들을 대량 생산하는데 적합한 크기로 상용으로 이용가능하고, 비교적 고품질의 GaN 박막 성장을 지지하며, 광범위한 온도처리 능력 때문이다.

또한, 사파이어는 화학적으로 그리고 열적으로 안정적이며, 고온 제조공정을 가능하게 하는 고융점을 가지고, 높은 결합 에너지(122.4 Kcal/mole)와 높은 유전상수를 갖는다. 화학적으로, 사파이어는 결정성 알루미늄 산화물(Al₂O₃)이다.

이러한 사파이어 기판 상에 성장되는 GaN 계열의 소자들은 다음과 같은 이유 때문에 내재적인 문제점들을 안고 있다. 즉, 사파이어와 GaN 사이의 격자 불일치(lattice mismatch; ~ 16% (in-plane)와 열팽창 계수의 불일치 때문이다(1.2*10^-6/K at 300K). 특히, 이러한 열팽창 계수의 불일치 때문에 전위 밀도(dislocation density)가 10⁸/cm²보다 크게 된다. 따라서, 이러한 격자 결함을 줄이기 위한 방안이 요구된다.

GaN 및 그의 합금들은 육방정계 우르차이트(hexagonal wurtzite) 결정 구조에서 가장 안정적이다. 이러한 결정 구조는 도 1에서 도시하는 바와 같이, 서로에 대하여 120°회전 대칭을 가지고, 수직방향인 c-축에 대하여 모두 수직인 세 개의 동등한 기저면 축들(basal plane axes; a₁, a₂, a₃)로 표시된다.

Ⅲ족 및 질소 원자들은 결정의 c-축을 따라 교대로 c-면(0001)들을 점유한다. 이러한 우르차이트 구조 내에 포함된 대칭 요소들은 Ⅲ족 질화물들이 c-축을 따라서 벌크 자발 분극(bulk spontaneous polarization)을 가지는 것을 나타낸다.

더욱이, 이러한 우르차이트 결정구조는 비-중심대칭(noncentrosymmetric)이므로, 우르차이트 질화물들은 결정의 c-축을 따라서 압전 분극(piezoelectric polarization)을 추가적으로 보일 수 있다.

전자 및 광전자 소자들을 위한 현재의 질화물 기술은 극성의 c-방향을 따라서 성장한 질화물 박막들을 이용한다. 그러나, 강한 압전 및 자발적 분극의 존재로 인하여, Ⅲ족 질화물계 광전자 및 전자 소자들 내의 통상적인 c-면 양자우물 구조들(quantum well structures)은 바람직하지 않은 양자 구속 스타크 효과(quantum-confined Stark effect, QCSE)의 영향을 받는다.

따라서, c-방향을 따른 강한 내부 전기장(built-in electric fields)은 도 2에서와 같이, 에너지 밴드를 휘게 하여 전자 및 홀들을 공간적으로 분리하며, 이에 따라 캐리어 재결합 효율(recombination efficiency)을 제한하고, 진동자 강도를 감소시킬 수 있으며, 또한 적색 편이(red shift) 발광을 야기한다.

GaN 광전자 소자들에서 상기 자발 및 압전 분극 효과를 제거하기 위한 하나의 가능한 방법은 상기 결정의 비극성 면(non-polar plane)들 상에 소자들을 성장시키는 것이다. 이러한 면들은 동일한 수의 Ga와 N 원자들을 포함하며, 전하-중 성(charge-neutral)이다.

더욱이, 계속되는 비극성 면들은 서로 균등하여 전체 결정은 성장방향으로 분극되지 않는다. GaN 결정 구조 내에서 대칭-등가 비극성 면들(symmetry-equivalent non-polar planes)의 두 족들(families)은 집합적으로 a-면들로 알려진 군과 집합적으로 m-면들로 알려진 군이다.

이와 같은 비극성 성장 방향인 a-방향 또는 m-방향을 채용하는 GaN 계열(AlGaInN) 양자 우물 구조들은 우르차이트 질화물 구조들 내에 분극-유발 전기장 효과(polarization-induced electric fields)를 제거하기 위한 효율적인 수단이 될 수 있다.

왜냐하면, 상기 극성 축은 필름의 성장면 내에 놓여져 있고, 이에 따라 양자 우물들의 이종 계면(heterointerfaces)에 평행하기 때문이다.

이와 같은 비극성을 갖는 a-면 또는 m-면 GaN 계열 반도체 박막은 a-면 또는 m-면을 갖는 비극성 기판(non-polar substrate) 상에서 효율적으로 성장될 수 있다.

따라서, 비극성을 갖는 사파이어, SiC 등의 기판 상에 GaN 계열 반도체 박막을 성장시킴으로써, 효율적으로 비극성 GaN 계열 반도체 소자를 제조할 수 있는 것이다.

