KR100738876B1 - Chemical vapor deposition apparatus for flat display - Google Patents

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KR100738876B1
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KR1020060016788A
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이상문
김남진
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주식회사 에스에프에이
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    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber

Abstract

A CVD apparatus for a flat display is provided to stably support a gas distribution plate in a suspending state against an electrode, without forming a spaced space therebetween. An electrode(16) is provided in a chamber in which a deposition process for a flat display is carried out. An electrode support(25) is provided on one side of the electrode to support the electrode. A gas distribution plate(17) is disposed under the electrode to distribute a deposition material on the flat display. A corrugated suspending support member(50) is connected to a surrounding portion of the gas distribution plate to support the gas distribution plate against the electrode.

Description

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Displays {Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}

도 1은 종래기술에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 전극 영역의 확대도이다.1 is an enlarged view of an electrode region in a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to the prior art.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.2 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for planar display according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 "A"영역에 대한 사시도이다.3 is a perspective view of area “A” of FIG. 2.

도 4는 도 3의 분해 사시도이다.4 is an exploded perspective view of FIG. 3.

도 5는 도 2에 도시된 현가지지부재의 측면 확대도이다.5 is an enlarged side view of the suspension supporting member shown in FIG. 2.

도 6은 가스분배판이 X축 방향으로 열팽창됨에 따라 도 5에 도시된 현가지지부재가 동방향으로 열팽창된 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.6 is a view schematically showing a state in which the suspension supporting member shown in FIG. 5 is thermally expanded in the same direction as the gas distribution plate is thermally expanded in the X-axis direction.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 현가지지부재의 부분 사시도이다.7 is a partial perspective view of a suspension support member in a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 현가지지부재의 부분 사시도이다.8 is a partial perspective view of a suspension support member in a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a third embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 챔버 11 : 바닥면10 chamber 11 bottom surface

17 : 가스분배판 17a : 오리피스17 gas distribution plate 17a orifice

17b : 그루브 19 : 이격공간부17b: groove 19: spaced space part

25 : 전극지지부 27 : 슬릿25 electrode support 27 slit

30 : 서셉터 31 : 기판로딩부30: susceptor 31: substrate loading portion

40 : 서셉터지지대 50 : 현가지지부재40: susceptor support 50: suspension support member

51 : 측벽부 52a,52b : 주름홈51: side wall portion 52a, 52b: corrugated groove

54 : 상벽부 57 : 하벽부54: upper wall part 57: lower wall part

60 : 이탈저지부60: departure stop

본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 이격공간부가 개방되지 않도록 하면서도 전극에 대해 가스분배판을 안정적으로 현가 지지할 수 있을 뿐만 아니라 한정된 높이 내에서 전체적인 열 흐름의 길이를 늘여 가스분배판의 열이 상부로 전도되는 것을 방지할 수 있고, 또한 기구적인 안정성으로 인해 가스분배판의 열팽창에 효과적으로 대응할 수 있어 이격공간부가 개방됨으로써 공정의 균일도가 저하되고 파티클(Particle) 불량이 유발되는 것을 저지할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, and more particularly, it is possible to stably support the gas distribution plate with respect to the electrode while not allowing the space to be spaced apart to open the entire heat flow within a limited height. It is possible to prevent the heat of the gas distribution plate from conducting upward by increasing the length of the gas distribution plate and also to effectively cope with thermal expansion of the gas distribution plate due to the mechanical stability. The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for planar displays, which can prevent the occurrence of defects.

평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.Flat panel displays are widely used in personal handheld terminals, as well as in TVs and computers.

이러한 평면디스플레이는 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.Such flat displays include a variety of types such as cathode ray tube (CRT), liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and organic light emitting diodes (OLED).

이들 중에서도 특히, LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.Among them, liquid crystal display (LCD) injects a liquid crystal, which is an intermediate between solid and liquid, between two thin upper and lower glass substrates, and generates light and shade by changing the arrangement of liquid crystal molecules by the electrode voltage difference between the upper and lower glass substrates. It is a device using a kind of optical switch phenomenon to display an image.

LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.LCDs are now widely used in electronic clocks, electronic calculators, TVs, notebook PCs, electronic products, automobiles, aircraft speed displays and driving systems.

종전만 하더라도 LCD TV는 20 인치 내지 30 인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17 인치 이하의 크기를 갖는 것이 주류였다. 하지만, 근자에 들어서는 40 인치 이상의 대형 TV와 20 인치 이상의 대형 모니터에 대한 선호도가 높아지고 있다.Previously, LCD TVs have a size of about 20 to 30 inches, and monitors have a mainstream size of 17 inches or less. In recent years, however, the preference for large TVs of 40 inches or larger and large monitors of 20 inches or larger has increased.

따라서 LCD를 제조하는 제조사의 경우, 보다 넓은 유리기판을 제작하기에 이르렀다. 현재에는 가로/세로의 폭이 1950 × 2250 ㎜이거나 1870 × 2200 ㎜인 7세대, 혹은 2160 × 2460 ㎜ 이상인 8세대까지 유리기판의 크기를 증가시키는 연구가 진행되고 있다.Therefore, manufacturers of LCDs have come to produce wider glass substrates. Currently, research has been conducted to increase the size of glass substrates to the 7th generation having a width of 1950 × 2250 mm or 1870 × 2200 mm, or the 8th generation having a width of 2160 × 2460 mm or more.

LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 Module 공정을 통해 제품으로 출시된다.LCD is a TFT process in which processes such as deposition, photo lithography, etching, chemical vapor deposition, etc. are repeatedly performed, a cell process for bonding upper and lower glass substrates, and an apparatus It is released as a product through the completed module process.

한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 가스분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다.On the other hand, the chemical vapor deposition process, one of many processes, is plasma-formed by an external high frequency power source, and silicon-based compound ions having high energy are ejected from the gas distribution plate through the electrodes. It is a process to be deposited on a glass substrate.

도 1은 종래기술에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 전극 영역의 확대도이다.1 is an enlarged view of an electrode region in a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to the prior art.

이 도면에 도시된 바와 같이, 종래기술에서 화학 기상 증착공정을 수행하는 공정 챔버(110, 이하, 챔버라 함)의 상부에는 전극(116)이 마련되어 있다. 전극(116)은 챔버(110)의 상부 영역에 형성된 챔버상벽(미도시)에 인접 배치되는 전극지지부(125)에 결합되어 있다.As shown in the figure, the electrode 116 is provided on the upper portion of the process chamber 110 (hereinafter referred to as a chamber) for performing a chemical vapor deposition process in the prior art. The electrode 116 is coupled to the electrode support 125 disposed adjacent to the chamber upper wall (not shown) formed in the upper region of the chamber 110.

전극(116)의 하부에는 평면디스플레이(미도시) 상으로 소정의 증착물질(실리콘계 화합물인 반응성 가스)을 분배하는 가스분배판(117)이 마련되어 있다. 가스분배판(117)의 판면에는 반응성 가스가 통과하는 복수의 오리피스(117a)가 형성되어 있다. 이러한 가스분배판(117)과 전극(116) 사이에는 반응성 가스가 유동하는 공간으로서의 이격공간부(119)가 형성되어 있다.The lower portion of the electrode 116 is provided with a gas distribution plate 117 for distributing a predetermined deposition material (reactive gas, a silicon-based compound) onto a flat panel display (not shown). A plurality of orifices 117a through which reactive gas passes are formed on the plate surface of the gas distribution plate 117. A space 119 is formed between the gas distribution plate 117 and the electrode 116 as a space in which the reactive gas flows.

전극(116)과 가스분배판(117) 사이에는 전극(116)과 가스분배판(117)의 둘레방향을 따라 현가지지부재(150)가 마련되어 있다. 현가지지부재(150)는 가스분배판(117)의 열이 상부로 전도되는 것을 방지하기 위해 한정된 높이를 가지는데, 대략 1 mm 정도의 두께를 갖는 얇은 박판을 절곡함으로써 제작된다.A suspension support member 150 is provided between the electrode 116 and the gas distribution plate 117 along the circumferential direction of the electrode 116 and the gas distribution plate 117. Suspension support member 150 has a limited height to prevent the heat of the gas distribution plate 117 is conducted to the top, it is manufactured by bending a thin thin plate having a thickness of about 1 mm.

