KR20080091986A - Chemical vapor deposition apparatus for flat display - Google Patents

Chemical vapor deposition apparatus for flat display Download PDF

Info

Publication number
KR20080091986A
KR20080091986A KR1020070035197A KR20070035197A KR20080091986A KR 20080091986 A KR20080091986 A KR 20080091986A KR 1020070035197 A KR1020070035197 A KR 1020070035197A KR 20070035197 A KR20070035197 A KR 20070035197A KR 20080091986 A KR20080091986 A KR 20080091986A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
strip
coupled
chamber
fixed
Prior art date
Application number
KR1020070035197A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100889703B1 (en
Inventor
이상문
장상래
박상태
Original Assignee
주식회사 에스에프에이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스에프에이 filed Critical 주식회사 에스에프에이
Priority to KR1020070035197A priority Critical patent/KR100889703B1/en
Publication of KR20080091986A publication Critical patent/KR20080091986A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100889703B1 publication Critical patent/KR100889703B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

A chemical vapor deposition apparatus for a flat display is provided to ground a susceptor to various grounding points of a chamber by using a plurality of strip clamps. A chemical vapor deposition apparatus for a flat display comprises a susceptor(70) installed in a process chamber including upper and lower chambers(10,20), a plurality of strips(45) fixed to the susceptor, and a plurality of strip clamps(50) for grounding the susceptor to the process chamber. The flat display is loaded on the susceptor installed in the lower chamber. The strip clamps are inserted into through holes formed in a bottom wall of the lower chamber. The other ends of the strips are coupled to the strip clamps to ground the susceptor to the process chamber.

Description

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Displays {Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 요부 확대도이다.2 is an enlarged view illustrating main parts of FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 서셉터에 마련되는 다수의 스트립의 위치를 보이기 위한 서셉터의 개략적인 평면도이다.3 is a schematic plan view of the susceptor for showing the position of the plurality of strips provided in the susceptor shown in FIG.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 요부 확대도이다.4 is an enlarged view illustrating main parts of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 스트립 클램프의 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view of the strip clamp shown in FIG. 4. FIG.

도 6은 도 5의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of FIG. 5.

도 7은 도 6의 동작 상태를 보인 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating an operating state of FIG. 6.

도 8 및 도 9는 각각 스트립 클램프의 변형 실시예들을 도시한 사시도이다.8 and 9 are perspective views showing modified embodiments of the strip clamp, respectively.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 상부 챔버 20 : 하부 챔버10: upper chamber 20: lower chamber

20a : 기판출입부 30 : 전극20a: substrate entry part 30: electrode

31 : 가스분배판 32 : 후방플레이트31: gas distribution plate 32: rear plate

35 : 현가지지부재 37 : 가스공급부35: suspension support member 37: gas supply unit

38 : 고주파 전원부 40 : 보강벽부38: high frequency power supply 40: reinforcement wall

45 : 스트립 50 : 스트립 클램프45: strip 50: strip clamp

51 : 클램프본체 51a: 축부51: clamp body 51a: shaft portion

51b: 머리부 52 : 클램핑부51b: head 52: clamping part

70 : 서셉터 72 : 리프트 핀70: susceptor 72: lift pin

74 : 컬럼 76 : 서셉터지지대74: column 76: susceptor support

본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 단순하고도 간편한 방식으로 서셉터의 배면 중앙 영역을 비롯하여 종래보다 많은 지점에서 서셉터를 챔버에 접지시킬 수 있도록 함으로써 서셉터의 충분한 접지를 유도하여 평면디스플레이에 대한 증착막의 품질을 높일 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for planar displays, and more particularly, by allowing the susceptor to be grounded to the chamber at more points than conventionally, including the central region of the rear surface of the susceptor in a simple and convenient manner. The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display which can induce sufficient grounding of the acceptor to increase the quality of the deposited film for the flat panel display.

평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.Flat panel displays are widely used in personal handheld terminals, as well as in TVs and computers.

이러한 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.Such flat displays include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting diodes (OLEDs).

이들 중에서도 특히, LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리 기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.Among them, LCD (Liquid Crystal Display) injects a liquid crystal, which is an intermediate between solid and liquid, between two thin upper and lower glass substrates, and generates contrast by changing the arrangement of liquid crystal molecules by the electrode voltage difference between the upper and lower glass substrates. It is a device using a kind of optical switch phenomenon to display an image.

LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.LCDs are now widely used in electronic clocks, electronic calculators, TVs, notebook PCs, electronic products, automobiles, aircraft speed displays and driving systems.

종전만 하더라도 LCD TV는 20 인치 내지 30 인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17 인치 이하의 크기를 갖는 것이 주류였다. 하지만, 근자에 들어서는 40 인치 이상의 대형 TV와 20 인치 이상의 대형 모니터에 대한 선호도가 높아지고 있다.Previously, LCD TVs have a size of about 20 to 30 inches, and monitors have a mainstream size of 17 inches or less. In recent years, however, the preference for large TVs of 40 inches or larger and large monitors of 20 inches or larger has increased.

따라서 LCD를 제조하는 제조사의 경우, 보다 넓은 유리기판을 제작하기에 이르렀다. 현재에는 가로/세로의 폭이 2 미터(m) 내외에 이르는 소위, 8세대의 유리기판 양산을 눈 앞에 두고 있다.Therefore, manufacturers of LCDs have come to produce wider glass substrates. Currently, there is a mass production of so-called 8th generation glass substrates that are about 2 meters (m) wide.

LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 Module 공정을 통해 제품으로 출시된다.LCD is a TFT process in which processes such as deposition, photo lithography, etching, chemical vapor deposition, etc. are repeatedly performed, a cell process for bonding upper and lower glass substrates, and an apparatus It is released as a product through the completed module process.

한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착 공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 가스분배판으로부터 분출 되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다. 이러한 공정은, 화학 기상 증착 공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다.On the other hand, the chemical vapor deposition process, which is one of numerous processes, is plasma-formed by an external high frequency power source, and silicon-based compound ions having high energy are ejected from the gas distribution plate through the electrodes. It is a process to be deposited on a glass substrate. This process takes place in a chamber that performs a chemical vapor deposition process.

자세히 후술하겠지만, 화학 기상 증착 공정을 수행하는 챔버는 상부 챔버와 하부 챔버로 이루어진다. 상부 챔버에는 전극이 구비되고, 하부 챔버에는 증착 대상의 유리기판이 로딩(loading, 배치)되는 서셉터가 마련된다.As will be described later in detail, the chamber for performing the chemical vapor deposition process is composed of an upper chamber and a lower chamber. An upper chamber is provided with an electrode, and a lower chamber is provided with a susceptor for loading a glass substrate to be deposited.

이에, 서셉터의 상면으로 유리기판이 로딩되면 서셉터가 대략 280~380℃ 정도의 온도로 가열된다. 이후, 서셉터가 상승하여 유리기판은 하부 전극인 가스분배판으로 인접하게 배치된다.Thus, when the glass substrate is loaded on the upper surface of the susceptor, the susceptor is heated to a temperature of about 280 ~ 380 ℃. Subsequently, the susceptor is raised to place the glass substrate adjacent to the gas distribution plate, which is the lower electrode.

그런 다음, 절연체인 테프론에 의해 챔버로부터 절연된 전극을 통해 전원이 인가된다. 이어 수많은 오리피스가 형성된 가스분배판을 통해 실리콘계 화합물 이온이 분출되면서 유리기판의 증착 공정이 수행된다.Then, power is applied through an electrode insulated from the chamber by Teflon, which is an insulator. Subsequently, silicon-based compound ions are ejected through the gas distribution plate in which a large number of orifices are formed, and the deposition process of the glass substrate is performed.

한편, 위와 같은 증착 공정 시 유리기판에 대한 증착막의 품질을 높이기 위해서는 보다 안정적이고 균일한 플라즈마를 얻어야 하며, 이를 위해서 서셉터는 챔버에 접지될 필요가 있다.On the other hand, in order to increase the quality of the deposited film on the glass substrate during the deposition process as described above, a more stable and uniform plasma must be obtained, and for this purpose, the susceptor needs to be grounded to the chamber.

이에, 통상의 화학 기상 증착장치에서는 서셉터에 스트립(Strip)이라 하는 접지선을 마련하고, 챔버의 바닥면에 복수개의 스트립 클램프(Strip Clamp)를 장착하여 스트립을 스트립 클램프에 결합시킴으로써 챔버에 대해 서셉터를 접지시켜 왔다. 이때는 챔버 내에 장착된 거대 구조물인 서셉터와 챔버 내벽 사이의 여유 공간이 협소하기 때문에 접근이 허용되는 서셉터의 둘레 방향 영역에 대해서만 불가피하게 서셉터를 챔버에 접지시켜 왔는데, 이러한 기술이 아직 공개되지 않았지만 본 출원인에 의해 대한민국특허청 특허출원 제2006-0047495호 등에 기재된 바 있다.Therefore, in a conventional chemical vapor deposition apparatus, a ground line called a strip is provided on the susceptor, and a plurality of strip clamps are mounted on the bottom surface of the chamber to couple the strips to the strip clamps. The receptor has been grounded. Since the space between the susceptor, a large structure mounted inside the chamber, and the inner wall of the chamber is narrow, the susceptor is inevitably grounded to the chamber only for the circumferential region of the susceptor to which access is permitted. Although it has been described by the applicant of the Patent Application No. 2006-0047495 et al.

