KR20090042159A - 반도체 디바이스 제조 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법 - Google Patents

반도체 디바이스 제조 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090042159A
KR20090042159A KR1020080102110A KR20080102110A KR20090042159A KR 20090042159 A KR20090042159 A KR 20090042159A KR 1020080102110 A KR1020080102110 A KR 1020080102110A KR 20080102110 A KR20080102110 A KR 20080102110A KR 20090042159 A KR20090042159 A KR 20090042159A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
gas supply
semiconductor device
film
reaction vessel
Prior art date
Application number
KR1020080102110A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101533846B1 (ko
Inventor
김선정
최한메
이명범
데쯔시 오자끼
가즈히데 하세베
데쯔야 시바따
Original Assignee
삼성전자주식회사
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 삼성전자주식회사
Publication of KR20090042159A publication Critical patent/KR20090042159A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101533846B1 publication Critical patent/KR101533846B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

반도체 디바이스를 제조하기 위한 기판(W)에 α-알루미나를 포함하는 알루미나막을 성막하는 반도체 디바이스 제조 장치는, 가열계(44)에 의해 반응 용기(2) 내의 처리 분위기를 800 ℃ 이상, 1,000 ℃ 이하의 범위 내의 온도로 가열하는 동시에, 제1 가스 공급계(31)의 가스 공급 구멍(311) 및 제2 가스 공급계(34)의 가스 공급 구멍(341)으로부터 반응 용기(2) 내에 원료 가스와 산화 가스를 동시에 공급하여 반응시킴으로써 각 기판(W)의 표면에 알루미나막을 성막한다. 제1 가스 공급계(31) 및 제2 가스 공급계(34)의 각각의 가스 공급 구멍(311, 341)은, 반응 용기(2) 내에서 기판 보유 지지구(25)에 보유 지지되어 있는 각 기판(W)에 대응하는 높이 위치에 설치된다.
가열계, 기판, 가스 공급 구멍, 가스 공급계, 기판 보유 지지구

Description

반도체 디바이스 제조 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법 {SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 반도체 디바이스를 제조하기 위한 기판에 α-알루미나(α-Al2O3;α형 산화알루미늄)를 포함하는 알루미나막을 성막하는 반도체 디바이스 제조 장치, 반도체 디바이스 제조 방법 및 이 방법을 실시하는 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터로 판독 가능한 매체에 관한 것이다. 여기서, 반도체 디바이스 제조 기술이라 함은, 반도체 웨이퍼나 LCD(Liquid Crystal Display)와 같은 FPD(Flat Panel Display)용의 유리 기판 등의 피처리체 상에 반도체층, 절연층, 도전층 등을 소정의 패턴으로 형성함으로써, 상기 피처리체 상에 반도체 디바이스나, 반도체 디바이스에 접속되는 배선, 전극 등을 포함하는 구조물을 제조하기 위해 실시되는 다양한 처리를 포함한다.
반도체 디바이스의 고집적화, 미세화가 진행하고 있고, 또한 디바이스 구조에 대해서도 다양화의 경향이 있으나, 이것에 수반하여 특성이나 제조 공정 등의 면에 있어서 더 적절한 막의 선정, 개발에 힘이 쏟아지고 있다.
예를 들어 MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor)형의 플래시 메모리로 사용되고 있는 메모리 소자(100)는, 도1에 도시한 바와 같이 소스 전극(101), 드레인 전극(102) 사이의 실리콘층[실리콘 기판(110)] 상에 터널 산화막(103), 차지 트랩층(104), 블록킹 절연막(105) 및 컨트롤 게이트(106)를 적층하여 구성되어 있다[이 컨트롤 게이트(106)가 폴리실리콘으로 형성되어 있는 메모리 소자(100)를 SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor)형이라고도 함]. 차지 트랩층(104)은 예를 들어 실리콘 질화막(Si3N4)에 의해 형성되어 있고, 블록킹 절연막(105)으로서는, 이 실리콘 질화막에 대한 밴드 갭이 크고, 또한 리크 전류가 적은 막이 사용된다.
한편, 종래 이용되고 있는 플로팅 게이트형의 플래시 메모리는, 전하를 저장하는 플로팅 게이트와 제어 전압을 인가하는 컨트롤 게이트 사이를, 실리콘 질화막의 양면을 실리콘 산화막에 의해 사이에 끼운 소위 ONO막이라 부르고 있는 3층 구조의 게이트 절연막으로 절연하고 있다.
그런데 최근에 있어서 전술한 MONOS형의 메모리 소자(100)에서는, 블록킹 절연막(105)으로서 α-Al2O3를 이용하는 기술이 검토되고 있다. α-Al2O3는 코런덤 결정 구조를 갖고, 광물 중에 많이 존재하고 있으나, 밴드 갭이 8.8 eV 정도로 실리콘 질화막에 대해 크고, 또한 유전율이 높기 때문에 물리 막 두께를 크게 할 수 있으므로 리크 전류도 억제되고, 블록킹 절연막(105)으로서는 적절하게 사용할 수 있다. 그리고 α-Al2O3를 사용하면 블록킹 절연막이 1층 구조가 되기 때문에, 게이트 절연막에 ONO막을 채용한 플로팅 게이트형의 플래시 메모리에 비교해도 제조 공정을 간략화할 수 있는 이점이 있다.
α-Al2O3는 예를 들어 TMA(트리메틸알루미늄)를 원료로서 300 ℃ 정도의 프로세스 온도에서 오존 가스와 반응시켜 성막을 행하고, 그 후 1,100 ℃ 이상의 고온으로 어닐함으로써 얻어진다. Al2O3는 300 ℃ 정도에서 성막한 단계에서는 아몰퍼스이고, α-Al2O3형으로 상전이하기 위해서는 1,100 ℃ 이상의 고온으로 어닐할 필요가 있다. 또한 TMA를 사용하여 500 ℃보다도 높은 온도에서 성막하면, 처리 용기 내에 공급된 TMA는 반도체 웨이퍼의 중심부에 도달하기 전에 기상으로 열분해되고, 처리 용기의 벽면이나 반도체 웨이퍼의 에지로의 흡착에 거의 소비되어 버려, 반도체 웨이퍼의 전체면에 균일한 알루미나막을 성막할 수 없다.
한편, 반도체 웨이퍼를 1,100 ℃의 고온으로 어닐하면, 그것까지 적층되어 온 부분에 예정되지 않은 열이력이 남고, 예를 들어 이온 주입한 불순물의 활성도가 설계값으로부터 바뀌어 버린다. 이로 인해 어닐 온도는 실제의 제조 프로세스에 있어서는 1,000 ℃ 정도까지밖에 설정할 수 없으나, 그렇게 하면 이 알루미나막은 γ-Al2O3, θ-Al2O3, η-Al2O3 등 스피넬 구조의 결정을 포함하는 Al2O3로밖에 안되어, α-Al2O3를 거의 형성할 수 없다. 이 결과, 얻어진 Al2O3의 밴드 갭이 7.0 내지 7.5 eV 정도로 낮아지고, α-Al2O3를 사용함으로써 목표로 하고 있는 특성을 얻을 수 없게 된다. 이와 같은 프로세스상의 문제로부터 플래시 메모리의 MONOS 구 조에 있어서의 α-Al2O3의 적용화가 저지되고 있다.
또한 특허 문헌 1(일본 특허 출원 공개 제2001-234345호 공보 : 단락 0026)에는, 염화알루미늄(AlCl3), 염화티탄(TiCl4)을 처리 용기 내에서 교대로 수증기와 반응시켜, 알루미나막과 산화티탄막이 교대로 적층된 ATO막을 성막하는 기술이 기재되어 있다. 그러나 당해 기술에는 특히 α-Al2O3를 포함한 알루미나막을 성막하는 기술은 기재되어 있지 않고, 상술한 문제를 해결할 수는 없다.
