KR20090059450A - 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한초고주파 전송 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 밀리미터파 대역 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치에 관한 것으로, 다층 기판의 내부에 배치된 스트립 전송 선로; 상기 다층 기판의 외부에 상기 스트립 전송 선로와 동일 평면상에 배치되어 상기 스트립 전송 선로와 전기적으로 연결되는 마이크로 스트립 전송 선로; 및 상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 스트립 전송 선로 쪽으로 확장되도록 상기 마이크로 스트립 전송 선로의 하부 평면상에서 위치되는 신호 정합용 그라운드를 포함하며 구성되며, 이에 의하여 스트립 전송 선로와 마이크로 스트립 전송 선로의 접합 영역에서의 전계 성분 변화를 완화시켜 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 한다.
초고주파 전송, 밀리미터파 대역, 전송 특성, 스트립 전송 선로, 마이크로 스트립 전송 선로

Description

밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치{Ultra-high frequency transition apparatus for improving transmission characteristics at millimeter wave band}
본 발명은 초고주파 전송 장치에 관한 것으로, 특히 스트립 전송 선로와 마이크로 스트립 전송 선로의 접합 영역에서의 전계 성분 변화를 완화시켜 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치에 관한 것이다.
본 발명은 정보통신부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2005-S-039-03, 과제명: 60GHz Pico cell 통신용 SoP].
차세대 정보통신서비스를 위한 주파수 자원으로 30GHz 이상의 초고주파 자원인 밀리미터파 대역의 주파수가 적극 검토되고 있다.
이 대역의 주파수는 광대역특성을 이용하여 많은 양의 정보를 빠른 속도로 전달할 수 있고, 대기 중의 전파감쇄가 커서 인접지역에서 서로간섭을 받지 않고 동일한 주파수 대역을 사용할 수 있다는 주파수 재이용의 장점이 입기 때문에 많은 연구자들 사이에서 관심의 대상이 되어오고 있다.
이에 따라 밀리미터파 주파수를 이용한 정보통신 서비스 및 시스템의 개발과 여기에 요구되는 각종의 소자부품에 대한 연구와 개발이 진행되고 있으며, 이와 함께 밀리미터파 대역의 패키징 방법으로 SOP(System On Packaging)의 형태로 시스템을 구현하려는 연구가 활발히 진행되고 있다.
이러한 SOP의 방법으로 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramics)나 LCP(Liquid Crystal Polymer) 기술이 가장 적합한 기술 중의 하나로 고려되고 있는데, 이와 같은 LTCC나 LCP 기술은 기본적으로 다층기판을 이용하는 기술로 기판의 내부에 커패시터, 인덕터 및 필터 등과 같은 수동부품을 내장시켜 모듈의 소형화와 저가격화를 이룰 수 있다는 장점을 가지고 있다.
또한 이러한 다층기판의 장점으로는 캐비티(cavity)를 자유롭게 형성할 수 있기 때문에 모듈구성의 자유도가 증가한다는 점도 들 수 있다.
일반적으로 기판의 내부에 내장된 커패시터, 인덕터 및 필터 등과 같은 수동부품을 기판 표면의 전송 선로에 연결하기 위해서는 비아(via)를 이용하여 전기적으로 연결하는 방법이 사용되고 있다.
그러나 비아(via)를 이용하여 연결하는 경우는 낮은 주파수에서는 큰 문제없이 사용할 수 있으나 주파수가 높아질수록 비아(via)의 인덕턴스가 증가하여 밀리미터파 대역과 같은 주파수에서는 삽입손실과 반사손실이 증가한다는 단점을 가진다.
이에 반해 LTCC나 LCP등의 다층 기판을 이용하는 경우는 캐비티(cavity)를 이용하여 비아(via)를 사용하지 않고 스트립라인과 마이크로스트립 전송 선로를 연 결하는 것이 가능하다.
그러나 이러한 경우 스트립라인과 마이크로스트립 전송 선로가 전혀 상이한 전계 성분 분포도를 가지게 되어, 스트립라인과 마이크로스트립 전송 선로간의 접합 영역에서 발생하는 전계의 불연속 현상이 매우 심각하게 발생하는 또 다른 문제가 발생한다.
