KR20090028686A - 복합 고주파 부품 - Google Patents

복합 고주파 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR20090028686A
KR20090028686A KR1020087027022A KR20087027022A KR20090028686A KR 20090028686 A KR20090028686 A KR 20090028686A KR 1020087027022 A KR1020087027022 A KR 1020087027022A KR 20087027022 A KR20087027022 A KR 20087027022A KR 20090028686 A KR20090028686 A KR 20090028686A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
high frequency
signal
diode
common
inductor
Prior art date
Application number
KR1020087027022A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100995302B1 (ko
Inventor
타카노리 우에지마
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20090028686A publication Critical patent/KR20090028686A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100995302B1 publication Critical patent/KR100995302B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H03H7/465—Duplexers having variable circuit topology, e.g. including switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/12—Bandpass or bandstop filters with adjustable bandwidth and fixed centre frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter

Abstract

예를 들면, 송수 절체 스위치(203)에 있어서 송신 신호 전송로에 대해서 직렬로 제 1 다이오드(GD1)를 설치하고, 수신 신호 전송로에 대해서 션트로 제 2 다이오드(GD2)를 설치하고, 제 1 다이오드(GD1)에 직류 전류가 흐르는 제 1 전류 경로(GCR1)와 제 2 다이오드(GD2)에 직류 전류가 흐르는 제 2 전류 경로(GCR2)를 병렬 접속한다. 제어 단자(VcG)에 소정의 정전압을 인가하면 제어 단자(VcG)→저항(GR)→인덕터(GSL1)→다이오드(GD1)→스트립 라인(Lt1)→스트립 라인(Lt2)→공용 인덕터(Lt3)의 경로로 직류 전류가 흐르고, 또한, 제어 단자(VcG)→저항(GR)→다이오드(GD2)→스트립 라인(GSL2)→스트립 라인(Lt1)→(Lt2)→(Lt3)의 경로로 직류 전류가 흐른다.
Figure P1020087027022
복합 고주파 부품, 신호 전송로, 다이오드, 션트, 인덕터