하지만, 앞서도 기술한 바와 같이, 유리기판이 대면적이 될 수록 서셉터의 충분한 접지는 유리기판에 대한 증착막의 품질을 높이는데 보다 유리한 것으로 알려지고 있으므로, 서셉터와 챔버에 각각 보다 많은 수의 스트립과 스트립 클램프를 마련하여 이들을 각각 연결할 필요가 있다.As described above, however, as the glass substrate becomes larger, sufficient grounding of the susceptor is known to be more advantageous for improving the quality of the deposited film on the glass substrate. And strip clamps need to be provided and connected respectively.

다만, 챔버 내에 서셉터가 장착된 후에는, 서셉터의 둘레 방향 영역을 제외하고 챔버의 바닥과 서셉터의 배면 사이의 영역으로 접근하기가 실질적으로 불가능하기 때문에 이에 대한 대책이 고려되어야 할 것으로 본다. 즉, 접지를 위해 챔버로부터 서셉터를 분리하는 것은 공정상 커다란 로스(Loss)이므로 단순하고도 간편한 방식으로 서셉터에 대한 충분한 접지를 구현할 필요가 있는 것이다.However, after the susceptor is mounted in the chamber, it should be considered that a countermeasure should be taken into account because it is practically impossible to access the area between the bottom of the chamber and the back of the susceptor except for the circumferential region of the susceptor. . In other words, separating the susceptor from the chamber for grounding is a large loss in the process, and it is necessary to implement sufficient grounding for the susceptor in a simple and convenient manner.

본 발명의 목적은, 단순하고도 간편한 방식으로 서셉터의 배면 중앙 영역을 비롯하여 종래보다 많은 지점에서 서셉터를 챔버에 접지시킬 수 있도록 함으로써 서셉터의 충분한 접지를 유도하여 평면디스플레이에 대한 증착막의 품질을 높일 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to induce a sufficient grounding of the susceptor by inducing a simple grounding of the susceptor to the chamber at more points than in the prior art, including the center region of the backside of the susceptor in a simple and convenient manner, thereby ensuring the quality of the deposited film for the flat display. It is to provide a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display to increase the.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버 내에 마련되고 상면으로 상기 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터; 일단이 상기 서셉터에 고정되도록 상기 서셉터에 결합되는 다수의 스트립(Strip); 및 상기 챔버의 어느 일 벽면에 형성된 관통공에 착탈 가능하게 결합되며, 상기 다 수의 스트립의 타단 자유단이 결합되어 상기 서셉터를 상기 챔버에 접지(Ground)시키는 다수의 스트립 클램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 의해 달성된다.According to the present invention, a susceptor is provided in the chamber in which the deposition process for the flat display is carried out and the flat display is loaded on the upper surface (Loading); A plurality of strips coupled to the susceptor so that one end is fixed to the susceptor; And a plurality of strip clamps detachably coupled to a through hole formed in one wall of the chamber, and a plurality of strip clamps coupled to other free ends of the plurality of strips to ground the susceptor to the chamber. It is achieved by a chemical vapor deposition apparatus for a planar display.

여기서, 상기 스트립은 상기 서셉터의 배면 외주 영역 및 중앙 영역의 둘레 방향을 따라 다수개로 마련될 수 있다.Here, the strip may be provided in plurality along the circumferential direction of the rear outer circumferential region and the central region of the susceptor.

상기 스트립 클램프는 상기 다수의 스트립과 하나씩 대응되도록 상기 스트립에 대응되는 위치의 하부 챔버 바닥벽에 결합될 수 있다.The strip clamp may be coupled to the lower chamber bottom wall at a position corresponding to the strip so as to correspond to the plurality of strips one by one.

상기 다수의 스트립 클램프 각각은, 상기 관통공에 끼워지면서 결합되며 상기 하부 챔버와 전기적으로 통전되는 금속 재질의 클램프본체; 및 상기 하부 챔버 내부를 향한 상기 클램프본체의 일단부에 결합되어 상기 스트립의 타단 자유단이 실질적으로 결합되는 클램핑부를 포함할 수 있다.Each of the plurality of strip clamps includes: a clamp body made of a metal material coupled to the through hole and electrically connected to the lower chamber; And a clamping part coupled to one end of the clamp main body toward the inside of the lower chamber and having the other free end of the strip substantially coupled thereto.

상기 클램프본체는, 상기 관통공에 실질적으로 억지끼워맞춤되는 축부; 및 상기 축부의 일단에 형성되어 상기 하부 챔버의 배면으로 노출되는 머리부를 포함할 수 있다.The clamp body may include a shaft portion that is substantially fitted with the through hole; And a head portion formed at one end of the shaft portion and exposed to the rear surface of the lower chamber.

한편, 상기 목적은, 본 발명에 따라, 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버 내에 마련되고 상면으로 상기 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터; 상기 서셉터의 배면 외주 영역 및 중앙 영역의 둘레 방향을 따라 일단이 상기 서셉터에 고정되도록 상기 서셉터에 결합되는 다수의 스트립(Strip); 및 작업자의 접근이 허용되는 상기 챔버의 내벽과 상기 서셉터의 외곽 사이 영역의 상기 챔버 바닥면에 마련되어 상기 서셉터의 타단 자유단이 결합되어 상기 서셉터를 상기 챔버에 접지(Ground)시키는 다수의 스트립 클램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치에 의해서도 달성된다.On the other hand, according to the present invention, a susceptor is provided in the chamber in which the deposition process for the planar display is in progress and the planar display is loaded on the upper surface (Loading); A plurality of strips coupled to the susceptor such that one end thereof is fixed to the susceptor in the circumferential direction of the rear outer circumferential region and the central region of the susceptor; And a plurality of free ends coupled to the other end of the susceptor to ground the susceptor to the chamber, provided at the bottom surface of the chamber between an inner wall of the chamber and an outer surface of the susceptor to which an operator is allowed to access. It is also achieved by a chemical vapor deposition apparatus characterized by including a strip clamp.

여기서, 상기 스트립 클램프는, 상기 챔버의 일측벽에 결합되어 고정되는 고정몸체; 상기 고정몸체에 대해 접근 및 이격 가능하도록 상기 고정몸체의 일측에 배치되며, 상기 고정몸체에 접근될 때 상기 고정몸체와 함께 상기 서셉터로부터 연장된 스트립(Strip)을 척킹하여 고정하는 가동몸체; 상기 고정 및 가동몸체에 각각 결합되며, 정역방향으로의 회전에 의해 상기 가동몸체를 상기 고정몸체에 대해 접근 및 이격시키는 회전축부; 및 상기 회전축부를 정역방향으로 회전조작하도록 상기 회전축부의 노출단 영역에 마련되는 회전조작부를 포함할 수 있다.Here, the strip clamp, the fixed body coupled to the fixed side wall of the chamber; A movable body disposed on one side of the fixed body so as to be accessible and spaced from the fixed body, and chucking and fixing a strip extending from the susceptor together with the fixed body when the fixed body is approached; A rotating shaft portion coupled to the fixed and movable bodies, respectively, for approaching and spaced apart from the fixed body by the rotation in the forward and reverse directions; And a rotation manipulation unit provided in an exposed end region of the rotation shaft to rotate the rotation shaft in the forward and reverse directions.

상기 회전축부는 상기 고정 및 가동몸체의 중앙영역에서 상기 고정 및 가동몸체에 각각 나사 결합될 수 있으며, 상기 회전축부 및 상기 고정몸체 사이에 형성된 나사산의 방향과, 상기 회전축부 및 상기 가동몸체 사이에 형성된 나사산의 방향은 서로 반대 방향으로 가공될 수 있다.The rotating shaft portion may be screwed to the fixed and movable body, respectively, in the central region of the fixed and movable body, the direction of the screw thread formed between the rotary shaft portion and the fixed body, and formed between the rotary shaft portion and the movable body The direction of the threads can be machined in opposite directions.

상기 고정 및 가동몸체에는, 상기 고정몸체에 대한 상기 가동몸체의 접근 및 이격을 안내하는 안내부가 더 마련될 수 있다.The fixed and movable body may further be provided with a guide for guiding the approach and separation of the movable body to the fixed body.

상기 안내부는, 상기 고정몸체의 일측면에 함몰형성된 고정홈부; 상기 고정홈부가 형성된 상기 고정몸체의 일측면과 마주보는 상기 가동몸체의 일측면에 함몰형성된 가동홈부; 및 양단이 상기 고정 및 가동홈부에 각각 결합되는 안내봉을 포함할 수 있다.The guide portion, the fixing groove portion formed in one side of the fixed body; A movable groove recessed in one side of the movable body facing one side of the fixed body in which the fixing groove is formed; And both ends may include a guide rod coupled to each of the fixed and movable groove.

상기 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판일 수 있다.The flat panel display may be a large glass substrate for a liquid crystal display (LCD).

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by explaining preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이고, 도 2는 도 1의 요부 확대도이며, 도 3은 도 1에 도시된 서셉터에 마련되는 다수의 스트립의 위치를 보이기 위한 서셉터의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of a main part of FIG. 1, and FIG. 3 is provided in a plurality of susceptors shown in FIG. Is a schematic plan view of the susceptor for showing the location of the strips.

설명에 앞서, 평면디스플레이(G)란, 전술한 바와 같이 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다.As described above, the flat display G may be any of liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and organic light emitting diodes (OLED) as described above.

