KR20080079304A - 증가된 감도로 웨이퍼를 검사하는 시스템 및 방법 - Google Patents

증가된 감도로 웨이퍼를 검사하는 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080079304A
KR20080079304A KR1020087016683A KR20087016683A KR20080079304A KR 20080079304 A KR20080079304 A KR 20080079304A KR 1020087016683 A KR1020087016683 A KR 1020087016683A KR 20087016683 A KR20087016683 A KR 20087016683A KR 20080079304 A KR20080079304 A KR 20080079304A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
light
inspection
spot
medium
Prior art date
Application number
KR1020087016683A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101249114B1 (ko
Inventor
커트 엘 할러
크리스티안 볼터스
Original Assignee
케이엘에이-텐코 테크놀로지스 코퍼레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이엘에이-텐코 테크놀로지스 코퍼레이션 filed Critical 케이엘에이-텐코 테크놀로지스 코퍼레이션
Publication of KR20080079304A publication Critical patent/KR20080079304A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101249114B1 publication Critical patent/KR101249114B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

증가된 감도로 웨이퍼를 검사하는 시스템 및 방법이 제공된다. 하나의 시스템은 광을 웨이퍼 상의 스폿으로 향하게 하고 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성하도록 구성되는 검사 서브시스템을 포함한다. 시스템은 또한 시스템의 감도를 증가시키기 위해 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체하도록 구성되는 기체 유동 서브시스템을 포함한다. 또한, 시스템은 출력 신호를 사용하여 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성되는 프로세서를 포함한다.

Description

증가된 감도로 웨이퍼를 검사하는 시스템 및 방법{SYSTEMS AND METHODS FOR INSPECTING A WAFER WITH INCREASED SENSITIVITY}
본 발명은 일반적으로 증가된 감도(sensitivity)로 웨이퍼를 검사하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 특정 실시예는 검사의 감도를 증가시키기 위해 웨이퍼 상의 조명된 스폿 부근의 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체하는 것을 포함하는 표본 검사를 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
다음의 설명과 예들은 이 부분에 포함됨으로써 종래 기술인 것으로 인정되지 않는다.
로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것은 통상적으로 다양한 특징 및 다수 레벨의 반도체 디바이스를 형성하기 위해 다수의 반도체 제조 프로세스를 사용하여 반도체 웨이퍼와 같은 표본을 처리하는 것을 포함한다. 예를 들어, 리소그라피는 통상적으로 반도체 웨이퍼 상에 구성된 레지스트에 패턴을 전사하는 것을 수반하는 반도체 제조 프로세스이다. 반도체 제조 프로세스의 추가적인 예로는 화학 기계적 연마, 에칭, 증착 및 이온 주입을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다수의 반도체 디바이스는 반도체 웨이퍼 상에 배열되도록 제조된 다음, 개별 반도체 디바이스로 분리될 수 있다.
검사 프로세스는 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위해 반도체 제조 프로세스 중에 여러 번 사용된다. 검사는 항상 집적 회로와 같은 반도체 디바이스 제조의 중요한 부분이었다. 그러나 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 검사는 받아들일 수 있는 반도체 디바이스의 성공적인 제조에 훨씬 더 중요해졌다. 예를 들어, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 비교적 작은 결함조차도 반도체 디바이스에 원치않는 이상을 야기할 수 있기 있기 때문에, 감소하는 사이즈의 결함 검출이 필요하게 되었다.
반도체 산업이 45nm 노드와 그를 넘어서까지 가속화됨에 따라, 집적 회로(IC) 제조자들은 패터닝되지 않은 웨이퍼 레이저 표면 스캐닝 검사 시스템에 대하여 보다 우수한 감도를 요구하고 있다. 예를 들어, 일부 IC 제조자들은 45nm 노드에서 시작하는 세 개의 발생의 경우, 베어(bare) 연마된 실리콘 웨이퍼 상의 25nm 폴리스티렌 라텍스(PSL; polystyrene latex) 구형(sphere)의 감도를 요구하고 있다. 이러한 감도는 또한 시간당 45개 웨이퍼의 처리량으로 요구된다. 대부분의 상업적으로 입수가능한 검사 시스템의 가장 우수한 성능으로도 이러한 감도와 처리량 성능 요건을 충족시키지 못한다.
종종, 증가된 감도는 결국 처리량이 감소하게 되는 시스템 구성에 의해 달성될 수 있다. 예를 들어, 현재 입수가능한 검사 시스템의 감도는 검사 동안 조명되고 있는 웨이퍼 상의 스폿의 사이즈를 감소시킴으로써 증가될 수 있다. 웨이퍼 상의 조명 스폿의 사이즈는 현재 사용되는 수많은 검사 시스템에서 (예를 들어, 빔 형성 광학 트레인에 광학 소자를 변경 또는 추가함으로써) 비교적 간단하게 감소될 수 있다. 스폿 사이즈를 감소시키면 결함 산란에 비해 웨이퍼의 표면으로부터 산란되는 광의 양을 효과적으로 감소시킴으로써, 시스템의 결함 신호 대 잡음 비 및 감도를 증가시킨다. 그러나 스폿 사이즈를 감소시키면, 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐 더 작은 사이즈의 스폿을 스캐닝하는 것이 웨이퍼 표면에 걸쳐 더 큰 사이즈의 스폿을 스캐닝하는 것보다 더 오래 걸리기 때문에, 시스템의 처리량을 감소시키기도 한다. 따라서, 스폿 사이즈를 다양하게 함으로써, 감도와 처리량을 서로 절충하여 조정하는 것이 가능하다.
검사 시스템의 감도를 증가시키도록, 현재 입수가능한 검사 시스템에 대하여 부가적으로 또는 대안으로서 기타 변경이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 일부 현재 입수가능한 검사 시스템의 집광기(collector)는 집광기에 대해 애퍼쳐(aperture)를 변경 또는 추가함으로써 변경될 수 있다. 애퍼쳐는 웨이퍼의 표면으로부터 산란되는 광을 차단하는 동시에, 결함으로부터 산란된 광이 애퍼쳐를 통과할 수 있게 함으로써, 시스템의 결함 신호 대 잡음 비 및 시스템의 감도를 증가시키도록 구성될 수 있다. 또 다른 예에서는, 현재 입수가능한 검사 시스템의 광원이 보다 높은 파워의 광원으로 교체될 수 있다. 예를 들어, 검사 시스템이 약 350mW의 레이저 파워에 대해 구성되는 경우, 시스템의 레이저 파워는 약 1000mW로 증가될 수 있다. 광원의 파워를 증가시키면 일반적으로 결함으로부터 산란된 광의 레벨을 증가시킴으로써 시스템의 감도를 증가시킨다.
웨이퍼의 표면 품질의 개선도 또한 현재 사용되는 검사 시스템의 감도를 효과적으로 증가시킬 수 있다. 특히, 베어(bare) 실리콘 웨이퍼와 같은 웨이퍼의 나 머지 표면 거칠기가 감소함에 따라, 웨이퍼 표면으로부터 산란된 광의 양(즉, "배경 산란(background scattering)")도 또한 감소할 것이다. 따라서, 결함 신호 대 잡음 비가 증가하여 시스템의 감도를 증가시킬 것이다.
시스템의 감도를 다양한 정도로 증가시키기 위해 상기 설명된 웨이퍼 표면 및 검사 시스템의 다양한 개선들이 조합하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 설명된 바와 같이 백 애퍼쳐(back aperture)를 추가하고 웨이퍼 표면을 개선하면, 백 애퍼쳐만 추가하는 것보다 감도를 더 크게 증가시킬 수 있다. 또한, 이러한 개선들의 조합이 감도를 증가시키는 정도는 웨이퍼 표면의 개선이 커질수록 증가한다(예를 들어, 입사 레이저 파워의 약 30ppb로부터 입사 레이저 파워의 약 15ppb까지의 배경 산란). 또한, 백 애퍼쳐를 추가하고 웨이퍼 표면을 개선하고 레이저 파워를 증가시키면, 백 애퍼쳐의 추가 및/또는 웨이퍼 표면의 개선에 의해 달성될 수 있는 것보다 감도를 더 크게 증가시킬 수 있다.
명백하게, 상기 설명된 다양한 개선들의 각각은 다양한 비용으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 애퍼쳐를 이용하고 웨이퍼 표면의 개선에 의존함으로써 시스템의 감도를 개선하는 것은 레이저 파워를 증가시키는 것보다 비용이 덜 든다. 그러나, 상기 설명된 감도 요건을 충족시키기 위해 레이저 파워의 증가가 필요할 수 있다. 그렇지만, 상기 설명된 바와 같이 감도를 개선하는 것은 오늘날 관찰되는 통상적인 배경 산란(입사 레이저 파워의 약 80ppb)으로부터 오늘날의 가장 양호한 웨이퍼 표면의 레벨(입사 레이저 파워의 약 30ppb의 배경 산란)을 넘어 입사 레이저 파워의 약 15ppb의 배경 산란을 갖는 초평탄(ultra-smooth) 실리콘까지의 웨이퍼 표면 품 질의 개선에 의존한다.
이러한 낮은 레벨의 웨이퍼-유도 배경 산란 또는 헤이즈(haze)에서, 레이저 스캐닝 기술은 레이저 빔이 통과하는 공기로부터의 레일리(Rayleigh) 산란이 관찰된 전체 배경 산란의 상당 부분에 기여한다는 점에 도달하였다. 예를 들어, 일부 현재 입수가능한 검사 시스템의 경우, 대기의(atmospheric) 레일리 산란으로 인한 추정 배경 산란은 입사 레이저 파워의 약 10ppb 내지 입사 레이저 파워의 약 20ppb이다. 그러나, 명백하게, 배경 산란은 조명의 파장, 조명의 편광(polarization), 광학 경로 길이, 집광기의 입체각, 필드의 깊이, 수집 편광 등과 같은 검사 시스템 구성의 파라미터에 따라 좌우된다. 따라서, 대기의 레일리 산란으로 인해, 실제 15ppb의 배경 산란을 갖는 웨이퍼는 검사 시스템에, 입사 레이저 파워의 약 25ppb 내지 입사 레이저 파워의 약 35ppb의 배경 산란을 갖는 웨이퍼와 같이 보일 것이다. 따라서, 웨이퍼 표면 품질의 개선에 기초하여 기대되는 감도의 개선이 달성될 수 없다.