이에 본 발명에서는 스트립라인과 마이크로스트립 전송 선로간의 접합 영역에서 전계의 불연속 현상이 발생하는 문제를 해결하기 위해, 별도의 신호 정합용 그라운드를 추가하여 스트립라인과 마이크로스트립 전송 선로간의 접합 영역에서 발생하는 전계의 불연속 현상을 완화시켜 줄 수 있도록 하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로써, 다층 기판의 내부에 배치된 스트립 전송 선로; 상기 다층 기판의 외부에 상기 스트립 전송 선로와 동일 평면상에 배치되어 상기 스트립 전송 선로와 전기적으로 연결되는 마이크로 스트립 전송 선로; 및 상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 스트립 전송 선로 쪽으로 확장되도록 상기 마이크로 스트립 전송 선로의 하부 평면상에서 위치되는 신호 정합용 그라운드를 포함하는 초고주파 전송 장치를 제공한다.
그리고 상기 신호 정합용 그라운드는 상기 다층 기판의 맨 아래층에 위치되는 그라운드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 신호 정합용 그라운드는 상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 상기 스트립 전송 선로 쪽으로 약 100내지 150μm 정도 확장된 길이를 가지는 것을 특징으로 한다.
그리고 이때의 초고주파 전송 장치는 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC)나 액정고분자(liquid crystal polymer, LCP) 공정을 통해 구현되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로써, 다층 기판의 내부에 배치된 스트립 전송 선로; 상기 다층 기판의 외부에 상기 스트립 전송 선로와 동일 평면상에 배치되어 상기 스트립 전송 선로와 전기적으로 연결되는 마이크로 스트립 전송 선로; 및 상기 마이크로 스트립 전송 선로의 하부 평면상에서 순차적으로 적층되며, 상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 스트립 전송 선로 쪽으로 확장되도록 위치되는 다수개의 신호 정합용 그라운드를 포함하는 초고주파 전송 장치를 제공한다.
그리고 상기 다수개의 신호 정합용 그라운드는 맨 아래층에 위치되는 그라운드 쪽에서 상기 마이크로 스트립 전송 선로 쪽으로 갈수록 길이가 순차적으로 감소되며, 특히 상기 다층 기판의 맨 아래층에 위치되는 그라운드 쪽에서 상기 마이크로 스트립 전송 선로 쪽으로 갈수록 길이가 약 50%씩 줄어드는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 다수개의 신호 정합용 그라운드 각각은 상기 다층 기판의 맨 아래층에 위치되는 그라운드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
그리고 이때의 상기 초고주파 전송 장치도 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC)나 액정고분자(liquid crystal polymer, LCP) 공정을 통해 구현되는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명의 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치는 LTCC나 LCP등의 다층기판을 이용하여 장치를 제작하되, 스트립 전송 선로와 마이크로 스트립 전송 선로의 접합 영역에서 마이크로 스트립 전송 선로로부터 스트립 전송 선로 쪽으로 확장되는 신호 정합용 그라운드를 추가로 더 구비하여, 이를 통해 전계분포의 불연속 현상을 완화시켜 주도록 한다.
그 결과, 서로 상이한 전송 선로 사이에 전계분포가 보다 완만하게 변화되고, 이에 다라 밀리미터파 대역의 전송특성을 향상되는 효과를 제공하게 된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
도1은 본 발명에 일실시예에 따라 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치의 구조를 설명하기 위한 도면으로, (a)는 초고주파 전송 장치의 모식도이고, (b)는 초고주파 전송 장치를 A-B 기준으로 측면에서 바라본 단면도이다.
계속하여 도면을 참조하면, 초고주파 전송 장치는 4층 기판을 이용하여 구현 되며, 4층 기판의 내부에 배치되며 50Ω의 임피던스를 가지는 스트립 전송 선로(strip), 스트립 전송 선로(strip) 위쪽의 유전체를 제거하여 스트립 전송 선로와 동일 평면상에 배치되며 50Ω의 임피던스를 가지는 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip) 및 스트립 전송 선로(strip)와 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)의 접합 영역에서 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)로부터 스트립 전송 선로(strip)쪽으로 확장되도록 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)의 하부 평면상에서 위치되는 신호 정합용 그라운드(Stuning)를 구비한다.
