KR20090019299A - A color resist remover composition for tft-lcd preparation - Google Patents

A color resist remover composition for tft-lcd preparation Download PDF

Info

Publication number
KR20090019299A
KR20090019299A KR1020070083612A KR20070083612A KR20090019299A KR 20090019299 A KR20090019299 A KR 20090019299A KR 1020070083612 A KR1020070083612 A KR 1020070083612A KR 20070083612 A KR20070083612 A KR 20070083612A KR 20090019299 A KR20090019299 A KR 20090019299A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
potassium
ether
glycol
color resist
group
Prior art date
Application number
KR1020070083612A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101333779B1 (en
Inventor
김병욱
윤석일
김성배
정종현
허순범
신성건
정세환
장두영
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to KR1020070083612A priority Critical patent/KR101333779B1/en
Priority to TW097131776A priority patent/TWI442192B/en
Priority to CN2008102108528A priority patent/CN101373343B/en
Publication of KR20090019299A publication Critical patent/KR20090019299A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101333779B1 publication Critical patent/KR101333779B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/38Cationic compounds
    • C11D1/40Monoamines or polyamines; Salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04Water-soluble compounds
    • C11D3/044Hydroxides or bases
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

A colored resist stripper composition is provided to allow a color filter substrate to be reused by removing a resist pattern and overcovering material within a short time. A colored resist stripper composition comprises 1-20 wt% of a hydroxide compound selected from an inorganic alkali hydroxide, ammonium hydroxide, a C1-C4 alkyl ammonium hydroxide, and a phenylalkyl ammonium hydroxide having a C1-C4 alkyl group; 1-70 wt% of at least one compound selected from an alkylene glycol ether and an alkylene glycol having a C1-C4 alkyl group; 0.5-10 wt% of hydroxylamine; 0.5-50 wt% of an alkoxyalkyl amine; and the balance of water.

Description

티에프티 엘시디용 칼라 레지스트 박리액 조성물{A COLOR RESIST REMOVER COMPOSITION FOR TFT-LCD PREPARATION}Color resist stripper composition for TFT LCD {A COLOR RESIST REMOVER COMPOSITION FOR TFT-LCD PREPARATION}

본 발명은 티에프티 엘시디(TFT-LCD)용 칼라 레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 칼라 필터 공정 중에서 발생하는 불량 기판의 칼라 레지스트 및 칼라 레지스트 포함 오버코트의 제거효과가 우수하고 블랙마스크(Black Mask) 또는 유리기판에 제거된 칼라 레지스트를 재사용할 수 있는 티에프티 엘시디용 칼라 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a color resist stripper composition for TFT-LCD, and more particularly, to remove color resist and overcoat including color resist of a defective substrate generated during a color filter process, and to have a black mask ( The present invention relates to a color resist stripper composition for TFT LCD that can reuse a black resist removed on a black mask or a glass substrate.

칼라 필터 기판은 칼라 필터의 적녹청 패턴과 각 화소 사이의 누설광을 차단하고 대비를 향상시키기 위한 역할을 하는 블랙 매트릭스, 보호막인 오버코트, 및 액정 셀에 전압을 인가하는 공통 전극으로 구성되어 있다.The color filter substrate is composed of a black matrix, an overcoat as a protective film, and a common electrode for applying a voltage to the liquid crystal cell, which serve to block the red cyan pattern of the color filter and leakage light between each pixel and to improve contrast.

상기 칼라 필터를 제조하는 공정은 다음과 같다.The process of manufacturing the color filter is as follows.

먼저, 용도에 따라 유리기판 위에 블랙 매트릭스 재료로 사용되는 Cr/CrOx 또는 유기재료를 유리기판에 도포하고 패턴을 형성한다. 블랙 마스크 패턴을 형성한 후, 색상을 구현하기 위한 칼라 레지스트 패턴을 사진공정기술에 의해 형성한다. 칼라 레지스트를 유리기판 위에 도포하고 노광시켜, 광중합반응에 의하여 칼 라 레지스트를 경화시킨다. 노광이 끝난 후 칼라 레지스트는 현상에 의해 노광되지 않은 부분이 제거되고, 소성과정을 거치게 된다.First, Cr / CrOx or an organic material, which is used as a black matrix material, is coated on a glass substrate, and a pattern is formed on the glass substrate, depending on the use. After forming a black mask pattern, a color resist pattern for realizing color is formed by a photolithography technique. The color resist is coated on a glass substrate and exposed to light to cure the color resist by photopolymerization. After the exposure is completed, the color resist is removed by undeveloped portions, and undergoes a calcination process.

칼라 레지스트는 안료분산법, 염색법, 전착법 등에 의해 제조되며, 이 중 안료 분산법이 주로 사용된다. 일반적으로 포토레지스트와 같은 감광 조성물인 광중합 개시제, 단량체, 바인더 등에 색상을 구현하는 유기 안료가 분산되어 있다. 광중합 개시제는 빛을 받아 라디칼을 발생시키는 고감도 화합물이며, 단량체는 라디칼에 의하여 중합반응 개시 후 고분자 형태로 결합되어 현상 용제에 녹지 않는 형태가 된다. 바인더는 상온에서 액체 상태의 단량체를 현상액으로부터 보호하며, 안료 분산의 안정화 및 적녹청 패턴의 내열성, 내광성, 내약품성 등의 신뢰성을 좌우한다.The color resist is produced by a pigment dispersion method, a dyeing method, an electrodeposition method, etc. Among these, the pigment dispersion method is mainly used. Generally, organic pigments that implement color are dispersed in photopolymerization initiators, monomers, binders, and the like, which are photosensitive compositions such as photoresists. The photopolymerization initiator is a highly sensitive compound that receives light to generate radicals, and the monomers are bound to a polymer form after the polymerization reaction is initiated by the radicals, thereby becoming insoluble in the developing solvent. The binder protects the monomer in the liquid state from the developer at room temperature, and determines the stability of the pigment dispersion and the reliability of heat resistance, light resistance, chemical resistance, etc. of the red cyan pattern.

현재 칼라 필터 공정에서 발생되는 불량 칼라 필터 기판의 칼라 레지스트는 한번 경화되면 패턴이 잘못된 부분만을 제거하여 수리하는 것이 거의 불가능하며, 또한 칼라 레지스트를 제거할 수 있는 용제가 거의 없었기 때문에 불량 칼라 필터는 수리 등의 재작업을 거치지 않고 바로 대부분 폐기 처리되고 있다.Defects generated in the current color filter process Once the color resist of the color filter substrate is cured, it is almost impossible to repair by removing only the wrong part of the pattern. Also, since the solvent that can remove the color resist is poor, the color filter is repaired. Most of them are disposed of immediately without rework.

상기 칼라 레지스트는 네가티브형 레지스트의 특성을 갖고 있는데, 일반적으로 네가티브형 레지스트의 경우 포지티브형에 비해 박리 제거가 어렵기 때문에 네가티브형 레지스트는 강력한 박리 성능이 요구되었다.The color resist has the characteristics of a negative resist. In general, the negative resist has a strong peeling performance because it is difficult to remove the peel compared with the positive type.