다만, 본 실시예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판(G)을 평면디스플레이(G)라 간주하기로 한다. 그리고 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다. 이하, 평면디스플레이(G)를 유리기판(G)이라 하여 설명하도록 한다.However, in the present embodiment, a large glass substrate G for a liquid crystal display (LCD) will be regarded as a flat display (G). In addition, as mentioned above, large size refers to the magnitude | size of the level applied to 8 generations. Hereinafter, the flat display G will be described as a glass substrate G.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 상부 및 하부 챔버(10,20)와, 상부 챔버(10) 내에 마련되어 증착 대상의 유리기판(G)을 향해 소정의 실리콘계 화합물 이온(ion)인 증착물질을 방출하는 전극(30)과, 하부 챔버(20) 내에 마련되어 유리기판(G)이 로딩(Loading)되는 서셉터(70)와, 서셉터(70)에서 연장된 다수개의 스트립(45, Strip)과, 서셉터(70)를 하부 챔버(20)에 접지(Ground)할 수 있도록 다수개의 스트립(45)이 착탈 가능하게 결합되는 복수개의 스트립 클램프(50, Strip Clamp)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the planar display chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment is provided in the upper and lower chambers 10 and 20 and the upper chamber 10 toward the glass substrate G to be deposited. An electrode 30 that emits a deposition material that is a predetermined silicon-based ion, a susceptor 70 provided in the lower chamber 20, and loaded with a glass substrate G, and the susceptor 70. A plurality of strips (50, strips) extending from the plurality of strips 50, the strips 50 are detachably coupled so that the susceptor 70 can be grounded to the lower chamber 20. Strip Clamp).

도 1에 도시된 바와 같이, 증착 공정이 진행될 때 상부 및 하부 챔버(10,20)는 상호 결합된다. 즉, 별도의 크레인에 의해 상부 챔버(10)가 하부 챔버(20)의 상부에 결합됨으로써 상부 및 하부 챔버(10,20)는 한 몸체를 이룬다.As shown in FIG. 1, the upper and lower chambers 10 and 20 are coupled to each other as the deposition process proceeds. That is, the upper chamber 10 is coupled to the upper portion of the lower chamber 20 by separate cranes so that the upper and lower chambers 10 and 20 form a body.

이처럼 상부 및 하부 챔버(10,20)가 한 몸체를 이루어 그 내부의 증착공간(S)에서 증착 공정이 진행될 때는 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 증착공간(S)은 외부와 차폐된다.As described above, the upper and lower chambers 10 and 20 form a body, and when the deposition process is performed in the deposition space S therein, the deposition space S may be maintained in the vacuum atmosphere. Shielded.

상부 챔버(10)에 대해 살펴보면, 상부 챔버(10)의 내부에는 횡 방향을 따라 전극(30)이 구비되어 있다. 전극(30)은, 하부 챔버(20)를 향한 전면에 배치되는 가스분배판(31)과, 가스분배판(31)과의 버퍼공간(B)을 사이에 두고 가스분배판(31)의 배후에 배치되는 후방플레이트(32)를 구비한다.Looking at the upper chamber 10, the inside of the upper chamber 10 is provided with an electrode 30 in the transverse direction. The electrode 30 is behind the gas distribution plate 31 with the gas distribution plate 31 disposed on the front surface facing the lower chamber 20 and the buffer space B between the gas distribution plate 31 interposed therebetween. It has a rear plate 32 disposed in the.

가스분배판(31)에는 미세하게 가공된 수많은 오리피스(미도시)가 형성되어 있다. 따라서 증착 공정 시 서셉터(70)가 상승하여 가스분배판(31)과 대략 수십 밀리미터(mm) 정도로 근접 배치되면, 이어서 증착물질이 수많은 오리피스를 통해 방출되어 유리기판(G)의 상면으로 증착된다.The gas distribution plate 31 is provided with a number of finely processed orifices (not shown). Therefore, when the susceptor 70 is raised and disposed close to the gas distribution plate 31 at about several tens of millimeters (mm), the deposition material is discharged through numerous orifices and deposited on the upper surface of the glass substrate G. .

후방플레이트(32)와 상부 챔버(10) 사이에는 후방플레이트(32)가 상부 챔 버(10)의 외벽에 직접 접촉되어 통전되지 않도록 절연체(34)가 마련되어 있다. 절연체(34)는 테프론 등으로 제작될 수 있다. 후방플레이트(32)의 주변에는 상부 챔버(10)에 대해 후방플레이트(32)를 지지하는 플레이트지지부(33)가 더 구비되어 있다.An insulator 34 is provided between the rear plate 32 and the upper chamber 10 so that the rear plate 32 is not in direct contact with the outer wall of the upper chamber 10 and is not energized. The insulator 34 may be made of Teflon or the like. In the periphery of the rear plate 32 is further provided with a plate support 33 for supporting the rear plate 32 with respect to the upper chamber (10).

가스분배판(31)과 후방플레이트(32) 사이에는 현가지지부재(35)가 마련되어 있다. 현가지지부재(35)는 버퍼공간(B) 내의 증착물질이 외부로 누출되지 않도록 할 뿐만 아니라 대략 400kg 정도의 무거운 중량을 갖는 가스분배판(31)을 후방플레이트(32)에 대해 현가 지지한다. 뿐만 아니라 현가지지부재(35)는 증착 공정 시 대략 200℃ 정도로 가열된 가스분배판(31)이 X축, Y축 및 Z축 방향 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것을 보상하는 역할도 겸한다.A suspension support member 35 is provided between the gas distribution plate 31 and the rear plate 32. The suspension supporting member 35 not only prevents the deposition material in the buffer space B from leaking to the outside, but also suspends the gas distribution plate 31 having a heavy weight of about 400 kg to the rear plate 32. In addition, the suspension supporting member 35 also serves to compensate for the thermal expansion of the gas distribution plate 31 heated to about 200 ° C. in at least one of X, Y, and Z directions during the deposition process.

상부 챔버(10)의 상단에는 상판부(36)가 구비되어 있다. 그리고 상판부(36)의 상부에는 증착공간(S) 내로 반응 가스 혹은 클리닝(Cleaning) 가스, 기타 가스를 공급하는 가스공급부(37)가 마련되어 있다. 그리고 가스공급부(37)의 주변에는 고주파 전원부(38)가 설치되어 있다. 고주파 전원부(38)는 연결라인(39)에 의해 전극(30)의 후방플레이트(32)와 전기적으로 연결되어 있다. 한편, 상부 챔버(10)의 외벽 일측에는 하부 챔버(20)의 측벽 두께와 상부 챔버(10)의 측벽 두께 차이를 보강하는 보강벽부(40)가 더 마련되어 있다.An upper plate 36 is provided at the upper end of the upper chamber 10. In addition, a gas supply part 37 for supplying a reaction gas, a cleaning gas, or another gas into the deposition space S is provided above the upper plate 36. In the vicinity of the gas supply unit 37, a high frequency power supply unit 38 is provided. The high frequency power supply 38 is electrically connected to the rear plate 32 of the electrode 30 by the connection line 39. On the other hand, one side of the outer wall of the upper chamber 10 is further provided with a reinforcing wall portion 40 for reinforcing the difference between the side wall thickness of the lower chamber 20 and the side wall thickness of the upper chamber 10.

하부 챔버(20)는 실질적으로 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 부분이다. 따라서 실질적으로 증착공간(S)은 하부 챔버(20) 내에 형성된다. 이러한 하부 챔버(20)의 외벽에는 소정의 작업 로봇에 의해 유리기판(G)이 증착공간(S) 내외 로 유출입되는 통로인 기판출입부(20a)가 형성되어 있다. 이러한 기판출입부(20a)는 그 주변에 결합된 게이트밸브(24)에 의해 선택적으로 개폐된다.The lower chamber 20 is a portion where the deposition process on the glass substrate G is substantially performed. Therefore, the deposition space S is substantially formed in the lower chamber 20. The outer wall of the lower chamber 20 is formed with a substrate access part 20a which is a passage through which a glass substrate G flows into and out of the deposition space S by a predetermined working robot. The substrate access portion 20a is selectively opened and closed by a gate valve 24 coupled to the periphery thereof.

도시하고 있지는 않지만 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에는 증착공간(S)에 존재하는 가스를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(미도시)이 마련되어 있다.Although not shown, a gas diffusion plate (not shown) is provided in the bottom region of the lower chamber 20 to diffuse the gas present in the deposition space S back into the deposition space S.

서셉터(70)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 횡방향으로 배치되어 로딩되는 유리기판(G)을 지지한다. 보통은 증착 대상의 유리기판(G)의 면적보다 큰 구조물로 형성된다. 서셉터(70)의 상면은 유리기판(G)이 정밀하게 수평상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반으로 제조된다. 서셉터(70)의 내부에는 도시 않은 히터가 장착되어 서셉터(70)를 소정의 증착온도인 대략 280~380℃로 가열한다.The susceptor 70 supports the glass substrate G which is disposed in the transverse direction in the deposition space S in the lower chamber 20 and loaded. Usually, it is formed of a structure larger than the area of the glass substrate G to be deposited. The upper surface of the susceptor 70 is manufactured almost in a plate so that the glass substrate G can be loaded in a precise horizontal state. A heater (not shown) is mounted inside the susceptor 70 to heat the susceptor 70 to a predetermined deposition temperature of approximately 280 to 380 ° C.

