JPWO2008139819A1 - 複合高周波部品 - Google Patents
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Abstract
Description
上記高周波スイッチには、送信信号をアンテナへ出力し、アンテナからの受信信号を受信部へ入力するための複数のダイオードが含まれている。
(1) 周波数帯が異なる少なくとも2つの通信系の送受信信号を入出力する2つの入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する、合分波器(ダイプレクサ)と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器の2つの入出力部との間に、送信信号と受信信号を切り替える第1・第2の高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記合分波器は、当該合分波器の前記2つの入出力部間を直流通電可能に構成し、
前記第1・第2の高周波スイッチはそれぞれ、共用信号入出力部と第1の信号入出力部との間に第1の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第2の信号入出力部との間に第2の信号伝送路を有し、第1のダイオードを含む、直流電流が流れる第1の電流経路と、第2のダイオードを含む、直流電流が流れる第2の電流経路とを備え、前記第1の信号伝送路に第1のダイオードをシリーズに設け、前記第2の信号伝送路に第2のダイオードをシャントに設け、前記第1・第2の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点を制御電圧入力部とし、前記並列接続の他方の接続点と接地との間に、前記第1・第2の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタを備えるとともに、当該共用インダクタを第1・第2の高周波スイッチに共用する。
(1)第1・第2の電流経路同士を、それぞれに流れる直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、その並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、並列接続の他方の接続点に制御電圧を入力するように構成したことにより、第1・第2のダイオードにそれぞれ制御電圧が印加されることになり、低い制御電圧でオン・オフ制御が可能となる。すなわち、従来のように2つのダイオードを直列関係にして制御電圧を印加するようにした場合に比べてそれぞれのダイオードに印加される電圧が増加する。したがって、挿入損失および高調波歪みが劣化することなく制御電圧の低電圧化が図れる。
102,202,212,222,232,242,282,292−ダイプレクサ
103,203,213,223,233,243,283,293−送受切替スイッチ
104,204,214,224,234,244,284,294−送受切替スイッチ
105,205,215,225,235,245,285,295−フィルタ
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287,297,298−受信信号用高周波スイッチ
DCR1−第1の電流経路
DCR2−第2の電流経路
GCR1−第1の電流経路
GCR2−第2の電流経路
VcG,VcD−制御端子
第1の実施形態に係る複合高周波部品について図2を参照して説明する。
図2に示す複合高周波部品200は、1800MHz帯のGSM1800(DCS)、1900MHz帯のGSM1900(PCS)、850MHz帯のGSM850、および900MHz帯のGSM900(EGSM)に適応するものである。
次に、第2の実施形態に係る複合高周波部品について図3を参照して説明する。
この複合高周波部品210が図2に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタLt3の接続位置である。図2に示した例では共用インダクタLt3をダイプレクサ202の入出力部側に設けたが、図3に示す例では、共用インダクタLt3をダイプレクサ212のアンテナ接続部側に設けている。
次に、第3の実施形態に係る複合高周波部品について図4を参照して説明する。
この複合高周波部品220が図2に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタLt3の接続位置である。図2に示した例では共用インダクタLt3をダイプレクサ202に設けたが、図4に示す例では、共用インダクタLt3をGSM850/900の信号伝送路(GSM850/900の受信信号伝送路)の途中にシャントに設けている。
次に、第4の実施形態に係る複合高周波部品について図5を参照して説明する。
この複合高周波部品230が図2に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタLt3の接続位置である。図2に示した例では共用インダクタLt3をダイプレクサ202に設けたが、図5に示す例では、共用インダクタLt3をGSM1800/1900の信号伝送路(GSM1800/1900の受信信号伝送路)の途中にシャントに設けている。
次に、第5の実施形態に係る複合高周波部品について図6を参照して説明する。
この複合高周波部品240が図2に示した複合高周波部品と異なるのは、共用インダクタLt3に対してキャパシタCu2を並列に接続して、このキャパシタCu2とインダクタLt3とによって並列共振回路を構成した点である。この並列共振回路の共振周波数は、キャパシタCt2、ストリップラインLt2、インダクタLt3およびキャパシタCu2によるハイパスフィルタの通過帯域の周波数に定めている。その他の構成は図2に示したものと同様である。
次に、第6の実施形態に係る複合高周波部品について図7を参照して説明する。