그리고 이때의 신호 정합용 그라운드(Stuning)는 4층 기판의 맨 아래층 그라운드와 전기적으로 연결되도록 한다.
바람직하게는, 상기와 같은 구조를 가지는 초고주파 전송 장치를 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC)나 액정고분자(liquid crystal polymer, LCP)등의 다층 기판을 이용하여 구현되도록 한다.
이는 캐비티(cavity)를 사용하여 마이크로스트립 전송 선로 위쪽의 유전체를 제거하며, 유전체 내부에 존재하는 스트립전송 선로(strip)와 유전체 외부로 노출되는 마이크로스트립 전송 선로(Mstrip)를 동일평면상에 위치시키는 것이 가능하기 때문이다.
이러한 다층기판을 이용하면 유전체 내부에 존재하는 필터 등의 수동소자를 비아(via)를 사용하지 않고 유전체 외부의 전송 선로에 연결하는 것이 가능하여 비아에 의한 전자기파의 방사 등을 고려하지 않아도 된다는 장점을 가진다.
도2a 내지 도2e는 본 발명의 초고주파 전송 장치의 신호 정합 원리를 설명하 기 위한 도면이다.
도2a는 스트립 전송 선로의 TEM(Transverse Electro-magnetic) 전계 분포도, 도2b는 마이크로 스트립 전송 선로의 유사 TEM(quasi TEM) 전계 분포도, 도2c는 본 발명의 신호 정합용 그라운드를 추가했을 때 스트립 전송 선로의 전계 분포도, 도2d는 스트립 전송 선로에 마이크로 스트립 전송 선로를 그대로 연결하였을 때의 전계 분포도, 도2e는 스트립 전송 선로에 신호 정합용 그라운드가 추가된 스트립 전송 선로를 연결하였을 때의 전계 분포도를 각각 나타낸다.
그리고 이때에 사용된 유전체의 한 층당 두께는 100μm이고 유전율은 5.8이다.
먼저, 도2a에 도시된 바와 같이, 스트립 전송 선로(strip)가 유전체 내부에 위치하고 위아래의 그라운드(GND1, GND2)가 서로 대칭적으로 위치하면, 스트립 전송 선로(strip)의 전계 성분은 스트립 전송 선로(strip)의 위/아랫방향으로 대칭되도록 형성된다.
그리고 도2b에 도시된 바와 같이, 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)가 유전체의 상부면에 위치하여 오픈(open)되고 그라운드(GND)가 유전체의 하부면에만 위치하면, 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)의 전계 성분은 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)의 아랫방향으로 거의 대부분이 형성된다.
반면, 도2c에 도시된 바와 같이, 스트립 전송 선로(strip)가 유전체 내부에 위치하고 위아래의 그라운드(GND1,GND2)가 서로 대칭적으로 위치되되, 스트립 전송 선로(strip)의 하부에 신호 정합용 그라운드(Stuning)가 더 위치되면, 스트립 전송 선로(strip)의 전계 성분은 위쪽 방향 보다 아래쪽 방향으로 더 많이 형성되게 된다.
즉, 스트립 전송 선로(strip)의 전계 성분이 위아래방향으로 대칭되지 못하고 아래 방향으로 훨씬 더 강해져, 도2b와 유사한 전계 분포 구조를 가지게 된다.
이에 도2d에 도시된 바와 같이 스트립 전송 선로(strip)에 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)를 그대로 연결하면, 스트립 전송 선로(strip)와 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)의 접합 영역에서는 전계의 불연속 현상이 발생하여, 초고주파 전송 장치의 반사 손실 및 삽입 손실이 증가하게 된다.
반면 도2e에 도시된 바와 같이 스트립 전송 선로(strip)에 신호 정합용 그라운드(Stuning)가 추가된 스트립 전송 선로(Mstrip)를 연결하면, 스트립 전송 선로(strip)와 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip) 모두가 유사한 전계 분포 구조를 가져 스트립 전송 선로(strip)와 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip) 사이의 접합 영역에서 발생하는 전계의 불연속이 완화된다. 이에 초고주파 전송 장치의 반사 손실 및 삽입 손실이 감소되어 전송 특성이 향상되게 된다.
