KR20090008292A - 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 - Google Patents

Abstract

플라즈마 디스플레이 패널에 통전한 시간의 누적 시간을 계측하는 누적 시간 계측 회로와, 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 주사 전극(SC1~SCn)에 인가하는 초기화 기간과 부의 주사 펄스 전압(Va)을 주사 전극(SC1~SCn)에 인가하는 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드(SF)를 1필드 기간 내에 복수 마련함과 아울러 초기화 기간에 있어서는 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 발생하여 방전 셀을 초기화하고, 기입 기간에 있어서는 주사 펄스 전압(Va)을 발생하여 주사 전극(SC1~SCn)을 구동하는 주사 전극 구동 회로를 구비하되, 주사 전극 구동 회로는, 누적 시간 계측 회로가 계측한 누적 시간에 따라 완만하게 하강하는 경사 파형 전압의 최저 전압(Vi4)을 변경한다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING PLASMA DISPLAY PANEL}

본 발명은, 벽걸이 텔레비전이나 대형 모니터에 이용되는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「패널」이라고 약기함)로서 대표적인 교류면 방전형 패널은, 대향 배치된 전면판과 배면판 사이에 다수의 방전 셀이 형성되어 있다. 전면판은, 1쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍이 전면 유리 기판상에 서로 평행하게 복수대 형성되고, 그들 표시 전극쌍을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다. 배면판은, 배면 유리 기판상에 복수의 평행한 데이터 전극과, 그들을 덮도록 유전체층과, 또한 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 격벽이 각각 형성되고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다. 그리고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면판과 배면판이 대향 배치되어 밀봉되고, 내부의 방전 공간에는, 예컨대, 분압비로 5%의 크세논을 포함하는 방전 가스가 봉입되어 있다. 여기서 표시 전극쌍과 데이터 전극 이 대향하는 부분에 방전 셀이 형성된다. 이러한 구성의 패널에 있어서, 각 방전 셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생시키고, 이 자외선으로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색의 형광체를 여기 발광시켜 컬러 표시를 행하고 있다.

패널을 구동하는 방법으로서는, 서브필드법, 즉, 1필드 기간을 복수의 서브필드로 분할한 후에, 발광시키는 서브필드의 조합에 의해 계조 표시를 행하는 방법이 일반적으로 이용되고 있다.

각 서브필드는, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다. 초기화 기간에서는 초기화 방전이 발생하여, 계속되는 기입 동작에 필요한 벽 전하를 각 전극상에 형성함과 아울러, 기입 방전을 안정하게 발생시키기 위한 프라이밍 입자(방전을 위한 기폭제=여기 입자)를 발생시킨다. 기입 기간에서는, 표시를 행해야할 방전 셀에 선택적으로 기입 펄스 전압을 인가하여 기입 방전을 발생시켜 벽 전하를 형성한다(이하, 이 동작을 「기입」이라고도 적음). 그리고 유지 기간에서는, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍에 교대로 유지 펄스 전압을 인가하여, 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키고, 대응하는 방전 셀의 형광체층을 발광시킴으로써 화상 표시를 행한다.

또한, 서브필드법 중에서도, 완만하게 변화하는 전압 파형을 이용하여 초기화 방전을 행하고, 또한 유지 방전을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행함으로써, 계조 표시에 관계하지 않는 발광을 가능한 한 줄여 콘트라스트비를 향상시킨 신규 구동 방법이 개시되어 있다.

이 구동 방법에서는, 예컨대, 복수의 서브필드 중, 하나의 서브필드의 초기 화 기간에 있어서는 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「전체 셀 초기화 동작」이라고 약기함)을 행하고, 다른 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 유지 방전을 행한 방전 셀에서만 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「선택 초기화 동작」이라고 약기함)을 행한다. 이와 같이 구동함으로써, 화상의 표시에 관계가 없는 발광은 전체 셀 초기화 동작의 방전에 동반하는 발광만이 되고, 흑 표시 영역의 휘도(이하, 「흑 휘도」라고 약기함)는 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 미약 발광만이 되어, 콘트라스트가 높은 화상 표시가 가능해진다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).

또한, 상술한 특허 문헌 1에는, 유지 기간에 있어서의 최후의 유지 펄스의 펄스폭을 다른 유지 펄스의 펄스폭보다도 짧게 하여, 표시 전극쌍 사이의 벽 전하에 의한 전위차를 완화하는, 이른바, 세폭 소거 방전에 대해서도 기재되어 있다. 이 세폭 소거 방전을 안정하게 발생시킴으로써, 계속되는 서브필드의 기입 기간에 있어서 확실한 기입 동작을 행할 수 있어, 콘트라스트비가 높은 플라즈마 디스플레이 장치를 실현할 수 있다.

최근에 있어서는, 패널의 정밀화, 대화면화에 따라, 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서의 한층 더한 화상 표시 품질의 향상이 요구되고 있다. 화상 표시 품질을 향상시키는 수단의 하나로, 고휘도화가 있다. 발광 휘도를 높이기 위해서는 크세논의 분압비를 높이는 것이 유효하지만, 그렇게 하면 기입에 필요한 전압이 상승하여, 기입이 불안정해진다고 하는 문제가 있었다. 덧붙여, 패널의 방전 특성은, 패널에 통전한 시간의 누적 시간(이하, 「통전 누적 시간」이라고도 적음)에 따라 변화하여, 통전 누적 시간이 증대하면, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압도 높아진다. 따라서, 기입을 안정하게 행하기 위해서는, 통전 누적 시간이 증대했을 때에, 기입 펄스 전압을 높게 하지 않으면 안 되었다.

(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 제 2000-242224 호 공보

본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 패널과, 패널에 통전한 시간의 누적 시간을 계측하는 누적 시간 계측 회로와, 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 주사 전극에 인가하는 초기화 기간과 부의 주사 펄스 전압을 주사 전극에 인가하는 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 기간 내에 복수 마련함과 아울러, 초기화 기간에 있어서는 경사 파형 전압을 발생하여 방전 셀을 초기화하고, 기입 기간에 있어서는 주사 펄스 전압을 발생하여 주사 전극을 구동하는 주사 전극 구동 회로를 구비하되, 주사 전극 구동 회로는, 누적 시간 계측 회로가 계측한 누적 시간에 따라 완만하게 하강하는 경사 파형 전압의 최저 전압을 변경하도록 구성한 것을 특징으로 한다.

이것에 따라, 고휘도화된 패널이더라도, 초기화 기간에 발생시키는 하강하는 경사 파형 전압의 최저 전압을, 패널에 통전한 시간의 누적 시간에 따라 변경하고 있으므로, 패널로의 통전 누적 시간이 증대했을 때에, 기입 펄스 전압을 높게 하는 일 없이, 안정한 기입 방전을 발생시키는 것이 가능해진다.

도 1은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도,

도 2는, 동 패널의 전극 배열도,

도 3은, 동 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도,

도 4는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 서브필드 구성을 나타내는 도면,

도 5a는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 누적 시간 계측 회로에서 계측되는 패널의 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하일 때의 주사 전극에 인가하는 구동 전압 파형의 파형도,

도 5b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 누적 시간 계측 회로에서 계측되는 패널의 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후의 주사 전극에 인가하는 구동 전압 파형의 파형도,

도 6은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 통전 누적 시간과 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd의 관계를 나타내는 도면,

도 7은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 초기화 전압 Vi4와 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd의 관계를 나타내는 도면,

도 8은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도,

도 9는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 주사 전극 구동 회로의 회로도,

도 10은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 전체 셀 초기화 기간의 주사 전극 구동 회로의 동작의 일례를 설명하기 위한 타이밍차트,

도 11은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 전체 셀 초기화 기간의 주사 전극 구동 회로의 동작의 다른 예를 설명하기 위한 타이밍차트,

도 12a는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 서브필드 구성의 일례를 나타내는 도면,

도 12b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 서브필드 구성의 다른 일례를 나타내는 도면,

도 13a는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 3개의 초기화 전압 Vi4를 갖는 서브필드 구성의 일례를 나타내는 도면,

도 13b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 3개의 초기화 전압 Vi4를 갖는 서브필드 구성의 다른 일례를 나타내는 도면이다.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 플라즈마 디스플레이 장치 10 : 패널

21 : (유리제의) 전면판 22 : 주사 전극

23 : 유지 전극 24 : 표시 전극쌍

25, 33 : 유전체층 26 : 보호층

31 : 배면판 32 : 데이터 전극

34 : 격벽 35 : 형광체층

41 : 화상 신호 처리 회로 42 : 데이터 전극 구동 회로

43 : 주사 전극 구동 회로 44 : 유지 전극 구동 회로

45 : 타이밍 발생 회로 48 : 누적 시간 계측 회로

50 : 유지 펄스 발생 회로 51 : 전력 회수 회로

52 : 클램프 회로 53 : 초기화 파형 발생 회로

54 : 주사 펄스 발생 회로 81 : 타이머

Q1, Q2, Q3, Q4, Q11, Q12, Q13, Q14, Q21, QH1~QHn, QL1~QLn : 스위칭 소자

C1, C10, C11, C12, C21 : 콘덴서 R10, R11 : 저항

INa, INb : 입력 단자 D1, D2, D10, D21 : 다이오드

L1 : 인덕터 IC1~ICn : 제어 회로

CP : 비교기 AG : 앤드게이트

이하, 본 발명의 실시의 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다.

