KR20080097201A - 신규 생성물 - Google Patents

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KR20080097201A
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Abstract

본 발명은 중합체 코팅을 갖는 전기 또는 전자 장치로서, 상기 장치를, 전기 또는 전자 장치의 표면 상에 중합체 층을 형성시키기에 충분한 시간 동안 하기 화학식 I의 화합물을 포함하는 펄스 플라즈마에 노출시켜 형성되는 것을 제공한다:
[화학식 I]
Figure 112008059267012-PCT00009
상기 식에서,
R1, R2 및 R3은 독립적으로 수소, 알킬, 할로알킬 또는 할로로 임의 치환된 아릴에서 선택되고;
R4는 X-R5 기(이때, R5는 알킬 또는 할로알킬 기이고, X는 결합임), 화학식 -C(O)O(CH2)nY- 기(이때, n은 1 내지 10의 정수이고 Y는 결합이거나 또는 설폰아미드기임), 또는 -(O)pR6(O)q(CH2)t- 기(이때, R6은 할로로 임의 치환된 아릴이고, p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이며, t는 0 또는 1 내지 10의 정수이나, 단 q가 1일때, t는 0 이외의 수임)이다. 이러한 유형의 장치는 액체, 특히 주위 액체에 의한 오염으로부터 보호된다.

Description

신규 생성물{NOVEL PRODUCTS}
본 발명은 액체 손상, 예컨대 환경적인 손상, 특히 물 또는 기타 액체로부터 보호하기 위해 처리되는 전기 또는 전자 장치 형태의 신규 생성물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
전기 또는 전자 장치는 액체, 예컨대 주위 액체, 특히 물에 의한 오염으로 야기되는 손상에 매우 민감한 것으로 잘 공지되어 있다. 정상적인 사용 과정에서 또는 우발적인 노출의 결과로, 액체와의 접촉은 전자 부품 간 단락, 및 회로 보드, 전자 칩에의 복구불가한 손상을 초래할 수 있다.
외부에서 이동시 유의적인 액체 오염에 노출될 수 있는, 작은 휴대용 전자 장치, 예컨대 휴대 전화, 호출기, 라디오, 보청기, 휴대용 컴퓨터, 노트북, 팜탑 컴퓨터 및 개인 휴대 정보 단말기(PDA)와 관련하여 문제가 특히 심각하다. 또한, 이들은 액체에 우발적으로 노출, 예컨대 튀게 되거나 떨어뜨리기 쉽다.
또한, 다른 유형의 전기 또는 전자 장치는, 특히, 예를 들어 이의 위치로 인해, 예컨대 야외 조명 시스템, 라디오 안테나 및 기타 형태의 통신 장비에 환경적인 손상을 입기 쉽다.
하지만, 이러한 유형의 대부분의 장치들은 우발적 유출 등에 의해 손상된다. 특정예는 데스크탑 장치, 예컨대 키보드, 또는 예를 들어 녹음실에서 사용되는 기구를 포함할 수 있다.
음향 재생에 사용되고 확성기, 마이크로폰, 신호기 및 버저(buzzer)와 같은 변환기를 사용하는 장치와 관련하여 특정한 문제가 발생한다. 이들은 우발적 노출 또는 환경적 요인, 예컨대 비 또는 사용되고 있는 스프레이의 결과로, 액체 오염에 의해 특히 손상되기 쉽다. 다수의 경우에 있어서, 장치, 특히 가장 경제적인 것에 사용되는 막 또는 격판(diaphragm)은 어느 정도 액체를 흡착하며, 예를 들어 물에 노출된 경우, 상당량을 흡수할 것이다. 이것은 유의적으로 변환기의 운용력에 영향을 미치며 따라서 음질 재생에 곤란을 겪게된다.
다수의 마이크로폰에는 변환기 주변에 개방 기공 발포성 플라스틱 인클로저(enclosure)가 제공된다. 하지만, 이들은 기체 투과성이어야 하며 이들은 액체 오염에 대해 완전한 보호를 제공하지는 않는다.
과거에는, 마이크로폰 내에 추가의 물 보호 수단을 도입함으로써 이러한 문제를 해결하였다. 다수의 경우, 이는 장치 내 물-불투과성 다공성 막, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 막(예, WO/01/03468 또는 USP 5,420,570 참조)을 포함한다. 모든 경우에 있어서, 이러한 막은 변환기의 민감도를 낮춰 음질에 불리한 영향을 주게 된다.