이런 이유로 종래에는 무기계 또는 유기계 박리액과 플라즈마를 이용한 RIE(reactive ion etching)을 사용하였다. 그러나, 상기 유기계 박리액의 경우 무기계 박리액 보다 처리 시간이 길며, 칼라 필터 상부에 올라가는 오버코팅 재료에 대해서 박리에 어려움이 있었다. 무기계 박리액의 경우 유기계 박리액에 비해 안정성이 떨어져 장시간 사용시 무기염이 액 중에서 석출되어 사용시 세심한 주의를 요해야하는 불편함이 존재하였다. 유기계 박리액의 예를 들면, 일본특허 공개공보 소51-72503호에 개시되어 있고, 스트리퍼가 유럽특허 공보 제 0119337호에 개시되어 있다.For this reason, conventionally, RIE (reactive ion etching) using an inorganic or organic stripping solution and plasma was used. However, in the case of the organic peeling solution, the treatment time is longer than that of the inorganic peeling solution, and there is a difficulty in peeling the overcoating material which rises over the color filter. In the case of the inorganic stripping solution, the stability is lower than that of the organic stripping solution, and the inorganic salts are precipitated in the liquid when used for a long time. As an example of an organic peeling liquid, it is disclosed in Unexamined-Japanese-Patent No. 51-72503, and a stripper is disclosed in European Patent Publication No. 0119337.

또한, 유기계 박리액에서의 박리의 어려움을 해소하기 위해 일부 특허에서는 유기용제에 잘 녹는 무기염을 사용하여 오버코팅 재료에 대한 박리 성능을 높이는 방법이 고안되었으나, 무기계 박리액의 박리 시간에 미치지 못하는 단점이 있었다. 예를 들면 유기계 박리액의 경우 한국특허공개 제2005-0006980호에 개시되어 있다.In addition, in order to solve the difficulty of peeling in the organic stripping solution, some patents have been devised to improve the peeling performance of the overcoating material by using an inorganic salt that is well dissolved in an organic solvent, but it does not reach the peeling time of the inorganic stripping solution. There was a downside. For example, the organic peeling solution is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2005-0006980.

또한, 플라즈마를 이용한 RIE(reactive ion etching)을 이용한 방법으로서, 일반적인 습식 에칭으로는 제거가 불가능한 경화된 칼라 레지스트의 에칭은 O2-RIE, SF6-RIE를 연속적으로 사용하여 제거하는 방법이 미국특허 제 5,756,239호에 개시되어 있다. 또한, 흡수층으로 폴리에스터, 폴리아미드, 노블락 레진을 사용하고 장벽층으로는 폴리실란, 폴리실록산, 유기실리콘 화합물, 실리카, 실리콘 니트리드의 혼합물을 사용하는 경화된 칼라 레지스트에 대하여, 흡수층은 산소를 이용한 플라즈마로 제거하고 장벽층은 육불화황이나 삼불화질소를 이용한 RIE을 사용하는 방법이 미국특허 제 5,059,500호에 개시되어 있다. 그러나, 이러한 플라즈마를 이용한 칼라 필터의 에칭은 고진공, 고에너지가 필요하며, 공정조건을 잡기가 어려우며, 대면적에는 사용하기 어렵다는 점과 장비의 고가 등과 같은 단점을 가지고 있다.In addition, as a method using reactive ion etching (RIE) using plasma, etching of cured color resists that cannot be removed by general wet etching is continuously removed using O 2 -RIE and SF 6 -RIE. Patent 5,756,239 is disclosed. In addition, for a cured color resist using polyester, polyamide, and noblock resin as the absorbent layer and a mixture of polysilane, polysiloxane, organosilicon compound, silica, and silicon nitride as the barrier layer, the absorbent layer uses oxygen. A method using RIE using sulfur hexafluoride or nitrogen trifluoride as a barrier layer and removing the barrier layer is disclosed in US Pat. No. 5,059,500. However, the etching of the color filter using the plasma requires high vacuum, high energy, difficult to set the process conditions, difficult to use in a large area, and has the disadvantages such as expensive equipment.

이와 같이, 종래의 칼라 레지스트 제거방법으로는 안정적으로 대량의 칼라 레지스트 및 오버코팅 재료를 제거하는 것이 곤란하거나, 작업자들의 안전성이 문제되거나, 생산성 또는 수율이 떨어지는 문제점이 있다.As such, the conventional color resist removal method is difficult to stably remove a large amount of color resist and overcoating material, there is a problem that the safety of workers, or productivity or yield is low.

따라서, 칼라 레지스트를 안전한 방법을 통해 대량으로 제거하는 방법이 요구되고 있는 실정이다.Therefore, there is a demand for a method of removing a large amount of color resist through a safe method.

본 발명은 상기한 종래 문제점을 해결하기 위하여, 티에프티 엘시디의 칼라 필터 제조공정 중에 사용되는 칼라 레지스트 및 오버코트를 안전하게 다량으로 제거하기 위한 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a stripper composition for safely removing a large amount of color resist and overcoat used during the color filter manufacturing process of the TFT LCD in order to solve the above problems.

본 발명의 다른 목적은 제거된 후 폐기되었던 칼라 레지스트를 재사용할 수 있게 하는, 칼라 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a color resist stripper composition which makes it possible to reuse color resist which has been discarded after being removed.

상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명은 (a) 무기 알칼리 하이드록사이드, 암모늄하이드록사이드, 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 페닐알킬 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 군에서 선택되는 하이드록사이드 화합물 1 내지 20 중량%; (b) 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬렌글리콜에테르 및 알킬렌 글리콜로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 화합물 1 내지 70 중량%; (c) 하이드록실아민 0.5 내지 10 중량%; (d) 알콕시알킬아민 0.5 내지 50 중량%; 및 (e) 잔량의 물을 포함하는, 칼라레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.In order to achieve the above object, the present invention (a) inorganic alkali hydroxide, ammonium hydroxide, alkyl ammonium hydroxide having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and phenylalkyl ammonium hydride having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms 1 to 20% by weight of a hydroxide compound selected from the group consisting of a hydroxide; (b) 1 to 70% by weight of at least one compound selected from the group consisting of alkylene glycol ethers and alkylene glycols having alkyl groups of 1 to 4 carbon atoms; (c) 0.5 to 10 weight percent hydroxylamine; (d) 0.5 to 50 weight percent of alkoxyalkylamines; And (e) a residual amount of water.

상기 조성물은 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 디알킬렌글리콜 디알킬에테르 또는 알킬렌글리콜 디알킬 에테르 1 내지 30 중량%, 무기염 화합물 0.05 내지 10 중량%, 및 극성용제 1 내지 55 중량%로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 더 포함할 수 있다.The composition comprises 1 to 30% by weight of a dialkylene glycol dialkyl ether or alkylene glycol dialkyl ether having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, 0.05 to 10% by weight of an inorganic salt compound, and 1 to 55% by weight of a polar solvent. It may further comprise at least one component selected from the group.

이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 종래보다 칼라 레지스트 및 오버코트를 효과적으로 제거하고 대부분 폐기되었던 칼라 필터 기판을 재사용하기 위한 연구를 거듭한 결과, 특정 조성을 가진 박리액 조성물을 이용하면 칼라 레지스트 및 오버코트를 용이하게 제거할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present invention has been conducted to effectively remove color resists and overcoats and reuse color filter substrates, which have been mostly discarded, as a result of the present invention, and it is possible to easily remove color resists and overcoats using a stripper composition having a specific composition. To discover and complete the present invention.

