KR20080099796A - 신규한 안트라센계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 신규한 안트라센계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자에 관한 것으로, 특히 본 발명에 따른 화합물은 청색 발광 특성이 우수하면서도 홀 전달 특성 및 전자 전달 특성이 우수하여 유기발광소자에 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있는 신규한 안트라센계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자에 관한 것이다.
유기발광소자, 청색 발광 소자, 정공수송, 전자수송, 발광층
Description
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 청색 발광 특성이 우수하면서도 홀 전달 특성 및 전자 전달 특성이 우수하여 유기발광소자에 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있는 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자에 관한 것이다.
유기발광소자는 일반적으로 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가지고 있다. 여기에서 홀 수송층, 발광층, 및 전자 수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상기와 같은 구조를 갖는 유기 EL 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
먼저, 상기 애노드 및 캐소드간에 전압을 인가하면 애노드로부터 주입된 홀은 홀 수송층을 경유하여 발광층에 이동된다. 한편, 전자는 캐소드로부터 전자수송층을 경유하여 발광층에 주입되고 발광층 영역에서 캐리어들이 재결합하여 엑시 톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변화되고, 이로 인하여 발광층의 형광성 분자가 발광함으로서 화상이 형성된다. 이때, 여기상태가 일중항 여기상태를 통하여 기저상태로 떨어지면서 발광하는 것을 형광이라 하며, 삼중항 여기상태를 통하여 기저상태로 떨어지면서 발광하는 것을 인광이라 한다. 상기 형광의 경우 일중항 여기상태의 확률이 25 %(삼중항 상태 75 %)이며, 발광 효율의 한계가 있는 반면 이노강을 사용하면 삼중항 75 %와 일중항 여기상태 25 %까지 이용할 수 있으므로 이론적으로는 내부 양자 효율 100 %까지도 가능하다.
한편, 안트라센기를 포함하는 화합물을 유기 발광 소자에 이용하려는 시도는 1960년대 초반부터 시작되었다. 1965년에 헬프리치(Helfrich)와 포프(Pope)는 안트라센의 단결정을 이용한 청색 유기 전기 발광 현상을 처음으로 발표하였다. 그러나, 안트라센 단결정을 이용한 발광에는 높은 전압이 필요했으며, 소자의 수명이 짧아서 실용화하기에 많은 문제점을 가지고 있었다.
최근에도 안트라센 분자에 여러 가지의 치환체를 도입하여 유기 발광 소자에 적용하려는 시도가 많이 이루어지고 있다. 그 예로서 청색 발광 물질로서의 안트라센 유도체가 개시된 특허로는 대한민국공개특허공보 제10-2006-0050915호, 대한민국특허등록 제10-0422914호(하기 화학식 F) 등에 기재되어 있다. 그러나 아직까지 안트라센에 실란유도체가 결합된 청색발광유도체는 공개된 바가 없다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 청색 발광 특성이 우수하면서도 홀 전달 특성 및 전자 전달 특성이 우수하여 유기발광소자에 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있는 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1 내지 6 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 1 내지 4에서 Ar1, Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴(aryl)기이며, n은 1 내지 4 사이의 정수이며, A는 각각 독립적으로 수소, CF3 또는 치환되거나 치환되지 않은 트리아릴실릴(triarylsilyl)기이며, A 중 적어도 하나는 CF3 또는 치환되거나 치환되지 않은 트리아릴실릴(triarylsilyl)기이다.
[화학식 5]
[화학식 6]
상기 화학식 5 내지 6에서 Ar1, 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴(aryl)기이며, R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 CF3이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 CF3이다.
또한 본 발명은 하기 반응식 1 내지 4 중 어느 하나를 포함하는 상기 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물의 제조방법을 제공한다.
[반응식 1]
[반응식 2]
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[반응식 4]
상기 반응식 1 내지 4에서 Ar 및 Ar1은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴기이며, X는 할로겐 화합물이다.
또한 본 발명은 상기 안트라센계 화합물로 형성된 유기발광소자의 유기박막 층을 제공한다.
