KR100738873B1 - Chemical vapor deposition apparatus for flat display - Google Patents

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KR100738873B1
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김남진
김준수
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주식회사 에스에프에이
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    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Abstract

A CVD apparatus for a flat display is provided to reduce a standby time for maintenance work of the apparatus by forcibly cooling a susceptor in a short time, thereby preventing the whole progress loss. A deposition process for a flat display(G) is carried out in a chamber(10), and a susceptor(30) is movably installed in the chamber, in which the flat display is loaded on an upper surface of the susceptor. At least one cooling block is provided on a bottom surface of the chamber, and comes in contact with the susceptor when the susceptor moves is mowed down, thereby cooling the susceptor heated at the deposition process.

Description

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display} Flat panel display devices for chemical vapor deposition {Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다. 1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays according to the first embodiment of the present invention.

도 2는 서셉터가 냉각블록에 접촉한 상태를 도시한 도 1의 부분 확대도이다. Figure 2 is a partially enlarged view of the susceptor shown in Figure 1, the cooling block in contact.

도 3은 도 2에 도시된 냉각블록에 대한 평단면도이다. Figure 3 is a horizontal sectional view of a cooling block shown in Fig.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다. Figure 4 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays according to the second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 부분 확대도이다. Figure 5 is a partially enlarged view of a chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays according to the third embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 채용되는 냉각블록의 사시도이다. 6 is a perspective view of the cooling block that is employed for chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays according to the fourth embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Description of the Related Art

10 : 챔버 11 : 바닥면 10: chamber 11: the bottom surface

17 : 가스분배판 26 : 절연체 17: the gas distribution plate 26: insulator

30 : 서셉터 31 : 기판로딩부 30: susceptor 31: substrate loading section

40 : 서셉터지지대 50 : 냉각블록 40: susceptor support 50: cooling block

51 : 몸체부 53 : 냉각라인 51: body 53: cooling line

본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 상대적으로 짧은 시간 내에 서셉터의 온도가 적정 수준으로 낮아질 수 있도록 서셉터를 강제로 냉각함으로써 장치의 유지 보수 작업을 위한 대기 시간이 감소될 수 있어 장치의 가동률과 그에 따른 생산성이 향상됨은 물론 전반적으로 공정 로스(Loss)가 발생하는 것을 억제할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다. The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays and, more particularly, a susceptor temperature in a relatively short time by cooling to force the susceptor to be lowered to an appropriate level for the maintenance of the apparatus It relates to a flat display device for a chemical vapor deposition can be suppressed can be reduced a waiting time to the operating rate and the improved overall process, as well as LOS (loss) productivity hence of the device occurs.

평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다. Flat-panel display is widely employed in such a portable device, including a TV or a computer monitor.

이러한 평면디스플레이는 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다. These flat panel display vary in their kind, etc. CRT (Cathode Ray Tube), LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel) and OLED (Organic Light Emitting Diodes).

이들 중에서도 특히, LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다. Among these, in particular, LCD (Liquid Crystal Display) is by injecting the two thin vertical glass solid with the intermediates of the liquid crystal of the liquid between the substrate and changing the arrangement of liquid crystal molecules drive electrode voltage of the upper and lower glass substrate to generate the contrast number or a device using a type of optical switch phenomenon for displaying an image.

LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품 에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다. LCD has been widely used until now, including electronic watches, calculators, TV, notebook PC, such as in automotive electronics, the speed of the aircraft panel and navigation systems or the like.

종전만 하더라도 LCD TV는 20 인치 내지 30 인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17 인치 이하의 크기를 갖는 것이 주류였다. Even if only the conventional LCD TV has a size of about 20 inches to about 30 inches, the monitor that was Alcohol having a size of less than 17 inches. 하지만, 근자에 들어서는 40 인치 이상의 대형 TV와 20 인치 이상의 대형 모니터에 대한 선호도가 높아지고 있다. However, it is growing more than 40-inch TV and a preference for large monitors over 20 inches subjected to near-ultraviolet.

따라서 LCD를 제조하는 제조사의 경우, 보다 넓은 유리기판을 제작하기에 이르렀다. Thus, leading to the case of a manufacturer to manufacture the LCD, creating a wider glass substrate. 현재에는 가로/세로의 폭이 1950 × 2250 ㎜ 이거나 1870 × 2200 ㎜인 7세대, 혹은 2160 × 2460 ㎜ 이상인 8세대까지 유리기판의 크기를 증가시키는 연구가 진행되고 있다. Nowadays research is being conducted to increase the size of the glass substrate to the width of the vertical / horizontal 1950 × 2250 or 1870 × 2200 ㎜ ㎜ of 7G, 8G, or more than 2160 × 2460 ㎜.

LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 Module 공정을 통해 제품으로 출시된다. LCD is deposited (Deposition), photolithography (Photo lithography), etching (Etching), CVD (Chemical Vapor Deposition) Cell step of the process is cemented a TFT process, the upper and lower glass substrates is performed repeatedly, such as, and the Enclosures through the process of completing Module is released as a product.

한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 가스분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다. On the other hand, a number of processes, one of the chemical vapor deposition process (Chemical Vapor Deposition Process) of the silicon based compound having a high energy is a plasma (Plasma) by an external high frequency power source ions (ion) through the electrode ejected from the gas distribution plate It is a process that is deposited on a glass substrate. 이러한 공정은, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다. This step is done in a chamber for performing a chemical vapor deposition process.

자세히 후술하겠지만, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버 내의 하부 영역 에는 증착 대상의 유리기판이 로딩되는 서셉터가 마련되어 있고, 그 상부 영역에 전극과 가스분배판이 배치되어 있다. Although it described later in detail, and the lower region has susceptor that loading a glass substrate of the deposition subject in a chemical vapor deposition process chamber for performing the feature is disposed plate electrodes and gas distribution in the upper region.

이에, 서셉터의 상면으로 유리기판이 로딩되면 서셉터가 대략 400 ℃ 정도의 온도로 가열된다. Thus, when standing in a glass substrate is loaded into the upper surface of the susceptor is a susceptor is heated to a temperature of about 400 ℃. 이후, 서셉터가 상승하여 유리기판은 전극의 하부에 위치한 가스분배판으로 인접하게 배치된다. Then, the susceptor is raised the glass substrate is disposed adjacent the gas distribution plate in the lower portion of the electrode.