Description

복합 고주파 부품{COMPOSITE HIGH-FREQUENCY COMPONENT}
본 발명은 고주파 스위치를 구비한 복합 고주파 부품에 관한 것으로서, 특히, 낮은 제어 전압으로 송수신 신호의 스위칭을 행하는 복합 고주파 부품에 관한 것이다.
종래, 각각의 주파수대가 다른 복수의 통신계의 송수신 신호를 안테나로 송수신함과 아울러, 송수신 신호를 송신 신호와 수신 신호로 스위칭하는 고주파 스위치를 구비한 복합 고주파 부품이 알려져 있다.(예를 들면, 특허 문헌 1 참조.)
상기 고주파 스위치에는 송신 신호를 안테나로 출력하고 안테나로부터의 수신 신호를 수신부에 입력하기 위한 복수개의 다이오드가 포함되어 있다.
여기에서 특허 문헌 1에 개시되어 있는 복합 고주파 부품의 구성에 대해서 도 1을 기초로 설명한다.
이 복합 고주파 부품은 1800㎒대의 GSM1800(DCS), 1900㎒대의 GSM1900(PCS), 850㎒대의 GSM850, 및 900㎒대의 GSM900(EGSM)에 적응하는 것이다.
도 1에 있어서 디플렉서(합분파기)(102)는 GSM850/GSM900계의 송수신 신호와, GSM1800/GSM1900계의 송수신 신호를 합파·분파한다. 송수 절체 스위치(103)는 GSM850/GSM900계의 송신 신호와 수신 신호를 스위칭한다. 마찬가지로 송수 절체 스 위치(104)는 GSM1800/GSM1900계의 송신 신호와 수신 신호를 스위칭한다. 필터(105)는 GSM850/GSM900계의 송신 신호의 기본파를 통과시킴과 아울러 고조파를 감쇠시킨다. 마찬가지로 필터(106)는 GSM1800/GSM1900계의 송신 신호의 기본파를 통과시킴과 아울러 고조파를 감쇠시킨다.
송수 절체 스위치(103)에 있어서 GSM850/900의 송신 신호를 전송하는 전송로에 다이오드(GD1) 및 인덕터(GSL1)를 설치함과 아울러, 이 송신 신호의 전송로에 대하여 다이오드(GD1)를 직렬로 설치하고 있다. 또한 GSM850/900의 수신 신호를 전송하는 전송로에는 스트립 라인(GSL2), 다이오드(GD2) 및 커패시터(GC5)를 설치함과 아울러, 이 수신 신호의 전송로에 대하여 다이오드(GD2)를 션트(shunt)로 설치하고 있다. 그리고, 송수 스위칭 제어 신호의 단자(VcG)로부터 정전압이 인가되었을 때, 상기 2개의 다이오드(GD1, GD2)에 대하여 직류 전류가 흐르도록 이 2개 다이오드(GD1, GD2)를 직렬 관계로 접속하고 있다.
송수 절체 스위치(104)에 대해서도 마찬가지로, GSM1800/1900의 송신 신호를 전송하는 전송로에 다이오드(DD1) 및 인덕터(DPSL1)를 설치함과 아울러, 이 송신 신호의 전송로에 대해서 다이오드(DD1)를 직렬로 설치하고 있다. 또한 GSM1800/1900의 수신 신호를 전송하는 전송로에는 스트립 라인(DSL2), 다이오드(DD2) 및 커패시터(DC5)를 설치함과 아울러, 이 수신 신호의 전송로에 대하여 다이오드(DD2)를 션트로 설치하고 있다. 그리고, 송수 스위칭 제어 신호의 단자(VcD)로부터 정전압이 인가되었을 때, 상기 2개의 다이오드(DD1, DD2)에 대해서 직류 전류가 흐르도록 이 2개의 다이오드(DD1, DD2)를 직렬 관계로 접속하고 있다.
상기 복합 고주파 부품은 휴대 전화 단말 등의 이동체 통신 시스템에 있어서의 통신 장치에 사용되지만, 최근의 저소비　전력화의 요청에 따라 구동 전압도 점점 더 저하되고 있다. 그런데, 도 1에 도시한 바와 같은 종래의 송수 절체 스위치(고주파 스위치)의 제어 신호의 전압을 저하시켜 가면 상기 2개의 다이오드(예를 들면, 도 1에 도시한 GSM850/900의 송수 절체 스위치(103)에 있어서의 다이오드(GD1, GD2))의 애노드·캐소드 사이에 인가되는 전압이 다이오드의 PN 접합 전위에 가깝게 된다. 그러한 조건에서는 다이오드가 완전한 도통 상태로는 안되고, 온 저항이 증가하거나, 전송/차단해야 할 전송 신호의 전압에 따라 다이오드의 양단 전압이 변동되거나 하는 현상이 생긴다. 그 때문에, 회로 특성으로서는 삽입 손실(IL)이 열화됨과 아울러, 고조파 왜곡이 증대된다라는 문제가 생긴다.　따라서, 제어 전압의 저전압화에는 한계가 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래의 고주파 스위치에 비해서 낮은 제어 전압으로 신호 경로를 스위칭하도록 해서 삽입 손실 특성이나 고조파 왜곡 특성의 열화를 억제함과 아울러, 부품수를 삭감한 복합 고주파 부품을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 복합 고주파 부품은 다음과 같이 구성한다.
(1) 주파수대가 다른 2개 이상의 통신계의 송수신 신호를 입출력하는 2개의 입출력부 및 안테나 접속부를 구비하여 상기 복수개의 통신계의 송수신 신호를 합파·분파하는 합분파기(디플렉서)와, 상기 복수개의 통신계의 송수신 신호의 입출력부와 상기 합분파기의 2개의 입출력부 사이에 송신 신호와 수신 신호를 스위칭하는 제 1·제 2 고주파 스위치를 각각 접속한 복합 고주파 부품에 있어서,
상기 합분파기는 상기 합분파기의 상기 2개의 입출력부 사이를 직류 통전 가능하게 구성하고,