따라서, 웨이퍼 상의 조명 스폿 부근의 기체에 의해 야기되는 광의 산란을 감소시킴으로써 웨이퍼를 검사하는 방법과 시스템의 감도를 증가시키는 것이 유리할 것이다.
시스템, 기체 유동 서브시스템 및 방법의 다양한 실시예의 다음의 설명은 어떤 식으로든 첨부된 청구범위의 주제를 한정하는 것으로 해석되어서는 안된다.
일 실시예는 웨이퍼를 검사하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 시스템은 광을 웨이퍼 상의 스폿으로 향하게 하고 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성하도록 구성되는 검사 서브시스템을 포함한다. 시스템은 또한 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체함으로써 시스템의 감도를 증가시키도록 구성되는 기체 유동 서브시스템을 포함한다. 또한, 시스템은 출력 신호를 사용하여 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성되는 프로세서를 포함한다.
일 실시예에서, 매체는 가시광선 및 자외선(UV) 파장에서의 건조 공기의 굴절률보다 더 적은 가시광선 및 UV 파장에서의 굴절률을 갖는다. 일부 실시예에서, 매체는 본질적으로 원소 헬륨으로 구성된다. 다른 실시예에서, 매체는 본질적으로 네온으로 구성된다.
또 다른 실시예에서, 기체 유동 서브시스템은 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서만 기체를 매체로 교체하도록 구성된다. 추가의 실시예에서, 시스템은 검사 서브시스템의 하나 이상의 광학 컴포넌트를 둘러싸는 하우징을 포함한다. 하나의 이러한 실시예에서, 기체 유동 서브시스템은 매체를 사용하여 하우징을 퍼지하고, 하나 이상의 광학 소자 상의 재료의 광분해가 감소되도록 매체를 사용하여 하우징 내에 양의 압력(positive pressure)을 유지하도록 구성된다.
부가적인 실시예에서, 검사 서브시스템은 출력 신호가 검사 서브시스템의 조명 경로를 따라 산란된 광에 응답하지 않도록 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하도록 구성되는 하나 이상의 광학 컴포넌트를 포함한다. 일부 실시예에서, 매체는 진공이다.
일 실시예에서, 검사 서브시스템은 패터닝되지 않은(unpatterned) 웨이퍼 검사 서브시스템으로서 구성된다. 또 다른 실시예에서, 검사 서브시스템은 레이저 기반의 검사 서브시스템으로서 구성된다. 추가의 실시예에서, 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광은 UV 광을 포함한다. 부가적인 실시예에서, 검사 서브시스템은 스캐닝 기반의 검사 서브시스템으로서 구성된다. 일부 실시예에서, 시스템의 증가된 감도는 베어(bear) 연마된 실리콘 웨이퍼 상의 약 25nm의 직경을 갖는 폴리스티렌 라텍스(PSL) 구형(sphere)을 검출하기에 충분하다. 상기 설명된 시스템의 실시예 각각은 여기에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
또 다른 실시예는 검사 시스템에 연결되도록 구성되는 기체 유동 서브시스템에 관한 것이다. 기체 유동 서브시스템은 검사 동안 검사 시스템에 의해 조명되는 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체함으로써 검사 시스템의 감도를 증가시키도록 구성된다. 기체 유동 서브시스템은 여기에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
추가의 실시예는 웨이퍼를 검사하는 방법에 관한 것이다. 방법은 광을 웨이퍼 상의 스폿으로 향하게 하고 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성함으로써 웨이퍼를 검사하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 검사하는 단계의 감도를 증가시키기 위해, 검사하는 단계 동안 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 출력 신호를 사용하여 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 매체는 가시광선 및 UV 파장에서의 건조 공기의 굴절률보다 더 적은 가시광선 및 UV 파장에서의 굴절률을 갖는다. 일부 실시예에서, 매체는 본질적으로 원소 헬륨으로 구성된다. 다른 실시예에서, 매체는 본질적으로 네온으로 구성된다
일 실시예에서, 기체를 교체하는 단계는 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서만 기체를 매체로 교체하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 본 발명은 매체를 이용하여 검사에 사용되는 하나 이상의 광학 컴포넌트를 둘러싸는 하우징을 퍼지하는 단계 및 하나 이상의 광학 컴포넌트 상의 재료의 광분해가 감소되도록 매체를 사용하여 하우징 내에 양의 압력을 유지하는 단계를 포함한다.
부가적인 실시예에서, 본 방법은 출력 신호가 광이 웨이퍼로 향하는 조명 경로를 따라 산란된 광에 응답하지 않도록 이 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 매체는 진공이다.
일 실시예에서, 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광은 레이저에 의해 생성된 광을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광은 UV 광을 포함한다. 일부 실시예에서, 웨이퍼를 검사하는 단계는 웨이퍼 전체에 걸쳐 스폿을 스캐닝하는 단계를 포함한다. 추가의 실시예에서, 웨이퍼 검사의 증가된 감도는 베어 연마된 실리콘 웨이퍼 상의 약 25nm의 직경을 갖는 PSL 구형을 검출하기에 충분하다. 상기 설명된 방법의 실시예 각각은 여기에 설명된 임의의 기타 단계(들)를 포함할 수 있다.
바람직한 실시예의 다음 상세한 설명에 의해 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 부가적인 이점이 당해 기술 분야에서 숙련된 자들에게 명백해질 수 있다.
도 1 내지 도 4는 웨이퍼를 검사하도록 구성되는 시스템의 다양한 실시예의 단면도를 도시하는 개략도이다.
본 발명은 다양한 변형 및 대안의 형태가 가능하며, 이들의 특정 실시예가 도면의 예에 의해 도시되고 여기에 상세하게 설명될 수 있다. 도면은 축척대로 도시되지 않을 수 있다. 그러나, 도면과 이에 대한 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태에 한정하는 것으로 의도되지 않으며, 반대로 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 사상 및 범위 내에 속하는 모든 변형, 동등물 및 대안을 포함할 것임을 이해하여야 한다.
웨이퍼를 검사하기 위한 실시예가 여기에 설명되지만, 여기에 설명된 실시예는 임의의 기타 표본, 및 특히 증가된 결함 검출 감도가 바람직한 특정 임의의 표본에 대하여 구성 및/또는 사용될 수 있음을 이해하여야 한다.
여기에 사용되는 바와 같이, 용어 "웨이퍼"는 일반적으로 반도체 또는 비반도체 재료로 형성된 기판을 칭한다. 이러한 반도체 또는 비반도체 재료의 예는 단결정 실리콘, 갈륨 비소, 및 인듐 인화물을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 기판은 일반적으로 반도체 제조 설비에서 발견 및/또는 처리될 수 있다.
웨이퍼는 기판 상에 형성된 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 층은 레지스트, 유전체 재료 및 전도성 재료를 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 층의 많은 다양한 유형이 당해 기술 분야에 공지되어 있으며, 여기에 사용되는 바와 같은 용어 웨이퍼는 이러한 층의 모든 유형을 포함한 웨이퍼를 포함하는 것으로 의도된다.
웨이퍼 상에 형성된 하나 이상의 층은 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼는 각각이 반복적인 패턴 특징을 갖는 복수의 다이를 포함할 수 있다. 이러한 재료층의 형성 및 처리로 인해 최종적으로 완성된 디바이스를 이룰 수 있다. 많은 다양한 유형의 디바이스가 웨이퍼 상에 형성될 수 있고, 여기에 사용되는 바와 같은 용어 웨이퍼는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 유형의 디바이스가 제조되고 있는 웨이퍼를 포함하는 것으로 의도된다.
이제 도면으로 돌아가자면, 도면이 축척대로 도시되는 것은 아님을 주목하여야 한다. 특히, 도면의 구성요소 중 일부의 크기는 그 구성요소의 특성을 강조하기 위해 크게 과장된다. 또한 도면들이 동일한 크기로 도시되는 것이 아님을 주목하여야 한다. 유사하게 구성될 수 있는 하나보다 많은 도면에 도시된 구성요소들은 동일한 참조 부호를 사용하여 표시되었다.
웨이퍼를 검사하도록 구성되는 시스템의 일 실시예가 도 1에 도시되어 있다. 도 1에 도시된 시스템은 패터닝되지 않은 웨이퍼 검사에 대하여 구성되고, 캘리포니아주 San Jose의 KLA-Tencor로부터 상업적으로 입수가능한 SP1-TB1 시스템에 기초한다. 이 검사 시스템은 Vaez-Iravani 등에 의한 미국 특허 제6,538,730호에 보다 상세하게 기재되어 있으며, 이는 여기에 완전히 설명된 것처럼 참조에 의해 포 함된다. 도 1에 도시된 시스템은 패터닝 및 패터닝되지 않은 웨이퍼 검사에 대하여, 본 특허에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 단순화를 위하여, 컴포넌트의 일부 및 시스템의 세부항목이 도 1에서 생략되었으며, 대응하는 설명이 여기에 제시되었다. 또한, 미국 특허 제6,538,730호는 Vaez-Iravani 등에 의한 미국 특허 제6,201,601호 및 Marxer 등에 의한 미국 특허 제6,271,916호와 관련되며, 이들도 여기에 완전히 설명된 것처럼 참조에 의해 포함된다. 도 1에 도시된 시스템은 이들 특허에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
도 1에 도시된 시스템은 광을 웨이퍼 상의 스폿으로 향하게 하고 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성하도록 구성되는 검사 서브시스템을 포함한다. 일 실시예에서, 검사 서브시스템은 패터닝되지 않은 웨이퍼 검사 서브시스템으로서 구성된다. 또 다른 실시예에서, 검사 서브시스템은 레이저 기반의 검사 서브시스템으로서 구성된다. 추가의 실시예에서, 검사 서브시스템은 스캐닝 기반의 검사 서브시스템으로서 구성된다. 또한, 검사 서브시스템은 레이저 및 스캐닝 기반의 패터닝되지 않은 웨이퍼 검사 서브시스템으로서 구성될 수 있다.
