KR20090067982A - 스카핑 장치 및 이를 이용한 슬라브의 표면 처리방법 - Google Patents

스카핑 장치 및 이를 이용한 슬라브의 표면 처리방법 Download PDF

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KR20090067982A
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Abstract

본 발명은 고주파 유도 가열을 이용하여 슬라브의 표면 결합 및/또는 스케일을 제거하는 스카핑 장치 및 이를 이용한 슬라브의 표면 처리방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 스카핑 장치는 이송롤의 어느 일 영역에 배치되어 슬라브의 둘레 면을 감싸도록 구성되며, 슬라브의 표면을 용융시키는 고주파 유도 가열부와; 상기 고주파 유도 가열기의 일 측에 배치되어 고주파 유도 가열기에 의해 용융되는 영역에 대하여 고압의 유체를 분사하는 고압 유체 분사부를 포함하여 구성될 수 있다.
상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 부수적인 마감공정에 의하지 않고서도, 단일 구성으로 이루어지는 스카핑 장치를 통해 스카핑 마크가 발생하지 않도록 슬라브의 표면 결합을 제거할 수 있고, 표면 결함을 제거하기 위한 대상영역에 전체에 대한 표면처리가 균일하게 이루어질 수 있으며, 슬라브의 두께 및/또는 표면의 결함 상태에 따라 슬라브 표면의 용융 정도(깊이 및/또는 속도)의 제어가 가능하다.
슬라브, 표면 결합, 스케일, 스카핑 장치, 고주파 유도 가열

Description

스카핑 장치 및 이를 이용한 슬라브의 표면 처리방법{SCARFING APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SURFACE OF SLAB USING THE SAME}
본 발명은 고주파 유도 가열을 이용하여 슬라브의 표면 결합 및/또는 스케일을 제거하는 스카핑 장치 및 이를 이용한 슬라브의 표면 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 연속 주조 설비에서 주조되는 슬라브(Slab)의 표면은 몰드 오실레이터에 의한 오실레이션 마크(Oscillation Mark), 연속 주조설비를 구성하는 밴딩부에 의한 표면 크랙(Crack), 몰드 파우더 등의 비금속 개재물 및/또는 가스 등의 내부 개재물 등에 의해 결함이 발생한다. 이러한 슬라브 표면 결함은 압연 공정을 통해서는 제거되지 않기 때문에, 열연 및/또는 냉연 압연 후 슬라브(10)의 표면에는 표면 요철 및/또는 줄무늬 흠 등과 같은 다양한 표면결함(11)이 존재하게 된다.
이와 같이 슬라브의 표면에 존재하는 결함을 제거하기 위하여 종래에는 다양한 방식으로 슬라브의 표면에 존재하는 결함을 제거하고 있다. 이러한 슬라브의 표면에 존재하는 결함을 제거하기 위한 일 예는 압연된 슬라브를 야드 장에 옮긴 후 LNG 가스와 산소를 이용하여 결함이 존재하는 슬라브의 표면을 깎아내어 표면결함 을 제거하는 방식이 이용되고 있다. 다른 일 예로는, 결합이 존재하는 슬라브의 표면을 진공하에서 전기적인 아크(Arc)로 용해하여 표면 개질물 및 결함을 제거하는 방식이 제안된바 있다. 또 다른 일 예로는, 연속 주조 설비의 슬라브 절단 장치 앞에 플라즈마 토치(Plasma Torch) 및 회전형 암(Arm)을 구비하여 슬라브의 표면결함을 제거하는 방식이 제안되기도 하였다.
그러나 대부분의 종래 기술에서는 슬라브의 표면결함을 제거하기 위해 LPG 또는 LNG 가스 또는 플라즈마(Plasma) 등과 같이, 연소열로 슬라브의 표면을 가열하기 위하여 일렬로 배열된 노즐을 사용하고 있고, 또한 산소노즐도 화염을 위한 노즐과 쌍을 이루어 분리되는 구조를 이루고 있다. 이러한 구조로 인하여 화염의 중심에서는 슬라브의 표면 용융이 잘 이루어지지만, 화염의 가장자리영역에서는 슬라브의 표면 용융이 중앙부에 비하여 덜 이루어지게 되기 때문에, 도 1에 도시된 것과 같이, 슬라브(10)의 표면에는 스카핑 마크(17)(Scarfing Mark)가 발생하는 문제가 있다.