이에 본 발명에서는 스트립 선로(strip)와 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)가 연결되는 접합 영역에, 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)에서 스트립 선로(strip) 방향으로 확장된 길이를 가지는 신호 정합용 그라운드(Stuning)를 추가하여 전계의 불연속 현상을 완화하고 이에 따라 전송 특성을 향상시켜 준다.
도3은 본 발명에 일 실시예에 따른 초고주파 전송 장치의 전송 특성 변화를 도시한 도면이다.
도3에서 (a)는 신호 정합용 그라운드가 없을 때, 초고주파 전송 장치의 전송 특성을, (b)은 신호 정합용 그라운드의 확장 길이를 순차적으로 변화시킨 경우에 초고주파 전송 장치의 전송 특성 변화를 도시한 도면이다.
먼저, (a)에 도시된 바와 같이, 신호 정합용 그라운드가 없으면 낮은 주파수대역에서는 삽입손실(S21)과 반사손실(S11)이 작은 우수한 전송특성을 보여주지만 주파수가 올라갈수록 스트립라인과 마이크로스트립 전송 선로 사이의 불연속적인 전계분포에 의해서 손실이 증가함을 알 수 있다.
실제로 60GHz대역에서의 삽입손실(S21)은 -0.73dB이고 반사손실(S11)은 -12.7dB 정도의 값을 가지나, 80GHz 대역에서는 삽입손실(S21)은 - 2.24dB으로 반사손실(S11)은 -6.77dB로 급격히 증가한다.
반면, 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx)를 순차적으로 변화시키면, (b)에 도시된 바와 같이 초고주파 전송 장치의 전송 특성 또한 다양하게 변화됨을 알 수 있다.
즉, 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx)가 50mm 이하인 경우에는 신호 정합용 그라운드로서의 역할을 전혀 수행하지 못하여, 초고주파 전송 장치는 (a)에서와 동일한 전송특성을 가진다.
그러나 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx)가 100 ~ 150mm의 범위에 있는 경우에는, 밀리미터파 대역에서의 삽입손실(S21)과 반사손실(S11)이 감소하여 100GHz까지 반사손실(S11)이 -20dB 이하인 우수한 전송특성을 보여준다.
그러나 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx)가 200mm이상으로 증가하면 반사손실(S11)과 삽입손실(S21)은 다시 증가한다.
이에 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx)는 100 ~ 150mm의 범위에 있어야 함을 알 수 있다.
도4는 본 발명에 다른 실시예에 따라 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
계속하여 도면을 참조하면, 초고주파 전송 장치는 6층 기판을 이용하여 구현되며, 6층 기판의 내부에 배치되며 50Ω의 임피던스를 가지는 스트립 전송 선로(strip), 스트립 전송 선로(strip) 위쪽의 유전체를 제거하여 스트립 전송 선로(strip)와 동일 평면상에 배치되며 50Ω의 임피던스를 가지는 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip) 및 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)의 하부 평면상에서 순차적으로 적층되며 스트립 전송 선로(strip)와 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)의 접합 영역에서 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)로부터 스트립 전송 선로(strip)쪽으로 확장되도록 위치되는 제1 및 제2 신호 정합용 그라운드(Stuning1,Stuning2)를 포함한다.
그리고 이때의 제1 및 제2 신호 정합용 그라운드(Stuning1,Stuning2) 모두는 6층 기판의 맨 아래층 그라운드와 전기적으로 연결되도록 한다.
또한 맨 아래층에 위치되는 그라운드(GND2)쪽에서 마이크로 스트립 전송 선로(Mstrip)쪽으로 갈수록 길이가 순차적으로 감소되도록 하고, 가장 바람직하게는 제1 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx1)는 제2 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx2)의 절반이 되도록 한다.
즉, 제1 및 제2 신호 정합용 그라운드의 길이(x1,x2)를 단계적으로 증대하여, 전계가 급격하게 변화되는 것을 사전에 방지하도록 한다.
그리고 이때에도 제2 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx2)는 100-150mm의 범위에 있는 것이 바람직하며, 이에 따라 제1 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx1)는 50-75mm의 범위에 있는 것이 바람직하다.