<제1실시예>

이하, 비극성 사파이어 기판을 이용하여 비극성(non-polar) GaN 계열 발광 소자를 제작하는 단계를 구체적으로 설명한다.

먼저, 도 4와 같이, 패턴(110)이 형성되며, 주 평면이 비극성 m-면인 사파이어 기판(100)을 준비한다. 여기서 주 평면은 사파이어 기판(100)의 가장 넓은 상면 또는 하면을 의미한다.

본 실시예에서는 기판(100)의 표면이 결정구조에서 m-면을 가지는 사파이어 기판(100)을 예를 들어 설명하나, a-면 기판이 이용될 수 있음은 물론이다. 또한, 사파이어 이외에 SiC와 같은 다른 기판이 이용될 수도 있다.

이러한 패턴(110)이 형성된 m-면 사파이어 기판(100) 상에, 도 5에서 도시하는 바와 같이, 발광 소자 구조를 가지는 다층 구조의 GaN 계열 반도체층(200)을 성장시킨다.

이와 같은 반도체층(200)의 성장은 먼저, 기판(100) 상에 저온 버퍼층(210)을 형성하고, 그 위에 차례로 n-형 반도체층(220), 활성층(230), 및 p-형 반도체층(240)을 성장시킬 수 있다. 이와 같이 성장된 GaN 계열 반도체층(200)은 기판(100)과 동일한 결정 구조 방향을 따르게 된다. 즉, m-면 또는 a-면을 가지는 비극성 GaN 계열 반도체층(200)으로 성장된다.

이때, 성장 조건을 조절함에 따라, 도 5에서와 같이, 패턴(110) 상에서만 반도체층(200)의 성장이 이루어질 수 있도록 할 수 있고, 그 반대로 패턴(110) 이외의 부분에 반도체(200)의 성장이 이루어질 수 있도록 조절할 수 있다. 이하, 패턴(110) 상에 반도체층(200)의 성장이 이루어지는 조건을 설명한다.

기판(100) 상에 버퍼층(210)은 530 ℃에서 30 nm의 두께로 성장하였고, 그 위의 반도체층들(220, 230, 240)은 1050 ℃에서 각각의 두께로 성장하였다. 성장을 위한 흐름 압력은 100 torr를 이용하였고, 성장 시간은 60분당 약 3.5 내지 4.3 ㎛의 두께를 갖도록 제어하였다.

이와 같은 상태로 성장했을 때의 표면 사진은 도 6a와 같고, 도 6b 및 도 6c는 각각 성장면을 50배 및 4000배 확대한 UV-micro 및 SEM 사진을 나타내고 있다. 도시하는 바와 같이, 고품질의 반도체층의 성장이 이루어짐을 알 수 있다.

도 5에서와 같이, 패턴(110) 상에서 성장된 각각 구분된 반도체층(200)은 서로 융합되지 않도록 성장 조건이 조절된다. 즉, GaN 계열의 반도체층(200)의 성장 속도를 빠르게 하면 수직 방향으로의 성장 속도는 빠른 반면 수평 방향의 성장 속도는 느리게 형성하여, 합체(Coalescence)가 일어나지 않고 원하는 두께의 GaN 계열 반도체층(200)을 성장할 수 있게 된다.

이와 같이, 서로 구분된 각 반도체층(200)은 소자 분리에 필요한 추가적인 공정들을 제거할 수 있도록 한다.

도 7a와 도 7b에서는 각각 상술한 과정에서 성장된 구분된 반도체층(200)의 SEM 사진을 나타내고 있으며, 도 7b는 평면 사진을 나타내고 있다. 도시하는 바와 같이, 각 셀의 성장이 잘 이루어졌음을 알 수 있다.

이후, 각 반도체층(200)이 성장된 상태에서 수평형 발광 소자를 제작하기 위해서는, 도 8에서와 같이, n-형 반도체층(220)이 드러나도록 식각하여 개구부(250)를 형성한 후에, 이 개구부(250)에 n-형 전극(310)을 형성하고, p-형 반도체층(240) 상에는 p-형 전극(320)을 형성할 수 있다.

이후, 각 소자를 분리하기 위해서는 사파이어 기판(100) 만을 분리하면 되 며, 따라서 GaN 계열 반도체층(200)에 레이저 스크라이빙(scribing)과 같은 물리적인 힘을 가하지 않아도 되므로 반도체층(200)의 손상을 줄일 수 있는 장점이 있다.

또한, 반도체층(200)을 기판(100)으로부터 분리하여 수직형 발광 소자를 제작할 수도 있다.

