KR20090022384A - 비트 패턴 미디어 - Google Patents

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KR20090022384A
KR20090022384A KR1020070087692A KR20070087692A KR20090022384A KR 20090022384 A KR20090022384 A KR 20090022384A KR 1020070087692 A KR1020070087692 A KR 1020070087692A KR 20070087692 A KR20070087692 A KR 20070087692A KR 20090022384 A KR20090022384 A KR 20090022384A
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Abstract

수직 자기 기록 패턴 미디어에 관해 개시된다. 비트 간의 자화 상태에 따른 스위칭 필드의 차이를 감소시키기 위하여 비트 간의 교환결합을 유도하는 교환 결합층이 구비된다. 교환 결합층은 비트가 형성된 기록층의 상부 또는 하부에 마련된다. 교환 결합층은 기록 대상 비트와 인접한 비트간의 교환결합을 유도하고 이때에 발생하는 교환 결합력에 의해 기록 대상 비트의 자화방향과 주변 비트의 자기방향 차이에 따른 스위칭 필드 차이를 감소시킨다.
비트, 패턴, 미디어, 교환, 결합, 정자기, 스위칭, 필드

Description

비트 패턴 미디어{Bit Patterned Media}
본 발명은 수직자기 기록매체에 관한 것으로, 상세하게는 데이터의 단위 기록 영역인 비트들이 섬 형태로 분리되어 있는 비트 패턴 미디어(Bit Patterned Media)의 개량에 관한 것이다.
자기기록매체를 이용하는 하드디스크 드라이브는 대용량이면서 고속 액세스(access) 특성을 가지고 있기 때문에, 컴퓨터뿐만 아니라 각종 디지탈 기기의 주된 정보기억장치로 이용되고 있다. 자기기록매체의 용량은 디스크 회전방향의 트랙밀도(TPI, Tracks Per Inch)와 트랙 상의 비트의 밀도(BPI, Bits Per Inch)에 의해 결정된다. 현재 가장 많이 사용되고 있는 연속 자기 기록층, 즉 비트가 물리적으로 분리되어 있지 않은 자기기록매체는 비트의 사이즈나 트랙의 피치를 감소시켜 TPI와 BPI를 증가시키는 데 한계가 있다. 이는 비트의 사이즈나 트랙의 피치를 어느 한계 이하로 줄이게 되면 인접한 비트들 간에 자기적 상호 간섭 등에 의해 노이즈 증가와 함께 기록 안정성이 급격히 떨어지기 때문이다.
비트 패턴 미디어(Bit Patterned Media)는 단위 기록 영역인 비트들이 섬 형태로 분리되어 있다. 비트는 회전 디스크의 트랙들을 따라 형성되며, 패턴 된 트랙 들 사이나 비트들 사이의 분리영역은 비워두거나 비자성 물질로 채워진다. 이와 같은 패턴 매체는 단위 비트 영역인 비트가 타 비트와 간섭이 없기 때문에 높은 기록밀도가 실현된다.
그러나, 비트 패턴 미디어의 적용에 있어서의 과제 중의 하나는 비트간의 스위칭 필드 분포(Switching Field Distribution)의 감소이다. 각 비트의 스위칭 필드에 영향을 주는 인자로는 각 비트의 크기(Dimension) 및 자성 특성, 그리고 인접 비트의 자화 방향 등이 있다. 비트들의 크기 및 자성 특성은 균일한 것이 바람직하며, 이는 제조 공정 제어에 의해 비트 크기 및 자성 특성 차를 실용적인 범위 내로 감소시킬 수 있다. 그러나 인접한 비트들 간의 정자기력 간섭에 의한 비트별 스위칭 필드의 차이, 즉 스위칭 필드 분포는 제조 공정에 의해 제어될 수 없는 개선 과제이다. 스위칭 필드의 차이를 감소시키기 위해서는 비트의 크기 또는 포화 자화(Ms) 값을 감소시키는 것이 필요하다. 그러나, 이에 따르면, 출력의 감소가 불가피하고 따라서 이에 따른 새로운 문제점이 발생한다.