그런 다음, 절연체인 테프론에 의해 챔버로부터 절연된 전극을 통해 전원이 인가된다. Then, the power is supplied through an electrode isolated from the chamber by means of a Teflon insulator. 이어 수많은 오리피스가 형성된 가스분배판을 통해 실리콘계 화합물 이온이 분출되면서 유리기판의 증착 공정이 수행된다. Following as a silicon-based compound ions are ejected through a number of gas distribution plate orifices are formed is carried out the deposition process of the glass substrate.

한편, 유리기판에 대한 반복적인 증착 공정을 수행하다 보면, 챔버의 주변 구조물들을 비롯하여 챔버 내의 각종 구성들에 대한 유지 보수 작업이 수행된다. On the other hand, When it is performing a repeated deposition process on the glass substrate, the maintenance work for the various components in the chamber is carried out, as well as the surrounding structure of the chamber. 장치의 유지 보수 작업은 약 400 ℃ 정도로 가열된 서셉터의 온도가 대략 100 ℃ 미만으로 낮아질 때까지 기다린 다음에 대기에 노출한 후, 행해진다. The maintenance of the apparatus is carried out after the heating of the susceptor temperature at about 400 ℃ exposed to the atmosphere to wait until lowered to less than about 100 ℃,.

그런데, 이러한 종래의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 있어서는, 장치의 유지 보수 작업을 위해 약 400 ℃ 정도로 가열된 서셉터의 온도를 대략 100 ℃ 미만으로 내리는데 통상 24시간이 소요되므로, 장치의 유지 보수 작업을 위해 서셉터의 온도를 내리는데 따른 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다. However, this in the conventional flat display chemical vapor deposition apparatus, since naerineunde heated to about 400 ℃ susceptor temperature for the maintenance of the apparatus with less than about 100 ℃ takes typically 24 hours, the maintenance of the apparatus maintenance a lot of time in accordance naerineunde the susceptor temperature for the work there is a problem that it takes. 이는 챔버 내부의 진공 상태에서 열전달이 복사에 의해서만 이루어지기 때문이다. This is because the place only by the radiation heat transfer in a vacuum in the chamber.

즉, 종래기술의 경우, 보통 24시간 정도의 시간을 허비하여 약 400 ℃ 정도로 가열된 서셉터의 온도가 대략 100 ℃ 미만으로 낮아질 때 까지 기다린 후, 그 이후에 장치의 유지 보수 작업을 수행하고 있기 때문에 그만큼 장치의 유지 보수 작업을 위한 대기 시간이 길어질 수밖에 없는 문제점이 있으며, 이에, 장치의 가동률이 저하됨은 물론 그에 따라 생산성이 저하되는 등 전반적으로 공정 로스(Loss)가 발생할 수밖에 없는 문제점이 있다. That is, in the case of the prior art, and after that the susceptor is heated by waste usually 24 hours amount of time at about 400 ℃ temperature Wait until low as less than about 100 ℃, it performs a maintenance work of the apparatus thereafter because and it is much problems inevitably longer the waiting time for the maintenance operation of the apparatus, and thus, the overall problems inevitably result in process loss (loss) such as the operating rate of the device degrades, as well as that the productivity decreases accordingly.

본 발명의 목적은, 상대적으로 짧은 시간 내에 서셉터의 온도가 적정 수준으로 낮아질 수 있도록 서셉터를 강제로 냉각함으로써 장치의 유지 보수 작업을 위한 대기 시간이 감소될 수 있어 장치의 가동률과 그에 따른 생산성이 향상됨은 물론 전반적으로 공정 로스(Loss)가 발생하는 것을 억제할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다. An object of the present invention, the susceptor temperature in a relatively short amount of time may be a wait time reduction for the maintenance of the apparatus by the cooling force the susceptor to be lowered to an appropriate level here productivity of the device operation rate and hence this improvement is of course to provide a chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays which are capable of inhibiting that the overall process LOS (loss) occurs.

또한 본 발명의 다른 목적은, 급격한 열 배출로 인한 서셉터의 충격을 완화시킬 수 있으며, 급작스런 온도 불균형에 따라 서셉터에 균열이 발생하는 것을 방지할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다. In addition, another object of the present invention, it is possible to mitigate the susceptor shock due to rapid heat dissipation, to provide a chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays which can prevent a standing cracks in the susceptor according to the abrupt temperature imbalance will be.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; The object is achieved according to the invention, the chamber in which the deposition process on the flat-panel display in progress; 상기 챔버의 내부에 승강가능하게 설치되고 상면으로 상기 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터; It is mounted within the interior of the flat-panel display with a top surface of the loading chamber (Loading) susceptor which; 및 상기 서셉터가 하강할 때 상기 서셉터와 접촉하도록 상기 챔버 내의 바닥면 영역에 마련되어 상기 증착 공정시 가열된 상기 서셉터를 냉각시키는 적어도 하나의 냉각블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 의해 달성된다. And a flat-panel display Chemicals for characterized in that it comprises at least one cooling block for cooling the said susceptor heating the bottom surface provided in the region during the deposition process in the chamber so as to contact with the susceptor when the susceptor is lowered up the It is accomplished by a vapor deposition apparatus.

여기서, 상기 서셉터가 하강하게 될 경우, 상기 챔버의 내부에는 수소와 헬 륨 중 어느 하나의 가스가 충전되고 일정 간격 내에서 서서히 하강하여 상기 서셉터의 급속 냉각을 저지한다. Here, when the the susceptor is lowered, thereby preventing the inside of the hydrogen and helium gas is any one of a charged and a predetermined interval and gradually lowered in the rapid cooling of the susceptor from the chamber.

상기 서셉터는, 상기 챔버 내에서 횡방향으로 배치되어 상기 평면디스플레이를 지지하는 기판로딩부와, 상단은 상기 기판로딩부의 중앙에 고정되고 하단은 상기 챔버의 하부벽을 통과하여 상기 챔버의 외부에 배치되는 컬럼을 포함하되; And it said susceptor is disposed within the chamber in the horizontal direction passing through the bottom wall of the substrate loading portion and the upper end is fixed to the center the substrate loading section at the bottom is a chamber for supporting the flat display on the outside of the chamber They include, but are arranged column; 상기 냉각블록은 상기 기판로딩부의 하면과 면접촉될 수 있도록 상면이 적어도 상기 기판로딩부의 하면과 실질적으로 나란하게 형성되는 것이 바람직하다. The cooling block is preferably the upper surface side by side to form at least substantially when the substrate loading portion so as to be in contact with the surface when the substrate loading portion.