서셉터(70)의 상면으로 유리기판(G)이 얹혀지면서 로딩되거나 취출되기 위해 서셉터(70)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하는 복수의 리프트 핀(72)이 더 구비되어 있다. 리프트 핀(72)들은 서셉터(70)를 관통하도록 설치되어 있다.The plurality of lift pins 72 stably supporting the lower surface of the glass substrate G loaded or taken out on the susceptor 70 to be loaded or taken out while the glass substrate G is placed on the upper surface of the susceptor 70. It is further provided. The lift pins 72 are installed to penetrate the susceptor 70.

이러한 리프트 핀(72)들은 서셉터(70)가 하강할 때, 그 하단이 하부 챔버(20)의 바닥면에 가압되어 상단이 서셉터(70)의 상면으로 돌출된다. 이에, 유리기판(G)을 서셉터(70)로부터 이격시킨다. 반대로, 서셉터(70)가 부상하면, 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 기판로딩부(31)의 상면에 밀착되도록 한다. 이러한 리프트 핀(72)들은 도시 않은 로봇아암이 서셉터(70)에 로딩된 유리기판(G)을 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 서셉터(70) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다.When the susceptor 70 is lowered, the lift pins 72 are pressed at the bottom of the lower chamber 20 so that the top thereof protrudes to the top of the susceptor 70. Thus, the glass substrate G is spaced apart from the susceptor 70. On the contrary, when the susceptor 70 floats, the susceptor 70 moves downward to bring the glass substrate G into close contact with the upper surface of the substrate loading part 31. These lift pins 72 serve to form a space between the glass substrate G and the susceptor 70 so that the robot arm (not shown) can grip the glass substrate G loaded on the susceptor 70. do.

이러한 서셉터(70)에는 그 상단이 서셉터(70)의 배면 중앙 영역에 고정되고 하단이 하부 챔버(20)를 통해 하방으로 노출되어 서셉터(70)를 승강 가능하게 지지하는 컬럼(74)이 더 결합되어 있다.The susceptor 70 has a column 74 having an upper end fixed to a rear center region of the susceptor 70 and a lower end exposed downward through the lower chamber 20 to support the susceptor 70 in a liftable manner. Is more coupled.

전술한 바와 같이, 8세대 하에서의 서셉터(70)는 그 무게가 무겁고 크기가 상대적으로 커서 처짐이 발생할 수 있는데, 이럴 경우, 유리기판(G)에도 처짐이 발생할 수 있다. 이에, 도시된 바와 같이, 컬럼(74)의 상부 영역에는 서셉터지지대(76)가 마련되어 서셉터(70)를 안정적으로 떠받치고 있다. As described above, the susceptor 70 under the eighth generation may have a large weight and a relatively large size, which may cause sag. In this case, the susceptor 70 may also sag in the glass substrate G. Thus, as shown in the upper region of the column 74, a susceptor support 76 is provided to stably support the susceptor 70.

서셉터(70)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에 배치되어 있다가 유리기판(G)이 로딩되고 증착 공정이 진행될 때는 유리기판(G)이 가스분배판(31)에 인접할 수 있도록 부상한다. 이를 위해, 서셉터(70)에 결합된 컬럼(74)에는 서셉터(70)를 승강시키는 승강 모듈(60)이 더 마련되어 있다.The susceptor 70 moves up and down in the deposition space S in the lower chamber 20. That is, when the glass substrate G is loaded, the glass substrate G is disposed in the bottom region of the lower chamber 20, and when the glass substrate G is loaded and the deposition process is performed, the glass substrate G is the gas distribution plate 31. Injury to be adjacent to. To this end, the elevating module 60 for elevating the susceptor 70 is further provided in the column 74 coupled to the susceptor 70.

승강 모듈(60)에 의해 서셉터(70)가 승강하는 과정에서 컬럼(74)과 하부 챔버(20) 사이의 공간이 발생되어서는 아니 된다. 따라서 컬럼(74)이 통과하는 하부 챔버(20)의 해당 영역에는 컬럼(74)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(78)이 마련되어 있다. 벨로우즈관(78)은 서셉터(70)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(70)가 부상할 때 압착된다.In the process of elevating the susceptor 70 by the elevating module 60, the space between the column 74 and the lower chamber 20 should not be generated. Therefore, a bellows pipe 78 is provided in the region of the lower chamber 20 through which the column 74 passes to surround the outside of the column 74. The bellows tube 78 expands when the susceptor 70 descends and is compressed when the susceptor 70 rises.

한편, 앞서도 기술한 바와 같이, 유리기판(G)이 대면적이 될 수록 서셉터(70)의 충분한 접지는 유리기판(G)에 대한 증착막의 품질을 높이는데 보다 유리한 것으로 알려지고 있다. 따라서 서셉터(70)와 하부 챔버(20)에 각각 보다 많은 수의 스트립(45)과 스트립 클램프(50)를 마련하여 이들을 각각 연결할 필요가 있다.On the other hand, as described above, as the glass substrate G becomes larger, sufficient grounding of the susceptor 70 is known to be more advantageous for improving the quality of the deposited film on the glass substrate G. Therefore, it is necessary to provide a greater number of strips 45 and strip clamps 50 in the susceptor 70 and the lower chamber 20, respectively, and connect them.

예컨대, 스트립(45)은 도 3과 같이, 서셉터(70)의 배면 외곽 영역(45a)의 둘레 방향뿐만 아니라 서셉터(70)의 배면 중앙 영역의 둘레 방향 등에 보다 많은 개수로 서셉터(70)와 많은 부분에서 연결된 후, 그에 대응되는 스트립 클램프(50)와 연결되면 좋다.For example, as shown in FIG. 3, the number of the susceptors 70 is greater than the circumferential direction of the rear outer region 45a of the susceptor 70 as well as the circumferential direction of the rear center region of the susceptor 70. After being connected in a large portion, the strip clamp 50 may be connected thereto.

다만, 서셉터(70)와 하부 챔버(20) 사이에는 좁기는 하지만 별도의 공간(A, 도 4 참조)이 더 구비되고, 이 공간(A)은 작업자의 접근이 허용되기 때문에 이 공간(A)을 통해 서셉터(70)의 배면 외곽 영역에 배치된 스트립(45a)은 스트립 클램프(50)에 결합시킬 수 있다.However, although it is narrow between the susceptor 70 and the lower chamber 20, a separate space (A, see FIG. 4) is further provided, and this space (A) is allowed because the worker is allowed to access the space (A). The strip 45a disposed at the rear outer region of the susceptor 70 may be coupled to the strip clamp 50 by the reference numeral.

하지만, 서셉터(70)의 배면 중앙 영역에 위치한 스트립(45)들의 경우에는 작업자의 접근이 허용되지 않기 때문에 이 스트립(45)들을 스트립 클램프(50)에 결합시키는 별도의 구조가 요구되는데, 이는 아래의 방법으로 구현될 수 있다.However, in the case of the strips 45 located in the central region of the rear surface of the susceptor 70, a separate structure for coupling the strips 45 to the strip clamp 50 is required because no operator's access is allowed. It can be implemented in the following way.

스트립(45)에 대해 부연하면, 서셉터(70)는 상하로 승강하는 구조를 가지므로, 서셉터(70)의 상하 운동 중에도 스트립(45)은 스트립 클램프(50)에 지속적으로 연결되어야만 한다. 따라서 도시된 바와 같이, 스트립(45)은 충분한 길이를 갖는 아치 형태로 마련되며, 잦은 움직임에도 끊어지지 않도록 연성의 재질로 선택된다.In other words, since the susceptor 70 has a structure of elevating up and down, the strip 45 must be continuously connected to the strip clamp 50 even during the up and down movement of the susceptor 70. Thus, as shown, the strip 45 is provided in the form of an arch having a sufficient length, and is selected of a soft material so as not to break even in frequent movement.

뿐만 아니라 하부 챔버(20)의 내부는 공정가스 외에도 불활성 기체, 클리닝 가스 등이 선택되어 충전되므로 스트립(45) 및 스트립 클램프(50)는 이들에 내부식성을 갖는 재질로 선택된다.In addition, since the inside of the lower chamber 20 is filled with an inert gas, a cleaning gas, etc., in addition to the process gas, the strip 45 and the strip clamp 50 are selected as materials having corrosion resistance thereto.

본 실시예의 스트립 클램프(50)는 하부 챔버(20) 내의 바닥벽에 결합되어 서셉터(70)에서 연장된 복수개의 스트립(45)과 각각 개별적으로 연결됨으로써 서셉터(70)를 하부 챔버(20)에 접지시키는 역할을 한다. 따라서 스트립(45)을 포함하여 스트립 클램프(50)는 금속 재질로 형성된다.The strip clamp 50 of the present embodiment is coupled to the bottom wall in the lower chamber 20 and individually connected to the plurality of strips 45 extending from the susceptor 70 to connect the susceptor 70 to the lower chamber 20. ) To ground. Therefore, the strip clamp 50 including the strip 45 is formed of a metal material.

이러한 스트립 클램프(50)는, 하부 챔버(20)의 바닥벽에 형성된 관통공(20b) 내에 삽입되도록 관통공(20b)에 착탈 가능하게 결합된다.The strip clamp 50 is detachably coupled to the through hole 20b to be inserted into the through hole 20b formed in the bottom wall of the lower chamber 20.

