KR20090025294A - 고체 촬상장치, 데이터전송방법 및 촬상장치 - Google Patents

고체 촬상장치, 데이터전송방법 및 촬상장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090025294A
KR20090025294A KR1020087031851A KR20087031851A KR20090025294A KR 20090025294 A KR20090025294 A KR 20090025294A KR 1020087031851 A KR1020087031851 A KR 1020087031851A KR 20087031851 A KR20087031851 A KR 20087031851A KR 20090025294 A KR20090025294 A KR 20090025294A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
clock
imaging
solid
bit data
Prior art date
Application number
KR1020087031851A
Other languages
English (en)
Inventor
테츠야 시모다
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR20090025294A publication Critical patent/KR20090025294A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L7/00—Arrangements for synchronising receiver with transmitter
    • H04L7/0008—Synchronisation information channels, e.g. clock distribution lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Dc Digital Transmission (AREA)

Abstract

전력 절약 전력으로 화상데이터를 촬상 디바이스로부터 화상처리 디바이스로 전송하는 비디오카메라이고, 이 비디오카메라(100)는, 기준 클록(CLKO)을 기준으로서 촬상 데이터를 독출하는 C－MOS 이미지센서(110)와, 고속 클록(CLK1)을 생성하는 주파수 증배회로(121)와, 촬상 데이터를 비트데이터 열로 옮겨 놓고 재배열하는 회로(122)와, 고속 클록(CLK1)을 기준으로서 각 데이터 송신기(124)가 각 비트 데이터 열을 순차 외부로 전송하는 데이터 출력부(120)와, 전송속도에 비례한 수의 데이터 송신기(124)를 구동시키는 시스템 컨트롤러(400)를 갖춘다.

Description

고체 촬상장치, 데이터전송방법 및 촬상장치{Solid－state image pickup device, data transmitting method and image pickup device}
본 발명은, C－MOS형 이미지센서 등의 고체촬상소자로부터 촬상 데이터를 독출하여 송출하는 고체 촬상장치 및 데이터전송방법에 관한 것이며, 또한, C－MOS형 이미지센서 등의 고체촬상소자를 이용한 촬상장치에 관한 것이다.
본 출원은, 일본국에 있어서 2006년 6월 30일에 출원된 일본특허 출원번호 2006－182030호를 기준으로서 우선권을 주장한 것이며, 이 출원은 참조하는 것으로, 본 출원에 채용된다.
최근, C－MOS형의 반도체제조 프로세스를 이용한 이미지센서(이하, C－MOS 이미지센서라고 함)가 널리 실용화되어오고 있다. C－MOS 이미지센서에서는, 예를 들면, m열×n행으로 2차원 배열된 각 단위 화소(21)로부터 얻어지는 화소 신호를 순차 독출할 수 있다. 구체적으로 C－MOS 이미지센서는, 수직방향(칼럼(column)방향이라고 함)으로 늘어선 n개의 단위 화소(21)로부터 발생된 화소 신호를 전송하는 m개의 칼럼신호선과 수평방향으로 늘어선 m개의 단위 화소(21)를 선택하는 n개의 수평선택선이 격자모양으로 배열되어 있고, 이러한 칼럼신호선 및 수평선택선에 의해 m열×n행의 단위 화소(21)를 1개씩 순차 스캔하여 화상 신호를 생 성하는 촬상 디바이스이다.
이와 같은 촬상 디바이스를 이용하여, 예를 들면 풀 HD(Full High Definition) 규격 등이라고 했던 화소질의 화상을 촬상하려면, 단위 시간당에 있어서 보다 많은 화소 데이터를 C－MOS 이미지센서로부터 출력하는 것이 요구된다. 그 때문에, C－MOS 이미지센서에서는, 보다 빠른 픽셀 루트로 화상 데이터를 출력할 필요가 있다. 이와 같이 빠른 픽셀 루트로 화상 신호를 촬상하는 경우, 종래와 마찬가지의 전송 레이트에서 외부로 출력하려면, 촬상 디바이스의 출력단자를 증가할 필요가 있기 때문에, 회로규모가 크게 되어 버린다는 문제가 있다.
이와 같은 문제를 개선하려면, C－MOS 이미지센서에 있어서의 각 단위 화소(21)로부터의 화소 데이터의 독출 속도를 빠르게 하고, 고속으로 독출된 화상 신호를 소수의 출력단자에서 외부로 출력하는 것이 생각된다. 여기에서, 단순하게 각 단위 화소(21)로 부터 화소 신호를 독출하는 속도를 빠르게 하면, C－MOS 이미지센서 내의 소비전력이나 독출 시에 생기는 노이즈가 증대해버린다.
이와 같은 독출 속도의 고속화에 따른 폐해를 개선하기 위해, 저속 클록에서 고속 클록을 생성하고, 저속 클록을 기준으로서 C－MOS 이미지센서로부터 4화소 분의 화소 데이터를 독출하고, 고속 클록을 기준으로서 화소 데이터를 복수 채널의 차동 전송로에서 외부로 출력하는 고체 촬상장치가, 특개 2005－86224호 공보에 있어서 제안되어 있다.
이 특허문헌 1에 있어서 제안되는 고체 촬상장치는, C－MOS 이미지센서를 저속 클록으로 동작시키며, 화소 데이터를 출력하는 출력측 회로를 고속 클록으로 동 작시킨다. 이 때문에, 장치 전체에서 모든 처리 클록을 고속으로 동작시키는 경우에 비해, C－MOS 이미지센서 내에서 발생하는 노이즈를 저감하는 것이나 소비 전력의 증가를 억제할 수 있다.
상기 특허 문헌 1에 기재된 고체 촬상장치에서는, 저해상도로 저 프레임 레이트의 데이터형식의 화상 신호를 촬상하여 전송하는 경우에도, 고해상도로 고 프레임 레이트의 화상 데이터를 전송하는 경우와 동수의 차동증폭기를 구동하여 화상 신호의 전송을 실시하므로, 화소신호의 독출로부터 화상신호를 외부에 출력할 때까지의 전처리를 비교적 낮은 주파수의 클록수로 행하는 고체 촬상장치에 비해 소비전력이 크게 되어 버린다.