한편, 화염을 이용하는 경우, 화염의 역류로 인하여 슬라브(10)의 단부에서 보통 10 내지 15cm 정도 떨어진 영역부터 표면결함을 제거하기 때문에 미처리 영역(12)이 존재하게 되는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 종래에는 스카핑 장치를 통과하면서 1차 표면 처리된 슬라브는 다시 별도의 그라인딩(Grinding) 장치를 통과하면서 2차 표면처리를 하고 있다. 이와 같이 표면에 존재하는 결함이 제거된 슬라브는 사람에 의한 육안검사를 실시하여 국부적으로 남아있는 표면결함을 다시 핸드 스카핑 장치로 제거해야만 하였다.
따라서, 이와 같이 슬라브의 표면에 존재하는 결함을 제거하기 위한 종래의 스카핑 장치는 그라인딩 설비, 핸드 스카핑 작업장, 슬라브 회전 설비 등과 같이 다양한 부대설비를 필요로 하기 때문에 작업공정이 복잡하게 이루어지고 있고, 또한 필요한 공간과 비용에 부담이 커질 수밖에 없었다.
본 발명은 상기와 같이 종래의 스카핑 장치 및 슬라브의 표면 처리방법에 대하여 발생하는 요구 또는 문제들 중 적어도 어느 하나를 인식하여 이루어진 것이다.
본 발명의 일 목적은 단일 구성으로 이루어지는 스카핑 장치에 의해 슬라브의 표면 결함을 제거할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은 스카핑 장치에 의한 스카핑 마크의 발생이 방지될 수 있도록 하는 것이다
본 발명의 또 다른 일 목적은 슬라브의 표면 결함을 제거하기 위한 대상영역에 대한 표면처리가 전체 영역에 대하여 균일한 상태로 이루어질 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 일 목적은 슬라브 표면 결함을 제거하기 위한 부대설비를 최소화 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 일 목적은 슬라브 표면의 개재물이 고주파 유도가부의 전자기장에 의해 발생하는 슬라브에 수직한 방향의 정전기력(Electrostatic Force)에 의해 부상하는 효과가 제공되어 표면 결합의 제거가 용이하게 이루어질 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 일 목적은 슬라브의 두께 및/또는 표면의 결함 상태에 따라 슬라브 표면의 용융 정도가 제어될 수 있도록 하는 것이다
본 발명의 또 다른 일 목적은 슬라브의 표면 용융 정도가 고른 영역으로 제어될 수 있도록 하는 것이다.
상기 과제들 중 적어도 하나의 과제를 실현하기 위한 일 실시 형태와 관련된 스카핑 장치는 다음과 같은 특징을 포함할 수 있다.
본 발명은 기본적으로 고주파 유도 가열을 통해 용융된 슬라브의 표면 결함 영역을 고압의 유체로 제거하도록 구성되는 것을 기초로 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 스카핑 장치는 이송 장치의 어느 일 영역에 배치되어 슬라브의 둘레 면을 감싸도록 구성되며, 슬라브의 표면을 용융시키는 고주파 유도 가열부와; 고주파 유도 가열기의 일 측의 위치에 배치되어 고주파 유도 가열기에 의해 용융되는 영역에 대하여 고압의 유체를 공급하는 고압 유체 분사부를 포함하여 구성될 수도 있다.
이 경우, 고압 유체 분사부에 의해 공급되는 유체는 산소, 질소 또는 헬륨 중 어느 하나를 이용하여 구성할 수도 있다. 그리고, 고압 유체 분사부는 단일 노즐로 구성될 수도 있다.
다른 한편, 스카프 장치는 고주파 유도 가열기의 다른 일 측에 배치되어 처리되는 슬라브의 표면 결함 영역에 의해 발생하는 비산물을 제거하기 위한 비산물 제거부를 더 포함하여 구성될 수도 있다. 이 경우, 비산물 제거부는 고압수 공급 장치 또는 진공 흡입장치로 구성될 수도 있다. 그리고, 고압수 공급 장치는 단일 노즐로 구성될 수도 있다.
본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 스카핑 장치를 이용한 슬라브의 표면 처리방법은 고주파 유도 가열부로 슬라브의 표면을 가열하여 용융하는 단계와; 표면이 용융된 슬라브의 영역에 고압의 유체를 공급하여 용융되는 영역의 표면 결함을 제거하는 단계를 포함하여 이루어질 수도 있다.
이 경우, 슬라브의 표면 처리를 위하여 고압의 유체에 의해 제거되는 표면 결함 영역으로부터 발생하여 표면 처리 전 슬라브의 영역으로 비산하는 비산물을 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어질 수도 있다. 한편, 비산물 제거단계는 고압수의 공급 또는 진공 흡입을 통해 이루어질 수도 있다.