다른 경우에 있어서, GB 2,364,463에 기술된 바와 같이, 픽업 장치를 삽입하는 정공과 고체인 더욱 견고한 보호용 덮개를 제공한다. 상기 해법은 비용이 많이 들고 복잡하며 특정하게 한정된 상황에만 적당하다.
플라즈마 증착 기술은 일정 범위의 표면, 특히 직물 표면 상에 중합체 코팅을 증착시키는데 상당히 광범위하게 사용되어 왔다. 이러한 기술은 통상적인 습식 화학적 방법과 비교하였을 때 폐기물을 적게 발생시키는 청정한 건식 기술인 것으로 인식되고 있다. 이 방법을 사용하여 유기 분자로부터 플라즈마를 발생시키며, 이는 전기장에서 실시된다. 이것을 기재의 존재 하에 실시하는 경우, 플라즈마 내 화합물의 라디칼은 기재 상에서 중합시킨다. 통상적인 중합체 합성은 단량체 종과 강한 유사성을 갖는 반복 단위 함유 구조를 생성하려는 경향이 있는 반면, 플라즈마를 사용하여 발생된 중합체 네트워크는 극도로 복잡할 수 있다. 생성된 코팅의 특성은 기재의 성질 및 사용된 단량체의 성질 및 이들이 증착되는 조건에 따라 달라질 수 있다.
본 출원인들은, 특정 증착 조건 하에서 특정 유형의 단량체를 사용하여, 그 위에 고도의 발액성 나노 코팅을 갖는 전기 또는 전자 장치가 장치의 효능에 영향을 미치지 않도록 제조될 수 있음을 밝혀내었다.
본 발명에 따르면, 중합체 코팅을 갖는 전기 또는 전자 장치로서, 상기 장치를, 전기 또는 전자 장치의 표면 상에 보호용 중합체 층을 형성시키기에 충분한 시간 동안 하기 화학식 I의 화합물을 포함하는 펄스 플라즈마에 노출시켜 형성시키는 것을 제공한다:
Figure 112008059267012-PCT00001
상기 식에서,
R1, R2 및 R3은 독립적으로 수소, 알킬, 할로알킬 또는 할로로 임의 치환된 아릴에서 선택되고;
R4는 X-R5 기(이때, R5는 알킬 또는 할로알킬 기이고, X는 결합임), 화학식 -C(O)O(CH2)nY- 기(이때, n은 1 내지 10의 정수이고 Y는 결합이거나 또는 설폰아미드기임), 또는 -(O)pR6(O)q(CH2)t- 기(이때, R6은 할로로 임의 치환된 아릴이고, p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이며, t는 0 또는 1 내지 10의 정수이나, 단 q가 1일때, t는 0 이외의 수임)이다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "기체 상태 내"란 단독 또는 혼합 기체 또는 증기, 또한 에어로졸을 말한다.
용어 "보호용 중합체 층"이란 액체 손상에 대해 일정한 보호를 제공하며, 특히 발액성(예, 발유성 및 발수성)이 있는 중합체 층을 말한다. 장치가 보호되어야 하는 액체의 공급원은 주위 액체, 예컨대 물, 특히 비, 및 임의의 기타 오일 또는 우발적으로 유출될 수 있는 액체를 포함한다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "전기 또는 전자 장치"란 사용될 수 있는 임 의의 전기 또는 전자 장비, 및 이의 부품, 예컨대 인쇄 회로 기판(PCB), 트랜지스터, 레지스터, 전자 부품 또는 반도체 칩을 말한다. 하지만, 특히, 코팅은 완전하게 조립된 장치, 예컨대 완전하게 조립된 휴대 전화, 또는 마이크로폰의 외부 표면에 도포된다. 이러한 경우에 있어서, 중합체 층은, 예를 들어 부품 내부에 어떠한 액체도 도달하지 못하도록 외부 케이스 또는 발포성 덮개, 및 제어 버튼 또는 스위치와 같은 임의의 노출 부품에 도포될 것이다.