이러한 본 발명의 박리액 조성물에 사용되는 하이드록사이드 화합물은 무기 알칼리 하이드록사이드, 암모늄 하이드록사이드, 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 페닐알킬 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있다. 칼라 필터 공정은 잔류 금속에 큰 영향을 받지 않으므로, 무기계 알칼리 하이드록사이드도 사용이 가능한 것이다. 상기 하이드록사이드 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 1 내지 20 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 그 함량이 1 중량% 미만이면 칼라 레지스트를 구성하는 고분자 성분으로의 침투 능력이 떨어져 칼라 레지스트를 완전하게 제거하기 어렵고, 20 중량%를 초과하면 기타 용제의 성분 비율이 떨어져 오히려 제거 시간이 길어지는 악영향을 끼치게 된다. 또한, 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 페닐알킬 암모늄 하이드록사이드는 안정하지 못하므로 물에 녹아 있는 상태로 사용하는 것이 바람직하다.The hydroxide compound used in the stripper composition of the present invention is inorganic alkali hydroxide, ammonium hydroxide, alkyl ammonium hydroxide having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and phenylalkyl having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Any one selected from the group consisting of ammonium hydroxide can be used. Since the color filter process is not greatly influenced by the residual metal, inorganic alkali hydroxides can also be used. The amount of the hydroxide compound is preferably used in an amount of 1 to 20% by weight based on the total composition. When the content is less than 1% by weight, the color resist is completely penetrated into the polymer component constituting the color resist. It is difficult to remove, and if it exceeds 20% by weight, the component ratio of other solvents will be lowered, which will adversely affect the removal time. In addition, since alkyl ammonium hydroxide and phenylalkyl ammonium hydroxide are not stable, it is preferable to use it in the state dissolved in water.

상기 무기 알칼리 하이드록사이드는 리튬 하이드록사이드(lithium hydroxide), 나트륨 하이드록사이드(sodium hydroxide), 포타슘 하이드록사이드(potassium hydroxide) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드(tetraethyl ammonium hydroxide), 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(tetramethyl ammonium hydroxide), 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드(tetrabutyl ammonium hydroxide), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 페닐알킬 암모늄 하이드록사이드는 벤질트리메틸암모늄하이드록사이드(benzyltrimethyl ammonium hydroxide)를 사용하는 것이 바람직하다.The inorganic alkali hydroxide is preferably selected from the group consisting of lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and mixtures thereof. The alkyl ammonium hydroxide having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms may be tetraethyl ammonium hydroxide, tetramethyl ammonium hydroxide, tetrabutyl ammonium hydroxide, or tetrabutyl ammonium hydroxide. , And mixtures thereof. As the phenylalkyl ammonium hydroxide having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, it is preferable to use benzyltrimethyl ammonium hydroxide.

상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬렌 글리콜 에테르(alkyleneglycol ether) 및 알킬렌 글리콜(alkylene glycol)로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 화합물은 칼라레지스트에 대한 용해력과 표면장력을 저하시키는 능력이 뛰어나서 들떠있는 칼라레지스트와 유리면 사이에 작용하는 표면장력을 저하시켜 손쉽게 칼라레지스트가 스트립되도록 하며, 또한 상기 스트립된 칼라레지스트의 바인더나 폴리머 등을 용해하는 기능을 한다. 상기 알킬렌 글리콜 에테르의 사용량은 전체 조성물에 대하여 1 내지 70 중량%가 바람직하며, 이때 그 함량이 1 중량% 미만이면 칼라 레지스트를 완전하게 제거하기 어렵고, 70 중량%를 초과하면 박리액의 극성이 떨어져 오버코팅 재료인 아크릴 수지나 폴리이미드 수지를 용해하는 성능이 떨어지는 단점이 있다. 본 발명에서 사용하는 알킬렌 글리콜 에테르는 에틸렌글리콜모노부틸에테르(ethyleneglycol monobutylether), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(diethylene glycol monobutylether), 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(triethyleneglycol monobutylether), 에틸렌글리콜모노메틸에테 르(ethyleneglycol monomethylether), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(diethyleneglycol monomethylether), 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르(triethyleneglycol monomethylether), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(ethyleneglycol monoethylether), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 디에틸렌 글리콜(diethylene glycol), 트리에틸렌 글리콜(triethylene glycol), 헥실렌 글리콜(hexylene glycol), 글리세롤(glycerol) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.The at least one compound selected from the group consisting of alkyleneglycol ether and alkylene glycol having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is excellent in the ability to reduce solubility and surface tension in color resists. It lowers the surface tension acting between the floating color resist and the glass surface so that the color resist can be easily stripped, and also dissolves the binder or polymer of the stripped color resist. The amount of the alkylene glycol ether is preferably 1 to 70% by weight based on the total composition, wherein if the content is less than 1% by weight, it is difficult to completely remove the color resist. Apart from this, there is a disadvantage in that the performance of dissolving an acrylic resin or a polyimide resin, which is an overcoating material, is poor. Alkylene glycol ether used in the present invention is ethylene glycol monobutyl ether (ethyleneglycol monobutylether), diethylene glycol monobutyl ether (diethylene glycol monobutylether), triethyleneglycol monobutylether (triethyleneglycol monobutylether), ethylene glycol monomethyl ether (ethyleneglycol monomethylether), diethyleneglycol monomethylether (triethyleneglycol monomethylether), triethyleneglycol monomethylether (triethyleneglycol monomethylether), ethyleneglycol monoethylether (ethyleneglycol monoethylether), ethylene glycol (ethylene glycol), diethylene glycol (diethylene glycol ), Triethylene glycol, hexylene glycol, glycerol (glycerol) and mixtures thereof are preferably used.

상기 하이드록실아민(hydroxylamine)은 칼라 레지스트를 구성하는 고분자에침투하고 칼라 레지스트를 유기 기판으로부터 분리하는 기능을 하며, 안료성분을 분해하는 역할을 한다. 즉, 이러한 하이드록실 아민의 경우 수용성 아민 과 함께 쓰일 경우 하이드록실 라디칼 또는 아미늄 라디칼등을 생성시키기 용이한 조건을 제공하여 용해가 쉽지 않은 안료 성분을 서서히 분해 및 산화시켜 공정 시간을 단축 시킬 수 있다. 상기 하이드록실아민의 사용량은 전체 조성물에 대하여 0.5 내지 10 중량%로 사용한다. 그 함량이 0.5 중량% 미만이며 약액의 초기성능을 유지할 수 없어 결과적으로 사용수명이 짧아지는 단점이 있으며, 10 중량%를 초과하면 더 이상 공정시간 단축의 효과를 기대할 수 없게 되게 된다.The hydroxylamine (hydroxylamine) penetrates into the polymer constituting the color resist and separates the color resist from the organic substrate, and serves to decompose the pigment component. That is, in the case of such hydroxyl amines, when used together with water-soluble amines, it is easy to generate hydroxyl radicals or aluminum radicals, and thus, it is possible to shorten the process time by slowly decomposing and oxidizing pigment components that are not easily dissolved. . The hydroxylamine is used in an amount of 0.5 to 10% by weight based on the total composition. Its content is less than 0.5% by weight and can not maintain the initial performance of the chemical solution has the disadvantage of shortening the service life, and if more than 10% by weight can no longer expect the effect of shortening the process time.