검사 서브시스템은 광(10)을 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 검사 서브시스템은 광(10)을 생성하도록 구성되는 광원(12)을 포함할 수 있다. 검사 서브시스템은 사각의(oblique) 입사각으로 웨이퍼(14) 상의 스폿(도시되지 않음)으로 광(10)을 향하게 하도록 구성된다. 일 실시예에서, 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광(10)은 자외선(UV) 광을 포함한다. 검사 서브시스템은 폴딩 미러(들), 빔 스플리터(들), 편광 컴포넌트(들), 필터(들), 및 렌즈와 같은 광(10) 경로에 위치되는 다 수의 광학 컴포넌트(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 입사각은 예를 들어, 광의 특성 및 표본의 특성에 따라 다양할 수 있다. 하나의 적합한 입사각은 웨이퍼 상면의 수직으로부터 약 70°일 수 있다.
검사 서브시스템은 또한 광원(16)을 포함한다. 광원(16)은 검사 서브시스템에 의해 실질적으로 수직인 입사각으로 웨이퍼(14) 상의 스폿으로 향하게 되는 광(18)을 생성하도록 구성된다. 일 실시예에서, 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광(18)은 UV 광을 포함한다. 검사 서브시스템은 광(18) 경로에 위치되는 다수의 광학 컴포넌트(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 이들 광학 컴포넌트는 상기에 기재된 것들 중 임의의 것을 포함할 수 있다.
광원(12 및 16)은 레이저와 같은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적당한 광원을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 검사 서브시스템은 사각 및 수직 조명 둘 다를 위한 광을 제공하는 데 사용되는 단일 광원(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 다파장 레이저와 같은 단일 광원이 빔 스플리터(도시되지 않음)에 연결될 수 있다. 빔 스플리터는 레이저로부터의 광을 서로 다른 파장을 갖는 개별 빔들(이들 중 하나가 수직 조명에 사용되고 다른 것이 사각 조명에 사용됨)로 분리하도록 구성될 수 있다. 검사 서브시스템은 당해 기술 분야에 공지된 단일 광원 및 빔 멀티플라이어(들)의 임의의 기타 적합한 조합을 포함할 수 있다. 상기 실시예 중 임의의 실시예에서, 광(10)은 광(18)의 특성과 다른 파장 및/또는 편광과 같은 하나 이상의 특성을 가질 수 있다. 대안으로서, 광(10)은 광(18)과 실질적으로 동일한 특성을 가질 수 있다.
웨이퍼(14)는 스테이지(20) 상에 지지되고, 스테이지(20)는 광(10 및 18)이 나선형 경로로 웨이퍼 상에서 이동하는 스폿 또는 영역을 조명하도록 회전 및 이동될 수 있다. 대안으로서, 광(10 및 18)은 웨이퍼 전체에 걸쳐 나선형 경로 또는 또 다른 유형의 스캐닝 경로를 따르도록 당해 기술 분야에 숙련된 자들에게 공지된 임의의 방식으로 웨이퍼 상에 스캐닝될 수 있다.
웨이퍼의 조명은 웨이퍼로부터 광의 산란을 야기할 것이다. 또한, 사각 입사광 및 수직 입사광은 둘 다 웨이퍼로부터 산란될 수 있다. 검사 서브시스템은 웨이퍼로부터 산란된 광을 수집하고 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성하도록 구성된다. 출력 신호는 여기에 더 설명되는 바와 같이 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 데 사용될 수 있다.
검사 서브시스템은 렌즈 집광기(22), 미러(24), 빔 스플리터(26) 및 검출기(28 및 30)를 포함하며, 이들은 검사 서브시스템의 "좁은(narrow)" 채널을 형성한다. 즉, 웨이퍼 표면의 수직에 비교적 가까운 방향을 따라 웨이퍼 상의 조명 스폿으로부터 산란된 광이 렌즈 집광기(22)에 의해 수집 및 포커싱된다. 이러한 방식으로, 렌즈 집광기(22)는 비교적 "좁은" 산란 각도로 웨이퍼로부터 산란된 광을 수집한다. 렌즈 집광기(22)는 수집된 광을 미러(24)에 향하게 하고, 미러(24)는 광을 빔 스플리터(26)로 향하게 한다. 빔 스플리터(26)는 광의 일 부분을 검출기(28)로 그리고 광의 다른 부분을 검출기(30)로 향하게 하도록 구성된다. 하나의 검출기는 수직 입사 빔에 의한 조명으로 인해 비교적 좁은 각도로 산란된 광을 검출하는 데 사용될 수 있고, 다른 검출기는 사각 입사 빔에 의한 조명으로 인해 비교적 좁은 각도로 산란된 광을 검출하는 데 사용될 수 있다. 검출기(28 및 30)는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 검출기(예를 들어, 광배율기 튜브(PMT))를 포함할 수 있다. 또한, 검출기(28 및 30)는 유사하게 또는 서로 다르게 구성될 수 있다. 검사 서브시스템의 좁은 채널 부분은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 기타 광학 컴포넌트(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 편광 컴포넌트가 수집된 광의 경로에 배치될 수 있다. 또한, 수직 입사 빔의 경면 반사(specular reflection)가 검출기(28 및 30)에 도달하는 것을 방지하도록 검사 서브시스템의 좁은 채널 부분에 공간 필터가 포함될 수 있다.
검사 서브시스템은 또한 타원형 미러(32), 빔 스플리터(34), 및 검출기(36 및 38)를 포함하고, 이들은 검사 서브시스템의 "넓은(wide) 채널"을 형성한다. 즉, 웨이퍼 표면의 수직으로부터 비교적 떨어진 방향을 따라 웨이퍼 상의 조명 스폿으로부터 산란된 광이 타원형 미러(32)에 의해 수집 및 포커싱된다. 이러한 방식으로, 타원형 미러(32)는 비교적 "넓은" 산란 각도로 웨이퍼로부터 산란된 광을 수집한다. 타원형 미러(32)는 수집된 광을 빔 스플리터(34)로 향하게 한다. 빔 스플리터(34)는 광의 일 부분을 검출기로(36)로 그리고 광의 다른 부분을 검출기(38)로 향하게 하도록 구성된다. 하나의 검출기는 수직 입사 빔에 의한 조명으로 인해 비교적 넓은 각도로 산란된 광을 검출하는 데 사용될 수 있고, 다른 검출기는 사각 입사 빔에 의한 조명으로 인해 비교적 넓은 각도로 산란된 광을 검출하는 데 사용될 수 있다. 검출기(36 및 38)는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 검출기(예를 들어, PMT)를 포함할 수 있다. 또한, 검출기(36 및 38)는 유사하게 또는 서 로 다르게 구성될 수 있다. 검사 서브시스템의 넓은 채널 부분은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 기타 광학 컴포넌트(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 편광 컴포넌트가 수집된 광의 경로에 배치될 수 있다.
검출기(28, 30, 36 및 38)는 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성하도록 구성된다. 프로세서(40)는 도 1에 점선으로 도시된 바와 같이 전달 매체에 의해 검출기(28, 30, 36 및 38)에 연결된다. 전달 매체는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 전달 매체를 포함할 수 있다. 또한, 하나 이상의 추가의 컴포넌트(도시되지 않음)가 아날로그 대 디지털 컨버터와 같은 프로세서와 검출기 사이에 끼워질 수 있다. 이러한 방식으로, 검출기에 의해 생성되는 출력 신호는 프로세서에 송신될 수 있다. 프로세서는 출력 신호를 사용하여 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된다. 프로세서는 출력 신호를 사용하여 결함을 검출하기 위해 당해 기술 분야에 공지된 임의의 알고리즘 또는 방법을 사용하도록 구성될 수 있다. 또한, 프로세서는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 프로세싱 컴포넌트를 포함할 수 있다.
상기에서는 검사 서브시스템 실시예가 KLA-Tencor로부터 상업적으로 입수가능한 SP1 및 SP2 기반의 시스템에 관련하여 설명되지만, 여기에 설명되는 시스템 실시예는 임의의 적합한 표면 검사 서브시스템(예를 들어, 다중 스폿 시스템, 음향광학 편향기(AOD) 스캐닝 시스템, 스트리크 검출기(streak-detector) 기반의 시스템 등)을 사용하여 구현될 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1에 도시된 시스템은 또한 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체함으로써 시스템의 감도를 증가시키도록 구 성되는 기체 유동 서브시스템을 포함한다. 매체에 의해 교체되는 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체는, 시스템의 감도를 감소시키는 것이 수집 공간 내의 기체로 인해 발생하는 광 산란이기 때문에, 검사 서브시스템의 집광용 광학기기(예를 들어, 렌즈 집광기(22) 및 타원형 미러(32))의 수집 공간에 위치되어 있는 기체를 포함할 수 있다. 웨이퍼 상의 스폿 부근의 매체의 존재는 바람직하게, 완벽한 미러 평탄(mirror-smooth) 실리콘 웨이퍼 표면이 입사광의 0ppb를 산란시킨 경우 검사 서브시스템의 달성가능한 감도에 대한 제한 요소일 수 있는 대기로부터의 배경 레일리 산란을 감소시킨다. 일 실시예에서, 시스템의 증가된 감도는 베어 연마된 실리콘 웨이퍼 상의 약 25nm의 직경을 갖는 폴리스티렌 라텍스(PSL) 구형을 검출하기에 충분하다. 물론, 이러한 시스템은 또한 약 25nm보다 더 큰 직경을 갖는 PSL 구형을 검출하기에도 충분한 감도를 가질 것이다.