본 출원인은 중합체 층이, 상이한 기판 재료, 예컨대 (발포성 플라스틱을 비롯한) 상이한 플라스틱의 조합, 금속 및/또는 유리 표면을 포함하는 장치를 비롯하여 장치의 전체 표면의 도처에 형성되어, 놀랍게도 전체 장치에 발액성이 부여되는 것을 발견하였다. 심지어 방수 관계가 아닌 경우에도, 예를 들어 주변 케이스에 연결되어 있지 않은 휴대 전화 상의 누름 버튼의 경우에도, 이러한 방식으로 증착된 중합체 층은 버튼의 가장자리 주변 장치로 침투하는 액체를 방지하기에 충분한 발액성이 있다. 따라서, 예를 들어 통상 액체 손상에 상당히 민감한 휴대 전화를 본 발명의 처리 후 물에 완전하게 침지시켜도 어떠한 영구적인 유해가 없을 수 있음을 발견하였다.
임의의 액체에 침지시킬 필요없이 코팅을 수행하기 때문에, 이 절차에의 노출의 결과로서 장치의 조작에는 아무런 위험이 없다.
이의 광범위한 응용성은 본 발명의 절차에 특히 유리하다.
전기 또는 전자 장치의 특정예는 통신 장치, 예컨대 휴대 전화 및 호출기, 라디오 및 음향 및 오디오 시스템, 예컨대 확성기, 마이크로폰, 신호기 또는 버저, 보청기, 개인용 오디오 장비, 예컨대 개인용 CD, 테이프 카세트 또는 MP3 플레이어, 텔레비젼, 휴대용 DVD 플레이어를 비롯한 DVD 플레이어, 비디오 녹화기, 디지 및 기타 세트톱 박스, 예컨대 Sky, 컴퓨터 및 관련 부품, 예컨대 휴대용 컴퓨터, 노트북 또는 팜탑 컴퓨터, 개인 휴대 정보 단말기(PAD), 키보드, 또는 기구, 게임 콘솔, 특히 포켓용 플레이스테이션 등, 또는 야외 조명 시스템을 포함한다.
다른 특정예는, 특히 물 오염의 위험이 있는 전기 또는 전자 부품, 예를 들어 항공기 및 기차, 자동차와 같은 기타 운송 장비를 포함한 운송 수단과, 군에서 사용되는 것과 같은 기타 운송 수단, 및 세탁기 및 식기세척기와 같은 기타 장치에서 사용되는 것들을 포함할 수 있다.
특정 구체예에 있어서, 전기 또는 전자 장치는 마이크로폰이다. 상기 정의된 방법을 사용함으로써, 상당히 유리한 마이크로폰이 제조되었다. 특히, 이러한 방법을 사용한 주요 특징 및 이점은 마이크로폰의 케이스, 특히 발포성 덮개를 코팅함으로써 변환기가 임의의 음질 손실 없이 액체 오염으로부터 보호된다는 점이다. 막을 사용하여 실현하는 것과 같거나 이보다 나은 보호의 수준이란 음질의 임의의 생성 "머플링(muffling)" 없이 실현되는 것이고, 이는 상기 막을 사용할 경우의 특징이다.
발포성 덮개에 적용되는 경우, 상기 층은 발포체의 다공성에 영향을 미치지 않는다. 즉, 층은 어떤 방식으로도 발포체의 기공을 막거나 공기 투과성에 영향을 주기에 충분하지 않다. 하지만, 기공의 전체 표면에는 발액성이 부여되며, 이것은 액체가 발포체를 침투하지 못하도록 하기에 충분하다.
하지만, 소형 마이크로폰을 도입하는 장치, 예컨대 상기 정의된 통신 장치 및 음향 및 오디오 시스템, 특히 최종 전화의 코팅이 보호 수준을 추가로 향상시킬 수 있는 휴대 전화와 관련하여 유사한 이점이 발생한다.
이러한 방식으로 처리된 전기 또는 전자 장치는 물 및 오일 손상에 대해 유의적인 정도로 보호된다.
플라즈마 중합이 효과적인 방식으로 발생하는 정확한 조건은 요건들, 예컨대 중합체의 성질, 전기 또는 전자 장치 등에 따라 달라지며 일상적인 방법 및/또는 기술을 사용하여 측정될 것이다.
본 발명의 방법에 사용하기 위해 적당한 플라즈마는 비평형 플라즈마, 예컨대 무선 주파수(Rf), 마이크로파 또는 직류(DC)에 의해 발생된 것을 포함한다. 이들은 대기압 또는 대기압 이하(sub-atmospheric pressure)에서 당분야에 공지된 바와 같이 작동시킬 수 있다. 하지만, 특히 이들은 무선 주파수(Rf)에 의해 발생된다.