본 발명의 기술 과제는, 이러한 실정을 감안하여 제안된 것이며, 고체 촬상소자로부터 독출된 촬상 데이터를 전력 절약으로 고체 촬상소자의 외부로 전송하는 고체 촬상장치 및 데이터 전송방법과 촬상장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 관계되는 고체 촬상장치의 일 실시의 형태는, 제 1의 클록을 기준으로서, 2차원 배열된 단위 화소로부터 촬상 데이터를 독출하는 고체 촬상소자와, 제 1의 클록보다 동작 주파수가 높은 제 2의 클록을 생성하는 제 2의 클록 생성부와, 고체 촬상소자로부터 독출되는 촬상 데이터를 비트 데이터열에 재배열하는 배열 처리부와, 배열 처리부에서 재배열된 비트 데이터열을 복수의 차동 전송로를 통하여 외부로 전송하는 차동증폭기를 복수 가지며, 차동증폭기가 비트 데이터열을 제 2의 클록을 기준으로서 외부로 전송하는 데이터 전송부와, 촬상 데이터를 외부로 전송하는 전송속도에 비례한 수의 차동증폭기를 구동시키는 제어부를 갖춘다.
또, 본 발명에 관계되는 데이터 전송방법의 실시의 형태는, 단위 화소가 2차원 배열된 고체 촬상소자로부터 독출되는 촬상 데이터를 복수의 차동전송로를 통하여 외부로 출력하는 데이터 전송방법이며, 고체 촬상소자로부터 독출된 촬상 데이터를 소정수의 비트 데이터열에 재배열하고, 제 1의 클록보다 동작 주파수가 높은 제 2의 클록을 생성하여, 촬상 데이터를 외부로 전송하는 전송속도에 비례한 수의 차동증폭기를 구동하며, 제 2의 클록을 기준으로서, 구동한 차동증폭기마다 재배열된 각 비트 데이터열을 외부로 전송한다.
또한, 본 발명에 관계되는 촬상 장치의 실시의 형태는, 단위 화소가 2차원 배열된 고체 촬상소자로부터 제 1의 클록을 기준으로서 촬상 데이터를 독출하는 촬상 처리부와, 촬상 처리부로부터 독출된 촬상 데이터에 소정의 데이터 처리를 실시하는 화상처리부를 갖추는 촬상 장치이며, 촬상 처리부는, 제 1의 클록보다 동작 주파수가 높은 제 2의 클록을 생성하는 제 2의 클록 생성부와, 고체 촬상소자로부터 독출되는 촬상 데이터를 소정수의 비트 데이터열에 재배열하는 배열 처리부와, 배열 처리부로 재배열된 비트 데이터열을 복수의 차동전송로를 통하여 외부로 전송하는 차동증폭기를 복수 가지며, 차동증폭기가 비트 데이터열을 제 2의 클록을 기준으로서 외부로 전송하는 데이터 전송부와, 촬상 데이터를 상기 화상처리부로 전송하는 전송속도에 비례한 수의 차동증폭기를 구동시키는 제어부를 갖춘다.
본 발명은, 고체 촬상소자를 제 1의 클록으로 동작시키는 동시에, 화소 데이터를 출력하는 출력측의 회로를 고주파수의 제 2의 클록으로 동작시킨다. 이 때문에, 본 발명에서는, 고체 촬상소자에 의한 촬상 데이터의 동작을 빠르게 하지 않고 단위시간당 많은 촬상 데이터를 출력하므로, 고화질의 데이터를 출력하는 경우에 고체 촬상소자 내부에서 발생하는 노이즈를 저감할 수 있다.
또, 본 발명은, 촬상 데이터를 외부로 전송하는 전송속도에 비례한 수의 차동증폭기를 구동하고, 제 2의 클록을 기준으로서, 구동한 차동증폭기로 각 비트 데이터열을 외부로 전송한다.
이와 같이, 본 발명에서는, 차동전송로를 통하여 촬상 데이터를 외부로 전송하므로, 데이터를 전송할 때에 생기는 불필요 복사를 저감하는 동시에, 화상 데이터의 화질에 따라 최저한의 차동증폭기를 구동하므로 전송 대상이 되는 촬상 데이터의 화질에 관계없이, 전력 절약으로 촬상 데이터를 전송할 수 있다.
본 발명의 또 다른 기술 과제, 본 발명에 의해서 얻어지는 구체적인 이점은, 이하에 있어서 도면을 참조하여 설명되는 실시의 형태로부터 한층 더 밝혀질 것이다.
도 1은, 비디오카메라(1)의 구성을 모식적으로 나타내는 블럭도이다.
도 2a 및 도 2b는, 촬상모드에 따라 변화하는 비디오카메라 내부의 동작을 나타내는 도면이다.
도 3은, C－MOS 이미지센서의 회로기판을 나타내는 도면이다.
도 4는, C－MOS 이미지센서의 회로기판을 나타내는 도면이다.
도 5는, 촬상 디바이스와 화상처리 디바이스와의 구성을 나타내는 모식도이 다.
도 6은, 기준 클록(CLKO)과 고속 클록(CLK1)을 나타내는 도면이다.
도 7은, 정지화면 촬상모드에 있어서의 비트 데이터의 차동 전송처리를 나타내는 도면이다.
도 8a 및 도 8b는, HD동영상 기록모드에 있어서의 비트 데이터의 차동 전송처리를 나타내는 도면이다.
도 9a 및 도 9b는, 모니터링 모드에 있어서의 비트 데이터의 차동 전송처리를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하에 설명하는 실시의 형태에서는, 본 발명을, 예를 들면, 고체 촬상소자를 이용하여 피사체를 촬상하는 촬상장치(이하, 단지 비디오카메라(1)라고 함)에 적용한 것이다.
비디오카메라(1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 렌즈 유닛(10)과, C－MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지센서(110)와 데이터 출력부(120)로 이루어지는 촬상 디바이스(100)와, 화상처리 디바이스(200)와, 메모리(300)와, 시스템 컨트롤러(400)와, 기억 매체(500)와, 표시부(600)를 갖추고 있다.
렌즈 유닛(10)에는, 포커스 렌즈, 줌 렌즈 및 조리개와 이들 렌즈를 구동하는 구동부가 설치되어 있다. 또, 렌즈 유닛(10)은, 피사체 상을 수광하여 C－MOS 이미지센서(110)의 수광면에 결상시킨다.
촬상 디바이스(100)는, 피사체 상을 수광하여 촬상 데이터를 생성하는 C－MOS 이미지센서(110)와, C－MOS 이미지센서(110)가 생성한 촬상 데이터를 화상처리 디바이스(200)에 출력하는 데이터 출력부(120)로 이루어진다.
C－MOS 이미지센서(110)는 수광면에 단위 화소(21)가 2차원 배열되어 있고, 각 단위 화소(21)가 결상된 빛을 광전 변환하여 전기신호를 출력한다. 그리고 C－MOS 이미지센서(110)는 각 단위 화소(21)로부터 전기신호를 독출하고, 독출한 전기신호를 예를 들면 10비트의 화소 데이터로 변환한다. 또, C－MOS 이미지센서(110)는 칼럼 라인의 전기신호를 4병렬로 출력하는 앰프를 갖추고 있다. 즉, C－MOS 이미지센서(110)는 단위시간당 4병렬의 화소 데이터를 출력한다.