본 발명은 정자기력에 의한 비트들 간의 스위칭 필드 차이를 감소시킬 수 있는 비트 패턴 미디어(Bit Patterned Media)를 제공한다.
따라서, 본 발명은 스위칭 필드 차이의 감소에 의해 정보의 기록 시 기록하지 않는 인접 비트들의 기록정보 안정성을 높인 패턴 미디어를 제공한다.
본 발명의 한 유형에 따르면,
다수의 비트를 포함하는 자기 기록층과;
상기 기록층의 인접 비트를 연결하는 교환 결합층; 을 구비하는 비트 패턴 미디어가 제공된다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 상기 교환 결합층은 상기 자기 기록층의 상부와 하부 중 어느 일측에 형성된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 교환 결합층에 의한 비트간의 교환 결합 상수는 0.001e-6 erg/cm2 내지 1e-6 erg/cm2 범위 내의 값을 가진다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따르면, 상기 교환 결합층은 강자성 물질로 형성되며, 바람직하게 상기 교환 결합층은 CoCrPtB, CoCrPt, CoPt 등의 Co 합금과 L10 결정성을 갖는 CoPt 및 FePt 합금, CoFeCrB, CoFe, NiFe, CoNiFe로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된다. 그리고, 상기 자기 기록층은 CoCrPtB, CoCrPt, CoPt 등의 Co 합금과 L10 결정성을 갖는 CoPt 및 FePt 합금으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된다.
본 발명의 구체적인 다른 실시예에 따르면, 상기 비트 패턴 미디어는, 상기 자기 기록층이 형성되는 기판과, 자기 기록층과 기판 사이에 형성되는 하지층과, 상기 하지층과 자기 기록층 사이의 중간층을 구비하고, 상기 교환 결합층은 중간층과 자기 기록층 사이에 개재된다.
본 발명의 구체적인 또 다른 실시예에 따르면, 상기 비트 패턴 미디어는, 상기 자기 기록층이 형성되는 기판과, 자기 기록층과 기판 사이에 형성되는 하지층과, 상기 하지층과 자기 기록층 사이의 중간층을 구비하고, 상기 교환 결합층은 상기 자기 기록층의 표면에 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 비트 패턴 미디어의 최상위 층에는 자기 기록층을 보호하는 보호층이 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 자기 기록층은 비트와 비트 사이의 비자성영역을 포함하며, 비자성영역은 비자성 물질로 채워진다.
본 발명에 따르면 비트들이 교환 결합층에 의해 교환결합을 이루며, 이에 따른 교환 결합력은 비트의 정자기력에 대해 반대방향으로 작용한다. 따라서 인접 비트들 간의 교환 결합력은 인접 비트로부터의 정자기력을 감소 또는 상쇄시킨다. 이러한 정자기력의 감소 및 상쇄는 결과적으로 비트들 간의 스위칭 필드 차이를 감소 시킬 수 있고, 자기 기록시 인접 비트에 대한 기록 노이즈 필드를 감소시켜 인접 비트의 기록 정보 안정성을 높일 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 설명하기 위해 제공되는 것이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 비트 패턴 미디어가 적용되는 HDD(Hard Disc Drive)의 개략적 사시도를 보인다.