일 실시예에서, 기체 유동 서브시스템은 기체 소스(42)를 포함한다. 기체 소스(42)는 병, 탱크, 주택 보급형 등과 같은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 구성을 가질 수 있다. 또한, 기체 소스(42)의 구성은 거기에 함유되는 기체의 유형에 따라 다양할 수 있다. 기체 유동 서브시스템은 또한 기체 소스(42)에 연결된 도관(44)을 포함한다. 도관(44)은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 구성(예를 들어, 직경, 조성 등)을 가질 수 있고, 당해 기술 분야에 공지된 임의의 방식으로 기체 소스(42)에 연결될 수 있다. 또한, 도관(44)의 구성은 도관을 통하여 흐르는 기체의 유형 및 도관 내의 기체의 유동 특성에 따라 다양할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 도관(44)은 기체 소스(42)로부터 검사 서브시스템에 의해 조명되는 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치까지 연장한다. 그러나, 기체 유동 서브시스템은 실제로, 서로 결합하여 기체 소스(42)로부터 웨이퍼 상의 조명 스폿 부근의 위치까지 기체를 전달하는 임의의 수의 도관들을 포함할 수 있다.
도 1에 더 도시된 바와 같이, 도관(44)은 웨이퍼 상의 조명 스폿 부근에 위치된 도관의 종단에 연결된 노즐(46)을 포함할 수 있다. 노즐(46)은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 노즐을 포함할 수 있고, 노즐을 통하여 흐르는 기체 및 노즐(46)을 빠져나오는 기체의 기타 선택된 유동 특성(예를 들어, 유동 속도, 압력 등)에 기초하여 선택될 수 있다. 기체 유동 서브시스템은 또한 도관(44)에 연결된 밸브(48)를 포함할 수 있다. 밸브(48)는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 구성을 갖는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 밸브를 포함할 수 있다. 또한, 도 1에는 기체 유동 서브시스템이 하나의 밸브를 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 기체 유동 서브시스템은 도관(44)을 통하여 기체의 흐름을 제어하도록 구성되는 임의의 수의 기체 제어 장치를 포함할 수 있음을 이해하여야 한다. 기체 유동 서브시스템은 또한 당해 기술 분야에 공지된 임의의 기타 적합한 기체 유동 장치를 포함할 수 있다.
상기 설명된 바와 같이, 기체 유동 서브시스템의 구성은 기체 유동 서브시스템에 의해 웨이퍼 상의 조명 스폿 부근에 전달되는 기체의 유형에 따라 다양할 수 있다. 기체 유동 서브시스템의 구성은 또한 검사 서브시스템의 구성에 따라 다양할 수 있다. 예를 들어, 상기 설명된 바와 같이, 기체 유동 서브시스템은 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 스폿으로 향하는 광을 덜 산란시키는 매체 로 교체함으로써 시스템의 감도를 증가시키도록 구성된다. 이러한 방식으로, 기체 유동 서브시스템의 구성은 웨이퍼 상의 조명 스폿의 사이즈 및 집광용 광학기기의 구성에 기초하여 선택될 수 있다(예를 들어, 이전에 집광용 광학기기의 수집 공간 내에 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치되어 있던 기체의 전체 부피가 기체 유동 서브시스템에 의해 매체로 교체되도록).
기체 유동 서브시스템은 또한 매체가 특정 방식(예를 들어, 층류(laminar flow) 대 난류(turbulent flow))으로 웨이퍼 상의 조명 스폿 전반에 걸쳐 흐르도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 설명된 바와 같이, 검사 서브시스템은 검사 동안 웨이퍼가 검사 서브시스템에 의해 스캐닝될 수 있도록, 스테이지와 그에 따른 웨이퍼가 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 기체 유동 서브시스템은 웨이퍼의 이동에 기초하여, 이전에 웨이퍼 상의 조명 스폿 부근에 위치되어 있던 기체가 검사 동안 조명 스폿 부근의 검사 서브시스템의 수집 경로에 있게 되는 것을 실질적으로 방지하기 위해 매체가 웨이퍼의 전체 스캐닝 동안 웨이퍼 상의 조명 스폿 부근에 위치될 수 있도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 기체 유동 서브시스템은 산란 "쉴드(shield)"의 유효성을 감소시킬 수 있는 레이저 표면 검사 시스템에서의 웨이퍼의 급회전(spinning) 및 선형 스캐닝 이동의 공기역학(aerodynamic) 효과가 완화될 수 있도록 구성될 수 있다. 또한, 기체 유동 서브시스템은 웨이퍼 상의 조명 스폿 부근의 매체의 특성이 웨이퍼의 검사 동안 실질적으로 변하지 않도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 전체 검사 프로세스 동안 매체에 의해 산란되는 광의 양이 실질적으로 일정함으로써 검사 서브시스템의 재현성(repeatability)을 증가시킬 수 있다. 특정 검사 서브시스템에 대하여 적합한 특정 기체 유동 서브시스템은 당해 기술 분야에 숙련된 자들에게 공지된 물질 전달 원리를 사용하여 결정될 수 있으며, 이는 명확화를 위해 여기에서는 더 설명되지 않을 것이다.
상기 설명된 바와 같이, 기체 유동 서브시스템은 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체함으로써 시스템의 감도를 증가시키도록 구성된다. 검사 서브시스템은 하나 이상의 레이저를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 일부 실시예에서, 기체 유동 서브시스템은 웨이퍼 상의 스폿 부근에 존재하는 정상 공기를 정상 공기보다 더 적은 레일리 산란 단면을 갖는 레이저 빔 전파 매체로 교체함으로써, 광 산란 기반의 표면 검사 시스템에서 대기의 레이저 레일리 광 산란 간섭을 억제하도록 구성된다.
바람직하게는, 매체는 동작 파장(들)에서의 건조 공기의 굴절률보다 더 적은 검사 서브시스템의 동작 파장(들)에서의 굴절률을 갖는다. 예를 들어, 검사 서브시스템은 가시광선 및 UV 파장에서 동작할 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 매체는 바람직하게 가시광선 및 UV 파장에서의 건조 공기의 굴절률보다 더 적은 가시광선 및 UV 파장에서의 굴절률을 갖는다. 하나의 바람직한 실시예에서, 교체 매체는 가시광선 및 UV 파장(약 700nm 내지 약 200nm 파장)에 대하여 가장 적은 것으로 알려진 레일리 단면을 갖는 기체이다.
일 실시예에서, 매체는 본질적으로 원소 헬륨(He)으로 구성된다. 다른 실시예에서, 매체는 본질적으로 네온(Ne)으로 구성된다. 여기에 사용될 때, 용어 "본질적으로 구성된다"는 가능하면 매체에 의해 야기되는 광 산란의 기본 특성에 실질적 으로 영향을 미치지 않는 양으로 존재하는 다른 기체와 함께, 상기 기재된 기체 중 하나를 포함하는 매체를 칭한다. 예를 들어, 본질적으로 원소 헬륨 또는 네온으로 구성되는 매체는 매체에 의해 야기되는 광 산란의 기본 특성에 실질적으로 영향을 미치지 않는 무시할 수 있는 양의 건조 공기를 포함할 수 있다.
기체 유동 서브시스템은 검사 서브시스템의 입력 빔 라인에 있는 대기를 고순도 원소 헬륨으로 교체하도록 구성될 수 있는데, 고순도 헬륨은 고유적으로 정상 공기보다 거의 두 차수 적은 광을 산란시키기 때문이다. 특히, 거의 표준 대기 온도 및 압력(STP: 273K, 760torr)에서, 공기와 헬륨은 둘 다 매우 거의 이상(ideal) 기체와 같이 거동한다. 레일리 산란 이론으로부터, 다음의 공식에 따라, 동일한 온도 및 압력에서 소정 부피의 두 개의 이상 기체는 기체의 각각의 굴절률의 함수와 동일한 상대 산란 단면적을 가질 것으로 볼 수 있다(예를 들어, R.B.Miles, W.R.Lempert, J.N.Forkey, "Laser Rayleigh Scattering," Meas. Sci. Technol., 12 (2001) R33-R51 참조, 이는 여기에 완전히 설명된 것처럼 참조에 의해 포함됨).
Figure 112008049424746-PCT00001
Figure 112008049424746-PCT00002
는 기체 1의 레일리 단면적이고,
Figure 112008049424746-PCT00003
는 기체 2의 레일리 단면적이고, n1은 기체 1의 굴절률이고, n2는 기체 2의 굴절률이다. 589.3nm의 파장에서, STP에서의 건조 공기는 굴절률 n1 = 1.000292를 가지며, 동일한 조건 하의 헬륨은 굴절률 n2 = 1.000035를 갖는다(예를 들어, www.webelements.com에 따라 STP에서의 공기 및 기체들의 굴절률 참조). 따라서, 상기 나타낸 공식은 대기 압력 레이저 빔 라인에 있는 공기를 헬륨으로 대체하면 레일리 산란 강도를 거의 70배(fold) 감소시킴을 나타낸다.
표 1은 기체상 굴절률 n(589.3nm에서 나트륨 옐로우 d-라인에 대한 273K의 온도 및 760mmHg의 압력에서의 굴절률) 및 건조 공기에 대한 다양한 기체들의 레일리 단면적
Figure 112008049424746-PCT00004
을 포함한다. 표 1에서 네온의 굴절률에 의해 알 수 있듯이, 헬륨 이외에 하나의 불활성 기체, 즉 네온만 배경 산란의 상당한(19배) 감소를 제공할 것이다. 이가 분자(diatomic molecule)이며 그에 따라 건조 공기보다 더 효율적인 쌍극 산란자인 수소는, 여기에 설명된 시스템 및 방법에 대해서는 그의 상당히 높은 반응성으로 인해 끌리지 않는 후보이지만 배경 산란의 5배 감소를 생성할 것이다. 표 1에서 더 알 수 있듯이, 아르곤(Ar)은 반면에 그의 굴절률이 습윤 공기보다 약간 더 크기 때문에(습윤 공기는 표 1에 H2O(g)로 나타냄) 실제로 배경 산란을 다소 증가시킬 수 있다.