상기 제 1·제 2 고주파 스위치는 각각 공용 신호 입출력부와 제 1 신호 입출력부 사이에 제 1 신호 전송로를 갖고, 상기 공용 신호 입출력부와 제 2 신호 입출력부 사이에 제 2 신호 전송로를 갖고, 제 1 다이오드를 포함하는 직류 전류가 흐르는 제 1 전류 경로와, 제 2 다이오드를 포함하는 직류 전류가 흐르는 제 2 전류 경로를 구비하고, 상기 제 1 신호 전송로에 제 1 다이오드를 직렬로 설치하고, 상기 제 2 신호 전송로에 제 2 다이오드를 션트로 설치하고, 상기 제 1·제 2 전류 경로끼리를 상기 직류 전류의 통전 방향을 일치시켜서 병렬 접속하고, 상기 병렬 접속의 한쪽 접속점을 제어 전압 입력부로 하고, 상기 병렬 접속의 다른쪽 접속점과 접지 사이에 상기 제 1·제 2 전류 경로를 흐르는 직류 전류가 공통적으로 흐르는 공용 인덕터를 구비함과 아울러, 상기 공용 인덕터를 제 1·제 2 고주파 스위치에 공용한다.
(2) 상기 합분파기는 상기 송수신 신호의 전송로에 대해서 상기 공용 인덕터를 션트로 접속하고 커패시터를 직렬로 접속하여 이루어지는 하이 패스 필터를 구비한 것으로 한다.
(3) 상기 공용 인덕터는 상기 합분파기의 입출력부측(상기 고주파 스위치의 공통 신호 입출력부측)에 설치한다.
(4) 상기 공용 인덕터를 상기 합분파기의 안테나 접속부측에 설치한다.
(5) 상기 공용 인덕터에는 병렬로 커패시터를 접속해서 상기 하이 패스 필터의 통과 대역의 주파수에서 병렬 공진시키도록 구성한다.
(6) 상기 공용 인덕터를 상기 제 1 또는 제 2 고주파 스위치의 제 1 또는 제 2 신호 전송로의 도중에 배치한다.
(7) 상기 제 1 또는 제 2 고주파 스위치의 상기 제 1 또는 제 2 신호 입출력부에 또 다른 고주파 스위치의 공통 신호 입출력부를 접속해서 합계 3개 이상의 고주파 스위치를 구비한 것으로 한다.
(8) 단일의 다층 세라믹 기판에 상기 복합 고주파 부품의 회로를 구성한다.
<발명의 효과>
본 발명에 의하면 다음과 같은 효과를 발휘한다.
(1) 제 1·제 2 전류 경로끼리를 각각에 흐르는 직류 전류의 통전 방향을 일치시켜서 병렬 접속하고, 그 병렬 접속의 한쪽 접속점과 접지 사이에 인덕터를 설치하고, 병렬 접속의 다른쪽 접속점에 제어 전압을 입력하도록 구성함으로써 제 1·제 2 다이오드에 각각 제어 전압이 인가되게 되고, 낮은 제어 전압으로 온·오프 제어가 가능해진다. 즉, 종래와 같이 2개의 다이오드를 직렬 관계로 해서 제어 전압을 인가하도록 한 경우에 비해서 각각의 다이오드에 인가되는 전압이 증가된다. 따라서, 삽입 손실 및 고조파 왜곡이 열화됨이 없이 제어 전압의 저전압화를 꾀할 수 있다.
또한, 제 1·제 2 전류 경로를 흐르는 직류 전류가 공통으로 흐르는 공용 인덕터로서 1개의 인덕터만을 설치하면 좋으므로 부품수를 삭감할 수 있고 소형화를 꾀할 수 있다.
(2) 상기 합분파기의 하이 패스 필터의 인덕터를 상기 공용 인덕터로서 사용함으로써 하이 패스 필터의 구성 부품으로서도 겸용하게 되고, 부품수를 삭감할 수 있고 또한 소형화를 꾀할 수 있다. 또한, 하이 패스 필터의 감쇠 특성이 향상되고, 직류 및 저주파 신호를 감쇠할 수 있으므로 ESD(정전기 방전) 특성이 개선된다.
(3) 상기 공용 인덕터를 상기 합분파기의 입출력부측에 설치함으로써 합분파기의 저역측을 전파하는 저역측 신호의 손실이 증대될 일이 없다.
(4) 상기 공용 인덕터를 상기 합분파기의 안테나 접속부측에 설치함으로써 합분파기의 저역측으로 전파되려고 하는 저주파 신호가 공용 인덕터에서 감쇠되므로 ESD 특성이 개선된다.
(5) 상기 공용 인덕터에 병렬로 커패시터를 접속하여 하이 패스 필터의 통과 대역에서 병렬 공진시킴으로써 고역측 신호의 손실이 개선된다.
(6) 상기 공용 인덕터를 상기 제 1 또는 제 2 고주파 스위치의 제 1 또는 제 2 신호 전송로의 도중에 배치함으로써, 이 공용 인덕터를 설치하지 않은 쪽의 신호 전송로의 손실 특성이 양호하게 된다.
(7) 상기 제 1 또는 제 2 고주파 스위치의 상기 제 1 또는 제 2 신호 입출력부에 또 다른 고주파 스위치의 공용 신호 입출력부를 접속하여 합계 3개 이상의 고주파 스위치를 구비함으로써 트리플 밴드나 또한 멀티 밴드의 통신 시스템에 적용 가능해진다.
(8) 단일의 다층 세라믹 기판에 상기 복합 고주파 부품의 회로를 구성함으로써 1칩화 가능하고 부품 사이의 배선에 의한 손실을 저감할 수 있다.
도 1은 종래의 복합 고주파 부품의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 제 1 실시형태에 따른 복합 고주파 부품의 회로도이다.
도 3은 제 2 실시형태에 따른 복합 고주파 부품의 회로도이다.
도 4는 제 3 실시형태에 따른 복합 고주파 부품의 회로도이다.
도 5는 제 4 실시형태에 따른 복합 고주파 부품의 회로도이다.
도 6은 제 5 실시형태에 따른 복합 고주파 부품의 회로도이다.
도 7은 제 6 실시형태에 따른 복합 고주파 부품의 회로도이다.
도 8은 제 7 실시형태에 따른 복합 고주파 부품의 회로도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
100, 200, 210, 220, 230, 240, 280, 290 - 복합 고주파 부품
102, 202, 212, 222, 232, 242, 282, 292 - 디플렉서
103, 203, 213, 223, 233, 243, 283, 293 - 송수 절체 스위치
104, 204, 214, 224, 234, 244, 284, 294 - 송수 절체 스위치
105, 205, 215, 225, 235, 245, 285, 295 - 필터
106, 206, 216, 226, 236, 246, 286, 296 - 필터