상기 냉각블록은, 상기 챔버 내의 바닥면에 접촉되는 몸체부; It said cooling block comprises a body portion that is in contact with the bottom surface in the chamber; 및 상기 몸체부의 내부에 마련되어 소정의 냉각매체가 순환되는 냉각라인을 포함한다. And provided on the inside of the body portion includes a cooling line which is a predetermined cooling medium circulation.

상기 냉각매체는 상기 챔버에 대한 유지 보수 작업시에 상기 냉각라인으로 순환된다. The cooling medium is circulated in the maintenance work for the chamber to the cooling line.

상기 소정의 냉각매체는 물과 질소가스 중 선택된 어느 하나일 수 있다. The predetermined cooling medium may be any one selected from water and nitrogen gas.

상기 서셉터를 지지하는 서셉터지지대를 더 포함하며, 상기 냉각블록은 상기 서셉터지지대의 양측에 마련될 수 있다. Further comprising a susceptor support for supporting the susceptor and the cooling blocks can be provided on both sides of the susceptor support.

상기 냉각블록은 상기 챔버 내의 바닥면에 적층 배치될 수 있다. The cooling block can be placed stacked on the bottom surface in the chamber.

상기 냉각블록은 상면이 상기 챔버 내의 바닥면으로 노출되도록 적어도 일부분이 상기 챔버 내의 바닥면 내에 매입될 수도 있다. At least a portion the cooling block top surface is exposed to the bottom surface in the chamber may also be buried in the bottom surface in the chamber.

상기 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판이다. The flat-panel display is a large glass substrate for an LCD (Liquid Crystal Display).

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 각 실시예에 대해 상세히 설명하기로 하며, 실시예의 설명 중 동일 구성에 대해서는 동일 부호를 부여하도록 한다. Hereinafter, to the same reference numerals for the same configuration it will be described in detail for each of the embodiments of the invention with reference to the attached drawings, and described embodiment.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다. 1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays according to the first embodiment of the present invention.

이 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)는, 챔버(10)와, 챔버(10) 내의 상부 영역에 마련되어 증착 대상의 평면디스플레이(G)를 향해 소정의 실리콘계 화합물 이온(ion)을 방출하는 전극(16)과, 전극(16)의 하부에 배치되어 평면디스플레이(G)가 로딩(Loading)되는 서셉터(30)와, 서셉터(30)의 하부에서 서셉터(30)를 지지하는 복수의 서셉터지지대(40)를 구비한다. As shown in the figure, the chemical vapor deposition for a flat-panel display according to the first embodiment device 1 of the present invention, the chamber 10, and a flat-panel display of the deposition target provided in the upper region of the chamber (10) ( G) towards is disposed under the electrode 16 and the electrode 16 for emitting a specified silicone compound ions (ion) flat display (G) is loaded (Loading), the susceptor 30 and the susceptor which is and a susceptor support 40, a plurality of standing up to support the susceptor 30 from the lower part of 30.

챔버(10)는 내부의 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 외벽이 외부와 차폐되어 있다. Chamber 10 may deposit space (S) inside the outer wall is shielded with the outside to be maintained at a vacuum atmosphere. 챔버(10)의 증착공간(S)에는 전극(16)으로부터 방출된 증착물질인 실리콘계 화합물 이온에 영향을 주지 않도록 불활성 기체(He, Ar)가 충전되어 있다. Is not to deposit space (S), the effect on the deposited material is silicon-based compound ions emitted from the electrode 16 of the chamber 10, inert gas (He, Ar) is filled.

챔버(10)의 외벽에는 소정의 작업 로봇에 의해 평면디스플레이(G)가 챔버(10)의 내외로 유출입되는 통로인 개구부(10a)가 형성되어 있다. The outer wall of the chamber 10 has a flat-panel display (G) has an opening (10a) through which the flow into and out of chamber 10 by a predetermined robot operation is provided. 도시하고 있지는 않지만, 개구부(10a)는 도어(미도시)에 의해 선택적으로 개폐된다. While not shown, and an opening (10a) is selectively opened and closed by a door (not shown).

챔버(10) 내의 바닥면(11)에는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에 존재하는 가스를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(12)이 마련되어 있다. The bottom surface 11 in the chamber 10 is provided with a gas diffusion plate 12 to diffuse into the deposition space (S) re-deposition spaces (S) of gas present in the chamber (10). 그리고 챔버(10) 내의 바닥면(11) 중앙 영역에는 서셉터(30)의 컬럼(32)이 관통하는 관통홀(10b)이 형성되어 있다. And is a column through-hole (10b) to (32) has a through the susceptor 30, the bottom surface 11 of the central region is formed in the chamber (10). 관통홀(10b)의 주변에는 서셉터지지대(40)의 축부(42)가 관통하는 추가의 관통홀(10c)이 더 형성되어 있다. The periphery of the through-hole (10b) has a shaft portion 42, an additional through-hole (10c) of this is further formed to penetrate the susceptor support 40.

전극(16)은 챔버(10) 내의 상부 영역에 마련되어 있다. Electrode 16 is provided in the upper region of the chamber (10). 전극(16)의 하부에는 다수의 오리피스가 형성되어 증착물질인 실리콘계 화합물 이온을 분배하는 가스분배판(17)이 마련되어 있다. The lower portion of the electrode 16 has a plurality of orifices are formed provided with a gas distribution plate 17 which distributes the deposited material is silicon-based compound ions. 가스분배판(17)은 후술할 서셉터(30)의 기판로딩부(31)와 소정의 이격간격(대략 수십 밀리미터(mm) 정도임)을 두고 나란하게 배치된다. Gas distribution plate 17 is disposed in parallel with the susceptor substrate loading unit 31 with a predetermined separation distance (approximately tens of millimeters (mm) about Im) of 30 which will be described later.

여기서, 평면디스플레이(G)란, 전술한 바와 같이 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다. Here, the flat-panel display (G) refers to any of a CRT (Cathode Ray Tube), LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and OLED (Organic Light Emitting Diodes) may be applied as described above.

다만, 본 실시예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판(G)을 평면디스플레이(G)라 간주하기로 한다. However, in the present embodiment, to a large glass substrate (G) for a LCD (Liquid Crystal Display) considered la flat-panel display (G). 그리고 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 7세대 혹은 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다. And, as is large, apseodo technology, refers to a level of the size applied to 7G or 8G. 이하, 평면디스플레이(G)를 유리기판(G)이라 하여 설명하도록 한다. It will now be described with reference to a flat-panel display (G) as a glass substrate (G).