상기 알콕시알킬아민은 칼라 레지스트를 구성하는 고분자에 침투하고 칼라 레지스트를 유리 기판으로부터 분리하는 기능을 한다.  상기 알콕시알킬아민의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.5 내지 50 중량%가 바람직하다.  알콕시알킬아민의 함량이 0.5 중량% 미만이면 칼라 레지스트로의 침투력이 약해져 칼라 레지스트가 완전하게 제거되지 못하고 무기 알칼리 하이드록사이드와 층분리가 발생하는 문제점이 있고, 50 중량%를 초과하면 무기 알칼리 금속이온의 활동성을 저해하여 성능을 향상시키지 못하는 문제점이 있다.  상기 알콕시알킬아민은 탄소수 1 내지 4의 알콕시 및 알킬기를 갖는 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면 에톡시 프로필 아민(ethoxypropyl amine), 메톡시 프로필 아민(methoxypropyl amine), 메톡시 에틸 아민(methoxyethyl amine) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.The alkoxyalkylamine penetrates into the polymer constituting the color resist and functions to separate the color resist from the glass substrate. The content of the palkoxyalkylamine is preferably 0.5 to 50% by weight based on the total composition. If the content of the alkoxyalkylamine is less than 0.5% by weight, the penetrating power to the color resist is weakened, so that the color resist may not be completely removed and the inorganic alkali hydroxide and layer separation occur. There is a problem that does not improve the performance by inhibiting the activity of the ion. The alkoxyalkylamine may be used having an alkoxy and alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, ethoxypropyl amine, methoxypropyl amine, methoxyethyl amine and It may be selected from the group consisting of a mixture thereof.

또한, 본 발명에서 사용하는 물은 이온 교환 수지를 통해 여과한 순수가 바람직하며, 비저항이 18 (MΩ) 이상인 초순수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 물의 사용량은 박리액 조성물의 잔량으로 포함할 수 있으며, 바람직하게는 전체 조성물에 대하여 4 내지 49 중량%로 사용한다. 이때, 물의 함량이 4 중량% 미만이면 공정온도에서 상기 조성물의 조성이 변화하여 무기 알칼리 이온이 석출되어 상기 칼라필터용 박리액 조성물의 가사시간의 저하를 초래하는 문제점이 발생하고, 49 중량%를 초과하면 공정 온도에서 물의 증발로 인해 상기 칼라필터용 박리액 조성물의 손실이 많아지는 문제점이 있다.Further, the water used in the present invention is preferably pure water filtered through an ion exchange resin, more preferably using ultrapure water having a specific resistance of 18 (MΩ) or more. The amount of water used may be included as a residual amount of the stripping solution composition, preferably 4 to 49% by weight based on the total composition. At this time, when the content of water is less than 4% by weight, the composition of the composition is changed at the process temperature, and inorganic alkali ions are precipitated, which causes a problem of lowering the pot life of the peeling liquid composition for the color filter. If exceeded, there is a problem that the loss of the peeling liquid composition for the color filter increases due to the evaporation of water at the process temperature.

또한, 본 발명의 조성물은 레지스트 제거 기능을 더욱 향상시키기 위해, 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 디알킬렌글리콜 디알킬에테르 또는 알킬렌글리콜 디알킬 에테르 1 내지 30 중량%, 알콕시알킬아민을 제외한 수용성 아민 0.5 내지 50 중량%, 무기염 화합물 0.05 내지 10 중량% 및 극성용제 1 내지 55 중량%로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 더 포함할 수 있다.In addition, the composition of the present invention is water-soluble except 1 to 30% by weight of a dialkylene glycol dialkyl ether or alkylene glycol dialkyl ether having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, in order to further improve the resist removal function It may further include at least one component selected from the group consisting of 0.5 to 50% by weight of the amine, 0.05 to 10% by weight of the inorganic salt compound and 1 to 55% by weight of the polar solvent.

상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 디알킬렌글리콜 디알킬에테르(dialkyleneglycol dialkylether) 및 알킬렌글리콜 알킬에테르(alkyleneglycol alkylether)는 용해도 지수 (Solubility Parameter)가 오버코팅 재료인 아크릴 수지 또는 이미드 수지와 비슷하여 약액 중 유리기판으로부터 벗겨진 오버코팅 고분자 재료를 안정하게 용해할 수 있는 역할을 한다. 상기 디알킬렌글리콜 디알킬에테르 또는 알킬렌글리콜 디알킬에테르는 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸에테르, 디에틸렌글리콜 디플로필에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 디부틸에테르, 에틸렌글리콜 디프로필렌글리콜 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있다The dialkyleneglycol dialkylether and alkyleneglycol alkylether having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are similar to an acrylic resin or an imide resin having a solubility parameter of an overcoating material. Thus, the overcoating polymer material peeled from the glass substrate in the chemical solution serves to stably dissolve. The dialkylene glycol dialkyl ether or alkylene glycol dialkyl ether is diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol diflofil ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene Glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol dipropylene glycol and mixtures thereof may be used.

상기 디알킬렌글리콜 디알킬에테르 또는 알킬렌글리콜 디알킬 에테르의 사용량은 전체 조성물에 대하여 1 내지 30 중량%가 바람직하며, 이때 그 함량이 1 중량% 미만이면 칼라 레지스트 및 오버코팅 재료를 박리하는 성능이 떨어지며, 30 중량%를 초과하면 무기 알칼리 금속이온의 활동성을 저해하며 석출이 발생하면서 성능 향상이 기대되지 않는다.The amount of the dialkylene glycol dialkyl ether or alkylene glycol dialkyl ether is preferably 1 to 30% by weight based on the total composition, wherein the content is less than 1% by weight to peel off the color resist and overcoating material If it exceeds 30% by weight, the activity of the inorganic alkali metal ion is inhibited, and precipitation is not expected to improve performance.

상기 수용성 아민은 디에틸아미노 프로필 아민(diethylamino propylamine), 비스 2-메톡시에틸아민(bis(2-methoxyethyl)amine), 모노에탄올아민, 모노메탄올아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있다.The water-soluble amine may be selected from the group consisting of diethylamino propylamine, bis 2-methoxyethyl), monoethanolamine, monomethanolamine and mixtures thereof. Can be.

본 발명에서 사용하는 상기 무기염은 상기 하이드록사이드 화합물과 함께 사용하여 레지스트 제거력의 상승효과를 기대할 수 있다. 특히, 무기염을 알킬 암모 늄 하이드록사이드 및 페닐알킬 암모늄 하이드록사이드와 함께 사용할 경우 오버코팅 재료인 아크릴 수지 및 폴리이미드 수지에 대한 침투 및 팽윤 특성을 상승시켜 제거 시간을 현저히 앞당길 수 있는 장점이 있다. 상기 무기염의 사용량은 전체 조성물에 대해서 0.05 내지 10 중량%인 것이 바람직하며, 이때 그 함량이 0.05 중량% 미만이면 오버코팅 재료에 대한 제거력 상승효과를 기대할 수 없으며, 10 중량%를 초과하면 박리액 조성물 중 최대로 포함 가능한 잔량의 물에 대해서도 포화 한계를 넘어서 석출이 빨리 일어나 장비 문제를 일으킬 수 있다. 본 발명에서 사용하는 무기염은 포타슘 아세테이트(potassium acetate), 포타슘 나이트레이트(potassium nitrate), 포타슘 카보네이트(potassium carbonate), 포타슘 피로포스페이트(potassium pyrophosphate), 포타슘 올레이트(potassium oleate), 포타슘 벤조에이트(potassium benzoate), 포타슘 라우레이트(potassium laurate), 포타슘 터트-부톡사이드(potassium tert-butoxide), 포타슘 설페이트(potassium sulfate), 포타슘 소르베이트(potassium sorbate), 포타슘 아미노 벤조에이트(potassium aminobenzoate), 포타슘 디설페이트(potassium disulfate), 포타슘 시아네이트(potassium cyanate), 포타슘 설피드(potassium sulfide), 소듐 자이렌설포네이트(sodium xylenesulfonate) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.The inorganic salt used in the present invention can be used in conjunction with the hydroxide compound can be expected synergistic effect of the resist removal force. In particular, when inorganic salts are used in combination with alkyl ammonium hydroxide and phenylalkyl ammonium hydroxide, it is possible to increase the penetration and swelling properties of acrylic resins and polyimide resins, which are overcoating materials, thereby significantly reducing the removal time. have. The amount of the inorganic salt used is preferably 0.05 to 10% by weight based on the total composition, when the content is less than 0.05% by weight can not be expected to increase the removal effect on the overcoating material, when the content exceeds 10% by weight of the stripper composition The highest possible residual amount of water can also exceed the saturation limit and cause precipitation quickly, causing equipment problems. Inorganic salts used in the present invention are potassium acetate, potassium nitrate, potassium carbonate, potassium pyrophosphate, potassium oleate, potassium benzoate (potassium oleate) potassium benzoate, potassium laurate, potassium tert-butoxide, potassium sulfate, potassium sorbate, potassium aminobenzoate, potassium dibenzoate Preference is given to using those selected from the group consisting of sulfate disulfate, potassium cyanate, potassium sulfide, sodium xylenesulfonate and mixtures thereof.