287, 297, 298 - 수신 신호용 고주파 스위치
DCR1 - 제 1 전류 경로
DCR2 - 제 2 전류 경로
GCR1 - 제 1 전류 경로
GCR2 - 제 2 전류 경로
VcG, VcD - 제어 단자
≪제 1 실시형태≫
제 1 실시형태에 따른 복합 고주파 부품에 대해서 도 2를 참조해서 설명한다.
도 2에 도시하는 복합 고주파 부품(200)은 1800㎒대의 GSM1800(DCS), 1900㎒대의 GSM1900(PCS), 850㎒대의 GSM850, 및 900㎒대의 GSM900(EGSM)에 적응하는 것이다.
도 2에 있어서 본 발명의 합분파기에 상당하는 디플렉서(202)는 GSM850/GSM900계의 송수신 신호와, GSM1800/GSM1900계의 송수신 신호를 합파·분파한다. 송수 절체 스위치(203)는 GSM850/GSM900계의 송신 신호와 수신 신호를 스위칭한다. 이와 같이 송수 절체 스위치(204)는 GSM1800/GSM1900계의 송신 신호와 수신 신호를 스위칭한다. 이 디플렉서(202)는 안테나 단자(ANT)에 접속되는 안테나 접속부를 구비하고, 그 2개의 입출력부 사이가 직류 통전 가능하게 구성되어 있다.
필터(205)는 GSM850/GSM900계의 송신 신호를 통과시킴과 아울러 고조파를 감쇠시킨다. 이와 같이 필터(206)는 GSM1800/GSM1900계의 송신 신호를 통과시킴과 아울러 고조파를 감쇠시킨다.
디플렉서(202)에 있어서 커패시터(Ct1, Cu1) 및 스트립 라인(Lt1)에 의해 GSM850/900의 신호를 통과시키는 로우 패스 필터를 구성하고, 커패시터(Ct2), 인덕터(Lt3) 및 스트립 라인(Lt2)에 의해 GSM1800/1900의 신호를 통과시키는 하이 패스 필터를 구성하고 있다. 이 인덕터(Lt3)가 본 발명에 따른 공용 인덕터에 상당한다.
필터(205)는 커패시터(GCc1, GCu1, GCu2) 및 스트립 라인(GLt1)에 의해 GSM850/900의 송신 신호를 통과시키는 로우 패스 필터를 구성하고 있다.
필터(206)는 커패시터(DCc1, DCc2, DCu1, DCu2, DCu3), 스트립 라인(DLt1, DLt2)에 의해 GSM1800/1900의 송신 신호를 통과시키는 로우 패스 필터를 구성하고 있다.
GSM850/900용의 송수 절체 스위치(203)는 GSM850/900의 송신 신호 전송로(제 1 신호 전송로)에 제 1 다이오드(GD1)를 직렬로 설치하고, GSM850/900의 수신 신호의 전송로(제 2 신호 전송로)에 제 2 다이오드(GD2) 및 콘덴서(GC5)를 션트로 설치하고 있다. 또한, 제어 단자(VcG)→저항(GR)→인덕터(GSL1)→제 1 다이오드(GD1)→스트립 라인(Lt1)→스트립 라인(Lt2)→인덕터(Lt3)의 경로로 직류 전류가 흐르는 제 1 전류 경로(GCR1)를 구성하고, VcG→GR→제 2 다이오드(GD2)→스트립 라인(GSL2)→Lt1→Lt2→Lt3의 경로로 직류 전류가 흐르는 제 2 전류 경로(GCR2)를 구성하고, 제 1 다이오드(GD1)와 제 2 다이오드(GD2)를 포함하는 상기 제 1·제 2 전류 경로(GCR1, GCR2)가 병렬 접속되는 관계로 하고 있다.
또한, GSM850/900의 수신 신호 전송로에 설치한 커패시터(GCu3)는 다이오드(GD2)의 오프시에 수신 신호 전송로의 임피던스 정합을 취한다.
GSM1800/1900측의 송수 절체 스위치(204)의 구성도 GSM850/900측의 송수 절체 스위치(203)의 구성과 기본적으로 같고, GSM1800/1900의 송신 신호 전송로(제 1 신호 전송로)에 대하여 직렬로 제 1 다이오드(DD1)를 설치하고, GSM1800/1900의 수신 신호 전송로(제 2 신호 전송로)에 대하여 션트로 제 2 다이오드(DD2)를 설치하고 있다.
또한, 제어 단자(VcD)→저항(DR)→인덕터(DPSL1)→제 1 다이오드(DD1)→인덕터(Lt3)의 경로로 직류 전류가 흐르는 제 1 전류 경로(DCR1)를 구성하고, VcD→DR→제 2 다이오드(DD2)→스트립 라인(DSL2)→Lt3의 경로로 직류 전류가 흐르는 제 2 전류 경로(DCR2)를 구성하고, 제 1 다이오드(DD1)와 제 2 다이오드(DD2)를 포함하는 상기 제 1·제 2 전류 경로(DCR1, DCR2)가 병렬 접속되는 관계로 하고 있다.
상기 제 1 다이오드(DD1)에는 스트립 라인(DPSLt)과 커패시터(DPCt1)의 직렬 회로를 병렬 접속하고 있다. DPSLt는 다이오드(DD1)의 오프시에 다이오드(DD1)의 용량과 DPSLt의 병렬 공진에 의해 아이설레이션을 확보한다. 또한, 콘덴서(DPCt1)는 직류 전류가 다이오드(DD1)를 통하지 않고 흐르는 것을 방지한다.
또한, 커패시터(DCu4)는 다이오드(DD2)의 오프시에 수신 신호 전송로의 임피던스 정합을 취한다.
이와 같이 해서, GSM850/900측의 송수신의 스위칭, GSM1800/1900측의 송수신의 스위칭 모두 저전압으로 제어 가능하게 된다. 또한, GSM850/900과 GSM1800/1900에 대해서 각각의 제 1·제 2 전류 경로를 흐르는 직류 전류가 공통적으로 흐르는 인덕터로서 단일의 공용 인덕터(Lt3)를 설치하였기 때문에 부품수를 삭감할 수 있 고 소형화를 꾀할 수 있다. 게다가, 상기 인덕터(Lt3)는 디플렉서(202)의 하이 패스 필터의 일부도 겸하고 있으므로 그 만큼 더 부품수를 삭감할 수 있고 소형화를 꾀할 수 있다.
≪제 2 실시형태≫
다음에, 제 2 실시형태에 따른 복합 고주파 부품에 대해서 도 3을 참조해서 설명한다.