현가지지부재(150)의 측벽부(151)의 상단에서 절곡된 상벽부(154)는 볼트(155)에 의해 전극(116)에 고정되고, 측벽부(151)의 하단에서 절곡된 하벽부(157)는 핀(158)에 의해 가스분배판(117)에 고정된다.The upper wall portion 154 that is bent at the upper end of the side wall portion 151 of the suspension supporting member 150 is fixed to the electrode 116 by the bolt 155, and the lower wall portion bent at the lower end of the side wall portion 151 ( 157 is fixed to the gas distribution plate 117 by pins 158.

이러한 현가지지부재(150)는 이격공간부(119) 내에 존재하는 반응성 가스가 외부로 누출되지 않도록 이격공간부(119)를 차폐하는 역할을 한다. 뿐만 아니라 현가지지부재(150)는 대략 400 kg 정도의 무거운 중량을 갖는 가스분배판(117)을 전극(116)에 대해 지지하고, 증착 공정시 대략 200 ℃ 정도로 뜨거워진 가스분배판(117)이 열팽창하는 것을 보상한다.The suspension supporting member 150 serves to shield the spaced space portion 119 so that the reactive gas existing in the spaced space portion 119 does not leak to the outside. In addition, the suspension supporting member 150 supports the gas distribution plate 117 having a heavy weight of about 400 kg with respect to the electrode 116, and the gas distribution plate 117 heated to about 200 ° C. during the deposition process. Compensate for thermal expansion.

즉, 증착 공정이 진행되면 평면디스플레이가 로딩(Loading)된 서셉터(미도시)가 대략 400 ℃ 정도의 온도로 가열된 후, 가스분배판(117)에 인접하게 배치되는데 이에 의해, 가스분배판(117)은 대략 200 ℃ 정도의 온도를 갖게 된다.That is, as the deposition process proceeds, the susceptor (not shown) loaded with the planar display is heated to a temperature of about 400 ° C., and is disposed adjacent to the gas distribution plate 117, whereby the gas distribution plate 117 has a temperature of about 200 ° C.

따라서 가스분배판(117)은 가스분배판(117)의 판면에 대해 X축, Y축 및 Z축 방향으로 열팽창하게 된다. 특히, 가스분배판(117)의 판면 방향인 X축 및 Y축 방향으로의 열팽창이 심화된다. 이러한 경우, 현가지지부재(150)는 가스분배판(117)이 열팽창하여 늘어나는 길이만큼 같이 팽창하면서 가스분배판(117)을 현가 지지하게 되는 것이다.Therefore, the gas distribution plate 117 thermally expands in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions with respect to the plate surface of the gas distribution plate 117. In particular, thermal expansion in the X-axis and Y-axis directions, which are the plate surface directions of the gas distribution plate 117, is deepened. In this case, the suspension supporting member 150 suspends the gas distribution plate 117 while expanding as much as the length of the gas distribution plate 117 is extended by thermal expansion.

그런데, 이러한 종래의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 있어서는, 현가지지부재(150)가 충분히 얇은 단순한 박판 구조로 제작되어 있기 때문에 기구적인 안정성이 떨어지는 것은 물론 가스분배판(117)이 열팽창하는 만큼 동일하게 팽창할 수 없어 상벽부(154) 또는 하벽부(157) 영역에서 갭(Gap)을 유발시키게 되고, 이로 인해 이격공간부(119) 내의 반응성 가스가 갭(Gap)을 통해 외부로 유출되는 문제점이 있다.By the way, in the conventional chemical vapor deposition apparatus for planar displays, since the suspension supporting member 150 is made of a simple thin plate structure sufficiently thin, mechanical stability is lowered and the gas distribution plate 117 is the same as the thermal expansion. It is not possible to expand to cause the gap (Gap) in the region of the upper wall portion 154 or the lower wall portion 157, which causes the reactive gas in the separation space 119 is leaked to the outside through the gap (Gap) There is this.

이처럼 반응성 가스가 갭(Gap)을 통해 외부로 유출되는 경우, 가스분배판(117)의 외곽부에서 이상 방전이 발생하여 공정의 균일도를 해치게 되고, 나아가 평면디스플레이에 파티클(Particle) 불량을 유발시키게 된다.As such, when the reactive gas is leaked to the outside through the gap, abnormal discharge occurs at the outer portion of the gas distribution plate 117 to impair the uniformity of the process and further cause particle defects in the flat panel display. do.

본 발명의 목적은, 이격공간부가 개방되지 않도록 하면서도 전극에 대해 가스분배판을 안정적으로 현가 지지할 수 있을 뿐만 아니라 한정된 높이 내에서 전체적인 열 흐름의 길이를 늘여 가스분배판의 열이 상부로 전도되는 것을 방지할 수 있고, 또한 기구적인 안정성으로 인해 가스분배판의 열팽창에 효과적으로 대응할 수 있어 이격공간부가 개방됨으로써 공정의 균일도가 저하되고 파티클(Particle) 불량이 유발되는 것을 저지할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to stably support the gas distribution plate with respect to the electrode while not allowing the space to be opened, and to increase the length of the overall heat flow within a limited height so that the heat of the gas distribution plate is conducted upward. And chemical stability for the flat display, which can effectively cope with thermal expansion of the gas distribution plate due to mechanical stability, and thus, the separation of the space is opened, thereby preventing the uniformity of the process and the occurrence of particle defects. It is to provide a vapor deposition apparatus.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버에 결합되는 전극; 상기 전극의 일측에 마련되어 상기 전극을 지지하는 전극지지부; 상기 전극과의 사이에 소정의 이격공간부를 두고 상기 전극의 하부에 배치되어 상기 평면디스플레이 상으로 증착물질을 분배하는 가스분배판; 및 상기 이격공간부를 차폐하도록 상기 전극과 상기 가스분배판의 둘레방향을 따라 결합되되, 상 기 전극에 대해 상기 가스분배판을 현가 지지하는 주름구조의 현가지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 의해 달성된다.The object is, in accordance with the present invention, an electrode coupled to the chamber in which the deposition process for the planar display proceeds; An electrode support part provided on one side of the electrode to support the electrode; A gas distribution plate disposed below the electrode with a predetermined spaced portion between the electrode and distributing a deposition material on the flat panel display; And a suspension support member having a corrugated structure that is coupled along the circumferential direction of the electrode and the gas distribution plate so as to shield the separation space, and suspends the gas distribution plate with respect to the electrode. It is achieved by a chemical vapor deposition apparatus.

여기서, 상기 현가지지부재는, 상기 가스분배판이 상기 가스분배판의 판면에 대한 X축, Y축 및 Z축 방향 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것에 기초하여 상기 전극에 대해 상기 가스분배판을 현가 지지한다.Here, the suspension supporting member suspends the gas distribution plate with respect to the electrode based on the gas distribution plate thermally expanding in at least one of X, Y, and Z axis directions with respect to the plate surface of the gas distribution plate. I support it.

상기 주름구조의 현가지지부재는, 상기 전극과 상기 가스분배판의 배열방향에 가로로 배치되며, 외면에 내측으로 함몰된 복수의 주름홈이 형성되어 있는 측벽부; 상기 측벽부의 상단에서 상기 측벽부의 판면에 가로로 형성된 상벽부; 및 상기 측벽부의 하단에서 상기 상벽부와 나란하게 형성된 하벽부를 포함한다.The corrugated suspension supporting member includes: a sidewall portion disposed horizontally in an arrangement direction of the electrode and the gas distribution plate and having a plurality of corrugated grooves recessed inward on an outer surface thereof; An upper wall portion formed horizontally on a plate surface of the side wall portion at an upper end of the side wall portion; And a lower wall portion formed parallel to the upper wall portion at a lower end of the side wall portion.

상기 측벽부에 형성된 복수의 주름홈은 상기 측벽부의 양측면 모두에 형성되어 있다.A plurality of corrugation grooves formed in the side wall portion are formed on both side surfaces of the side wall portion.