챔버(10)의 외부 상측에는 챔버(10) 내에 잔존하는 불순물을 제거하기 위한 소정의 클리닝(Cleaning) 가스를 공급하는 리모트 플라즈마(18)가 마련되어 있다. The outer upper side of the chamber 10 is provided with a remote plasma (18) for supplying a predetermined cleaning (Cleaning) gas for removing the impurities remaining in the chamber 10. 그리고 리모트 플라즈마(18)의 주변에는 고주파 전원부(20)가 설치되어 있다. And the periphery of the remote plasma 18 has a high-frequency power supply section 20 is installed. 고주파 전원부(20)는 연결라인(22)에 의해 전극(16)과 연결되어 있다. High frequency power source 20 is connected to the electrode 16 by the connecting line 22.

전극(16)과 챔버(10)의 외벽 사이에는 전극(16)이 챔버(10)의 외벽에 직접 접촉하여 통전되지 않도록 절연체(26)가 마련되어 있다. Between the outer wall of the electrode 16 and the chamber 10 is provided with electrodes 16, the insulator 26 from being energized by direct contact with the outer wall of the chamber 10. 절연체(26)는 테프론 등으로 제작될 수 있다. Insulator 26 may be made of Teflon or the like. 전극(16)과 가스분배판(17) 사이에는 배기버퍼공간부(19)가 형성되어 있다. Between electrode 16 and the gas distribution plate 17 is formed with an exhaust buffer space portion 19.

서셉터(30)는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에서 횡방향으로 배치되어 로딩되는 유리기판(G)을 지지하는 기판로딩부(31)와, 상단은 기판로딩부(31)의 중앙에 고정되고 하단은 관통홀(10b)을 통과하여 챔버(10)의 외부에 배치되는 컬럼(32)을 포함한다. The center of the susceptor 30 includes a deposition space, and (S) the substrate loading section 31 for supporting a glass substrate (G) is arranged and loaded in the transverse direction in the upper end has a substrate loading section 31 in the chamber 10 fixed to the bottom and comprises a column 32 which is arranged outside the through hole (10b) to the chamber 10 through the.

기판로딩부(31)의 상면은 유리기판(G)이 정밀하게 수평상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반으로 제조된다. The upper surface of the substrate loading section 31 is substantially made of a surface plate so that the glass substrate (G) can be precisely loaded into the horizontal state. 기판로딩부(31)의 내부에는 도시 않은 히터가 장착되어 기판로딩부(31)를 소정의 증착온도인 대략 400 ℃로 가열한다. Within the substrate loading section 31 is equipped with a non-illustrated heater heats the substrate loading part 31 to about 400 ℃ the predetermined deposition temperature.

서셉터(30)는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. The susceptor 30 is elevated up and down in the deposition space (S) in the chamber (10). 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 챔버(10) 내의 바닥면(11) 영역에 배치되어 있다가 유리기판(G)이 로딩되고 공정이 진행될 때는 유리기판(G)이 가스분배판(17)에 인접할 수 있도록 부상한다. That is, the glass substrate (G), this is disposed on the bottom surface (11) area within When loaded the chamber 10 a glass substrate (G) is, when being loaded and proceeds the process the glass substrate (G) is a gas distribution plate (17 ) and injury to adjacent. 이를 위해, 서셉터(30)의 컬럼(32)에는 서셉터(30)를 승강시키는 승강 모듈(36)이 마련되어 있다. For this purpose, the column 32 of the susceptor 30 is provided with a lifting module 36 to lift the susceptor 30. 승강 모듈(36)에 의해 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)는 함께 승강한다. The susceptor 30 and the susceptor support 40 by the lifting module 36 is elevated together.

승강 모듈(36)에 의해 서셉터(30)가 승강하는 과정에서 서셉터(30)의 컬럼(32)과 관통홀(10b) 간에 공간이 발생되어서는 아니된다. Lift module 36. The susceptor 30 is elevated be a space between the column 32 and the through-hole (10b) of the susceptor 30 in the process that occurs it is not to by. 이에, 관통홀(10b) 주변에는 컬럼(32)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(34)이 마련되어 있다. Thus, the bellows tube 34 is provided so as to close the through-hole, the (10b) surround the outside of the column 32.

벨로우즈관(34)은 서셉터(30)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(30)가 부상할 때 압착되면서 컬럼(32)과 관통홀(10b) 간에 공간이 발생하는 것을 방지한다. The bellows tube 34 is expanded when the susceptor 30 is lowered while being pressed when the susceptor 30 to prevent injury to the space generated between the column 32 and the through-hole (10b).

서셉터(30)의 기판로딩부(31)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하여 기판로딩부(31)의 상면으로 안내하는 복수의 리프트 핀(38)이 마련되어 있다. There are a plurality of lift pins 38 for guiding the top surface of the loading or the glass substrate (G) if and stably supported by the substrate loading section 31 a of the take-out provided standing substrate loading part 31 of the susceptor 30 . 리프트 핀(38)은 기판로딩부(31)를 관통하도록 설치되어 있 다. Lift pin 38 is that is installed to pass through the substrate loading section 31.

리프트 핀(38)은 승강 모듈(36)에 의해 서셉터(30)가 하강할 때, 그 하단이 챔버(10)의 바닥면(11)에 가압되어 상단이 기판로딩부(31)의 상면으로 돌출된다. The upper surface of the lift pin 38 is elevated module when drops susceptor 30 by 36, the bottom of this chamber 10, the substrate loading section 31, the top is pressed against the bottom surface 11 of the It protrudes. 이에, 유리기판(G)을 기판로딩부(31)로부터 이격시킨다. Thus, the spacing of the glass substrate (G) from the substrate loading section 31. 반대로, 서셉터(30)가 부상하면, 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 기판로딩부(31)의 상면에 밀착되도록 한다. In contrast, when the susceptor (30) portion, and moved downward so that close contact with the upper surface of the glass substrate (G) is the substrate loading section 31.

이러한 리프트 핀(38)은 도시 않은 로봇아암이 서셉터(30)의 기판로딩부(31)에 로딩된 유리기판(G)을 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 기판로딩부(31) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다. Between these lift pins 38 is a glass substrate (G) and the substrate loading section 31 to grip the glass substrate (G) loaded on the substrate loading part 31 of the susceptor (30) standing in the illustrated robot arm that the president of a role of forming the space.