<제2실시예>

도 9에서 도시하는 바와 같이, 주 평면이 a-평면 또는 m-평면을 갖는 비극성(Non polar) 사파이어 기판(400) 상에 단위 발광 소자 셀의 구분영역을 정의하는 패턴을 가지는 마스크층(420)을 형성한다. 이때, 기판(400)의 마스크층(420) 패턴이 형성될 영역의 외측에 먼저 단위 발광 소자 셀의 형성 영역을 정의하는 홈 패턴(410)을 형성할 수 있다.

이러한 마스크층(420)은 질화막, 산화막, 금속막 등을 이용하여 형성할 수 있고, 특히, SiN, Si₃N₄, 및 SiO₂ 등과 같은 물질로 형성할 수 있다.

이와 같이 마스크층(420) 및 패턴(410) 상에 발광 소자 셀을 이루는 반도체 박막을 성장하면 마스크층(420)이 있는 부분은 반도체 박막이 성장되지 않고, 마스크층(420)이 없는 사파이어 기판(400) 부분에서는 반도체 박막이 성장되어, 도 10과 같은 구조를 이루게 된다.

이때, 제1실시예와 마찬가지로, 성장 조건을 조절하여 마스크층(420)이 없는 부분에서 성장된 반도체층(500)이 서로 합체(Coalescence)가 일어나지 않고 원하는 두께의 GaN 계열 반도체층(500)을 성장할 수 있게 된다.

이러한 반도체층(500)은 차례로 n-형 반도체층(510), 활성층(520), 및 p-형 반도체층(530)이 하측부터 순서대로 위치하는 구조를 가지게 되며, 경우에 따라 n-형 반도체층(510)은 버퍼층(도시되지 않음) 상에 형성될 수도 있다.

이와 같이 성장된 GaN 계열 반도체층(500)은 기판(400)과 동일한 결정 구조 방향을 따르게 된다. 즉, m-면 또는 a-면을 가지는 비극성 GaN 계열 반도체층(500)으로 성장된다.

이후, 각 반도체층(500)이 성장된 상태에서 수평형 발광 소자를 제작하기 위해서는, 도 11에서와 같이, n-형 반도체층(510)이 드러나도록 식각하여 개구부(540)를 형성한 후에, 이 개구부(540)에 n-형 전극(610)을 형성하고, p-형 반도체층(530) 상에는 p-형 전극(620)을 형성할 수 있다.

이후, 각 소자를 분리하기 위해서는 사파이어 기판(400) 만을 분리하면 되며, 따라서 GaN 계열 반도체층(500)에 레이저 스크라이빙(scribing)과 같은 물리적인 힘을 가하지 않아도 되므로 반도체층(500)의 손상을 줄일 수 있는 장점이 있다.

또한, 반도체층(500)을 기판(400)으로부터 분리하여 수직형 발광 소자를 제작할 수도 있다.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.

도 1은 육방정계 결정 구조를 나타내는 개략도이다.

도 2는 분극(polarization)에 의한 에너지 밴드 휨을 나타내는 다이어그램이다.

도 3은 분극이 없을 때의 에너지 밴드를 나타내는 다이어그램이다.

도 4 내지 도 8은 본 발명의 제1실시예를 나타내는 도이다.

도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2실시예를 나타내는 도이다.

Claims (12)

1. 질화물계 발광 소자의 제조방법에 있어서,

   육방정계 결정구조를 가지는 비극성(non-polar) 기판 상에 비극성 성장 방향을 가지는 제1전도성 반도체층, 활성층, 및 제2전도성 반도체층을 포함하는 GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계와;

   상기 제1전도성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와;

   상기 제2전도성 반도체층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 기판 또는 반도체층은 주 평면이 m-평면 또는 a-평면을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 SiC 기판인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
4. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 다수의 음각 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
5. 제 4항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 음각 패턴 상에 주로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
6. 제 5항에 있어서, 상기 음각 패턴 상에 형성된 반도체층은 서로 분리된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
7. 제 4항에 있어서, 상기 음각 패턴 주변의 기판 상에는 마스크층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
8. 질화물계 발광 소자에 있어서,

   육방정계 결정구조를 가지는 비극성(non-polar) 기판과;

   상기 비극성 기판 상에 위치하는 비극성 반도체층으로서, 제1전도성 반도체층, 상기 제1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층, 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2전도성 반도체층을 포함하는 GaN 계열 반도체층과;

   상기 제1전도성 반도체층 상에 위치하는 제1전극과;

   상기 제2전도성 반도체층 상에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
9. 제 8항에 있어서, 상기 기판 또는 반도체층은 주 평면이 m-평면 또는 a-평면을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
10. 제 8항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 SiC 기판인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
11. 제 8항에 있어서, 상기 기판의 반도체층이 성장되는 면에는 음각 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
12. 제 11항에 있어서, 상기 음각 패턴 상에는 상기 제1전도성 반도체층과 사이에 위치하는 버퍼층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.

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