또한 본 발명은 애노드와 캐소드 사이에 하나 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기박막층을 적어도 1 개층 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
또한 본 발명은 상기 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 화학식 1 내지 6으로 표시되는 신규한 안트라센계 화합물은 청색 발광 특성 및 홀 전달 특성이 우수하며, 동시에 청색 발광 재료로 사용하거나 적색, 녹색, 청색, 백색 등과 같은 다양한 인광 또는 형광 도펀트에 대하여 호스트로 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 유기발광소자에 적용하여 고효율 발광이 가능하며, 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있는 효과가 있다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 화학식 1 내지 6 중 어느 하나로 표시되는 신규한 안트라센계 화합물은 청색 발광 특성이 우수하면서도 홀 전달 특성 및 전자 전달 특성이 우수하 여 유기발광소자에 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 1 내지 4에서 Ar1, Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴(aryl)기이며, n은 1 내지 4 사이의 정수이며, A는 각각 독립적으로 수소, CF3 또는 치환되거나 치환되지 않은 트리아릴실릴(triarylsilyl)기이며, A 중 적어도 하나는 CF3 또는 치환되거나 치환되지 않은 트리아릴실릴(triarylsilyl)기이다.
[화학식 5]
[화학식 6]
상기 화학식 5 내지 6에서 Ar1, 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴(aryl)기이며, R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 CF3이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 CF3이다.
바람직하기로는 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 50인 것이 좋다.
상기 화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1 내지 4 중 어느 하나의 과정을 포함하여 제조될 수 있다.
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[반응식 4]
상기 반응식 1 내지 4에서 Ar 및 Ar1은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴기이며, 바람직하게는 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 50이며, X는 할로겐 화합물이며, 바람직하기로는 X는 Br이다.
본 발명의 상기 화학식 1 내지 화학식 6으로 표시되는 화합물은 바람직하기로는 하기 화학식 1-1 내지 6-2로 표시되는 화합물 중 하나인 것이 좋다.
[화학식 1-1] [화학식 1-5]
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또한 본 발명은 본 발명에 따른 상기 화학식 1 내지 6 중 어느 하나로 형성된 유기발광소자의 유기박막층 및 이 유기박막층을 적어도 1 개층 이상 포함하는 유기발광소자를 제공하는 바, 상기 유기발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
일반적인 유기발광소자는 애노드(anode)와 캐소드(cathod) 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 유기박막층을 1 개 이상 포함할 수 있다.
먼저, 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 애노드(anode) 전극용 물질을 증착시켜 애노드를 형성한다. 이때, 상기 기판은 통상의 유기발광소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면평활성, 취급용이성, 및 방수성이 우수한 유기기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용하는 것이 좋다. 또한, 애노드 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다. 상기 애노드 전극용 물질은 통상의 애노드 형성방법에 의해 증착할 수 있으며, 구체적으로 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 증착할 수 있다.
그 다음, 상기 애노드 전극 상부에 정공주입층(HIL) 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 또한 핀정공이 발생하기 어렵다는 등의 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입 층을 형성하는 경우 그 증착조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50∼500 ℃의 증착온도, 10-8∼10-3 torr의 진공도, 0.01∼100 Å/sec의 증착속도, 10 Å∼5 ㎛의 막두께 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
상기 정공주입층 물질은 특별히 제한되지 않으며, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB(Advanced Material, 6, p677(1994)) 등의 정공주입층 물질로 사용할 수 있다.
다음으로 상기 정공주입층 상부에 정공수송층(HTL) 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 핀정공이 발생하기 어렵다는 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.
또한, 상기 정공수송층 물질은 특별히 제한되지는 않으나, 본 발명에 따른 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 사용하거나, 정공수송층에 사용되고 있는 통상의 공지 물질 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 정공수송층 물질은 본 발명에 따른 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물 이외에 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐- [1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N.N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상의 아민 유도체 등이 사용될 수 있다.
그 후, 상기 정공수송층 상부에 발광층(EML) 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 핀정공이 발생하기 어렵다는 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 진공증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 또한, 상기 발광층 재료는 본 발명의 화학식 1 내지 6으로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하거나 또는 호스트로 사용할 수 있다.
상기 화학식 1 내지 6으로 표시되는 화합물을 발광 호스트로 사용하는 경우, 인광 또는 형광 도펀트를 함께 사용하여 발광층을 형성할 수 있다. 이때, 형광 도펀트로는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102 또는 IDE105를 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로는 녹색 인광 도판트 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine) iridium), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic(iridium (Ⅲ) bis[4,6-di-fluorophenyl) - pyridinato - N,C2'] picolinate), UDC사의 적색 인광 도펀트 RD61 등이 공통 진공증착(도핑) 될 수 있다. 도펀트의 도핑농도는 특별히 제한되지 않으나, 호스트 대비 100 중량부 대비 도펀트의 농도는 0.01∼15 중량부인 것이 바람직하다.