전술한 바와 같이, 7세대 혹은 8세대 하에서의 서셉터(30)는 그 무게가 무겁고 크기가 상대적으로 커서 처짐이 발생할 수 있는데, 이럴 경우, 유리기판(G)에도 처짐이 발생할 수 있다. As described above, 7G 8G or susceptor 30, there is under the weight of the heavy and the size may cause a relatively large deflection, and may cause a deflection in a glass substrate (G) If this is the case.

이에, 도시된 바와 같이, 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 하부에는 복수개의 서셉터지지대(40)가 마련되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31)를 떠받치고 있다. Thus, the holding up a substrate loading part 31 of the susceptor 30, the substrate loading section 31 has a lower standing feature a plurality of susceptor support 40, susceptor 30 of the as shown. 기판로딩부(31)는 대형 유리기판(G)의 크기보다 좀 더 크게 형성되므로, 중심의 컬럼(32)에서부터 반경방향 외측으로 갈수록 처짐이 심하게 발생한다. The substrate loading section 31, so a more larger than the size of the large glass substrate (G), and generate increasingly severe deflection, from column 32 of the center radially outward.

따라서 서셉터지지대(40)는 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 외측 영역에 상호 이격되게 복수개로 마련되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31)가 처지는 것을 저지하고 있는 것이다. Thus, the susceptor support 40 is provided, which stand in a plurality of spaced apart from each other to be in a region outside the substrate loading section 31 of the susceptor 30 is prevented from the substrate loading section 31 of the susceptor 30 is sagging.

이러한 서셉터지지대(40)는 기판로딩부(31)의 하면에 위치하는 머리부(41) 와, 머리부(41)에서 연장되어 서셉터(30)의 컬럼(32)과 나란하게 배치되는 축부(42)를 갖는다. The susceptor support 40 has a substrate loading section 31. When the head portion 41 and head portion 41, shaft portion columns 32 and the side-by-side arrangement of the susceptor (30) extending from which is located in the It has a 42.

축부(42)의 단부는 컬럼(32)과 마찬가지로 승강 모듈(36)에 일체로 결합되어 있다. End of the shaft 42 is coupled integrally to a lifting module 36, like the column (32). 따라서 승강 모듈(36)이 동작하면, 서셉터지지대(40)로 서셉터(30)와 함께 승강하게 된다. Therefore, the lifting module 36 is operated, as a susceptor support 40 is elevated with the susceptor (30). 축부(42)의 영역에도 벨로우즈관(34a)이 형성되어 있다. In the region of the shaft (42) has a bellows pipe (34a) is formed.

도 2는 서셉터가 냉각블록에 접촉한 상태를 도시한 도 1의 부분 확대도이며, 도 3은 도 2에 도시된 냉각블록에 대한 평단면도이다. 2 is standing and the acceptor is also a state in the enlarged portion of Figure 1 shown in contact with the cooling block, Figure 3 is a horizontal sectional view of a cooling block shown in Fig.

한편, 전술한 바와 같이, 유리기판(G)에 대한 반복적인 증착 공정을 수행하다 보면 챔버(10)에 대한 유지 보수 작업이 필요하게 된다. On the other hand, as described above, it performs the iterative process for the deposition on a glass substrate (G) When it is necessary the maintenance of the chamber 10. 유지 보수 작업은 400 ℃ 정도로 가열된 서셉터(30)의 온도를 대략 100 ℃ 미만으로 낮춘 후에 수행되어야 한다. Maintenance operations are to be carried out after lowering to less than about 100 ℃ the temperature of the susceptor 30 has been heated to about 400 ℃.

따라서 유지 보수 작업을 신속하게 진행하려면, 상대적으로 짧은 시간 내에 서셉터(30)의 온도가 적정 수준으로 낮아질 수 있도록 서셉터(30)를 강제로 냉각시킬 필요가 있다. Therefore, to quickly proceed to a maintenance work, it is necessary to have the temperature of the susceptor 30 within a relatively short time to force the cooling susceptor (30) to be lowered to an appropriate level. 이는 아래의 냉각블록(50)이 담당한다. This charge of the cooling block (50) below.

전술한 도 1을 포함하여 도 2 및 도 3을 참조할 때, 냉각블록(50)은 챔버(10) 내의 바닥면(11)에 올려진 형태로 적층 배치되어 있다. When referring to Figure 2 and to Figure 3 include the above-mentioned Figure 1, the cooling block 50 is disposed in a laminated form mounted on the bottom surface 11 in the chamber 10. 이 때, 냉각블록(50)이 챔버(10) 내의 바닥면(11) 영역에서 임의로 이동해서는 아니된다. At this time, the cooling block 50 is not to be moved arbitrarily in the bottom surface (11) area in the chamber 10. 따라서 냉각블록(50)은 챔버(10) 내의 바닥면(11) 영역에서 볼트나 혹은 용접 등의 방법에 의해 고정된다. Therefore, the cooling block 50 is fixed by a method such as welding or bolts or the floor surface 11 area in the chamber 10.

이러한 냉각블록(50)은 기판로딩부(31)의 면적만큼의 크기를 갖는 단일개가 채용될 수도 있고, 혹은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 서셉터지지대(40)를 사이에 두고 양측으로 2개가 적용될 수도 있다. The cooling block 50 is interposed between the susceptor support 40, as shown in the single dog may be employed there, or 4 and 5 having a size of as much area of ​​the substrate loading section 31 on both sides as it may be applied to two. 개수와 크기에 관계없이 냉각블록(50)은 대략 400 ℃로 가열된 서셉터(30)의 온도를 100 ℃ 미만으로 신속하게 낮추는 역할을 담당하면 족하다. Cooling block, regardless of the number and size (50) is enough if responsible for rapidly lowering the temperature of the susceptor 30 is heated to approximately 400 ℃ to less than 100 ℃.

도 3을 참조할 때, 냉각블록(50)은 거의 사각 형상을 갖는다. To 3, the cooling block 50 has a substantially rectangular shape. 하지만, 반드시 사각 형상을 이룰 필요는 없다. However, it is not necessary to achieve a rectangular shape. 다만, 기판로딩부(31)의 하면과 좀 더 넓은 면적으로 면접촉하면 냉각 효율이 좋기 때문에 적어도 냉각블록(50)의 상면은 기판로딩부(31)의 하면과 나란하게 형성되는 것이 바람직하다. However, any surface in contact with a wider area of ​​the lower surface of the substrate loading section 31, the upper surface of at least the cooling block 50, because of good cooling efficiency is preferably formed in parallel to the lower surface of the substrate loading section 31.