다양한 형태의 장비는 기상 플라즈마를 발생시키는데 사용될 수 있다. 이는 통상 플라즈마가 발생될 수 있는 컨테이너 또는 플라즈마 챔버를 포함한다. 그러한 장비의 특정예는, 예를 들어 WO2005/089961 및 WO02/28548(이의 내용은 본원에 참고 인용됨)에 기술되어 있으나, 다수의 다른 통상적인 플라즈마 발생 장치도 이용 가능하다.
일반적으로, 처리될 물품들은 기체 상태에서 증착될 재료와 함께 플라즈마 챔버 내에 위치시키고, 챔버 내에서 글로우 방전을 점화하고 적당한 전압을 인가하 면 펄스될 수 있다.
플라즈마 내에 사용된 기체는 단량체 화합물의 증기를 단독으로 포함할 수 있지만, 이는 담체 기체, 특히 불활성 기체, 예컨대 헬륨 또는 아르곤과 합해질 수 있다. 특히 헬륨은 단량체의 단편화를 최소화시킬 수 있기 때문에 바람직한 담체 기체이다.
혼합물로 사용하는 경우, 단량체 증기 대 담체 기체의 상대량은 당분야에 통상적인 절차에 따라 적당하게 결정된다. 첨가된 단량체의 양은 사용될 특정 단량체의 성질, 처리될 실험실 일회용품(disposable)의 성질, 플라즈마 챔버의 크기 등에 따라 일정 범위로 달라질 것이다. 통상, 일반적인 챔버의 경우, 단량체는 50∼250 mg/분의 양으로, 예컨대 100∼150 mg/분의 속도에서 전달된다. 담체 기체, 예컨대 헬륨은 일정 속도, 예컨대 5∼90, 예컨대 15∼30 sccm의 속도에서 적당하게 투여된다. 일부 경우에 있어서, 단량체 대 담체 기체의 비율은 100:1 내지 1:100의 범위, 예컨대 10:1 내지 1:100의 범위, 특히 약 1:1 내지 1:10일 것이다. 선택된 정확한 비율이 보장되도록 상기 방법에 의해 요구되는 유속을 달성할 것이다.
대안적으로, 단량체는, 예를 들어 WO2003/097245 및 WO03/101621(이의 내용은 본원에 참고 인용됨)에 기술된 바와 같이, 에어로졸 장치, 예컨대 연무제 등의 방식으로 챔버 내로 전달될 수 있다.
일부 경우에 있어서, 예비 연속 전력 플라즈마는, 예를 들어 2∼10분, 예컨대 약 4분 동안 챔버 내에서 공급될 수 있다. 이것은 표면 전처리 단계로서 작용할 수 있으며, 단량체 자체가 표면에 용이하게 결합하여서, 중합이 발생하고, 표면 상 에 코팅이 "성장"한다. 전처리 단계는 단량체가 챔버에 도입되기 전에 불활성 기체만의 존재 하에서 실시될 수 있다.
이후 플라즈마는 펄스 플라즈마로 적당하게 전환되어 적어도 단량체가 존재하는 경우 계속해서 중합될 수 있다.
모든 경우에 있어서, 글로우 방전은 고주파 전압, 예컨대 13.56 MHz가 인가됨으로써 적당하게 점화된다. 이는, 챔버의 내부 또는 외부일 수 있는데, 대부분의 챔버의 경우에서는 내부에서 전극을 사용하여 적당하게 인가된다.
적당하게는, 기체, 증기 또는 기체 혼합물은 1분 당(sccm) 1 표준 cm3 이상, 바람직하게는 1∼100 sccm의 범위에서 공급된다.
단량체 증기의 경우에 있어서는, 중합체의 성질에 따라 80∼300 mg/분, 예컨대 약 120 mg/분의 속도에서 공급되는 동안 펄스 전압이 인가된다.
기체 또는 증기는 플라즈마 영역으로 빼내지거나 펌프될 수 있다. 특히, 플라즈마 챔버를 사용하는 경우, 진공 펌프의 사용으로 야기된 챔버 내 압력 감소로 인해 기체 또는 증기가 챔버로 빼내질 수 있거나 액체 취급에 일반적인 챔버로 펌핑되거나 주입될 수 있다.