또한 발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(HTL)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법에 의해 적층시키는 것이 바람직하다. 이때 사용 할 수 있는 정공억제물질은 특별히 제한되지는 않으나, 정공억제재료로 사용되고 있는 공지의 것에서 임의의 것을 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq, 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP) 등을 사용할 수 있다.
상기와 같이 형성된 발광층 상부에는 전자수송층(ETL) 재료를 형성되는데, 이때 상기 전자수송층은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성되며, 특히 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 그 종류가 특별히 제한되지는 않으며, 예를 들어 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3)을 사용할 수 있다. 또한, 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며, 전자주입층 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등의 물질을 이용할 수 있다.
또한, 상기 전자수송층(ETL)의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.
그 뒤, 상기 전자수송층 상부에 전자주입층(EIL) 물질을 형성할 수 있으며, 이때 상기 전자수송층은 통상의 전자주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성되며, 특히 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
마지막으로 전자주입층 상부에 캐소드 형성용 금속을 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성하고 음극(cathode)으로 사용한다. 여기서 캐소드 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등이 있다. 또한 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.
본 발명의 유기발광소자는 애노드(anode), 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL), 캐소드(cathode) 구조의 유기발광소자 뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기발광소자의 구조가 가능하며, 필요에 따라 한층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다.
상기와 같이 본 발명에 따라 형성되는 유기박막층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 바람직하게는 20 내지 150 ㎚인 것이 좋다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
(1) 화합물<1a>(2-Bromoanthraquinone)의 합성
브롬화구리(CuBr2) 18g(81mmol), 터트-부틸니트릴(tert-Butyl nitrite) 12ml(101mmol)을 65℃의 아세토니트릴(acetonitrile)으로 분산시키고, 격렬하게 교반시키면서, 2-아미노안트라퀴논을(2-aminoanthraquinone) 15g (67mmol)을 첨가하였다. 질소 가스가 완벽히 나오지 않게 될 때까지 교반하고, 실온까지 냉각 후, 20% 염산(1L)을 더한 뒤, 염화메틸렌(Dichloromethane)으로 추출했다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조시키고, 용매를 감압 제거했다. 실리카겔컬럼크로마토그래피롤 정제하고, 하기 화합물 <1a> 14g, 75%를 얻었다.
화합물 <1a>
(2) 화합물<1b>
(2-Bromo-9,10-di-naphthalene-1-yl-9,10-dihydro-anthracene-9,10-diol)의 합성
1-브로모나프탈렌(1-Bromonaphthalene) 10.5ml(75.23mmol)을 무수 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, 100ml)에 녹여, 교반하면서 -78℃로 유지한 후, 2.5 M N-BuLi 30ml(75.23mmol)을 천천히 적가하였다. 30분 후, 화합물<1a> 9 g(31.34mmol)을 넣고 실온에서 교반하였다. 2시간 후 NH4Cl 용액으로 반응 혼합물을 씻어주고, 염화메틸렌으로 추출 후, 무수황산마그네슘으로 물을 건조시키고, 용매를 감압 제거하였다. 메탄올로 씻어 준 후 하기 화합물 <1b> ( 7.7g, 45%)를 얻었다.
화합물 <1b>
(3) 화합물<1c> (2-Bromo-9,10-di-naphthalene-1-yl-anthracene)의 합성
화합물 <1b> 7.7g ( 14.18mmol)을 빙초산(glacial acetic acid)(100ml)에 녹여 교반하고, 요오드화칼륨(KI) 23.4g(141.8mmol), 차아인산나트륨(NaPO2H2) 12.4g (141.8mmol) 을 넣어준 후 환류시켰다. 반응이 진행되면서 반응물들이 녹아 들어가기 시작하고, 약 2시간 후, 흰색 침전들이 생기면서 반응이 완료된 후 빙초산(glacial acetic acid)을 여과해 제거해 내고, 침전물을 에탄올에 교반 후, 물(H2O)를 첨가하여 형성되는 침전물을 여과해 흰색 고체인 하기 화합물 <1c>( 6.6g, 92%)를 얻었다. 청색발광(418nm)
화합물 <1c>
(4) 화합물<1> (2-Triphenylsilyl-9,10-dinaphthalen-1-yl-anthracene)의 합성
화합물<1c> 6.6g (12.9mmol)을 무수 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, 100ml)에 녹여, 교반하면서 -78℃로 유지한 후, 2.5 M N-BuLi 6.2ml(15.55mmol)을 천천히 적가하였다. 30분 후, 트리페닐실릴클로라이드(Triphenylsilyl chloride) 4.6g(15.55mmol)을 넣고 실온에서 교반하였다. 2시간 후 흰색 침전들이 생기면서 반응이 완료된 후 침전물을 여과하여 흰색 고체 화합물 [화학식 1-1](5.3g, 60%)을 얻었다.