(실시의 형태 1)

도 1은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 유리제의 전면판(21)상에는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어지는 표시 전극쌍(24)이 복수 형성되어 있다. 그리고 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 덮도록 유전체층(25)이 형성되고, 그 유전체층(25)상에 보호층(26)이 형성되어 있다.

또한, 보호층(26)은, 방전 셀에 있어서의 방전 개시 전압을 낮추기 위해, 패널의 재료로서 사용 실적이 있고, 네온(Ne) 및 크세논(Xe) 가스를 봉입한 경우에 2차 전자 방출 계수가 크고 내구성에 우수한 MgO를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있다.

배면판(31)상에는 데이터 전극(32)이 복수 형성되고, 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되고, 그 위에 우물정자(＃) 형상의 격벽(34)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(34)의 측면 및 유전체층(33)상에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색으로 발광하는 형광체층(35)이 마련되어 있다.

이들 전면판(21)과 배면판(31)은, 미소한 방전 공간을 사이에 두고 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하도록 대향 배치되고, 그 외주부가 유리스플릿 등의 봉착재(封着材)에 의해 봉착되어 있다. 그리고 방전 공간에는, 예컨대, 네온과 크세논의 혼합 가스가 방전 가스로서 봉입되어 있다. 그리고, 본 실시의 형태에 있어서는, 휘도 향상을 위해 크세논 분압을 약 10%로 한 방전 가스가 이용되고 있다. 방전 공간은 격벽(34)에 의해 복수의 구획으로 구분되어 있고, 표시 전극 쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하는 부분에 방전 셀이 형성되어 있다. 그리고 이들 방전 셀이 방전, 발광함으로써 화상이 표시된다.

또, 패널(10)의 구조는 상술한 것에 한정되는 것은 아니고, 예컨대, 스트라이프 형상의 격벽을 구비한 것이더라도 좋다. 또한, 방전 가스의 혼합 비율도 상술한 것에 한정되는 것은 아니고, 그 밖의 혼합 비율이더라도 좋다.

도 2는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 전극 배열도이다. 패널(10)에는, 행 방향으로 긴 n개의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn(도 1의 유지 전극(23))이 배열되고, 열 방향으로 긴 m개의 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다. 그리고, 1쌍의 주사 전극 SCi(i=1~n) 및 유지 전극 SUi와 하나의 데이터 전극 Dj(j=1~m)가 교차한 부분에 방전 셀이 형성되어, 방전 셀은 방전 공간 내에 m×n개 형성되어 있다.

다음으로 패널(10)을 구동하기 위한 구동 전압 파형과 그 동작에 대하여 설명한다. 본 실시의 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치는, 서브필드법, 즉, 1필드 기간을 복수의 서브필드로 분할하여, 서브필드마다 각 방전 셀의 발광ㆍ비발광을 제어함으로써 계조 표시를 행한다. 각각의 서브필드는, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다.

각 서브필드에 있어서, 초기화 기간에서는 초기화 방전을 발생하여, 계속되는 기입 방전에 필요한 벽 전하를 각 전극상에 형성한다. 덧붙여, 방전 지연을 작게 하여 기입 방전을 안정하게 발생시키기 위한 프라이밍 입자(방전을 위한 기폭제 =여기 입자)를 발생시킨다고 하는 작용을 갖는다. 이때의 초기화 동작에는, 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 전체 셀 초기화 동작과, 하나 앞의 서브필드에서 유지 방전을 행한 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 선택 초기화 동작이 있다.

기입 기간에서는, 뒤에 계속되는 유지 기간에 있어서 발광시켜야할 방전 셀에서 선택적으로 기입 방전을 발생하여 벽 전하를 형성한다. 그리고 유지 기간에서는, 휘도 가중치에 비례한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)에 교대로 인가하여, 기입 방전을 발생한 방전 셀에서 유지 방전을 발생시켜 발광시킨다. 이때의 비례 정수를 「휘도 배율」이라고 부른다.

또, 본 실시의 형태에서는, 1필드를 10서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, …, 제 10 SF)로 구성하고, 각 서브필드는 각각, 예컨대, (1, 2, 3, 6, 11, 18, 30, 44, 60, 80)의 휘도 가중치를 갖는 것으로 한다. 그리고, 제 1 SF의 초기화 기간에서는 전체 셀 초기화 동작을 행하고, 제 2 SF~제 10 SF의 초기화 기간에서는 선택 초기화 동작을 행하는 것으로 한다. 그리고, 각 서브필드의 유지 기간에 있어서는, 각각의 서브필드의 휘도 가중치에 소정의 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)의 각각에 인가한다.

그러나, 본 실시의 형태는, 서브필드수나 각 서브필드의 휘도 가중치가 상기의 값에 한정되는 것이 아니고, 또한, 화상 신호 등에 근거하여 서브필드 구성을 전환하는 구성이더라도 좋다.

또한, 본 실시의 형태에서는, 후술하는 누적 시간 계측 회로에서 계측되는 패널(10)에 통전한 시간의 누적 시간에 따라, 초기화 기간에 발생시키는 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하기 위한 완만하게 하강하는 경사 파형 전압의 최저 전압을 제어하고 있다. 구체적으로는, 패널(10)의 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 뒤는, 모든 서브필드의 초기화 기간에 있어서, 완만하게 하강하는 경사 파형 전압의 최저 전압을 가장 낮은 전압치로 하여 경사 파형 전압을 발생시키고 있다. 이것에 따라, 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 전압을 높게 하는 일 없이 안정한 기입 방전을 발생시키는 것을 실현하고 있다. 이하, 구동 전압 파형의 개요에 대하여 우선 설명하고, 계속하여, 누적 시간 계측 회로에서 계측되는 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하일 때와, 소정의 시간을 초과한 뒤의 구동 전압 파형의 차이에 대하여 설명한다.

도 3은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다. 도 3에는, 2개의 서브필드의 구동 전압 파형, 즉, 전체 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드(이하, 「전체 셀 초기화 서브필드」라고 호칭함)와, 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드(이하, 「선택 초기화 서브필드」라고 호칭함)를 나타내고 있지만, 다른 서브필드에 있어서의 구동 전압 파형도 거의 같다.

우선, 전체 셀 초기화 서브필드인 제 1 SF에 대하여 설명한다.

제 1 SF의 초기화 기간 전반부에서는, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 각각 0(V)을 인가하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하의 전압 Vi1로부 터, 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi2를 향하여 완만하게 상승하는 경사 파형 전압(이하, 「상승 램프 파형 전압」이라고 호칭함)을 인가한다.

이 상승 램프 파형 전압이 상승하는 동안에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 지속하여 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상부에 부의 벽 전압이 축적됨과 아울러, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상부 및 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상부에는 정의 벽 전압이 축적된다. 여기서, 전극 상부의 벽 전압이란 전극을 덮는 유전체층상, 보호층상, 형광체층상 등에 축적된 벽 전하에 의해 생기는 전압을 나타낸다.

초기화 기간 후반부에서는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 정의 전압 Ve1을 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 0(V)을 인가하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하가 되는 전압 Vi3으로부터 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi4를 향하여 완만하게 하강하는 경사 파형 전압(이하, 「하강 램프 파형 전압」이라고 호칭함)을 인가한다(이하, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 하강 램프 파형 전압의 최소치를 「초기화 전압 Vi4」로 하여 인용함). 이 사이에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 지속하여 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상부의 부의 벽 전압 및 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상부의 정의 벽 전압이 약해지고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상부의 정의 벽 전압은 기입 동작에 적합한 값 으로 조정된다. 이상에 따라, 모든 방전 셀에 대하여 초기화 방전을 행하는 전체 셀 초기화 동작이 종료된다.