중합은 화학식 I의 화합물의 증기를 사용하여 적당하게 실시되며, 0.1∼200 mtorr, 적당하게는 약 80∼100 mtorr의 압력에서 유지된다.
인가된 장은 펄스 장으로서 인가되는 40∼500 W의 전력, 적당하게는 약 100 W 피크 전력이 적당하다. 펄스는 매우 낮은 평균 전력을 형성하는 시퀀스, 예컨대 통전 시간 : 비통전 시간의 비가 1:500 내지 1:1500의 범위인 시퀀스로 인가된다. 이러한 시퀀스의 특정예는 전력이 20∼50 μs, 예를 들어 약 30 μs 동안 공급되고 1000 μs∼30000 μs, 특히 약 20000 μs 동안 공급되지 않는 시퀀스이다. 이러한 방식으로 얻은 통상적인 평균 전력은 0.01 W이다.
상기 장은 화학식 I의 화합물 및 전기 또는 전자 장치 등의 성질에 따라 30초∼90분, 바람직하게는 5∼60분이 적당하게 인가된다.
적당하게 사용된 플라즈마 챔버는 동시에 다수의 전기 또는 전자 장치를 수용하기 위해 충분한 부피이고, 특히 이들 크기가 작은 경우, 예컨대 동시에 용이하게 가공될 수 있는 마이크로폰 헤드가 최대 20,000개이며, 올바른 크기의 장비일 때에는 더욱 더 많은 수가 수용된다.
본 발명에 따라 전기 또는 전자 장치를 제조하기 위해 특히 적당한 장치 및 방법은 WO2005/089961에 기술되며, 이의 내용은 본원에 참고 인용된다.
특히, 이러한 유형의 큰 부피 챔버를 사용하는 경우, 0.001∼500 w/m3, 예컨대 0.001∼100 w/m3, 및 적당하게는 0.005∼0.5 w/m3의 평균 전력에서 펄스 장으로서의 전압으로 플라즈마를 생성한다.
이러한 조건은 거대한 챔버, 예컨대 플라즈마 구역이 500 cm3 이상, 예컨대 0.5 m3 이상, 예컨대 0.5 m3∼10 m3, 적당하게는 약 1 m3의 부피를 갖는 챔버에서 양호한 품질의 균질한 코팅을 증착시키기 위해 특히 적당하다. 이러한 방식으로 형성 된 층은 양호한 기계적 강도를 갖는다.
챔버의 치수는 처리될 특정 전기 또는 전자 장치를 수용하도록 선택될 것이다. 예를 들어, 통상적인 주사위형 챔버는 광범위한 범위의 분야에 적당할 수 있지만, 필요한 경우, 길거나 직사각형의 챔버, 또는 실제로 원통형, 또는 기타 임의의 적당한 형태로 구성될 수 있다.
챔버는 뱃치 공정을 실시할 수 있는 밀봉가능한 컨테이너일 수 있거나, 연속 공정에 사용될 수 있는 전기 또는 전자 장치를 위한 유입구 및 유출구를 포함할 수 있다. 특히 후자의 경우, 챔버 내에 플라즈마 배출물을 생성하기 위해 필요한 압력 조건은, 예컨대 "휘슬 누출(whistling leak)"이 있는 장치 내에 통상적인 고부피 펌프를 사용하여 유지된다. 하지만, 또한 대기압 또는 대기압에 가까운 압력에서 "휘슬 누출"의 필요를 부정하는 일정 물품을 가공할 수도 있다.
사용되는 단량체는 상기 정의된 바와 같이 화학식 I의 단량체로부터 선택된다. R1, R2, R3 및 R5에 적당한 할로알킬기는 플루오로알킬기이다. 알킬 쇄는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고 환형 부분을 포함할 수 있다.
R5의 경우, 알킬 쇄는 적당하게는 2개 이상의 탄소 원자, 적당하게는 2∼20개의 탄소 원자 및 바람직하게는 6∼12개의 탄소 원자를 포함한다.
R1, R2 및 R3의 경우, 알킬 쇄는 통상 1∼6개의 탄소 원자를 갖는 것이 바람직하다.
바람직하게는 R5는 화학식 CmF2m +1(이때, m은 1 이상의 정수, 적당하게는 1∼20, 바람직하게는 4∼12, 예컨대 4, 6 또는 8임)의 할로알킬, 더욱 바람직하게는 퍼할로알킬 기, 특히 퍼플루오로알킬기이다.
