KR20080088991A - 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 유기전계 발광소자는: 기판 상에 형성된 발광부; 및 상기 기판 상에서 상기 발광부를 교번적으로 덮는 복수의 유기막 및 복수의 무기막으로 이루어진 보호막;을 구비하며, 상기 기판의 에지와 상기 기판의 에지와 마주보는 상기 발광부의 에지 사이에 형성된 상기 보호막은 상기 기판의 에지로 갈수록 얇아지게 형성된 것을 특징으로 한다.
Description
도 1은 종래의 유기전계 발광소자의 밀봉구조를 보여주는 단면도이다.
도 2는 다른 유기전계 발광소자의 밀봉구조를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 5는 증기상태 열중합 챔버를 설명하는 도면이다.
도 6은 발광부의 에지로부터 기판의 에지 사이의 온도 구배에 따른 폴리우레아가 기판 상에 형성되는 두께를 설명하는 도면이다.
도 7 및 도 8은 기판에서 발광부가 형성된 활성영역과 발광부의 에지로부터 기판의 에지 까지의 부분에 온도구배를 형성하는 방법을 설명하는 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
110: 기판 112: 발광부
120: 보호막 121~125: 유기막
131~135: 무기막
본 발명은 유기전계 발광소자 및 그 밀봉방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기전계 발광소자에서 디스플레이 패널의 에지로부터의 수분, 산소 등을 차단하는 밀봉구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계 발광소자(organic electro luminescence device)는 애노드전극으로부터 공급되는 홀(hole)과 캐소드전극으로부터 공급되는 전자(electron)가 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 발광층 내에서 결합하여 빛을 방출함으로서 화상을 형성하는 디스플레이 소자이다. 이러한 유기전계 발광소자는 넓은 시야각, 빠른 응답속도, 얇은 두께, 낮은 제조 비용 및 높은 콘트라스트(contrast) 등과 같은 우수한 디스플레이 특성을 나타냄으로써 차세대 평판 디스플레이 소자(flat panel display device)로서 각광을 받고 있다.
유기전계 발광소자의 발광물질인 유기물은 수분 및 산소에 의해서 열화되며, 따라서 발광소자의 발광효율이 저하되고, 발광수명이 짧아질 수 있다. 이러한 수분 및 산소가 발광물질로 침투하는 것을 방지하기 위해서 밀봉구조를 필요로 한다.
도 1은 종래의 유기전계 발광소자(10)의 밀봉구조를 보여주는 단면도이다. 기판(10) 상의 발광부(12)를 감싸는 캡(14)이 설치되어 있으며, 상기 캡(14) 및 상기 기판(10) 사이에 실링 물질(16)이 도포되어 있다. 상기 캡(14) 및 상기 기판(10) 사이의 공간에 흡습제(18)가 배치되며, 이 흡습제가 상기 공간으로 들어온 수분을 제거한다.
도 2는 다른 유기전계 발광소자(30)의 밀봉구조를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판(30) 상에 발광부(32)가 배치되어 있으며, 발광부(32) 상에는 유기막(41,42) 및 무기막(51,52)이 각각 복수층으로 서로 교번적으로 적층되어 있다. 상기 무기막(51,52)은 수분 및 산소의 침투를 막으며, 상기 유기막(41,42)은 무기막(51,52) 구조를 지지하는 역할을 한다.