상기 측벽부의 양측면에 형성된 복수의 주름홈은, 동일한 수평축선 상에 배열되지 않도록 상기 측벽부의 양측면에서 상호 교차 배치된다.The plurality of corrugation grooves formed on both side surfaces of the side wall portion are mutually disposed on both side surfaces of the side wall portion so as not to be arranged on the same horizontal axis.

상기 주름홈들 사이의 이격간격은 실질적으로 동일하다.The spacing between the corrugations is substantially the same.

상기 주름홈들의 함몰 깊이는 적어도 상기 측벽부의 1/2 두께보다 작다.The recessed depth of the corrugation grooves is at least less than half the thickness of the side wall portion.

상기 상벽부와 상기 하벽부 중 적어도 어느 하나의 두께는 상기 측벽부의 두께보다 크다.The thickness of at least one of the upper wall portion and the lower wall portion is larger than the thickness of the side wall portion.

상기 상벽부와 상기 하벽부는 상기 측벽부에 대해 상호 반대방향으로 연장되어 있다.The upper wall portion and the lower wall portion extend in opposite directions with respect to the side wall portion.

상기 상벽부는 상기 전극과 상기 전극지지부 사이에 형성된 슬릿에 물림결합 된다.The upper wall portion is stitched to a slit formed between the electrode and the electrode support portion.

상기 하벽부는 상기 가스분배판의 측면에 형성된 그루브에 삽입되어 결합되되, 상기 하벽부와 상기 가스분배판에는 상기 그루브로부터 상기 하벽부가 이탈되는 것을 저지하는 이탈저지부가 마련되어 있다.The lower wall portion is inserted into and coupled to a groove formed on a side of the gas distribution plate, and the lower wall portion and the gas distribution plate are provided with a release blocking portion for preventing the lower wall portion from being separated from the groove.

상기 이탈저지부는, 상기 가스분배판에 형성된 제1핀삽입부; 상기 하벽부에 형성되고 상기 하벽부가 상기 그루브에 삽입될 때, 상기 제1핀삽입부와 연통되는 제2핀삽입부; 및 상호 연통된 상기 제1 및 제2핀삽입부를 통해 일체로 삽입 체결되는 핀블록을 포함한다.The separation blocking unit, the first pin insertion portion formed in the gas distribution plate; A second pin insertion portion formed in the lower wall portion and communicating with the first pin insertion portion when the lower wall portion is inserted into the groove; And a pin block integrally inserted and fastened through the first and second pin insertion portions communicated with each other.

상기 측벽부에 인접한 상기 하벽부에는 열팽창되는 상기 가스분배판과의 간섭을 저지하는 골부가 형성되어 있다.The lower wall portion adjacent to the side wall portion is provided with a valley portion that prevents interference with the gas distribution plate that is thermally expanded.

상기 측벽부의 두께는 2 mm 내지 6 mm이다.The side wall portion has a thickness of 2 mm to 6 mm.

상기 주름홈은 반구 형상이다.The corrugations are hemispherical in shape.

상기 주름구조의 현가지지부재는 알루미늄으로 제작된다.The suspension supporting member of the corrugation structure is made of aluminum.

상기 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판이다.The flat panel display is a large glass substrate for an LCD (Liquid Crystal Display).

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 각 실시예에 대해 상세히 설명한다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail for each embodiment of the present invention. In the description, the same reference numerals are given to the same components.

이하에서 설명하는 평면디스플레이란, 전술한 바와 같이 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다.As described above, any one of a cathode ray tube (CRT), a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED) may be applied to the flat panel display described below.

다만, 본 실시예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판을 평 면디스플레이라 간주하기로 한다. 그리고 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 7세대 혹은 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다.However, in the present embodiment, a large glass substrate for liquid crystal display (LCD) will be regarded as a flat panel display. As described above, the large size refers to the size of the level applied to the 7th or 8th generation.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이고, 도 3은 도 2의 "A"영역에 대한 사시도이며, 도 4는 도 3의 분해 사시도이다.FIG. 2 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a perspective view of region “A” of FIG. 2, and FIG. 4 is an exploded perspective view of FIG. 3.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)는, 챔버(10)와, 챔버(10) 내에 마련되어 증착 대상의 유리기판(G)이 로딩(Loading)되는 서셉터(30)와, 서셉터(30)의 하부에서 서셉터(30)를 지지하는 복수의 서셉터지지대(40)와, 챔버(10)의 상부 영역에 형성된 챔버상벽(8)에 인접 배치되는 전극지지부(25)와, 전극지지부(25)에 의해 지지되며 소정의 증착물질(실리콘계 화합물인 반응성 가스)을 방출하는 전극(16)과, 전극(16)의 하부에 마련되어 유리기판(G) 상으로 반응성 가스를 분배하는 가스분배판(17)을 구비한다.As shown in FIG. 2, the chemical vapor deposition apparatus 1 for a flat panel display according to the present invention includes a chamber 10 and a glass substrate G to be deposited, which is provided in the chamber 10. Adjacent to the susceptor 30, a plurality of susceptor supports 40 supporting the susceptor 30 below the susceptor 30, and an upper chamber 8 formed in the upper region of the chamber 10. An electrode support portion 25, an electrode 16 supported by the electrode support portion 25 and emitting a predetermined deposition material (reactive gas, which is a silicon-based compound), and a glass substrate G provided below the electrode 16. And a gas distribution plate 17 for distributing the reactive gas onto the phase.

챔버(10)는 내부의 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 외벽이 외부와 차폐되어 있다. 챔버(10)의 증착공간(S)에는 증착 공정시, 불활성 기체(He, Ar)가 충전된다.In the chamber 10, the outer wall is shielded from the outside so that the deposition space S therein can be maintained in a vacuum atmosphere. In the deposition space S of the chamber 10, inert gases He and Ar are filled in the deposition process.

챔버(10)의 외부 상측에는 챔버(10) 내에 잔존하는 불순물을 제거하기 위한 소정의 클리닝(Cleaning) 가스를 공급하는 리모트 플라즈마(18)가 마련되어 있다. 그리고 리모트 플라즈마(18)의 주변에는 고주파 전원부(20)가 설치되어 있다. 고주파 전원부(20)는 연결라인(22)에 의해 전극(16)과 연결되어 있다.A remote plasma 18 is provided above the outside of the chamber 10 to supply a predetermined cleaning gas for removing impurities remaining in the chamber 10. The high frequency power supply unit 20 is provided around the remote plasma 18. The high frequency power supply unit 20 is connected to the electrode 16 by a connection line 22.

챔버(10)의 외벽에는 소정의 작업 로봇에 의해 유리기판(G)이 챔버(10)의 내 외로 유출입되는 통로인 개구부(10a)가 형성되어 있다. 도시하고 있지는 않지만, 개구부(10a)는 도어(미도시)에 의해 선택적으로 개폐된다.The outer wall of the chamber 10 is formed with an opening 10a which is a passage through which the glass substrate G flows in and out of the chamber 10 by a predetermined working robot. Although not shown, the opening 10a is selectively opened and closed by a door (not shown).

챔버(10) 내의 바닥면(11)에는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에 존재하는 가스를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(12)이 마련되어 있다. 그리고 챔버(10) 내의 바닥면(11) 중앙 영역에는 서셉터(30)의 컬럼(32)이 관통하는 관통홀(10b)이 형성되어 있다. 관통홀(10b)의 주변에는 서셉터지지대(40)의 축부(42)가 관통하는 추가의 관통홀(10c)이 더 형성되어 있다.A gas diffusion plate 12 is provided on the bottom surface 11 of the chamber 10 to diffuse the gas existing in the deposition space S in the chamber 10 back into the deposition space S. In the central region of the bottom surface 11 in the chamber 10, a through hole 10b through which the column 32 of the susceptor 30 penetrates is formed. An additional through hole 10c through which the shaft portion 42 of the susceptor support 40 penetrates is further formed around the through hole 10b.

서셉터(30)는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에서 횡방향으로 배치되어 로딩되는 유리기판(G)을 지지하는 기판로딩부(31)와, 상단은 기판로딩부(31)의 중앙에 고정되고 하단은 관통홀(10b)을 통과하여 챔버(10)의 외부에 배치되는 컬럼(32)을 포함한다.The susceptor 30 has a substrate loading part 31 for supporting a glass substrate G loaded in a transverse direction in the deposition space S in the chamber 10, and an upper end thereof is the center of the substrate loading part 31. The lower end includes a column 32 that is fixed to the through hole 10b and disposed outside the chamber 10.