이 복합 고주파 부품(210)이 도 2에 도시한 복합 고주파 부품과 다른 것은 공용 인덕터(Lt3)의 접속 위치이다. 도 2에 도시한 예에서는 공용 인덕터(Lt3)를 디플렉서(202)의 입출력부측에 설치했지만, 도 3에 도시하는 예에서는 공용 인덕터(Lt3)를 디플렉서(212)의 안테나 접속부측에 설치하고 있다.
제어 단자(VcG)에 정전압을 인가했을 때, VcG→저항(GR)→인덕터(GSL1)→다이오드(GD1)→스트립 라인(Lt1)→인덕터(Lt3)의 경로(제 1 전류 경로(GCR1))로 직류 전류가 흐른다. 또한, VcG→GR→다이오드(GD2)→스트립 라인(GSL2)→Lt1→Lt3의 경로(제 2 전류 경로(GCR2))로 직류 전류가 흐른다.
제어 단자(VcD)에 정전압을 인가했을 때, VcD→저항(DR)→인덕터(DPSL1)→다이오드(DD1)→스트립 라인(Lt2)→인덕터(Lt3)의 경로(제 1 전류 경로(DCR1))로 직류 전류가 흐른다. 또한, VcD→DR→다이오드(DD2)→스트립 라인(DSL2)→Lt2→Lt3의 경로(제 2 전류 경로(DCR2))로 직류 전류가 흐른다.
이와 같이 해서, GSM850/900측의 송수신의 스위칭, GSM1800/1900측의 송수신의 스위칭 모두 저전압으로 제어 가능하게 된다.
또한 이와 같이, 인덕터(Lt3)를 디플렉서(212)의 안테나 접속부측에 설치함으로써 안테나 단자측으로부터 정전기 등에 의한 비교적 저주파의 노이즈가 인가되어도 그 노이즈는 인덕터(Lt3)를 거쳐서 즉시 그라운드에 션트되므로, 디플렉서의 저역측(GSM850/900)에 전파하려고하는 상기 저주파 노이즈가 억제되어서 ESD 특성이 개선된다.
≪제 3 실시형태≫
다음에, 제 3 실시형태에 따른 복합 고주파 부품에 대해서 도 4를 참조해서 설명한다.
이 복합 고주파 부품(220)이 도 2에 도시한 복합 고주파 부품과 다른 것은 공용 인덕터(Lt3)의 접속 위치이다. 도 2에 도시한 예에서는 공용 인덕터(Lt3)를 디플렉서(202)에 설치했지만, 도 4에 도시한 예에서는 공용 인덕터(Lt3)를 GSM850/900의 신호 전송로(GSM850/900의 수신 신호 전송로)의 도중에 션트로 설치하고 있다.
제어 단자(VcG)에 정전압을 인가했을 때, VcG→저항(GR)→인덕터(GSL1)→다이오드(GD1)→스트립 라인(GSL2)→인덕터(Lt3)의 경로(제 1 전류 경로(GCR1))로 직류 전류가 흐른다. 또한, VcG→GR→다이오드(GD2)→Lt3의 경로(제 2 전류 경로(GCR2))로 직류 전류가 흐른다.
디플렉서(222)는 그 2개의 입출력부 사이에서 직류 통전이 가능하므로, 제어 단자(VcD)에 정전압을 인가했을 때, VcD→저항DR→인덕터(DPSL1)→다이오드(DD1)→스트립 라인(Lt2)→스트립 라인(Lt1)→스트립 라인(GSL2)→인덕터(Lt3)의 경로(제 1 전류 경로(DCR1))로 직류 전류가 흐른다. 또한, VcD→DR→다이오드(DD2)→스트립 라인(DSL2)→Lt2→Lt1→GSL2→Lt3의 경로(제 2 전류 경로(DCR2))로 직류 전류가 흐른다.
이와 같이 해서, GSM850/900측의 송수신의 스위칭, GSM1800/1900측의 송수신의 스위칭 모두 저전압으로 제어가능하게 된다.
또한 이와 같이, 공용 인덕터(Lt3)를 GSM850/900의 신호 전송로(GSM850/900의 수신 신호 전송로)의 도중에 션트로 설치함으로써 이 공용 인덕터(Lt3)를 설치하지 않은 쪽의 신호 전송로(GSM850/900의 송신 신호 전송로)의 손실 특성이 양호하게 된다.
≪제 4 실시형태≫
다음에, 제 4의 실시형태에 따른 복합 고주파 부품에 대해서 도 5를 참조해서 설명한다.
이 복합 고주파 부품(230)이 도 2에 도시한 복합 고주파 부품과 다른 것은 공용 인덕터(Lt3)의 접속 위치이다. 도 2에 도시한 예에서는 공용 인덕터(Lt3)를 디플렉서(202)에 설치했지만, 도 5에 도시하는 예에서는 공용 인덕터(Lt3)를 GSM1800/1900의 신호 전송로(GSM1800/1900의 수신 신호 전송로)의 도중에 션트에 설치하고 있다.
디플렉서(232)는 그 2개 입출력부 사이에서 직류 통전이 가능하므로, 제어 단자(VcG)에 정전압을 인가했을 때, VcG→저항(GR)→인덕터(GSL1)→다이오드(GD1)→스트립 라인(Lt1)→스트립 라인(Lt2)→스트립 라인(DSL2)→인덕터(Lt3)의 경로 (제 1 전류 경로(GCR1))로 직류 전류가 흐른다. 또한, VcG→GR→다이오드(GD2)→스트립 라인(GSL2)→Lt1→Lt2→DSL2→Lt3의 경로(제 2 전류 경로(GCR2))로 직류 전류가 흐른다.
제어 단자(VcD)에 정전압을 인가했을 때, VcD→저항(DR)→인덕터(DPSL1)→다이오드(DD1)→스트립 라인(DSL2)→인덕터(Lt3)의 경로(제 1 전류 경로(DCR1))로 직류 전류가 흐른다. 또한, VcD→DR→다이오드(DD2)→Lt3의 경로(제 2 전류 경로(DCR2))로 직류 전류가 흐른다.
이와 같이 해서, GSM850/900측의 송수신의 스위칭, GSM1800/1900측의 송수신의 스위칭 모두 저전압으로 제어 가능해진다.
또한 이와 같이, 공용 인덕터(Lt3)를 GSM1800/1900의 신호 전송로(GSM1800/1900의 수신 신호 전송로)의 도중에 션트로 설치함으로써 이 공용 인덕터(Lt3)를 설치하지 않은 쪽의 신호 전송로(GSM1800/1900의 송신 신호 전송로)의 손실 특성이 양호하게 된다.
≪제 5 실시형태≫