따라서 서셉터(70)의 배면 중앙 영역에 위치한 스트립(45)들의 경우에도 손쉽게 스트립 클램프(50)에 결합될 수 있다. 참고로 도 2를 보면, 서셉터(70)의 배면 둘레 영역에 위치한 스트립(45a)들에 대해서는 결합 구조를 도시하고 있지 않고 있다. 하지만 서셉터(70)의 배면 중앙 영역에 위치한 스트립(45)들의 결합 구조와 동일할 수도 있고 혹은 후술할 제2 실시예에서 설명될 스트립 클램프(150, 도 4 내지 도 7)의 구조가 적용될 수도 있을 것이다.Therefore, even in the case of the strips 45 located in the rear center region of the susceptor 70 can be easily coupled to the strip clamp 50. For reference, referring to FIG. 2, the coupling structure is not illustrated for the strips 45a positioned in the rear circumferential region of the susceptor 70. However, the structure of the strip clamp 150 (FIGS. 4 to 7), which will be the same as the coupling structure of the strips 45 located at the rear center region of the susceptor 70, will be described. There will be.

본 실시예에서 스트립 클램프(50)는 다수의 스트립(45)과 하나씩 대응되도록 스트립(45)에 대응되는 위치의 하부 챔버(20) 바닥벽에 결합되어 있다. 하지만 본 발명의 권리범위가 이에 제한되는 것은 아니므로, 하나의 스트립 클램프(50)에 2개 이상의 스트립(45)이 함께 결합되도록 해도 좋다.In this embodiment, the strip clamp 50 is coupled to the bottom wall of the lower chamber 20 at a position corresponding to the strip 45 so as to correspond to the plurality of strips 45 one by one. However, since the scope of the present invention is not limited thereto, two or more strips 45 may be coupled to one strip clamp 50 together.

다수의 스트립 클램프(50) 각각은, 관통공(20b)에 끼워지면서 결합되며 하부 챔버(20)와 전기적으로 통전되는 금속 재질의 클램프본체(51)와, 하부 챔버(20) 내부를 향한 클램프본체(51)의 일단부에 결합되어 스트립(45)의 타단 자유단이 실질적으로 결합되는 클램핑부(52)를 포함한다. Each of the plurality of strip clamps 50 is coupled to the through-hole 20b and coupled to the lower chamber 20 to electrically connect the lower chamber 20, and the clamp body toward the inside of the lower chamber 20. And a clamping portion 52 coupled to one end of the 51 to substantially engage the other free end of the strip 45.

이 때, 클램프본체(51)는, 관통공(20b)에 실질적으로 억지끼워맞춤되는 축부(51a)와, 축부(51a)의 일단에 형성되어 하부 챔버(20)의 배면으로 노출되는 머리부(51b)를 포함한다. 이에, 머리부(51b)를 잡고 축부(51a)가 관통공(20b)으로부터 빠지도록 한 후에, 클램핑부(52)에 스트립(45)의 타단 자유단을 결합시키고, 다시 축부(51a)가 관통공(20b)에 끼워지도록 함으로써 손쉽게 스트립(45)과 스트립 클램프(50)를 연결할 수 있다.At this time, the clamp body 51 has a shaft portion 51a which is substantially forcibly fitted into the through hole 20b, and a head portion formed at one end of the shaft portion 51a and exposed to the rear surface of the lower chamber 20 ( 51b). Thus, after holding the head portion 51b to allow the shaft portion 51a to be pulled out of the through hole 20b, the other end free end of the strip 45 is coupled to the clamping portion 52, and the shaft portion 51a penetrates again. The strip 45 and the strip clamp 50 can be easily connected by fitting the ball 20b.

참고로, 본 실시예에서는 스트립(45)의 타단 자유단을 결합되는 클램핑부(52)에 대해서는 자세하게 도시 및 설명하지 않고 있다. 하지만, 클램핑부(52)는 단순하게 볼트 결합 등의 방법으로 스트립(45)을 결합시키는 단순한 구조가 될 수도 있고, 혹은 후술할 제2 실시예에서 설명될 스트립 클램프(150, 도 4 내지 도 7 참조)의 구조가 적용될 수도 있을 것이다.For reference, in the present embodiment, the clamping portion 52 coupled to the free end of the other end of the strip 45 is not shown and described in detail. However, the clamping portion 52 may be a simple structure for simply coupling the strips 45 by a bolt coupling method or the like, or the strip clamp 150 to be described in the second embodiment to be described later with reference to FIGS. 4 to 7. May be applied.

이러한 구성을 갖는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the chemical vapor deposition apparatus for planar display having such a configuration as follows.

우선, 하부 챔버(20) 내에 서셉터(70)를 장착한다. 그러면 서셉터(70)의 배면에 결합된 다수의 스트립(45)들은 하부 챔버(20)의 바닥면으로 늘어진다. 이러한 상태에서, 하부 챔버(20)의 배면에서 다수의 스트립 클램프(50)를 분리한다. 그리고는 다수의 스트립 클램프(50)에 형성된 클램핑부(52)에 스트립(45)의 타단 자유단을 결합시키고, 다시 다수의 스트립 클램프(50)들을 해당 위치의 관통공(20b)에 삽입시킴으로서 손쉽게 서셉터(70)를 하부 챔버(20)에 접지시킨다. 이와 같이 스트립(45)과 스트립 클램프(50)의 조립이 완료되면 증착 공정이 진행된다.First, the susceptor 70 is mounted in the lower chamber 20. The plurality of strips 45 coupled to the back of the susceptor 70 then hang down to the bottom of the lower chamber 20. In this state, the plurality of strip clamps 50 are separated from the bottom of the lower chamber 20. Then, the other end of the strip 45 is coupled to the clamping portion 52 formed in the plurality of strip clamps 50, and then the plurality of strip clamps 50 are easily inserted into the through holes 20b at the corresponding positions. The susceptor 70 is grounded to the lower chamber 20. As such, when the assembly of the strip 45 and the strip clamp 50 is completed, the deposition process is performed.

즉, 승강 모듈(60)에 의해 서셉터(70)가 하부 챔버(20)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇아암(미도시)에 의해 이송된 증착 대상의 유리기판(G)이 기판출입부(20a)를 통해 유입되어 서셉터(70)의 상부에 배치된다.That is, the glass substrate G to be deposited is transferred by the robot arm (not shown) while the susceptor 70 is lowered to the lower region of the lower chamber 20 by the elevating module 60. It is introduced through the 20a and disposed on the susceptor 70.

이 때, 리프트 핀(72)의 상단은 서셉터(70)의 상면으로 소정 높이 돌출된 상태이므로, 로봇아암은 리프트 핀(72)들에 유리기판을 올려둔 후, 취출된다. 로봇아암이 취출되면, 기판출입부(20a)는 닫히고, 상부 및 하부 챔버(10,20)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 증착에 필요한 공정가스(SiH4, NH3등)가 충전된다.At this time, since the upper end of the lift pin 72 is protruded a predetermined height to the upper surface of the susceptor 70, the robot arm is taken out after placing the glass substrate on the lift pins (72). When the robot arm is taken out, the substrate entry portion 20a is closed, and the interior of the upper and lower chambers 10 and 20 is maintained in a vacuum atmosphere and filled with process gases (SiH4, NH3, etc.) required for deposition.

다음, 증착 공정의 진행을 위해, 승강 모듈(60)이 동작하여 서셉터(70)를 부상시킨다. 그러면 리프트 핀(72)이 하강되고, 이를 통해 유리기판(G)은 서셉터(70)의 상면으로 밀착하면서 로딩된다. 정해진 거리만큼 서셉터(70)가 부상하면 승강 모듈(60)의 동작이 정지되고 유리기판(G)은 가스분배판(31)의 직하방에 위치하게 된다. 이 때 이미, 서셉터(70)는 대략 280~380℃ 정도로 가열된다.Next, in order to proceed with the deposition process, the elevating module 60 is operated to float the susceptor 70. Then, the lift pin 72 is lowered, and the glass substrate G is loaded while being in close contact with the upper surface of the susceptor 70. When the susceptor 70 rises by a predetermined distance, the operation of the elevating module 60 is stopped and the glass substrate G is located directly below the gas distribution plate 31. At this time, the susceptor 70 is heated to about 280 ° C to 380 ° C.

그런 다음, 절연체(34)로 인해 절연된 전극(30)을 통해 전원이 인가된다. 이어 수많은 오리피스가 형성된 가스분배판(31)을 통해 실리콘계 화합물 이온인 증착물질이 분출되면서 유리기판(G) 상으로 도달함으로써 유리기판(G) 상에 증착이 이루어지게 된다.Then, power is applied through the electrode 30 insulated by the insulator 34. Subsequently, as the deposition material, which is a silicon-based compound ion, is ejected through the gas distribution plate 31 in which a large number of orifices are formed, the deposition is performed on the glass substrate G by reaching the glass substrate G.

이 때, 본 실시예의 경우, 종래보다 단순하고도 간편한 방식으로 서셉터(70)의 배면 중앙 영역을 비롯하여 종래보다 많은 지점에서 서셉터(70)를 하부 챔버(20)에 접지시키고 있으므로 서셉터(70)의 충분한 접지를 유도될 수 있고, 따라서 유리기판(G)에 대한 증착막의 품질을 높일 수 있게 되는 것이다.At this time, in the present embodiment, the susceptor 70 is grounded to the lower chamber 20 at more points than in the prior art, including the rear center region of the susceptor 70 in a simpler and simpler manner than in the prior art. A sufficient grounding of 70) can be induced, thus improving the quality of the deposited film on the glass substrate (G).

