KR20080104970A - 광도파로 디바이스 - Google Patents

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KR20080104970A
KR20080104970A KR1020080048558A KR20080048558A KR20080104970A KR 20080104970 A KR20080104970 A KR 20080104970A KR 1020080048558 A KR1020080048558 A KR 1020080048558A KR 20080048558 A KR20080048558 A KR 20080048558A KR 20080104970 A KR20080104970 A KR 20080104970A
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light emitting
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KR1020080048558A
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사자도우루 라흐만 간
가즈노리 무네
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 광도파로 디바이스에 관한 것으로서, 제 1 및 제 2 언더클래드층(21, 22)의 상면에 각각 발광소자(5)와, 상기 발광소자(5)의 발광을 수광하기 위한 코어(3)가 설치되고, 코어(3)의 수광부(3a)가 평면에서 봐서 대략 U자 형상으로 형성되고, 그 대략 U자 형상의 개구부내에 상기 발광소자(5)의 발광부(5c)로부터의 발광이 투광되도록 구성되어, 발광소자로부터의 광의 광축과, 그 광을 수광하는 코어의 수광면과의 위치 맞춤이 용이한 광도파로 디바이스를 제공하는 것을 특징으로 한다.

Description

광도파로 디바이스{OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE}
본 발명은 광 통신, 광 정보처리, 그외 일반광학에서 널리 이용되는 광도파로 디바이스에 관한 것이다.
일반적으로 광도파로 디바이스에서는 발광소자로부터 발광되는 광을 광도파로에 의해 전파(傳播)하고 있다(예를 들면, 미국 특허 제5914709호 참조). 이 광도파로 디바이스를 도 5에 개략적으로 도시한다. 도 5에서는 광도파로 디바이스는 광도파로가 기판(10)상에 형성되어 있고, 그 광도파로의 일단부에 거리를 두고 발광소자(50)가 상기 기판(10)상에 접착제(A)를 통해 고정되어 있다. 그리고, 발광소자(50)로부터의 광(L)은 광도파로의 코어(30)의 일단면에서 입사되고, 그 코어(30)를 통해 그 코어(30)의 타단면에서 출사되도록 되어 있다. 또한, 도 5에서 도면부호 "20"은 언더클래드층, 도면부호 "40"은 오버클래드층이다.
그러나, 이와 같은 광도파로 디바이스에서는 코어(30)가 막대 형상이므로 그 수광면(일단면)은 면적이 작다. 이 때문에 발광소자(50)로부터의 투광 방향축과, 그 광을 수광하는 코어(30)의 일단면과의 위치 맞춤이 곤란해지고 있다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 발광소자로부터의 투광 방향축과, 그 광을 수광하는 코어의 수광면과의 위치 맞춤이 용이하게 되어 있는 광도파로 디바이스의 제공을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 광도파로 디바이스는 제 1 언더클래드층과, 상기 제 1 언더클래드층의 상면에 설치되고, 광을 발광하는 발광부를 갖는 발광소자와, 상기 제 1 언더클래드층의 상면에 설치되고, 상기 발광소자의 상기 발광부로부터의 광을 수광하는 수광부를 갖는 코어를 구비한 광도파로 디바이스로서, 코어의 수광부가 평면에서 봐서 대략 U자 형상으로 형성되고, 그 대략 U자 형상 수광부의 개구부내에 상기 발광이 투광되도록 구성되어 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 「대략 U자 형상」이라는 것은 U자 형상 뿐만 아니라 V자 형상, 반원 고리형상 등 그 개구부내에 발광 소자의 발광부로부터의 발광을 투광할 수 있는 형상을 포함하는 의미이다.
본 발명의 광도파로 디바이스는 코어의 수광부가 평면에서 봐서 대략 U자 형 상으로 형성되고, 그 대략 U자 형상 수광부의 개구부내에 발광소자의 발광부로부터의 발광이 투광되도록 구성되어 있는 것에 의해 상기 대략 U자 형상 수광부의 내측면을 수광면으로 할 수 있다. 이 때문에 그 수광 면적을 넓게 취할 수 있다. 이에 의해 발광 소자로부터의 투광 방향축과 그 광을 수광하는 코어의 수광면과의 위치 맞춤의 자유도가 커지므로 그 위치 맞춤을 용이하게 할 수 있다.