Figure 112008049424746-PCT00005
상기 설명된 바와 같은 검사 서브시스템에 의해 사용되는 조명 파장에서의 공기 및 헬륨의 굴절률을 계산하는 정확한 방법은 당해 기술 분야에 공지되어 있고 경험적으로 증명되어 왔다(예를 들어, J. Stone 및 A.Stejskal, "Using helium as a standard of refractive index: correcting errors in a gas refractometer," Metrologia, 41 (2004) 189-97; L.R.Pendrill, "Macroscopic and microscopic polarizabilities of helium gas," J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., 29 (1996) 3581-86; 및 Y. M. Chan 및 A. Dalgarno, "The refractive index of helium," Proc. Phys. Soc., 85 (1965) 227-30 참조, 이들은 여기에 완전히 설명된 것처럼 참조에 의해 포함됨).
355nm 파장(상기 설명된 것을 포함하는 일부 검사 시스템에 의해 사용됨)에서의 헬륨의 굴절률은 표 2에 나타낸 값들을 사용하여 상기 언급한 J. Stone 및 A. Stejskal에 의한 작업에 기초하여 계산되었다.
Figure 112008049424746-PCT00006
표 2에서, B(T)는 압축 팽창에 대한 비리얼(virial) 계수이고, Z는 압축 인자(factor)이고, AR은 원자 또는 분자 편광성 α에 비례하고, BR은 굴절 비리얼 계수이다. 표 2에 나타낸 BR 값은 633nm 근방의 파장에 대하여 유효하다. 표 2에 나타낸 값들을 사용하여, 355nm에서의 헬륨의 굴절률은 1.000032844로 계산되었다. 또한, 355nm의 파장에서 헬륨의 굴절률은 상기 언급된 Y.M.Chan 및 A.Dalgarno에 의한 작업에 기초하여 1.00003527인 것으로 계산되었다.
습윤 공기의 굴절률도 또한 NIST(National Institute of Standards and Technology) 웹사이트 상에서 입수가능한 엔지니어링 메트롤로지 툴박스(Engineering Metrology Toolbox)를 사용하여 355nm의 파장에서 계산되었다. 특히, 50%의 상대 습도 및 450ppm의 이산화탄소(CO2)를 갖는 공기의 굴절률 nAir는 1.000280423으로 계산되었다(Ciddor Equation을 사용함). 또한, 50%의 상대 습도를 갖는 nAir는 1.000280424로 계산되었다(Modified Edlen Equation을 사용함).
따라서, 상기 설명된 검사 서브시스템과 같은 검사 서브시스템에 의해 사용되는 실제 355nm UV 파장에서의 감소 배수는 헬륨 및 네온에 대하여 상기 설명된 감소 배수와 비슷할 것으로 기대된다. 특히, 상기 계산된 355nm 파장에서의 헬륨 및 공기의 굴절률 값들에 기초하여,
Figure 112008049424746-PCT00007
에 대한 최악의 경우는 63.2로 계산되며,
Figure 112008049424746-PCT00008
에 대한 최상의 경우는 72.9로 계산되었다. 이와 같이, 여기에 설명되는 실시예에 있어서 매체로서 헬륨을 사용하면 355nm 파장에서 약 60 내지 약 70 배만큼 배경 산란을 감소시킬 것이다.
헬륨의 굴절률이 온도 및 압력의 함수로서 계산될 수 있는 높은 수준의 정확도로 인해, Stone 등(J.Stone 및 A.Stejskal, "Using helium as a standard of refractive index: correcting errors in a gas refractometer," Mertrologia, 41 (2004) 189-97, 이는 여기에 완전히 설명된 것처럼 참조에 의해 포함됨)은 헬륨을 사용하여 높은 정확도의 광 공진기를 충전함으로써 매우 정확한 파장 표준을 생성할 것을 제안하였다. 레일리 산란은 이러한 공진기에서 레이저 펄스가 "내려가는(ring down)" 모드 중 하나이지만, Stone 등은 그의 더 적은 레일리 산란 단면적을 위해서가 아니라, 이 단면적(굴절률에 의해 주어짐)이 공기의 경우보다 더 정확하게 계산될 수 있기 때문에 헬륨을 사용하였다.
Sun 등(J.Sun, J.P.Longtin, "Effects of Gas Medium on Femtosecond Laser Beam Delivery," 21st International Congress on Applications of Lasers & Electro-Optics(ICALEO 2002), Scottsdale, AZ, U.S.A., Oct. 14-17, 2002; J.Sun, J.P.Longtin, "Inert Gas Beam Delivery for Ultrafast Laser Micromachining at Ambient Pressure," J.Appl.Phys., 89 (2001) 8219-24; J.Sun, J.P.Longtin, "Lovel Beam Delivery Technique for Ultrafast Laser Processing," Thermal Sci, & Eng., 7 (1999) 81-85, 이들은 여기에 완전히 설명된 것처럼 참조에 의해 포함됨)은 미세 분해능 가공에 사용되는 펨토초 펄스 레이저에 대한 레이저 전파 매체로서 헬륨을 제안한다. 피코초 이하의 레이저 펄스의 파워 밀도는, 굴절률이 사실상 레이저 강도의 함수가 되기 때문에 공기에서의 비선형 광학 효과를 유도하며, 이는 레이저 빔의 시간 및 공간 형상 둘 다를 왜곡한다. 놀랄 것 없이, 헬륨 대기의 고차(higher order) 광학 비선형성은 공기보다 훨씬 적으며, 그리하여 펄스 왜곡 및 자기 확산(self-defocusing) 효과는 전파 매체로부터 진공에 의존하지 않고도 헬륨을 사용하여 최소화될 수 있다.
Stone 등 및 Sun 등에 의한 작업은 진공에서의 가공 동작 또는 과학적 측정을 수행함의 어려움 및 비용을 피하기 위해 레이저 전파 매체로서 헬륨을 사용하는 이점을 실현하였지만, 해결된 문제점은 선형 레일리 광 산란의 결과가 아니라 일반적으로 패터닝되지 않은 웨이퍼 검사에 사용되는 연속파 레이저에는 해당되지 않는 고차 비선형 효과의 결과이다. 그러나, 레일리 산란 간섭의 억제를 위해 대안의 빔 전파 매체로서 헬륨 또는 임의의 기타 적은 굴절률 기체(공기에 비해)를 명백하게 인용하며 과학 및 기술 문헌에 언급되는 것은 없는 것으로 보인다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기체 유동 서브시스템은 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서만 기체를 매체로 교체하도록 구성된다. 예를 들어, 헬륨 또는 네온과 같은 매체의 비교적 작은 기체의 "시스(sheath)"가 웨이퍼 상의 빔 스폿 및 그 근방에 향하게 할 수 있다. 바람직하게, 헬륨은 검사 서브시스템의 검출기가 레일리 산란을 "볼 수(visible)" 있는 임계 부피(즉, 수집 공간)에서 비교적 큰 레일리 산란 단면적을 갖는 대기 내의 질소, 산소 및 기타 미량 기체(trace gas)를 치환함으로써 배경 산란의 거의 두 차수 크기의 감소를 달성한다.
기체 유동 서브시스템의 이러한 실시예는 다수의 이유로 유리하다. 예를 들어, 비교적 작은 분출량의 매체를 임계 부피로 향하게 함으로써, 검사 서브시스템 내의 전체 공간이 매체로 교체되는 경우보다 훨씬 작은 매체가 소비될 것이다. 이러한 방식으로, 상기에 설명된 기체 소스는 반도체 제조 설비에 있어서 구비된 표준형 휴대(bottled) 헬륨 또는 주택 보급형 헬륨 지원 라인일 수 있으며, 스캐닝 동안에 사용된 소량의 헬륨의 회수가 불필요할 것이다. 따라서, 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서만 기체를 매체로 교체하는 것은 전체 검사 서브시스템 내의 기체를 매체로 교체하도록 구성된 기체 유동 서브시스템의 비용에 비교하여 시스템의 동작 비용을 감소시킨다. 도 1에 도시된 시스템은 여기에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
상기 설명되는 "헬륨 분출(jet)" 실시예는 강력한 UV 레이저 검사 서브시스템의 광학기기 상에서의 미량 유기 증기의 광분해를 감소시키거나 제거하지 못한다. 이러한 광분해는 검사 서브시스템의 굴절 및 반사 광학 컴포넌트 상에서 발생할 수 있다. 일 실시예에서, 시스템은 검사 서브시스템의 하나 이상의 광학 컴포넌트를 둘러싸는 하우징을 포함한다. 하나의 이러한 실시예에서, 기체 유동 서브시스템은 매체를 사용하여 하우징을 퍼지하고 하나 이상의 광학 컴포넌트(예를 들어, 검사 서브시스템의 하나 이상의 굴절 및/또는 반사 광학 컴포넌트) 상의 재료의 광분해가 감소되도록 매체를 사용하여 하우징 내에 양의 압력을 유지하도록 구성된다.
하나의 이러한 실시예가 도 2에 도시되어 있다. 특히, 도 2에 도시된 시스템은 검사 서브시스템의 하나 이상의 광학 컴포넌트를 둘러싸는 하우징(50)을 포함한다. 특히, 하우징(50)은 광원(12 및 16), 렌즈 집광기(22), 미러(24), 빔 스플리터(26), 검출기(28 및 30), 타원형 미러(32), 빔 스플리터(34) 및 검출기(36 및 38)를 둘러싼다. 따라서 하우징(50)은 검사 서브시스템의 모든 광학 컴포넌트를 둘러싼다. 그러나, 하우징(50)은 검사 서브시스템의 광학 컴포넌트의 일부(예를 들어, 웨이퍼 상의 스폿의 조명을 위해 구성된 광학 컴포넌트)만 둘러쌀 수도 있다. 하우징(50)은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 구성을 가질 수 있다. 또한, 하우징(50)은 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광 및 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광이 통과하여 지나는 하우징의 영역에 걸쳐 하우징의 바디로 삽입되는 "윈도우"(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 윈도우는 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광 및 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광의 특성(예를 들어, 강도, 파장, 편광 등)을 실질적으로 변경하지 않을 임의의 재료로 형성될 수 있다.