기판로딩부(31)의 상면은 유리기판(G)이 정밀하게 수평상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반으로 제조된다. 기판로딩부(31)의 내부에는 도시 않은 히터가 장착되어 기판로딩부(31)를 소정의 증착온도인 대략 400 ℃로 가열한다.The upper surface of the substrate loading portion 31 is made of almost a plate so that the glass substrate G can be loaded in a precise horizontal state. A heater (not shown) is mounted inside the substrate loading unit 31 to heat the substrate loading unit 31 to a predetermined deposition temperature of approximately 400 ° C.

서셉터(30)는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 챔버(10) 내의 바닥면(11) 영역에 배치되어 있다가 유리기판(G)이 로딩되고 증착 공정이 진행될 때는 유리기판(G)이 가스분배판(17)에 인접할 수 있도록 부상한다. 증착 공정시, 서셉터(30)의 기판로딩부(31)는 가스분배판(17)의 하면에 대략 수십 밀리미터(mm) 정도의 간격까지 부상한다.The susceptor 30 moves up and down in the deposition space S in the chamber 10. That is, when the glass substrate G is loaded, the glass substrate G is disposed in the bottom surface 11 region of the chamber 10, and when the glass substrate G is loaded and the deposition process is performed, the glass substrate G is a gas distribution plate ( 17) Injury so as to be adjacent to. During the deposition process, the substrate loading portion 31 of the susceptor 30 floats on the lower surface of the gas distribution plate 17 to an interval of about several tens of millimeters (mm).

이를 위해, 서셉터(30)의 컬럼(32)에는 서셉터(30)를 승강시키는 승강 모듈 (36)이 마련되어 있다. 승강 모듈(36)에 의해 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)는 함께 승강한다.For this purpose, the elevating module 36 for elevating the susceptor 30 is provided in the column 32 of the susceptor 30. The susceptor 30 and the susceptor support 40 are elevated together by the lifting module 36.

승강 모듈(36)에 의해 서셉터(30)가 승강하는 과정에서 서셉터(30)의 컬럼(32)과 관통홀(10b) 간에 공간이 발생되어서는 아니된다. 이에, 관통홀(10b) 주변에는 컬럼(32)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(34)이 마련되어 있다. 벨로우즈관(34)은 서셉터(30)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(30)가 부상할 때 압착되면서 컬럼(32)과 관통홀(10b) 간에 공간이 발생하는 것을 방지한다.In the process of elevating the susceptor 30 by the elevating module 36, no space is generated between the column 32 of the susceptor 30 and the through hole 10b. Accordingly, the bellows pipe 34 is provided around the through hole 10b to surround the outside of the column 32. The bellows pipe 34 is expanded when the susceptor 30 descends and is compressed when the susceptor 30 rises to prevent space from occurring between the column 32 and the through hole 10b.

서셉터(30)의 기판로딩부(31)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하여 기판로딩부(31)의 상면으로 안내하는 복수의 리프트 핀(38)이 마련되어 있다. 리프트 핀(38)은 기판로딩부(31)를 관통하도록 설치되어 있다.The substrate loading part 31 of the susceptor 30 is provided with a plurality of lift pins 38 which reliably support the lower surface of the glass substrate G loaded or taken out to guide the upper surface of the substrate loading part 31. . The lift pin 38 is provided to penetrate the substrate loading portion 31.

리프트 핀(38)은 승강 모듈(36)에 의해 서셉터(30)가 하강할 때, 그 하단이 챔버(10)의 바닥면(11)에 가압되어 상단이 기판로딩부(31)의 상면으로 돌출된다. 이에, 유리기판(G)을 기판로딩부(31)로부터 이격시킨다. 반대로, 서셉터(30)가 부상하면, 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 기판로딩부(31)의 상면에 밀착되도록 한다.When the susceptor 30 is lowered by the elevating module 36, the lift pin 38 is pressed to the bottom 11 of the chamber 10 so that the top thereof is the top surface of the substrate loading part 31. It protrudes. Thus, the glass substrate G is spaced apart from the substrate loading part 31. On the contrary, when the susceptor 30 floats, the susceptor 30 moves downward to bring the glass substrate G into close contact with the upper surface of the substrate loading part 31.

이러한 리프트 핀(38)은 도시 않은 로봇아암이 서셉터(30)의 기판로딩부(31)에 로딩된 유리기판(G)을 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 기판로딩부(31) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다.The lift pin 38 is disposed between the glass substrate G and the substrate loading portion 31 so that the robot arm (not shown) can grip the glass substrate G loaded on the substrate loading portion 31 of the susceptor 30. It also serves to form a space.

전술한 바와 같이, 7세대 혹은 8세대 하에서의 서셉터(30)는 그 무게가 무겁 고 크기가 상대적으로 커서 처짐이 발생할 수 있는데, 이럴 경우, 유리기판(G)에도 처짐이 발생할 수 있다.As described above, the susceptor 30 under 7th generation or 8th generation may have a large weight and a relatively large size, which may cause sag. In this case, sagging may occur on the glass substrate G.

이에, 도시된 바와 같이, 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 하부에는 복수개의 서셉터지지대(40)가 마련되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31)를 떠받치고 있다. 기판로딩부(31)는 대형 유리기판(G)의 크기보다 좀 더 크게 형성되므로, 중심의 컬럼(32)에서부터 반경방향 외측으로 갈수록 처짐이 심하게 발생한다.Thus, as shown, a plurality of susceptor support 40 is provided below the substrate loading portion 31 of the susceptor 30 to support the substrate loading portion 31 of the susceptor 30. Since the substrate loading part 31 is formed to be larger than the size of the large glass substrate G, sagging occurs seriously toward the radially outer side from the central column 32.

따라서 서셉터지지대(40)는 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 외측 영역에 상호 이격되게 복수개로 마련되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31)가 처지는 것을 저지하고 있는 것이다.Therefore, the susceptor support 40 is provided in plurality in the outer region of the substrate loading part 31 of the susceptor 30 to prevent the substrate loading part 31 of the susceptor 30 from sagging.

이러한 서셉터지지대(40)는 기판로딩부(31)의 하면에 위치하는 머리부(41)와, 머리부(41)에서 연장되어 서셉터(30)의 컬럼(32)과 나란하게 배치되는 축부(42)를 갖는다.The susceptor support 40 has a head portion 41 positioned on the bottom surface of the substrate loading portion 31, and a shaft portion extending from the head portion 41 and arranged side by side with the column 32 of the susceptor 30. Has 42.

축부(42)의 단부는 컬럼(32)과 마찬가지로 승강 모듈(36)에 일체로 결합되어 있다. 따라서 승강 모듈(36)이 동작하면, 서셉터지지대(40)로 서셉터(30)와 함께 승강하게 된다. 축부(42)의 영역에도 벨로우즈관(34a)이 형성되어 있다.The end of the shaft portion 42 is integrally coupled to the elevating module 36, like the column 32. Therefore, when the elevating module 36 operates, the elevating module 36 moves up and down together with the susceptor 30. A bellows pipe 34a is also formed in the region of the shaft portion 42.

전극(16)과 챔버(10)의 외벽 사이에는 전극(16)이 챔버(10)의 외벽에 직접 접촉하여 통전되지 않도록 절연체(26)가 마련되어 있다. 절연체(26)는 테프론 등으로 제작될 수 있다. 전극(16)과 가스분배판(17) 사이에는 배기 버퍼 공간으로서의 이격공간부(19)가 형성되어 있다.An insulator 26 is provided between the electrode 16 and the outer wall of the chamber 10 so that the electrode 16 directly contacts the outer wall of the chamber 10 and does not conduct electricity. The insulator 26 may be made of Teflon or the like. The space | interval space part 19 as an exhaust buffer space is formed between the electrode 16 and the gas distribution board 17. As shown in FIG.