여기서, 본 실시의 형태에 있어서는, 이 초기화 전압 Vi4의 전압치를 2개의 다른 전압치로 전환하여 패널(10)을 구동하는 구성으로 하고 있다. 도 3에는 나타내고 있지 않지만, 이하, 전압치가 높은 쪽을 Vi4H라고 적고, 전압치가 낮은 쪽을 Vi4L이라고 적는다.

그리고, 후술하는 누적 시간 계측 회로가 계측하는 패널(10)의 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과하고 난 이후는, 모든 서브필드의 초기화 기간에 있어서, 초기화 전압 Vi4의 전압치를 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압에 의해 초기화를 행하도록 구성하고 있다. 이 구성의 상세에 대해서는, 후술한다. 이것에 따라, 통전 누적 시간이 증대했을 때에, 기입 펄스 전압 Vd를 높게 하는 일 없이, 안정한 기입 방전을 발생시키는 것을 실현하고 있다.

계속되는 기입 기간에서는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve2를, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 Vc를 인가한다.

우선, 1행째의 주사 전극 SC1에 부의 주사 펄스 전압 Va를 인가함과 아울러, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 중 1행째에 발광시켜야할 방전 셀의 데이터 전극 Dk(k=1~m)에 정의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 이때 데이터 전극 Dk상과 주사 전극 SC1상의 교차부의 전압차는, 외부 인가 전압의 차 (Vd-Va)에 데이터 전극 Dk상의 벽 전압과 주사 전극 SC1상의 벽 전압의 차가 가산된 것이 되어 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1 사이 및 유지 전극 SU1 과 주사 전극 SC1 사이에 기입 방전이 일어나, 주사 전극 SC1상에 정의 벽 전압이 축적되고, 유지 전극 SU1상에 부의 벽 전압이 축적되며, 데이터 전극 Dk상에도 부의 벽 전압이 축적된다.

이렇게 하여, 1행째에 발광시켜야할 방전 셀에서 기입 방전을 일으켜 각 전극상에 벽 전압을 축적하는 기입 동작이 행해진다. 한편, 기입 펄스 전압 Vd를 인가하지 않은 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm과 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 초과하지 않으므로, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작을 n행째의 방전 셀에 이를 때까지 행하여, 기입 기간이 종료된다.

계속되는 유지 기간에서는, 우선 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 유지 펄스 전압 Vs를 인가함과 아울러 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 0(V)을 인가한다. 그렇게 하면 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi상과 유지 전극 SUi상의 전압차가 유지 펄스 전압 Vs에 주사 전극 SCi상의 벽 전압과 유지 전극 SUi상의 벽 전압의 차가 가산된 것이 되어 방전 개시 전압을 초과한다.

그리고, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi 사이에 유지 방전이 일어나고, 이때 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 그리고 주사 전극 SCi상에 부의 벽 전압이 축적되고, 유지 전극 SUi상에 정의 벽 전압이 축적된다. 또한 데이터 전극 Dk상에도 정의 벽 전압이 축적된다. 기입 기간에 있어서 기입 방전이 일어나지 않은 방전 셀에서는 유지 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간의 종료시에서의 벽 전압이 유지된다.

계속해서, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는 0(V)을, 유지 전극 SU1~유지 전 극 SUn에는 유지 펄스 전압 Vs를 각각 인가한다. 그렇게 하면, 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 유지 전극 SUi상과 주사 전극 SCi상의 전압차가 방전 개시 전압을 초과하므로 다시 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이에 유지 방전이 일어나, 유지 전극 SUi상에 부의 벽 전압이 축적되고 주사 전극 SCi상에 정의 벽 전압이 축적된다. 이후 마찬가지로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 교대로 휘도 가중치에 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 인가하고, 표시 전극쌍(24)의 전극 사이에 전위차를 부여함으로써, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서 유지 방전이 계속하여 행해진다.

그리고, 유지 기간의 최후에는 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 사이에, 이른바, 세폭 펄스 형상의 전압차를 부여하여, 데이터 전극 Dk상의 정의 벽 전압을 남긴 채로, 주사 전극 SCi 및 유지 전극 SUi상의 벽 전압을 소거하고 있다. 이하, 이 방전을 「소거 방전」이라고 부른다.

이와 같이, 최후의 유지 방전, 즉, 소거 방전을 발생시키기 위한 전압 Vs를 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한 후, 소정의 시간 간격 후, 표시 전극쌍(24)의 전극 사이의 전위차를 완화하기 위한 전압 Ve1을 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 인가한다. 이렇게 하여 유지 기간에 있어서의 유지 동작이 종료된다.

다음으로, 선택 초기화 서브필드인 제 2 SF의 동작에 대하여 설명한다.

제 2 SF의 선택 초기화 기간에서는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve1을, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 0(V)을 각각 인가한 채로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 Vi3′로부터 초기화 전압 Vi4를 향하여 완만하게 하강하 는 하강 램프 파형 전압을 인가한다.

그렇게 하면 앞의 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생하여, 주사 전극 SCi상 및 유지 전극 SUi상의 벽 전압이 약해진다. 또한 데이터 전극 Dk에 대해서는, 직전의 유지 방전에 의해 데이터 전극 Dk상에 충분한 정의 벽 전압이 축적되어 있으므로, 이 벽 전압이 과잉인 부분이 방전되어, 기입 동작에 적합한 벽 전압으로 조정된다.

한편, 앞의 서브필드에서 유지 방전을 일으키지 않은 방전 셀에 대해서는 방전하는 일은 없고, 앞의 서브필드의 초기화 기간 종료시에서의 벽 전하가 그대로 유지된다. 이와 같이 선택 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 유지 기간에서 유지 동작을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행하는 동작이다.

그리고, 본 실시의 형태에 있어서는, 선택 초기화 동작에 있어서도, 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 하강 램프 파형 전압과 마찬가지로, 초기화 전압 Vi4를 전압치가 높은 쪽의 Vi4H와 전압치가 낮은 쪽의 Vi4L로 전환하는 구성으로 하고 있다.

계속되는 기입 기간의 동작은 전체 셀 초기화 서브필드의 기입 기간의 동작과 마찬가지이므로 설명을 생략한다. 계속되는 유지 기간의 동작도 유지 펄스의 수를 제외하고 마찬가지이다. 또한, 제 3 SF~제 10 SF에서, 초기화 기간의 동작은 제 2 SF와 마찬가지인 선택 초기화 동작이며, 기입 기간의 기입 동작도 제 2 SF와 마찬가지이고, 유지 기간의 동작도 유지 펄스의 수를 제외하고 마찬가지이다.

도 4는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 서브필드 구성을 나타내는 도면이다. 또, 도 4는 서브필드법에 있어서의 1필드 사이의 구동 파형을 약식으로 적은 것이고, 각각의 서브필드의 구동 전압 파형은 도 3의 구동 전압 파형과 마찬가지인 것이다.

도 4에는, 상술한 바와 같이, 본 실시의 형태에 있어서의 서브필드 구성, 즉, 1필드를 10서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, …, 제 10 SF)로 분할하고, 각 서브필드는 각각 (1, 2, 3, 6, 11, 18, 30, 44, 60, 80)의 휘도 가중치를 갖는 서브필드 구성을 나타내고 있다. 그리고, 제 1 SF는 전체 셀 초기화 서브필드로 하고, 제 2 SF~제 10 SF는 선택 초기화 서브필드로 한다. 또한 각 서브필드의 유지 기간에 있어서는, 각각의 서브필드의 휘도 가중치에 소정의 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)의 각각에 인가한다.

그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 구동 전압 파형의 하강 램프 파형 전압을, 패널(10)의 통전 누적 시간에 따라 변경하고 있다. 다음으로 그 상세를 도 5를 이용하여 설명한다.

도 5는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 구동 전압 파형의 파형도이다. 그리고, 도 5a는 누적 시간 계측 회로에서 계측되는 패널(10)의 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하(본 실시의 형태에서는, 500시간 이하)일 때의 파형도이며, 도 5b는 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후(본 실시의 형태에서는, 500시간 초과)의 파형도이다.