또한, 본 발명에서 사용하는 상기 극성용제는 칼라레지스트에 대한 침투력과 용해력이 뛰어나서 칼라레지스트의 고분자 사이에 침투하여 팽윤현상을 일으킨다. 극성용제의 사용량은 전체 조성물에 대하여 1 내지 55 중량%가 바람직하며, 이때 그 함량이 1 중량% 미만이면 칼라 레지스트를 완전하게 제거하는데 현저히 시간이 늘어나고, 55 중량%를 초과하면 무기 알칼리 하이드록사이드 화합물과의 용해도 저하하여 성능 향상이 기대되지 않는다. 본 발명에서 사용하는 극성용제는 디메틸설폭사이드(dimethylsulfoxide), 디에틸설폭사이드(diethylsulfoxide), 디프로필설폭사이드(dipropylsulfoxide), 설포란(sulfolane), n-메틸피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone), 피롤리돈(pyrrolidone), n-에틸피롤리돈(n-ethyl pyrrolidone) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용하는 것이 바람직하다In addition, the polar solvent used in the present invention is excellent in the penetration and dissolving power to the color resist to penetrate between the polymer of the color resist causing swelling phenomenon. The amount of the polar solvent is preferably 1 to 55% by weight based on the total composition, in which the content is less than 1% by weight, and the time is greatly increased to completely remove the color resist, and when the content is more than 55% by weight, the inorganic alkali hydroxide is used. The solubility with a compound falls and performance improvement is not expected. Polar solvents used in the present invention dimethylsulfoxide (dimethylsulfoxide), diethylsulfoxide (diethylsulfoxide), dipropylsulfoxide (dipropylsulfoxide), sulfolane (sulfolane), n-methylpyrrolidone ( N -Methyl-2- Preference is given to using those selected from the group consisting of pyrrolidone, pyrrolidone, n-ethyl pyrrolidone and mixtures thereof.

이상과 같이, 본 발명은 상기한 하이드록사이드 화합물, 알킬렌글리콜에테르, 하이드록실아민, 알콕시알킬아민을 함유하는 수용성 아민, 디알킬렌글리콜 디알킬에테르 또는 알킬렌글리콜 디알킬 에테르 및 물을 특정함량으로 사용하고, 추가로 무기염 화합물, 및 극성용제를 더 사용하여, 각 성분들의 상승효과에 의해 칼라레지스트 및 오버코팅재료를 단시간 내에 쉽게 제거할 수 있으며, 특히 칼라레지스트 패턴의 제거가 용이하여 기존에는 대부분 폐기되었던 칼라필터 기판를 재사용할 수 있다. 본 발명에 있어서, 바람직한 조성물은 하이드록사이드 화합물, 알킬렌글리콜에테르, 하이드록실아민, 알콕시 알킬 아민, 디알킬렌글리콜 에테르 또는 알킬렌글리콜 디알킬 에테르, 무기염, 극성용제 및 물을 포함하는 조성일 수 있다.As described above, the present invention identifies the above-mentioned hydroxide compound, alkylene glycol ether, hydroxylamine, water-soluble amine containing alkoxyalkylamine, dialkylene glycol dialkyl ether or alkylene glycol dialkyl ether and water. By using the content, and further using an inorganic salt compound and a polar solvent, the color resist and the overcoating material can be easily removed in a short time by the synergistic effect of each component, in particular easy to remove the color resist pattern The color filter substrate, which has been mostly discarded, can be reused. In the present invention, the preferred composition is a composition comprising a hydroxide compound, alkylene glycol ether, hydroxylamine, alkoxy alkyl amine, dialkylene glycol ether or alkylene glycol dialkyl ether, inorganic salt, polar solvent and water Can be.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 칼라 레지스트 박리액 조성물은 칼라 레지스트 및 오버코팅 재료를 짧은 시간 내에 용이하게 제거할 수 있으며, 후속의 린 스 공정에서 이소프로필알콜, 디메틸설폭사이드와 같은 유기용제를 사용할 필요 없이 물만으로 린스할 수 있는 장점이 있고, 특히 레지스트 패턴의 제거가 가능하여 칼라필터 기판을 재사용할 수 있다.As described above, the color resist stripper composition according to the present invention can easily remove the color resist and the overcoating material within a short time, and in the subsequent rinsing process, it is possible to remove organic solvents such as isopropyl alcohol and dimethyl sulfoxide. There is an advantage that it can be rinsed with water only without the need to use, and in particular, the resist pattern can be removed, and the color filter substrate can be reused.

이하 본 발명을 하기 실시예를 참조로 하여 보다 상세히 설명한다. 이들 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것이 아님은 물론이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. These examples are only for illustrating the present invention, of course, the scope of the present invention is not limited to the following examples.

하기 실시예에 있어서 별도의 언급이 없으면 백분율 및 혼합비는 중량을 기준으로 한 것이다.In the following examples, unless stated otherwise, percentages and mixing ratios are by weight.

[실시예 및 비교예][Examples and Comparative Examples]

하기 표 1 및 2에 나타낸 비율로 각 성분을 혼합하여 각각 실시예 및 비교예의 칼라 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.Each component was mixed in the ratio shown to the following Tables 1 and 2, and the color resist stripper composition of the Example and the comparative example was produced, respectively.