한편, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 요부 확대도이고, 도 5는 도 4에 도시된 스트립 클램프의 사시도이며, 도 6은 도 5의 단면도이고, 도 7은 도 6의 동작 상태를 보인 단면도이다.On the other hand, Figure 4 is an enlarged view of the main portion of the chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a second embodiment of the present invention, Figure 5 is a perspective view of the strip clamp shown in Figure 4, Figure 6 is a sectional view of Figure 5, 7 is a cross-sectional view illustrating an operating state of FIG. 6.

만약에, 전술한 제1 실시예와 달리, 하부 챔버(20) 내의 바닥벽에 스트립 클램프(50, 도 2 참조)를 마련하지 않을 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 스트립 클램프(150)는 하부 챔버(20)와 서셉터(70)의 외곽 사이 영역의 하부 챔버(20) 바닥면에 마련될 수도 있다. 이 공간(A, 도 4 참조)은 작업자의 접근이 허용되는 공간이다.If, unlike the first embodiment described above, the strip clamp 50 (see Fig. 2) is not provided on the bottom wall in the lower chamber 20, as shown in Figure 4, the strip clamp 150 is It may be provided on the bottom surface of the lower chamber 20 in the area between the lower chamber 20 and the outer periphery of the susceptor 70. This space A (refer to FIG. 4) is a space where the worker is allowed to access.

다만, 작업자의 접근이 허용되는 공간(A)이 존재한다 하더라도, 이 공간(A)은 실질적으로 매우 협소하기 때문에 스트립(140)을 스트립 클램프(150)에 결합시키는 작업이 번거롭거나 불편해서는 아니 된다. 따라서 이 공간(A)을 통해 작업자가 손을 집어넣어 스트립(140)을 스트립 클램프(150)에 결합시키고자 할 경우, 스트립(145)을 스트립 클램프(150)에 쉽고 간편하게 고정시킬 수 있는 구조가 요구된다. 이는 아래의 구조에 의해 쉽게 해소될 수 있다. 다만, 본 실시예의 경우에는 전술한 제1 실시예의 스트립(45, 도 2 참조)에 비해 그 길이가 긴 스트립(145)을 사용해야 할 것이다.However, even if there is a space A to which the worker is allowed to access, since the space A is substantially very narrow, the task of coupling the strip 140 to the strip clamp 150 is not cumbersome or inconvenient. do. Therefore, when the worker puts his hand through this space (A) and wants to couple the strip 140 to the strip clamp 150, there is a structure that can easily and easily fix the strip 145 to the strip clamp 150 Required. This can be easily solved by the following structure. However, in the present embodiment, the strip 145 having a longer length than that of the strip 45 (see FIG. 2) of the first embodiment will be used.

도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 스트립 클램프(150)는, 고정몸체(151)와, 고정몸체(151)에 대해 접근 및 이격 가능한 가동몸체(153)와, 고정 및 가동몸체(151,153)에 결합되는 회전축부(155)와, 회전축부(155)를 회전조작하는 회전조작부(157)를 구비한다.As shown in FIGS. 4 to 7, the strip clamp 150 includes a fixed body 151, a movable body 153 accessible and spaced apart from the fixed body 151, and fixed and movable bodies 151 and 153. It is provided with a rotating shaft portion 155 coupled to, and a rotating operation portion 157 for rotating the rotating shaft portion 155.

고정몸체(151)는 하부 챔버(20)의 바닥벽에 결합되어 고정된다. 이를 위해 고정몸체(151)의 판면에는 복수의 결합홈(152)이 형성되어 있다. 결합홈(152)에는 나사와 리벳 같은 결합부재(미도시)가 삽입되는 부분으로 활용된다.The fixed body 151 is fixed to the bottom wall of the lower chamber 20 is coupled. To this end, a plurality of coupling grooves 152 are formed on the plate surface of the fixed body 151. The coupling groove 152 is utilized as a portion into which a coupling member (not shown) such as a screw and rivet is inserted.

가동몸체(153)는 고정몸체(151)의 상부에 결합되어 있다. 고정몸체(151)와는 별개의 구조물을 이루며, 고정몸체(151)에 대해 접근 및 이격된다. 이러한 가동몸체(153)가 회전축부(155)의 회전에 의해 고정몸체(151)에 접근될 때, 고정몸체(151)와 가동몸체(153) 사이에서 스트립(145)은 척킹되어 고정될 수 있게 된다.The movable body 153 is coupled to the upper portion of the stationary body 151. It forms a separate structure from the fixed body 151, and is approached and spaced apart from the fixed body 151. When the movable body 153 approaches the fixed body 151 by the rotation of the rotary shaft 155, the strip 145 is chucked between the fixed body 151 and the movable body 153 to be fixed. do.

이 때, 스트립(145)은 고정몸체(151)와 가동몸체(153) 사이의 어느 곳에서나 고정될 수 있다. 예를 들어, 스트립(145)에 형성된 홈(145a, 도 4 참조)이 회전축부(155)나 혹은 후술할 안내봉(159c)들에 각각 끼워진 상태에서 고정몸체(151)와 가동몸체(153) 사이에서 고정될 수도 있다. 물론, 홈(145a)의 형태는 도시된 것과는 달리 스트립(145)의 길이방향을 따라 길게 하나 형성될 수도 있다.At this time, the strip 145 may be fixed anywhere between the fixed body 151 and the movable body 153. For example, the fixing body 151 and the movable body 153 in a state in which the grooves 145a (see FIG. 4) formed in the strip 145 are fitted to the rotation shaft portion 155 or the guide rods 159c to be described later, respectively. It may be fixed in between. Of course, the shape of the groove 145a may be formed long along the lengthwise direction of the strip 145, unlike the illustrated one.

회전축부(155)는 가동몸체(153)를 고정몸체(151)에 대해 접근 및 이격시키는 역할을 한다. 이러한 동작을 위해, 회전축부(155)는 고정 및 가동몸체(151,153)의 중앙영역에서 고정 및 가동몸체(151,153)에 각각 일체로 나사 결합된다.The rotating shaft portion 155 serves to approach and space the movable body 153 with respect to the fixed body 151. For this operation, the rotary shaft portion 155 is integrally screwed to the fixed and movable bodies 151 and 153 in the central region of the fixed and movable bodies 151 and 153, respectively.

이 때, 회전축부(155) 및 고정몸체(151) 사이에 형성된 나사산(155a)의 방향과, 회전축부(155) 및 가동몸체(153) 사이에 형성된 나사산(155b)의 방향은 서로 반대 방향으로 가공되어 있다.At this time, the direction of the screw thread 155a formed between the rotary shaft portion 155 and the fixed body 151 and the direction of the screw thread 155b formed between the rotary shaft portion 155 and the movable body 153 are opposite to each other. It is processed.

예를 들어, 회전축부(155) 및 고정몸체(151) 사이에 형성된 나사산(155a)의 방향이 오른 나사 방향이라면, 회전축부(155) 및 가동몸체(153) 사이에 형성된 나 사산(155b)의 방향이 될 수 있다. 물론, 반대의 경우도 가능하다.For example, if the direction of the screw thread 155a formed between the rotary shaft portion 155 and the fixed body 151 is in the right screw direction, the screw thread 155b formed between the rotary shaft portion 155 and the movable body 153 may be formed. Can be direction. Of course, the opposite is also possible.

이에 따라 회전축부(155)가 정방향(예를 들어, 시계 방향)으로 회전하면 상호 반대 방향의 나사산(155a,155b) 구조로 인해 가동몸체(153)는 고정몸체(151)에 접근될 수 있고, 회전축부(155)가 역방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전하면 가동몸체(153)는 고정몸체(151)에 대해 이격될 수 있게 된다. 물론, 나사산(155a,155b) 구조로 인해 회전축부(155)가 조금만 회전하더라도 고정몸체(151)에 대해 가동몸체(153)가 많은 거리를 이동하여 빠르게 접근 및 이격될 수 있는 이점이 있다.Accordingly, when the rotation shaft 155 rotates in the forward direction (for example, clockwise direction), the movable body 153 may approach the fixed body 151 due to the structure of the threads 155a and 155b in opposite directions. When the rotary shaft 155 rotates in the reverse direction (for example, counterclockwise direction), the movable body 153 may be spaced apart from the fixed body 151. Of course, even if the rotation shaft 155 is slightly rotated due to the screw 155a and 155b structures, the movable body 153 may move a lot of distances with respect to the stationary body 151 to be quickly approached and spaced apart.

회전조작부(157)는 회전축부(155)의 상단에서 회전축부(155)와 결합되어 있다. 회전조작부(157)는 회전축부(155)의 상단에 직접 결합되어도 좋고, 혹은 별도의 부재를 통해 회전축부(155)에 결합되어도 좋다. 도면에는 별도의 부재가 회전축부(155)와 회전조작부(157)를 연결하고 있는 것으로 도시되어 있다.The rotary manipulation unit 157 is coupled to the rotary shaft unit 155 at the upper end of the rotary shaft unit 155. The rotary manipulator 157 may be directly coupled to the upper end of the rotary shaft 155, or may be coupled to the rotary shaft 155 through a separate member. In the figure, a separate member is shown to connect the rotating shaft portion 155 and the rotating operation portion 157.