다음에, 제 5의 실시형태에 따른 복합 고주파 부품에 대해서 도 6을 참조해서 설명한다.
이 복합 고주파 부품(240)이 도 2에 도시한 복합 고주파 부품과 다른 것은 공용 인덕터(Lt3)에 대해서 커패시터(Cu2)를 병렬로 접속하여 이 커패시터(Cu2)와 인덕터(Lt3)에 의해 병렬 공진 회로를 구성한 점이다. 이 병렬 공진 회로의 공진 주파수는 커패시터(Ct2), 스트립 라인(Lt2), 인덕터(Lt3) 및 커패시터(Cu2)에 의한 하이 패스 필터의 통과 대역의 주파수로 정하고 있다. 그 외의 구성은 도 2에 도시한 것과 같다.
이와 같이, 공용 인덕터(Lt3)에 병렬로 커패시터(Cu2)를 접속하고, 하이 패스 필터의 통과 대역에서 병렬 공진시킴으로써 하이 패스 필터의 통과역으로부터 차단역으로의 감쇠 특성이 급히 높아져서 고역측 신호(GSM1800/1900)의 디플렉서에서의 손실이 개선된다.
또한, 도 6에 도시한 예에서는 공용 인덕터(Lt3)를 디플렉서의 입출력부측에 설치했지만, 도 3에 도시한 바와 같이 안테나 접속부측에 설치하고, 그 공용 인덕터(Lt3)에 커패시터(Cu2)를 병렬 접속하도록 해도 좋다. 그 경우에도 동일한 효과를 발휘한다.
≪제 6 실시형태≫
다음에, 제 6 실시형태에 따른 복합 고주파 부품에 대해서 도 7을 참조해서 설명한다.
제 1∼제 5 실시형태에서는 GSM850/900의 송신 신호 입력 단자, 수신 신호 출력 단자, GSM1800/1900의 송신 신호 입력 단자 및 수신 신호 출력 단자를 구비하는 듀얼 밴드의 스위치 플렉서를 도시했지만, 도 7에 도시한 복합 고주파 부품(280)은 GSM1800과 GSM1900의 수신 신호 출력 단자를 분리한 트리플 밴드의 스위치 플렉서로서 사용하는 것이다. 도 2에 도시한 회로와 다른 것은 GSM1800/1900의 수신 신호를 GSM1800과 GSM1900의 수신 신호로 스위칭하는 수신 신호용 고주파 스위치(287)를 설치하고 있는 점이다.
수신 신호용 고주파 스위치(287)는 GSM1900의 수신 신호 전송로에 직렬로 제 1 다이오드(PD1)를 설치하고, GSM1800의 수신 신호 전송로에 대해서 션트로 제 2 다이오드(PD2)를 설치하고 있다. 또한, 제어 단자(VcDR)에 소정의 정전압이 인가되었을 때, 다이오드(PD1, PD2)가 함께 온되어 VcDR→저항(PR)→인덕터(PSL1)→다이오드(PD1)→스트립 라인(PSL2)→인덕터(PL)의 경로로 직류 전류가 흐르고, 또한, VcDR→PR→다이오드(PD2)→PL의 경로로 직류 전류가 흐르도록 구성하고 있다. 이와 같이 해서, 송수 절체 스위치(284)로부터 출력되는 GSM1800/1900의 수신 신호를 수신 신호용 고주파 스위치(287)에 의해 저전압으로 GSM1900의 수신 신호와 GSM1800의 수신 신호로 스위칭한다.
또한, 송수 절체 스위치(284)와 수신 신호용 고주파 스위치(287) 사이에는 직류 전류 차단용 커패시터(DC6)를 설치하고 있다. 그 밖의 구성 및 작용은 도 2에 도시한 것과 같다.
≪제 7 실시형태≫
다음에, 제 7 실시형태에 따른 복합 고주파 부품에 대해서 도 8을 참조해서 설명한다.
제 6 실시형태에서는 GSM1800과 GSM1900의 수신 신호 출력 단자를 분리한 트리플 밴드의 스위치 플렉서로서 사용하는 것이었지만, 이 도 8에 도시하는 예에서는 또한, GSM850/900의 수신 신호를 GSM850과 GSM900의 수신 신호로 스위칭하는 수신 신호용 고주파 스위치(298)를 설치해서 쿼드 밴드의 스위치 플렉서를 구성하고 있다.
수신 신호용 고주파 스위치(298)는 GSM850의 수신 신호 전송로에 직렬로 제 1 다이오드(AD1)를 설치하고, GSM900의 수신 신호 전송로에 대하여 션트로 제 2 다이오드(AD2)를 설치하고 있다. 또한, 제어 단자(VcGR)에 소정의 정전압이 인가되었을 때, 다이오드(AD1, AD2)가 함께 온되어 VcGR→저항(AR)→인덕터(ASL1)→다이오드(AD1)→스트립 라인(ASL2)→인덕터(AL)의 경로로 직류 전류가 흐르고, 또한, VcGR→AR→다이오드(AD2)→AL의 경로로 직류 전류가 흐르도록 구성하고 있다. 이와 같이 해서 송수 절체 스위치(293)로부터 출력되는 GSM850/900의 수신 신호를 수신 신호용 고주파 스위치(298)에 의해 저전압으로 GSM850의 수신 신호와 GSM900의 수신 신호로 스위칭한다.
또한, 송수 절체 스위치(293)와 수신 신호용 고주파 스위치(298) 사이에는 직류 전류 차단용 커패시터(GC6)를 설치하고 있다. 그 외의 구성 및 작용은 도 2 및 도 7 에 도시한 바와 같다.
≪제 8 실시형태≫
다음에, 제 8 실시형태에 따른 복합 고주파 부품에 관하여 설명한다.
도 2∼도 8에서는 복합 고주파 부품의 회로도만 도시했지만, 이들 복합 고주파 회로 부품은 다층 세라믹 기판에 구성할 수 있다. 구체적으로는 복수개의 세라믹 그린 시트에 커패시터나 인덕터, 스트립 라인 등을 구성하는 각종 전극 패턴을 형성하고, 그것들을 적층해서 마더 보드를 형성하고, 그것을 개별의 부품으로 분단한 후 일체 소성한다.
또한, 다층 세라믹 기판 내에 설치하지 않은 칩 인덕터나 칩 콘덴서 등을 사 용할 경우에는 그것들을 다층 세라믹 기판의 상면에 탑재한다. 예를 들면, 도 2∼도 8에 있어서 복합 고주파 부품(200, 210, 220, 230, 240, 280, 290)으로 둘러싼 범위 외의 부품(커패시터)은 개별의 칩 인덕터를 다층 세라믹 기판의 상면에 탑재한다.