고주파 유도 가열부에 의한 슬라브의 용융깊이는 주파수를 조절하여 이루어질 수도 있다. 한편, 고주파 유도 가열부에 의한 슬라브의 용융속도는 전력량을 조절하여 이루어질 수도 있다. 다른 한편, 고주파 유도 가열부에 의한 슬라브의 용융깊이는 슬라브의 두께에 에 따라 전류량을 조절하여 이루어질 수도 있다. 또 다른 한편, 고주파 유도 가열부에 의한 슬라브의 용융깊이는 슬라브의 표면 결함의 두께에 따라 주파수 및 전류량을 조절하여 이루어질 수도 있다.
이상에서와 같이 본 발명에 따르면, 부수적인 마감공정을 요구하지 않고서도 단일 구성으로 이루어지는 스카핑 장치에 의해 슬라브의 표면 결함이 제거될 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 스카핑 장치에 의한 스카핑 마크가 발생하지 않게 되다.
그리고 또한, 본 발명에 따르면, 슬라브의 표면 결함을 제거하기 위한 대상영역에 대한 표면처리가 전체 영역에 대하여 균일한 상태로 이루어질 수 있다.
그리고 또한, 본 발명에 따르면, 슬라브 표면 결함을 제거하기 위한 스카핑 장치의 설치를 위한 소방 시설 등과 같은 부대설비를 최소화할 수 있다.
그리고 또한, 본 발명에 따르면, 슬라브 표면의 개재물이 고주파 유도가부의 전자기장에 의해 발생하는 슬라브에 수직한 방향의 정전기력(Electrostatic Force)에 의해 부상하는 효과가 제공되어 표면 결합의 제거가 용이하게 이루어질 수 있도록 다.
그리고 또한, 본 발명에 따르면, 슬라브의 두께 및/또는 표면의 결함 상태에 따라 슬라브 표면의 용융 정도(깊이 및/또는 속도)의 제어가 가능하다.
그리고 또한, 본 발명에 따르면, 슬라브의 표면 용융 정도가 슬라브의 표면 결합을 제거하기 위한 대상영역의 전체에 대하여 균일한 상태로 제어될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 특징들에 대한 이해를 돕기 위하여, 이하 본 발명의 실시예와 관련된 스카핑 장치 및 이를 이용한 슬라브의 표면 처리방법에 대하여 상세하게 설명하도록 하겠다.
이하, 설명되는 실시예들은 본 발명의 기술적인 특징을 이해시키기에 가장 적합한 실시예들을 기초로 하여 설명될 것이며, 설명되는 실시예들에 의해 본 발명의 기술적인 특징이 제한되는 것이 아니라, 이하, 설명되는 실시예들과 같이 본 발명이 구현될 수 있다는 것을 예시하는 것이다. 따라서, 본 발명은 아래 설명된 실 시예들을 통해 본 발명의 기술 범위 내에서 다양한 변형 실시가 가능하며, 이러한 변형 실시예는 본 발명의 기술 범위 내에 속한다 할 것이다. 그리고, 이하, 설명되는 실시예의 이해를 돕기 위하여 첨부된 도면에 기재된 부호에 있어서, 각 실시예에서 동일한 작용을 하게 되는 구성요소 중 관련된 구성요소는 동일 또는 연장 선상의 숫자로 표기하였다.
본 발명과 관련된 실시예들은 기본적으로 고주파 유도 가열을 통해 용융된 슬라브의 표면 결함 영역을 고압의 산소로 제거하도록 구성되는 것을 기초로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 스카핑 장치(100)의 보다 구체적인 구성에 관한 일 예를 설명하면, 도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같이, 압연공정에 의해 일정 길이로 절단된 슬라브(10)가 이송되는 이송장치(20)의 일 영역에 스카핑 장치(100)가 구비될 수 있다. 즉, 롤러 등과 같은 구성으로 이루어지는 이송장치(20)에 의해 상기 슬라브(10)가 이송되는 과정에서 상기 슬라브(10)의 표면 결함이 제거(개질)될 수 있도록, 상기 이송장치(20)의 어느 일 위치에 스카핑 장치(100)가 배치되어 슬라브(10)가 상기 스카핑 장치(100)를 통해 표면 결함이 제거된 후, 계속 이송장치(20)에 의해 이송될 수 있도록 구성될 수 있다.