[표 1]TABLE 1

Figure 112007060086517-PAT00001
Figure 112007060086517-PAT00001

[표 2]TABLE 2

칼라레지스트 박리액 조성물 (중량%)Color resist stripper composition (% by weight) 비교예Comparative example 하이드록사이드Hydroxide 알킬렌글리콜 에테르Alkylene glycol ether 디알킬렌글리콜 디알킬에테르Dialkylene glycol dialkyl ether 하이드록실아민Hydroxylamine 수용성 아민Water soluble amine 극성용제Polar solvent 무기염Inorganic salt water 1One TMAHTMAH 66 MDGMDG 5050 HDAHDA 22 MEAMEA 1010 3232 22 TMAHTMAH 66 HDAHDA 22 DMSODMSO 6060 3232 33 TMAHTMAH 66 DMDGDMDG 6060 PAPA 0.20.2 33.833.8

KOH: 포타슘 하이드록사이드KOH: Potassium Hydroxide

TMAH: 테트라메틸암모늄하이드록사이드TMAH: tetramethylammonium hydroxide

MTG: 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르MTG: triethylene glycol monomethyl ether

MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르MDG: diethylene glycol monomethyl ether

MG: 에틸렌글리콜 메틸에테르MG: ethylene glycol methyl ether

EG: 에틸렌 글리콜EG: ethylene glycol

DMDG: 디에틸렌글리콜 디메틸에테르(diglyme)DMDG: diethylene glycol dimethyl ether (diglyme)

EPA: 에톡시 프로필 아민, MEA: 모노 에탄올 아민EPA: ethoxy propyl amine, MEA: mono ethanol amine

HDA: 하이드록실아민HDA: hydroxylamine

DMSO: 디메틸 설폭사이드, NMP: n-메틸 피롤리돈DMSO: dimethyl sulfoxide, NMP: n-methyl pyrrolidone

PA: 포타슘 아세테이트, PB: 포타슘 벤조에이트, PN: 포타슘나이트레이트,PA: potassium acetate, PB: potassium benzoate, PN: potassium nitrate,

PC: 포타슘 카보네이트, PBu: 포타슘 부톡사이드, PS: 포타슘 소르베이트PC: potassium carbonate, PBu: potassium butoxide, PS: potassium sorbate

PAB: 포타슘 아미노 벤조에이트PAB: Potassium Amino Benzoate

EGDE: 에틸렌글리콜디메틸에테르EGDE: ethylene glycol dimethyl ether

[실험예]Experimental Example

상기 실시예 1-24 및 비교예 1-3에서 제조한 칼라레지스트 박리액 조성물에 대한 성능평가를 하기 공정의 칼라 필터 기판을 사용하여 다음과 같이 칼라레지스트 제거 시험을 실시하였다.The performance of the color resist stripper composition prepared in Example 1-24 and Comparative Example 1-3 was evaluated using the color filter substrate of the following process, and the color resist removal test was carried out as follows.

시편 제조Specimen Manufacturing

하부에 Cr/CrOx이 증착되어 있는 LCD corning glass에 칼라필터 패턴을 만들 고, 칼라 레지스트는 적, 녹, 청의 순서로 각각 다음의 사진공정을 이용하여 도포하였다. 범용적으로 사용되는 칼라 레지스트 조성물 (동진쎄미켐 사제, 상품명: DCR-725S)을 스핀 코팅하여 최종 막두께가 1.7 ㎛가 되도록 도포하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 상기 레지스트막을 90 ℃에서 120초간 프리베이크(pre-bake)하였다. 계속해서, 노광하고 1% 수산화칼륨(KOH) 현상액으로 상온에서 60초 현상한 후 오븐에서 상기 패턴이 형성된 시편을 220 ℃에서 20분간 하드 베이크하였다.Color filter patterns were made on LCD corning glass with Cr / CrOx deposited on the bottom, and color resist was applied using the following photographic process in the order of red, green, and blue. A universally used color resist composition (trade name: DCR-725S available from Dongjin Semichem Co., Ltd.) was spin coated to apply a final film thickness of 1.7 μm. Subsequently, the resist film was pre-baked at 90 ° C. for 120 seconds on a hot plate. Subsequently, after exposing and developing for 60 seconds at room temperature with 1% potassium hydroxide (KOH) developer, the specimen in which the said pattern was formed was hard-baked for 20 minutes at 220 degreeC.

이렇게 칼라필터가 완성된 시편 위에 다시 오버코팅재료로 사용되는 폴리이미드 또는 폴리아크릴을 스핀코팅 방법으로 코팅하여 최종 막두께가 3㎛ 가 되도록 도포하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 상기 레지스트막을 90 ℃에서 120초간 프리베이크(pre-bake)하였다. 계속해서, 노광하고 1% 수산화칼륨(KOH) 현상액으로 상온에서 60초 현상한 후 오븐에서 상기 패턴이 형성된 시편을 220 ℃에서 20분간 하드 베이크(hard bake)하였다.Thus, the polyimide or polyacryl, which is used as an overcoating material, was coated on the finished sample of the color filter by spin coating to apply a final film thickness of 3 μm. Subsequently, the resist film was pre-baked at 90 ° C. for 120 seconds on a hot plate. Subsequently, after exposure and development at room temperature for 60 seconds with 1% potassium hydroxide (KOH) developer, the patterned specimen was hard baked at 220 ° C. for 20 minutes.

칼라color 레지스트Resist 제거 시험 Removal test

상기 제조된 시편을 온도 70 ℃에서 칼라 레지스트 제거 및 오버코팅재료 제거를 위한 박리액 조성물에 침지하여 기판에서 칼라레지스트 및 오버코팅이 완전히 박리되는 시간을 측정하였다. 계속하여, 상기 시편을 칼라레지스트 박리액 조성물로부터 꺼낸 후, 초순수로 수세하고 질소가스로 건조하고, 패턴내에 칼라레지스트가 잔류하는지 여부를 올림푸스 현미경으로 100배로 확대하여 검사하여 칼라 레지스트가 기판내 잔류하는 여부를 관찰하였다. 하기 표 3은 오버코팅재료 및 칼라레지스트가 완전히 박리되어 잔사가 발견되지 않는 시간을 측정하여 나타내었다.The prepared specimen was immersed in a stripper composition for removing color resist and removing overcoat material at a temperature of 70 ° C. to measure a time for completely peeling the color resist and overcoat from the substrate. Subsequently, the specimen was removed from the color resist stripper composition, washed with ultrapure water, dried with nitrogen gas, and inspected whether the color resist remained in the pattern by 100 times magnification with an Olympus microscope. Whether or not was observed. Table 3 below shows the time when the overcoating material and the color resist were completely peeled off and no residue was found.

[표 3]TABLE 3

번호number 제거시간Removal time 실시예Example 1One 3분 30초3 minutes 30 seconds 22 3분 30초3 minutes 30 seconds 33 4분4 minutes 44 4분4 minutes 55 3분 30초3 minutes 30 seconds 66 3분3 minutes 77 4분4 minutes 88 6분6 minutes 99 6분6 minutes 1010 6분6 minutes 1111 6분6 minutes 1212 6분6 minutes 1313 7분7 minutes 1414 6분6 minutes 1515 7분7 minutes 1616 7분7 minutes 1717 7분7 minutes 1818 7분7 minutes 1919 6분6 minutes 2020 7분7 minutes 2121 8분8 minutes 2222 7분7 minutes 2323 7분7 minutes 2424 7분7 minutes 비교예Comparative example 1One 60분60 minutes 22 30분30 minutes 33 15분15 minutes

상기 표 3에서 알 수 있듯이, 본원의 실시예는 칼라레지스트 제거성능이 비교예에 비해 매우 우수함을 알 수 있으며, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 에톡시 프로필 아민 등은 개별적으로 각각 제거 성능 향상에 영향을 미치는 것을 알 수 있다. 특히, 포타슘 염 및 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 에톡시 프로필 아민 등이 첨가된 실시예의 경우 성능이 5배에서 10배까지 향상될 수 있음을 알 수 있다.As can be seen in Table 3, the embodiment of the present application can be seen that the color resist removal performance is very excellent compared to the comparative example, diethylene glycol dimethyl ether and ethoxy propyl amine and the like individually affect the removal performance respectively You can see how crazy. In particular, it can be seen that the performance can be improved by 5 to 10 times in the case where the potassium salt, diethylene glycol dimethyl ether, ethoxy propyl amine, and the like are added.