반응성 가스를 분배하는 가스분배판(17)은 대략 400 kg 정도의 무거운 중량 을 갖는다. 이러한 가스분배판(17)은 증착 공정시, 서셉터(30)가 대략 400 ℃ 정도의 온도로 가열되는 것에 기인하여 대략 200 ℃ 정도의 온도로 뜨거워진다.The gas distribution plate 17 for distributing the reactive gas has a heavy weight of about 400 kg. The gas distribution plate 17 is heated to a temperature of about 200 ° C. due to the susceptor 30 being heated to a temperature of about 400 ° C. during the deposition process.

이러한 가스분배판(17)의 판면에는 다수의 오리피스(17a, 도 3 및 도 4 참조)가 형성되어 있다. 이에, 전극(16)으로부터 제공된 반응성 가스는 이격공간부(19)를 거쳐 다수의 오리피스(17a)를 통해 챔버(10) 내로 분배될 수 있다.The orifice 17a (refer FIG. 3 and FIG. 4) is formed in the plate surface of this gas distribution board 17. FIG. Accordingly, the reactive gas provided from the electrode 16 may be distributed into the chamber 10 through the plurality of orifices 17a via the space 19.

한편, 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치에서는 전극(16)과 가스분배판(17) 사이에 주름구조의 현가지지부재(50)가 마련되어 있다.On the other hand, in the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, a suspension supporting member 50 having a corrugated structure is provided between the electrode 16 and the gas distribution plate 17.

주름구조의 현가지지부재(50)는 이격공간부(19) 내에 존재하는 반응성 가스가 외부로 누출되지 않도록 이격공간부(19)를 차폐하는 역할을 한다. 따라서 주름구조의 현가지지부재(50)는 전극(16)과 가스분배판(17)의 둘레방향을 따라 연속적으로 배치된다. 도 3 및 도 4에서는 설명의 편의를 위해 한 쪽에 위치한 주름구조의 현가지지부재(50)에 대해 도시하고 있다.The suspension supporting member 50 of the corrugated structure serves to shield the spaced space portion 19 so that the reactive gas existing in the spaced space portion 19 does not leak to the outside. Therefore, the suspension supporting member 50 of the corrugation structure is continuously disposed along the circumferential direction of the electrode 16 and the gas distribution plate 17. 3 and 4 illustrate the suspension supporting member 50 having a corrugated structure located on one side for convenience of description.

또한 주름구조의 현가지지부재(50)는 대략 400 kg 정도의 무거운 중량을 갖는 가스분배판(17)을 전극(16)에 대해 현가 지지한다. 즉, 도시된 바와 같이, 가스분배판(17)은 주름구조의 현가지지부재(50)에 매달린 상태로 챔버(10)의 상부에 위치한다.The corrugated suspension supporting member 50 suspends the gas distribution plate 17 with respect to the electrode 16 having a heavy weight of about 400 kg. That is, as shown, the gas distribution plate 17 is positioned above the chamber 10 in a state suspended from the suspension supporting member 50 of the corrugated structure.

뿐만 아니라 주름구조의 현가지지부재(50)는 증착 공정시 대략 200 ℃ 정도로 뜨거워진 가스분배판(17)이 도 3의 X축, Y축 및 Z축 방향 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것을 보상할 수 있도록 가스분배판(17)과 함께 열팽창한다. 물론, 증착 공정이 완료되면, 가스분배판(17)과 현가지지부재(50)는 원상태로 수축한 다.In addition, the corrugated suspension supporting member 50 compensates for the thermal expansion of the gas distribution plate 17 heated at about 200 ° C. in at least one of the X, Y, and Z directions of FIG. 3 during the deposition process. It thermally expands together with the gas distribution plate 17 so as to be able to do so. Of course, when the deposition process is completed, the gas distribution plate 17 and the suspension supporting member 50 is contracted to the original state.

이처럼 다양한 역할을 수행하는 현가지지부재(50)는 종래기술(도 1 참조)과는 다른 구조를 가질 필요가 있으므로 본 실시예의 경우, 주름구조의 현가지지부재(50)를 제시하고 있는 것이다.Since the suspension supporting member 50 performing various roles as described above needs to have a structure different from that of the prior art (see FIG. 1), in the present embodiment, the suspension supporting member 50 has a corrugated structure.

다만, 주름구조의 현가지지부재(50)를 통해 가스분배판(17)의 열이 상부로 전도되어서는 아니된다. 따라서 본 실시예의 현가지지부재(50) 역시 종래의 것과 마찬가지로 한정된 높이를 갖도록 설계될 필요가 있다.However, the heat of the gas distribution plate 17 should not be conducted upward through the suspension supporting member 50 having a corrugated structure. Therefore, the suspension supporting member 50 of this embodiment also needs to be designed to have a limited height as in the prior art.

주름구조의 현가지지부재(50)에 대해 도 3 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The suspension supporting member 50 having a corrugated structure will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6 as follows.

주름구조의 현가지지부재(50)는, 전극(16)과 가스분배판(17)의 배열방향(도 2의 좌우방향)에 가로로 배치되며 외면에 내측으로 함몰된 복수의 주름홈(52a,52b)이 형성되어 있는 측벽부(51)와, 측벽부(51)의 상단에서 측벽부(51)의 판면에 가로로 형성된 상벽부(54)와, 측벽부(51)의 하단에서 상벽부(54)와 나란하게 형성된 하벽부(57)를 구비한다.The corrugated suspension supporting member 50 has a plurality of corrugated grooves 52a disposed horizontally in the arrangement direction (left and right directions in FIG. 2) of the electrode 16 and the gas distribution plate 17 and recessed inwardly on an outer surface thereof. 52b), the upper wall portion 54 formed horizontally on the plate surface of the side wall portion 51 at the upper end of the side wall portion 51, and the upper wall portion (lower portion of the side wall portion 51). A lower wall portion 57 formed in parallel with 54;

이러한 주름구조의 현가지지부재(50)는 알루미늄으로 제작될 수 있다. 즉, 알루미늄을 재료로 해당 위치를 절곡하여 측벽부(51), 상벽부(54) 및 하벽부(57)를 일체로 제작할 수 있다. 이럴 경우, 상벽부(54) 및 하벽부(57)는 측벽부(51)의 해당 위치에서 절곡 형성되거나 혹은 기계가공 등의 방법으로 형성될 수 있다. 하지만, 경우에 따라 측벽부(51), 상벽부(54) 및 하벽부(57)를 부분적으로 제작하여 상호 용접하거나 볼팅 결합할 수도 있는 것이다.The suspension supporting member 50 of the corrugation structure may be made of aluminum. That is, the side wall part 51, the upper wall part 54, and the lower wall part 57 can be integrally manufactured by bending the said position from aluminum. In this case, the upper wall portion 54 and the lower wall portion 57 may be bent at a corresponding position of the side wall portion 51 or may be formed by a method such as machining. However, in some cases, the side wall part 51, the upper wall part 54 and the lower wall part 57 may be partially manufactured to be welded or bolted to each other.

측벽부(51)는 종래의 현가지지부재(150, 도 1 참조)의 두께보다 크게 형성된다. 즉, 측벽부(51)는 대략 2 mm 내지 6 mm의 두께(t, 도 5 참조)를 가질 수 있다. 본 실시예에서는 측벽부(51)의 두께(t)를 4 mm 정도로 하고 있다.The side wall part 51 is formed larger than the thickness of the conventional suspension support member 150 (refer to FIG. 1). That is, the side wall portion 51 may have a thickness t (see FIG. 5) of about 2 mm to 6 mm. In the present embodiment, the thickness t of the side wall portion 51 is about 4 mm.

이 때, 상벽부(54)와 하벽부(57) 중 적어도 어느 하나는 측벽부(51)의 두께(t)보다 크게 형성될 수 있는데, 본 실시예의 경우, 하벽부(57)를 측벽부(51)의 두께(t)보다 크게 제작하고 있다. 상벽부(54)는 측벽부(51)의 두께(t)와 거의 유사하게 제작된다.At this time, at least one of the upper wall portion 54 and the lower wall portion 57 may be formed larger than the thickness t of the side wall portion 51. In the present embodiment, the lower wall portion 57 may be formed as a side wall portion ( It is produced larger than the thickness t of 51). The upper wall portion 54 is made almost similar to the thickness t of the side wall portion 51.