Claims (8)

  1. 주파수대가 다른 2개 이상의 통신계의 송수신 신호를 입출력하는 2개의 입출력부 및 안테나 접속부를 구비하여 상기 복수개의 통신계의 송수신 신호를 합파·분파하는 합분파기와, 상기 복수개의 통신계의 송수신 신호의 입출력부와 상기 합분파기의 2개의 입출력부 사이에 송신 신호와 수신 신호를 스위칭하는 제 1·제 2 고주파 스위치를 각각 접속한 복합 고주파 부품에 있어서:
    상기 합분파기는 이 합분파기의 상기 2개의 입출력부 사이를 직류 통전 가능하게 구성하고,
    상기 제 1·제 2 고주파 스위치는 각각 공용 신호 입출력부와 제 1 신호 입출력부 사이에 제 1 신호 전송로를 갖고, 상기 공용 신호 입출력부와 제 2 신호 입출력부 사이에 제 2 신호 전송로를 갖고, 제 1 다이오드를 포함하는 직류 전류가 흐르는 제 1 전류 경로와 제 2 다이오드를 포함하는 직류 전류가 흐르는 제 2 전류 경로를 구비하고, 상기 제 1 신호 전송로에 제 1 다이오드를 직렬로 설치하고, 상기 제 2 신호 전송로에 제 2 다이오드를 션트로 설치하고, 상기 제 1·제 2 전류 경로끼리를 상기 직류 전류의 통전 방향을 일치시켜서 병렬 접속하고, 상기 병렬 접속의 한쪽 접속점을 제어 전압 입력부로 하고, 상기 병렬 접속의 다른쪽 접속점과 접지 사이에 상기 제 1·제 2 전류 경로를 흐르는 직류 전류가 공통으로 흐르는 공용 인덕터를 구비함과 아울러 상기 공용 인덕터를 제 1·제 2 고주파 스위치에 공용해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 고주파 부품.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 합분파기는 상기 송수신 신호의 전송로에 대해서 상기 공용 인덕터를 션트로 접속하고 커패시터를 직렬로 접속하여 이루어지는 하이 패스 필터를 구비한 것을 특징으로 하는 복합 고주파 부품.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 공용 인덕터를 상기 합분파기의 입출력부측에 설치한 것을 특징으로 하는 복합 고주파 부품.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 공용 인덕터를 상기 합분파기의 안테나 접속부측에 설치한 것을 특징으로 하는 복합 고주파 부품.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 공용 인덕터에 대해서 병렬로 커패시터를 접속해서 상기 하이 패스 필터의 통과 대역의 주파수에서 병렬 공진시키도록 한 것을 특징으로 하는 복합 고주파 부품.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 공용 인덕터를 상기 제 1 또는 제 2 고주파 스위치의 제 1 또는 제 2 신호 전송로의 도중에 배치한 것을 특징으로 하는 복합 고주파 부품.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 또는 제 2 상기 고주파 스위치의 상기 제 1 또는 제 2 신호 입출력부에 또 다른 고주파 스위치의 공통 신호 입출력부를 접속한 것을 특징으로 하는 복합 고주파 부품.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복합 고주파 부품의 회로를 단일의 다층 세라믹 기판에 구성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 고주파 부품.
KR1020087027022A 2007-05-10 2008-04-15 복합 고주파 부품 KR100995302B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007125169 2007-05-10
JPJP-P-2007-125169 2007-05-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090028686A true KR20090028686A (ko) 2009-03-19
KR100995302B1 KR100995302B1 (ko) 2010-11-19