R1, R2 및 R3에 적당한 알킬기는 1∼6개의 탄소 원자를 갖는다.
일 구체예에 있어서, R1, R2 및 R3 중 하나 이상은 수소이다. 특정 구체예에 있어서, R1, R2 및 R3은 모두 수소이다. 하지만, 추가 구체예에 있어서, R3은 알킬기, 예컨대 메틸 또는 프로필이다.
X가 -C(O)O(CH2)nY- 기인 경우, n은 적당한 스페이서 기를 제공하는 정수이다. 특히, n은 1∼5, 바람직하게는 약 2이다.
Y에 적당한 설폰아미드기는 화학식 N(R7)SO2-(이때, R7은 수소 또는 알킬, 예컨대 C1 - 4알킬, 특히 메틸 또는 에틸임)의 것을 포함한다.
일 구체예에 있어서, 화학식 I의 화합물은 하기 화학식 II의 화합물이다:
CH2=CH-R5
상기 식에서,
R5는 화학식 I과 관련하여 상기 정의된 바와 같다.
화학식 II의 화합물에 있어서, 화학식 I 중 X는 결합이다.
하지만, 바람직한 구체예에 있어서, 화학식 I의 화합물은 하기 화학식 III의 아크릴레이트이다:
CH2=CR7C(O)O(CH2)nR5
상기 식에서,
n 및 R5는 화학식 I과 관련하여 상기 정의된 바와 같고, R7은 수소, C1 - 10알킬, 또는 C1 - 10할로알킬이다. 특히 R7은 수소 또는 C1 - 6알킬, 예컨대 메틸이다. 화학식 III의 화합물의 특정예는 하기 화학식 IV의 화합물이다:
Figure 112008059267012-PCT00002
상기 식에서,
R7은 상기 정의된 바와 같고, 특히 수소이며, x는 1∼9의 정수, 예컨대 4∼9, 바람직하게는 7이다. 이러한 경우에 있어서, 화학식 IV의 화합물은 1H,1H,2H,2H-헵타디카플루오로데실아실레이트이다.
추가 측면에 있어서, 본 발명은 액체 손상에 대해 전기 또는 전자 장치를 보 호하는 방법으로서, 상기 장치를, 전기 또는 전자 장치의 표면 상에 보호용 중합체 층을 형성시키기에 충분한 시간 동안 기체 상태의 하기 화학식 I의 화합물을 포함하는 펄스 플라스마에 노출시키는 단계를 포함하는 방법을 제공한다:
[화학식 I]
Figure 112008059267012-PCT00003
상기 식에서,
R1, R2 및 R3은 독립적으로 수소, 알킬, 할로알킬 또는 할로로 임의 치환된 아릴에서 선택되고;
R4는 X-R5 기(이때, R5는 알킬 또는 할로알킬 기이고, X는 결합임), 화학식 -C(O)O(CH2)nY- 기(이때, n은 1 내지 10의 정수이고 Y는 결합이거나 또는 설폰아미드기임), 또는 -(O)pR6(O)q(CH2)t- 기(이때, R6은 할로로 임의 치환된 아릴이고, p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이며, t는 0 또는 1 내지 10의 정수이나, 단 q가 1일때, t는 0 이외의 수임)이다.
상기 장치로부터 보호되는 액체 손상은 주위 액체, 예컨대 물, 특히 비, 또는 장치 상에 우발적으로 유출될 수 있는 임의의 기타 액체를 포함한다.
적당하게는, 전기 또는 전자 장치를 플라스마 증착 챔버에 위치시키고, 상기 챔버 내에서 글로우 방전을 점화시켜, 펄스 장으로서 전압을 인가한다.
이러한 방법에 사용하기 위해 적당한 단량체 및 반응 조건은 상기 기술된 바와 같다.
본 발명은 특히 이하 실시예에 의해 기술될 것이다.
한 세트의 100개의 마이크로폰을 가공 부피가 ∼300 ℓ인 플라즈마 챔버 내에 위치시켰다. 질량 흐름 조절기 및/또는 액체 질량 흐름 계량기 및 혼합용 주입기 또는 적절한 경우 임의의 기타 증기/기체 도입 장치를 통해 요구된 기체 또는 증기의 공급기에 챔버를 연결시켰다.