상기 스카핑 장치(100)는 기본적으로 고주파 유도에 의한 가열이 이루어질 수 있도록 구성된다. 그리고, 고주파 유도에 의해 슬라브(10)가 가열되어 용융되는 영역에 대하여 고압의 산소를 공급하여 용융된 영역의 균일화 및/또는 표면 결함을 제거(개질)할 수 있도록 구성될 수 있다. 따라서, 상기 이송장치(20)는 중간에 분리된 영역이 구비되고, 상기 이송장치(20)의 분리된 영역에 스카핑 장치(100)가 배 치될 수 있다. 그리고, 상기 이송장치(20)에 의해 이송되는 슬라브(10)는 상기 스카핑 장치(100)를 통과하는 동안 표면 결함이 제거(개질)될 수 있다.
상기 스카프 장치(100)는 고주파 유도 가열부(110)와 고압 유체 분사부(120)를 포함하여 구성될 수도 있다. 이 경우, 상기 고주파 유도 가열부(110)는 전류가 흐르는 코일이 권취되어 유도전류의 발생이 가능하도록 구성될 수 있다. 이러한 구성은 단순히 코일로만 구성할 수도 있고, 또는 코일의 권취가 가능한 지지체를 이용하여 지지체에 코일이 권취되도록 구성할 수도 있다. 한편, 상기 슬라브(10)는 고주파 유도 가열부(110)를 구성하는 코일의 중앙으로 통과하게 되는데, 이 경우, 상기 슬라브(10)의 각 면에 대하여 균일한 전류의 밀도가 제공될 수 있도록 배치될 수 있다.
그리고, 상기 고주파 유도 가열부(110)의 일 측 위치에는 고압 유체 분사부(120)가 배치될 수 있다. 상기 고압 유체 분사부(120)는 상기 고주파 유도 가열부(110)에 의해 상기 슬라브(10)의 가열된 영역(용융된 영역)에 대하여 고압의 유체를 분사하여 슬라브(10)의 표면에 존재하는 결함을 제거(개질)하게 된다.
이 경우, 상기 고주파 유도 가열부(110)는 슬라브(10)의 가열영역이 용융상태가 될 때까지 가열을 하고, 이 상태에서 상기 고압 유체 분사부(120)에 의해 분사되는 고압의 유체로 인해 용융된 슬라브(10)의 영역(10a)이 균질(균일)한 상태로 표면 결함이 제거될 수 있다. 이 경우, 상기 고압 유체 분사부(120)는 분사되는 유체가 슬라브(10)의 분사영역 전체에 대하여 균일한 압력으로 분사될 수 있도록 단일의 노즐로 이루어지도록 구성될 수도 있다.
한편, 상기 고압 유체 분사부(120)에 의해 분사되는 유체는 산소, 질소, 헬륨 등과 같은 기체를 이용하여 슬라브(10)의 표면 결함을 제거할 수도 있다. 상기 고압 유체 분사부(120)에 의해 분사되는 유체는 상기 고주파 유도 가열부(110)에 의해 가열된 슬라브(10)의 영역(10a)의 온도가 유지되거나 상승시킬 수 있으면서 표면 결함을 제거할 수 있는 압력으로 분사될 수 있는 유체면 상기 언급된 유체에 한정되지 않는다.
한편, 상기 고압 유체 분사부(120)를 통해 산소를 분사하여 슬라브(10)의 표면 결함을 제거하는 경우, 상기 고주파 유도 가열부(110)에 의해 가열되는 슬라브(10)의 영역(10a)은 용융온도에 근접한 온도로 가열된 후, 상기 고압 유체 분사부(120)에 의해 분사되는 산소에 의해 산화열이 부가적으로 발생하여 상기 슬라브(10)의 가열 영역(10a)이 용융온도로 상승하도록 할 수도 있다. 이 경우, 상기 슬라브(10)는 탄소가 함유되어 있는 경우이고, 상기 슬라브(10)는 가열된 상태에서 함유된 탄소에 산소가 공급되므로 인해 산화반응이 발생하게 된다. 이러한 반응에 의해 상기 슬라브(10)의 발열 영역(10a)은 산화반응에 의해 온도가 더욱 상승하게 되고, 이로 인해 상기 발열 영역(10a)이 용융점 이상의 온도로 상승하여 표면 결함이 제거될 수 있다.
상기 고주파 가열부(110)의 다른 일 위치, 즉 상기 고주파 유도 가열부(110)로 유입되기 전 슬라브(10)의 영역에 대하여, 상기 슬라브(10)의 표면 결함이 제거되는 영역으로부터 발생되는 비산물이 낙하하는 것을 방지하기 위하여 비산물 제거부(130)가 더 구비될 수도 있다.