특히 상기 발광소자의 발광부가 상기 코어의 수광부의 대략 U자 형상의 개구부내에 위치 결정되어 있는 경우에는 발광 소자로부터의 투광 방향축이 횡방향으로 크게 어긋난다고 해도 상기 대략 U자 형상의 내측면에서 수광할 수 있으므로 발광소자로부터의 투광 방향축과 그 광을 수광하는 코어의 수광면의 위치 맞춤을 더 용이하게 할 수 있다.
또한, 상기 광도파로 디바이스가 상기 제 1 언더클래드층의 상면의 소정 부분에 높이 조정층으로서 형성된 제 2 언더클래드층을 추가로 구비하고, 상기 코어가 상기 제 1 언더클래드층의 상면에 상기 제 2 언더클래드층을 통해 설치되어 있는 경우에는 상기 발광소자의 발광 부분의 높이 위치가 높은 경우에 제 2 언더클래드층을 높이 조정층으로서 형성함으로써 코어의 높이 위치를 상기 발광 소자의 발광 부분의 높이 위치에 적정하게 용이하게 맞출 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 가장 좋은 형태)
계속해서 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 상세히 설명한다.
도 1의 (a), (b)는 본 발명의 광도파로 디바이스의 일실시형태를 도시하고 있다. 이 실시형태는 기판(1)의 상면에 광도파로 디바이스가 형성되어 있다. 이 광도파로 디바이스에서는 제 1 언더클래드층(21)의 상면에 발광소자(5)가 설치되고, 그 발광소자(5)가 설치된 부분 이외의 부분(소정 부분)에 제 2 언더클래드층(22)이 형성되어 있다. 그리고, 이 제 2 언더클래드층(22)의 상면에 발광소자(5)로부터 출사된 광(L)의 통로인 코어(3)가 소정 패턴으로 형성되어 있다. 이 제 2 언더클래드층(22)은 상기 코어(3)의 높이 위치를 발광 소자(5)의 발광부(5c)로부터의 광(L)을 수광 가능한 높이 위치로 설정하기 위한 높이 조정층이다. 또한, 상기 코어(3)의 일단부는 상기 발광소자(5)로부터의 광(L)을 수광하는 수광부(3a)에 형성되어 있고, 그 형상은 평면에서 봐서 U자 형상[도 1의 (a)에서는 개구측이 좌측으로 향해진 가로 방향의 U자 형상]으로 되어 있다. 그리고, 그 U자 형상 수광부의 개구부내에 상기 발광소자(5)가 위치 결정되고, 그 발광소자(5)의 발광부(5c)를 상기 수광부(3a)의 U자 형상 부분이 둘러싼 상태로 되어 있다. 그 발광부(5c)로부터의 투광 방향축은 코어(3)의 길이 방향(도시한 방향)인 것이 바람직하지만, 그 이외에도 상기 U자 형상의 수광부(3a)의 내측면을 향하는 방향으로 설정되어 있으면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이 실시형태에서는 상기 발광소자(5) 및 코어(3)를 피복하도록 투광성을 갖는 오버클래드층(4)이 형성되어 있다. 또한, 도 1의 (a), (b)에 있어서 도면부호 "5a"는 그 일단부상에 발광소자(5)를 고정하고 있는 리드 프레임이며, 그 타단부에는 발광소자(5)에 접속되어 있는 단자(배선 접속 부분)(5b)가 설치되어 있다.
이 광도파로 디바이스에 있어서, 상기 발광소자(5)로부터 코어(3)의 수광 부(3a) 방향으로 투광된 광(L)은 우선 오버클래드층(4)을 경유하여 상기 코어(3)의 수광부(3a)의 U자 형상의 내측면에서 코어(3)의 수광부(3a)내로 입사된다. 투광된 광(L)의 방향이 코어(3)의 길이 방향(도시한 방향)과 동일 방향이면, 광(L)은 그대로 코어(3)의 길이 방향으로 진행한다. 한편, 투광된 광(L)의 방향이 코어(3)의 길이 방향(도시한 방향)과 동일 방향이 아니라 길이 방향에 대해 비스듬한 방향이면, 광(L)은 코어(3)의 수광부(3a)의 U자 형상부내에서 반사를 반복한 후, 최종적으로 코어(3)의 길이 방향으로 진행한다. 그리고, 그 후 코어(3)의 타단면으로부터 출사된다. 이와 같이 상기 광도파로 디바이스에서는 상기 수광부(3a)의 U자 형상의 내측면의 전체를 수광면으로 할 수 있으므로 수광 면적을 넓게 취할 수 있다. 이에 의해 발광 소자(5)로부터의 투광 방향축과, 그 광을 수광하는 코어(3)의 수광면과의 위치 맞춤을 고정밀도로 할 필요가 없고, 그 위치 맞춤을 용이하게 할 수 있다.