본 실시의 형태에서는, 상술한 바와 같이, 하강 램프 파형 전압의 최저 전압인 초기화 전압 Vi4를 2개의 다른 전압치, 즉, 전압치가 높은 쪽의 Vi4H와 그보다 전압치가 낮은 Vi4L로 전환하여 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 구성으로 하고 있다. 그리고, 후술하는 누적 시간 계측 회로에 의해 계측되는 패널(10)의 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하인지 여부로, 초기화 전압 Vi4의 전압치를 Vi4L과 Vi4H로 전환하도록 구성하고 있다.

구체적으로는, 누적 시간 계측 회로에 의해 패널(10)의 통전 누적 시간이 500시간 이하라고 판정된 경우에는, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 모든 서브필드의 초기화 기간에 있어서, 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시켜 초기화를 행한다.

또한, 누적 시간 계측 회로에 의해 패널(10)의 통전 누적 시간이 500시간을 초과했다고 판정된 경우에는, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 모든 서브필드의 초기화 기간에 있어서, 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시켜 초기화를 행한다. 본 실시의 형태에서는, 이러한 구성으로 함으로써, 안정한 기입 방전을 실현하고 있다. 이것은, 다음과 같은 이유에 따른다.

방전 특성은 패널(10)의 통전 누적 시간에 의존하여 변화하고, 방전 지연(방전을 발생시키기 위한 전압을 방전 셀에 인가하고 나서 실제로 방전이 발생하기까지의 시간 지연)이나, 암전류(방전과는 무관하게 방전 셀 내에 발생하는 전류)라고 하는 방전을 불안정하게 하는 요소도 패널(10)의 통전 누적 시간에 의존하여 변화한다. 따라서, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 인가 전압도 패널(10)의 통전 누적 시간에 의존하여 변화한다.

도 6은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 통전 누적 시간과 안정 한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd의 관계를 나타내는 도면이다. 도 6에 있어서, 세로축은 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd를 나타내고, 가로축은 패널(10)의 통전 누적 시간을 나타낸다.

이 도 6에 나타내는 바와 같이, 패널(10)의 통전 누적 시간이 길어짐에 따라, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd는 높아진다. 예컨대, 통전 누적 시간이 약 0시간인 초기 상태에서는, 필요한 기입 펄스 전압 Vd는 약 60(V)인데 대하여, 통전 누적 시간이 약 500시간이 되면, 필요한 기입 펄스 전압 Vd는 약 73(V)으로, 약 13(V)이나 상승한다. 또한, 통전 누적 시간이 약 1000시간에 달하고 난 이후는, 필요한 기입 펄스 전압 Vd는 약 75(V)가 되어, 거의 변화가 없어진다.

한편, 기입 방전에 필요한 벽 전하를 각 전극상에 형성하는 초기화 동작에서는, 하강 램프 파형 전압을 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가함으로써 초기화 방전을 발생시킨다. 따라서, 하강 램프 파형 전압이 가장 낮은 초기화 전압 Vi4의 전압치에 따라 각 전극상에 형성되는 벽 전하의 상태도 변화하고, 계속되는 기입 방전에 필요한 인가 전압도 변화한다. 그리고, 이들 사이에는, 다음에 나타내는 관계가 있다.

도 7은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 초기화 전압 Vi4와 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd의 관계를 나타내는 도면이다. 도 7에 있어서, 세로축은 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd를 나타내고, 가로축은 초기화 전압 Vi4를 나타낸다.

이 도 7에 나타내는 바와 같이, 초기화 전압 Vi4의 전압에 따라 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd도 변화하고, 초기화 전압 Vi4를 낮게 하면, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd도 낮아진다. 예컨대, 초기화 전압 Vi4가 약 -90(V)일 때의 기입 펄스 전압 Vd가 약 66(V)인데 대하여, 초기화 전압 Vi4가 약 -95(V)일 때의 기입 펄스 전압 Vd는 약 50(V)이며, 초기화 전압 Vi4를 약 -90(V)으로부터 약 -95(V)로 함으로써, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd는 약 16(V)이 낮아진다.

이와 같이, 통전 누적 시간이 길어지면, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd는 높아지지만, 한편으로, 초기화 전압 Vi4를 낮게 함으로써, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd는 낮아지는 것이 확인되었다. 즉, 통전 누적 시간에 따라 초기화 전압 Vi4를 낮게 함으로써, 통전 누적 시간이 증대했을 때에, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd의 상승분을 보상할 수 있어, 기입 펄스 전압 Vd를 높게 하지 않더라도, 안정한 기입 방전을 발생시킬 수 있다.

그래서, 본 실시의 형태에서는, 후술하는 누적 시간 계측 회로에 의해 패널(10)의 통전 누적 시간을 계측하고, 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하(본 실시의 형태에서는, 500시간 이하)일 때에는, 도 5a에 나타내는 바와 같이 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 하여 하강 램프 파형 전압을 발생시키고, 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과하고 난 이후(본 실시의 형태에서는, 500시간 초과)는, 도 5b에 나타내는 바와 같이 초기화 전압 Vi4를 Vi4H보다 전압치가 낮은 Vi4L로 하여 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 구성으로 한다. 이것에 따라, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 기입 펄스 전압 Vd를 높게 하는 일 없이, 안정한 기입을 실현할 수 있다.

또, 여기에는 도시하지 않고 있지만, 초기화 전압 Vi4를 낮게 하면, 기입 펄스 전압 Vd와는 반대로, 안정한 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 주사 펄스 전압의 진폭은 커져버리는 것이 확인되었다. 따라서, 본 실시의 형태에서는, 필요한 주사 펄스 전압의 진폭을 고려하여, Vi4L을 -95(V)로 하고, Vi4H를 Vi4L보다 5(V) 높은 -90(V)으로 했다.

또, 이 실험은 표시 전극쌍수 1080인 50인치의 패널을 사용하여 행하고 있고, 상술한 수치는 그 패널에 근거하는 것이며, 본 실시의 형태는 조금도 이들의 수치에 한정되는 것이 아니다.

다음으로 본 실시의 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 8은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도이다. 플라즈마 디스플레이 장치(1)는, 패널(10), 화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 타이밍 발생 회로(45), 누적 시간 계측 회로(48) 및 각 회로 블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다.

화상 신호 처리 회로(41)는, 입력된 화상 신호 sig를 서브필드마다의 발광ㆍ비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환한다. 데이터 전극 구동 회로(42)는 서브필드마다의 화상 데이터를 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대응하는 신호로 변 환하여 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm을 구동한다.

누적 시간 계측 회로(48)는, 패널(10)로의 통전 기간 중, 단위 시간마다 수치가 일정량 증가하는 적산 기능을 갖는 일반적으로 알려진 타이머(81)를 갖는다. 타이머(81)에서는, 그 계측 시간이 리셋되는 일 없이 누적되고, 이것에 따라, 패널(10)의 통전 시간의 누적 시간을 계측할 수 있다. 그리고, 누적 시간 계측 회로(48)는, 타이머(81)에서 계측한 패널(10)의 통전 누적 시간을 미리 정한 임계값과 비교하여 패널(10)의 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과했는지 여부를 판정하고, 그 판정의 결과를 나타내는 신호를 타이밍 발생 회로(45)에 출력한다.

또, 본 실시의 형태에서는, 이 임계값을 500시간으로 설정하고 있지만, 조금도 이 수치에 한정되는 것이 아니라, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 수단 등에 근거하여 최적의 값으로 설정하는 것이 바람직하다.

타이밍 발생 회로(45)는 수평 동기 신호 H, 수직 동기 신호 V 및 누적 시간 계측 회로(48)가 계측한 패널(10)의 통전 누적 시간을 바탕으로 하여 각 회로 블록의 동작을 제어하는 각종 타이밍 신호를 발생하여, 각각의 회로 블록에 공급한다. 그리고, 상술한 바와 같이, 본 실시의 형태에 있어서는, 초기화 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 하강 램프 파형 전압의 초기화 전압 Vi4를, 통전 누적 시간에 근거하여 제어하고 있고, 그것에 따른 타이밍 신호를 주사 전극 구동 회로(43)에 출력한다. 이것에 따라, 기입 동작을 안정시키는 제어를 행한다.