이러한 냉각블록(50)은 몸체부(51)와, 몸체부(51)의 내부에 마련되어 소정의 냉각매체가 순환되는 냉각라인(53)을 포함한다. The cooling block 50 comprises a body portion 51, the cooling provided in the interior of the body portion 51 is a predetermined cooling medium circulation line 53. 냉각라인(53)이 보다 넓은 영역에서 몸체부(51)에 접촉할 수 있도록 냉각라인(53)은 몸체부(51) 내에 복수열로 배열되면 좋다. Cooling line 53, water cooling line 53 to be in contact with the wider area, a body portion 51 in the array is good when a plurality of rows in the body portion (51). 하지만, 도 3과 다르게, 단일의 냉각라인(53)이 몸체부(51)의 둘레를 따라 배열될 수도 있다. However, unlike FIG. 3, a single cooling line 53 of the may be arranged along the periphery of the body portion (51).

냉각라인(53)은 그 내부로 냉각매체가 유동할 수 있도록 관상체로 마련된다. Cooling line 53 is provided tubular body to allow the cooling medium to flow into the inside. 여기서, 냉각매체는 수냉식으로서의 물이나 공랭식으로서의 질소가스 중 선택된 어느 하나일 수 있다. Here, the cooling medium may be any one selected from a water-cooled as water or air-cooled as nitrogen gas. 질소가스는 기체 중에서도 열전달율이 상대적으로 높기 때문에 공랭식으로 사용할 때, 주로 채용된다. A nitrogen gas is employed when using the air-to-air, mainly because of the high heat transfer rate with relatively particular gas. 하지만 질소가스와 유사한 열전달율을 갖는 기체로 대체해도 무방하다. However, it is safe to replace with a gas having a similar coefficient of heat transfer with the nitrogen gas.

여기서, 냉각라인(53)의 내부로 냉각매체를 순환시키기 위해서는 냉각라인(53)의 양단이 분리되어 있을 필요가 있다. Here, in order to circulate the cooling medium to the interior of the cooling line (53) it is necessary that both ends of the cooling line 53 is disconnected. 그리고 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급원(미도시)과 펌프(미도시) 등을 통해 냉각라인(53)의 일단(53a)으로 냉각매체가 공급되어야 하고, 타단(53b)으로는 순환된 냉각매체가 배출될 수 있는 구조를 가져야 한다. And a cooling medium supply source for supplying a cooling medium (not shown) and a pump (not shown) with one end (53a) to the cooling medium is to be fed, the other end (53b) of the cooling line (53) through such as is the circulating cooling medium It should have a structure that can be discharged. 본 실시예에서는 이에 대한 일반적인 구성이 생략되어 있지만, 필요시 공지된 구성들을 인용하기로 한다. Although in this embodiment, a common configuration is omitted for it, and to cite the known configuration as required.

한편, 전술한 바와 같이, 냉각매체는 챔버(10)에 대한 유지 보수 작업이 수행되기 위해 서셉터(30)가 하강할 때, 냉각라인(53)으로 순환되어 접촉에 의해 서셉터(30)를 냉각시킨다. On the other hand, as described above, the cooling medium to the susceptor 30 by the maintenance when the operation is lowered susceptor 30 is to be performed, the contact is circulated to the cooling line 53 to the chamber 10 allowed to cool.

이 때, 실질적으로 400 ℃로 가열된 서셉터(30)가 상대적으로 차가운 냉각매체가 흐르는 냉각블록(50)에 닿아 급격한 열 배출이 진행되면, 급격한 열 배출로 인해 서셉터(30)에 충격이 가해질 수도 있고, 급격한 온도 불균형에 따라 서셉터(30)에 균열이 발생할 소지가 높다. At this time, when substantially heated to 400 ℃ susceptor 30 is in contact with the cooling block 50 is relatively cold cooling medium flowing progress rapid heat dissipation, the impact on the susceptor 30 due to a rapid heat discharge It may be applied, and the possession of high standing cause cracks on the susceptor (30) in accordance with drastic temperature imbalances.

이에, 유지 보수 작업을 위해 서셉터(30)가 서서히 하강하여 냉각블록(50)과 작은 일정거리를 두고 , 챔버(10)의 내부에는 수소와 헬륨 중 어느 하나의 가스가 충전되어 기체 열전달로 서셉터(30)가 서서히 냉각되게 된다. Thus, the susceptor (30) for maintenance work is gradually lowered with the cooling block 50 and the small predetermined distance, the interior of the chamber 10 is filled is any one gas of hydrogen and helium as a gas the heat transfer the susceptor 30 is to be slowly cooled. 수소나 헬륨 가스는 전극(16)의 중심부에 형성된 홀(24)을 통해 챔버(10)의 내부로 유입된다. Hydrogen or helium gas is introduced into the chamber 10 through the hole 24 formed in the center of the electrode 16. 일단 어느 정도 식은 후에 직접 접촉을 통해서 서셉터에 열적인 스트레스 없이 급속하게 식히게 된다. One is cooled to some extent after standing expression through the direct contact type susceptor rapidly without thermal stress.

이러한 구성을 갖는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)의 동작과 그에 따른 작용에 대해 설명하면 다음과 같다. It will be described for the operation and the action thereof according to the chemical vapor deposition device, a flat display (1) having such a configuration as follows.

우선, 승강 모듈(36)에 의해 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)가 챔버(10)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇아암에 의해 이송된 증착 대상의 유리기판(G)이 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 상부에 배치된다. First, the susceptor 30 and the susceptor support 40. The glass substrate (G) of the transported deposition target by the robot arm in a lowered state with a lower region of the chamber 10 by means of the lifting module 36 standing the upper substrate is disposed on the loading section 31 of the susceptor 30.

이 때, 리프트 핀(38)의 상단은 기판로딩부(31)의 상면으로 소정 높이 돌출된 상태이므로, 로봇아암은 리프트 핀(38)들에 유리기판(G)을 올려둔 후, 취출된다. At this time, the lift, so the top of the pin 38 has a predetermined height and projecting in the top surface of the substrate loading section 31 state, the robot arm is taken out, and then put up the glass substrate (G) to the lift pin 38. 로봇아암이 취출되면, 챔버(10)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 증착에 필요한 불활성 기체(He, Ar)가 충전된다. When the robot arm is taken out, the inside of the chamber 10 is filled with an inert gas (He, Ar) required for the deposition at the same time and maintained in a vacuum atmosphere.