또한 특허 문헌 2(일본 특허 출원 공개 평10-96081호 공보 : 단락 0004)에는, 염화알루미늄과 수분을 반응시켜 절삭 공구의 표면에 알루미나막을 성막하는 기술이 기재되어 있으나, 당해 기술에 있어서도 α-Al2O3를 포함하는 알루미나막을 성막하는 방법에 대해서는 기재되어 있지 않다. 특히, 반도체 소자의 제조에 적용하는데 있어서는 반도체 웨이퍼 표면에 균일한 막 두께의 알루미나막을 성막하는 것이 요구되나, 특허 문헌 2에는 이와 같은 과제를 해결하는 기술은 기재되어 있지 않고, 가령 본 기술을 사용하여 성막한 알루미나막에 α-Al2O3가 포함되어 있는 것으로 해도, 반도체 디바이스의 제조에 적용할 수는 없다.
본 발명의 목적은, 고온에서의 어닐을 행하지 않아도 α-알루미나를 포함하고, 또한 면내 균일성이 높은 알루미나막을 성막할 수 있는 반도체 디바이스 제조 장치, 반도체 디바이스 제조 방법 및 이 방법을 실시하는 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터로 판독 가능한 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 시점은, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 기판에 α-알루미나를 포함하는 알루미나막을 성막하는 반도체 디바이스 제조 장치이며, 종형의 반응 용기와, 복수의 기판을 선반 형상으로 보유 지지하여 상기 종형의 반응 용기 내에 반입하기 위한 기판 보유 지지구와, 상기 반응 용기 내에서 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 각 기판에 대응하는 높이 위치에, 염화알루미늄을 포함하는 원료 가스를 공급하기 위한 가스 공급 구멍을 형성한 제1 가스 공급계와, 상기 반응 용기 내에서 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 각 기판에 대응하는 높이 위치에, 수증기를 포함하는 산화 가스를 공급하기 위한 가스 공급 구멍을 형성한 제2 가스 공급계와, 상기 반응 용기의 주위를 둘러싸도록 설치된 가열계와, 상기 반응 용기 내를 배기하기 위한 배기계와, 상기 장치의 임의의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 가열계에 의해 상기 반응 용기 내의 처리 분위기를 800 ℃ 이상, 1,000 ℃ 이하의 범위 내의 온도로 가열하는 동시에, 상기 제1 가스 공급계의 상기 가스 공급 구멍 및 상기 제2 가스 공급계의 상기 가스 공급 구멍으로부터 상기 반응 용기 내에 상기 원료 가스와 상기 산화 가스를 동시에 공급하여 반응시킴으로써 각 기판의 표면에 알루미나막을 성막하기 위한 제어 신호를 출력하도록 미리 설정된다.
본 발명의 제2 시점은, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 기판에 α-알루미나를 포함하는 알루미나막을 성막하는 반도체 디바이스 제조 방법이며, 기판 보유 지지구에 의해 복수의 기판을 선반 형상으로 보유 지지하여 종형의 반응 용기 내에 이들 기판을 반입하는 공정과, 상기 반응 용기 내의 처리 분위기를 800 ℃ 이상, 1,000 ℃ 이하의 온도로 가열하는 공정과, 상기 반응 용기 내를 배기하면서, 제1 가스 공급계의 가스 공급 구멍으로부터 염화알루미늄을 포함하는 원료 가스를 공급하는 동시에, 제2 가스 공급계의 가스 공급 구멍으로부터 수증기를 포함하는 산화 가스를 공급하고, 상기 원료 가스와 상기 산화 가스를 반응시켜 각 기판의 표면에 알루미나막을 성막하는 공정을 구비하고, 상기 제1 가스 공급계 및 상기 제2 가스 공급계의 각각의 상기 가스 공급 구멍은, 상기 반응 용기 내에서 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 각 기판에 대응하는 높이 위치에 설치된다.
본 발명의 제3 시점은, 프로세서상에서 실행하기 위한 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터로 판독 가능한 매체이며, 상기 프로그램 지령은, 프로세서에 의해 실행될 때, 반도체 디바이스 제조 장치를 제어하여, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 기판에 α-알루미나를 포함하는 알루미나막을 성막하는 반도체 디바이스 제조 방법을 실행하고, 상기 방법은, 기판 보유 지지구에 의해 복수의 기판을 선반 형상으로 보유 지지하여 종형의 반응 용기 내에 이들 기판을 반입하는 공정과, 상기 반 응 용기 내의 처리 분위기를 800 ℃ 이상, 1,000 ℃ 이하의 온도로 가열하는 공정과, 상기 반응 용기 내를 배기하면서, 제1 가스 공급계의 가스 공급 구멍으로부터 염화알루미늄을 포함하는 원료 가스를 공급하는 동시에, 제2 가스 공급계의 가스 공급 구멍으로부터 수증기를 포함하는 산화 가스를 공급하고, 상기 원료 가스와 상기 산화 가스를 반응시켜 각 기판의 표면에 알루미나막을 성막하는 공정을 구비하고, 상기 제1 가스 공급계 및 상기 제2 가스 공급계의 각각의 상기 가스 공급 구멍은, 상기 반응 용기 내에서 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 각 기판에 대응하는 높이 위치에 설치된다.
본 발명에 따르면, 고온에서의 어닐을 행하지 않아도 α-알루미나를 포함하고, 또한 면내 균일성이 높은 알루미나막을 성막할 수 있는 반도체 디바이스 제조 장치, 반도체 디바이스 제조 방법 및 이 방법을 실시하는 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터로 판독 가능한 매체를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 중복 설명은 필요한 경우에만 행한다.
본 실시 형태에 관한 반도체 디바이스 제조 장치의 구성을 설명하기 전에 본 발명의 주지에 대해 간단히 설명한다. 배경 기술에서도 설명한 바와 같이, TMA를 원료로 하여 300℃ 정도의 비교적 낮은 온도에서 성막되는 알루미나막은, 성막 후 에 1,100 ℃ 이상의 온도에서 어닐을 행하고, 아몰퍼스 형상의 Al2O3를 결정화하여 상전이시켜 α-Al2O3를 얻고 있었다. 따라서 본 발명자들은 TMA의 성막 온도(300 ℃)보다 고온이고, 또한 아몰퍼스 형상이나 γ-Al2O3 등의 스피넬 구조의 Al2O3에서 α-Al2O3를 얻기 위해 행해지는 어닐 온도(1,100 ℃)보다 저온인 온도 범위 내에서 알루미나막을 성막함으로써, 어닐을 행하지 않고 α-Al2O3를 얻는 것이 가능한 물질을 탐색한 결과, 염화알루미늄(AlCl3)을 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 온도 범위에서 산화 가스와 반응시킴으로써, α-Al2O3를 포함하는 알루미나막을 성막할 수 있다는 지견을 얻었다. 이와 같은 지견을 기초로 하여 본 실시 형태에 관한 반도체 디바이스 제조 장치는, AlCl3를 원료 가스로 하고, 어닐 공정을 거치지 않고 α-Al2O3를 포함하는 알루미나막을 성막할 수 있도록 구성되어 있다.