반면, 비교예 1, 2의 포타슘 염이 첨가되지 않은 경우 제거 성능을 거의 기대할 수 없었다. 또한, 비교예 3의 경우도 본원의 아민 및 알킬렌글리콜 에테르 화합물이 포함되지 않아 박리성능이 떨어짐을 알 수 있다.On the other hand, when the potassium salts of Comparative Examples 1 and 2 were not added, the removal performance could hardly be expected. In addition, in the case of Comparative Example 3 also does not contain the amine and alkylene glycol ether compound of the present application it can be seen that the peeling performance is poor.

Claims (10)

(a) 무기 알칼리 하이드록사이드, 암모늄 하이드록사이드, 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 페닐알킬 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 군에서 선택되는 하이드록사이드 화합물 1 내지 20 중량%;(a) a hydroxide selected from the group consisting of inorganic alkali hydroxides, ammonium hydroxides, alkyl ammonium hydroxides having alkyl groups of 1 to 4 carbon atoms and phenylalkyl ammonium hydroxides having alkyl groups of 1 to 4 carbon atoms 1 to 20% by weight of side compound; (b) 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬렌글리콜에테르 및 알킬렌 글리콜로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 화합물 1 내지 70 중량%;(b) 1 to 70% by weight of at least one compound selected from the group consisting of alkylene glycol ethers and alkylene glycols having alkyl groups of 1 to 4 carbon atoms; (c) 하이드록실아민 0.5 내지 10 중량%;(c) 0.5 to 10 weight percent hydroxylamine; (d) 알콕시알킬아민 0.5 내지 50 중량%; 및(d) 0.5-50% by weight of alkoxyalkylamine; And (e) 잔량의 물(e) remaining water 을 포함하는 것을 특징으로 하는, 칼라레지스트 박리액 조성물.A color resist stripper composition, comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기 알칼리 하이드록사이드는, 리튬 하이드록사이드, 나트륨 하이드록 사이드, 포타슘하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.The inorganic alkali hydroxide is selected from the group consisting of lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and mixtures thereof. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬 암모늄 하이드록사이드가 테트 라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 트리메틸벤질 암모늄 하이드록사이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.The alkyl ammonium hydroxide having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is composed of tetraethyl ammonium hydroxide, tetramethyl ammonium hydroxide, tetrabutyl ammonium hydroxide, trimethylbenzyl ammonium hydroxide, and mixtures thereof. The color resist stripper composition is selected from the group. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬렌 글리콜 에테르 또는 알킬렌 글리콜은 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸글리콜, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 헥실렌 글리콜, 글리세롤 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.The alkylene glycol ether or alkylene glycol having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether And triethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl glycol, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, hexylene glycol, glycerol, and mixtures thereof. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 알콕시알킬아민이 에톡시프로필 아민, 메톡시 프로필 아민, 메톡시 에틸아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.The alkoxyalkylamine is selected from the group consisting of ethoxypropyl amine, methoxy propyl amine, methoxy ethylamine and mixtures thereof. 제 1항에 있어서, 상기 조성물은 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 디알킬렌글리콜 디알킬에테르 또는 알킬렌글리콜 디알킬 에테르 1 내지 30 중량%, 알콕시알 킬아민을 제외한 수용성 아민 0.5 내지 50 중량%, 무기염 화합물 0.05 내지 10 중량% 및 극성용제 1 내지 55 중량%로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 더 포함하는 것인, 칼라레지스트 박리액 조성물.According to claim 1, wherein the composition is 1 to 30% by weight of dialkylene glycol dialkyl ether or alkylene glycol dialkyl ether having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, 0.5 to 50% by weight of water-soluble amine excluding alkoxyalkylamine , 0.05 to 10% by weight of the inorganic salt compound and 1 to 55% by weight of the polar solvent further comprises at least one component selected from the group, color resist stripper composition. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 디알킬렌글리콜 디알킬에테르가 디알킬렌글리콜 디알킬에테르는 디메틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디부틸렌그리콜 디부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(diethyleneglycol dimethylether), 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르(diethyleneglycol diethylether), 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르(dipropyleneglycol dimethylether) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.The dialkylene glycol dialkyl ether having an alkyl group of 1 to 4 carbon atoms is a dialkylene glycol dialkyl ether is dimethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dibutylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol dimethyl A color resist stripper composition, characterized in that it is selected from the group consisting of ether (diethyleneglycol dimethylether), diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether (dipropyleneglycol dimethylether) and mixtures thereof. 제 6항에 있어서, 상기 수용성 아민이 n-메틸메탄올아민, 모노메탄올아민, 에틸렌디아민, 디에틸아미노 프로필 아민, 비스 2-메톡시에틸아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.7. The method of claim 6 wherein the water soluble amine is selected from the group consisting of n-methylmethanolamine, monomethanolamine, ethylenediamine, diethylamino propyl amine, bis 2-methoxyethylamine and mixtures thereof. Color resist stripper composition. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 무기염은 포타슘 아세테이트, 포타슘 나이트레이트, 포타슘 카보네이 트, 포타슘 피로퍼스페이트, 포타슘 올레이트, 포타슘 벤조에이트, 포타슘 라우레이트, 포타슘 터트-부톡사이드, 포타슘 설페이트, 포타슘 소르베이트, 포타슘 아미노 벤조에이트, 포타슘 디 설페이트, 포타슘 시아네이트, 포타슘 설피드, 포타슘 자이렌 설포네이트, 및 소듐 자이렌 설포네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.The inorganic salts include potassium acetate, potassium nitrate, potassium carbonate, potassium pyrophosphate, potassium oleate, potassium benzoate, potassium laurate, potassium tert-butoxide, potassium sulfate, potassium sorbate, potassium amino benzoate Color resist stripper composition, characterized in that it is selected from the group consisting of potassium disulfate, potassium cyanate, potassium sulfide, potassium xylene sulfonate, and sodium xylene sulfonate. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 극성용제가 디메틸설폭사이드, 디에틸설폭사이드, 디프로필설폭사이드, 설포란, n-메틸피롤리돈, 피롤리돈, n-에틸피롤리돈 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.The polar solvent is selected from the group consisting of dimethyl sulfoxide, diethyl sulfoxide, dipropyl sulfoxide, sulfolane, n-methylpyrrolidone, pyrrolidone, n-ethylpyrrolidone and mixtures thereof. The color resist stripper composition to be used.
KR1020070083612A 2007-08-20 2007-08-20 A color resist remover composition for tft-lcd preparation KR101333779B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070083612A KR101333779B1 (en) 2007-08-20 2007-08-20 A color resist remover composition for tft-lcd preparation
TW097131776A TWI442192B (en) 2007-08-20 2008-08-20 A color resist remover composition for tft-lcd preparation
CN2008102108528A CN101373343B (en) 2007-08-20 2008-08-20 Color photoresist stripping solution composition for thin film transistor liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070083612A KR101333779B1 (en) 2007-08-20 2007-08-20 A color resist remover composition for tft-lcd preparation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090019299A true KR20090019299A (en) 2009-02-25
KR101333779B1 KR101333779B1 (en) 2013-11-29