주사 전극 구동 회로(43)는, 초기화 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 초기화 파형 전압을 발생하기 위한 초기화 파형 발생 회로, 유지 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 유지 펄스 전압을 발생하기 위한 유지 펄스 발생 회로, 기입 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 주사 펄스 전압을 발생하기 위한 주사 펄스 발생 회로를 갖고, 타이밍 신호에 근거하여 각 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 각각 구동한다. 유지 전극 구동 회로(44)는, 유지 펄스 발생 회로 및 전압 Ve1, Ve2를 발생하기 위한 회로를 구비하고, 타이밍 신호에 근거하여 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 구동한다.

다음으로 주사 전극 구동 회로(43)의 상세와 그 동작에 대하여 설명한다. 도 9는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 주사 전극 구동 회로(43)의 회로도이다. 주사 전극 구동 회로(43)는, 유지 펄스를 발생시키는 유지 펄스 발생 회로(50), 초기화 파형을 발생시키는 초기화 파형 발생 회로(53), 주사 펄스를 발생시키는 주사 펄스 발생 회로(54)를 구비하고 있다.

유지 펄스 발생 회로(50)는, 전력 회수 회로(51)와 클램프 회로(52)를 구비하고 있다. 전력 회수 회로(51)는, 전력 회수용의 콘덴서 C1, 스위칭 소자 Q1, 스위칭 소자 Q2, 역류 방지용의 다이오드 D1, 다이오드 D2, 공진용의 인덕터 L1을 갖고 있다. 또, 전력 회수용의 콘덴서 C1은 전극간 용량 Cp에 비하여 충분히 큰 용량을 갖고, 전력 회수 회로(51)의 전원으로서 작용하도록, 전압치 Vs의 반인 약 Vs/2로 충전되어 있다. 클램프 회로(52)는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 전압 Vs로 클램프하기 위한 스위칭 소자 Q3, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 0(V)으로 클램프하기 위한 스위칭 소자 Q4를 갖고 있다. 그리고, 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 타이밍 신호에 근거하여 유지 펄스 전압 Vs를 발생시킨다.

예컨대, 유지 펄스 파형을 올릴 때에는, 스위칭 소자 Q1을 온으로 하여 전극간 용량 Cp와 인덕터 L1을 공진시키고, 전력 회수용의 콘덴서 C1로부터 스위칭 소자 Q1, 다이오드 D1, 인덕터 L1을 통하여 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전력을 공급한다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 전압이 Vs에 접근한 시점에, 스위칭 소자 Q3을 온으로 하여, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 전압 Vs로 클램프한다.

반대로, 유지 펄스 파형을 내릴 때에는, 스위칭 소자 Q2를 온으로 하여 전극간 용량 Cp와 인덕터 L1을 공진시키고, 전극간 용량 Cp로부터 인덕터 L1, 다이오드 D2, 스위칭 소자 Q2를 통하여 전력 회수용의 콘덴서 C1에 전력을 회수한다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 전압이 0(V)에 접근한 시점에, 스위칭 소자 Q4를 온으로 하여, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 0(V)으로 클램프한다.

초기화 파형 발생 회로(53)는, 스위칭 소자 Q11과 콘덴서 C10과 저항 R10을 갖고 전압 Vi2까지 램프 형상으로 완만하게 상승하는 상승 램프 파형 전압을 발생하는 미러 적분 회로, 스위칭 소자 Q14와 콘덴서 C12와 저항 R11을 갖고 소정의 초기화 전압 Vi4까지 램프 형상으로 완만하게 저하하는 하강 램프 파형 전압을 발생하는 미러 적분 회로, 스위칭 소자 Q12를 이용한 분리 회로 및 스위칭 소자 Q13을 이용한 분리 회로를 구비하고 있다. 그리고, 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 타이밍 신호에 근거하여 상술한 초기화 파형을 발생시킴과 아울러, 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 초기화 전압 Vi4의 제어를 행한다. 또, 도 9에는, 미러 적분 회로의 각각의 입력 단자를 입력 단자 INa, 입력 단자 INb로서 나타내고 있다.

그리고, 예컨대, 초기화 파형에 있어서의 상승 램프 파형 전압을 발생시키는 경우에는, 입력 단자 INa에 소정의 전압(예컨대, 15(V))을 인가하여, 입력 단자 INa를 「Hi」로 한다. 그렇게 하면, 저항 R10으로부터 콘덴서 C10을 향하여 일정한 전류가 흘러, 스위칭 소자 Q11의 소스 전압이 램프 형상으로 상승하고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압도 램프 형상으로 상승하기 시작한다.

또한, 전체 셀 초기화 동작 및 선택 초기화 동작의 초기화 파형에 있어서의 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 경우에는, 입력 단자 INb에 소정의 전압(예컨대, 15(V))을 인가하여, 입력 단자 INb를 「Hi」로 한다. 그렇게 하면, 저항 R11로부터 콘덴서 C12를 향하여 일정한 전류가 흘러, 스위칭 소자 Q14의 드레인 전압이 램프 형상으로 하강하고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압도 램프 형상으로 하강하기 시작한다.

주사 펄스 발생 회로(54)는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 각각에 주사 펄스 전압을 출력하는 스위치 회로 OUT1~OUTn과, 스위치 회로 OUT1~OUTn의 저전압측을 전압 Va로 클램프하기 위한 스위칭 소자 Q21과, 스위치 회로 OUT1~OUTn을 제어하기 위한 제어 회로 IC1~ICn과, 전압 Va에 전압 Vscn을 중첩한 전압 Vc를 스위치 회로 OUT1~OUTn의 고전압측에 인가하기 위한 다이오드 D21 및 콘덴서 C21을 구비하고 있다. 그리고 스위치 회로 OUT1~OUTn의 각각은, 전압 Vc를 출력하기 위한 스위칭 소자 QH1~QHn과 전압 Va를 출력하기 위한 스위칭 소자 QL1~QLn을 구비하고 있다. 그리고, 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 타이밍 신호에 근거하여, 기입 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 주사 펄스 전압 Va를 순차 발생시킨다. 또, 주사 펄스 발생 회로(54)는, 초기화 기간에서는 초기화 파형 발생 회로(53)의 전압 파형을, 유지 기간에서는 유지 펄스 발생 회로(50)의 전압 파형을 그대로 출력한다.

여기서, 스위칭 소자 Q3, 스위칭 소자 Q4, 스위칭 소자 Q12, 스위칭 소자 Q13에는 매우 큰 전류가 흐르므로, 이들 스위칭 소자에는 FET, IGBT 등을 복수 병렬 접속하여 임피던스를 저하시키고 있다.

또한, 주사 펄스 발생 회로(54)는, 논리곱 연산을 행하는 앤드게이트 AG와, 2개의 입력 단자에 입력되는 입력 신호의 대소를 비교하는 비교기 CP를 구비한다. 비교기 CP는, 전압 Va에 전압 Vset2가 중첩된 전압 (Va+Vset2)와 구동 파형 전압을 비교하고, 구동 파형 전압 쪽이 전압 (Va+Vset2)보다 높은 경우에는 「0」을, 그 이외에는 「1」을 출력한다. 앤드게이트 AG에는, 2개의 입력 신호, 즉, 비교기 CP의 출력 신호(CEL1)와 전환 신호 CEL2가 입력된다. 전환 신호 CEL2로서는, 예컨대, 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 타이밍 신호를 이용할 수 있다. 그리고, 앤드게이트 AG는, 모든 입력 신호가 「1」인 경우에는 「1」을 출력하고, 그 이외의 경우에는 「0」을 출력한다. 앤드게이트 AG의 출력은 제어 회로 IC1~ICn에 입력되고, 앤드게이트 AG의 출력이 「0」이면 스위칭 소자 QL1~QLn을 통하여 구동 파형 전압을, 앤드게이트 AG의 출력이 「1」이면 스위칭 소자 QH1~QHn을 통하여 전압 Va에 전압 Vscn이 중첩된 전압 Vc를 출력한다.

또, 도시는 하지 않고 있지만, 유지 전극 구동 회로(44)의 유지 펄스 발생 회로는 유지 펄스 발생 회로(50)와 같은 구성이며, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 구동할 때의 전력을 회수하여 재이용하기 위한 전력 회수 회로와, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 전압 Vs로 클램프하기 위한 스위칭 소자와, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 0(V)으로 클램프하기 위한 스위칭 소자를 갖고, 유지 펄스 전압 Vs를 발생시킨다.