기체 유동 서브시스템은 기체 유동 서브시스템이 매체를 사용하여 하우징을 퍼지하고 매체를 사용하여 하우징 내에 양의 압력을 유지할 수 있도록 하우징(50)에 연결된다. 예를 들어, 기체 유동 서브시스템은 도관(54)에 연결된 기체 소스(52)를 포함할 수 있다. 기체 소스(52) 및 도관(54)은 상기 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 밸브(56)는 도관(54)에 연결되고, 밸브(56)는 상기 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 도관(54)은 결합 부재(58)에 의해 하우징(50)에 연결된다. 결합 부재(58)는 도관(54)과 하우징(50) 사이의 비교적 기체의 기밀한 밀봉을 생성하는 데 사용될 수 있는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 결합 부재를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 기체 유동 서브시스템은 기체 소스(52)로부터 밸브(56) 및 도관(54)을 통하여 하우징(50)으로 매체를 전달하도록 구성될 수 있다. 기체 유동 서브시스템은 또한 결합 부재(62)에 의해 하우징(50)에 연결된 도관(60)을 포함한다. 밸브(64)는 도관(60)에 연결된다. 도관(60)은 또한 수집 베셀(66)에 연결된다. 도관(60), 결합 부재(62) 및 밸브(64)는 여기에 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 수집 베셀(66)은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 수집 베셀을 포함할 수 있다. 기체 유동 서브시스템은 하나 이상의 기체를 하우징(50)으로부터 도관(60)을 통하여 수집 베셀(66)로 제거하도록 구성될 수 있다. 따라서, 매체를 사용하여 하우징을 퍼지하기 위해, 기체 유동 서브시스템은 거의 모든 기체가 하우징으로부터 제거되고 매체로 교체될 때까지, 기체 매체가 기체 소스(52)로부터 하우징(50)으로 흐르고 하우징을 나가는 기체가 수집 베셀(66)로 흐르도록 구성될 수 있다. 그 다음, 밸브(64)를 폐쇄하고 기체 소스(52)로부터 하우징(50)으로 추가의 기체를 전달함으로써 하우징(50) 내에 양의 압력이 생성되어 유지될 수 있다.
하우징을 퍼지하고 하우징 내에 양의 압력을 유지하는 데 사용되는 매체는 상기 기재된 매체 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 기체 유동 서브시스템은 또한 기체 소스(42), 도관(44), 노즐(46) 및 밸브(48)를 사용하여 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서 기체를 매체로 교체하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 도 2에 도시된 기체 유동 서브시스템의 일 부분은 매체를 사용하여 하우징을 퍼지하고 매체를 사용하여 하우징 내부의 양의 압력을 유지하도록 구성될 수 있고, 기체 유동 서브시스템의 또 다른 부분은 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서만 기체를 매체로 교체하도록 구성된다. 하우징을 퍼지하고 하우징 내에 양의 압력을 유지하도록 구성되는 기체 유동 서브시스템의 부분은 여기에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 기체 유동 서브시스템의 이러한 실시예는 비교적 큰 부피의 기체가 상기 설명된 바와 같이 매체로 교체될 때까지 그 부피로 존재하도록 하우징이 웨이퍼와 이격되어 있을 때 유용할 수 있는데, 비교적 큰 부피의 기체가 실질적으로 광을 산란시킬 수 있기 때문이다.
또한, 하우징이 하우징의 바디에 개구(도시되지 않음)를 가지며 광이 그 개구를 통하여 웨이퍼 상의 스폿으로 향하고 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광이 그 개구를 지나는 경우, 매체를 사용하여 생성된 하우징 내의 양의 압력은 개구를 나가는 매체를 하우징의 저면과 웨이퍼의 상면 사이의 공간으로 효과적으로 "밀(push)" 수 있으며, 그에 의해 그 공간 내에 존재하는 임의의 다른 기체를 효과적으로 교체할 수 있다. 그러나, 이러한 하우징 구성은 하우징이 상기 설명된 윈도우를 포함하는 경우보다 더 많은 양의 헬륨의 소비를 초래할 수 있고, 하우징의 외부 대기로부터 헬륨을 회수할 필요성이 생길 수 있다. 따라서, 하우징은 검출기로부터 프로세서에의 전달 매체와 같이 시스템의 컴포넌트가 하우징을 통과할 수 있게 해주는 동시에 기체가 하우징의 외부로 누출되는 것을 실질적으로 방지할 수 있게 해주는 밀봉 장치(도시되지 않음)에 의해 외부 환경으로부터 효과적으로 밀봉될 수 있다. 또한, 상기 설명된 바와 같이, 하우징은 검사 서브시스템의 광이 검사 서브시스템으로부터 웨이퍼로 그리고 그 반대로도 통과할 수 있게 해주는 윈도우를 포함할 수 있다. 이러한 예에서, 하우징 내의 매체는 하우징과 웨이퍼 사이의 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 교체하는 데 사용될 수 없다. 따라서, 기체 유동 서브시스템은 이 기체를 매체로 교체하기 위해 상기 설명된 바와 같이 기체 소스(42), 도관(44), 노즐(46), 및 밸브(48)를 사용할 수 있다.
하우징을 퍼지하고 하우징 내에 양의 압력을 유지하는 데 사용되는 매체는 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 교체하는 데 사용되는 매체와 동일할 수 있다. 대안으로서, 하우징을 퍼지하고 하우징 내에 양의 압력을 유지하는 데 사용되는 매체는 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 교체하는 데 사용되는 매체와 다를 수 있다. 이러한 예에서, 둘 다의 매체는 검사 서브시스템의 동작 파장(들)에서의 건조 공기의 굴절률보다 더 적은 검사 서브시스템의 동작 파장(들)에서의 굴절률을 갖는 매체를 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 시스템의 실시예는 현재 입수가능한 검사 시스템 이상의 다수의 이점을 갖는다. 예를 들어, 검사 서브시스템에서 비교적 높은 파워의 UV 레이저 소스가 구현되는 경우, 입력 빔 형성 광학기기에 있어서 복수의 광학 표면에서의 UV 레이저 에너지 밀도는 시간이 지남에 따라 공기 내의 미량 유기 증기의 광분해로 인해 광학기기를 열화시키는 수준에 도달함으로써 신뢰성 저하를 초래하고 필드 내의 정밀 광학기기 취급 및 정렬을 수반하는 상당한 고가의 유지보수 비용을 초래할 수 있다. 그러나, 도 2에 도시된 시스템의 실시예는 입력 빔 라인 내의 대기를 고유적으로 정상 공기보다 거의 2차수 적은 광을 산란시키는 고순도 헬륨으로 교체하도록 구성되고, 동시에 높은 에너지 밀도 UV 광학 소자의 수명을 연장하는 거의 오염물없는 환경을 제공한다.
일부 검사 시스템의 경우, 광학 인클로져(enclosure)의 특정 부분은 회전하는 스캔 스테이지로부터의 진동이 광학기기 캐스팅에 전달되지 않도록 일부러 개방된 채로 있다. 따라서, 이러한 광학 인클로져 내에 헬륨 퍼지가 수행되는 경우, 헬륨 퍼지는 비교적 큰 부피의 매체를 필요로 하고, 빔 라인 광학기기와 그 주변에 청정 대기를 퍼지하고 유지하는 데에 질소와 같은 다른 고순도 기체보다 비용이 더 많이 든다. 그러나, 유연성 또는 진동 흡수성 밀봉 재료의 적절한 사용이나 검사 서브시스템의 기계적 서브시스템과 광학기기 캐스팅 사이의 진동 차단 시스템의 재설계를 이용하면, 광학 인클로져를 헬륨으로 퍼지한 다음, 하나 이상의 퍼징 아웃렛 밸브를 폐쇄하고, 인클로져를 주위에 비해 다소 양의 압력으로 높이는 것(기체 압력 조정기에 의해 제어될 수 있음)이 가능할 것이다. 그러면 광학 인클로져는 광학 인클로져 밀봉에 있어서 잔여 갭의 헬륨 누출만큼 비교적 소량의 보충(make-up) 기체만 필요로 한다. 여기에 설명된 퍼징 동작은 레이저가 처음에 파워 업될 때와 광학 인클로져의 개방을 요구하는 각각의 이어지는 유지보수 이벤트 후에 수행될 수 있다. 도 2에 도시된 시스템은 여기에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
일부 실시예에서, 검사 서브시스템은 출력 신호가 검사 서브시스템의 조명 경로를 따라 산란된 광에 응답하지 않도록 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하도록 구성되는 하나 이상의 광학 컴포넌트를 포함한다. 하나의 이러한 실시예가 도 3에 도시되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 검사 서브시스템은 검출기(28, 30, 36 및 38)에 의해 생성되는 출력 신호가 광(10)이 지나는 검사 서브시스템의 조명 경로를 따라 산란된 광에 응답하지 않도록 이 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하도록 구성되는 광학 컴포넌트(68)를 포함한다. 일 실시예에서, 광학 컴포넌트(68)는 배플(baffle)을 포함할 수 있다. 배플은 스트레이 포톤(stray photon)을 차단하는 데 사용될 수 있는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 배플 또는 필드 스탑(field stop)을 포함할 수 있다.
또한, 검사 서브시스템은 검출기(28, 30, 36 및 38)에 의해 생성되는 출력 신호가 광(18)이 지나는 검사 서브시스템의 조명 경로를 따라 산란된 광에 응답하지 않도록 이 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하도록 구성되는 광학 컴포넌트(70)를 포함한다. 하나의 실시예에서, 광학 컴포넌트(70)는 애퍼쳐를 포함한다. 애퍼쳐는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 애퍼쳐를 포함할 수 있다. 도 3에는 세 개의 애퍼쳐가 광(18)의 조명 경로를 따라 위치된 것으로 도시되어 있지만, 시스템이 임의의 적합한 수의 이러한 광학 컴포넌트를 포함할 수 있음을 이해하여야 한다.