측벽부(51)의 양측면 각각에는 복수의 주름홈(52a,52b)이 형성되어 있다. 주름홈(52a,52b)은 대략 반구 형상을 갖는다. 그러나 완전한 반구 형상을 이룰 필요는 없으며, 대략 부분적인 원호 형상이면 족하다.A plurality of corrugation grooves 52a and 52b are formed in each of both side surfaces of the side wall portion 51. The corrugation grooves 52a and 52b have an approximately hemispherical shape. However, it is not necessary to achieve a full hemispheric shape, and a partial arc shape is sufficient.

주름홈(52a,52b)의 개수는 적절하게 선택될 수 있다. 다만, 측벽부(51)의 양측면에 형성된 복수의 주름홈(52a,52b)은, 동일한 수평축선 상에 배열되지 않도록 측벽부(51)의 양측면에서 상호 교차 배치되는 것이 바람직하다.The number of corrugation grooves 52a and 52b can be appropriately selected. However, it is preferable that the plurality of corrugated grooves 52a and 52b formed on both side surfaces of the side wall portion 51 intersect each other on both side surfaces of the side wall portion 51 so as not to be arranged on the same horizontal axis.

이처럼 복수의 주름홈(52a,52b)들이 벽부(51)의 양측면에서 상호 교차 배치될 경우, 한정된 높이 내에서 전체적인 열 흐름의 길이가 늘어나게 되고, 이에 따라 가스분배판(17)의 열이 상부로 전도되는 것이 저지된다.As such, when the plurality of corrugated grooves 52a and 52b are mutually disposed at both sides of the wall 51, the length of the overall heat flow increases within a limited height, and thus the heat of the gas distribution plate 17 is moved upward. To be preached.

뿐만 아니라 복수의 주름홈(52a,52b)들로 인해 현가지지부재(50)는 그 팽창 길이가 좀 더 많이 늘어날 수 있어(도 6 참조) 가스분배판(17)의 열팽창에 효과적으로 대응할 수 있다. 따라서 이격공간부(19)가 개방됨에 따라 공정의 균일도가 저하되고 파티클(Particle) 불량이 유발되는 것을 저지할 수 있게 되는 것이다.In addition, due to the plurality of corrugated grooves 52a and 52b, the suspension supporting member 50 may increase its expansion length more (see FIG. 6), thereby effectively coping with thermal expansion of the gas distribution plate 17. Therefore, as the separation space 19 is opened, uniformity of the process may be lowered and particle defects may be prevented from occurring.

이 때, 열팽창 및 수축에 따른 기구적 안정성을 보장하기 위해, 주름홈(52a,52b)들 사이의 이격간격은 실질적으로 동일하면 더욱 좋다. 하지만, 주름홈(52a,52b)들 사이의 이격간격이 완벽하게 동일할 필요는 없다.At this time, in order to ensure mechanical stability due to thermal expansion and contraction, the spacing interval between the corrugated grooves 52a and 52b may be substantially the same. However, the spacing between the corrugation grooves 52a and 52b need not be exactly the same.

또한 본 실시예의 경우, 주름홈(52a,52b)들의 함몰 깊이는 적어도 측벽부(51)의 1/2 두께보다 작게 형성된다. 앞서 기술한 바와 같이, 측벽부(51)의 두께(t)가 4 mm일 경우, 주름홈(52a,52b)들의 함몰 깊이는 2 mm 이하의 수준을 갖는다. 이 역시, 열팽창 및 수축에 따른 기구적 안정성을 보장하기 위한 하나의 방법인 바, 굳이 이에 제한될 필요는 없다.In addition, in the present embodiment, the recessed depths of the corrugation grooves 52a and 52b are formed at least smaller than half the thickness of the side wall portion 51. As described above, when the thickness t of the side wall portion 51 is 4 mm, the depth of depression of the corrugation grooves 52a and 52b has a level of 2 mm or less. This is also a method for ensuring mechanical stability due to thermal expansion and contraction, and need not be limited thereto.

상벽부(54)는 측벽부(51)의 상단에서 챔버(10)의 외벽 방향을 따라 연장되어 있다. 종래기술과 달리, 본 실시예에서 현가지지부재(50)의 상벽부(54)는 전극(16)과 전극지지부(25) 사이에 형성된 슬릿(27)에 물림결합된다. 이에 의하여, 현가지지부재(50)는, 가스분배판(17)의 열팽창시 주름구조와 더불어 슬릿(27)의 소정 간격에서 유동이 가능하기 때문에 가스분배판(17)의 열팽창에 효과적으로 대처할 수 있게 된다.The upper wall portion 54 extends along the outer wall direction of the chamber 10 at the upper end of the side wall portion 51. Unlike the prior art, in the present embodiment, the upper wall portion 54 of the suspension support member 50 is bit-coupled to the slit 27 formed between the electrode 16 and the electrode support portion 25. Accordingly, the suspension supporting member 50 can cope with thermal expansion of the gas distribution plate 17 because the suspension structure 50 can flow at a predetermined interval of the slit 27 together with the corrugation structure during thermal expansion of the gas distribution plate 17. do.

하벽부(57)는 측벽부(51)의 하단에서 가스분배판(17)을 향해 연장되어 있다. 즉, 하벽부(57)는 상벽부(54)와 반대방향으로 연장되어 있다. 하벽부(57)에는 측벽부(51)에 인접한 위치에, 열팽창되는 가스분배판(17)과의 간섭을 저지하는 골부(57a)가 더 형성되어 있다.The lower wall portion 57 extends toward the gas distribution plate 17 from the lower end of the side wall portion 51. That is, the lower wall portion 57 extends in the opposite direction to the upper wall portion 54. The lower wall portion 57 is further provided with a valley portion 57a at the position adjacent to the side wall portion 51 to prevent interference with the gas distribution plate 17 that is thermally expanded.

이러한 하벽부(57) 역시, 상벽부(54)와 마찬가지로 가스분배판(17)의 측면에 형성된 그루브(17b)에 삽입되는 구조를 갖는다. 다만, 가스분배판(17)과 주름구조 의 현가지지부재(50)는 열팽창하면서 유동하기 때문에 하벽부(57)가 그루브(17b)로부터 이탈될 우려가 있다.The lower wall portion 57 also has a structure that is inserted into the groove 17b formed on the side surface of the gas distribution plate 17 similarly to the upper wall portion 54. However, since the gas distribution plate 17 and the suspension supporting member 50 having a corrugated structure flow while thermally expanding, the lower wall portion 57 may be separated from the groove 17b.

이를 저지하기 위해, 하벽부(57)와 가스분배판(17)에는 그루브(17b)로부터 하벽부(57)가 이탈되는 것을 저지하는 이탈저지부(60)가 더 마련되어 있다.In order to prevent this, the lower wall portion 57 and the gas distribution plate 17 are further provided with a release blocking portion 60 for preventing the lower wall portion 57 from being separated from the groove 17b.

이탈저지부(60)는, 가스분배판(17)에 형성된 제1핀삽입부(60a)와, 하벽부(57)에 형성되고 하벽부(57)가 그루브(17b)에 삽입될 때, 제1핀삽입부(60a)와 연통되는 제2핀삽입부(60b)와, 상호 연통된 제1 및 제2핀삽입부(60a,60b)를 통해 일체로 삽입 체결되는 핀블록(60c)을 포함한다.The separation blocking part 60 is formed when the first pin insertion part 60a formed in the gas distribution plate 17 and the lower wall part 57 and the lower wall part 57 are inserted into the groove 17b. The second pin insertion portion 60b communicating with the one pin insertion portion 60a and the pin block 60c integrally inserted and fastened through the first and second pin insertion portions 60a and 60b communicated with each other. do.

이러한 구성을 갖는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)의 동작과 그에 따른 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.The operation of the chemical vapor deposition apparatus 1 for a flat panel display having such a configuration and the effects thereof will be described as follows.

우선, 승강 모듈(36)에 의해 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)가 챔버(10)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇아암에 의해 이송된 증착 대상의 유리기판(G)이 개구부(10a)를 통해 반입되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 상부에 배치된다.First, the glass substrate G to be deposited transferred by the robot arm in the state where the susceptor 30 and the susceptor support 40 are lowered to the lower region of the chamber 10 by the elevating module 36 is opened. It is loaded through 10a and disposed on the substrate loading part 31 of the susceptor 30.