또, 본 실시의 형태에서는, 초기화 파형 발생 회로(53)에, 실용적이고 비교적 구성이 간단한 FET를 이용한 미러 적분 회로를 채용하고 있지만, 조금도 이 구성에 한정되는 것이 아니라, 상승 램프 파형 전압 및 하강 램프 파형 전압을 발생할 수 있는 회로이면 어떠한 회로이더라도 좋다.

다음으로 초기화 파형 발생 회로(53)의 동작과 초기화 전압 Vi4를 제어하는 방법에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 우선, 도 10을 이용하여 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 하는 경우의 동작을 설명하고, 다음으로 도 11을 이용하여 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 하는 경우의 동작을 설명한다. 또, 도 10, 도 11에서는 전체 셀 초기화 동작시의 구동 파형을 예로 하여 초기화 전압 Vi4의 제어 방법을 설명하지만, 선택 초기화 동작에 있어서도 마찬가지의 제어 방법에 의해, 초기화 전압 Vi4를 제어할 수 있다.

또한, 도 10, 도 11에서는, 전체 셀 초기화 동작을 행하는 구동 전압 파형을 기간 T1~기간 T5로 나타낸 5개의 기간으로 분할하여, 각각의 기간에 대하여 설명한다. 또한, 전압 Vi1, 전압 Vi3, 전압 Vi3′는 전압 Vs와 같은 것으로 하고, 전압 Vi2는 전압 Vr과 같은 것으로 하고, 전압 Vi4L은 부의 전압 Va와 같은 것으로 하고, 또한, 전압 Vi4H는 부의 전압 Va에 전압 Vset2를 중첩시킨 전압 (Va+Vset2)와 같은 것으로 하여 설명한다. 따라서, 전압 Vi4H는 기입 기간에 있어서의 주사 펄스 전압 Va보다 높은 전압치가 되고, 전압 Vi4L은 주사 펄스 전압 Va와 같은 전압치가 된다. 또한, 이하의 설명에 있어서 스위칭 소자를 도통시키는 동작을 온, 차단시키는 동작을 오프로 표기한다. 또한, 도면에는, 스위칭 소자를 온시키는 신호를 「Hi」, 오프키는 신호를 「Lo」라고 표기하고, 앤드게이트 AG로의 입력 신호 CEL1, CEL2도 마찬가지로, 「1」을 「Hi」, 「0」을 「Lo」라고 표기한다.

도 10은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 전체 셀 초기화 기간의 주사 전극 구동 회로(43)의 동작의 일례를 설명하기 위한 타이밍차트이다. 또, 여기서는, 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 하기 위해, 기간 T1~기간 T5에 있어서 전환 신호 CEL2는 「0」으로 유지되어 있고, 주사 펄스 발생 회로(54)로부터는, 스위칭 소자 QL1~QLn에 입력되는 신호, 즉, 초기화 파형 발생 회로(53)의 전압 파형이 그대로 출력된다.

(기간 T1)

우선, 유지 펄스 발생 회로(50)의 스위칭 소자 Q1을 온으로 한다. 그렇게 하면, 전극간 용량 Cp와 인덕터 L1이 공진하고, 전력 회수용의 콘덴서 C1로부터 스위칭 소자 Q1, 다이오드 D1, 인덕터 L1을 통하여 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 전압이 오르기 시작한다.

(기간 T2)

다음으로 유지 펄스 발생 회로(50)의 스위칭 소자 Q3을 온으로 한다. 그렇게 하면 스위칭 소자 Q3을 통하여 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 Vs가 인가 되고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 전위는 전압 Vs(본 실시의 형태에서는, 전압 Vi1과 같음)가 된다.

(기간 T3)

다음으로 상승 램프 파형 전압을 발생하는 미러 적분 회로의 입력 단자 INa를 「Hi」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 INa에, 예컨대, 전압 15(V)를 인가한다. 그렇게 하면, 저항 R10으로부터 콘덴서 C10을 향하여 일정한 전류가 흘러, 스위칭 소자 Q11의 소스 전압이 램프 형상으로 상승하고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압도 램프 형상으로 상승하기 시작한다. 그리고 이 전압 상승은, 입력 단자 INa가 「Hi」인 동안 계속한다.

이 출력 전압이 전압 Vr(본 실시의 형태에서는, 전압 Vi2와 같음)까지 상승하면, 그 후, 입력 단자 INa를 「Lo」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 INa에, 예컨대, 전압 0(V)을 인가한다.

이렇게 하여, 방전 개시 전압 이하가 되는 전압 Vs(본 실시의 형태에서는, 전압 Vi1과 같음)로부터, 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vr(본 실시의 형태에서는, 전압 Vi2와 같음)을 향하여 완만하게 상승하는 상승 램프 파형 전압을 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다.

(기간 T4)

입력 단자 INa를 「Lo」로 하면 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 전압이 전압 Vs(본 실시의 형태에서는, 전압 Vi3과 같음)까지 저하한다. 그리고 그 후, 스위칭 소자 Q3을 오프로 한다.

(기간 T5)

다음으로, 하강 램프 파형 전압을 발생하는 미러 적분 회로의 입력 단자 INb를 「Hi」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 INb에, 예컨대, 전압 15(V)를 인가한다. 그렇게 하면, 저항 R11로부터 콘덴서 C12를 향하여 일정한 전류가 흘러, 스위칭 소자 Q14의 드레인 전압이 램프 형상으로 하강하고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압도 램프 형상으로 하강하기 시작한다. 그리고, 출력 전압이 소정의 부의 전압 Vi4L에 이른 후, 입력 단자 INb를 「Lo」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 INb에, 예컨대, 전압 0(V)을 인가한다.

이때, 비교기 CP에서는, 이 하강 램프 파형 전압과, 전압 Va에 전압 Vset2가 가해진 전압 (Va+Vset2)가 비교되고 있고, 비교기 CP로부터의 출력 신호는, 하강 램프 파형 전압이 전압 (Va+Vset2) 이하가 된 시각 t4에 있어서 「0」으로부터 「1」로 전환된다. 그러나, 기간 T1~기간 T5에 있어서 전환 신호 CEL2는 「0」으로 유지되어 있으므로, 앤드게이트 AG로부터는 「0」이 출력된다. 따라서, 주사 펄스 발생 회로(54)로부터는, 초기화 전압 Vi4를 부의 전압 Va, 즉, Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압이 그대로 출력된다.

또, 여기서는 Vi4L을 부의 전압 Va와 같다고 했으므로, 도 10에서는, 하강 램프 파형 전압이 Vi4L에 도달한 후, 그 전압을 일정 기간 보지(保持)하는 파형도로 되어있지만, 이것은, 도 9에 나타낸 회로의 구성상, 이러한 파형이 된 것에 불과하다. 본 실시의 형태에 있어서는 조금도 이 파형이나 도 9에 나타낸 회로 구성에 한정되는 것이 아니라, Vi4L에 도달한 후, 곧 전압 Vc로 전환하는 구성이더라도 상관없다.

이상과 같이 하여, 주사 전극 구동 회로(43)는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 대하여, 방전 개시 전압 이하가 되는 전압 Vi1로부터 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi2를 향하여 완만하게 상승하는 상승 램프 파형 전압을 인가하고, 그 후, 전압 Vi3으로부터 초기화 전압 Vi4L을 향하여 완만하게 하강하는 하강 램프 파형 전압을 인가한다.

또, 초기화 기간 종료 후, 계속되는 기입 기간에서는, 스위칭 소자 Q21을 온으로 유지한 채로 한다. 이것에 따라, 비교기 CP로부터의 출력 신호 CEL1은 「1」로 유지된다. 또한, 기입 기간에서는, 전환 신호 CEL2를 「1」로 한다. 그렇게 하면, 앤드게이트 AG의 입력은 모두 「1」이 되어, 앤드게이트 AG로부터는 「1」이 출력된다. 이것에 따라, 주사 펄스 발생 회로(54)로부터는, 부의 전압 Va에 전압 Vscn이 중첩된 전압 Vc가 출력된다. 그리고, 여기서는 도시하지 않고 있지만, 부의 주사 펄스 전압을 발생시키는 타이밍에 전환 신호 CEL2를 「0」으로 함으로써, 앤드게이트 AG의 출력 신호는 「0」이 되어, 주사 펄스 발생 회로(54)로부터는 부의 전압 Va가 출력된다. 이렇게 하여, 기입 기간에 있어서의 부의 주사 펄스 전압을 발생시킬 수 있다.