상기 비산물은 고압 유체 분사부(120)에서 고압의 산소를 분사하는 경우 발생할 수 있는데, 다시 말해서, 고압의 산소가 상기 슬라브(10)의 가열 영역(10a)에 분사되어 산화반응이 일어나는 경우, 산화물이 유체의 압력(즉, 고압 산소의 압력)에 의해 슬라브(10)가 고주파 유도 가열부(110)로 유입되는 방향으로 비산이 일어나게 된다. 이와 같이 발생하는 비산물은 슬라브(10)에 융착 또는 낙하하여 상기 고주파 유도 가열부(110)에 의해 상기 슬라브(10)가 가열될 때, 가열되는 영역(10a)의 가열 상태가 비균일하게 이루어질 수 있는 요인으로 작용할 수 있게 된다.
따라서, 상기와 같이 비산물이 발생하는 경우, 도 3에 도시된 것과 같이, 상기 비산물이 슬라브(10)의 표면에 낙하하는 것을 방지할 수 있도록 상기 비산물 제거부(130)가 구비될 수 있다. 상기 비산물 제거부(130)는 예를 들어 고압의 물이 분사될 수 있는 고압수 분사장치 또는 고진공 상태로 작동하는 진공 흡입장치 등을 이용하여 구성될 수도 있다.
이 경우, 상기 고압수 분사장치는 분사되는 고압의 물이 상기 슬라브(10)의 표면에 균일하게 분사될 수 있도록 분사영역의 전체 영역에 대하여 단일 노즐로 이루어지도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 진공 흡입장치 또한, 흡입작용이 일어나는 상기 슬라브(10)의 표면 영역에 대하여 균일한 흡입력이 제공될 수 있도록 흡입영역의 전체 영역에 대하여 단일 노즐로 이루어지도록 구성될 수 있다.
상기와 같이 구성될 수 있는 스카핑 장치(100)는 슬라브(10)가 유입되는 위치 및/또는 배출되는 위치에 핀치롤러(140a,140b)를 더 구비할 수도 있다. 상기 핀 치롤러(140a,140b)는 상기 고주파 가열부(110)에 의해 슬라브(10)가 가열될 때, 가열을 위하여 슬라브(10)가 체류되는 시간을 조절하기 위하여, 다시 말해서, 상기 슬라브(10)의 이동속도를 조절 가능하도록 구비될 수도 있다.
상기 고주파 유도 가열부(110)에 의한 슬라브(10)의 가열은 도 4에 도시된 것과 같이, 전자유도 작용에 의한 것으로, 교류(고주파) 전류가 흐르는 코일 속에 위치하는 금속 등의 도전체는 와전류 손실과 히스테리시스(Hysteresis) 손실(磁性體의 경우)의 저항에 의하여 열이 발생하는 원리를 이용하는 것이다.
코일에 교류(고주파) 전류를 통하면 코일 주변의 교류전류에 의한 교번자속이 발생하고 이 자계속에 놓인 도전체에는 유도전류가 발생하게 된다. 이 전류를 와전류(도전체에 발생하는 자력선의 변화를 저지하는 전기적인 힘)라 하고, 피가열체의 고유저항과 와전류에 의한 줄(Joule) 열이 발생하는데, 이것이 와전류 손실로 유도가열시의 발열원이 되는 것이다. 이와 같은 고주파 유도가열 방식은 슬라브와 같은 자성체에서는 와전류손실 이외에도 히스테리시스 손실이라고 하는 자화에 따른 전기적손실이 생겨서 비철금속에 비해 가열이 쉬우며 가열 효율을 극대화 할 수 있게 된다.
이와 같이 발생하는 와전류는 도체의 표면에 따라 흐르게 되고, 도체의 전류에 수직인 단면의 경우, 도 4에서와 같이 그 단면의 단위면적을 통과하는 량, 즉, 전류밀도는 도체의 단면에 대해서 동일하지 않고, 표면에 가까운 곳일수록 전류밀도는 크고 표면에서 중심부로 갈수록 전류밀도는 감소를 하는 현상, 즉, 표피효과(表皮效果/Skin effect)가 발생한다. 이러한 표피효과는 주파수에 관계되고 주파수 가 높을 수 록 표피효과가 크게 된다.