도 1을 참조하면, 원반형 비트 패턴 미디어(20, 이하 디스크)는 베이스(10)의 일 측에 설치된 스핀들 모터(11)에 장착된다. 자기 헤드(15)는 액튜에이터 암(13)에 결합된 서스펜션 조립체(14)의 선단부의 저면에 고정된다. 자기 헤드(15)는 액튜에이터 암(13)의 동작에 의해 디스크(20)의 안쪽으로부터 바깥으로의 방사 방향(radial direction) 왕복 이동이 가능하게 설치되어 있으며, 고속 회전하는 디스크(20)의 표면으로부터 소정 높이 부양된 상태에서 비행한다. 자기 헤드(15)의 부양(浮揚))은 자기 헤드(15)와 디스크(20)의 사이에 발생하는 에어 베어링에 의해 이루어진다. 상기 액튜에이터 암(13)에 대한 운동력은 액튜에이터 암(13)의 일측에 설치된 보이스 코일 모터(Voice Coil Motor, 12)에 의해 제공된다. 도면에서 참조번호 16은 자기 헤드(15)가 파킹되는 램프(ramp)이다.
도 2는 본 발명에 따른 원반상 비트 패턴 미디어인 디스크(20)의 개략적 사시도이다. 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 디스크(20)는 원반상 기판(21)과 기판(21)의 적어도 일면에 형성되는 자기 기록층(22)을 갖춘다. 자기 기록층(22)은 비트 패턴 미디어의 중심을 기준으로 등간격으로 배치된 복수의 섹터(26)를 구비하며, 각 섹터(26)는 데이터 영역(26a)과 서보 영역(26b)을 포함한다.
도 3a는 본 발명의 한 실시예에 따른 미디어(20)의 개략적 발췌 사시도이며, 도 3b는 미디어(20)의 적층 구조를 보인다.
도 3a, 3b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 미디어(20)는 기본적으로 비자성체로 된 원반형 기판(21)과, 다수 비트(22a) 및 이들 사이의 비자성 영역(22b)을 갖는 자기 기록층(22)을 포함한다. 상기 기록층(22)과 기판(21)의 사이에는 연자성 하지층(Soft-magnetic Under Layer, 24)이 마련되고, 기록층(24)과 하지층(24)의 사이에는 중간층(23)이 마련된다.
한편, 본 발명의 특징에 따라, 상기 기록층(22) 위에는 인접한 비트(22a)들 간의 교환결합을 유도하는 교환 결합층(25)이 형성된다. 상기 비트(22a)는 나노 임프린팅 방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 교환 결합층(25)에 의한 교환 결합력은 교환 결합층(25)의 물질 및 두께 등에 의해 조절할 수 있다. 그리고, 상기 교환 결합층(25) 위에는 통상의 보호층, 윤활층 등이 추가로 마련될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 미디어(20')의 개략적 발췌 사시도이며, 도 4b는 미디어(20')의 적층 구조를 보인다.
도 4a, 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 미디어(20')는 기본적으로 비자성체로 된 원반형 기판(21)과, 다수 비트(22a) 및 이들 사이의 비자성 영역(22b)을 갖는 기록층(22)을 포함한다. 상기 기록층(22)과 기판(21)의 사이에는 연자성 하지층(Soft-magnetic Under Layer, 24)이 마련되고, 기록층(24)과 하지층(24)의 사이에는 중간층(23)이 마련된다.
또한, 본 발명의 특징에 따라, 상기 기록층(22)과 중간층(23)의 사이에는 인접 비트(22a)들 간의 교환결합을 유도하는 교환 결합층(25')이 형성된다. 교환 결합층(25')에 의한 교환 결합력은 교환 결합층(25')의 물질 및 두께 등에 의해 조절할 수 있다. 그리고, 상기 기록층(22) 위에는 통상의 보호층 및/또는 윤활층이 추가로 마련될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 자기 기록층(22) 하부에 마련된 교환 결합층(25')은 자기 기록층(22)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 나아가서는 일체적으로 형성될 수 있다. 교환 결합층(25')과 그 위의 자기 기록층(22)이 일체적으로 형성되는 실시예의 경우, 교환 결합층(25')과 그 위의 자기기록층(22)에 대응하는 하나의 자성물질층을 형성한 후 통상의 나노 임플린팅 방법에 의해 자성물질층을 소정 깊이 압축 성형함으로써 다수의 비트(22a)를 가지는 자기 기록층(22)과 비트(22a)의 하부에 연속되게 형성되는 교환 결합층(25')을 얻을 수 있게 된다. 이 경우 비트(22a)의 높이는 나노 임플린팅 깊이 조절에 의해 결정될 것이다.