또한 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 비교적 높은 온도에서 AlCl3를 반응시키는 경우에는, AlCl3와 반응시키는 산화 가스에 대해서도 이 온도 범위에서 활성을 나타낼 필요가 있다. 이 점, TMA의 산화 가스로서 종래 이용되고 있었던 오존 가스는, 이와 같은 온도 범위에서 활성을 잃어 버리는 경향이 알려져 있다. 따라서 본 실시 형태에 관한 반도체 디바이스 제조 장치는, 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 비교적 높은 온도 범위에서도 활성을 잃지 않는 수증기를 산화 가스로서 채용하고 있는 점에도 특징을 갖고 있다.
이하, 본 발명을 뱃치식의 반도체 디바이스 제조 장치인 종형 열처리 장치에 적용한 실시 형태에 대해 도2의 종단면도를 사용하여 설명한다. 본 실시 형태에 관한 반도체 디바이스 제조 장치[이하, 성막 장치(1)라 함]는, 원료 가스와 산화 가스를 동시에 연속하여 공급하여 양 가스를 반응시키는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 프로세스에 의해 웨이퍼(W)로의 성막을 행하는 장치로서 구성되어 있다.
도2 중 부호 2는, 예를 들어 석영에 의해 종형의 원통 형상으로 형성된 처리 용기를 이루는 반응 용기이다. 이 반응 용기(2)의 하단부는 노구(爐口)로서 개방되고, 그 개구부(21)의 주연부에는 플랜지(22)가 반응 용기(2)와 일체로 형성되어 있다. 이 반응 용기(2)의 하방에는, 플랜지(22)의 하면에 접촉하여 개구부(21)를 기밀하게 폐색하는, 예를 들어 석영제의 덮개체(23)가 도시하지 않은 보트 엘리베이터에 의해 상하 방향으로 개폐 가능하게 설치되어 있다. 덮개체(23)의 중앙부에는 회전축(24)이 관통하여 설치되고, 그 상단부에는 기판 보유 지지구인 웨이퍼 보트(25)가 탑재되어 있다.
웨이퍼 보트(25)는, 3개 이상 예를 들어 4개의 지지 기둥(26)을 구비하고 있고, 복수매 예를 들어 125매의 피처리체인 웨이퍼(W)를 선반 형상으로 보유 지지할 수 있도록, 상기 지지 기둥(26)에는 기판 보유 지지부를 구성하는 다수의 홈(슬롯)이 형성되어 있다. 단, 125매의 웨이퍼(W)의 보유 지지 영역의 내, 상하 양단부에 대해서는 복수매의 더미 웨이퍼가 보유 지지되고, 그 사이의 영역에 제품 웨이퍼(W)가 보유 지지되게 된다. 상기 회전축(24)의 하부에는, 당해 회전축(24)을 회 전시키는 구동부를 이루는 모터(M)가 설치되어 있고, 모터(M)는 회전축(24)을 통해 웨이퍼 보트(25) 전체를 수평면 내에서 회전시킬 수 있다. 또한 덮개체(23) 상에는 상기 회전축(24)을 둘러싸도록 보온 유닛(27)이 설치되어 있다.
반응 용기(2) 내에는 2개의 L자형의 배관으로 이루어지는 가스 공급계인 인젝터(31, 34), 즉 처리 가스를 공급하기 위한 제1 가스 인젝터(31)와, 산화 가스 및 불활성 가스를 공급하기 위한 제2 가스 인젝터(34)가 반응 용기(2) 하부의 플랜지(22)를 통해 삽입되어 있다. 도2에 도시한 바와 같이 제1 가스 인젝터(31)는, 그 선단부가 웨이퍼 보트(25)의 상단부까지 수직 상승되어 있고, 이 수직 상승 부분의 배관의 관벽에는, 웨이퍼 보트(24)에 보유 지지된 각 웨이퍼(W)에 대응한 높이 위치에 가스 공급 구멍(311)이 형성되어 있다. 여기서「각 웨이퍼(W)에 대응하는 높이 위치」는, 각 가스 공급 구멍(311)의 높이 위치가 웨이퍼 보트(25)에 보유 지지된 각 웨이퍼(W)와 엄밀하게 일치하는 경우에 한정되지 않고, 예를 들어 가스 공급 구멍(311)과 웨이퍼(W)의 높이 위치가 상하 방향으로 수 ㎜ 어긋나 있어도 좋고, 또한 예를 들어 웨이퍼(W) 수매마다 1개의 가스 공급 구멍(311)을 형성하도록 구성해도 좋다.
제1 가스 인젝터(31)는 상류측에서 원료 가스 공급로(32)와 접속되어 있고, 당해 원료 가스 공급로(32)의 더 상류측에는 밸브(V1, V2) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC1)를 통해 원료 소스 공급원(33)이 접속되어 있다. 원료 소스 공급원(33)의 내부에는, 예를 들어 고체 형상의 무수염화알루미늄(AlCl3)이 저장되어 있고, 예를 들어 저항 발열체로 이루어지는 도시하지 않은 가열계에 의해 AlCl3의 용기를 가열함으로써, AlCl3를 승화시켜, AlCl3 가스(원료 가스)를 얻을 수 있도록 구성되어 있다. 또한 제1 인젝터(31)로부터 분기된 불활성 가스 공급로(32B)의 상류측에는, 전후에 밸브(V8, V9)가 설치된 매스 플로우 컨트롤러(MFC5)를 통해, 불활성 가스인 예를 들어 질소 가스를 봄베 내 등에 저장한 질소 가스 공급원(30B)이 설치되어 있다. 여기서 가스 공급로(32, 32B), 원료 소스 공급원(33), 가스 공급원(30B)이나 각종 밸브(V1, V2, V8, V9), 매스 플로우 컨트롤러(MFC1, MFC5)는 원료 가스 공급부(3a)를 구성하고 있다.
한편, 제2 가스 인젝터(34)는, 전술한 제1 가스 인젝터(31)와 거의 같은 구성을 구비하고 있고, 웨이퍼 보트(25)의 상단부까지 수직 상승되는 동시에, 이 수직 상승 부분에는 다수의 가스 공급 구멍(341)이 형성되어 있어, 웨이퍼(25)에 보유 지지된 각 웨이퍼(W)에 대응하는 높이 위치에 가스를 공급 가능한 구성으로 되어 있다. 여기서「각 웨이퍼(W)에 대응하는 높이 위치」에 대해서는, 제1 가스 인젝터(31)의 가스 공급 구멍(311)의 경우와 마찬가지로, 가스 공급 구멍(341)과 웨이퍼(W)의 높이 위치가 상하 방향으로 수 ㎜ 어긋나 있어도 좋고, 웨이퍼(W) 수매마다 1개의 가스 공급 구멍(341)을 형성하도록 구성해도 좋다.
또한 도2에 도시한 바와 같이 제2 가스 인젝터(34)는, 전술한 제1 가스 인젝터(31)에 형성된 각 가스 공급 구멍(311)이 개방하는 방향에 대해, 웨이퍼 보트(25) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 대향하는 위치에 당해 제2 가스 인젝 터(34)의 각 가스 공급 구멍(341)이 개방하도록 반응 용기(2) 내에 설치되어 있다.
이 제2 가스 인젝터(34)는 상류측에서 2개로 분기되고, 각각 산화 가스 공급로(35) 및 불활성 가스 공급로(39)와 접속되어 있다. 산화 가스 공급로(35)의 더 상류측에는 밸브(V5)를 통해 수증기 발생 장치(36)가 접속되어 있다. 또한 당해 수증기 발생 장치(36)에는, 각각 매스 플로우 컨트롤러(MFC3, MFC4) 및 밸브(V6, V7)를 통해 수소 가스 공급원(37) 및 산소 가스 공급원(38)이 설치되어 있고, 각각 수소 가스, 산소 가스를 수증기 발생 장치(36)로 공급할 수 있다.