이와 같은 광도파로 디바이스의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다.
즉, 우선 평판 형상의 기판(1)[도 2의 (a) 참조]을 준비한다. 이 기판(1)으로서는 특별히 한정되지 않고, 그 형성 재료로서는 예를 들면, 유리, 폴리머 필름, 석영, 실리콘, 수지, 금속 등을 들 수 있다. 또한, 기판(1)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상 20㎛~2mm의 범위내로 설정된다.
계속해서, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이 상기 기판(1)의 상면의 소정 영역에 제 1 언더클래드층(21)을 형성한다. 이 제 1 언더클래드층(21)의 형성 재료로서는 감광성 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그리고, 제 1 언더클래드층(21)의 형성은 다음과 같이 실시된다. 즉, 우선 상기 수지가 용매에 용해되어 있는 니스를 기판(1)상에 도포한다. 이 니스의 도포는 예를 들면 스핀코트법, 디핑법, 캐스팅법, 인젝션법, 잉크젯법 등에 의해 실시된다. 계속해서 이를 경화시킨다. 이 경화시에 제 1 언더클래드층(21)의 형성 재료로서 감광성 수지가 이용되는 경우는 조사선에 의해 노광한다. 이 노광된 부분이 제 1 언더클래드층(21)이 된다. 또한, 제 1 언더클래드층(21)의 형성 재료로서 폴리이미드 수지가 이용되는 경우는 통상 100~400℃×60~180분간의 가열 처리에 의해 경화시킨다. 제 1 언더클래드층(21)의 두께는 통상 5~50㎛의 범위내로 설정된다. 이와 같이 하여 제 1 언더클래드층(21)을 형성한다.
계속해서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 언더크래층(21)의 상면중 발광 소자(5)[도 2의 (d) 참조]의 설치 예정 부분 이외의 소정 부분에 제 2 언드클래드층(22)을 형성한다. 이 제 2 언더클래드층(22)의 형성 재료로서는 감광성 수지가 이용되고, 조사선을 소정 부분에 선택적으로 노광함으로써 이 노광된 소정 부분을 제 2 언더클래드층(22)에 형성한다.
그리고, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 언더클래드층(22)의 상면에 코어(3)를 형성한다. 이 때, 코어(3)의 일단부(수광부(3a))를 상기 U자 형상으로 형성하고, 그 U자 형상 부분이 후 공정으로 설치되는 발광소자(5)의 발광부(5c)[도 2의 (d) 참조]를 둘러쌀 수 있도록 형성한다. 이 코어(3)의 형성 재료로서는 통상 감광성 수지를 예로 들 수 있고, 상기 제 2 언더클래드층(22) 및 후기 오버클래드층(4)[도 2의 (e) 참조]의 형성 재료보다도 굴절률이 큰 재료가 이용된 다. 이 굴절률의 조정은 예를 들면 상기 제 2 언더클래드층(22), 코어(3), 오버클래드층(4)의 각 형성 재료의 종류의 선택이나 조성 비율을 조정하여 실시할 수 있다. 그리고, 코어(3)의 형성은 다음과 같이 실시된다. 즉, 우선 상기와 마찬가지로 감광성 수지가 용매에 용해되어 있는 니스를 제 2 언더클래드층(22)상에 도포한다. 이 니스의 도포는 상기와 마찬가지로 예를 들면 스핀코트법, 디핑법, 캐스팅법, 인젝션법, 잉크젯법 등에 의해 실시된다. 계속해서 이를 건조하여 수지층을 형성한다. 이 건조는 통상 50~120℃×10~30분간 가열 처리에 의해 실시된다.