[화학식 1-1]
[실시예2]
(1) 화합물 <1-2> 합성
상기 실시예 1에서 1-브로모나프탈렌 대신에 2-브로모나프탈렌을 15.6g을 이용한 것을 제외하고는 실시예 1의 절차를 반복하여 [화학식 1-2] (5.56g, 63%)를 얻었다.
[화학식 1-2]
[실시예3]
(1) 화합물 <2a>의 합성
화합물<1a> 5.77g(20.1mmol), 틴클로라이드(SnCl2·H2O) 13.90g(61.5mmol), 12M 염산 수용액 15ml를 빙초산(Acetic acid) 90ml에 녹인 후 환류시겼다. 5시간 뒤 냉각시킨 후 물을 넣어 희석하고, 탄산수소나트륨 수용액으로 중화시켰다. 염화메틸렌으로 추출 후, 무수황산마그네슘으로 물을 건조시키고, 용매를 감압 제거하여 얻어진 고체를 컬럼크로마토 그래피로 정제하여 화합물 <2a> 2.18 g(수율 38%)을 얻었다.
화합물 <2a>
(2) 화합물 2b의 합성
2-브로모나프탈렌(1-Bromonaphthalene) 1.8 g(8.79mmol)을 무수 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, 100ml)에 녹여, 교반하면서 -78℃로 유지한 후, 2.5 M N-BuLi 3.5ml(8.79mmol)을 천천히 적가하였다. 30분 후, 화합물<2a> 2 g(7.32mmol)을 넣고 실온에서 교반하였다. 12시간 후 6M HCl 용액을 넣고, 교반한다. 염화메틸렌으로 추출 후, 무수황산마그네슘으로 물을 건조시키고, 용매를 감압 제거하였다. 에탄올로 씻어 준 후 하기 화합물 <2b> ( 1.68g, 60%)를 얻었다.
화합물 <2b>
(3) 화합물 <2c>의 합성
화합물<2b> 1.68g (4.39mmol)을 무수 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, 20ml)에 녹여, 교반하면서 -78℃로 유지한 후, 2.5 M N-BuLi 1.8ml(4.39mmol)을 천천히 적가하였다. 30분 후, 트리페닐실릴클로라이드(Triphenylsilyl chloride) 1.6g(5.27mmol)을 넣고 실온에서 교반하였다. 2시간 후 흰색 침전들이 생기면서 반응이 완료된 후 침전물을 여과하여 흰색 고체 화합물 <2c> (1.48g, 60%)을 얻었다.
화합물 <2c>
(4) 화합물 <2d>의 합성
질소기류하에 화합물 <2c> 1.48 g (2.63 mmol)을 염화메틸렌 50 mL에 녹이고, 5 ℃ 이하에서 염화메틸렌 25 mL에 녹인 N.B.S 0.6 g (3.42mmol)을 서서히 가하였다. 30분 정도 교반한 후 상온에서 교반하였다. 반응의 진행정도는 TLC로 확인하였으며, 반응이 더 이상 진행되지 않으면 반응 혼합물에 소디움싸이오설페이트 포화 수용액 20 mL를 가한 후 유기용매층을 따로 모아 MgSO4로 탈수시킨 다음 감압증류하였다. 얻어진 반응물을 실리카겔이 충진된 컬럼에서 Methylene chloride와 n-hexane의 혼합용매를 이동상으로 하여 분리시킴으로써 연한 노란색의 결정 화합물 <2d> 1.06 g (63%)를 얻었다.