여기서 수증기 발생 장치(36)는, 내부를 통과하는 가스를 가열하는 가열계를 구비하는 동시에, 가스의 유로에는 예를 들어 백금 등의 촉매가 설치되고, 산소 가스 및 수소 가스를 예를 들어 500 ℃ 이하의 소정 온도로 가열하면서 촉매에 접촉시켜 수증기를 발생시키도록 구성되어 있다. 이 수증기 발생 장치(36)는, 예를 들어 감압된 반응 용기(2) 내에 공급되는 수증기의 농도를, 수증기 및 산소 가스에 대한 수증기의 농도에서 1 체적％ 내지 90 체적％의 범위에서 변화시킬 수 있다. 또한 수증기의 공급에 있어서는, 이와 같은 촉매를 사용한 수증기의 공급 대신에, 물을 기화시켜 수증기를 얻는 기화기를 사용해도 되는 것은 물론이다.
또한 제2 인젝터(34)로부터 분기된 전술한 불활성 가스 공급로(39)의 상류측에는, 전후에 밸브(V3, V4)가 설치된 매스 플로우 컨트롤러(MFC2)를 통해, 불활성 가스인 예를 들어 질소 가스를 봄베 내 등에 저장한 질소 가스 공급원(30)이 설치되어 있다. 또한, 이상에 설명한 각종 가스 공급로(35, 39)나 밸브(V3 내지 V7), 가스 공급원(37, 38, 30)이나 수증기 발생 장치(36)는 가스 공급부(3b)를 구성하고 있다.
또한 반응 용기(2)는, 그 정상부 중앙에 형성된 개구로부터 배기를 행하기 위해, 이 개구에 반응 용기(2) 내를 배기하기 위한 배기구(4)가 접속되어 있다. 이 배기구(4)에는, 반응 용기(2) 내를 원하는 진공도로 감압 배기 가능한 진공 펌프(41) 및 압력 조정계(42)를 구비한 배기관(43)이 접속되어 있다. 이들 진공 펌프(41) 및 압력 조정계(42)는 배기계를 구성하고 있다. 반응 용기(2)의 주위에는, 반응 용기(2) 내를 가열하기 위한 가열계인 히터(44)를 구비한 가열로(45)가 설치되어 있다. 상기 히터(44)로서는, 컨테미네이션이 없어 승강온 특성이 우수한 카본 와이어 등을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 성막 장치(1)는, 전술한 히터(44)나 압력 조정계(42) 및 각 가스 공급부(3a, 3b)의 동작을 제어하는 제어부(5)를 구비하고 있다. 제어부(5)는 예를 들어 도시하지 않은 CPU와 프로그램을 구비한 컴퓨터로 이루어지고, 프로그램에는 당해 성막 장치(1)에 의해 웨이퍼(W)로의 성막 처리를 행하는데 필요한 동작, 예를 들어 히터(44)의 온도 컨트롤이나 반응 용기(2) 내의 압력 조정 및 반응 용기(2)로의 처리 가스나 산화 가스의 공급량 조정에 관한 제어 등에 대한 스텝(명령)군이 짜여져 있다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 거기로부터 컴퓨터에 인스톨된다.
다음에 성막 장치(1)를 사용하여 실시하는 성막 방법의 일례에 대해, 도3에 나타낸 시퀸스도를 참조하면서 설명한다. 시퀸스도 중, 도3의 (a)는 반응 용기(2) 내의 처리 온도를 나타내고, 도3의 (b)는 반응 용기(2)로의 원료 가스(AlCl3)의 공급 타이밍, 도3의 (c)는 산화 가스(수증기)의 공급 타이밍, 도3의 (d)는 퍼지 가스(질소 가스)의 공급 타이밍을 나타내고 있다.
우선 피처리체인 웨이퍼(W), 예를 들어 도4a에 도시한 바와 같은 P형 실리콘 기판(110) 상에 소스 전극(101)이나 드레인 전극(102)이 형성되고, 그 위에 터널 산화막(103)으로 되는 실리콘 산화막(103a)이나, 차지 트랩층(104)으로 되는 실리콘 질화막(104a)이 적층된 웨이퍼(W)를 소정 매수 웨이퍼 보트(25)로 보유 지지시키고, 계속해서 도3의 (a)에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 온도가 150 ℃ 정도로 유지된 반응 용기(2) 내에, 도시하지 않은 보트 엘리베이터를 상승시킴으로써 웨이퍼 보트(25)를 반입(로드)한다.
계속해서 반응 용기(2)의 하단부 개구부(21)가 덮개체(23)에 의해 폐색되면, 도3의 (a)에 나타낸 바와 같이, 반응 용기(2) 내의 온도를 예를 들어 200 ℃/분의 승온 속도로, 예를 들어 800 ℃ 이상, 1,000 ℃ 이하의 온도 범위의 예를 들어 950 ℃까지 승온시키는 동시에, 배기구(4)를 통해 반응 용기(2) 내를 진공 펌프(41)에 의해 예를 들어 13.3 ㎩(0.1 Torr) 내지 1.3 × 103 ㎩(10 Torr)의 범위 내의 예를 들어 33.3 ㎩(0.25 Torr) 정도의 압력으로 되도록 배기한다.
반응 용기(2) 내의 승온 및 배기를 완료하면, 진공 펌프(41)의 가동을 계속하면서 웨이퍼(W) 상에 성막을 행하는 공정으로 이동한다. 우선 도3의 (b)에 나타낸 바와 같이, AlCl3 가스를 예를 들어 30 sccm 내지 300 sccm의 범위 예를 들어 30 sccm 유량으로 반응 용기(2) 내에 연속적으로 공급한다. 이때, AlCl3 가스는 제1 가스 인젝터(31) 중을 상승하면서 승온되고, 웨이퍼 보트(25)에 선반 형상으로 보유 지지된 각 웨이퍼(W)에 대응한 높이 위치에서, 각 가스 공급 구멍(311)으로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출된다.
이 제1 가스 인젝터로부터의 AlCl3 가스의 공급과 병행하여, 제2 가스 인젝터로부터는, 도3의 (c)에 나타낸 바와 같이 예를 들어 농도가 90 체적％의 수증기를, 20 내지 500 sccm의 범위의 예를 들어 50 sccm의 유량으로 연속적으로 공급한다. 이때, 수증기에 대해서도 제2 가스 인젝터(34) 중을 상승하면서 승온되고, 웨이퍼 보트(25)에 선반 형상으로 보유 지지된 각 웨이퍼(W)에 대응한 높이 위치에서, 각 가스 공급 구멍(341)으로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출된다.
이와 같이 반응 용기(2) 내에 AlCl3 가스와 수증기를 동시에 연속 공급하면, 이들 가스는 이하의 식 1에 나타내는 반응식을 기초로 하여 반응하여 Al2O3가 형성된다.
[식 1]
Figure 112008072375916-PAT00001
여기서 Al2O3가 형성되는 반응 용기(2) 내의 분위기는, 전술한 바와 같이 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 범위의 950 ℃의 온도 분위기로 되어 있으나, 당해 온도 범위에 있어서는 AlCl3 가스의 증기압이 높고, 반응 용기(2) 내에 AlCl3 가스를 단 독으로 공급하면, AlCl3 가스는 웨이퍼(W) 상에 거의 흡착하지 않고 반응 용기(2)로부터 배출되어 버린다.