따라서, 검사 서브시스템의 서로 다른 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하도록 구성된 광학 컴포넌트는 서로 다를 수 있다. 대안으로서, 검사 서브시스템의 서로 다른 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하도록 구성된 광학 컴포넌트는 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 광학 컴포넌트 중 하나 이상은 검사 서브시스템의 조명 경로 중 하나만(또는 일부를) 따라 산란된 광을 차단하도록 구성될 수 있다. 또한, 하나보다 많은 유형의 광학 컴포넌트(예를 들어, 배플 및 애퍼쳐)는 검사 서브시스템의 조명 경로의 하나(또는 일부)를 따라 산란된 광을 차단하도록 구성될 수 있다.
일부 검사 서브시스템에서, 대기의 레일리 산란은 빔 라인을 통하여 레이저 헤드로부터 빔 형성 광학기기를 통해 그리고 웨이퍼 상의 입사/반사의 스폿으로 하향하여 발생한다. 그러나, 상기 설명된 바와 같이, 빔 라인은 스트레이 산란된 광이 산란광 검출 광학기기에 도달하는 것을 막도록 적합한 배플 및/또는 애퍼쳐로 설계될 수 있으며, 산란광 검출 광학기기는 웨이퍼 상의 입사 스폿으로부터 오는 것을 제외하는 광에게는 "보이지 않도록(blind)" 특수 설계된다. 따라서, 웨이퍼 상의 빔 스폿 바로 위의 영역에 있는 비교적 적은 부피의 대기만 기체 유동 서브시스템에 의해 매체로 교체될 수 있으며, 그리하여 대기에 의한 광의 산란을 효과적으로 감소시킴으로써 시스템의 감도를 증가시킬 수 있다.
따라서, 패터닝되지 않은 웨이퍼 검사 시스템 내측의 전체 대기가 헬륨 또는 여기에 기재된 또 다른 매체로 교체되는 것을 생각할 수는 있지만, 여기에 설명된 방법 및 시스템의 이점을 실현하는 데 이런 정도까지 할 필요는 없다. 실제로, 대부분의 웨이퍼 검사 시스템은 스캐닝 기계에 의해 생성되는 미량의 미립자 물질이 웨이퍼 상에 퇴적되지 않도록 웨이퍼가 검사되는 챔버를 통하여 비교적 큰 부피의 ULPA(ultra low penetration air) 필터링된 공기를 통과시킨다. 매체에 대한 회수 및 정화 시스템의 제공 없이, 통상적인 300mm 집적 회로(IC) 제조 설비에 있어서 10-12 패터닝되지 않은 웨이퍼 시스템을 통하여 이러한 큰 부피의 헬륨을 구동하는 데는 비교적 비용이 많이 들 것이다. 또한, 이러한 시스템은 보다 최상으로 사용할 수 있는 제조 설비에의 새로운 자본 투자를 필요로 할 것이다.
따라서, 도 3에 도시된 시스템은 간섭성 레일리 산란을 웨이퍼 상의 조명 스폿의 전반적인 영역의 비교적 적은 부피로 제한하는 조명 및 집광용 광학기기를 사용하고 비교적 적은 부피의 헬륨 기체 스트림을 그 적은 부피로 향하도록 장치를 구성하여 그 부피 내의 대기를 비교적 낮은 레일리 산란 "실드"로 교체함으로써, 비교적 큰 부피의 정상 대기를 헬륨으로 퍼징하는 것의 비용과 복잡성을 완화하는 이점이 있다. 도 3에 도시된 시스템은 여기에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
그러나, 패터닝되지 않은 웨이퍼 검사 시스템 내측의 전체 대기를 헬륨 또는 여기에 기재된 또 다른 매체로 교체하도록 구성되는 시스템은 매체의 흐름을 ULPA 필터로부터 하우징으로 그리고 다시 ULPA 필터 시스템으로 재순환하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 웨이퍼마다의 매체 소비량은 상기 설명된 개방 유동 버전에 비교하여 상당히 감소될 것이다. 이러한 실시예에서, 전달 챔버(도시되지 않음)가 시스템에 포함될 수 있다. 웨이퍼는 하우징 내의 대기에 대한 장애를 감소시키도록 전달 챔버로부터 하우징으로 이동될 수 있다. 이러한 시스템은 또한 더 이상 시스템으로의 신선한 공기 공급이 없을 수 있기 때문에 열 교환기를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 매체는 진공이다. 시스템의 하나의 이러한 실시예가 도 4에 도시되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 시스템은 스테이지(20)와 그 위에 배치된 웨이퍼(14)를 포함하는 검사 서브시스템을 둘러싸는 진공 챔버(72)를 포함한다. 진공 챔버(72)는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 구성을 가질 수 있다. 기체 유동 서브시스템은 결합 부재(76)를 통하여 진공 챔버(72)에 연결된 도관(74)을 포함한다. 도관(74) 및 결합 부재(76)는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 구성을 가질 수 있다. 기체 유동 서브시스템은 또한 진공 펌프(78)를 포함한다. 진공 펌프(78)는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 구성을 가질 수 있다. 진공 펌프(78)는 진공 챔버(72)로부터 도관(74)을 통하여 기체를 제거함으로써 진공 챔버(72) 내에 진공을 생성하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 대기 산란은 진공 펌프를 이용하여 스캐닝 챔버 내의 대기를 제거함으로써(공기를 배출함으로써) 도 4에 도시된 시스템에서 감소될 수 있다. 실행가능하더라도, 웨이퍼 검사의 감도를 증가시키기 위한 이 방법은 검사 시스템에 상당한 비용과 복잡도를 추가할 것이며, 전체적인 신뢰성을 낮추고, 여기에 설명된 기타 시스템 실시예에 비교하여 유지보수 비용을 증가시킬 것이다. 도 4에 도시된 시스템은 여기에 설명된 바와 더 구성될 수 있다.
또 다른 실시예는 검사 시스템에 연결되도록 구성된 기체 유동 서브시스템에 관한 것이다. 기체 유동 서브시스템은 또한 검사 동안 검사 시스템에 의해 조명된 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체함으로써 검사 시스템의 감도를 증가시키도록 구성된다. 기체 유동 서브시스템은 여기에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
추가의 실시예는 웨이퍼를 검사하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은 광을 웨이퍼 상의 스폿으로 향하게 하고 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성함으로써 웨이퍼를 검사하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 검사의 감도를 증가시키기 위해, 검사 동안 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 출력 신호를 사용하여 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 매체는 가시광선 및 UV 파장에서의 건조 공기의 굴절률보다 더 적은 가시광선 및 UV 파장에서의 굴절률을 갖는다. 또 다른 실시예에서, 매체는 본질적으로 원소 헬륨으로 구성된다. 다른 실시예에서, 매체는 본질적으로 네온으로 구성된다.
일 실시예에서, 기체를 교체하는 단계는 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서만 기체를 매체로 교체하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 본 방법은 매체를 이용하여 웨이퍼를 검사하는 데 사용되는 하나 이상의 광학 컴포넌트를 둘러싸는 하우징을 퍼지하는 단계 및 하나 이상의 광학 컴포넌트 상의 재료의 광분해가 감소되도록 매체를 사용하여 하우징 내에 양의 압력을 유지하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 본 방법은 출력 신호가 광이 웨이퍼로 향하는 조명 경로를 따라 산란된 광에 응답하지 않도록 이 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하는 단계를 포함한다. 부가의 실시예에서, 매체는 진공을 포함한다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광은 레이저에 의해 생성된 광을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광은 UV 광을 포함한다. 추가의 실시예에서, 웨이퍼를 검사하는 단계는 웨이퍼 전체에 걸쳐 스폿을 스캐닝하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 웨이퍼 검사의 증가된 감도는 베어 연마된 실리콘 웨이퍼 상의 약 25nm의 직경을 갖는 PSL 구형을 검출하기에 충분하다.
상기 설명된 방법의 각각의 실시예의 각각의 단계는 여기에 더 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 상기 설명된 방법의 각각의 실시예는 또한 여기에 설명된 임의의 기타 단계(들)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 설명된 방법의 각각의 실시예는 여기에 설명된 시스템 실시예 중 하나 이상에 의해 수행될 수 있다. 또한, 상기 설명된 방법의 각각의 실시예는 방법 실시예를 수행하는 데 사용될 수 있는 여기에 설명된 시스템 실시예의 모든 이점을 갖는다.
다음의 예는 단지 예를 들기 위해 여기에 포함된 것으로서 본 발명의 한정된 실시예로서 해석되어서는 안된다.
예: 정상 공기 및 헬륨 대기에 의한 배경 대기 산란
정상 공기 및 헬륨 대기의 배경 대기 산란은 355nm의 파장에서 동작하는 350 mW 레이저를 포함한 SP2 툴을 사용하여 측정되었다. SP2 툴에서 정상 공기의 대기는 SP2 툴의 집광기를 고순도 헬륨(>98% 순도)으로 "넘치게 함(flood)"으로써 헬륨 대기로 교체되었다. 헬륨은 와이드 집광기(즉, 상기 설명된 타원형 미러(32))의 하부에 부착된 약 50mm 직경의 400mm 길이의 튜브 및 헬륨 탱크를 사용하여 시스템에 제공되었다. 헬륨은 1L/s 정도로 추정 유동 속도에 의해 튜브로 약 반 정도 삽입되었다. 헬륨은 집광기로 흘러올라감으로써 집광기 내의 공기의 일부 또는 대부분을 교체하였다. 집광기의 중간 영역에 있는 개구는 헬륨 유동이 집광기를 나가는 임의의 잔여 공기를 "밀" 수 있게 해준다. 두 개의 서로 다른 대기에서의 산란이 측정되었다. 또한, 수직 입사광 및 사각 입사광의 산란이 와이드 집광기를 사용하여 측정되었다. 산란된 광을 측정하는 데 사용되는 검출기는 5000 ADC 카운트/ppm의 고정 이득으로 설정된 PMT이다. 표 3은 이들 측정으로부터의 결과를 포함한다.