데이터 출력부(120)는, 시리얼 형식의 비트 데이터를 출력하는 합계 10채널의 출력단을 갖추고, C－MOS 이미지센서(110)가 출력하는 4병렬의 화소 데이터를 시리얼 형식의 비트 데이터열에 옮겨놓고 각 채널로부터 출력한다. 즉, 촬상 디바이스(100)는, 데이터 출력부(120)로부터 시리얼 형식의 비트 데이터열로서 촬상 데이터를 화상처리 디바이스(200)로 전송한다.
화상처리 디바이스(200)는, 촬상 디바이스(100)로부터 공급되는 시리얼 형식의 비트 데이터열을 1화소 단위의 화소 데이터에 재배열한다. 또한, 화상처리 디바이스(200)는, 화소 데이터를 2차원 배열하여 1화면 단위의 화상 데이터를 생성하고, 생성한 화상 데이터를 메모리(300)에 공급하여 기억시킨다.
또, 화상처리 디바이스(200)는, 일단 메모리(300)에 기억시킨 화상 데이터를 독출하고, 독출한 화상 데이터에 감마 보정이나 화이트 밸런스 등의 조정을 시행하여, 기억 미디어나 디스플레이 등의 포맷에 데이터 형식으로 변환한다. 또한, 화상처리 디바이스(200)는, 화상 데이터를 기억 매체(500) 및 표시부(600)에 공급한다. 이와 같이 하여, 비디오카메라(1)로 촬상된 화상 데이터는, 예를 들면 하드 디스크나 플래시메모리 등의 기억 매체(500)에 기억되며, 또, LCD (Liquid Crystal Display)나 유기 EL(Electroluminescence)등에 의해 구성된 표시부(600)를 갖추고 있다.
시스템 컨트롤러(400)는, 비디오카메라(1)의 각 디바이스에 기준 클록(CLKO)을 공급한다. 또한, 기준 클록(CLKO)은, 도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 촬상모드에 따라 동작 주파수를 변경한다. 구체적으로, 시스템 컨트롤러(400)는, 화상 데이터의 픽셀 레이트가 빠른 경우는 동작 주파수가 높은 기준 클록(CLKO)을 생성하고, 촬상하는 화상 데이터의 픽셀 레이트 늦은 경우는 동작 주파수가 낮은 기준 클록(CLKO)을 생성한다.
또, 시스템 컨트롤러(400)는, 이들 처리부의 제어를 행한다. 특히, 본 실시 형태에 관계되는 비디오카메라(1)에 있어서, 시스템 컨트롤러(400)는, 피사체를 촬상할 때에 선택하는 촬상모드에 따른 제어명령을 데이터 출력부(120)로 공급하고, 데이터 출력부(120)에서 사용하는 출력단의 채널수를 전환한다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 예를 들면, 픽셀 레이트(M Pixel/s)로 나누어지는 합계 4종류의 촬상모드가 있는 것으로 한다. 즉, 이러한 촬상모드는, 촬상 디바이스(100)로부터 화상처리 디바이스(200)로 단위시간당 공급하는 화소 데이터 의 수(Pixel)가 보다많은 형식부터 순서대로, 정지화면 기록모드(432[M Pixel/s])·HD(High Definition) 동영상 기록모드(108[M Pixel/s])·SD(Standard Definition) 동영상 기록모드(54[M Pixel/s])·모니터링 모드(27[M Pixel/s])이다.
종래의 비디오카메라에 있어서, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 이러한 촬상모드에 관계없이 데이터 출력부에 상당하는 처리부에서는, 항상 합계 10채널의 출력단을 사용한다. 그 때문에, 종래의 비디오카메라에서는, 촬상모드에 따라 1채널당의 비트 레이트가 변화하고 있다.
이것에 대해서, 본 실시 형태에 관계되는 비디오카메라(1)에 있어서, 시스템 컨트롤러(400)는, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 촬상모드에 따라 데이터 출력부(120)에서 사용하는 출력단의 채널수를 변화시킨다.
본 실시 형태에서는, 상술한 출력단에서 사용하는 채널수의 선택처리에 주목하여 촬상 디바이스(100) 및 화상처리 디바이스(200)의 구성에 관하여 상세하게 설명한다.
우선, C－MOS 이미지센서(110)의 구성을, 도 3을 참조하여 설명한다.
C－MOS 이미지센서(110)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, m열×n행의 2차원 배열되며 복수의 단위 화소(21)와, 각 단위 화소(21)로부터 출력되는 전기신호를 전송하는 m개의 칼럼 신호선(22－1, 22－2, …, 22－m)을 갖추고 있다. 또, C－MOS 이미지센서(110)는, 수평 방향으로 줄선 m개의 단위 화소(21)에 접속된 n개의 수평 선택선(23)(23－1, 23－2, …, 23－n)과, n개의 수평 선택선(23)에 선택 신호를 공급하는 수평어드레스 선택회로(24)를 갖추고 있다.
C－MOS 이미지센서(110)는, 4개의 칼럼 증폭기(25)(25－1, 25－2, 25－3, 25－4)와, 각 칼럼 신호선(22)에 접속된 m개의 칼럼선택 스위치(26)(26－1, 26－2, …, 26－m)과, 수직어드레스 선택회로(27)와, 각 칼럼 증폭기(25)의 출력단에 접속된 4개의 아날로그/디지털(A/D) 변환기를 갖추고 있다.
m개의 칼럼 신호선(22)은, 칼럼 증폭기(25)에 대응하는 개수(4개)를 1세트로 하고, 각 칼럼 증폭기(25)에 1개씩 칼럼선택 스위치(26)를 통하여 접속되어 있다. 즉, 4개 세트 중, 1번째의 칼럼 신호선(22)(22－1, 22－5, …, 25－(n－3))는, 칼럼선택 스위치(26)를 통하여, 칼럼 증폭기 25－1에 접속되어 있다. 2번째의 칼럼 신호선(22)(22－2, 22－6, …, 25－(n－2))은, 칼럼선택 스위치(26)를 통하여, 칼럼 증폭기 25－2에 접속되어 있다. 3번째의 칼럼 신호선(22)(22－3, 22－7, …, 25－(n－1))은, 칼럼선택 스위치(26)를 통하여, 칼럼 증폭기 25－3에 접속되어 있다. 4번째의 칼럼 신호선(22)(22－4, 22－8, …, 25－n)은, 칼럼선택 스위치(26)를 통하여, 칼럼 증폭기 25－4에 접속되어 있다.