다음으로 도 11을 이용하여 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 하는 경우의 동작을 설명한다. 도 11은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 전체 셀 초기화 기간의 주사 전극 구동 회로(43)의 동작의 다른 예를 설명하기 위한 타이밍차트이다. 또, 여기서는, 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 하기 위해, 기간 T1~기간 T5′에 있어서 전환 신호 CEL2를 「1」로 하고 있다. 또한, 도 11에 있어서, 기간 T1~기간 T4의 동작은 도 10에 나타낸 기간 T1~기간 T4의 동작과 마찬가지이므로, 여기서는, 도 10에 나타낸 기간 T5와 동작이 다른 기간 T5′에 대하여 설명한다.

(기간 T5′)

기간 T5′에서는, 하강 램프 파형 전압을 발생하는 미러 적분 회로의 입력 단자 INb를 「Hi」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 INb에, 예컨대, 전압 15(V)를 인가한다. 그렇게 하면, 저항 R11로부터 콘덴서 C12를 향하여 일정한 전류가 흘러, 스위칭 소자 Q14의 드레인 전압이 램프 형상으로 하강하고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압도 램프 형상으로 하강하기 시작한다.

이때, 비교기 CP에서는, 이 하강 램프 파형 전압과, 전압 Va에 전압 Vset2가 가해진 전압 (Va+Vset2)가 비교되고 있고, 비교기 CP로부터의 출력 신호는, 하강 램프 파형 전압이 전압 (Va+Vset2) 이하가 된 시각 t5에 있어서 「0」으로부터 「1」로 전환된다. 그리고, 이때 전환 신호 CEL2는 「1」이므로, 앤드게이트 AG의 입력은 모두 「1」이 되어, 앤드게이트 AG로부터는 「1」이 출력된다. 이것에 따라, 주사 펄스 발생 회로(54)로부터는, 부의 전압 Va에 전압 Vscn이 중첩된 전압 Vc가 출력된다. 따라서, 이 하강 램프 파형 전압에 있어서의 최저 전압을 (Va+Vset2), 즉, Vi4H로 할 수 있다. 또, 입력 단자 INb는, 주사 펄스 발생 회로(54)로부터의 출력이 전압 Vc가 되고 나서 초기화 기간이 종료하기까지의 사이에 「Lo」로 한다.

또, 여기서는, 비교기 CP에서의 비교 결과로 스위치 회로 OUT1~OUTn을 전환하는 구성으로 했으므로, 도 11에 있어서, 하강 램프 파형 전압이 Vi4H에 도달한 후, 곧 전압 Vc로 전환하는 파형도로 되어 있지만, 본 실시의 형태에 있어서는 조금도 이 파형에 한정되는 것이 아니라, Vi4H에 도달한 후, 그 전압을 일정 기간 보지하는 구성이더라도 상관없다.

이와 같이, 본 실시의 형태에서는, 주사 전극 구동 회로(43)를 도 9에 나타낸 바와 같은 회로 구성으로 함으로써, 전압 Vset2를 소망하는 전압치로 설정하는 것만으로, 완만하게 하강하는 하강 램프 파형 전압의 최저 전압, 즉, 초기화 전압 Vi4의 전압치를 간단히 제어하는 것이 가능해진다.

또, 본 실시의 형태에서는 전체 셀 초기화 동작에 있어서의 초기화 전압 Vi4의 제어에 대하여 설명했지만, 선택 초기화 동작에 있어서는 상승 램프 파형 전압을 발생시키지 않는 점이 다를 뿐이고 하강 램프 파형 전압의 발생에 대해서는 상술한 것과 같은 동작이며, 초기화 전압 Vi4의 제어도 마찬가지로 행할 수 있다.

또, 초기화 전압 Vi4를 변화시키기 위해서는, 여기서 설명한 것 이외에도 다양한 방법을 생각할 수 있다. 예컨대, 전압 Vi3으로부터 전압 Vi4로 하강하는 경사의 기울기를 제어하여 전압 Vi4를 높게 하거나 낮게 하거나 하는 것 등을 생각할 수 있다. 그리고, 본 실시의 형태에 있어서는, 초기화 전압 Vi4를 변화시키는 방법은 상술한 방법에 한정되는 것이 아니라, 그 이외의 방법이더라도 상관없다.

또, 본 실시의 형태에서는, Vset2를 5(V)로 함으로써 Vi4H를 Vi4L보다 5(V) 높은 전압으로 하고 있다. 그러나, 조금도 이 전압치에 한정되는 것이 아니라, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 수단 등에 맞추어 최적의 값으로 설정하는 것이 바람직하다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에서는, 초기화 전압 Vi4를, Vi4H와 Vi4H보다 전압치가 낮은 Vi4L로 전환하는 구성으로 하고, 패널(10)의 통전 누적 시간에 따라 초기화 전압 Vi4를 변경하는 구성으로 한다. 즉, 누적 시간 계측 회로(48)에 의해 계측되는 패널(10)의 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하(본 실시의 형태에서는, 500시간 이하)일 때에는, 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 하여 하강 램프 파형 전압을 발생시키고, 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후(본 실시의 형태에서는, 500시간 초과)는, 초기화 전압 Vi4를 Vi4H보다 전압치가 낮은 Vi4L로 하여 하강 램프 파형 전압을 발생하는 구성으로 한다. 이것에 따라, 통전 누적 시간이 증대했을 때에, 기입 펄스 전압 Vd를 높게 하는 일 없이, 안정한 기입을 실현할 수 있다.

또, 본 실시의 형태에서는, 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하일 때에는, 도 5a에 나타내는 바와 같이 모든 서브필드의 초기화 기간에서 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키고, 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후는, 도 5b에 나타내는 바와 같이 모든 서브필드의 초기화 기간에서 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 구성을 설명했지만, 본 발명은 조금도 이 구성에 한정되는 것이 아니라, 이 밖의 서브필드 구성이더라도 좋다.

(실시의 형태 2)

도 12a는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 서브필드 구성의 일례를 나 타내는 도면이며, 도 12b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 서브필드 구성의 다른 일례를 나타내는 도면이다. 또, 실시의 형태 2는 실시의 형태 1과 서브필드 구성이 다를 뿐이며, 각 회로의 구성이나 동작, 각 구동 파형 등은 실시의 형태 1과 같다.

예컨대, 본 실시의 형태에 있어서는, 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하일 때에, 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 서브필드를 갖는 구성으로 하더라도 상관없다. 도 12a에 일례를 나타내는 바와 같이, 제 1 SF, 제 5 SF~제 10 SF의 초기화 기간에서는 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키고, 제 2 SF~제 4 SF의 초기화 기간에서는 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 구성으로서 하더라도 좋다.

또한, 본 실시의 형태에 있어서는, 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후에, 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 서브필드를 갖는 구성으로 하더라도 상관없다. 예컨대, 도 12b에 다른 일례를 나타내는 바와 같이, 제 1 SF~제 9 SF의 초기화 기간에서는 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키고, 제 10 SF의 초기화 기간에서는 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 구성으로 하더라도 좋다. 이와 같이, 본 발명에 있어서는, 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후에, 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 서브필드의 1필드 기간에 있어서의 비율을, 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하일 때보다 증가시키도록 구성하면 좋고, 이것에 따라 상술한 것과 같은 효과를 얻을 수 있다.

또, 실시의 형태 1에서는, Vset2를 5(V)로 설정하고, 초기화 전압 Vi4를, Vi4L과 Vi4L보다 전압치가 5(V) 높은 Vi4H로 전환하는 구성을 설명했다. 또한, Vi4L을 부의 전압 Va와 같은 전위로 설정하는 구성을 설명했다. 그러나, Vi4L과 Vi4H의 전위차나 ViL의 전위 등은 조금도 이들의 값에 한정되는 것이 아니라, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 수단 등에 맞추어 최적의 값으로 설정하면 좋다.