따라서, 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에 있어서는, 전술과 같이 웨이퍼 보트(25)의 상단부까지 수직 상승되고, 이 웨이퍼 보트(25)에 선반 형상으로 보유 지지된 각 웨이퍼(W)에 대응한 높이 위치에 형성된 가스 공급 구멍(311)으로부터 AlCl3 가스를 공급하는 한편에서, 이 AlCl3 가스의 공급과 동시에 산화 가스인 수증기를 공급하고 있다. 이와 같이 AlCl3 가스와 수증기를 동시에 공급함으로써, 식 1에 나타낸 반응을 웨이퍼(W)의 표면 근방에서 진행시키고, 생성된 Al2O3를 웨이퍼(W) 표면에 퇴적시킴으로써, 웨이퍼(W) 표면에 알루미나막을 성막하는 것이 가능해진다.
또한 식 1에 나타낸 AlCl3 가스와 수증기의 반응은 반응 속도가 매우 크기 때문에, 이들 가스는 접촉하면 빠르게 Al2O3를 형성한다. 이로 인해, 예를 들어 인접하도록 나열한 2개의 가스 인젝터(31, 34)로부터 AlCl3 가스, 수증기를 공급하도록 구성하면, 가스 공급 구멍(311, 341)으로부터 공급된 이들 가스가 인젝터(31, 34) 근방의 반응 용기(2)의 벽면이나 웨이퍼(W)의 주연부 근방에서 즉시 반응해 버리기 때문에, 웨이퍼(W)의 전체면에 알루미나막을 성막할 수 없게 되어 버린다.
따라서 본 실시 형태에 관한 성막 장치(2)에서는, 전술과 같이 제1 인젝터의 가스 공급 구멍(311), 제2 가스 인젝터(34)의 가스 공급 구멍(341)이, 웨이퍼 보 트(25) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 대향하도록 설치되어 있다. 이로 인해, 가스 공급 구멍(311, 341)으로부터 공급된 각각의 가스를 웨이퍼(W) 직경 방향으로 확산시키면서 접촉시킬 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 균일한 알루미나막을 성막할 수 있다. 또한, 이 성막 기간 중에는, 모터(M)에 의해 웨이퍼 보트(25)를 회전시키고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 있어서도 균일한 알루미나막을 성막할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에 있어서는, 각 가스 공급 구멍(311, 341)을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 대향시킴으로써, 균일한 막 두께의 알루미나막을 성막하는 전술한 장치 구성에 부가하여, 프로세스 조건에 있어서도 균일한 막 두께의 알루미나막을 성막하기 위한 조정이 행해지고 있다. 즉, 식 1에 나타낸 반응에 있어서는, AlCl3 가스, 수증기 중 어느 한쪽, 또는 양쪽의 공급량이 지나치게 많으면 반응이 급격히 우측으로 진행해 버려, 각 가스가 웨이퍼(W) 표면에 충분히 고루 퍼지기 전에 Al2O3가 형성되고, 역시 불균일한 막 두께의 (면내 균일성이 나쁜) 알루미나막이 형성되어 버린다. 한편, 이들 가스의 공급량비를 균형적으로 공급하고, 웨이퍼(W) 표면에 균일하게 알루미나막이 형성되도록 해도, 이들 가스의 공급량이 지나치게 적은 경우에는, 성막 시간이 길어져 버린다는 단점이 있다.
따라서 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)는, 후술하는 실시예에서 실험 결과를 나타낸 바와 같이, (가) AlCl3 가스의 공급량을 예를 들어 30 sccm 내지 300 sccm의 범위 내의 예를 들어 30 sccm, (나) 상기 AlCl3 가스의 공급량에 대한 수증기의 공급량비를 예를 들어 1.3 내지 1.7의 범위 내의 예를 들어 1.7(50 sccm)로 설정함으로써, 현실적인 성막 시간의 범위 내에서 균일한 알루미나막을 성막할 수 있도록 설정되어 있다.
또한 당해 성막 장치(1)에 있어서는 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 범위의 950 ℃라는 비교적 높은 온도에서 성막을 행한 결과, 이와 같은 온도 범위에서는 오존 가스 등의 불안정한 산화 가스는 산화 가스로서의 활성을 잃어 버리는 경향이 있다. 이에 반해 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에 있어서는, 산화 가스로서 수증기를 채용하고 있고, 수증기는 상술한 온도 범위에 있어서도 안정적인 산화력을 갖고 있기 때문에, TMA를 사용한 종래법과 손색이 없는 성막 속도로 알루미나막(105a)을 성막할 수 있다.
이와 같은 장치 조건, 프로세스 조건하에, AlCl3 가스와 수증기를 예를 들어 30분간 연속 공급함으로써, 도4b에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면에는 알루미나막(105a)이 성막된다. 여기서 TMA를 사용한 종래의 성막법의 성막 온도 300 ℃와 비교하여 온도가 높은, 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 범위의 950 ℃라는 온도로 성막을 행하기 때문에, 성막 중에 알루미나막(105a)이 결정화되고, 이 결정화된 알루미나막(105a)에는 비교적 많은 α-Al2O3가 포함되어 있는 것을 발명자들은 파악하고 있다. 이 결과, 예를 들어 모두가 γ-Al2O3로 구성되어 있는 알루미나막에 비해 실리콘 질화막(104a)에 대한 당해 알루미나막(105a) 전체의 평균적인 밴드 갭이 높아 지므로, 리크 전류를 저감하는 것이 가능해진다.
또한 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 범위 내의 온도는, 알루미나막(105a)의 하층측에 적층되어 있는 부분[각 전극(101, 102)이 형성된 P형 실리콘 기판(110)이나 실리콘 산화막(103a), 실리콘 질화막(104a)]에 미치는 열이력의 영향이 비교적 작게 완료된다.
성막 장치(1)의 동작 설명으로 복귀하면, 이상에 설명한 공정에 의해 실리콘 질화막(104a) 상에 알루미나막(105a)이 형성되면, 도3의 (b), 도3의 (c)에 나타낸 바와 같이 반응 용기(2) 내로의 AlCl3 가스 및 수증기의 공급을 정지한다. 그리고, 반응 용기(2) 내의 배기를 행하면서 퍼지 가스(질소 가스)의 공급과 정지를 반복하는 반응 용기(2)의 사이클 퍼지 조작을 행한다. 그 후, 도3의 (d)에 나타낸 바와 같이 불활성 가스 공급로(39)로부터 퍼지 가스를 공급하면서 반응 용기(2) 내의 압력을 대기압으로 복귀시키는 동시에, 반응 용기(2) 내의 온도를 예를 들어 200 ℃까지 하강시킨 후, 퍼지 가스의 공급을 정지하여 웨이퍼 보트(25)를 반응 용기(2)로부터 반출(언로드)한다. 이상에 설명한 일련의 공정은, 제어부(5)에 저장된 프로세스 레시피를 기초로 하여 히터(44), 압력 조정계(42) 및 각 가스 공급부(3a, 3b) 등을 제어하여 행해진다.
반응 용기(2)로부터 반출된 웨이퍼(W)에는, 그 후, 도4c에 나타낸 바와 같이 알루미나막(105a) 상에 컨트롤 게이트(106)로 되는 폴리실리콘막(106a)이 형성된다. 그런 후, 이들 적층 구조체로부터 포토리소그래피 등에 의해 터널 산화 막(103) 내지 컨트롤 게이트(106)의 게이트 구조를 얻고, 또한 각 전극(101, 102) 및 컨트롤 게이트(106)에 신호선을 접속함으로써, 도1에 도시하는 구조를 갖는 플래시 메모리의 메모리 소자(100)가 형성된다.