화합물 <2d>
(5) 화합물 2-1의 합성
질소기류하에서 4-바이페닐보로닉에시드 0.39 g(1.98mmol)과 화합물 <2d> 1.0 g(1.65 mmol), Pd(PPh3)4, 2M K2CO3 수용액, Tolune 50mL를 vigorously stirring하며, 환류시켰다. 12시간 후 10mL H2O를 첨가하여, 생성되는 침전물을 여과하여 흰색 고체 [화학식 2-1] 8g(68%)을 얻었다.
[화학식 2-1]
[실시예 4]
(1) 화합물 2-42의 합성
상기 실시예 3에서 4-바이페닐보로닉에시드 대신에 3-(나프탈렌-1-일)페닐보로닉에시드를 이용한 것을 제외하고는 실시예 3의 절차를 반복하여 [화학식 2- 42] (1.2g, 63%)를 얻었다.
[화학식 2-42]
[실시예 5]
(1) 화합물 1-3의 합성
상기 실시예 1에서 2-아미노안트라퀴논 대신에 2,6-디아미노안트라퀴논을 이용한 것을 제외하고는 실시예 1의 절차를 반복하여 [화학식 1-3] (1.2g, 42%)를 얻었다.
[화학식 1-3]
[실시예 6]
(1) 화합물 1-4의 합성
상기 실시예 2에서 2-아미노안트라퀴논 대신에 2,6-디아미노안트라퀴논을 이용한 것을 제외하고는 실시예 2의 절차를 반복하여 [화학식 1-4] (1.42g, 50%)를 얻었다.
[화학식 1-4]
[실시예 7]
(1) 화합물 2-7의 합성
상기 실시예 3에서 화합물 <1a> 대신에 2,6-디브로모안트라퀴논을 이용한 것을 제외하고는 실시예 3의 절차를 반복하여 [화학식 2-7] (0.8g, 35%)를 얻었다.
[화학식 2-7]
[실시예 8]
(1) 화합물 2-93의 합성
상기 실시예 4에서 화합물 <1a> 대신에 2,6-디브로모안트라퀴논을 이용한 것을 제외하고는 실시예 4의 절차를 반복하여 [화학식 2-93] (0.5g, 30%)를 얻었다.
[화학식 2-93]
[실시예 9]
(1) 화합물 <6a> 합성
질소를 기류하 2-Bromonaphthalene 20 g (96.6 mmol)을 THF 500 mL에 녹이고 -78℃에서 30분 동안 냉각시켰다. n-BuLi (2.5M) 39 mL를 -78℃에서 30분 동안 서서히 적가한 후 30분 동안 교반하였다. 반응물을 Anthrone 16.5 g (85 mmol)을 THF에 300 mL에 녹여서 15분간 적가한 후 20분 후에 상온에서 교반하였다. 반응의 진행정도는 TLC로 확인하였으며, 반응이 더 이상 진행되지 않으면 반응혼합액을 6M HCl 300 mL를 가한 후 ethlyl acetate 200 mL로 3회 추출하여 이를 합한 후 MgSO4로 물을 제거한 다음 감압증류하였다. 얻어진 반응물을 에탄올로 재결정하여 연한 녹색의 결정 9-Naphthalene-2-yl anthracene 16.48 g (63.6%)을 얻었다.
화합물 <6a>
(2) 화합물 <6b>의 합성
질소기류하 9-Naphthalene-2-ylanthracene 16.4 g (54. mmol)을 methylene chloride 1050 mL에 녹이고, 5 ℃ 이하에서 methylene chloride 550 mL에 녹인 N.B.S 12.45 g (70 mmol)을 서서히 가하였다. 30분 정도 교반한 후 상온에서 교반하였다. 반응의 진행정도는 TLC로 확인하였으며, 반응이 더 이상 진행되지 않으면 반응 혼합물에 포화 Sodium thiosulfate 400 mL를 가한 후 유기용매층을 따로 모아 MgSO4로 탈수시킨 다음 감압증류하였다. 얻어진 반응물을 실리카겔이 충진된 컬럼에서 Methylene chloride와 n-hexane의 혼합용매를 이동상으로 하여 분리시킴으로써 연한 노란색의 결정 9-Bromo-10-naphthalene-2-ylanthracene 12 g (58%)를 얻었다.