도 2의 발광소자는 흡습제를 사용하지는 않는 장점이 있지만, 상기 유기전계 발광소자의 에지에서 상기 기판과 나란하게 형성된 유기막들(41, 42), 특히 발광부(32)와 접촉하는 유기막(41)로부터 외부의 수분 등이 흘러들어와서 발광부(32)를 열화시킬 수 있다. 이러한 발광부(32)의 열화를 감소시키기 위해서 발광부(32)로부터 기판(30)의 에지 까지의 길이를 길게 할 수 있으나, 이러한 길이의 증가로 유기전계 발광소자의 크기가 커질 수 있으며, 하나의 웨이퍼로부터 복수의 발광소자를 다이싱하는 경우, 생산성을 감소시킨다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 외부로부터의 수분 및 산소의 침투를 억제하며 동시에 발광부 및 기판의 에지 사이의 간격을 감소시킨 유기전계 발광소자의 밀봉구조 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 유기전계 발광소자는:
기판 상에 형성된 발광부; 및
상기 기판 상에서 상기 발광부를 교번적으로 덮는 복수의 유기막 및 복수의 무기막으로 이루어진 보호막;을 구비하며,
상기 기판의 에지와 상기 기판의 에지와 마주보는 상기 발광부의 에지 사이에 형성된 상기 보호막은 상기 기판의 에지로 갈수록 얇아지게 형성된 것을 특징으한다.
상기 무기막은 일정한 두께로 형성된다.
본 발명의 일 국면에 따르면, 상기 복수의 유기막 중 상기 발광부와 접촉하는 제1유기막은 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 갈수록 얇게 형성되며, 상기 제1유기막의 에지는 상기 기판의 에지로부터 이격되게 형성된다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 복수의 유기막은 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 갈수록 얇게 형성되며, 상기 제1유기막의 에지는 상기 기판의 에지로부터 이격되게 형성된다.
또한, 상기 복수의 유기막 중 상기 기판과 접촉하는 상기 제1유기막은 폴리 우레아, 폴리 아믹산 또는 폴리이미드이다.
상기의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 유기전계 발광소자의 제조방법은: 기판 상에 형성된 발광부; 및 상기 기판 상에서 상기 발광부를 교번적으로 덮는 복수의 유기막 및 복수의 무기막으로 이루어진 보호막;을 구비하며, 상기 기판의 에지와 상기 기판의 에지와 마주보는 상기 발광부의 에지 사이에 형성된 상기 보호막은 상기 기판의 에지로 갈수록 얇아지게 형성된 것을 특징으로 하는 유기전 계 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 갈수록 얇게 제1유기막을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1유기막을 형성하는 단계는:
상기 기판 상에서 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지 사이로 온도 구배를 형성하는 단계;
상기 기판 상으로 폴리머를 형성하는 두 개의 단량체를 개스 상태로 공급하는 단계; 및
상기 기판 상에 상기 폴리머가 형성되는 단계;를 구비할 수 있다.
본 발명의 일 국면에 따르면, 상기 온도구배를 형성하는 단계는:
상기 기판의 에지에 열을 가하는 단계이며, 상기 기판의 에지에 상당하는 위치의 상방에 히터를 설치할 수 있으며, 상기 폴리머는 폴리우레아일 수 있다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 온도구배를 형성하는 단계는:
상기 발광부를 포함하는 활성영역에 열을 가하여 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 온도구배를 형성하며, 상기 활성영역의 상방에 히터를 설치하는 단계일 수 있으며, 상기 폴리머는 폴리 아믹산일 수 있다.
본 발명의 제조방법은 상기 제1유기막 상에 상기 복수의 무기막 및 상기 복수의 유기막을 교번적으로 형성하는 단계;를 더 구비할 수 있으며, 상기 복수의 유기막은 상기 기판 상에 형성된 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 갈수록 얇게 형성된다.
상기 복수의 유기막을 형성하는 단계는:
상기 기판 상에서 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지 사이로 온도 구배를 형성하는 단계;
상기 기판 상으로 폴리머를 형성하는 두 개의 단량체를 개스 상태로 공급하는 단계; 및
상기 기판 상에 상기 폴리머가 형성되는 단계;를 구비할 수 있다.
또한, 상기 폴리머가 폴리아믹산일 수 있으며, 본 발명의 제조방법은 상기 폴리머를 가열하여 상기 폴리 아믹산을 폴리이미드로 변경시키는 단계;를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광소자 및 그 밀봉방법을 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광소자(100)의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판(110) 상에 발광부(112)가 형성되어 있다. 상기 발광부(112)는 애노드 전극(미도시), 캐소드 전극(미도시) 및 이들 전극들 사이의 유기 발광층(미도시)을 포함한다. 상기 기판(110) 상에서 상기 유기발광층을 덮는 보호막(120)이 형성되어 있다. 상기 보호막(120)은 유기막(121~125) 및 무기막(131~135)이 교번적으로 형성되어 있다. 상기 무기막(131~135)은 외부로부터 발광부(112)로 스며드는 수분 및 산소를 차단하며, 상기 유기막(121~125)은 무기막(131~135)을 지지한다.
상기 유기막(121~125) 중 상기 발광부(112)와 접촉하는 제1유기막(121)은 대략 수백 nm 내지 수 ㎛ 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1유기막(121)은 상기 기판(110)의 에지와 상기 에지와 마주보는 발광부(112)의 에지 사이에서 일정한 비율로 경사지게 형성된다. 즉, 상기 발광부(112)의 에지로부터 상기 기판(110)의 에지로 갈수록 얇게 형성되며, 바람직하게는 상기 제1유기막(121)의 에지는 상기 발광부(112)의 에지와 상기 기판(110)의 에지 사이에 형성된다. 상기 제1유기막(121)은 폴리머로 형성되며, 바람직하게는 폴리우레아(polyurea), 폴리아믹산(polyamic acid) 또는 폴리이미드로 형성된다.
상기 제1무기막(131)은 상기 제1유기막(121)을 덮으며, 기판(110)의 에지까지 연장되게 형성된다. 상기 제1무기막(131)은 알루미나로 형성될 수 있으며, 제1유기막(121) 상에서 일정한 두께로 형성될 수 있다.
상기 제1무기막(131) 상에는 제2유기막(122)이 형성되며, 상기 제1유기막(121)과 같은 재질로 형성될 수 있으며, 제1유기막(121)과 같은 형태로 기판(110)의 에지로 갈수록 얇게 형성되며, 기판(110)의 에지로부터 이격되게 형성될 수 있다.
이어서, 제2~제5무기막(132~135)은 제1무기막(131)과 같은 형태로 적층되며, 제2~제5유기막(122~125)도 제1유기막(121)과 같은 형태로 적층된다. 따라서, 보호막(120)은 발광부(112)의 에지로부터 기판(110)의 에지로 갈수로 얇게 형성된다.
이러한 경사진 유기막들(121~125)과 유기막들(121~125) 사이에 형성된 무기막들(131~135)에 의해서 기판(110)의 에지에는 무기막들(131~135)이 모여서 형성된 다. 이러한 무기막들(131~135)은 외부로부터의 수분, 산소 등의 침투를 막으며, 따라서 본 발명의 발광부(112)를 효과적으로 보호한다.
본 발명의 밀봉구조로 종래의 발광소자에서 필요했던 발광소자로부터 기판(110) 에지 사이의 길이가 짧아질 수 있으며 이에 따라 기판(110)의 dead space가 줄어든다. 이는 웨이퍼 상에서 복수의 발광소자를 제조시 수율을 증가시킨다.
또한, dead space 의 감소는 복수의 발광소자로 구성되는 멀티 디스플레이 장치에 사용할 때, 픽셀 사이의 거리를 줄일 수 있으며 따라서 화면의 단절감을 최소화할 수 있다.
다음은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법을 설명하는 도면이다. 도 4를 참조하면, 기판(210) 상에 발광부(212)를 형성한다. 상기 기판(210)은 유리기판(210) 또는 플라스틱 기판(210)일 수 있다. 상기 기판(210)은 웨이퍼 스케일로 형성되는 것이 바람직하다. 기판(210) 상에는 활성영역에 픽셀이 형성된다. 픽셀은 적색, 녹색 및 청색의 서브픽셀로 이루어진다. 상기 픽셀과 상기 기판(210) 에지 사이는 대략 1 mm 이내로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 기판(210)을 증기상태 열중합(vapor phase thermal polymerization) 챔버(260)에 배치한다. 도 5는 증기상태 열중합 챔버(260)를 설명하는 도면이다. 도 5를 참조하면, 상기 챔버(260) 내는 진공상태 또는 불활성 기체 분위기를 형성한다. 상기 챔버(260)에는 두 개의 인입 파이프(261, 262)가 연결되며, 각 인입파이프(261, 262)에는 단량체인 4,4'-메틸렌디아닐린(4,4'- methylenedianiline)과 메틸렌디(p-페닐렌) 디이소시아네이트(MDI)가 기체상태로 공급된다. 상기 챔버(260)로 인입된 기체상태의 단량체는 혼합기(264)에 의해서 혼합되며, 이어서, 소정의 온도로 유지된 기판(210) 상에서 폴리우레아(polyurea)로 중합되어 발광부(212)를 덮는다. 폴리우레아의 구체적 예는 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
여기서 n은 1부터 10,000,00 일 수 있다.
이 때, 기판(210)에서 발광부(212)가 형성된 활성영역과 발광부(212)의 에지로부터 기판(210)의 에지 까지의 부분에 온도구배가 형성된다.
도 6은 발광부(212)의 에지로부터 기판(210)의 에지 사이의 온도 구배에 따른 폴리우레아가 기판(210) 상에 형성되는 두께를 도시한 도면이다. 상기 두께는 온도의 함수이며, 도 5에는 상대적 스케일로 나타내었다.
도 6을 참조하면, 폴리우레아가 중합되는 경우, 기판(210)의 온도가 증가하면, 표면두께가 감소하는 것을 볼 수 있다.
따라서, 제1유기막(221)은 도 4에 도시된 것처럼 발광부(212)의 에지로부터 기판(210)의 에지로 가면서 그 두께가 얇아지며, 바람직하게는 기판(210)의 에지로부터 이격되게 형성된다.
이어서, 기판(210)의 제1유기막(221) 상에 제1무기막(231)을 형성하기 위해서 기판(210)을 증착챔버, 예컨대 CVD 챔버에 배치하고 반도체 공정에서 잘알려진 방법으로 제1무기막(231)을 일정한 두께로 증착한다.
상기 제1무기막(231)은 제1유기막(221)과 기판(210)의 에지 상에 증착되어서, 외부로부터의 수분, 산소 등이 제1유기막(221)을 접촉하는 것을 방지한다.
이어서, 상기 제1무기막(231) 상에 유기막 및 무기막을 교번적으로 복수의 막을 형성하며, 그 제조공정은 상술한 것과 같을 수 있으며, 그 구조는 도 3을 참조한다. 또한, 제1유기막(221)을 제외한 유기막은 종래의 CVD, PVD 증착방법을 적용할 수도 있다.
도 7은 기판(210)에서 발광부(212)가 형성된 활성영역과 발광부(212)의 에지로부터 기판(210)의 에지 까지의 부분에 온도구배를 형성하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 7을 참조하면, 웨이퍼(270) 상에서 각 발광부(212) 사이 및 발광부(212)의 외부에 히터, 예컨대 열선(280)을 설치한다. 상기 히터(280)를 가열하면 상기 발광부(212)로부터 이격된 기판(210)(다이싱이 되지 않은 상태)의 에지로부터 발광부(212) 에지 까지 온도가 증가하는 온도구배영역이 형성될 수 있다. 상기 기판(210)은 상기 열선(280)의 위치에서 웨이퍼(270)을 다이싱하여 만들 수 있다.
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명하며, 도 4 및 도 5의 도면을 참조하여 설명한다.
기판(210) 상에 발광부(212)를 형성한다. 상기 기판(210)은 유리기판(210) 또는 플라스틱 기판(210)일 수 있다. 상기 기판(210)은 웨이퍼 스케일로 형성되는 것이 바람직하다. 기판(210) 상에는 활성영역에 픽셀이 형성된다.
이어서, 상기 기판(210)을 증기상태 열중합(vapor phase thermal polymerization) 챔버(260)에 배치한다. 상기 챔버(260)에는 두 개의 인입 파이프(261, 262)가 연결되며, 각 인입파이프(261, 262)에는 단량체인 파이로멜리틱 디안하이드라이드(pyromellitic dianhydride)(PMDA)와, 4,4'-디아미노디페닐 에테르(4,4'-diaminodiphenyl ehter)(DDE)가 기체상태로 공급된다. 상기 챔버(260)로 인입된 기체상태의 단량체는 혼합기(264)에 의해서 혼합되며, 이어서, 소정의 온도로 유지된 기판(210) 상에서 폴리 아믹산(polyamic acid)으로 중합되어 발광부(212)를 덮는다.
폴리 아믹산의 구체적 예는 화학식 2로 표시되는 화합물일 수 있다.
이 때, 기판(210)에서 발광부(212)가 형성된 활성영역과 발광부(212)의 에지로부터 기판(210)의 에지 까지의 부분에 온도구배가 형성된다.
도 8은 기판(210)에서 발광부(212)가 형성된 활성영역과 발광부(212)의 에지로부터 기판(210)의 에지 까지의 부분에 온도구배를 형성하는 다른 방법을 설명하 는 도면이다.
도 8을 참조하면, 웨이퍼(270) 상에서 각 발광부(212) 상방에 히터(290)를 형성한다. 상기 히터(290)는 열선일 수 있다. 상기 히터(290)를 가열하면 상기 발광부(212)의 에지로부터 기판(210)(웨이퍼(270)를 점선을 따라 다이싱된 상태)의 에지까지 온도가 감소하는 온도구배영역이 형성될 수 있다.
제1유기막(221)은 발광부(212)의 에지로부터 기판(210)의 에지로 가면서 그 두께가 얇아지며, 바람직하게는 기판(210)의 에지로부터 이격되게 형성된다.
이어서, 기판(210)의 제1유기막(221) 상에 제1무기막(231)을 형성하기 위해서 기판(210)을 증착챔버, 예컨대 CVD 챔버에 배치하고 반도체 공정에서 잘알려진 방법으로 제1무기막(231)을 증착한다.
상기 제1무기막(231)은 제1유기막(221)과 기판(210)의 에지 상에 증착되어서, 외부로부터의 수분, 산소 등이 제1유기막(221)을 접촉하는 것을 방지한다.
이어서, 상기 제1무기막(231) 상에 유기막 및 무기막을 교번적으로 복수의 막을 형성하며, 그 제조공정은 상술한 것과 같을 수 있다.
또한, 제1유기막(221)을 제외한 유기막은 종래의 CVD, PVD 증착방법을 적용할 수도 있다.
상기 제1유기막(221) 상에는 제1무기막(231)이 형성된다. 제1무기막(231)은 일정한 두께로 형성될 수 있다.
한편, 유기막이 형성된 기판(210), 또는 상기 유기막 및 무기막이 형성된 상기 기판(210)을 열처리하면 폴리 아믹산은 탈수가 되면서 폴리이미드로 된다. 이 폴리이미드는 물리적 내구성이 우수하며 봉지 특성이 양호하다. 폴리이미드의 구체적 예는 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 밀봉구조는 발광부를 수분 및 산소로부터 차단하며, 이러한 밀봉구조를 구비한 유기전계 발광소자는 발광부로부터 기판의 에지 사이의 길이가 짧아질 수 있으며 이에 따라 기판의 dead space가 줄어든다. 이는 웨이퍼 상에서 복수의 발광소자를 제조시 수율을 증가시킨다.
또한, 데드 스페이스(dead space)의 감소는 복수의 발광소자로 구성되는 멀티 디스플레이 장치에 사용할 때, 픽셀 사이의 거리를 줄일 수 있으며 따라서 화면의 단절감을 최소화할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 발광부의 에지로부터 기판의 에지 사이에 온도 구배영역을 형성하여 상기 영역에 발광부의 에지로부터 기판의 에지로 갈수록 얇게 폴리 중합체로 이루어진 유기막을 형성하고, 상기 유기막 상에 무기막을 형성하여 상기 유기막이 대기 중의 수분 및 산소와의 접촉을 차단하는 방법을 제공한다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.
Claims (23)
- 기판 상에 형성된 발광부; 및상기 기판 상에서 상기 발광부를 교번적으로 덮는 복수의 유기막 및 복수의 무기막으로 이루어진 보호막;을 구비하며,상기 기판의 에지와 상기 기판의 에지와 마주보는 상기 발광부의 에지 사이에 형성된 상기 보호막은 상기 기판의 에지로 갈수록 얇아지게 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 무기막은 일정한 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 유기막 중 상기 발광부와 접촉하는 제1유기막은 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 갈수록 얇게 형성되며, 상기 제1유기막의 에지는 상기 기판의 에지로부터 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 유기막은 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 갈수록 얇게 형성되며, 상기 제1유기막의 에지는 상기 기판의 에지로부터 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 유기막 중 상기 기판과 접촉하는 상기 제1유기막은 폴리 우레아, 폴리 아믹산 및 폴리이미드로 이루어진 그룹 중 선택된 하나의 폴리머인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 기판 상에 형성된 발광부; 및 상기 기판 상에서 상기 발광부를 교번적으로 덮는 복수의 유기막 및 복수의 무기막으로 이루어진 보호막;을 구비하며, 상기 기판의 에지와 상기 기판의 에지와 마주보는 상기 발광부의 에지 사이에 형성된 상기 보호막은 상기 기판의 에지로 갈수록 얇아지게 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법에 있어서,상기 기판 상에 형성된 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 갈수록 얇게 제1유기막을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제1유기막을 형성하는 단계는:상기 기판 상에서 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지 사이로 온도 구배를 형성하는 단계;상기 기판 상으로 폴리머를 형성하는 두 개의 단량체를 개스 상태로 공급하는 단계;상기 기판 상에 상기 폴리머가 형성되는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 온도구배를 형성하는 단계는:상기 기판의 에지에 열을 가하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 온도구배를 형성하는 단계는:상기 기판의 에지에 상당하는 위치의 상방에 히터를 설치하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 폴리머는 폴리 우레아인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 온도구배를 형성하는 단계는:상기 발광부를 포함하는 활성영역에 열을 가하여 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 온도구배를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 온도구배를 형성하는 단계는:상기 활성영역의 상방에 히터를 설치하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 폴리머는 폴리 아믹산인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 폴리머를 가열하여 상기 폴리 아믹산을 폴리아미드로 변경시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제1유기막 상에 상기 복수의 무기막 및 상기 복수의 유기막을 교번적으로 형성하는 단계;를 더 구비하며,상기 복수의 유기막은 상기 기판 상에 형성된 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 갈수록 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 복수의 유기막을 형성하는 단계는:상기 기판 상에서 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지 사이로 온도 구배를 형성하는 단계;상기 기판 상으로 폴리머를 형성하는 두 개의 단량체를 개스 상태로 공급하는 단계;상기 기판 상에 상기 폴리머가 형성되는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 온도구배를 형성하는 단계는:상기 기판의 에지에 열을 가하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 온도구배를 형성하는 단계는:상기 기판의 에지에 상당하는 위치의 상방에 히터를 설치하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 폴리머는 폴리 우레아인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 온도구배를 형성하는 단계는:상기 발광부를 포함하는 활성영역에 열을 가하여 상기 발광부의 에지로부터 상기 기판의 에지로 온도구배를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 온도구배를 형성하는 단계는:상기 활성영역의 상방에 히터를 설치하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 폴리머는 폴리 아믹산인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 폴리머를 가열하여 상기 폴리 아믹산을 폴리아미드로 변경시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
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