이상에 설명한 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에 따르면 이하의 효과가 있다. 원료 가스인 AlCl3 가스와, 산화 가스인 수증기를 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 온도에서 반응시킴으로써, α-Al2O3를 포함하는 알루미나막(105a)을 성막하고 있다. 또한, 상술한 온도 범위에 있어서는, 염화알루미늄과 수증기의 반응 속도가 매우 크나, 당해 성막 장치(1)의 반응 용기(2) 내에서 상하로 나열한 웨이퍼(W)군의 옆으로부터 각 웨이퍼(W)에 대해 원료 가스와 산화 가스를 개개의 가스 인젝터(31, 34)에 의해 공급하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 중앙 영역까지 양쪽의 가스가 각각 고루 퍼져서 반응하므로 면내 균일성이 높은 알루미나막(105a)을 얻을 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에 의해 성막되는 알루미나막(105a)도, 실시 형태 중에 나타낸 MONOS형의 플래시 메모리의 블록킹 절연막(105)으로서 이용되는 경우에만 한정되지 않는다. 예를 들어, DRAM 캐패시터의 절연막에도 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에 의해 성막된 알루미나막(105)은 적용할 수 있다.
[실시예]
(실험 1)
도2에 도시한 성막 장치(1)를 사용하여, AlCl3 가스와 수증기를 반응시켜 웨이퍼(W) 상에 알루미나막(105a)을 성막하고, 그 결정 구조를 조사했다. 또한 비교 예로서, TMA를 사용하는 종래법에 의해 성막한 알루미나막(105a)을 어닐 처리한 후, 그 결정 구조를 조사했다. 알루미나막(105a)의 성막은, 이하에 나타내는 (제1 실시예)에 대해서는 원료 가스 및 산화 가스를 연속 공급하는 CVD법에 의해 행하고, (제1 비교예)에 대해서는 원료 가스와 산화 가스를 교대로 반복 공급하는 MLD법에 의해 행했다.
A. 실험 조건
(제1 실시예)
원료 가스 : AlCl3 가스
산화 가스 : 수증기
프로세스 온도 : 950 ℃
프로세스 압력 : 33.3 ㎩(0.25 Torr)
원료 가스 공급량 : 30 sccm
산화 가스 공급량 : 50 sccm
성막 시간 : 30분
(제1 비교예)
성막 조건
원료 가스 : TMA 가스
산화 가스 : 오존 가스
프로세스 온도 : 300 ℃
프로세스 압력 :
TMA 가스 40.0 ㎩(0.3 Torr)
오존 가스 133.3 ㎩(1.0 Torr)
원료 가스 공급량 : 300 sccm
산화 가스 공급량 : 200 g/N㎥(산소 가스 10 slm 중의 농도)
성막 시간 :
TMA 가스 15초/cycle
오존 가스 20초/cycle
합계 200 cycle
어닐 조건
프로세스 분위기 : 질소 분위기
프로세스 온도 : 1,000 ℃
프로세스 압력 : 1.01 × 105 ㎩(대기압)
어닐 시간 : 60분
B. 실험 결과
도5는 (제1 실시예), (제1 비교예)에 있어서 얻어진 알루미나막(105a)에 포함되는 Al2O3의 결정 구조의 조성비를 정리한 그래프이다. 그래프의 좌측에 나타낸 칼럼은 (제1 실시예)에서 얻어진 알루미나막(105a)의 조성비를 나타내고, 우측에 나타낸 칼럼은 (제1 비교예)의 조성비를 나타내고 있다. 각 알루미나막의 조성비 는 TEM(Transmission Electron Microscope)으로부터 취득한 화상 데이터를 해석함으로써 구했다.
(제1 실시예)의 결과에 따르면, AlCl3 가스와 수증기를 950 ℃의 프로세스 온도에서 반응시킴으로써 얻어진 알루미나막(105a)에는 θ상, α상, η상, γ상의 4종류의 결정 구조가 포함되어 있었다. 이들 중, 본 실시 형태의 목적 물질인 α-Al2O3(α상)는 θ상, η상에 다음으로 3번째로 많고, 알루미나막(105a) 전체에 대해 18 ％ 포함되어 있었다.
이에 반해, TMA를 사용한 성막과 그 후의 어닐을 조합한 (제1 비교예)에서 얻어진 알루미나막(105a)에서는, χ상이나 θ상을 비롯한 6종류의 결정 구조가 포함되어 있었으나, 목적 물질인 α-Al2O3(α상)는 이들 6종류의 결정 구조 중에서 가장 적고, 전체의 3 ％밖에 포함되어 있지 않았다.
이들 결과로부터, (제1 실시예), (제1 비교예) 각각의 실험에서 얻어진 알루미나막(105a)을 비교하면, AlCl3 가스와 수증기로부터 성막한 (제1 실시예)에서 얻어진 알루미나막(105a)에는, (제1 비교예)의 약 6배의 α-Al2O3가 포함되어 있다. 이 결과 (제1 실시예)에서 성막된 알루미나막(105a)의 평균적인 밴드 갭이 (제1 비교예)의 경우에 비교하여 높아지고, 당해 (제1 실시예)의 알루미나막(105a)을 사용하여 MONOS형의 플래시 메모리를 구성했을 때의 리크 전류를 저감하는 것이 가능해지는 것을 알 수 있다.
(실험 2)
도2에 도시한 성막 장치(1)를 사용하여, AlCl3 가스와 수증기를 반응시켜 알루미나막(105a)의 성막을 행할 때에, AlCl3 가스의 공급량을 고정하여 수증기의 공급량을 변화시키고, 성막된 알루미나막의 막 두께 및 웨이퍼(W)의 중앙부와 주연부 사이의 막 두께의 균일성을 조사했다.
A. 실험 조건
원료 가스 : AlCl3 가스
산화 가스 : 수증기
프로세스 온도 : 950 ℃
프로세스 압력 : 33.3 ㎩(0.25 Torr)
원료 가스 공급량 : 30 sccm
성막 시간 : 5분
(제2 실시예)
산화 가스 공급량(100 체적％ 환산) : 40 sccm
공급량비 R(수증기 공급량/AlCl3 가스 공급량) : 1.33
(제3 실시예)
산화 가스 공급량(100 체적％ 환산) : 50 sccm
공급량비 R : 1.67
(제2 비교예)
산화 가스 공급량(100 체적％ 환산) : 25 sccm
공급량비 R : 0.83
(제3 비교예)
산화 가스 공급량(100 체적％ 환산) : 75 sccm
공급량비 R : 2.50
B. 실험 결과
도6은 (실험 2)에 있어서의 각 실시예, 비교예에서 얻어진 알루미나막(105a)의 웨이퍼(W) 상의 소정 영역에 있어서의 막 두께를 작도한 결과를 나타내고 있다. 도면 중 횡축은 성막 중의 수증기 공급량을 나타내고, 종축은 성막된 알루미나막(105a)의 막 두께를 나타내고 있다. 흑색으로 칠한 원「●」의 작도는, 이들 실시예 및 비교예에서 얻어진 알루미나막(105a)의 웨이퍼(W) 주연부 24점의 계측점에 있어서의 막 두께의 평균값이고, 흑색으로 칠한 삼각「▲」의 작도는, 웨이퍼(W) 중앙부의 계측점 25점의 평균 막 두께이다. 또한 흑색으로 칠한 마름모꼴「◆」의 작도는, 이들 웨이퍼(W) 전체의 계측점 49점의 평균 막 두께이다. 또한 파선의 포위부는, 동일한 실시예, 비교예에서 얻어진 계측 결과인 것을 나타내고 있다.