수직어드레스 선택회로(27)는, 칼럼선택 스위치(26)를 ON/OFF 하는 칼럼 선택 신호를 발생한다. 수직어드레스 선택회로(27)는, 4개의 칼럼 신호선(22)을 세트로서 칼럼선택 스위치(26)의 ON/OFF를 제어한다. 칼럼선택 스위치(26)가 ON이 되면, 그 칼럼 신호선(22)에 접속된 단위 화소(21)로부터 출력된 전기신호가 칼럼 증폭기(25)에 공급된다.
A/D변환기(28)는, 칼럼 증폭기(25)에 의해 증폭된 전기신호를 디지털화하고, 1화소당 10비트의 화소 데이터를 출력한다. 또, 각 A/D변환기(28)의 출력단은, 화소 데이터를 구성하는 각 비트 데이터에 따른 합계 10개의 신호선으로, 데이터 출력부(120)와 접속되어 있고, 예를 들면, 기준 클록(CLKO)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강의 각 타이밍에서 1비트의 데이터를 출력한다.
또, C－MOS 이미지센서(110)는, 상술한 바와 같이 촬상모드에 의해서 시스템 컨트롤러(400)로부터 공급되는 기준 클록(CLKO)의 동작 주파수가 다르다. 따라서, C－MOS 이미지센서(110)는, 빠른 픽셀 레이트의 촬상모드가 선택되어 있으면 빠른 타이밍으로 화소 데이터를 출력하고, 늦은 픽셀 레이트의 촬상모드가 선택되어 있으면 늦은 타이밍으로 화소 데이터를 출력한다.
또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 각 칼럼 신호선(22)에, A/D변환기(29)를 삽입하고, 칼럼 신호선(22)에서 직접 디지털화된 화소 데이터를 출력하는 C－MOS 이미지센서(110)를 이용하도록 해도 좋다. 또, C－MOS 이미지센서(110)는, 기준 클록(CLKO)에 의거하는 펄스신호의 상승 타이밍마다 1비트의 데이터를 출력하도록 해도 좋다.
이상과 같이, C－MOS 이미지센서(110)는, 피사체를 촬상하여 단위시간당 4병렬의 화소 데이터를 합계 40개의 신호선을 통하여 데이터 출력부(120)에 공급한다.
다음에, 데이터 출력부(120) 및 화상처리 디바이스(200)의 구성에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.
데이터 출력부(120)는, C－MOS 이미지센서(110)로부터 합계 40개의 신호선을 통하여 입력되는 4병렬의 화소 데이터에 이하에 나타내는 데이터 처리를 시행하고, 당해 출력단에 의해 최대 10채널의 차동전송로를 통하여 화상처리 디바이스(200)로 촬상 데이터를 공급한다. 이와 같이 최대 10채널의 차동전송로에서 화소 데이터를 출력하므로, 데이터 출력부(120)는, 고체촬상 디바이스(100) 외부로 데이터를 출력하는 출력단자의 수가 삭감된다. 이것에 수반하여, 고체촬상 디바이스(100)와 화상처리 디바이스(200)를 접속하는 신호선의 수가 삭감되며, 합계 40개의 신호선을 촬상 디바이스(100)로부터 화상처리 디바이스(200)로 직접 접속하는 경우에 비해, 장치 전체적으로 회로 규모가 큰 폭으로 감소되게 된다.
구체적으로, 데이터 출력부(120)는, 기준 클록(CLKO)을 증배한 고속 클록(CLK1)을 생성하는 주파수 증배회로(121)와, C－MOS 이미지센서(110)로부터 공급되는 4병렬의 화소 데이터를 패럴렐 형식의 비트 데이터열로 재배열하는 재배열 처리부(122)와, 재배열 처리부(122)에서 재배열된 비트 데이터열을 시리얼 형식으로 변환하는 패럴렐 변환부(123)와, 패럴렐 시리얼 변환부(123)로 변환된 시리얼형식의 비트 데이터열을 화상처리 디바이스(200)로 전송하는 합계 10채널의 데이터 송신기(124)(124－1, 124－2, …, 124－10)와, 주파수 증배회로(121)로 생성한 고속 클록(CLK1)을 화상처리 디바이스(200)로 전송하는 클록 송신기(125)를 갖춘다.
여기서, 각 데이터 송신기(124)(124－1, 124－2, …, 124－10) 및 클록 송신기(125)는 차동증폭기이며, 각각 2개의 신호선을 1쌍으로 한 차동전송로를 통하여 화상처리 디바이스(200)에 접속되어 있다.
구체적으로, 클록 송신기(125)는, 각각 역위상이 되는 2개 펄스신호를 이용하여 고속 클록(CLK1)을 전송한다. 각 데이터 송신기(124)도, 각각 역위상이 되는 2개 펄스신호를 이용하여 비트 데이터를 전송한다.
화상처리 디바이스(200)는, 차동전송로를 통하여 전송되어오는 시리얼 형식의 펄스 데이터열을 수신하는 합계 10채널의 데이터 수신기(201)(201－1, 201－2, …, 201－10)과, 데이터 출력부(120)의 클록 송신기(125)로부터 송신되는 고속 클록(CLK1)을 수신하는 클록 수신기(202)와, 클록 수신기(202)가 수신한 고속 클록(CLK1)에 동기 한 클록을 생성하는 분주 회로(203)와, 각 데이터 수신기(201)가 수신한 시리얼 형식의 비트 데이터열을 패럴렐 형식의 비트 데이터열로 변환하는 시리얼 패럴렐 변환부(204)와, 패럴렐 형식의 비트 데이터열로부터 각 화소 데이터의 경계를 검출하는 데이터 경계 검출부(205)와, 데이터 경계 검출부(205)에서 검출된 경계에 의거하여 촬상 데이터로부터 화소 데이터를 형성하는 재배열 처리부(206)와, 재배열 처리부(206)로 형성된 화소 데이터에 포함되는 동기코드를 검출하는 동기코드 검출부(207)를 갖춘다.
여기서, 데이터 수신기(201) 및 클록 수신기(202)는 차동증폭기이며, 각각 데이터 출력부(120)의 데이터 송신기(124) 및 클록 송신기(125)로부터 전송되어오는 펄스신호로 표현된 비트 데이터를 수신한다.