이 때, 리프트 핀(38)의 상단은 기판로딩부(31)의 상면으로 소정 높이 돌출된 상태이므로, 로봇아암은 리프트 핀(38)들에 유리기판(G)을 올려둔 후, 취출된다. 로봇아암이 취출되면, 챔버(10)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 증착에 필요한 불활성 기체(He, Ar)가 충전된다.At this time, since the upper end of the lift pin 38 is protruded a predetermined height to the upper surface of the substrate loading portion 31, the robot arm is taken out after placing the glass substrate (G) on the lift pins (38). When the robot arm is taken out, the inside of the chamber 10 is maintained in a vacuum atmosphere and filled with inert gases He and Ar necessary for deposition.

다음, 증착공정의 진행을 위해, 승강 모듈(36)이 동작하여 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)를 함께 부상시킨다. 그러면 리프트 핀(38)이 하강되며, 이를 통해 유리기판(G)은 기판로딩부(31)의 상면으로 밀착하면서 로딩된다. 서셉터(30)가 부 상하면 승강 모듈(36)의 동작이 정지되고 유리기판(G)은 전극(16)의 직하방에 위치하게 된다. 이 때 이미, 서셉터(30)는 대략 400 ℃ 정도로 가열된다.Next, in order to proceed with the deposition process, the elevating module 36 is operated to raise the susceptor 30 and the susceptor support 40 together. The lift pin 38 is then lowered, through which the glass substrate G is loaded while being in close contact with the upper surface of the substrate loading part 31. When the susceptor 30 is injured, the operation of the elevating module 36 is stopped and the glass substrate G is positioned directly below the electrode 16. At this time, the susceptor 30 is heated to about 400 ° C.

그런 다음, 절연체(26)로 인해 절연된 전극(16)을 통해 전원이 인가된다. 이어 수많은 오리피스(17a)가 형성된 가스분배판(17)을 통해 반응성 가스가 분출되어 유리기판(G) 상으로 도달함으로써 유리기판(G) 상에 증착이 이루어진다.Then, power is applied through the electrode 16 insulated by the insulator 26. Subsequently, the reactive gas is ejected through the gas distribution plate 17 on which the orifices 17a are formed and reaches the glass substrate G, thereby depositing on the glass substrate G.

한편, 이러한 과정에서 가스분배판(17)은 대략 200 ℃ 정도의 온도로 가열되어 도 3의 X축, Y축 및 Z축 방향 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하게 되는데, 이 때, 현가지지부재(50)는 주름구조의 구조적인 특징으로 인해 가스분배판(17)의 팽창 방향으로 동일하게 팽창하게 된다.Meanwhile, in this process, the gas distribution plate 17 is heated to a temperature of about 200 ° C. to thermally expand in at least one of the X, Y, and Z directions of FIG. 3, wherein the suspension supporting member ( 50 is the same in the expansion direction of the gas distribution plate 17 due to the structural feature of the corrugated structure.

예를 들어, 현가지지부재(50)가 도 5와 같은 상태에서, 가스분배판(17)이 X축 방향(도 3 참조)으로 열팽창되면, 이에 따라 현가지지부재(50) 역시 동일한 방향으로 늘어난다(도 6 참조). 이러한 경우, 주름홈(52a,52b)들 역시 늘어나면서 현가지지부재(50)의 열팽창을 돕는다.For example, in the state in which the suspension supporting member 50 is the same as in FIG. 5, when the gas distribution plate 17 is thermally expanded in the X-axis direction (see FIG. 3), the suspension supporting member 50 also extends in the same direction. (See Figure 6). In this case, the corrugated grooves 52a and 52b are also extended to help thermal expansion of the suspension supporting member 50.

따라서 종래의 현가지지부재(150, 도 1 참조)보다 쉽게 팽창할 수 있는 구조적인 특징으로 인해 가스분배판(17)이 열팽창하더라도 이에 적절하게 대응할 수 있는 바, 이격공간부(19)가 개방되지 않기 때문에 공정의 균일도가 저하되고 파티클(Particle) 불량이 유발되는 것을 저지할 수 있게 된다.Therefore, even if the gas distribution plate 17 is thermally expanded due to a structural feature that can be easily expanded than the conventional suspension supporting member 150 (see FIG. 1), the spaced space portion 19 is not opened. This reduces the uniformity of the process and can prevent the occurrence of particle defects.

이와 같이, 본 발명에 의하면, 이격공간부(19)가 개방되지 않도록 하면서도 전극(16)에 대해 가스분배판(17)을 안정적으로 현가 지지할 수 있을 뿐만 아니라 한정된 높이 내에서 전체적인 열 흐름의 길이를 늘여 가스분배판(17)의 열이 상부 로 전도되는 것을 방지할 수 있고, 기구적인 안정성으로 인해 가스분배판(17)의 열팽창에 효과적으로 대응할 수 있어 이격공간부(19)가 개방됨에 따라 공정의 균일도가 저하되고 파티클(Particle) 불량이 유발되는 것을 저지할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, the gas distribution plate 17 can be stably supported with respect to the electrode 16 while preventing the separation space 19 from being opened, and the length of the entire heat flow within a limited height. It is possible to prevent the heat of the gas distribution plate 17 from being conducted to the upper side by increasing the number and to effectively cope with thermal expansion of the gas distribution plate 17 due to the mechanical stability, so that the spaced space portion 19 is opened. It is possible to prevent the uniformity of and to reduce the particle (particle) defects.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 현가지지부재의 부분 사시도이다.7 is a partial perspective view of a suspension support member in a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a second embodiment of the present invention.

전술한 실시예의 경우, 주름구조의 현가지지부재(50)가 단위판으로 되어 전극(16)과 가스분배판(17) 사이의 측부 4곳에 배치되었다. 하지만, 도 7에 도시된 바와 같이, 주름구조의 현가지지부재(50a)는 한글 "ㄱ"자 구조로 이루어질 수도 있다. 도 7과 같을 경우, 주름구조의 현가지지부재(50a)는 전극(16)과 가스분배판(17) 사이에서 2개가 상호 반대방향으로 조립되면 되기 때문에 조립 및 제조 공정이 간편해지는 이점이 있다.In the case of the above-described embodiment, the corrugated suspension supporting member 50 is a unit plate and is disposed on four sides between the electrode 16 and the gas distribution plate 17. However, as illustrated in FIG. 7, the suspension supporting member 50a of the corrugation structure may be formed of the Hangul “A” character structure. As shown in FIG. 7, since the suspension supporting member 50a of the corrugated structure has to be assembled in the opposite direction between the electrode 16 and the gas distribution plate 17, the assembly and manufacturing process may be simplified.

도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 현가지지부재의 부분 사시도이다.8 is a partial perspective view of a suspension support member in a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to a third embodiment of the present invention.

도 8은 주름구조의 현가지지부재(50)들 간에 조립 구조를 보인 도면으로서, 주름구조의 현가지지부재(50)들은 상호 수직되게 배치된 후, 상호 조립된다. 이를 위해, 주름구조의 현가지지부재(50)들의 측면에는 덧살부(51a)가 더 형성된다. 이 때, 덧살부(51a)는 도시된 바와 같이, 평평한 판상체로 이루어질 수도 있고 혹은, 주름구조를 가질 수도 있다.8 is a view showing the assembly structure between the suspension structure supporting members 50 of the corrugated structure, the suspension supporting members 50 of the corrugated structure are arranged perpendicular to each other, and then assembled together. To this end, a side portion 51a is further formed on the side surfaces of the suspension supporting members 50 of the corrugation structure. At this time, as shown, the gush portion 51a may be made of a flat plate-like body, or may have a wrinkled structure.

도 8과 같이, 덧살부(51a)들이 상호 대면하면, 별도의 결속부재(70)가 덧살부(51a)들에 끼워진다. 즉, 결속부재(70)에 형성된 홈부(70a)가 각 덧살부(51a)들 에 끼워짐으로써 대면하는 한 쌍의 현가지지부재(50)들은 상호 조립될 수 있다.As shown in FIG. 8, when the grate portions 51a face each other, separate binding members 70 are fitted to the grate portions 51a. That is, the pair of suspension supporting members 50 facing each other may be assembled by inserting the grooves 70a formed in the binding member 70 into the grate portions 51a.