도6에 따르면, (제2, 제3 실시예) 및 (제2, 제3 비교예)의 어느 것에 있어서도 웨이퍼(W) 주연부의 막 두께가 중앙부의 막 두께보다도 두꺼워지는 경향이 나타나고 있다. 이것은 도2에 도시한 바와 같이 각 가스 인젝터(31, 34)로부터는 Al2O3 가스나 수증기가 웨이퍼(W)의 주연부로 공급되기 때문에, 가스의 공급부 부근에서 먼저 성막이 진행하고, 공급부에서 먼 웨이퍼(W) 중앙부와 비교하여 막 두께가 두꺼워진 것이라 생각된다.
그러나 (제2 실시예)(공급량비 R = 1.33), (제3 실시예)(R = 1.67)에 있어서는, 웨이퍼(W) 주연부와 중앙부의 막 두께의 차가 약 5 ㎚ 정도인 것에 반해, 수증기의 공급량이 가장 많은 (제2 비교예)(R = 2.50)에 있어서는, 이 막 두께차가 약 20 ㎚로 4배나 넓게 되어 있다. 이것은 수증기의 공급되는 가스 인젝터(34) 부근에 과잉의 수증기가 공급된 것에 의해, 당해 인젝터(34)에 가까운 웨이퍼(W) 주연부에 있어서 식 1의 반응이 급격히 진행하는 한편, 웨이퍼(W) 중앙부에 고루 퍼져야 할 AlCl3 가스도 당해 주연부에서 소비되어 버렸기 때문이라 생각된다. 이것은 웨이퍼(W) 전체의 막 두께를 (제3 실시예)와 (제3 비교예) 사이에서 비교하면, 그다지 큰 차는 보여지지 않고, 웨이퍼(W) 상에 성막된 알루미나의 총량에는 큰 차가 없는 것으로부터도 설명할 수 있다.
한편, 수증기의 공급량이 적은 (제1 비교예)(R = 0.83)에 있어서는, (제3 비교예)와 같은 웨이퍼(W) 주연부와 중앙부 사이의 현저한 막 두께의 차는 보여지지 않으나, 웨이퍼(W) 전체의 막 두께가 제2 실시예의 절반 정도 이하로 되어 버려 성막 속도가 느리다. 이것은 AlCl3 가스의 공급량에 대해 수증기의 공급량이 지나치게 적기 때문에, 식 1의 반응이 우측으로 진행되기 어렵기 때문이라 생각된다. 이상의 점으로부터, 성막 속도가 너무 느리지 않고, 또한 막 두께의 면내 균일성을 양호하게 하기 위해서는, AlCl3 가스의 공급량을 예를 들어 30 sccm 내지 50 sccm의 범위 내의 30 sccm으로 한 경우에, AlCl3 가스의 공급량에 대한 수증기의 공급량비를 예를 들어 1.3 내지 1.7의 범위 내로 조정하는 것이 적절하다고 할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 염화알루미늄을 포함하는 원료 가스와, 수증기를 포함하는 산화 가스를 800 ℃ 내지 1,000 ℃의 온도에서 반응시켜 α-Al2O3를 포함하는 알루미나막을 성막하고 있다. 또한, 상술한 온도 범위에 있어서는, 염화알루미늄과 수증기의 반응 속도가 매우 크나, 종형의 반응 용기 내에서 상하에 나열한 기판군의 옆으로부터 각 기판에 대해 원료 가스와 산화 가스를 개개의 공급계에 의해 공급하고 있기 때문에, 기판의 중앙 영역까지 양쪽의 가스가 각각 고루 퍼져 반응하므로 면내 균일성이 높은 알루미나막을 얻을 수 있다.
도1은 본 발명의 실시 형태에 관한 알루미나막이 사용되는 MONOS형 메모리 소자의 구조를 도시하는 단면도.
도2는 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 방법을 실시하는 성막 장치를 도시하는 종단 단면도.
도3은 상기 성막 장치의 작용을 나타내는 시퀸스도.
도4a, 도4b, 도4c는 상기 MONOS형 메모리 소자의 제조 과정을 도시하는 종단면도.
도5는 다른 원료 가스를 사용하여 성막한 알루미나막의 결정 구조의 조성비를 나타내는 특성도.
도6은 상기 성막 장치의 프로세스 조건을 변화시켜 성막한 알루미나막의 막 두께의 변화를 나타내는 특성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 성막 장치
2 : 반응 용기
21 : 개구부
22 : 플랜지
23 : 덮개체
24 : 회전축
25 : 웨이퍼 보트
26 : 지지 기둥
27 : 보온 유닛
36 : 수증기 발생 장치
W : 웨이퍼
V1 내지 V9 : 밸브
MFC1 내지 MFC5 : 매스 플로우 컨트롤러

Claims (20)

  1. 반도체 디바이스를 제조하기 위한 기판에 α-알루미나를 포함하는 알루미나막을 성막하는 반도체 디바이스 제조 장치이며,
    종형의 반응 용기와,
    복수의 기판을 선반 형상으로 보유 지지하여 상기 종형의 반응 용기 내에 반입하기 위한 기판 보유 지지구와,
    상기 반응 용기 내에서 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 각 기판에 대응하는 높이 위치에, 염화알루미늄을 포함하는 원료 가스를 공급하기 위한 가스 공급 구멍을 형성한 제1 가스 공급계와,
    상기 반응 용기 내에서 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 각 기판에 대응하는 높이 위치에, 수증기를 포함하는 산화 가스를 공급하기 위한 가스 공급 구멍을 형성한 제2 가스 공급계와,
    상기 반응 용기의 주위를 둘러싸도록 설치된 가열계와,
    상기 반응 용기 내를 배기하기 위한 배기계와,
    상기 장치의 임의의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 가열계에 의해 상기 반응 용기 내의 처리 분위기를 800 ℃ 이상, 1,000 ℃ 이하의 범위 내의 온도로 가열하는 동시에, 상기 제1 가스 공급계의 상기 가스 공급 구멍 및 상기 제2 가스 공급계의 상기 가스 공급 구멍으로부터 상기 반응 용기 내에 상기 원료 가스와 상기 산화 가스를 동시에 공급하여 반응시킴으로써 각 기판의 표 면에 알루미나막을 성막하기 위한 제어 신호를 출력하도록 미리 설정되는 반도체 디바이스 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 가스 공급계 및 제2 가스 공급계는 각각 상기 반응 용기의 하부로부터 상기 기판 보유 지지부의 상단부에 걸쳐 수직 상승된 배관에 의해 구성되고, 상기 가스 공급 구멍은 당해 배관의 관벽부에, 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지된 기판을 향해 개방되어 있는 반도체 디바이스 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 원료 가스에 포함되는 염화알루미늄의 공급량이 30 cc/분 이상, 300 cc/분 이하의 범위 내인 반도체 디바이스 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 원료 가스에 포함되는 염화알루미늄의 공급량에 대한 상기 산화 가스에 포함되는 수증기의 공급량비가 1.3 이상, 1.7 이하의 범위 내인 반도체 디바이스 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 알루미나막은 고유전체로 이루어지는 절연막으로서 사용되는 것인 반도체 디바이스 제조 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 알루미나막은 터널 산화막, 차지 트랩층, 블록킹 절연막 및 컨트롤 게이트가 아래로부터 이 순서로 적층된 메모리 소자에 있어서, 상기 블록킹 절연막으로서 사용되는 반도체 디바이스 제조 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제1 가스 공급계의 상기 가스 공급 구멍과 상기 제2 가스 공급계의 상기 가스 공급 구멍은, 상기 기판 보유 지지구를 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 반도체 디바이스 제조 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 배기계는 상기 반응 용기의 정상부 중앙에 형성된 개구로부터 배기를 행하도록 구성되는 반도체 디바이스 제조 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기판 보유 지지구를 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 알루미나막을 성막할 때, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 보유 지지구를 회전시키도록 미리 설정되는 반도체 디바이스 제조 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 알루미나막을 성막할 때, 상기 반응 용기 내를 13.3 내지 1.3 × 103 ㎩로 설정하기 위한 제어 신호를 출력하도록 미리 설정되는 반도체 디바이스 제조 장치.