Family

ID=40447564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070083612A KR101333779B1 (en) 2007-08-20 2007-08-20 A color resist remover composition for tft-lcd preparation

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101333779B1 (en)
CN (1) CN101373343B (en)
TW (1) TWI442192B (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8334246B2 (en) 2009-08-18 2012-12-18 Samsung Display Co., Ltd. Composition for stripping color filter and regeneration method of color filter using the same
KR20140082418A (en) * 2012-12-24 2014-07-02 동우 화인켐 주식회사 color resist stripper composition
KR20140139745A (en) * 2013-05-28 2014-12-08 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
KR20140139744A (en) 2013-05-28 2014-12-08 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
KR20150024482A (en) * 2013-08-26 2015-03-09 동우 화인켐 주식회사 A resist stripper composition
KR20150028526A (en) * 2013-09-06 2015-03-16 동우 화인켐 주식회사 Resist stripper composition and method of manufacturing flat panel display devices using the same
KR20190093546A (en) 2019-08-02 2019-08-09 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
US11340489B2 (en) * 2017-04-11 2022-05-24 HKC Corporation Limited Manufacturing method of display panel and display panel
EP4022395A4 (en) * 2019-08-30 2023-05-31 Dow Global Technologies LLC Photoresist stripping composition

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG178608A1 (en) * 2009-09-02 2012-03-29 Wako Pure Chem Ind Ltd Resist remover composition and method for removing resist using the composition
CN102298277B (en) * 2010-06-25 2015-06-17 安集微电子(上海)有限公司 Cleaning solution for thick-film photoresist
KR20120005374A (en) * 2010-07-08 2012-01-16 동우 화인켐 주식회사 Cleaning composition for removing polyimide
TW201335724A (en) * 2012-02-23 2013-09-01 Chi Mei Corp Photoresist stripper composition and application thereof
CN104098950B (en) * 2013-04-03 2016-04-06 东莞市剑鑫电子材料有限公司 A kind of glass mirror paint remover and preparation and application thereof
KR20160017477A (en) * 2014-08-06 2016-02-16 동우 화인켐 주식회사 Cleaning composition
CN105368611B (en) * 2014-08-06 2018-12-07 东友精细化工有限公司 Cleaning compositions
KR20170072701A (en) * 2015-12-17 2017-06-27 동우 화인켐 주식회사 Color resist stripper composition
KR20170084578A (en) * 2016-01-12 2017-07-20 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
CN105700207B (en) * 2016-04-06 2019-10-18 深圳市华星光电技术有限公司 The preparation method and frame glue curing degree test method of frame glue curing degree test sample
KR102317153B1 (en) 2016-06-15 2021-10-26 동우 화인켐 주식회사 Resist stripper composition
KR20180087624A (en) 2017-01-25 2018-08-02 동우 화인켐 주식회사 Resist stripper composition
KR20180087820A (en) 2017-01-25 2018-08-02 동우 화인켐 주식회사 Resist stripper composition
CN107068615B (en) 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 The production method of TFT substrate
CN112470079A (en) * 2018-07-27 2021-03-09 花王株式会社 Cleaning method
JP7132214B2 (en) * 2018-07-27 2022-09-06 花王株式会社 Detergent composition for removing resin mask
CN109808325A (en) * 2019-03-26 2019-05-28 信利光电股份有限公司 A method of improving screen printing pattern edge sawtooth effect
CN110161812A (en) * 2019-06-06 2019-08-23 成都中电熊猫显示科技有限公司 Heavy industry medical fluid and preparation method thereof, reworking apparatus
CN111999994B (en) * 2020-08-25 2023-08-25 福建天甫电子材料有限公司 Preparation process of electronic-grade TFT photoresist stripping liquid
KR20220058094A (en) 2020-10-30 2022-05-09 주식회사 이엔에프테크놀로지 Photoresist stripper composition

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000122309A (en) * 1998-10-15 2000-04-28 Nagase Denshi Kagaku Kk Resist removing and washing method for semiconductor substrate
KR100779037B1 (en) * 2001-09-26 2007-11-27 주식회사 동진쎄미켐 A color resist remover composition for tft-lcd preparation
KR101043397B1 (en) * 2003-07-10 2011-06-22 주식회사 동진쎄미켐 Stripping composition for removing color resist of tft-lcd manufacturing process
KR101191402B1 (en) * 2005-07-25 2012-10-16 삼성디스플레이 주식회사 Stripper composite for photoresist and method for fabricating interconnection line and method for fabricating thin film transistor substrate using the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8334246B2 (en) 2009-08-18 2012-12-18 Samsung Display Co., Ltd. Composition for stripping color filter and regeneration method of color filter using the same
US8951949B2 (en) 2009-08-18 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Composition for stripping color filter and regeneration method of color filter using the same
KR20140082418A (en) * 2012-12-24 2014-07-02 동우 화인켐 주식회사 color resist stripper composition
KR20140139745A (en) * 2013-05-28 2014-12-08 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
KR20140139744A (en) 2013-05-28 2014-12-08 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
KR20150024482A (en) * 2013-08-26 2015-03-09 동우 화인켐 주식회사 A resist stripper composition
KR20150028526A (en) * 2013-09-06 2015-03-16 동우 화인켐 주식회사 Resist stripper composition and method of manufacturing flat panel display devices using the same
US11340489B2 (en) * 2017-04-11 2022-05-24 HKC Corporation Limited Manufacturing method of display panel and display panel
KR20190093546A (en) 2019-08-02 2019-08-09 동우 화인켐 주식회사 Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
EP4022395A4 (en) * 2019-08-30 2023-05-31 Dow Global Technologies LLC Photoresist stripping composition

Also Published As

Publication number Publication date
CN101373343B (en) 2012-05-23
TW200910027A (en) 2009-03-01
CN101373343A (en) 2009-02-25
TWI442192B (en) 2014-06-21
KR101333779B1 (en) 2013-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101333779B1 (en) A color resist remover composition for tft-lcd preparation
KR101328097B1 (en) A color resist remover composition for tft-lcd preparation
KR101043397B1 (en) Stripping composition for removing color resist of tft-lcd manufacturing process
KR101488265B1 (en) Composition for stripping and stripping method
KR100945157B1 (en) Color resist remover composition for TFT-LCD preparation
WO2006011747A1 (en) Aqueous resist stripper composition
US6579668B1 (en) Photoresist remover composition
KR100779037B1 (en) A color resist remover composition for tft-lcd preparation
KR101399502B1 (en) Remover composition for removing Thermosetting resin of TFT-LCD
JP4906516B2 (en) Color resist stripping composition for TFT-LCD
KR100842853B1 (en) Aqueous resist stripper formulation
KR20080106638A (en) Composition for stripping organic films
KR101758051B1 (en) Stripping composition for color filter
KR100483372B1 (en) Stripping aqueous solution for Photoresist
KR101821034B1 (en) A method of stripping photoresist
CN115210322B (en) Resin composition, wiring board, and method for producing conductive pattern
KR20110049066A (en) A color resist stripper composition
JP2001194806A (en) Resist stripping method
KR0152490B1 (en) Developer for photosensitive coloring composition and developing method using the same
KR20060091866A (en) Positive or negative photoresist stripping composition and stripping method using the same
KR19990030437A (en) Color Resist Remover for TF LCD
KR20080046450A (en) Composition for removal of color resists
KR20170107162A (en) Resist stripper composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160906

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190918

Year of fee payment: 7