Family

ID=40002039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087027022A KR100995302B1 (ko) 2007-05-10 2008-04-15 복합 고주파 부품

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7852220B2 (ko)
EP (1) EP2144377B8 (ko)
JP (1) JP4289440B2 (ko)
KR (1) KR100995302B1 (ko)
CN (1) CN101542924B (ko)
TW (1) TW200910787A (ko)
WO (1) WO2008139819A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8909171B2 (en) 2011-07-19 2014-12-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. RF antenna switch circuit, high frequency antenna component, and mobile communication device
US9891374B2 (en) 2014-05-20 2018-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Display device having a support member

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2449818B (en) * 2006-04-05 2011-11-16 Murata Manufacturing Co Low-voltage control high-frequency switch and composite high-frequency component
CN101925809B (zh) 2007-12-04 2013-03-27 粒子监测系统有限公司 用于粒子检测的二维光学成像方法和系统
CN101834170B (zh) * 2010-04-15 2012-07-25 苏州扩达微电子有限公司 可抑制外界高频噪声的芯片结构
KR101175905B1 (ko) * 2011-07-19 2012-08-21 삼성전기주식회사 Ｒｆ 안테나 스위치 회로, 고주파 안테나 부품 및 이동통신기기
JP5737304B2 (ja) 2013-01-18 2015-06-17 株式会社村田製作所 フィルタ回路
KR101904045B1 (ko) * 2015-02-05 2018-10-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 스위치 모듈
WO2021002238A1 (ja) * 2019-07-03 2021-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US11699056B2 (en) * 2019-09-24 2023-07-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. RFID inlay

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6268324U (ko) * 1985-10-18 1987-04-28
ES2065241B1 (es) * 1992-12-09 1995-10-01 Ibarguengoitia Francisco Gomez Rele electronico para proteccion de motores y tiristores contra sobrecarga simetrica, desequilibrio de fases y cortocircuito.
US5947093A (en) * 1994-11-08 1999-09-07 Ignition Systems International, Llc. Hybrid ignition with stress-balanced coils
JPH11122139A (ja) * 1997-10-17 1999-04-30 Murata Mfg Co Ltd アンテナ共用器
JP3304898B2 (ja) * 1998-11-20 2002-07-22 株式会社村田製作所 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
US7253702B2 (en) * 2000-11-01 2007-08-07 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency switch module
EP1223634A3 (en) * 2000-12-26 2003-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency switch, laminated high-frequency switch, high-frequency radio unit, and high-frequency switching method
JP3772771B2 (ja) * 2001-05-18 2006-05-10 松下電器産業株式会社 マルチバンド高周波スイッチ
JP4182160B2 (ja) * 2005-04-28 2008-11-19 株式会社村田製作所 高周波スイッチングモジュール及び高周波回路の周波数特性調整方法
GB2449818B (en) * 2006-04-05 2011-11-16 Murata Manufacturing Co Low-voltage control high-frequency switch and composite high-frequency component

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8909171B2 (en) 2011-07-19 2014-12-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. RF antenna switch circuit, high frequency antenna component, and mobile communication device
US9891374B2 (en) 2014-05-20 2018-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Display device having a support member

Also Published As

Publication number Publication date
TW200910787A (en) 2009-03-01
EP2144377A4 (en) 2011-06-29
JPWO2008139819A1 (ja) 2010-07-29
CN101542924B (zh) 2012-12-05
WO2008139819A1 (ja) 2008-11-20
JP4289440B2 (ja) 2009-07-01
CN101542924A (zh) 2009-09-23
EP2144377A1 (en) 2010-01-13
TWI358208B (ko) 2012-02-11
EP2144377B8 (en) 2013-03-06
US20090052358A1 (en) 2009-02-26
KR100995302B1 (ko) 2010-11-19
US7852220B2 (en) 2010-12-14
EP2144377B1 (en) 2012-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100995302B1 (ko) 복합 고주파 부품
KR101404535B1 (ko) 분기 회로, 고주파 회로 및 고주파 모듈
JP4324814B2 (ja) 高周波スイッチ回路
US6795714B1 (en) Multiband antenna switcher
WO2013021626A1 (ja) フィルタモジュール
KR100983017B1 (ko) 복합 고주파 부품 및 이동체 통신 장치
JP4422724B2 (ja) 適応フィルタをもつアンテナスイッチ
JP5983773B2 (ja) スイッチモジュール
KR100995300B1 (ko) 저전압 제어 고주파 스위치 및 복합 고주파 부품
CN103125078A (zh) 高频模块
JPWO2007114114A6 (ja) 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品
US8160511B2 (en) Low-voltage control high-frequency switch and composite high-frequency component
KR100635160B1 (ko) 쿼드 밴드 프런트 엔드 모듈
KR100631415B1 (ko) 쿼드 밴드 프런트 엔드 모듈
JP2004146916A (ja) 高周波スイッチ回路および高周波スイッチモジュール
KR100614936B1 (ko) 쿼드 밴드 프런트 엔드 모듈
JP2008124790A (ja) アンテナスイッチモジュール
JP2008118486A (ja) アンテナスイッチモジュール
JP2003133992A (ja) 高周波回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131018

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141022

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161104

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171103

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181102

Year of fee payment: 9