계속해서 상기 수지층을 코어(3)의 패턴에 대응하는 개구 패턴이 형성되어 있는 포토마스크(도시하지 않음)를 통해 조사선에 의해 노광한다. 이 노광된 부분이 미노광 부분의 용해 제거 공정을 거쳐 코어(3)가 된다. 이에 대해 자세히 설명하면 상기 노광용 조사선으로서는 예를 들면 가시광, 자외선, 적외선, X선, α선, β선, γ선 등이 이용된다. 바람직하게는 자외선이 이용된다. 자외선을 이용하면 큰 에너지를 조사하여 큰 경화 속도를 얻을 수 있고, 또한 조사 장치도 소형이고 저렴한 가격이며, 생산 비용의 저감화를 도모할 수 있기 때문이다. 자외선의 광원으로서는 예를 들면 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등을 들 수 있고, 자외선의 조사량은 통상 10~10000mJ/㎠, 바람직하게는 50~3000mJ/㎠이다.
상기 노광 후, 광 반응을 완결시키기 위해 가열 처리를 실시한다. 이 가열 처리는 80~250℃, 바람직하게는 100~200℃에서 10초~2시간, 바람직하게는 5분~1시간의 범위내에서 실시한다. 그 후, 현상액을 이용하여 현상을 실시함으로써 수지층의 미노광 부분을 용해시켜 제거하고, 잔존한 수지층을 코어(3)의 패턴으로 형성 한다. 또한, 상기 현상은 예를 들면 침지법, 스프레이법, 패들법 등이 이용된다. 또한, 현상제로서는 예를 들면 유기계의 용매, 알칼리계 수용액을 함유하는 유기계의 용매 등이 이용된다. 이와 같은 현상제 및 현상 조건은 감광성 수지 조성물의 조성에 의해 적절히 선택된다.
그리고, 현상 후에 잔존하는 현상액을 가열 처리에 의해 제거한다. 이 가열 처리는 통상 80~120℃×10~30분간의 범위내에서 실시된다. 이에 의해 상기 코어(3)의 패턴이 형성된 잔존 수지층을 코어(3)에 형성한다. 또한, 각 코어(3)의 두께는 통상 5~30㎛의 범위내로 설정되고, 그 폭은 통상 5~30㎛의 범위내로 설정된다.
계속해서 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 언더클래드층(21)의 상면 중, 코어(3)의 수광부(3a)의 U자 형상의 개구부내에 발광 소자(5)를 리드 프레임(5a)과 함께 설치된다. 이 때, 리드 프레임(5a)의 타단부에 설치되어 있는 단자(배선 접속 부분)(5b)은 제 1 언더클래드층(21)의 단테두리보다도 외측에 위치하도록 결정된다. 또한, 상기 발광 소자(5)의 설치는 접착제를 이용하지 않고 얹어 설치하거나 또는 약간의 접착제를 이용하여 가고정하는 정도로 좋다. 그 이유는 후공정[도 2의 (e) 참조]에서 상기 발광소자(5)를 피복하도록 오버클래드층(4)을 형성함으로써 상기 발광소자(5)가 고정되기 때문이다. 또한, 상기 발광소자(5)로서는 통상 발광 다이오드, 레이저 다이오드, VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) 등이 이용된다.
계속해서, 도 2의 (e)에 도시한 바와 같이 상기 발광 소자(5) 및 코어(3)를 피복하도록 상기 제 1 및 제 2 언더클래드층(21, 22)의 상면에 투광성을 갖는 오버클래드층(4)을 형성한다. 이에 의해 상기 발광 소자(5)가 상기 제 1 언더클래드층(21)과 오버클래드층(4)으로 협지(挾持)된 상태가 되어 고정된다. 상기 오버클래드층(4)의 형성 재료로서는 상기 제 1 또는 제 2 언더클래드층(21, 22)과 동일한 재료를 예로 들 수 있지만, 투광성을 갖는 것이 선택된다. 그 중, 이 오버클래드층(4)의 형성 재료는 상기 제 1 또는 제 2 언더클래드층(21, 22)의 형성 재료와 동일해도 좋고 상이해도 좋다. 또한, 오버클래드층(4)의 형성 방법도 상기 제 1 또는 제 2 언더클래드층(21, 22)의 형성 방법과 동일하게 실시된다. 오버클래드층(4)의 두께는 통상 20~100㎛의 범위내로 설정된다.