또한, 실시의 형태 1에서는, 초기화 전압 Vi4를 Vi4L과 Vi4H의 2개의 다른 전압치로 전환하는 구성으로 했지만, 조금도 이 구성에 한정되는 것이 아니라, 초기화 전압 Vi4를 3개 혹은 그 이상의 다른 전압치로 전환하는 구성으로 하더라도 좋다. 도 13a는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 3개의 초기화 전압 Vi4를 갖는 서브필드 구성의 일례를 나타내는 도면이며, 도 13b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 3개의 초기화 전압 Vi4를 갖는 서브필드 구성의 다른 일례를 나타내는 도면이다. 예컨대, Vi4H와 Vi4L 사이에 Vi4M을 설정(여기서는, 일례로서, Vi4H를 Vi4L보다 10(V) 높은 전위로 하고, Vi4M을 Vi4L보다 5(V) 높은 전위로 함)하더라도 상관없다. 그리고, 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하일 때에, 초기화 전압 Vi4를 Vi4M으로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 서브필드를 갖는 구성으로 하더라도 상관없다. 예컨대, 도 13a에 일례를 나타내는 바와 같이, 제 1 SF~제 5 SF의 초기화 기간에서는 초기화 전압 Vi4를 Vi4M으로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키고, 제 6 SF~제 10 SF의 초기화 기간에서는 초기화 전압 Vi4를 Vi4H로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 구성으로서 하더라도 좋다. 또한, 통전 누 적 시간이 소정의 시간을 초과한 후에, 초기화 전압 Vi4를 Vi4M으로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 서브필드를 갖는 구성으로 하더라도 상관없다. 예컨대, 도 13b에 다른 일례를 나타내는 바와 같이, 제 1 SF~제 9 SF의 초기화 기간에서는 초기화 전압 Vi4를 주사 펄스 전압과 같이 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키고, 제 10 SF의 초기화 기간에서는 초기화 전압 Vi4를 Vi4M으로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 구성으로 하더라도 좋다. 이와 같이, 본 발명에 있어서는, 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후에, 초기화 전압 Vi4를 가장 낮은 전압치(여기서는 Vi4L)로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 서브필드의 1필드 기간에 있어서의 비율을, 통전 누적 시간이 소정의 시간 이하일 때보다 증가시키는 구성이면 좋고, 이것에 따라 상술한 것과 같은 효과를 얻을 수 있다.

또, 본 발명의 실시의 형태에서는, 소정의 시간으로서 500시간을 설정하고, 통전 누적 시간이 500시간 이하나 500시간 초과로 초기화 전압 Vi4를 변경하는 구성을 설명했지만, 조금도 이 값에 한정되는 것이 아니라, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 수단 등에 맞추어 최적의 값으로 설정하면 좋다. 또한, 예컨대, 500시간, 750시간, 1000시간이라고 하는 복수의 임계값을 설정하고, 통전 누적 시간이 각 임계값을 초과할 때마다, 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 한 하강 램프 파형 전압을 발생시키는 서브필드의 1필드 기간에 있어서의 비율을 서서히 증가시키는 구성으로 하더라도 좋다.

또, 본 발명의 실시의 형태에서는, 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후에 하강 램프 파형의 초기화 전압 Vi4를 변경하는 구성을 설명했지만, 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 후, 일단 플라즈마 디스플레이 장치가 비동작 상태가 될 때까지는, 그때까지와 같은 구동 파형에 의한 구동을 계속하고, 다음 동작 개시의 타이밍에 초기화 전압 Vi4를 변경하는 구성으로 하더라도 좋다. 예컨대, 플라즈마 디스플레이 장치(1)가 동작 상태일 때, 즉, 타이밍 발생 회로(45)가 동작 상태에 있어 패널(10)을 구동하기 위한 각 타이밍 신호를 출력하고 있는 도중에서, 누적 시간 계측 회로(48)로부터 통전 누적 시간이 소정의 시간을 초과한 것을 나타내는 신호가 출력되더라도, 타이밍 발생 회로(45)는 패널(10)을 구동하기 위한 각 타이밍 신호를 그때까지와 같은 타이밍 신호로서 출력한다. 그리고, 일단 플라즈마 디스플레이 장치의 전원이 오프가 되고, 다음으로 플라즈마 디스플레이 장치의 전원이 온되어 패널(10)의 구동이 개시될 때에, 타이밍 발생 회로(45)는, 초기화 전압 Vi4를 Vi4L로 하여 하강 램프 파형 전압을 발생시키기 위한 타이밍 신호를 출력하도록 구성하더라도 좋다. 이 구성에 의하면, 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 동작 도중에 초기화 파형을 변경함으로써 발생할 우려가 있는 밝기의 변동을 방지할 수 있어, 화상 표시 품질을 더 높일 수 있다.

또, 본 발명의 실시의 형태는, Vi4L의 전압치, Vi4H의 전압치, 초기화 전압 Vi4를 전환하는 서브필드, 서브필드 구성 등을 상술한 값으로 한정하는 것이 아니라, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 수단 등에 맞추어 최적의 값으로 설정하는 것이 바람직하다.

또, 본 발명의 실시의 형태에서는, 방전 가스의 크세논 분압을 10%로 했지만, 다른 크세논 분압이더라도 그 패널에 따른 구동 전압으로 설정하면 좋다.

또한, 본 발명의 실시의 형태에 있어서 이용한 그 밖의 구체적인 각 수치는, 단지 일례를 든 것에 지나지 않고, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 수단 등에 맞추어, 적절히 최적의 값으로 설정하는 것이 바람직하다.

본 발명은, 고휘도화된 패널이더라도, 초기화 기간에 발생시키는 하강하는 경사 파형 전압의 최저 전압을, 패널에 통전한 시간의 누적 시간에 따라 변경하고 있으므로, 패널로의 통전 누적 시간이 증대했을 때에, 기입 방전을 발생시키기 위해 필요한 전압을 높게 하는 일 없이, 안정한 기입 방전을 발생시키는 것이 가능해져, 화상 표시 품질이 좋은 플라즈마 디스플레이 장치 및 패널의 구동 방법으로서 유용하다.

Claims (6)

1. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널과,

   상기 플라즈마 디스플레이 패널에 통전한 시간의 누적 시간을 계측하는 누적 시간 계측 회로와,

   완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 상기 주사 전극에 인가하는 초기화 기간과 부의 주사 펄스 전압을 상기 주사 전극에 인가하는 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 기간 내에 복수 마련함과 아울러, 상기 초기화 기간에 있어서는 상기 경사 파형 전압을 발생하여 상기 방전 셀을 초기화하고, 상기 기입 기간에 있어서는 상기 주사 펄스 전압을 발생하여 상기 주사 전극을 구동하는 주사 전극 구동 회로

   를 구비하되,

   상기 주사 전극 구동 회로는, 상기 누적 시간 계측 회로가 계측한 누적 시간에 따라 완만하게 하강하는 상기 경사 파형 전압의 최저 전압을 변경하는 것

   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 주사 전극 구동 회로는, 상기 누적 시간에 따라, 모든 서브필드의 상기 초기화 기간에 있어서의 완만하게 하강하는 상기 경사 파형 전압의 최저 전압을 가장 낮은 전압치로 하여 상기 경사 파형 전압을 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 주사 전극 구동 회로는, 상기 누적 시간에 따라 상기 경사 파형 전압의 최저 전압을 변경할 때에, 플라즈마 디스플레이 장치가 일단 비동작 상태가 될 때까지는 그때까지와 같은 구동 파형에 의한 구동을 계속하고, 그 다음으로 플라즈마 디스플레이 장치가 동작 상태가 된 시점으로부터 상기 경사 파형 전압의 최저 전압을 변경하여 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 주사 전극 구동 회로는, 완만하게 하강하는 상기 경사 파형 전압의 최저 전압을, 적어도 2개의 다른 전압치로 전환하여 상기 경사 파형 전압을 발생시킴과 아울러, 상기 적어도 2개의 다른 전압치 중 가장 낮은 전압치와 상기 주사 펄스 전압을 같게 하여 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
5. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을, 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 상기 주사 전극에 인가하는 초기화 기간과 부의 주사 펄스 전압을 상기 주사 전극에 인가하는 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 기간 내에 복수 마련하여 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서,

   상기 플라즈마 디스플레이 패널에 통전한 시간의 누적 시간을 계측하고, 그 계측한 누적 시간에 따라 완만하게 하강하는 상기 경사 파형 전압의 최저 전압을 변경하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 누적 시간에 따라, 모든 서브필드의 상기 초기화 기간에 있어서의 완만하게 하강하는 상기 경사 파형 전압의 최저 전압을 가장 낮은 전압치로 하여 상기 경사 파형 전압을 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.

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