회전조작부(157)는 회전축부(155)를 정역방향으로 회전시키기 위한 손잡이 역할을 한다. 이러한 경우, 별도의 공구 없이도 회전축부(155)를 쉽게 정역방향으로 돌릴 수 있는 이점이 있다. 따라서 하부 챔버(20)와 서셉터(70) 사이의 여유 공간(A)이 협소하다 하더라도 쉽게 스트립(145)을 스트립 클램프(150)에 착탈시킬 수 있게 되는 것이다.The rotary operation unit 157 serves as a handle for rotating the rotary shaft unit 155 in the forward and reverse directions. In this case, there is an advantage that can easily rotate the rotating shaft portion 155 in the forward and reverse directions without a separate tool. Therefore, even if the free space A between the lower chamber 20 and the susceptor 70 is narrow, the strip 145 can be easily attached and detached to the strip clamp 150.

한편, 고정몸체(151)에 대해 가동몸체(153)가 접근 및 이격되는 과정에서 가동몸체(153)가 흔들리거나 비뚤어지면 고정 및 가동몸체(151,153)가 상호 완전히 맞물리지 않기 때문에 스트립(145)이 완전히 고정되지 못할 수도 있다.On the other hand, when the movable body 153 is shaken or skewed while the movable body 153 approaches and is spaced with respect to the fixed body 151, the strips 145 are not completely engaged because the fixed and movable bodies 151 and 153 do not completely engage with each other. It may not be fixed.

이에, 본 실시예의 스트립 클램프(150)에서 고정 및 가동몸체(151,153)에는, 고정몸체(151)에 대한 가동몸체(153)의 접근 및 이격을 안내하는 안내부(159)가 더 마련되어 있다.Thus, the fixing and movable bodies 151 and 153 in the strip clamp 150 of the present embodiment are further provided with a guide 159 for guiding the approach and separation of the movable body 153 to the fixed body 151.

안내부(159)는 고정몸체(151)의 상면(151a)에 함몰형성된 고정홈부(159a)와, 고정몸체(151)의 상면(151a)과 마주보는 가동몸체(153)의 하면(153a)에 함몰형성된 가동홈부(159b)와, 양단이 고정 및 가동홈부(159a,159b)에 각각 결합되는 안내봉(159c)을 포함한다. 이러한 구조로 인해, 도 6에서 도 7과 같은 동작이 이루어질 때, 가동몸체(153)는 흔들리거나 비뚤어지지 않고 안정적으로 고정몸체(151)에 접근 및 이격될 수 있게 되는 것이다.The guide part 159 is formed on the fixing groove 159a recessed in the upper surface 151a of the fixing body 151 and on the lower surface 153a of the movable body 153 facing the upper surface 151a of the fixing body 151. A recessed movable groove portion 159b and guide rods 159c coupled to the fixed and movable groove portions 159a and 159b, respectively, are included. Due to this structure, when the operation as shown in Figure 6 to 7, the movable body 153 is able to stably approach and spaced apart from the fixed body 151 without being shaken or skewed.

이러한 구성에 의해 스트립 클램프(150)에 스트립(145)을 고정하는 과정에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the process of fixing the strip 145 to the strip clamp 150 by this configuration as follows.

우선, 도 6과 같이, 고정몸체(151)에 대해 가동몸체(153)가 이격된 상태에서, 고정 및 가동몸체(151,153) 사이의 공간으로 스트립(145)을 배치한다. 이 때, 앞서도 기술한 바와 같이, 스트립(145)에 형성된 2개의 홈(145a) 각각이 안내봉(159c)들에 끼워지도록 할 수도 있다.First, as shown in FIG. 6, in a state where the movable body 153 is spaced apart from the fixed body 151, the strip 145 is disposed in a space between the fixed and movable bodies 151 and 153. At this time, as described above, each of the two grooves 145a formed in the strip 145 may be fitted to the guide rods 159c.

다음, 회전조작부(157)를 파지한 상태에서 회전조작부(157)를 정방향으로 돌린다. 그러면 회전조작부(157)에 결합된 회전축부(155)가 동일한 방향으로 회전하게 되고, 이로 인해 상호 반대 방향의 나사산(155a,155b) 구조로 인해 가동몸체(153)는 고정몸체(151)에 접근될 수 있다. 접근하면서 고정 및 가동몸체(151,153) 사이의 공간에 개재된 스트립(145)은 도 7에 도시된 바와 같이, 고정 및 가동몸체(151,153)에 척킹되어 해당 위치에서 고정될 수 있다. 이로써 스트립(145)의 고정 작업은 쉽게 완료된다.Next, the rotation manipulation unit 157 is turned in the forward direction while the rotation manipulation unit 157 is held. Then, the rotating shaft portion 155 coupled to the rotating operation portion 157 rotates in the same direction, and thus the movable body 153 approaches the fixed body 151 due to the structure of the threads 155a and 155b in opposite directions. Can be. While approaching, the strip 145 interposed in the space between the stationary and movable bodies 151 and 153 may be chucked to the stationary and movable bodies 151 and 153 and fixed at the position as shown in FIG. 7. This makes the fixing of the strip 145 easy to complete.

도 8 및 도 9는 각각 스트립 클램프의 변형 실시예들을 도시한 사시도이다.8 and 9 are perspective views showing modified embodiments of the strip clamp, respectively.

도 7을 참조할 때, 회전축부(155)의 상부에는 하단이 회전축부(155)에 결합되고 상단은 회전조작부(157)를 통과하여 회전조작부(157)의 외측으로 노출된 렌치용 회전로드(162)가 더 결합되어 있다.Referring to FIG. 7, the upper end of the rotary shaft unit 155 is coupled to the rotary shaft unit 155, and the upper end of the rotary shaft unit 157 passes through the rotary operating unit 157 to expose the outer side of the rotary operating unit 157 to the rotating rod ( 162 is further coupled.

렌치용 회전로드(162)는 육각 형상을 갖는데, 도 8과 같을 경우에는 별도의 육각 렌치(미도시)를 렌치용 회전로드(162)에 끼워 회전축부(155)를 정역방향으로 회전시키면 된다.Wrench rotating rod 162 has a hexagonal shape, but in the case of FIG. 8, a separate hexagon wrench (not shown) may be inserted into the wrench rotating rod 162 to rotate the rotating shaft part 155 in the forward and reverse directions.

도 9를 참조하면, 회전조작부(157)의 판면에는 복수개의 공구삽입홈(164)이 더 형성되어 있다. 도 9와 같을 경우에는 공구삽입홈(164)으로 별도의 공구(미도시)를 끼워 회전축부(155)를 정역방향으로 회전시키면 된다.9, a plurality of tool insertion grooves 164 are further formed on the plate surface of the rotation manipulation unit 157. In the case of FIG. 9, a separate tool (not shown) may be inserted into the tool insertion groove 164 to rotate the rotation shaft 155 in the forward and reverse directions.

도 8과 도 9와 같은 경우일지라도, 종래기술 보다는 훨씬 수월하고 편리하게 스트립(145)을 고정할 수 있는 이점이 있다.Even in the case of Figures 8 and 9, there is an advantage that can be fixed to the strip 145 much easier and more convenient than the prior art.

전술한 실시예들에서는, 회전축부의 노출단 영역에 회전축부의 축선에 가로로 결합되는 회전조작부에 대하여 상술하였으나, 회전조작부는, 회전축부를 정역방향으로 회전조작할 수 있는 것으로서 회전축부에 바로 형성되는 공구삽입홈(미도시) 등이 될 수도 있다.In the above-described embodiments, the rotating operation unit coupled to the axis of the rotating shaft portion in the exposed end region of the rotating shaft portion has been described above, but the rotating operation portion is a tool which is directly formed on the rotating shaft portion to rotate the rotating shaft portion in the forward and reverse directions. It may be an insertion groove (not shown).

또한 회전조작부는 회전축부를 정역방향으로 회전시키는 손잡이 역할을 하므로, 회전조작부는 가동몸체의 상부로 노출된 회전축부의 노출단 영역 그 자체가 될 수도 있는 것이다.In addition, since the rotation operation portion serves as a handle for rotating the rotation shaft portion in the forward and reverse directions, the rotation operation portion may be the exposed end region itself of the rotation shaft portion exposed to the upper portion of the movable body.

전술한 제1 실시예에서는 그 설명을 생략하였지만, 제1 실시예에 기재된 클램핑부(52)는 제2 실시예에 기재된 스트립 클램프(150)가 될 수 있는 것이다.Although the description is omitted in the first embodiment described above, the clamping portion 52 described in the first embodiment may be the strip clamp 150 described in the second embodiment.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 단순하고도 간편한 방식으로 서셉터의 배면 중앙 영역을 비롯하여 종래보다 많은 지점에서 서셉터를 챔버에 접지시킬 수 있도록 함으로써 서셉터의 충분한 접지를 유도하여 평면디스플레이에 대한 증착막의 품질을 높일 수 있다.As described above, according to the present invention, the susceptor can be grounded to the chamber at more points than the conventional one, including the rear center area of the susceptor in a simple and convenient manner, thereby inducing sufficient grounding of the susceptor to the flat display. The quality of the deposited film can be improved.