또, 촬상 디바이스(100)로부터 차동전송로를 통하여 화상처리 디바이스(200)로 촬상 데이터를 전송하는 경우에는, 싱글 전송방식에 대해서 코먼·모드 잡음의 영향을 받기 어렵게 되어있다. 따라서, 차동 전송방식으로는, 신호의 진폭을 낮게 해도 싱글 전송방식과 비교하여 보다 확실하게 데이터를 전송할 수 있다. 이것에 의해, 데이터 출력부(120)는, 촬상 데이터를 싱글 전송방식으로 전송하는 경우에 비해 신호성분을 작게 할 수 있는 만큼, 데이터 전송속도의 고속화를 도모할 수 있다. 이와 같이 데이터 전송속도의 고속화를 도모할 수 있으므로, 주파수 증배회로(121)에서 생성되는 고속 클록(CLK1)을 기준으로서 비트 데이터를 전송할 수 있다.
여기서, 고속 클록(CLK1)은, 도 6에 나타내는 바와 같이, 기준 클록(CLKO)에 동기하여, 기준 클록(CLKO)의 펄스간격(T)을 1/4배 한 것이다. 고속 클록(CLK1)은, 패럴렐 시리얼 변환부(123) 및 클록 송신기(125)에 각각 공급된다.
또, 고속 클록(CLK1)은, 클록 송신기(125)로부터 차동전송로를 통하여 화상처리 디바이스(200)의 클록 수신기(202)에 전송된다. 분주 회로(203)는, 클록 수신기(202) 수신한 고속 클록(LK1)을 분주하여, 고속 클록(CLK1)에 동기한 고속 클록(CLK2) 및 기준 클록(CLKO)에 동기한 저속 클록(CLK3)을 각각 생성하여 각 처리부로 공급한다. 여기서, 고속 클록(CLK2)은, 저속 클록(CLK3)의 펄스 간격을 1/4배 한 것이다. 이와 같이하여, 화상처리 디바이스(200)에서는, 고속 클록(CLK2) 및 저속 클록(CLK3)을 기준으로서, 촬상 디바이스(100)와 동기를 취하고 있다.
또한, 데이터 출력부(120)는, 시스템 컨트롤러(400)로부터 공급되는 제어 명령에 따라, 촬상모드에 따라서 출력단으로 사용하는 채널수, 즉, 전력을 공급시켜 구동시키는 데이터 송신기(124)를 선택한다. 이와 같이하여, 화상처리 디바이스(200)도, 촬상모드에 따라 전력을 공급시켜 구동시키는 데이터 수신기(201)를 선택한다. 이와 같이, 데이터 출력부(120) 및 화상처리 디바이스(200)의 동작이 촬상모드에 따라 변화한다.
계속하여, 데이터 출력부(120) 및 화상처리 디바이스(200)의 각 처리부의 구 체적인 동작에 대하여 설명한다. 이하에서는, 도 2a 및 도 2b에 나타낸 합계 4종류의 촬상모드 중, 정지화면 기록모드(432[M Pixel/s])·HD동영상 기록모드(l08[M Pixel/s]·모니터링 모드(27[M Pixel/s])의 3종류의 촬상모드를 구체적인 예로 든다. 우선, 촬상모드를 정지화면 기록모드(432[M Pixel/s])로서, 데이터 출력부(120) 및 화상처리 디바이스(200)의 각 처리부의 동작에 대하여 상술한다.
재배열 처리부(122)는, C－MOS 이미지센서(110)로부터 공급되는 4병렬의 화소 데이터를 10병렬의 비트 데이터열로 전환한다.
예를 들면, 도 7에 나타내는 바와 같이, 4병렬의 화소 데이터를 각각 제 1의 화소 데이터(D1[1], D1[2], …, D1[10])·제 2의 화소 데이터(D2[1], D2[2], …, D2[10])·제 3의 화소 데이터(D3[1], D3[2], …, D3[10])·제 4의 화소 데이터(D4[1], D4[2], …, D4[10])로 하면, 재배열 처리부(122)는, 이들 4병렬의 화소 데이터를, 제 1의 비트 데이터열(D1[1], D2[1], D3[1], D4[l])·제 2의 비트 데이터열(D1[2], D2[2], D3[2], D4[2])…제 10의 비트 데이터열(D1[10], D2[10], D3[10], D4[10])로 전환하는 것으로 한다. 여기서, 재배열 처리부(122)는, 기준 클록(CLKO)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강의 각 타이밍에서, 4병렬의 화소 데이터를 10병렬의 비트 데이터열로 전환하는 처리를 행한다. 또, 이러한 비트 데이터열은, 재배열 처리부(122)로부터 패럴렐 시리얼 변환부(123)로 공급된다.
패럴렐 시리얼 변환부(123)는, 도 8a 및 도 8b에 나타내는 바와 같이, 각 비트 데이터열을 각 채널에 대응하는 데이터 송신기(124)에 할당한다. 그리고, 각 채널의 데이터 송신기(124)는, 고속 클록(CLK1)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강 의 각 타이밍으로, 1비트씩 데이터를 출력한다. 예를 들면, 제 1의 비트 데이터열은, 송신기(124－1)로부터, 고속 클록(CLK1)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강의 각 타이밍에서, D1[1]·D2[1]·D3[1]·D4[l]의 순으로 출력된다. 즉, 10채널의 데이터 송신기(124) 전체에서는, 고속 클록(CLK1)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강의 각 타이밍에서, 1화소 분의 화소 데이터를 출력한다.
각 데이터 송신기(124)로부터 출력된 비트 데이터는, 차동전송로를 통하여 화상처리 디바이스(200)의 각 데이터 수신기(201)로 전송된다. 시리얼 패럴렐 변환부(204)는, 고속 클록(CLK2)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강의 각 타이밍에 따라 각 데이터 수신기(201)로 전송되어온 펄스신호로부터 비트 데이터를 검출한다. 또한, 시리얼 패럴렐 변환부(204)는, 저속 클록(CLK3)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강의 각 타이밍에서, 각 데이터 수신기(201)로부터 독출한 복수의 비트 데이터를 1개의 비트 데이터열로서 데이터 경계 검출부(205)로 공급한다. 여기서, 저속 클록(CLK3)이 고속 클록(CLK2)의 4주기 분이므로, 시리얼 패럴렐 변환부(204)는, 1열당 4비트로 이루어지는 합계 10열의 비트 데이터열을 데이터 경계 검출부(205)로 공급한다.
데이터 경계 검출부(205)는, 저속 클록(CLK3)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강의 각 타이밍에서, 시리얼 패럴렐 변환부(204)로부터 공급되는 비트 데이터열로부터, 각 화소 데이터의 최소위비트와 최대위비트를 검출하고, 검출 결과를 부가한 비트 데이터열을 재배열 처리부(206)로 공급한다.
재배열 처리부(206)는, 저속 클록(CLK3)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강 의 각 타이밍에서 데이터 경계 검출부(205)로부터 공급되는 비트 데이터열로부터, 1화소당 14비트 길이로 확장한 화소 데이터를 생성하여 동기코드 검출부(207)로 공급한다.
동기코드 검출부(207)는 저속 클록(CLK3)에 의거하는 펄스신호의 상승·하강의 각 타이밍에서, 재배열 처리부(206)로부터 공급되는 각 화소 데이터로부터 동기코드를 검출한다. 이 동기처리에 의해, 1 화소를 구성하는 복수의 화소 데이터 간에 동기를 예측하게 된다.
그리고, 화상처리 디바이스(200)에서는, 1 화면당 화소 데이터로 동기가 예측된 촬상 데이터가 1 화면 단위로 메모리에 기억시키게 된다.
이와 같이, 정지화면 촬상모드로 촬상하는 경우, 본 실시 형태에 관계되는 비디오카메라(1)에서는, 종래의 비디오카메라와 마찬가지로 10채널의 차동전송로에 전력을 공급하여 구동시켜, 1 채널당 432[M bps]의 데이터 레이트로 촬상 데이터를 고체 촬상 디바이스(100)에서 화상처리 디바이스(200)로 공급시킨다.
다음으로, 촬상모드를 HD동영상 기록모드로 한 경우의 촬상 데이터의 전송 처리에 대하여 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명한다. 또한, 데이터 출력부(120) 및 화상처리 디바이스(200)에 대하여 정지화면 촬상모드와 마찬가지의 처리에 관하여, 그 설명을 생략한다.
촬상모드가 HD동영상 기록모드의 경우, 데이터 출력부(120)의 재배열 처리부(122)에서는, C－MOS 이미지센서(110)로부터 공급되는 4병렬의 화소 데이터를, 5병렬로 1열당 8비트의 비트 데이터열로 전환한다.
구체적으로 5병렬의 비트 데이터열은, 도 8a에 나타내는 바와 같이, 제 1의 비트 데이터열(D1[1], D1[2], D2[1], D2[2], D3[1], D3[2], D4[1], D4[2])·제 2의 비트 데이터열(D1[3], D1[4], D2[3], D2[4], D3[3], D3[4], D4[3], D4[4])· 제 5의 비트 데이터열(D1[9], D1[10], D2[9], D2[10], D3[9], D3[10], D4[9], D4[10])로 전환된다. 그리고, 이들 5병렬의 비트 데이터열은 5채널 분의 차동전송로를 통하여 화상처리 디바이스(200)로 전송된다.
이와 같이, HD동영상 기록모드로 촬상하는 경우에는, 도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 5채널 분의 차동전송로에 전력이 공급되며, 1채널당 216[M bps]의 데이터 레이트로 촬상 데이터가, 고체 촬상 디바이스(100)로부터 화상처리 디바이스(200)로 공급된다.
이것에 대해서, 종래의 비디오카메라에서는, 도 8b에 나타내는 바와 같이, 모든 10채널의 차동전송로를 구동하여 1채널당 데이터 레이트를 108[M bps]로서, 촬상 데이터를 고체 촬상 디바이스(100)로부터 화상처리 디바이스(200)로 공급한다.
따라서, 본 실시 형태에 관계되는 데이터 출력부(120) 및 화상처리 디바이스(200)에서는, 도 9b에 나타내는 종래의 비디오카메라에 대해서, 1채널의 비트 ㄹ레이트를 2배로 빠르게 하여 촬상 데이터를 전송하고 있다.
다음으로, 촬상모드를 모니터링 모드로 한 경우의 촬상 데이터의 전송 처리에 대하여 도 9a 및 도 9b를 참조하여 설명한다.
본 실시 형태에 관계되는 비디오카메라(1)에서는, 도 9a에 나타내는 바와 같 이, C－MOS 이미지센서(110)로부터 공급되는 4병렬의 화소 데이터를 재배열 처리부(122)에 의해 1열의 비트 데이터열로 하고, 1채널의 차동전송로를 통하여 화상처리 디바이스(200)로 전송한다. 즉, 촬상모드가 모니터링 모드의 경우에는, 1채널 분의 차동전송로에만 전력이 공급되게 된다.
이와 같이, 모니터링 모드로 촬상하는 경우에는, 도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 1채널의 차동전송로를 구동시키고, 1채널당 270[M bps]의 데이터 레이트로, 촬상 데이터를 고체 촬상 디바이스(100)로부터 화상처리 디바이스(200)로 공급한다.
이것에 대해서, 종래의 비디오카메라에서는, 상술한 바와 같이 10채널의 차동전송로의 모두를 사용하여 촬상 데이터를 전송한다. 구체적으로, 종래의 비디오카메라에서는, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 다른 촬상모드로 동작하는 경우에 비해, 1채널당의 비트 레이트가 늦어진다.
그런데, 입출력단을 차동증폭기로 한 차동전송계는 정전류전송이므로, 전송 주파수에 따라 차동전송계의 소비 전력이 거의 변화하지 않는다. 그 한편, 차동전송계의 소비 전력은, 사용하는 차동전송로의 채널수에 비례하여 증가한다.
여기서, 정지화면 기록모드에서는, 종래의 비디오카메라도 본 실시형태에 관계되는 비디오카메라(1)도 마찬가지로 10채널의 차동전송로를 사용한다. 따라서, 본 실시형태에 관계되는 비디오카메라(1)에서는, 촬상 데이터를 차동전송할 때에 소비되는 전력이, 종래의 전송방법과 동등하다. 즉, 촬상 데이터의 픽셀 레이트가 빠른 경우에는, 1채널당 전송 레이트에 한계가 있고 마찬가지로 전 채널수의 차 동전송로에서 전송 처리를 행하므로, 종래의 비디오카메라와 비교해서, 차동전송계의 소비 전력량에 관하여 거의 차이가 없다.
또한, HD동영상 기록모드에서는, 종래의 비디오카메라가 10채널의 차동전송로를 사용함에 대하여, 본 실시형태에 관계되는 비디오카메라(1)가, 5채널의 차동전송로를 사용하고 있다. 따라서, 본 실시형태에 관계되는 비디오카메라(1)에서는, 차동전송계로 소비되는 전력을, 종래에 비해 약 절반으로 저감할 수 있다.
이와 같이하여, 모니터링 모드의 경우, 본 실시형태에 관계되는 비디오카메라(1)에서는, 차동전송계로 소비되는 전력을, 종래에 비해 약 1/10로 저감할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 관계되는 비디오카메라(1)에서는, 촬상모드에 관계없이, 보다 빠른 비트 레이트로 데이터를 전송하도록 각 채널의 차동전송계를 구동하고, 촬상 데이터를 전송한다. 또, 본 실시형태에 관계되는 비디오카메라(1)에서는, 픽셀 레이트에 비례한 채널수의 차동전송로를 사용하여 촬상 데이터를 전송한다. 따라서, 비디오카메라(1)는, 늦은 픽셀 레이트의 촬상 데이터를 전송하는 경우에는, 구동시키는 차동전송로의 채널수를 삭감하여 저소비 전력화를 실현할 수 있다.
이상과 같이, 비디오카메라(1)에서는, 차동전송로를 통하여 촬상 데이터를 전송하므로, 데이터를 전송할 때에 생기는 불필요 복사를 저감하는 동시에, 화상 데이터의 화질에 따라 최저한의 차동증폭기를 구동하므로 전송대상이 되는 촬상 데이터의 화질에 관계없이, 전력 절약으로 촬상 데이터를 전송할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상술한 실시의 형태에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지의 변경이 가능하다는 것은 물론이다. 구체적으로는, 상술한 실시의 형태에 있어서, 촬상 디바이스(100)로부터 화상처리디바이스(200)로 화소 데이터를 전송하는 차동전송계는 10채널의 차동전송로이지만, 이 채널수에 한정되는 것은 아니다. 또, 본 실시형태에 있어서의 고속 클록(CLK1, CLK2)은, 기준 클록의 동작 주파수를 4배로 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.

Claims (5)

  1. 제 1의 클록을 기준으로서, 2차원 배열된 단위화소(21)로부터 촬상 데이터를 독출하는 고체촬상소자와,
    상기 제 1의 클록보다 동작주파수가 높은 제 2의 클록을 생성하는 제 2의 클록생성부와,
    상기 고체촬상소자로부터 독출되는 촬상 데이터를 비트데이터 열로 재배열하는 배열처리부와,
    상기 배열처리부로 재배열된 비트데이터 열을 복수의 차동(差動) 전송로를 통하여 외부로 전송하는 차동증폭기를 복수 가지며, 상기 차동증폭기가 상기 비트데이터 열을 상기 제 2의 클록을 기준으로서 외부로 전송하는 데이터전송로와,
    상기 복수데이터를 외부로 전송하는 전송속도에 비례한 수의 차동증폭기를 구동시키는 제어부를 갖추는 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2의 클록 생성부는, 상기 제 1의 클록 동작주파수를 증배한 제 2의 클록을 생성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 고체촬상소자는, 상기 제 1의 클록을 기준으로서, 단위시간당 복수열의 화소데이터를 독출하고, 상기 배열처리부는, 상기 복수열의 화소데이터를 상기 비트데이터 열로 재배열하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
  4. 단위 화소가 2차원 배열된 고체촬상소자로부터 독출되는 촬상 데이터를 복수의 차동 전송로를 통하여 외부로 출력하는 데이터전송방법이며,
    상기 고체촬상소자로부터 독출된 촬상 데이터를 소정수의 비트데이터 열로 재배열하고,
    상기 제 1의 클록보다도 동작주파수가 높은 제 2의 클록을 생성하고,
    상기 촬상 데이터를 외부로 전송하는 전송속도에 비례한 수의 차동증폭기를 구동하고,
    상기 제 2의 클록을 기준으로서, 상기 구동한 차동증폭기 마다 상기 재배열된 각 비트데이터 열을 외부로 전송하는 것을 특징으로 하는 데이터전송방법.
  5. 단위 화소가 2차원 배열된 고체 촬상장치로부터 제 1의 클록을 기준으로서 촬상 데이터를 독출하는 촬상 처리부와, 상기 촬상 처리부로부터 독출된 촬상 데이터에 소정의 데이터처리를 실시하는 화상처리부를 갖추는 촬상장치이며,
    상기 촬상 처리부는,
    상기 제 1의 클록보다 동작 주파수가 높은 제 2의 클록을 생성하는 제 2의 클록생성부와,
    상기 고체촬상소자로부터 독출되는 촬상 데이터를 소정수의 비트데이터 열로 재배열하는 배열처리부와,
    상기 배열처리부로 재배열된 비트데이터 열을 복수의 차동 전송로를 통하여 외부로 전송하는 차동증폭기를 복수 가지며, 상기 차동증폭기가 상기 비트데이터 열을 상기 제 2의 클록을 기준으로서 외부로 전송하는 데이터 전송부와,
    상기 촬상 데이터를 상기 화상처리부로 전송하는 전송속도에 비례한 수의 차동증폭기를 구동시키는 제어부를 갖추는 것을 특징으로 하는 촬상장치.