도5는 본 발명에 다른 실시예에 따른 초고주파 전송 장치의 전송 특성을 도시한 도면으로, 이는 제1 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx1)는 약 50mm이고, 제2 신호 정합용 그라운드의 확장 길이(dx2)는 100-150mm인 초고주파 전송 장치에 대한 전송 특성이다.
계속하여 도5를 참조하면, 도4의 구조를 가지는 초고주파 전송 장치는 낮은 주파수대역 뿐 만 아니라 초고파수 대역(즉, 80GHz 까지)에서도 반사손실이 -20dB 이하이고 삽입 손실은 8dB 이하인 우수한 전송 특성을 제공할 수 있음을 알 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 당업자에게 있어 명백할 것이다.
도1은 본 발명에 일실시예에 따라 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치의 구조를 설명하기 위한 도면,
도2a 내지 도2e는 본 발명의 초고주파 전송 장치의 신호 정합 원리를 설명하기 위한 도면,
도3은 본 발명에 일 실시예에 따른 초고주파 전송 장치의 전송 특성 변화를 도시한 도면,
도4는 본 발명에 다른 실시예에 따라 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치의 구조를 설명하기 위한 단면도, 그리고
도5는 본 발명에 다른 실시예에 따른 초고주파 전송 장치의 전송 특성을 도시한 도면이다.

Claims (10)

  1. 다층 기판의 내부에 배치된 스트립 전송 선로;
    상기 다층 기판의 외부에 상기 스트립 전송 선로와 동일 평면상에 배치되어 상기 스트립 전송 선로와 전기적으로 연결되는 마이크로 스트립 전송 선로; 및
    상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 스트립 전송 선로 쪽으로 확장되도록 상기 마이크로 스트립 전송 선로의 하부 평면상에서 위치되는 신호 정합용 그라운드를 포함하는 초고주파 전송 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 신호 정합용 그라운드는
    상기 다층 기판의 맨 아래층에 위치되는 그라운드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 초고주파 전송 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 신호 정합용 그라운드는
    상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 상기 스트립 전송 선로 쪽으로 약 100내지 150μm 정도 확장된 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 초고주파 전송 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 초고주파 전송 장치는
    저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC)나 액정고 분자(liquid crystal polymer, LCP) 공정을 통해 구현되는 것을 특징으로 하는 초고주파 전송 장치.
  5. 다층 기판의 내부에 배치된 스트립 전송 선로;
    상기 다층 기판의 외부에 상기 스트립 전송 선로와 동일 평면상에 배치되어 상기 스트립 전송 선로와 전기적으로 연결되는 스트립 전송 선로; 및
    상기 마이크로 스트립 전송 선로의 하부 평면상에서 순차적으로 적층되며, 상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 스트립 전송 선로 쪽으로 확장되도록 위치되는 다수개의 신호 정합용 그라운드를 포함하는 초고주파 전송 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 다수개의 신호 정합용 그라운드는
    맨 아래층에 위치되는 그라운드 쪽에서 상기 마이크로 스트립 전송 선로 쪽으로 갈수록 길이가 순차적으로 감소되는 것을 특징으로 하는 초고주파 전송 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 다수개의 신호 정합용 그라운드는
    상기 다층 기판의 맨 아래층에 위치되는 그라운드 쪽에서 상기 마이크로 스트립 전송 선로 쪽으로 갈수록 길이가 약 50%씩 줄어드는 것을 특징으로 하는 초고주파 전송 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 다수개의 신호 정합용 그라운드 중 가장 하부 층에 위 치되는 신호 정합용 그라운드는 상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 상기 스트립 전송 선로 쪽으로 약 100내지 150μm 정도 확장된 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 초고주파 전송 장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 다수개의 신호 정합용 그라운드 각각은
    상기 다층 기판의 맨 아래층에 위치되는 그라운드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 초고주파 전송 장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 초고주파 전송 장치는
    저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC)나 액정고분자(liquid crystal polymer, LCP) 공정을 통해 구현되는 것을 특징으로 하는 초고주파 전송 장치.
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JP2002026654A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Murata Mfg Co Ltd 共振器
JP2002057467A (ja) 2000-08-11 2002-02-22 Kenwood Corp 多層配線基板
KR20070062130A (ko) * 2005-12-12 2007-06-15 엘지이노텍 주식회사 저온 동시소성 세라믹 다층기판

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