화합물 <6b>
(3) 화합물 <6c>의 합성
질소기류하 9-Bromo-10-naphthalene-2-ylanthracene 12 g (31.3 mmol)을 THF 160 mL에 녹인 후 -78℃에서 30분 동안 냉각시켰다. n-BuLi (2.5M) 13. 8 mL를 -78℃에서 30분 동안 서서히 적가한 후 30분 동안 교반하였다. Trimethyl borate 4.2 mL (37.6 mmol)을 15분간 적가한 후 20분 후에 상온에서 교반하였다. 반응의 진행정도는 TLC로 확인하였으며, 반응이 더 이상 진행되지 않으면 반응혼합액을 2M HCl 100 mL를 가한 후 ethlyl acetate 60 mL로 3회 추출하여 이를 합한 후 MgSO4로 물을 제거한 다음 감압증류하였다. 얻어진 반응물을 Toluene과 n-hexane로 재결정하여 미백색의 결정 5.3 g (49%)을 얻었다.
화합물 <6c>
(4) 화합물 <6d>의 합성
화합물 <6b> 대신에 1-브로모-4-(트리플루오로메틸)벤젠을 이용한 것을 제외하고는 상기 화합물 6c의 합성절차를 반복하여 화합물 <5d> (8g, 73%)를 얻었다.
화합물 <6d>
(5) 화합물 <6e>의 합성
4-바이페닐보로닉에시드 대신에 화합물 <6d>와 화합물 <2d> 대신에 4-브로모아이오도벤젠을 이용하는 것을 제외하고는 실시예 3-5의 절차를 반복하여 화합물 <6e> (5.7 g, 63%)를 얻었다.
화합물 <6e>
(6) 화합물 6-1의 합성
4-바이페닐보로닉에시드 대신에 화합물 <6c>와 화합물 <2d> 대신에 화합물 <6e>를 이용하는 것을 제외하고는 실시예 3-5의 절차를 반복하여 화합물 6-1 (2.2 g, 57%)를 얻었다.
[화학식 6-1]
시험예
: 발광 피크 측정
상기 실시예 1 내지 9에서 제조한 화합물들을 THF에 용해시켜 발광 피크를 측정하였으며, 그 결과를 도 2(실시예 1), 도 3(실시예 9) 및 하기 표 1에 나타내었다. 하기 표 1에서 단위는 nm이다.
[표 1]
실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | 실시예4 | 실시예5 | 실시예6 | 실시예7 | 실시예8 | 실시예9 | |
발광피크(nm) | 418 | 420 | 417 | 423 | 434 | 434 | 428 | 436 | 418 |
상기 표 1, 도 2 및 3에 나타난 바와 같이 본 발명의 실시예 1 내지 9의 화합물들은 청색발광특성이 우수함을 확인할 수 있었다.
유기전계발광소자의 물성 측정
상기 실시예 1 내지 9에서 제조한 화합물을 각각 발광 호스트 물질로 사용하여 도 1과 같은 구조의 유기전계발광소자를 제작하였다. 먼저, 유리 기판에 형성된 1500 Å 두께의 ITO층(애노드) 위에 650 Å 두께의 정공주입층(정공주입층 물질: HI-406(N1,N1'-(비페닐-4,4'-디일)비스(N1-(나프탈렌-1-일)-N4,N4-디페닐벤젠-1,4-디아민)), 200 Å 두께의 정공수송층(정공수송층 물질: 비스(N-(1-나프틸-n-페닐))벤지딘(α-NPB)), 350 Å 두께의 BD142가 도핑된 발광층(BD142: N6,N12-비스(3,4-디메틸페닐)-N6,N12-디메시틸크리센-6,12-디아민), 200Å 두께의 전자수송층(전자수송층 물질: ET4(6,6'-(3,4-디메시틸-1,1-디메틸-1H-실올-2,5-디일)디-2,2'-비피리딘)) 및 1000/10 Å 두께의 알루미늄/LiF 캐소드를 순차적으로 증착시켜 유기전계발광소자를 제작하였다. 이때, 발광층에 사용된 도펀트 BD142의 양을 호스트 100중량부에 대해 7중량부로 하였다.
상기 제조된 유기전계발광소자의 발광특성을 측정한 결과 전기적 안정성이 우수하고 높은 발광효율과 발광휘도를 나타내었으며, 이중 실시예 1의 화합물에 대한 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
도핑량 (중량부) | Volt(V) | Cd/A | Im/A | Q.E(%) | CD/m2 | CIEx | CIEy |
7 | 5.32 | 6.73 | 3.79 | 4.89 | 1345 | 0.134 | 0.2044 |
이상에서 설명한 본 발명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형, 및 변경이 가능함은 본 발명의 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백한 것이다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 합성한 화합물의 발광스펙트럼이다.