20 sccm에서 챔버 내로 헬륨을 넣기 전에 80 mtorr의 압력에 도달할 때까지 챔버를 3∼10 mtorr 기본 압력으로 진공시켰다. 이후 연속 전력 플라즈마는 RF를 사용하여 13.56 MHz, 300 W에서 4분 동안 공급되었다.
이러한 기간 후, 120 mg/분의 속도에서 챔버로 화학식
Figure 112008059267012-PCT00004
의 1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실아실레이트(CAS # 27905-45-9)를 운반하고 통전 시간 30 ms 및 비통전 시간 20 ms, 100 W의 피크 전력에서 40분 동안 플라즈마를 펄스 플라즈마로 전환하였다. 40분이 완료되면, 가공 기체 및 증기와 함께 플라즈마 전력을 끄고 기본 압력으로 낮춰 챔버를 다시 진공시켰다. 이후 챔버를 대기압에 내보내고 마이크로폰을 꺼냈다.
마이크로폰 헤드가 물과의 문제로부터 보호되도록 발수성 및 발유성으로 덮혀있는 것을 발견하였다.

Claims (30)

  1. 중합체 코팅을 갖는 전기 또는 전자 장치로서, 상기 장치를, 전기 또는 전자 장치의 표면 상에 보호용 중합체 층을 형성시키기에 충분한 시간 동안 하기 화학식 I의 화합물을 포함하는 펄스 플라즈마에 노출시켜 형성시키는 것인 전기 또는 전자 장치:
    [화학식 I]
    Figure 112008059267012-PCT00005
    상기 식에서,
    R1, R2 및 R3은 독립적으로 수소, 알킬, 할로알킬 또는 할로로 임의 치환된 아릴에서 선택되고;
    R4는 X-R5 기(이때, R5는 알킬 또는 할로알킬 기이고, X는 결합임), 화학식 -C(O)O(CH2)nY- 기(이때, n은 1 내지 10의 정수이고 Y는 결합이거나 또는 설폰아미드기임), 또는 -(O)pR6(O)q(CH2)t- 기(이때, R6은 할로로 임의 치환된 아릴이고, p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이며, t는 0 또는 1 내지 10의 정수이나, 단 q가 1일때, t는 0 이외의 수임)이다.
  2. 제1항에 있어서, 통신 장치, 음향 또는 오디오 시스템 장치, 컴퓨터 또는 컴퓨터 관련 부품, 야외 조명 시스템, 또는 운송 수단, 세탁기 및 식기세척기에 사용되는 전기 또는 전자 장치, 또는 임의의 이들의 부품에서 선택되는 것인 전기 또는 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서, 음향 또는 오디오 시스템 장치인 전기 또는 전자 장치.
  4. 제3항에 있어서, 확성기, 마이크로폰, 신호기 또는 버저인 전기 또는 전자 장치.
  5. 제4항에 있어서, 마이크로폰인 전기 또는 전자 장치.
  6. 제4항에 있어서, 마이크로폰은 발포성 플라스틱 덮개를 포함하고 중합체 층이 그 위에 존재하는 전기 또는 전자 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 전기 또는 전자 장치는 플라즈마 증착 챔버 내에서 펄스 플라즈마에 노출되는 것인 전기 또는 전자 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서, 화학식 I의 화합물은 하기 화학식 II의 화합물 또는 하기 화학식 III의 화합물인 전기 또는 전자 장치:
    [화학식 II]
    CH2=CH-R5
    (상기 식에서, R5는 제1항에 정의된 바와 같음);
    [화학식 III]
    CH2=CR7C(O)O(CH2)nR5
    (상기 식에서, n 및 R5는 제1항에 정의된 바와 같고, R7은 수소, C1 - 10알킬, 또는 C1 - 10할로알킬임)
  9. 제8항에 있어서, 화학식 I의 화합물은 화학식 III의 화합물인 전기 또는 전자 장치.
  10. 제9항에 있어서, 화학식 III의 화합물은 하기 화학식 IV의 화합물인 전기 또는 전자 장치:
    [화학식 IV]
    Figure 112008059267012-PCT00006
    (상기 식에서, R7은 제8항에 정의된 바와 같고, x는 1∼9의 정수임)
  11. 제10항에 있어서, 화학식 IV의 화합물은 1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실아실레이트인 전기 또는 전자 장치.