전술한 실시예들에 따른 미디어(20 20')에 있어서, 상기 비자성영역(22b)의 폭은 수 nm에서 수십 nm로서, 비워져 있거나 비자성 물질로 채워질 수 있다. 그리 고, 상기 기록층(22)의 비트(22a)의 재료로서는 CoCrPtB, CoCrPt, CoPt 등과 같은 Co 합금이나, L10　결정성(ordered phase)을 갖는 CoPt 및 FePt 합금 등이 이용될 수 있다.
연자성 하지층(24)은 CoZrNb층, CoFeZrNb층, NiFe층, NiFeMo층 및 CoFeNi층 중 어느 하나일 수 있고, 두께는 5∼300㎚ 정도일 수 있다. 중간층(23)은 비자성물질로서 그 위에 형성될 자기 기록층(22)의 배향 특성을 향상시키기 위하여 사용된다. 예를 들면 중간층(23)은 Ti, Ru, Pt, Cu 및 Au 중 어느 하나일 수 있고, 또는 RuCr, MgO 등의 물질일 수도 있다. 그 두께는 수 내지 수십 나노미터(㎚)일 수 있다.
한편, 상기 교환 결합층(25, 25')은 약 2 ~ 3nm 정도의 두께를 가지며, 이는 자기 기록층(22, 22')의 인접 비트(22a)간의 교환결합을 유도할 수 있는 어떠한 강자성 물질로도 형성될 수 있는데, 대표적으로 기록층(22, 22')의 재료로 사용될 수 있는 전술한 CoCrPtB, CoCrPt, CoPt 등과 같은 Co 합금이나, L10　결정성(ordered phase)을 갖는 CoPt 및 FePt 합금 등으로 교환 결합층(25, 25')을 형성할 수 있다. 그 외에 교환 결합층(25, 25') 물질로는 CoFeCrB, CoFe, NiFe, CoNiFe 로 이루어 지는 그룹에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 이러한 교환 결합층(25, 25')은 자기 기록층(22, 22')의 상하에 모두 마련될 수 도 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 디스크, 즉 비트 패턴 미디어의 시뮬레이션 결과에 대해 설명한다.
종래 비트 패턴 미디어는 단위 기록영역인 각 비트가 인접 다른 비트와 완전히 격리된 구조를 가진다. 이와 같이 물리적으로 분리된 각 비트는 서로 교환결합을 이루지 않으며, 정자기력(Magneto-static force)에 의한 영향만을 받는다. 이러한 비트 패턴 미디어에 있어서는 전술한 바와 같이 각 비트의 스위칭 필드를 균일하게 유지하는 것이 필요하다. 전술한 바와 같은 스위칭 필드에 영향을 주는 인자로서 여러 가지가 있는데, 비트를 상호 연결하는 교환결합층에 의한 스위칭 필드의 차이의 감소를 시뮬레이션에 의해 확인하였다. 본 발명에 따른 스위칭 필드의 차이의 감소 효과를 확인하기 위하여 다른 요소는 동일하게 고정한 상태에서 주변 비트의 자화 상태에 의한 정자기력(Magneto-static force)을 시뮬레이션에 의해 구하였다. 도 5에 도시된 바와 같이 비트의 크기는 가로, 세로 높이가 각각 6nm, 6nm,10nm로 결정하였고, 전체 비트의 종횡으로 99*99로 하였다. 그리고, 댐핑 상수(damping constant)는 0.25, 타임 스텝(time step)은 1 ps(pico-second), 자성물질은 4 종류로 포화 자화(Ms) 값을 100, 200, 300, 400으로 설정하였다. 그리고 교환 결합 상수(A*)는 0.03e-6 erg/cm2, 자기이방성상수(Ku)는 3.0e6 erg/cc 로 설정하였다.