따라서, 이러한 효과를 이용하여 슬라브의 두께, 슬라브의 표면결함 두께, 주파수 및/또는 전류량을 제어하여 슬라브의 용융깊이 또는 용융속도를 제어할 수도 있다. 이와 같은 방법에 슬라브(10)의 표면에 대하여 균일한 용융상태를 유발하여 의해 슬라브(10)의 표면 결함이 제거될 수 있고, 이로 인하여 균질(균일)한 슬라브의 표면을 형성할 수 있게 된다.
도 5는 슬라브의 두께에 대한 전류밀도, 전력량, 누계열량에 따른 용융상태를 나타내는 그래프로, 상기 그래프를 통해 주파수가 높은 경우 침투깊이(즉, 용융깊이)가 작고, 전력량(전류량)이 큰 경우 용융속도가 크며, 소재(슬라브)의 두께가 두꺼울 수록 전력량이 증가하는 것을 알 수 있다. 즉, 이러한 데이터 값을 기초로 하여 상기 슬라브(10)에 대한 표면 결함에 적절한 상태로 용융과정이 일어나도록 제어할 수 있다.
한편, 상기 압연 후 이송장치(20)에 의해 이송되는 슬라브(10)는 상기 스카핑 장치(100)를 통과하면서, 표면결함이 제거되는 공정은 연속 공정으로 이루어질 수 있다.
본원발명의 실시예에 따른 스카핑 장치 및 이를 이용한 슬라브의 표면 처리방법은 상기 설명된 각 실시예들에 의해 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
도 1은 종래의 스카핑 장치에 의해 표면처리된 슬라브의 상태를 나타내는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 스카핑 장치의 구성의 일 예를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 스카핑 장치의 내부 구조의 일 예를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스카핑 장치에 의해 슬라브의 표면이 처리되는 상태의 개념을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 스카핑 장치에 의해 슬라브의 표면이 용융되는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 스카핑 장치에 의해 표면이 용융될 때, 슬라브의 두께와 전류밀도, 절력량 및 누계열량과의 관계를 나타내는 그래프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 설명*
10 ... 슬라브 20 ... 이송장치
100 ... 스카핑 장치 110 ... 고주파 유도 가열부
120 ... 고압 유체 분사부 130 ... 비산물 제거부

Claims (13)

  1. 이송 장치의 어느 일 영역에 배치되어 슬라브의 둘레 면을 감싸도록 구성되며, 슬라브의 표면을 용융시키는 고주파 유도 가열부와;
    상기 고주파 유도 가열기의 일 측의 위치에 배치되어 고주파 유도 가열기에 의해 용융되는 영역에 대하여 고압의 유체를 공급하는 고압 유체 분사부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스카핑 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 고압 유체 분사부에 의해 공급되는 유체는 산소, 질소 또는 헬륨 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스카핑 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 고주파 유도 가열기의 다른 일 측에 배치되어 처리되는 슬라브의 표면 결함 영역에 의해 발생하는 비산물을 제거하기 위한 비산물 제거부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스카핑 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 비산물 제거부는 고압수 공급 장치 또는 진공 흡입장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 스카핑 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 고압 유체 분사부는 단일 노즐로 구성되는 것을 특징으로 하는 스카핑 장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 고압수 공급 장치는 단일 노즐로 구성되는 것을 특징으로 하는 스카핑 장치.
  7. 고주파 유도 가열부로 슬라브의 표면을 가열하여 용융하는 단계와;
    상기 표면이 용융된 슬라브의 영역에 고압의 유체를 공급하여 용융되는 영역의 표면 결함을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 슬라브의 표면 처리방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 고압의 유체에 의해 제거되는 표면 결함 영역으로부터 발생하여 표면 처리 전 슬라브의 영역으로 비산하는 비산물을 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 슬라브의 표면 처리방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 비산물 제거단계는 고압수의 공급 또는 진공 흡입을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 슬라브의 표면 처리방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 고주파 유도 가열부에 의한 슬라브의 용융깊이는 주파수를 조절하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 슬라브의 표면 처리 방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 고주파 유도 가열부에 의한 슬라브의 용융속도는 전 력량을 조절하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 슬라브의 표면 처리방법.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 고주파 유도 가열부에 의한 슬라브의 용융깊이는 슬라브의 두께에 에 따라 전류량을 조절하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 슬라브의 표면 처리방법.
  13. 제 7 항에 있어서, 상기 고주파 유도 가열부에 의한 슬라브의 용융깊이는 슬라브의 표면 결함의 두께에 따라 주파수 및 전류량을 조절하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 슬라브의 표면 처리방법.
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