다음, 증착공정의 진행을 위해, 승강 모듈(36)이 동작하여 서셉터(30)와 서셉터지지대(40)를 함께 부상시킨다. To proceed in the following, the deposition process, the lifting module 36 thereby floating the susceptor 30 and the susceptor support 40 and the possibilities. 그러면 리프트 핀(38)이 하강되며, 이를 통해 유리기판(G)은 기판로딩부(31)의 상면으로 밀착하면서 로딩된다. The lift pins 38 are lowered and, through which the glass substrate (G) is loaded, while in close contact with the upper surface of the substrate loading section 31. 대략 도 1과 같은 위치로 서셉터(30)가 부상하면 승강 모듈(36)의 동작이 정지되고 유리기판(G)은 전극(16)의 직하방에 위치하게 된다. If books with approximately the same location as the first susceptor (30) portion the operation of the lifting module 36 is stopped and the glass substrate (G) is positioned directly under the electrode chamber (16). 이 때 이미, 서셉터(30)는 대략 400 ℃ 정도로 가열된다. At this point already, the susceptor 30 is heated to approximately 400 ℃.

그런 다음, 절연체(26)로 인해 절연된 전극(16)을 통해 전원이 인가된다. Then, the power supply through the electrode 16 is isolated due to the insulation 26 is applied. 이어 수많은 오리피스가 형성된 가스분배판(17)을 통해 실리콘계 화합물 이온이 분출되면서 유리기판(G) 상으로 도달함으로써 유리기판(G) 상에 증착이 이루어진다. Following through a number of orifices formed in the gas distribution plate 17 while the silicon-based compound ions are ejected by reaching the glass substrate (G) is made deposited on the glass substrate (G).

한편, 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 완료된 후, 챔버(10)에 대한 유지 보수 작업을 진행하기 위해, 서셉터(30)는 하강한다. On the other hand, after the deposition process on the glass substrate (G) is completed, in order to proceed with maintenance operations on the chamber 10, the susceptor 30 is lowered. 이 때, 챔버(10)의 내부에는 수소와 헬륨 중 어느 하나의 가스가 충전되고, 이어 냉각블록(50)의 냉각라인(53)으로 냉각매체가 순환된다. At this time, the interior of the chamber 10 is provided with any one gas of hydrogen and helium is filled, it is followed by circulating a cooling line 53 with a cooling medium of the cooling block (50).

서셉터(30)가 하강하여 기판로딩부(31)의 하면이 냉각블록(50)의 상면에 접 촉하면 서셉터(30)에 형성된 대략 400 ℃의 열은 냉각블록(50)의 몸체부(51)를 통해 전달되고, 다시 냉각라인(53)을 통해 순환하고 있는 냉각매체로 방출된다. The susceptor 30 is substantially heat of 400 ℃ If you into contact to the upper surface of the cooling block 50 standing formed in the susceptor 30 in the lowered and a substrate loading section 31 of the cooling block 50, a body portion ( 51) to be passed through, and is discharged to the cooling medium, and re-circulated through the cooling line 53.

이러한 일련의 열전달 과정을 통해 서셉터(30)의 기판로딩부(31)는 원하는 적정 수준의 온도인 대략 100 ℃ 미만으로 냉각될 수 있게 되는데, 이에 소요되는 시간은 종래보다 매우 단축될 수 있게 된다. The substrate loading section 31 of the susceptor 30 through the above series of heat transfer process, there is able to be cooled to less than about 100 ℃ the temperature of the desired acceptable level, the time required thereof will be able to be extremely shorter than the conventional . 서셉터의 온도가 대략 100 ℃ 미만으로 낮아지면, 챔버(10)의 내부를 대기에 노출한 후, 유지 보수 작업이 진행된다. When standing the susceptor temperature lowered to less than about 100 ℃, and then exposing the interior of the chamber 10 to the atmosphere, the maintenance work is in progress.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 상대적으로 짧은 시간 내에 서셉터(30)의 온도가 적정 수준으로 낮아질 수 있도록 서셉터(30)를 강제로 냉각시킬 수 있기 때문에 장치의 유지 보수 작업을 위한 대기 시간이 감소될 수 있어 장치의 가동률과 그에 따른 생산성을 향상됨은 물론 전반적으로 공정 로스(Loss)가 발생하는 것을 억제할 수 있게 된다. In this way, according to the present invention, since the temperature of the susceptor 30 in the relatively short time may be cooled to force the susceptor 30 to be lowered to an appropriate level, the waiting time for the maintenance operation of the apparatus can be reduced it can be suppressed that the overall process, as well as LOS (loss) improvement in the operating rate and productivity of the apparatus accordingly generated.

도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 부분 확대도이다. Figure 5 is a partially enlarged view of a chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays according to the third embodiment of the present invention.

제1실시예의 경우, 냉각블록(50)은 챔버(10) 내의 바닥면(11)에 올려진 형태로 적층 배치되어 있다. In the case of the first embodiment, the cooling block 50 is arranged stacked in the form mounted on the bottom surface 11 in the chamber 10. 하지만, 본 실시예에서는, 챔버(10) 내의 바닥면(11)에 일정한 홈(11a)을 형성하고, 홈(11a)에 냉각블록(50)의 일부분을 매입하고 있다. However, in this embodiment, it is buried a portion of the cooling block 50 to the bottom surface of a groove (11a) fixed to 11, and grooves (11a) in the chamber (10).

도 5와 같더라도, 본 발명의 효과를 달성하는 데에는 아무런 무리가 없다. Also it is the same and 5, in order to achieve the effects of the present invention there is no bunch. 물론, 냉각블록(50)의 상면이 챔버(10) 내의 바닥면(11)과 동일한 면을 형성하도록 냉각블록(50)을 완전히 매입하더라도 무방하다. Of course, and it may even totally buried the cooling block 50 to the upper surface of the cooling block (50) forming the same plane as the bottom surface 11 in the chamber 10.

전술한 실시예를 보면, 냉각블록(50)이 대략 기판로딩부(31)의 면적과 유사 하거나 혹은 기판로딩부(31) 보다 약간 작은 크기를 갖는다. In the above-described embodiments, and has a slightly smaller size than the area similar to, or the substrate loading section 31 and the cooling block 50 is approximately the substrate loading section 31. 하지만, 냉각블록(50a)을 작은 크기로 만들어 챔버(10)의 바닥면(11)에 마련할 수도 있다. However, it is also possible to make the cooling blocks (50a) to a smaller size and provided at the bottom surface 11 of the chamber 10. 이러한 경우에는, 많은 수의 냉각블록(50a)을 설치하면 된다. In such a case, it is by installing a large number of cooling blocks (50a) of.