  12. 액체 손상에 대해 전기 또는 전자 장치를 보호하는 방법으로서, 상기 장치를, 전기 또는 전자 장치의 표면 상에 보호용 중합체 층을 형성시키기에 충분한 시간 동안 기체 상태의 하기 화학식 I의 화합물을 포함하는 펄스 플라스마에 노출시키는 단계를 포함하는 방법:
    [화학식 I]
    Figure 112008059267012-PCT00007
    상기 식에서,
    R1, R2 및 R3은 독립적으로 수소, 알킬, 할로알킬 또는 할로로 임의 치환된 아릴에서 선택되고;
    R4는 X-R5 기(이때, R5는 알킬 또는 할로알킬 기이고, X는 결합임), 화학식 -C(O)O(CH2)nY- 기(이때, n은 1 내지 10의 정수이고 Y는 결합이거나 또는 설폰아미드기임), 또는 -(O)pR6(O)q(CH2)t- 기(이때, R6은 할로로 임의 치환된 아릴이고, p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이며, t는 0 또는 1 내지 10의 정수이나, 단 q가 1일 때, t는 0 이외의 수임)이다.
  13. 제12항에 있어서, 전기 또는 전자 장치를 플라즈마 증착 챔버에 위치시키고, 상기 챔버 내에서 글로우 방전을 점화시켜 펄스 장으로서 전압을 인가하는 것인 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 인가된 전압은 40∼500 W의 전력에서의 전압인 방법.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 하나의 항에 있어서, 전압은 통전 시간 : 비통전 시간의 비가 1:500 내지 1:1500의 범위인 시퀀스로 펄스되는 것인 방법.
  16. 제15항에 있어서, 전압은, 전력이 20∼50 μs 동안 공급되고 1000 μs∼30000 μs 동안 공급되지 않는 시퀀스로 펄스되는 것인 방법.
  17. 제12항 내지 제16항 중 어느 하나의 항에 있어서, 전압은 30초∼90분 동안 펄스 장으로서 인가하는 것인 방법.
  18. 제17항에 있어서, 전압은 5∼60분 동안 펄스 장으로서 인가하는 것인 방법.
  19. 제12항 내지 제18항 중 어느 하나의 항에 있어서, 전처리 단계에서, 연속 전력 플라즈마를 전기 또는 전자 장치에 적용하는 것인 방법.
  20. 제19항에 있어서, 전처리 단계는 불활성 기체의 존재 하에서 실시하는 것인 방법.
  21. 제12항 내지 제20항 중 어느 하나의 항에 있어서, 펄스 전압을 인가하는 동안, 기체 형태의 화학식 I의 화합물을 80∼300 mg/분의 속도로 플라즈마에 공급하는 것인 방법.
  22. 제12항 내지 제21항 중 어느 하나의 항에 있어서, 플라즈마는 0.001∼500 w/m3의 평균 전력에서의 전압으로 생성되는 것인 방법.
  23. 제22항에 있어서, 플라즈마는 0.001∼100 w/m3의 평균 전력에서의 전압으로 생성되는 것인 방법.
  24. 제23항에 있어서, 플라즈마는 0.005∼0.5 w/m3의 평균 전력에서의 전압으로 생성되는 것인 방법.
  25. 제12항 내지 제24항 중 어느 하나의 항에 있어서, 화학식 I의 화합물은 하기 화학식 II의 화합물 또는 하기 화학식 III의 화합물인 방법:
    [화학식 II]
    CH2=CH-R5
    (상기 식에서, R5는 제1항에 정의된 바와 같음);
    [화학식 III]
    CH2=CR7C(O)O(CH2)nR5
    (상기 식에서, n 및 R5는 제1항에 정의된 바와 같고, R7은 수소, C1 - 10알킬, 또는 C1 - 10할로알킬임)
  26. 제25항에 있어서, 화학식 I의 화합물은 화학식 III의 화합물인 방법.
  27. 제26항에 있어서, 화학식 III의 화합물은 하기 화학식 IV의 화합물인 방법:
    [화학식 IV]
    Figure 112008059267012-PCT00008
    (상기 식에서, R7은 제8항에 정의된 바와 같고, x는 1∼9의 정수임)
  28. 제26항에 있어서, 화학식 IV의 화합물은 1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실아크릴레이트인 방법.
  29. 실질적으로 실시예를 참조하여 상기 기술한 바와 같은 전기 또는 전자 장치.
  30. 실질적으로 실시예를 참조하여 상기 기술한 바와 같이 액체 손상에 대해 전기 또는 전자 장치를 보호하는 방법.
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