  11. 반도체 디바이스를 제조하기 위한 기판에 α-알루미나를 포함하는 알루미나 막을 성막하는 반도체 디바이스 제조 방법이며,
    기판 보유 지지구에 의해 복수의 기판을 선반 형상으로 보유 지지하여 종형의 반응 용기 내에 이들 기판을 반입하는 공정과,
    상기 반응 용기 내의 처리 분위기를 800 ℃ 이상, 1,000 ℃ 이하의 온도로 가열하는 공정과,
    상기 반응 용기 내를 배기하면서, 제1 가스 공급계의 가스 공급 구멍으로부터 염화알루미늄을 포함하는 원료 가스를 공급하는 동시에, 제2 가스 공급계의 가스 공급 구멍으로부터 수증기를 포함하는 산화 가스를 공급하고, 상기 원료 가스와 상기 산화 가스를 반응시켜 각 기판의 표면에 알루미나막을 성막하는 공정을 구비하고,
    상기 제1 가스 공급계 및 상기 제2 가스 공급계의 각각의 상기 가스 공급 구멍은, 상기 반응 용기 내에서 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 각 기판에 대응하는 높이 위치에 설치되는 반도체 디바이스 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 원료 가스에 포함되는 염화알루미늄의 공급량이 30 cc/분 이상, 300 cc/분 이하의 범위 내인 반도체 디바이스 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 원료 가스에 포함되는 염화알루미늄의 공급량에 대한 상기 산화 가스에 포함되는 수증기의 공급량비가 1.3 이상, 1.7 이하의 범위 내인 반도체 디바이스 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 알루미나막은 고유전체로 이루어지는 절연막으로서 사용되는 것인 반도체 디바이스 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 알루미나막은 터널 산화막, 차지 트랩층, 블록킹 절연막 및 컨트롤 게이트가 아래로부터 이 순서로 적층된 메모리 소자에 있어서, 상기 블록킹 절연막으로서 사용되는 반도체 디바이스 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제1 가스 공급계의 상기 가스 공급 구멍과 상기 제2 가스 공급계의 상기 가스 공급 구멍은, 상기 기판 보유 지지구를 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 반도체 디바이스 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 알루미나막을 성막할 때, 상기 반응 용기의 정상부 중앙에 형성된 개구로부터 배기를 행하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 알루미나막을 성막할 때, 상기 기판 보유 지지구를 수평면 내에서 회전시키는 반도체 디바이스 제조 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 알루미나막을 성막할 때, 상기 반응 용기 내를 13.3 내지 1.3 × 103 ㎩로 설정하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  20. 프로세서상에서 실행하기 위한 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터로 판독 가능한 매체이며,
    상기 프로그램 지령은, 프로세서에 의해 실행될 때, 반도체 디바이스 제조 장치를 제어하여, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 기판에 α-알루미나를 포함하는 알루미나막을 성막하는 반도체 디바이스 제조 방법을 실행하고, 상기 방법은,
    기판 보유 지지구에 의해 복수의 기판을 선반 형상으로 보유 지지하여 종형의 반응 용기 내에 이들 기판을 반입하는 공정과,
    상기 반응 용기 내의 처리 분위기를 800 ℃ 이상, 1,000 ℃ 이하의 온도로 가열하는 공정과,
    상기 반응 용기 내를 배기하면서, 제1 가스 공급계의 가스 공급 구멍으로부터 염화알루미늄을 포함하는 원료 가스를 공급하는 동시에, 제2 가스 공급계의 가스 공급 구멍으로부터 수증기를 포함하는 산화 가스를 공급하고, 상기 원료 가스와 상기 산화 가스를 반응시켜 각 기판의 표면에 알루미나막을 성막하는 공정을 구비하고,
    상기 제1 가스 공급계 및 상기 제2 가스 공급계의 각각의 상기 가스 공급 구멍은, 상기 반응 용기 내에서 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 각 기판에 대응하는 높이 위치에 설치되는 컴퓨터로 판독 가능한 매체.
KR1020080102110A 2007-10-19 2008-10-17 반도체 디바이스 제조 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법 KR101533846B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007272918A JP4905315B2 (ja) 2007-10-19 2007-10-19 半導体製造装置、半導体製造方法及び記憶媒体
JPJP-P-2007-272918 2007-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090042159A true KR20090042159A (ko) 2009-04-29
KR101533846B1 KR101533846B1 (ko) 2015-07-03

Family

ID=40706512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080102110A KR101533846B1 (ko) 2007-10-19 2008-10-17 반도체 디바이스 제조 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4905315B2 (ko)
KR (1) KR101533846B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011151366A (ja) 2009-12-26 2011-08-04 Canon Anelva Corp 誘電体膜の製造方法
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3736107A (en) * 1971-05-26 1973-05-29 Gen Electric Coated cemented carbide product
JPS5272399A (en) * 1975-12-13 1977-06-16 Fujitsu Ltd Method and apparatus for growth of single crystals of al2o3 from gas p hase
JP4776054B2 (ja) * 2000-02-04 2011-09-21 株式会社デンソー 原子層成長による薄膜形成方法
JP2004292852A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Denso Corp 薄膜成膜装置および方法
JP4257576B2 (ja) * 2003-03-25 2009-04-22 ローム株式会社 成膜装置
US7455918B2 (en) * 2004-03-12 2008-11-25 Kennametal Inc. Alumina coating, coated product and method of making the same
WO2006088062A1 (ja) * 2005-02-17 2006-08-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101533846B1 (ko) 2015-07-03
JP2009105087A (ja) 2009-05-14
JP4905315B2 (ja) 2012-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10910217B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium, and substrate processing apparatus
KR100954243B1 (ko) 반도체 처리용 성막 장치 및 방법과 컴퓨터로 판독 가능한 매체
US8415258B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate and substrate processing apparatus
US7964241B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
KR100861851B1 (ko) 실리콘 산화막 형성 방법 및 장치
TWI409858B (zh) 膜形成方法
KR101242274B1 (ko) 반도체 처리용 성막 방법, 컴퓨터로 판독 가능한 매체 및 반도체 처리용 성막 장치
US9012331B2 (en) Etching method and non-transitory storage medium
KR100854428B1 (ko) 박막 커패시터와 그 형성 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억매체
US9437421B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
US11047044B2 (en) Film forming apparatus and film forming method
KR101520844B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 기록 매체 및 반도체 장치
US8389421B2 (en) Film formation method and film formation apparatus
KR100964045B1 (ko) 반도체 처리용의 성막 방법 및 장치 및 컴퓨터로 판독 가능한 매체
KR100974969B1 (ko) 실리콘 질화막의 형성 방법
US10533250B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US20240093361A1 (en) Vaporizer, processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20130239893A1 (en) Stabilization method of film forming apparatus and film forming apparatus
KR101119880B1 (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20110126048A (ko) 성막 방법 및 성막 장치
JP2009132961A (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US9552981B2 (en) Method and apparatus for forming metal oxide film
TW200402790A (en) Method of oxidizing member to be treated
KR20090042159A (ko) 반도체 디바이스 제조 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법
JP2009088236A (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 5