뿐만 아니라 냉각블록(50a)에 마련된 냉각라인(53)은 직선형태로서의 단일의 열이 배열될 수도 있고, 혹은 도 6과 같이, 몸체부(51) 내에서 지그재그 형태로 배열될 수도 있는 것이다. In addition, cooling lines 53 provided in the cooling block (50a) is located may be arranged in a zigzag form in the single steps of these may be arranged, or 6 column as straight, a body portion (51).

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. Thus, the present invention is not limited to the disclosed embodiments, it can be a variety of modifications and variations without departing from the spirit and scope of the invention will be apparent to those of ordinary skill in the art of the technology. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다. Therefore, such modifications or variations will have to be among the claims of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 상대적으로 짧은 시간 내에 서셉터의 온도가 적정 수준으로 낮아질 수 있도록 서셉터를 강제로 냉각함으로써 장치의 유지 보수 작업을 위한 대기 시간이 감소될 수 있어 장치의 가동률과 그에 따른 생산성을 향상됨은 물론 전반적으로 공정 로스(Loss)가 발생하는 것을 억제할 수 있다. As described above, according to the present invention, the susceptor temperature in a relatively short amount of time may be a wait time reduction for the maintenance of the apparatus by the cooling force the susceptor to be lowered to an appropriate level here operating rate of the apparatus and it improves productivity accordingly, as well as it is possible to suppress that the overall process LOS (loss) occurs.

또한 본 발명에 따르면, 급격한 열 배출로 인한 서셉터의 충격을 완화시킬 수 있으며, 급작스런 온도 불균형에 따라 서셉터에 균열이 발생하는 것을 방지할 수 있다. Furthermore, according to the present invention, it is possible to alleviate the impact of the susceptor due to rapid heat dissipation, it is possible to prevent the cracks in the susceptor according to the standing sudden temperature imbalance.

Claims (10)

  1. 평면디스플레이에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; Chamber in which the deposition process on the flat-panel display in progress;
    상기 챔버의 내부에 승강가능하게 설치되고 상면으로 상기 평면디스플레이가 로딩(Loading)되는 서셉터; It is mounted within the interior of the flat-panel display with a top surface of the loading chamber (Loading) susceptor which; And
    상기 서셉터가 하강할 때 상기 서셉터와 접촉하도록 상기 챔버 내의 바닥면 영역에 마련되어 상기 증착 공정시 가열된 상기 서셉터를 냉각시키는 적어도 하나의 냉각블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The standing surface the bottom in the chamber susceptor is in contact with the susceptor to fall provided on the region of the deposition process when using the flat-panel display comprising the at least one cooling block for cooling the susceptor heated the standing chemical vapor deposition apparatus.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 서셉터가 하강하여 상기 냉각블록에 접촉되기 전, 상기 냉각블록과의 순간적인 접촉에 의해 상기 서셉터가 급속 냉각되는 것을 저지할 수 있도록, 상기 챔버의 내부에는 상기 서셉터의 온도를 서서히 낮추기 위한 수소와 헬륨 중 어느 하나의 가스가 충전되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. I by the susceptor is lowered to contact with the cooling block, by a momentary contact with the cooling block to be prevented from the susceptor is rapid cooling, gradually reduce is the susceptor temperature in the interior of the chamber the chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays which is characterized in that either one of the gas of hydrogen and helium charged for.
  3. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 서셉터는, 상기 챔버 내에서 횡방향으로 배치되어 상기 평면디스플레이를 지지하는 기판로딩부와, 상단은 상기 기판로딩부의 중앙에 고정되고 하단은 상기 챔버의 하부벽을 통과하여 상기 챔버의 외부에 배치되는 컬럼을 포함하되; And it said susceptor is disposed within the chamber in the horizontal direction passing through the bottom wall of the substrate loading portion and the upper end is fixed to the center the substrate loading section at the bottom is a chamber for supporting the flat display on the outside of the chamber They include, but are arranged column;
    상기 냉각블록은 상기 기판로딩부의 하면과 면접촉될 수 있도록 상면이 적어 도 상기 기판로딩부의 하면과 실질적으로 나란하게 형성되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The cooling block is a flat display device for chemical vapor deposition, it characterized in that the upper surface is substantially parallel to the substrate and also when the loading section is formed so as to be less when the contact surface of the substrate loading portion.
  4. 제3항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 냉각블록은, The cooling block,
    상기 챔버 내의 바닥면에 접촉되는 몸체부; A body portion that is in contact with the bottom surface in the chamber; And
    상기 몸체부의 내부에 마련되어 소정의 냉각매체가 순환되는 냉각라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays which is characterized in that provided on the inside of the body portion having a cooling line which is a predetermined cooling medium circulation.
  5. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 냉각매체는 상기 챔버에 대한 유지 보수 작업시에 상기 냉각라인으로 순환되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The cooling medium is a flat display device for chemical vapor deposition, characterized in that at the time of maintenance work for the chamber to be circulated in the cooling line.
  6. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 소정의 냉각매체는 물과 질소가스 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The predetermined cooling medium is a flat display device for chemical vapor deposition, characterized in that any one selected from water and nitrogen gas.
  7. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 서셉터를 지지하는 서셉터지지대를 더 포함하며, Further comprising a susceptor support for supporting the susceptor,
    상기 냉각블록은 상기 서셉터지지대의 양측에 마련되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The cooling block is a flat display device for chemical vapor deposition, characterized in that provided on both sides of the susceptor support.
  8. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 냉각블록은 상기 챔버 내의 바닥면에 적층 배치되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The cooling block is a flat display device for a chemical vapor deposition characterized in that the laminate disposed on the bottom surface in the chamber.
  9. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 냉각블록은 상면이 상기 챔버 내의 바닥면으로 노출되도록 적어도 일부분이 상기 챔버 내의 바닥면 내에 매입되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The cooling block has a top surface with a flat display device for chemical vapor deposition, characterized in that at least a portion to be exposed to the bottom surface in the chamber that is buried in the bottom surface in the chamber.
  10. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판인 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치. The flat panel display LCD (Liquid Crystal Display) chemical vapor deposition apparatus for flat panel displays which is characterized in that the large glass substrates.
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