위 조건에 따른 시뮬레이션 결과를 보인 도 6을 참조하면, 포화 자화(Ms) 값이 400emu/cc이면, 주변 비트에 의한 정자기력은 약 2000 Oe이다. 이 힘은 주변 비트와 같은 방향으로 자화시키는 경우에는 이를 방해하는 방향으로 작용하며, 반대 방향으로 자화시키는 경우에는 도와주는 방향으로 작용하므로, 각 경우에 있어서 스위칭 필드의 차이는 4000 Oe나 된다. 각 비트가 인접 비트와 교환결합을 이루는 경우, 이에 의한 힘인 교환 결합력은 포화 자화(Ms) 값에 따라 3800, 2000, 1500, 1100(Oe) 정도로 나타났다. 교환 결합력은 포화 자화(Ms) 값에 반비례하는데, 이것은 자화 시 정자기력을 상쇄한다. 예를 들어 Ms 가 400인 경우, 정자기력은 약 2000 (Oe)이고, 이때의 교환 결합 상수가 0.03e-6 erg/cm2 인 경우 교환 결합력은 약 1000 (Oe)정도가 되고, 따라서 스위칭 필드 차는 약 2000 (Oe) 정도가 된다.
이러한 스위칭 필드 차는 교환 결합층에 의한 각 비트의 교환결합의 정도에 따라서 변화하는 것으로서, 적절한 교환 결합 상수를 선택함으로써 목적하는 스위칭 필드 차를 얻을 수 있을 것이다. 즉, 본 발명에 따라서 인접한 비트들이 서로 교환결합을 하게 되면, 교환 결합력과 정자기력이 상쇄되고 따라서, 주변 비트의 자화 방향의 차이에 따른 스위칭 필드의 차이를 감소시킬 수 있다.
도 7a, 7b는 특정 비트를 주변 비트와 반대 방향으로 기록하는 경우(도 7a)와 같은 방향으로 기록하는 경우(도 7b)를 도식적으로 나타낸 것으로서 각 경우에 있어서의 스위칭 필드를 나타내 보인다.
두 경우에 있어 자기 기록층의 포화 자화(Ms)를 400 emu/cc를 가정한다. 위의 시뮬레이션 결과에서 설명된 바와 같이, 포화 자화(Ms)가 400 emu/cc 인 경우 정자기력은 약 2000(Oe)이며 이때의 교환 결합 상수를 0.03e-6 erg/cc 로 가정하면 교환 결합력은 1000 (Oe)이다.
도 7a에 도시된 바와 같이 기록하고자 하는 비트(도면에서 정중앙의 비트)를 인접한 다른 비트와 다른 방향으로 기록하는 경우, 교환 결합이 있는 경우와 없는 경우 각각 스위칭 필드는 4000 Oe 및 3000 Oe 이다. 구체적으로 인접한 비트와 반대 방향으로 기록하는 경우, 기록하고자 하는 비트에 2000 Oe 정도의 순방향의 정자기력이 이미 가해지고 있으므로 기록에 필요한 추가 필드는 3000 Oe이다. 그러나, 교환 결합력이 있는 경우 1000 Oe의 역방향 필드가 추가로 가해지므로 추가 필드는 4000 Oe 이다.
도 7b에 도시된 바와 같이 기록하고자 하는 비트(도면에서 정중앙의 비트)를 인접한 다른 비트와 같은 방향으로 기록하는 경우, 교환 결합이 있는 경우와 없는 경우 각각 스위칭 필드는 6000 Oe 및 7000 Oe 이다. 구체적으로 인접한 비트와 같은 방향으로 기록하는 경우, 기록하고자 하는 비트에 2000 Oe 정도의 역방향의 정자기력이 이미 가해지고 있으므로 기록에 필요한 추가 필드는 7000 Oe이다. 그러나, 교환 결합력이 있는 경우 1000 Oe의 순방향 필드가 추가로 가해지므로 추가 필드는 6000 Oe 이다.