KR1020087031851A 2006-06-30 2007-06-26 고체 촬상장치, 데이터전송방법 및 촬상장치 KR20090025294A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-182030 2006-06-30
JP2006182030A JP4404074B2 (ja) 2006-06-30 2006-06-30 固体撮像装置及びデータ伝送方法並びに撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090025294A true KR20090025294A (ko) 2009-03-10

Family

ID=38845524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087031851A KR20090025294A (ko) 2006-06-30 2007-06-26 고체 촬상장치, 데이터전송방법 및 촬상장치

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8169499B2 (ko)
EP (1) EP2037673A4 (ko)
JP (1) JP4404074B2 (ko)
KR (1) KR20090025294A (ko)
CN (1) CN101485194B (ko)
BR (1) BRPI0713075A2 (ko)
RU (1) RU2429585C2 (ko)
TW (1) TW200818892A (ko)
WO (1) WO2008001760A1 (ko)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2092322B1 (en) 2006-12-14 2016-02-17 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
US8262900B2 (en) * 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US11339430B2 (en) 2007-07-10 2022-05-24 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
DE102007027463B4 (de) * 2007-06-14 2021-03-25 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Bildsensor
JP5034797B2 (ja) * 2007-09-07 2012-09-26 セイコーエプソン株式会社 シリアルインターフェース回路及び電子機器
JP4587185B2 (ja) * 2008-02-27 2010-11-24 キヤノン株式会社 撮像システム及び撮像装置の制御方法
JP5258355B2 (ja) * 2008-04-03 2013-08-07 キヤノン株式会社 撮像装置及びその駆動方法
JP5253964B2 (ja) * 2008-05-29 2013-07-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
JP5424726B2 (ja) * 2009-06-05 2014-02-26 オリンパス株式会社 撮像装置
US20120261274A1 (en) 2009-05-29 2012-10-18 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
KR101697341B1 (ko) 2010-06-08 2017-02-01 삼성전자 주식회사 영상데이터처리방법, 상기 영상데이터처리방법을 이용하는 이미지센서 및 영상데이터처리시스템
WO2012003363A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Life Technologies Corporation Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods
US8487790B2 (en) 2010-06-30 2013-07-16 Life Technologies Corporation Chemical detection circuit including a serializer circuit
CN106932456B (zh) 2010-06-30 2020-02-21 生命科技公司 用于测试isfet阵列的方法和装置
US11307166B2 (en) 2010-07-01 2022-04-19 Life Technologies Corporation Column ADC
EP2589065B1 (en) 2010-07-03 2015-08-19 Life Technologies Corporation Chemically sensitive sensor with lightly doped drains
JP2012049911A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Canon Inc 光電変換装置および撮像システム
JP2012049912A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Canon Inc 光電変換装置および撮像システム
JP5671890B2 (ja) * 2010-08-31 2015-02-18 株式会社ニコン 撮像装置
EP2617061B1 (en) 2010-09-15 2021-06-30 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
KR101230397B1 (ko) * 2010-09-29 2013-02-07 (주) 인텍플러스 영상 데이터 고속 송/수신 방법 및 장치
JP5598220B2 (ja) * 2010-09-30 2014-10-01 ソニー株式会社 送信装置、送信方法、受信装置、受信方法および送受信システム
JP5721518B2 (ja) * 2011-04-21 2015-05-20 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
US9970984B2 (en) 2011-12-01 2018-05-15 Life Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
JP5973321B2 (ja) * 2012-10-30 2016-08-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子
US9080968B2 (en) 2013-01-04 2015-07-14 Life Technologies Corporation Methods and systems for point of use removal of sacrificial material
US9841398B2 (en) 2013-01-08 2017-12-12 Life Technologies Corporation Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US20140264471A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Life Technologies Corporation Chemical device with thin conductive element
US9835585B2 (en) 2013-03-15 2017-12-05 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
CN105264366B (zh) 2013-03-15 2019-04-16 生命科技公司 具有一致传感器表面区域的化学传感器
US20140336063A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Life Technologies Corporation Windowed Sequencing
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
JP6579744B2 (ja) 2014-11-28 2019-09-25 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法、及び撮像装置の検査方法
EP3234575B1 (en) 2014-12-18 2023-01-25 Life Technologies Corporation Apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
CN107250784B (zh) * 2014-12-18 2020-10-23 生命科技公司 具有发送器配置的高数据率集成电路
US10077472B2 (en) 2014-12-18 2018-09-18 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with power management
CN105007416B (zh) * 2015-06-30 2018-03-13 广东实联医疗器械有限公司 一种医用内窥镜的视频采集增强装置
CN105049675B (zh) * 2015-06-30 2018-03-13 广东实联医疗器械有限公司 一种医用内窥镜的图像处理增强及显示驱动电路
CN104954653B (zh) * 2015-06-30 2018-03-13 广东实联医疗器械有限公司 一种用于医用内窥镜的视频采集、处理及增强电路
CN104935895B (zh) * 2015-06-30 2018-08-07 广东实联医疗器械有限公司 一种用于医用内窥镜的视频采集处理电路
CN105100548B (zh) * 2015-06-30 2018-08-07 广东实联医疗器械有限公司 一种用于医用内窥镜的图像处理增强电路
CN105306886A (zh) * 2015-09-18 2016-02-03 广东实联医疗器械有限公司 一种医疗摄像系统的视频采集处理及增强电路
CN105208331A (zh) * 2015-09-18 2015-12-30 广东实联医疗器械有限公司 一种医疗摄像系统的视频采集、传输和增强电路
JP6952339B2 (ja) * 2018-01-12 2021-10-20 ザインエレクトロニクス株式会社 映像信号受信装置および映像信号送受信システム
CN115190255A (zh) * 2021-04-06 2022-10-14 群创光电股份有限公司 感测装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4251834A (en) * 1979-05-29 1981-02-17 Texas Instruments Incorporated Block output CCD imager
US5457494A (en) * 1988-11-21 1995-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup signal processing apparatus
JPH09247519A (ja) * 1996-03-08 1997-09-19 Sony Corp 撮像装置
JPH09322077A (ja) 1996-05-31 1997-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
JP2006182030A (ja) 2002-06-03 2006-07-13 Pioneer Electronic Corp 情報記録媒体
JP4601897B2 (ja) * 2002-11-13 2010-12-22 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP4457613B2 (ja) 2003-09-04 2010-04-28 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4144578B2 (ja) 2003-10-15 2008-09-03 ソニー株式会社 固体撮像装置、画素信号処理方法
JP2005244709A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 映像信号処理装置
JP4019286B2 (ja) * 2005-02-10 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 アナログフロントエンド回路及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008011396A (ja) 2008-01-17
CN101485194B (zh) 2011-04-06
JP4404074B2 (ja) 2010-01-27
WO2008001760A1 (fr) 2008-01-03
TW200818892A (en) 2008-04-16
CN101485194A (zh) 2009-07-15
EP2037673A4 (en) 2011-04-27
US8169499B2 (en) 2012-05-01
TWI341129B (ko) 2011-04-21
BRPI0713075A2 (pt) 2012-10-16
RU2008152036A (ru) 2010-07-10
EP2037673A1 (en) 2009-03-18
RU2429585C2 (ru) 2011-09-20
US20100026814A1 (en) 2010-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090025294A (ko) 고체 촬상장치, 데이터전송방법 및 촬상장치
JP4858294B2 (ja) 撮像装置、撮像回路および画像処理回路
US9060126B2 (en) Solid-state image sensing apparatus
US8593551B2 (en) Solid-state imaging device and camera system
US8804020B2 (en) Photoelectric conversion apparatus and image pickup system
US8922692B2 (en) Photoelectric conversion apparatus and image pickup system
US11172149B2 (en) Image sensing system using average pixel data and operating method thereof
KR20080020568A (ko) 물리량 검출 장치, 고체 촬상 장치 및 촬상 장치
JP2009017371A (ja) 撮像装置及びその制御方法
EP2091239B1 (en) Solid state image picking-up device and image picking-up signal output circuit
US9313426B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging system
JP6351691B2 (ja) 光電変換装置および撮像システム
JP2009077195A (ja) 撮像装置、および出力信号制御方法、並びにコンピュータ・プログラム
KR980007778A (ko) 칼라 화상 입력 장치
JP2009094613A (ja) 撮像処理システムおよびデジタルカメラ
JP2006340289A (ja) 撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application