Claims (7)
- 하기 화학식 1 내지 6 중 어느 하나로 표시되는 화합물:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 화학식 1 내지 4에서 Ar1, Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴(aryl)기이며, n은 1 내지 4 사이의 정수이며, A는 각각 독립적으로 수소, CF3 또는 치환되거나 치환되지 않은 트리아릴실릴(triarylsilyl)기이며, A 중 적어도 하나는 CF3 또는 치환되거나 치환되지 않은 트리아릴실릴(triarylsilyl)기이다.[화학식 5][화학식 6]상기 화학식 5 내지 6에서 Ar1, 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴(aryl)기이며, R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 CF3이며, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 CF3이다.
- 제1항에 있어서,상기 화합물이 하기 화학식 1-1 내지 6-2로 표시되는 화합물들 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 1-1] [화학식 1-5][화학식 1-2] [화학식 1-6][화학식 1-3] [화학식 1-7][화학식 1-4] [화학식 1-8][화학식 1-9] [화학식 1-13][화학식 1-10] [화학식 1-14][화학식 1-11] [화학식 1-15][화학식 1-12] [화학식 1-16][화학식 1-17] [화학식 1-20][화학식 1-18] [화학식 1-21][화학식 1-19] [화학식 1-22][화학식 2-1] [화학식 2-4][화학식 2-2] [화학식 2-5][화학식 2-3] [화학식 2-6][화학식 2-7] [화학식 2-10][화학식 2-8] [화학식 2-11][화학식 2-9] [화학식 2-12][화학식 2-13] [화학식 2-16][화학식 2-14] [화학식 2-17][화학식 2-15] [화학식 2-18][화학식 2-19] [화학식 2-22][화학식 2-20] [화학식 2-23][화학식 2-21] [화학식 2-24][화학식 2-25] [화학식 2-28][화학식 2-26] [화학식 2-29][화학식 2-27] [화학식 2-30][화학식 2-31] [화학식 2-34][화학식 2-32] [화학식 2-35][화학식 2-33] [화학식 2-36][화학식 2-37] [화학식 2-40][화학식 2-38] [화학식 2-41][화학식 2-39] [화학식 2-42][화학식 2-43] [화학식 2-46][화학식 2-44] [화학식 2-47][화학식 2-45] [화학식 2-48][화학식 2-49] [화학식 2-52][화학식 2-50] [화학식 2-53][화학식 2-51] [화학식 2-54][화학식 2-55] [화학식 2-58][화학식 2-56] [화학식 2-59][화학식 2-57] [화학식 2-60][화학식 2-61] [화학식 2-64][화학식 2-62] [화학식 2-65][화학식 2-63] [화학식 2-66][화학식 2-67] [화학식 2-70][화학식 2-68] [화학식 2-71][화학식 2-69] [화학식 2-72][화학식 2-73] [화학식 2-76][화학식 2-74] [화학식 2-77][화학식 2-75] [화학식 2-78][화학식 2-79] [화학식 2-82][화학식 2-80] [화학식 2-83][화학식 2-81] [화학식 2-84][화학식 2-85] [화학식 2-88][화학식 2-86] [화학식 2-89][화학식 2-87] [화학식 2-90][화학식 2-91] [화학식 2-94][화학식 2-92] [화학식 2-95][화학식 2-93] [화학식 2-96][화학식 2-97] [화학식 2-100][화학식 2-98] [화학식 2-101][화학식 2-99] [화학식 2-102][화학식 2-103] [화학식 3-2][화학식 2-104] [화학식 3-3][화학식 3-1] [화학식 3-4][화학식 4-1] [화학식 4-5][화학식 4-2] [화학식 4-6][화학식 4-3] [화학식 4-7][화학식 4-4] [화학식 4-8][화학식 4-9] [화학식 4-13][화학식 4-10] [화학식 4-14][화학식 4-11] [화학식 6-1][화학식 4-12] [화학식 6-2]
- 제1항의 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 유기박막층.
- 제4항에 있어서,상기 유기박막층이 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 또는 발광층(EML)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 유기박막층.
- 애노드와 캐소드 사이에 하나 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 제4항 기재의 유기박막층을 적어도 1 개층 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제6항 기재의 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
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