즉, 교환 결합이 없는 경우 스위칭 필드 차이는 4000 Oe이나, 본 발명에 따라 비트 간에 교환결합을 형성하면 그 차이는 2000Oe로 감소한다. 이 값은 포화 자화(Ms) 값과 교환 결합 상수(A*)의 적절한 조절에 의해 제어 가능한 값이다.
현존하는 다양한 자기 기록물질을 고려했을 때, 상기 교환 결합층에 의한 각 비트간의 교환 결합 상수는 0.001e-6 erg/cm2 내지 1e-6 erg/cm2 범위 내의 값을 가지며, 바람직하게는 0.01e-6 erg/cm2 내지 0.1e-6 erg/cm2 이며, 이에 의해 스위칭 필드 차이를 효과적으로 감소시킬 수 있다.
본 발명은 정보 미디어 특히 수직자기 기록매체로서 비트 패턴 미디어를 적용하는 하드 디스크 드라이브에 적용할 수 있으며, 이러한 하드 디스크 드라이브는 고용량의 저장 매체를 요구하는 어떠한 전자 장치에도 적용이 가능하다.
이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 단지 넓은 발명을 예시하고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 배열에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 이는 다양한 다른 수정이 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
도 1은 본 발명에 따른 비트 패턴 미디어(디스크)가 적용되는 본 발명에 따른 하드 디스크 드라이브의 개략적 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 디스크의 개략적 평면도이다.
도 3a 는 본 발명의 한 실시예에 따른 미디어의 개략적 발췌 사시도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 본 발명에 따른 미디어의 개략적 단면도이다.
도 4a 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 미디어의 개략적 발췌 사시도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명에 따른 미디어의 개략적 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 디스크를 검증하기 위한 비트 패턴의 시뮬레이션 조건을 나타내 보인다.
도 6은 도 5의 조건에 따른 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프로서, 4개의 포화 자화값에 대응하는 정자기력 및 교환 결합력의 변화를 보인다.
도 7a, 7b는 본 발명에 다른 디스크에서 특정 비트가 인전 비트의 자기방향이 순방향인 경우와 역방향인 경우의 스위칭 필드 차이를 나타내 보인다.

Claims (10)

  1. 다수의 비트를 포함하는 자기 기록층과;
    상기 기록층의 인접 비트를 연결하는 교환 결합층; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 교환 결합층은 상기 자기 기록층의 상부와 하부 중 어느 일측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 교환 결합층에 의한 비트간의 교환 결합 상수는 0.001e-6 erg/cm2 내지 1e-6 erg/cm2 범위 내의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 교환 결합층은 강자성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 교환 결합층은 CoCrPtB, CoCrPt, CoPt 등의 Co 합금과 L10 결정성을 갖는 CoPt 및 FePt 합금, CoFeCrB, CoFe, NiFe, CoNiFe로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 자기 기록층은 CoCrPtB, CoCrPt, CoPt 등의 Co 합금과 L10 결정성을 갖는 CoPt 및 FePt 합금으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 자기 기록층은 CoCrPtB, CoCrPt, CoPt 등의 Co 합금과 L10 결정성을 갖는 CoPt 및 FePt 합금으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 자기 기록층이 형성되는 기판;
    상기 자기 기록층과 기판 사이에 개재되는 연자성 하지막과,
    상기 자기 기록층과 연자성 하지막 사이에 개재되는 중간층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 교환 결합층은 상기 자기 기록층의 상부와, 상기 자기 기록층과 중간층의 사이 중 어느 하나에 위치하는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 교환 결합층은 상기 자기 기록층의 하부에 마련되며, 상기 교환 결합층은 자기 기록층과 일체적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비트 패턴 미디어.
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