또한, 상기 발광소자(5)의 단자(배선 접속 부분)(5b)에 와이어본딩 등에 의해 배선(6)을 접속한다.
이와 같이 하여 기판(1)의 상면에 제 1 및 제 2 언더클래드층(21, 22), 코어(3), 오버클래드층(4) 및 발광소자(5)로 이루어진 상기 광도파로 디바이스[도 1의 (a), (b) 참조]를 제조할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 수광부(3a)의 U자 형상의 개구부내에 발광소자(5)를 위치 결정했지만, 상기 U자 형상의 내측면에서 수광할 수 있으면 도 3에 도시한 바와 같이 발광 소자(5)를 상기 U자 형상 부분의 외측에 위치 결정해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는 코어(3)의 일단부(수광부(3a))를 평면에서 봐서 U자 형상으로 형성했지만, 이에 한정되지 않고 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이 평면에서 봐서 V자 형상으로 형성해도 좋다. 이와 같이 해도 동일한 작용·효과를 갖는다.
또한, 상기 실시형태에서는 제 2 언더클래드층(22)을 형성함으로써 코어(3)의 높이 위치를 발광 소자(5)의 발광부(5c)로부터의 광(L)을 수광 가능한 높이 위치에 맞추고 있지만, 코어(3)와 발광소자(5)의 발광부(5c)와의 높이 위치를 맞출 필요가 없는 경우는 제 2 언더클래드층(22)을 형성하지 않고 광도파로 디바이스를 구성해도 좋다. 이 경우는 제 1 언더클래드층(21)의 상면에 코어(3)가 형성된다.
또한, 상기 실시형태에서는 오버클래드층(4)을 형성하고 있지만, 이 오버클래드층(4)은 필수가 아니라 경우에 따라서 오버클래드층(4)을 형성하지 않고 광도파로 디바이스를 구성해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는 발광소자(5)의 단자(배선 접속 부분)(5b)를 제 1 언더클래드층(21)의 단테두리보다도 외측에 위치하도록 결정했지만, 상기 단자(5b)를 제 1 언더클래드층(21)상에 위치하도록 결정해도 좋고, 그 경우는 단자(5b)에 와이어본딩 등에 의해 배선(6)을 접속한 후, 그 단자(5b) 부분을 오버클래드층(4)으로 덮어도 좋다.
계속해서 실시예에 대해 설명한다. 단, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
[실시예]
[제 1 및 제 2 언더클래드층 및 오버클래드층의 형성 재료]
비스페녹시에탄올플루오렌디글리시딜에테르(성분A) 35 중량부, 지환식 에폭시 수지인 3', 4'-에폭시시클로헥실메틸-3, 4-에폭시시클로헥산카르복실레이트(다 이셀 가가쿠사제, 세록사이드 2021P)(성분 B) 40 중량부, (3', 4'-에폭시시클로헥산)메틸-3', 4'-에폭시시클로헥실-카르복실레이트(다이셀 가가쿠사제, 세록사이드 2081)(성분 C) 25 중량부, 4, 4'-비스[디(β-히드록시에톡시)페닐설피니오] 페닐설피드-비스-헥사플루오로안티모네이트의 50% 프로피온카보네이트 용액(광산발생제: 성분D) 1 중량부를 혼합함으로써 제 1 및 제 2 언더클래드층 및 오버클래드층의 형성 재료를 조제했다.
[코어의 형성 재료]
상기 성분 A: 70 중량부, 1,3,3-트리스{4-[2-(3-옥세타닐)]부톡시페닐} 부탄: 30중량부, 상기 성분 D:0.5 중량부를 락트산에틸 28 중량부에 용해함으로써 코어의 형성 재료를 조제했다.
[광도파로 디바이스의 제작]
우선 유리 기판(두께 1.0mm)의 상면에 상기 제 1 언더클래드층의 형성 재료를 스핀코트법에 의해 도포한 후, 2000mJ/㎠의 자외선 조사를 실시했다. 계속해서 100℃×15분간 가열 처리를 실시함으로써 제 1 언더클래드층(두께 15㎛)을 형성했다.
계속해서 상기 제 1 언더크래층의 상면 중 발광 다이오드의 설치 예정 부분 이외의 소정 부분에 상기 제 1 언더클래드층의 형성과 동일하게 하여 제 2 언더클래드층(두께 50㎛)을 형성했다.
계속해서 상기 제 2 언더클래드층의 상면에 상기 코어의 형성 재료를 스핀코트법에 의해 도포한 후, 100℃×15분간 건조 처리를 실시했다. 계속해서 그 상방 에 코어 패턴과 동일 형상의 개구 패턴이 형성된 합성 석영계의 포토마스크를 설치했다. 그리고, 그 상방에서 컨택트 노광법으로 4000mJ/㎠의 자외선 조사에 의한 노광을 실시한 후, 120℃×15분간 가열 처리를 실시했다. 계속해서 γ-부티로락톤 수용액을 사용하여 현상함으로써 미노광 부분을 용해 제거한 후, 120℃×30분간 가열 처리를 실시함으로써 코어(단면 크기: 폭 12㎛×높이 24㎛)를 형성했다. 이 코어는 일단부(수광부)를 평면에서 봐서 V자 형상으로 형성했다.
계속해서 상기 제 1 언더클래드층의 상면 중, 상기 코어의 수광부의 V자 형상의 개구부내에 자외선 경화형 접착제를 약간 이용하여 발광 다이오드를 가고정했다.
계속해서 상기 발광 다이오드 및 코어를 피복하도록 상기 제 1 및 제 2 언더클래드층상에 상기 오버클래드층의 형성 재료를 스핀코트법에 의해 도포한 후, 2000mJ/㎠의 자외선 조사를 실시했다. 계속해서 150℃×60분간의 가열 처리를 실시함으로써 오버클래드층(두께 35㎛)을 형성했다.
계속해서 상기 발광 다이오드의 단자에 와이어본딩에 의해 배선을 접속했다.
이와 같이 상기 기판상에 제 1 및 제 2 언더클래드층, 코어, 오버클래드층 및 발광 다이오드로 이루어진 광도파로 디바이스를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 광도파로 디바이스의 일실시형태를 개략적으로 도시한 것으로서, (a)는 그 평면도, (b)는 (a)의 X-X 단면도,
도 2의 (a)~(e)는 본 발명의 광도파로 디바이스의 제조 방법을 개략적으로 도시한 설명도,
도 3은 상기 광도파로 디바이스의 다른 형태를 개략적으로 도시한 평면도,
도 4는 상기 광도파로 디바이스의 또 다른 형태를 개략적으로 도시한 평면도 및
도 5는 종래의 광도파로 디바이스를 개략적으로 도시한 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
3 : 코어 3a : 수광부
5 : 발광소자 5c : 발광부
21 : 제 1 언더클래드층 22 : 제 2 언더클래드층

Claims (4)

  1. 제 1 언더클래드층,
    상기 제 1 언더클래드층의 상면에 설치되고, 광을 발광하는 발광부를 갖는 발광소자,
    상기 제 1 언더클래드층의 상면에 설치되고, 상기 발광소자의 상기 발광부로부터의 광을 수광하는 수광부를 갖는 코어를 구비한 광도파로 디바이스에 있어서,
    상기 코어의 상기 수광부가 평면에서 봐서 대략 U자 형상이고, 상기 발광이 상기 대략 U자 형상 수광부의 개구부내에 투광되도록 구성된 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광소자의 발광부가 상기 코어의 수광부의 대략 U자 형상의 개구부내에 위치가 결정되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 언더클래드층의 상면의 소정 부분에 높이 조정층으로서 형성된 제 2 언더클래드층을 구비하고,
    상기 코어가 상기 제 1 언더클래드층의 상면에 상기 제 2 언더클래드층을 통해 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 언더클래드층의 상면의 소정 부분에 높이 조정층으로서 형성된 제 2 언더클래드층을 추가로 구비하고,
    상기 코어가 상기 제 1 언더클래드층의 상면에 상기 제 2 언더클래드층을 통해 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스.
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