Claims (11)

평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버 내에 마련되고 상면으로 상기 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터;A susceptor provided in a chamber in which a deposition process for a flat panel display is performed and the flat panel display is loaded on an upper surface thereof; 일단이 상기 서셉터에 고정되도록 상기 서셉터에 결합되는 다수의 스트립(Strip); 및A plurality of strips coupled to the susceptor so that one end is fixed to the susceptor; And 상기 챔버의 어느 일 벽면에 형성된 관통공에 착탈 가능하게 결합되며, 상기 다수의 스트립의 타단 자유단이 결합되어 상기 서셉터를 상기 챔버에 접지(Ground)시키는 다수의 스트립 클램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.A plurality of strip clamps detachably coupled to a through hole formed in one wall of the chamber, and a plurality of strip clamps coupled to the other free ends of the plurality of strips to ground the susceptor to the chamber. Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스트립은 상기 서셉터의 배면 외주 영역 및 중앙 영역의 둘레 방향을 따라 다수개로 마련되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a plurality of strips along the circumferential direction of the rear outer circumferential region and the central region of the susceptor. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 스트립 클램프는 상기 다수의 스트립과 하나씩 대응되도록 상기 스트립에 대응되는 위치의 하부 챔버 바닥벽에 결합되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And the strip clamp is coupled to the lower chamber bottom wall at a position corresponding to the strip so as to correspond to the plurality of strips one by one. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 다수의 스트립 클램프 각각은,Each of the plurality of strip clamps, 상기 관통공에 끼워지면서 결합되며 상기 하부 챔버와 전기적으로 통전되는 금속 재질의 클램프본체; 및A clamp body made of a metallic material coupled to the through hole and electrically connected to the lower chamber; And 상기 하부 챔버 내부를 향한 상기 클램프본체의 일단부에 결합되어 상기 스트립의 타단 자유단이 실질적으로 결합되는 클램핑부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a clamping portion coupled to one end of the clamp main body toward the inside of the lower chamber and having a free end coupled to the other free end of the strip. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 클램프본체는,The clamp body, 상기 관통공에 실질적으로 억지끼워맞춤되는 축부; 및A shaft portion forcibly fitted to the through hole; And 상기 축부의 일단에 형성되어 상기 하부 챔버의 배면으로 노출되는 머리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a head portion formed at one end of the shaft portion and exposed to the rear surface of the lower chamber. 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버 내에 마련되고 상면으로 상기 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터;A susceptor provided in a chamber in which a deposition process for a flat panel display is performed and the flat panel display is loaded on an upper surface thereof; 상기 서셉터의 배면 외주 영역 및 중앙 영역의 둘레 방향을 따라 일단이 상기 서셉터에 고정되도록 상기 서셉터에 결합되는 다수의 스트립(Strip); 및A plurality of strips coupled to the susceptor such that one end thereof is fixed to the susceptor in the circumferential direction of the rear outer circumferential region and the central region of the susceptor; And 작업자의 접근이 허용되는 상기 챔버의 내벽과 상기 서셉터의 외곽 사이 영 역의 상기 챔버 바닥면에 마련되어 상기 서셉터의 타단 자유단이 결합되어 상기 서셉터를 상기 챔버에 접지(Ground)시키는 다수의 스트립 클램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.A plurality of free ends coupled to the other end of the susceptor to ground the susceptor to the chamber are provided on the bottom surface of the chamber in the area between the inner wall of the chamber and the outside of the susceptor to allow the worker access Chemical vapor deposition apparatus comprising a strip clamp. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 스트립 클램프는,The strip clamp, 상기 챔버의 일측벽에 결합되어 고정되는 고정몸체;A fixed body fixedly coupled to one side wall of the chamber; 상기 고정몸체에 대해 접근 및 이격 가능하도록 상기 고정몸체의 일측에 배치되며, 상기 고정몸체에 접근될 때 상기 고정몸체와 함께 상기 서셉터로부터 연장된 스트립(Strip)을 척킹하여 고정하는 가동몸체;A movable body disposed on one side of the fixed body so as to be accessible and spaced from the fixed body, and chucking and fixing a strip extending from the susceptor together with the fixed body when the fixed body is approached; 상기 고정 및 가동몸체에 각각 결합되며, 정역방향으로의 회전에 의해 상기 가동몸체를 상기 고정몸체에 대해 접근 및 이격시키는 회전축부; 및A rotating shaft portion coupled to the fixed and movable bodies, respectively, for approaching and spaced apart from the fixed body by the rotation in the forward and reverse directions; And 상기 회전축부를 정역방향으로 회전조작하도록 상기 회전축부의 노출단 영역에 마련되는 회전조작부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.And a rotation manipulation portion provided in an exposed end region of the rotation shaft portion to rotate the rotation shaft portion in a forward and backward direction. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 회전축부는 상기 고정 및 가동몸체의 중앙영역에서 상기 고정 및 가동몸체에 각각 나사 결합되며,The rotating shaft portion is screwed to the fixed and movable body in the central region of the fixed and movable body, 상기 회전축부 및 상기 고정몸체 사이에 형성된 나사산의 방향과, 상기 회전축부 및 상기 가동몸체 사이에 형성된 나사산의 방향은 서로 반대 방향으로 가공되 어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.And a direction of the screw thread formed between the rotary shaft portion and the fixed body and a direction of the screw thread formed between the rotary shaft portion and the movable body are processed in opposite directions. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 고정 및 가동몸체에는, 상기 고정몸체에 대한 상기 가동몸체의 접근 및 이격을 안내하는 안내부가 더 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.The fixed and movable body, the chemical vapor deposition apparatus characterized in that the guide portion for guiding the approach and the separation of the movable body to the fixed body is further provided. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 안내부는,The guide portion, 상기 고정몸체의 일측면에 함몰형성된 고정홈부;A fixed groove formed in one side of the fixed body; 상기 고정홈부가 형성된 상기 고정몸체의 일측면과 마주보는 상기 가동몸체의 일측면에 함몰형성된 가동홈부; 및A movable groove recessed in one side of the movable body facing one side of the fixed body in which the fixing groove is formed; And 양단이 상기 고정 및 가동홈부에 각각 결합되는 안내봉을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that both ends include a guide rod coupled to each of the fixed and movable groove. 제1항 또는 제6항에 있어서,The method according to claim 1 or 6, 상기 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The planar display is a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that the large glass substrate for liquid crystal display (LCD).
KR1020070035197A 2007-04-10 2007-04-10 Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display KR100889703B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070035197A KR100889703B1 (en) 2007-04-10 2007-04-10 Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070035197A KR100889703B1 (en) 2007-04-10 2007-04-10 Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080091986A true KR20080091986A (en) 2008-10-15
KR100889703B1 KR100889703B1 (en) 2009-03-24

Family

ID=40152312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070035197A KR100889703B1 (en) 2007-04-10 2007-04-10 Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100889703B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101462590B1 (en) * 2012-08-03 2014-11-19 주식회사 에스에프에이 Chemical Vapor Deposition apparatus for Flat Display
KR20170137389A (en) * 2016-06-03 2017-12-13 주성엔지니어링(주) Substrate processing apparatus
KR102076468B1 (en) * 2018-12-26 2020-02-13 주식회사 테스 Substrate processing apparatus
KR102467388B1 (en) * 2021-05-10 2022-11-16 피코순 오와이 Substrate processing apparatus and method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR870000055Y1 (en) * 1984-11-21 1987-01-28 김규일 Terminal for welding machine
KR910008733Y1 (en) * 1989-09-11 1991-10-28 태광산업 주식회사 Electronic equipment earth terminal fixing
JPH0785903A (en) * 1993-09-20 1995-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Terminal
US6857387B1 (en) * 2000-05-03 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multiple frequency plasma chamber with grounding capacitor at cathode

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101462590B1 (en) * 2012-08-03 2014-11-19 주식회사 에스에프에이 Chemical Vapor Deposition apparatus for Flat Display
KR20170137389A (en) * 2016-06-03 2017-12-13 주성엔지니어링(주) Substrate processing apparatus
KR20220116134A (en) * 2016-06-03 2022-08-22 주성엔지니어링(주) Substrate processing apparatus
KR102076468B1 (en) * 2018-12-26 2020-02-13 주식회사 테스 Substrate processing apparatus
KR102467388B1 (en) * 2021-05-10 2022-11-16 피코순 오와이 Substrate processing apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
KR100889703B1 (en) 2009-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100938874B1 (en) Susceptor for Supporting Flat Display and Method for Manufacturing Thereof, and Chemical Vapor Deposition Apparatus Having the Same
KR100889703B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
KR100904038B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
KR100786273B1 (en) Strip clamp for grounding succeptor and Chemical Vapor Deposition Apparatus having the same
KR20080097832A (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR101062185B1 (en) Plasma processing equipment
KR100701512B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus For Flat Panel Display
KR100738874B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR100877822B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR20150053593A (en) Chemical Vapor Deposition apparatus for Flat Display
KR100714882B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR100858934B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR100854421B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR100896067B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
KR100824254B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR101157199B1 (en) Gas diffusion desk for Chemical Vapor Deposition Apparatus and Chemical Vapor Deposition Apparatus
KR100757356B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR100786274B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus
KR101419346B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
KR100833118B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR100863243B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR100738876B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR100877823B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR101341423B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
KR101479933B1 (en) Gate Valve

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130218

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140213

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150213

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee