KR20080079603A - 피처리체의 열처리 장치, 피처리체의 열처리 방법 및컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기억한 기억 매체 - Google Patents
피처리체의 열처리 장치, 피처리체의 열처리 방법 및컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기억한 기억 매체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080079603A KR20080079603A KR1020080017014A KR20080017014A KR20080079603A KR 20080079603 A KR20080079603 A KR 20080079603A KR 1020080017014 A KR1020080017014 A KR 1020080017014A KR 20080017014 A KR20080017014 A KR 20080017014A KR 20080079603 A KR20080079603 A KR 20080079603A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- acoustic wave
- heat treatment
- processing container
- antenna
- Prior art date
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 157
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 45
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 10
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011032 tourmaline Substances 0.000 claims description 5
- 229940070527 tourmaline Drugs 0.000 claims description 5
- 229910052613 tourmaline Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 claims description 3
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZWOQODLNWUDJFT-UHFFFAOYSA-N aluminum lanthanum Chemical compound [Al].[La] ZWOQODLNWUDJFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 claims 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 claims 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 110
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKDNBOAOTQCXLM-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid;potassium;sodium Chemical compound [Na].[K].OC(=O)C(O)C(O)C(O)=O ZKDNBOAOTQCXLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum lanthanum tantalum Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
Description
Claims (30)
- 피처리체의 열처리 장치에 있어서,탄성파 소자를 갖는 온도 측정용 피처리체를 포함하는 복수의 피처리체를 수용 가능한 처리 용기와,상기 처리 용기의 외주에 설치되고, 상기 복수의 피처리체를 가열하는 가열 수단과,상기 복수의 피처리체를 보유 지지하는 동시에, 상기 복수의 피처리체를 상기 처리 용기 내에 로드 및 언로드하는 보유 지지 수단과,상기 처리 용기에 설치되고, 상기 온도 측정용 피처리체의 상기 탄성파 소자를 향해 측정용 전파를 송신하는 송신용 안테나와,상기 처리 용기에 설치되고, 상기 온도 측정용 피처리체의 상기 탄성파 소자로부터 발신되고, 상기 온도 측정용 피처리체의 온도에 따른 주파수로 이루어지는 전파를 받는 수신용 안테나와,상기 수신용 안테나에 접속되고, 상기 수신용 안테나로 받은 전파를 기초로 하여 상기 온도 측정용 피처리체의 온도를 구하는 온도 분석부와,상기 온도 분석부에 접속되고, 상기 온도 분석부의 출력을 기초로 하여 상기 가열 수단을 제어하는 온도 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 송신용 안테나 및 상기 수신용 안테나는, 상기 피처리체의 주위를 둘러싸도록 루프 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 처리 용기 내에 복수의 가열 존이 마련되고, 상기 온도 측정용 피처리체는 상기 가열 존마다 대응하여 배치되도록 복수 마련되고, 상기 송신용 안테나와 상기 수신용 안테나는 상기 가열 존마다 대응하여 배치되도록 복수 마련되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 온도 측정용 피처리체의 탄성파 소자의 주파수 대역은, 상기 가열 존마다 서로 다르도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 온도 측정용 피처리체는 복수의 탄성파 소자를 갖고, 상기 복수의 탄성파 소자의 주파수 대역은 서로 다르도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 탄성파 소자는, 적어도 각 온도 측정용 피처리체의 중심부와 주변부에 설치되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 송신용 안테나 및 상기 수신용 안테나는, 상기 처리 용기의 길이 방향을 따라 로드 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 송신용 안테나 및 상기 수신용 안테나는, 상기 피처리체의 주위 방향을 따라 소정의 간격을 두고 복수 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 처리 용기 내에 복수의 가열 존이 마련되고, 상기 온도 측정용 피처리체는 상기 가열 존마다 대응하여 배치되도록 복수 설치되고, 상기 온도 측정용 피처리체의 탄성파 소자의 주파수 대역은, 상기 가열 존마다 서로 다르도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 온도 측정용 피처리체는 복수의 탄성파 소자를 갖고, 상기 복수의 탄성파 소자의 주파수 대역은 서로 다르도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 탄성파 소자는, 적어도 각 온도 측정용 피처리체의 중심부와 주변부에 설치되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 송신용 안테나 및 상기 수신용 안테나는, 상기 처리 용기의 내측에 설치되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 송신용 안테나 및 상기 수신용 안테나는, 상기 처리 용기의 외측에 설치되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리 용기의 외측에, 상기 처리 용기로부터 언로드된 상기 보유 지지 수단이 대기하는 로딩 영역이 마련되고,상기 로딩 영역에, 각각 상기 송신용 안테나 및 상기 수신용 안테나와 동일한 구조를 갖는 추가의 송신용 안테나 및 추가의 수신용 안테나가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 송신용 안테나 및 상기 수신용 안테나는, 각각 보호관 내에 수용되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 송신용 안테나로부터, 상기 주파수 대역이 다른 탄성파 소자에 대응한 서로 다른 주파수 대역의 측정용 전파를, 소정의 시간마다 순차 스위핑하여 송신하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 송신용 안테나로부터, 상기 주파수 대역이 다른 탄성 파 소자에 대응한 서로 다른 주파수 대역의 측정용 전파를, 동시에 송신하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 송신용 안테나 및 상기 수신용 안테나는, 송수신용 안테나로서 일체화되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리 용기 내 및/또는 상기 가열 수단에 온도 측정용 열전대가 마련되고,상기 온도 제어부는, 상기 열전대로부터의 측정치도 참조하여 상기 가열 수단의 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리 용기에, 상기 피처리체의 열처리를 보조하기 위해 고주파 전력에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단이 마련되고, 상기 측정용 전파의 주파수 대역은, 상기 고주파 전력의 주파수 대역과 다르도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 탄성파 소자는 표면 탄성파 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 탄성파 소자는 벌크 탄성파 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 탄성파 소자는, 란탄 탄탈산 갈륨 알루미늄(LTGA), 수정(SiO2), 산화아연(ZnO), 로쉘염(주석산(주석산(酒石酸) 칼륨-나트륨 : KNaC4H4O6), 티탄산지르콘산 아연(PZT : Pb(Zr,Ti)O3), 니오븀산리튬(LiNbO3), 탄탈산리튬(LiTaO3), 리튬테트라보레이트(Li2B4O7), 랑가사이트(La3Ga5SiO14), 질화 알루미늄, 전기석(토르말린), 폴리불화비닐리덴(PVDF)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 재료의 기판 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 장치.
- 탄성파 소자를 갖는 온도 측정용 피처리체를 포함하는 복수의 피처리체를 보유 지지하는 보유 지지 수단을, 송신용 안테나 및 수신용 안테나가 설치된 처리 용기 내에 도입하고, 상기 피처리체를 상기 처리 용기의 외주에 설치된 가열 수단으로 가열함으로써 열처리를 실시하도록 한 피처리체의 열처리 방법에 있어서,상기 송신용 안테나로부터 측정용 전파를 상기 온도 측정용 피처리체의 상기 탄성파 소자를 향해 송신하는 송신 공정과,상기 측정용 전파를 받은 상기 온도 측정용 피처리체의 상기 탄성파 소자가 발하는 전파를 상기 수신용 안테나에서 받는 수신 공정과,상기 수신용 안테나에서 받은 전파를 기초로 하여 상기 온도 측정용 피처리 체의 온도를 구하는 온도 분석 공정과,상기 온도 분석 공정에서 구한 온도를 기초로 하여 상기 가열 수단을 제어하는 온도 제어 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 처리 용기 내에 복수의 가열 존이 마련되고, 상기 온도 측정용 피처리체는 상기 가열 존마다 대응하여 복수 설치되고, 상기 온도 측정용 피처리체의 탄성파 소자의 주파수 대역은, 상기 가열 존마다 서로 다르도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 처리 용기 내 및/또는 상기 가열 수단에 온도 측정용 열전대가 마련되고,상기 온도 제어 공정에 있어서, 상기 열전대로부터의 측정치도 참조하여 상기 가열 수단의 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 방법.
- 제24항에 있어서, 예비 온도 측정용 피처리체가 미리 준비되고, 필요에 따라서, 혹은 정기적으로, 자동적으로 상기 온도 측정용 피처리체와 상기 예비 온도 측정용 피처리체가 교환되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 피처리체의 열처리는, 고주파 전력에 의해 발생된 플라즈마에 의해 보조되고, 상기 측정용 전파의 주파수는, 상기 고주파 전력의 주파 수와 다르도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 탄성파 소자는 표면 탄성파 소자 또는 벌크 탄성파 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 피처리체의 열처리 방법.
- 컴퓨터에, 피처리체의 열처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기억한 기억 매체에 있어서,상기 피처리체의 열처리 방법은,탄성파 소자를 갖는 온도 측정용 피처리체를 포함하는 복수의 피처리체를 보유 지지하는 보유 지지 수단을, 송신용 안테나 및 수신용 안테나가 설치된 처리 용기 내에 도입하고, 상기 피처리체를 상기 처리 용기의 외주에 설치된 가열 수단으로 가열함으로써 열처리를 실시하도록 한 피처리체의 열처리 방법에 있어서,상기 송신용 안테나로부터 측정용 전파를 상기 온도 측정용 피처리체의 상기 탄성파 소자를 향해 송신하는 송신 공정과,상기 측정용 전파를 받은 상기 온도 측정용 피처리체의 상기 탄성파 소자가 발하는 전파를 상기 수신용 안테나에서 받는 수신 공정과,상기 수신용 안테나에서 받은 전파를 기초로 하여 상기 온도 측정용 피처리체의 온도를 구하는 온도 분석 공정과,상기 온도 분석 공정에서 구한 온도를 기초로 하여 상기 가열 수단을 제어하는 온도 제어 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기억한 기억 매체.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007048125 | 2007-02-27 | ||
JPJP-P-2007-00048125 | 2007-02-27 | ||
JPJP-P-2008-00033519 | 2008-02-14 | ||
JP2008033519A JP4905381B2 (ja) | 2007-02-27 | 2008-02-14 | 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080079603A true KR20080079603A (ko) | 2008-09-01 |
KR101103169B1 KR101103169B1 (ko) | 2012-01-04 |
Family
ID=39891610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080017014A KR101103169B1 (ko) | 2007-02-27 | 2008-02-26 | 피처리체의 열처리 장치, 피처리체의 열처리 방법 및컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기억한 기억 매체 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4905381B2 (ko) |
KR (1) | KR101103169B1 (ko) |
CN (1) | CN101256941B (ko) |
TW (1) | TWI447826B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200021672A (ko) * | 2018-08-21 | 2020-03-02 | 인베니아 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102136660B1 (ko) * | 2019-04-22 | 2020-07-22 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 진단 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101041143B1 (ko) | 2009-04-16 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 가공 장치 |
CN110211858A (zh) * | 2014-03-14 | 2019-09-06 | 应用材料公司 | 智能腔室及智能腔室元件 |
CN107924826B (zh) * | 2015-09-28 | 2021-08-20 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质 |
CN107868942B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-11-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备 |
JP6918554B2 (ja) * | 2017-04-06 | 2021-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 可動体構造及び成膜装置 |
KR102117352B1 (ko) * | 2018-04-04 | 2020-06-01 | 세메스 주식회사 | 표면탄성파 기반 웨이퍼 센서 및 그 제조 방법 |
JP7008602B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および温度制御方法 |
CN112040571B (zh) * | 2020-08-27 | 2022-10-21 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040003885A (ko) * | 2002-07-04 | 2004-01-13 | 삼성전자주식회사 | 확산로 온도 검출장치 |
WO2004030058A1 (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Tokyo Electron Limited | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP3833162B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2006-10-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の温度測定方法、基板熱処理装置における設定温度の補正方法および基板熱処理装置 |
WO2004038776A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP4175085B2 (ja) * | 2002-10-29 | 2008-11-05 | 三菱マテリアル株式会社 | ワイヤレス温度計測モジュール |
JP4285759B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2009-06-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20050099779A (ko) * | 2004-04-12 | 2005-10-17 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 베이킹 방법 및 이를 수행하기 위한 베이킹장치 |
JP4228150B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2009-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP2006284542A (ja) | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置、熱処理装置及び温度測定方法 |
US7977609B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-07-12 | Tokyo Electron Limited | Temperature measuring device using oscillating frequency signals |
-
2008
- 2008-02-14 JP JP2008033519A patent/JP4905381B2/ja active Active
- 2008-02-20 TW TW097105983A patent/TWI447826B/zh active
- 2008-02-26 KR KR1020080017014A patent/KR101103169B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-27 CN CN2008100826124A patent/CN101256941B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200021672A (ko) * | 2018-08-21 | 2020-03-02 | 인베니아 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102136660B1 (ko) * | 2019-04-22 | 2020-07-22 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 진단 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200849441A (en) | 2008-12-16 |
JP2008244449A (ja) | 2008-10-09 |
TWI447826B (zh) | 2014-08-01 |
CN101256941A (zh) | 2008-09-03 |
CN101256941B (zh) | 2011-05-18 |
KR101103169B1 (ko) | 2012-01-04 |
JP4905381B2 (ja) | 2012-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101103169B1 (ko) | 피처리체의 열처리 장치, 피처리체의 열처리 방법 및컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기억한 기억 매체 | |
JP5217663B2 (ja) | 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 | |
KR101574602B1 (ko) | 온도 측정용 기판 및 열처리 장치 | |
US8089031B2 (en) | Heating apparatus for heating objects to be heated, heating method for heating the objects to be heated, and storage medium in which computer-readable program is stored | |
KR102381838B1 (ko) | 정전 용량 측정용 측정기, 및 측정기를 이용하여 처리 시스템에 있어서의 반송 위치 데이터를 교정하는 방법 | |
KR101968800B1 (ko) | 열처리 장치 | |
US11024522B2 (en) | Virtual sensor for spatially resolved wafer temperature control | |
KR102115642B1 (ko) | 제어 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 프로그램 | |
US20100013626A1 (en) | Substrate lift pin sensor | |
US7914202B2 (en) | First detecting sheet and first thermometric system for detecting and measuring temperature of an object under test, second detecting sheet and second thermometric system for detecting and measuring temperature of a dummy substrate, and heat treatment apparatus using same | |
US20230209661A1 (en) | Metrology device, system and method | |
US20240151591A1 (en) | Substrate temperature sensor, substrate retainer and substrate processing apparatus | |
US20240018661A1 (en) | Semiconductor tool having controllable ambient environment processing zones | |
JP4554380B2 (ja) | プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法 | |
JP2009265025A (ja) | 圧電温度センサとシリコンウエハ温度測定冶具 | |
JP2002057107A (ja) | ウエハ加熱部材及びこれを用いたウエハの均熱化方法 | |
JP5413767B2 (ja) | シリコンウエハ多点温度測定装置 | |
JP2019176135A (ja) | 基板処理装置、制御システム及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008134204A (ja) | 温度検出シート、温度測定システム、および、熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151201 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161129 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191217 Year of fee payment: 9 |