물론, 선택사항이기는 하지만, 결속부재(70)의 후미에는 상호 연결된 현가지지부재(50)들의 모서리 영역을 커버하는 모서리커버부(72)가 더 마련될 수 있다. 모서리커버부(72)는 해당 위치에 조립된 후, 볼트(73)에 의해 현가지지부재(50)들 또는 현가지지부재(50)들의 하부 구조물에 체결될 수 있다.Of course, although optional, the rear end of the binding member 70 may be further provided with an edge cover portion 72 to cover the edge area of the interconnected suspension supporting members 50. The edge cover portion 72 may be assembled to the corresponding position, and then fastened to the lower structure of the suspension supporting members 50 or the suspension supporting members 50 by bolts 73.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 이격공간부가 개방되지 않도록 하면서도 전극에 대해 가스분배판을 안정적으로 현가 지지할 수 있을 뿐만 아니라 한정된 높이 내에서 전체적인 열 흐름의 길이를 늘여 가스분배판의 열이 상부로 전도되는 것을 방지할 수 있고, 또한 기구적인 안정성으로 인해 가스분배판의 열팽창에 효과적으로 대응할 수 있어 이격공간부가 개방됨으로써 공정의 균일도가 저하되고 파티클(Particle) 불량이 유발되는 것을 저지할 수 있다.As described above, according to the present invention, the gas distribution plate can be stably supported by the suspension plate while stably supporting the gas distribution plate with respect to the electrode while the separation space is not opened. It can be prevented from conducting to the upper side, and can also effectively cope with thermal expansion of the gas distribution plate due to the mechanical stability, so that the separation space can be opened, thereby preventing the uniformity of the process and the occurrence of particle defects. .

Claims (17)

평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버에 결합되는 전극;An electrode coupled to the chamber in which the deposition process for the flat panel display is performed; 상기 전극의 일측에 마련되어 상기 전극을 지지하는 전극지지부;An electrode support part provided on one side of the electrode to support the electrode; 상기 전극과의 사이에 소정의 이격공간부를 두고 상기 전극의 하부에 배치되어 상기 평면디스플레이 상으로 증착물질을 분배하는 가스분배판; 및A gas distribution plate disposed below the electrode with a predetermined spaced portion between the electrode and distributing a deposition material on the flat panel display; And 상기 이격공간부를 차폐하도록 상기 전극과 상기 가스분배판의 둘레방향을 따라 결합되되, 상기 전극에 대해 상기 가스분배판을 현가 지지하는 주름구조의 현가지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.Flat display chemistry comprising a suspension support member coupled along the circumferential direction of the electrode and the gas distribution plate so as to shield the spaced space, and suspending the gas distribution plate with respect to the electrode. Vapor deposition apparatus. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 현가지지부재는,The suspension support member, 상기 가스분배판이 상기 가스분배판의 판면에 대한 X축, Y축 및 Z축 방향 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것에 기초하여 상기 전극에 대해 상기 가스분배판을 현가 지지하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And flatly display the gas distribution plate with respect to the electrode on the basis of the gas distribution plate thermally expanding in at least one of X, Y and Z axis directions with respect to the plate surface of the gas distribution plate. Chemical vapor deposition apparatus. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 주름구조의 현가지지부재는,The suspension supporting member of the corrugation structure, 상기 전극과 상기 가스분배판의 배열방향에 가로로 배치되며, 외면에 내측으로 함몰된 복수의 주름홈이 형성되어 있는 측벽부;A sidewall portion disposed horizontally in an arrangement direction of the electrode and the gas distribution plate and having a plurality of corrugated grooves recessed inwardly on an outer surface thereof; 상기 측벽부의 상단에서 상기 측벽부의 판면에 가로로 형성된 상벽부; 및An upper wall portion formed horizontally on a plate surface of the side wall portion at an upper end of the side wall portion; And 상기 측벽부의 하단에서 상기 상벽부와 나란하게 형성된 하벽부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a lower wall portion formed in parallel with the upper wall portion at a lower end of the side wall portion. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 측벽부에 형성된 복수의 주름홈은 상기 측벽부의 양측면 모두에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a plurality of corrugated grooves formed in the sidewall portion are formed on both side surfaces of the sidewall portion. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 측벽부의 양측면에 형성된 복수의 주름홈은, 동일한 수평축선 상에 배열되지 않도록 상기 측벽부의 양측면에서 상호 교차 배치되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a plurality of corrugated grooves formed on both side surfaces of the side wall portion are mutually disposed on both side surfaces of the side wall portion so as not to be arranged on the same horizontal axis. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 주름홈들 사이의 이격간격은 동일한 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.Separation interval between the corrugated grooves is a chemical vapor deposition apparatus for a flat display, characterized in that the same. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 주름홈들의 함몰 깊이는 적어도 상기 측벽부의 1/2 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The depth of depression of the corrugation grooves is at least less than half the thickness of the side wall portion chemical vapor deposition apparatus for a flat display. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 상벽부와 상기 하벽부 중 적어도 어느 하나의 두께는 상기 측벽부의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And at least one of the upper wall portion and the lower wall portion is larger than the thickness of the side wall portion. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 상벽부와 상기 하벽부는 상기 측벽부에 대해 상호 반대방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And the upper wall portion and the lower wall portion extend in opposite directions with respect to the side wall portion. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 상벽부는 상기 전극과 상기 전극지지부 사이에 형성된 슬릿에 물림결합되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The upper wall portion is a chemical vapor deposition apparatus for a flat display, characterized in that the bite coupled to the slit formed between the electrode and the electrode support. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 하벽부는 상기 가스분배판의 측면에 형성된 그루브에 삽입되어 결합되되,The lower wall portion is inserted into and coupled to the groove formed on the side of the gas distribution plate, 상기 하벽부와 상기 가스분배판에는 상기 그루브로부터 상기 하벽부가 이탈되는 것을 저지하는 이탈저지부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The lower wall portion and the gas distribution plate is provided with a separation blocking portion for preventing the lower wall portion from being separated from the groove is a chemical vapor deposition apparatus for a flat display. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 이탈저지부는,The separation blocking unit, 상기 가스분배판에 형성된 제1핀삽입부;A first pin insertion portion formed on the gas distribution plate; 상기 하벽부에 형성되고 상기 하벽부가 상기 그루브에 삽입될 때, 상기 제1핀삽입부와 연통되는 제2핀삽입부; 및A second pin insertion portion formed in the lower wall portion and communicating with the first pin insertion portion when the lower wall portion is inserted into the groove; And 상호 연통된 상기 제1 및 제2핀삽입부를 통해 일체로 삽입 체결되는 핀블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a pin block integrally inserted into and fastened through the first and second pin insertion portions communicated with each other. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 측벽부에 인접한 상기 하벽부에는 열팽창되는 상기 가스분배판과의 간섭을 저지하는 골부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And a valley portion for interfering with the gas distribution plate which is thermally expanded is formed in the lower wall portion adjacent to the side wall portion. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 측벽부의 두께는 2 mm 내지 6 mm인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The thickness of the side wall portion is a chemical vapor deposition apparatus for a flat display, characterized in that 2mm to 6mm. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 주름홈은 반구 형상인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The corrugated groove is a chemical vapor deposition apparatus for a flat display, characterized in that the hemispherical shape. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주름구조의 현가지지부재는 알루미늄으로 제작되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The corrugated suspension supporting member is a chemical vapor deposition apparatus for a flat display, characterized in that made of aluminum. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The planar display is a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that the large glass substrate for liquid crystal display (LCD).
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010076391A (en) * 2000-01-20 2001-08-11 조셉 제이. 스위니 Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
KR200290474Y1 (en) 2002-07-05 2002-09-28 김용수 Dispenser injected by self contraction
KR20030066770A (en) * 2000-12-29 2003-08-09 램 리서치 코포레이션 Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010076391A (en) * 2000-01-20 2001-08-11 조셉 제이. 스위니 Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
KR20030066770A (en) * 2000-12-29 2003-08-09 램 리서치 코포레이션 Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
KR200290474Y1 (en) 2002-07-05 2002-09-28 김용수 Dispenser injected by self contraction

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