第1〜第5の実施形態では、GSM850/900の送信信号入力端子、受信信号出力端子、GSM1800/1900の送信信号入力端子および受信信号出力端子を備えるデュアルバンドのスイッチプレクサを示したが、図7に示す複合高周波部品280はGSM1800とGSM1900の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。図2に示した回路と異なるのは、GSM1800/1900の受信信号をGSM1800とGSM1900の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ287を設けている点である。
次に、第7の実施形態に係る複合高周波部品について図8を参照して説明する。
第6の実施形態では、GSM1800とGSM1900の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものであったが、この図8に示す例ではさらに、GSM850/900の受信信号をGSM850とGSM900の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ298を設けてクワッドバンドのスイッチプレクサを構成している。
次に、第8の実施形態に係る複合高周波部品について説明する。
図2〜図8では複合高周波部品の回路図のみ示したが、これらの複合高周波回路部品は多層セラミック基板に構成することができる。具体的には、複数のセラミックグリーンシートにキャパシタやインダクタ、ストリップライン等を構成する各種電極パターンを形成し、それらを積層してマザーボードを形成し、それを個別の部品に分断した後、一体焼成する。
上記高周波スイッチには、送信信号をアンテナへ出力し、アンテナからの受信信号を受信部へ入力するための複数のダイオードが含まれている。
(1) 周波数帯が異なる少なくとも2つの通信系の送受信信号を入出力する2つの入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する、合分波器(ダイプレクサ)と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器の2つの入出力部との間に、送信信号と受信信号を切り替える第1・第2の高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記合分波器は、当該合分波器の前記2つの入出力部間を直流通電可能に構成し、
前記第1・第2の高周波スイッチはそれぞれ、共用信号入出力部と第1の信号入出力部との間に第1の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第2の信号入出力部との間に第2の信号伝送路を有し、第1のダイオードを含む、直流電流が流れる第1の電流経路と、第2のダイオードを含む、直流電流が流れる第2の電流経路とを備え、前記第1の信号伝送路に第1のダイオードをシリーズに設け、前記第2の信号伝送路に第2のダイオードをシャントに設け、前記第1・第2の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点を制御電圧入力部とし、前記並列接続の他方の接続点と接地との間に、前記第1・第2の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタを備えるとともに、当該共用インダクタを第1・第2の高周波スイッチに共用する。
(1)第1・第2の電流経路同士を、それぞれに流れる直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、その並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、並列接続の他方の接続点に制御電圧を入力するように構成したことにより、第1・第2のダイオードにそれぞれ制御電圧が印加されることになり、低い制御電圧でオン・オフ制御が可能となる。すなわち、従来のように2つのダイオードを直列関係にして制御電圧を印加するようにした場合に比べてそれぞれのダイオードに印加される電圧が増加する。したがって、挿入損失および高調波歪みが劣化することなく制御電圧の低電圧化が図れる。
第1の実施形態に係る複合高周波部品について図2を参照して説明する。
図2に示す複合高周波部品200は、1800MHz帯のGSM1800(DCS)、1900MHz帯のGSM1900(PCS)、850MHz帯のGSM850、および900MHz帯のGSM900(EGSM)に適応するものである。
次に、第2の実施形態に係る複合高周波部品について図3を参照して説明する。
この複合高周波部品210が図2に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタLt3の接続位置である。図2に示した例では共用インダクタLt3をダイプレクサ202の入出力部側に設けたが、図3に示す例では、共用インダクタLt3をダイプレクサ212のアンテナ接続部側に設けている。
次に、第3の実施形態に係る複合高周波部品について図4を参照して説明する。
この複合高周波部品220が図2に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタLt3の接続位置である。図2に示した例では共用インダクタLt3をダイプレクサ202に設けたが、図4に示す例では、共用インダクタLt3をGSM850/900の信号伝送路(GSM850/900の受信信号伝送路)の途中にシャントに設けている。
次に、第4の実施形態に係る複合高周波部品について図5を参照して説明する。
この複合高周波部品230が図2に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタLt3の接続位置である。図2に示した例では共用インダクタLt3をダイプレクサ202に設けたが、図5に示す例では、共用インダクタLt3をGSM1800/1900の信号伝送路(GSM1800/1900の受信信号伝送路)の途中にシャントに設けている。
次に、第5の実施形態に係る複合高周波部品について図6を参照して説明する。
この複合高周波部品240が図2に示した複合高周波部品と異なるのは、共用インダクタLt3に対してキャパシタCu2を並列に接続して、このキャパシタCu2とインダクタLt3とによって並列共振回路を構成した点である。この並列共振回路の共振周波数は、キャパシタCt2、ストリップラインLt2、インダクタLt3およびキャパシタCu2によるハイパスフィルタの通過帯域の周波数に定めている。その他の構成は図2に示したものと同様である。
次に、第6の実施形態に係る複合高周波部品について図7を参照して説明する。
第1〜第5の実施形態では、GSM850/900の送信信号入力端子、受信信号出力端子、GSM1800/1900の送信信号入力端子および受信信号出力端子を備えるデュアルバンドのスイッチプレクサを示したが、図7に示す複合高周波部品280はGSM1800とGSM1900の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。図2に示した回路と異なるのは、GSM1800/1900の受信信号をGSM1800とGSM1900の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ287を設けている点である。
次に、第7の実施形態に係る複合高周波部品について図8を参照して説明する。
第6の実施形態では、GSM1800とGSM1900の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものであったが、この図8に示す例ではさらに、GSM850/900の受信信号をGSM850とGSM900の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ298を設けてクワッドバンドのスイッチプレクサを構成している。
次に、第8の実施形態に係る複合高周波部品について説明する。
図2〜図8では複合高周波部品の回路図のみ示したが、これらの複合高周波回路部品は多層セラミック基板に構成することができる。具体的には、複数のセラミックグリーンシートにキャパシタやインダクタ、ストリップライン等を構成する各種電極パターンを形成し、それらを積層してマザーボードを形成し、それを個別の部品に分断した後、一体焼成する。
102,202,212,222,232,242,282,292−ダイプレクサ
103,203,213,223,233,243,283,293−送受切替スイッチ
104,204,214,224,234,244,284,294−送受切替スイッチ
105,205,215,225,235,245,285,295−フィルタ
106,206,216,226,236,246,286,296−フィルタ
287,297,298−受信信号用高周波スイッチ
DCR1−第1の電流経路
DCR2−第2の電流経路
GCR1−第1の電流経路
GCR2−第2の電流経路
VcG,VcD−制御端子
Claims (8)
- 周波数帯が異なる少なくとも2つの通信系の送受信信号を入出力する2つの入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する、合分波器と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器の2つの入出力部との間に、送信信号と受信信号を切り替える第1・第2の高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記合分波器は、当該合分波器の前記2つの入出力部間を直流通電可能に構成し、
前記第1・第2の高周波スイッチはそれぞれ、共用信号入出力部と第1の信号入出力部との間に第1の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第2の信号入出力部との間に第2の信号伝送路を有し、第1のダイオードを含む、直流電流が流れる第1の電流経路と、第2のダイオードを含む、直流電流が流れる第2の電流経路とを備え、前記第1の信号伝送路に第1のダイオードをシリーズに設け、前記第2の信号伝送路に第2のダイオードをシャントに設け、前記第1・第2の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点を制御電圧入力部とし、前記並列接続の他方の接続点と接地との間に、前記第1・第2の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタを備えるとともに、当該共用インダクタを第1・第2の高周波スイッチに共用してなる複合高周波部品。 - 前記合分波器は、前記送受信信号の伝送路に対して前記共用インダクタをシャントに接続しキャパシタをシリーズに接続してなるハイパスフィルタを備えた請求項1に記載の複合高周波部品。
- 前記共用インダクタを、前記合分波器の入出力部側に設けた請求項2に記載の複合高周波部品。
- 前記共用インダクタを前記合分波器のアンテナ接続部側に設けた請求項2に記載の複合高周波部品。
- 前記共用インダクタに対して並列にキャパシタを接続して前記ハイパスフィルタの通過帯域の周波数で並列共振させるようにした請求項3または4に記載の複合高周波部品。
- 前記共用インダクタを前記第1または第2の高周波スイッチの第1または第2の信号伝送路の途中に配置した請求項2に記載の複合高周波部品。
- 前記第1または第2の高周波スイッチの前記第1または第2の信号入出力部にさらに別の高周波スイッチの共通信号入出力部を接続した請求項1〜6のうちいずれかに記載の複合高周波部品。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の複合高周波部品の回路を単一の多層セラミック基板に構成してなる複合高周波部品。
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