Figure 112008049424746-PCT00009
표 3에서, "ST"는 약 10㎛ x 약 150 ㎛의 스폿 사이즈로 수행된 측정치를 나타낸다. "HT"는 약 10㎛ x 약 340㎛의 스폿 사이즈로 수행된 측정치를 나타낸다. "Baseline"는 정상 공기 대기에서 수행된 광 산란 측정치를 나타낸다. "He-average"는 헬륨 대기에서 수행된 광 산란 측정치의 평균을 나타낸다. 따라서, 이들 측정은 관찰된 통상적인 재현값을 나타낸다. "He-lowest"는 한 번보다 많이 측정되었던 헬륨 대기에서의 광 산란의 최저값을 나타낸다. 헬륨 대기가 툴 내에 존재하는 동안 관찰된 두 개의 측정 값 사이의 차이는 헬륨 순도의 변동 또는 측정 잡음의 결과일 수 있다. 판독에 대한 오차 마진은 개별 판독에 대하여 1 ppb 정도이고, 이득 보정의 경우 10% 정도이다. 실험에서 측정된 신호 강도는 약 5초 내지 약 10초의 헬륨 퍼지가 수행되고 헬륨 유동이 정지된 후 약 30초 내지 약 60초에 완전히 회수된 후에 그 최저값 주위에 안정되었다.
표 3에서 측정에 의해 나타낸 바와 같이, SP2 툴에서 정상 대기 공기를 헬륨으로 교체함으로써, 배경 산란은 약 4 내지 약 5배만큼 감소되었고, 이는 상기 설명된 70배의 이론값보다 적은 값이다. 표 3에 나타낸 측정은 정상 공기 대기를 헬륨 대기로 교체함으로 인한 광 산란의 감소가 이론적으로 예상된 바보다 더 작은 것을 나타내지만, 표 3에서 측정에 의해 나타낸 광 산란 감소가 더 낮은 것은 집광기에 남아있는 공기의 일부 비율(불완전한 헬륨 퍼지)에 더하여 시스템에서의 다른 소스로부터의 일부 잔여 산란에 의해 야기되었을 수 있다.
상기 설명된 실험에서, 헬륨 대기가 툴 내에 존재하는 동안 웨이퍼는 스캐닝되지 않았다. 따라서, 상기 기재된 결과가 반드시 실행시 감소를 일으키는 것은 아니지만, 이 결과는 여기에 설명된 시스템 및 방법이 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 그 기체보다 광을 덜 산란시키는 헬륨과 같은 매체로 교체함으로써 시스템의 감도를 증가시킬 수 있음을 나타낸다.
본 발명의 다양한 양상의 부가적인 변형 및 대안의 실시예가 본 명세서를 고려하여 당해 기술 분야에 숙련된 자들에게 명백할 수 있다. 예를 들어, 증가된 감도로 웨이퍼를 검사하는 방법 및 시스템이 제공된다. 따라서, 이러한 설명은 단지 예시적인 것으로서 해석되어야 하며, 당해 기술 분야에 숙련된 자들에게 본 발명을 수행하기 위한 일반적인 방식을 교시하기 위한 것이다. 여기에 도시되고 설명된 본 발명의 형태는 현재 바람직한 실시예로서 취해진 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 이러한 설명의 이점을 익힌 후에 당해 기술 분야에 숙련된 자들에게 모두 명백한 바와 같이, 여기에 도시되고 설명된 것에 대해 구성요소 및 재료가 교체될 수 있고, 부분 및 프로세스가 바뀔 수 있고, 본 발명의 어떤 특징이 독립적으로 이용될 수 있다. 다음의 청구범위에 설명된 바와 같이 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고서 여기에 설명된 구성요소의 변경이 이루어질 수 있다.

Claims (26)

  1. 웨이퍼를 검사하도록 구성되는 시스템으로서,
    광을 상기 웨이퍼 상의 스폿으로 향하게 하고 상기 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성하도록 구성되는 검사 서브시스템;
    상기 시스템의 감도를 증가시키기 위해, 상기 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 상기 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체하도록 구성되는 기체 유동 서브시스템; 및
    상기 출력 신호를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성되는 프로세서를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 매체는 가시광선 및 자외선 파장에서의 건조 공기의 굴절률보다 더 적은 가시광선 및 자외선 파장에서의 굴절률을 갖는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 매체는 본질적으로 원소 헬륨으로 구성되는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 매체는 본질적으로 네온으로 구성되는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 기체 유동 서브시스템은 상기 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서만 상기 기체를 상기 매체로 교체하도록 더 구성되는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 검사 서브시스템의 하나 이상의 광학 컴포넌트를 둘러싸는 하우징을 더 포함하고, 상기 기체 유동 서브시스템은 상기 매체를 사용하여 상기 하우징을 퍼지하고, 상기 하나 이상의 광학 컴포넌트 상의 재료의 광분해가 감소되도록 상기 매체를 사용하여 상기 하우징 내에 양의 압력(positive pressure)을 유지하도록 더 구성되는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 검사 서브시스템은 상기 출력 신호가 상기 검사 서브시스템의 조명 경로를 따라 산란된 광에 응답하지 않도록 상기 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하도록 구성되는 하나 이상의 광학 컴포넌트를 포함하는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 매체는 진공인 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 검사 서브시스템은 패터닝되지 않은 웨이퍼 검사 서브시스템으로서 더 구성되는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 검사 서브시스템은 레이저 기반의 검사 서브시스템으로서 더 구성되는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광은 자외선 광을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 검사 서브시스템은 스캐닝 기반의 검사 서브시스템으로서 더 구성되는 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 시스템의 증가된 감도는 베어(bare) 연마된 실리콘 웨이퍼 상의 약 25nm의 직경을 갖는 폴리스티렌 라텍스 구형을 검출하기에 충분한 것인 웨이퍼 검사 시스템.
  14. 검사 시스템에 연결되도록 구성되는 기체 유동 서브시스템으로서,
    상기 검사 시스템의 감도를 증가시키기 위해, 검사 동안 상기 검사 시스템에 의해 조명되는 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 상기 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체하도록 더 구성되는 기체 유동 서브시스템.
  15. 웨이퍼를 검사하는 방법으로서,
    광을 상기 웨이퍼 상의 스폿으로 향하게 하고 상기 웨이퍼 상의 스폿으로부터 산란된 광에 응답하여 출력 신호를 생성함으로써 상기 웨이퍼를 검사하는 단계;
    상기 검사의 감도를 증가시키기 위해, 상기 검사하는 단계 동안 상기 웨이퍼 상의 스폿 부근에 위치된 기체를 상기 기체보다 광을 덜 산란시키는 매체로 교체하는 단계; 및
    상기 출력 신호를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계를 포함하는 웨이퍼 검사 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 매체는 가시광선 및 자외선 파장에서의 건조 공기의 굴절률보다 더 적은 가시광선 및 자외선 파장에서의 굴절률을 갖는 것인 웨이퍼 검사 방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 매체는 본질적으로 원소 헬륨으로 구성되는 것인 웨이퍼 검사 방법.
  18. 청구항 15에 있어서,
    상기 매체는 본질적으로 네온으로 구성되는 것인 웨이퍼 검사 방법.
  19. 청구항 15에 있어서,
    상기 교체하는 단계는 상기 웨이퍼 상의 스폿 부근의 위치에서만 상기 기체를 상기 매체로 교체하는 단계를 포함하는 것인 웨이퍼 검사 방법.
  20. 청구항 15에 있어서,
    상기 매체를 이용하여 상기 검사에 사용되는 하나 이상의 광학 컴포넌트를 둘러싸는 하우징을 퍼지하는 단계 및 상기 하나 이상의 광학 컴포넌트 상의 재료의 광분해가 감소되도록 상기 매체를 사용하여 상기 하우징 내에 양의 압력을 유지하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 검사 방법.
  21. 청구항 15에 있어서,
    상기 출력 신호가 상기 광이 웨이퍼로 향하는 조명 경로를 따라 산란된 광에 응답하지 않도록 상기 조명 경로를 따라 산란된 광을 차단하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 검사 방법.
  22. 청구항 15에 있어서,
    상기 매체는 진공을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 방법.
  23. 청구항 15에 있어서,
    상기 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광은 레이저에 의해 생성된 광을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 방법.
  24. 청구항 15에 있어서,
    상기 웨이퍼 상의 스폿으로 향하는 광은 자외선 광을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 방법.
  25. 청구항 15에 있어서,
    상기 검사하는 단계는 상기 웨이퍼 전체에 걸쳐 상기 스폿을 스캐닝하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 검사 방법.
  26. 청구항 15에 있어서,
    상기 검사의 증가된 감도는 베어 연마된 실리콘 웨이퍼 상의 약 25nm의 직경을 갖는 폴리스티렌 라텍스 구형을 검출하기에 충분한 것인 웨이퍼 검사 방법.
KR1020087016683A 2005-12-14 2006-12-14 증가된 감도로 웨이퍼를 검사하는 시스템 및 방법 KR101249114B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/302,936 US7372559B2 (en) 2005-12-14 2005-12-14 Systems and methods for inspecting a wafer with increased sensitivity
US11/302,936 2005-12-14
PCT/US2006/062097 WO2007087101A2 (en) 2005-12-14 2006-12-14 Systems and methods for inspecting a wafer with increased sensitivity

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080079304A true KR20080079304A (ko) 2008-08-29
KR101249114B1 KR101249114B1 (ko) 2013-03-29

Family

ID=38138934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087016683A KR101249114B1 (ko) 2005-12-14 2006-12-14 증가된 감도로 웨이퍼를 검사하는 시스템 및 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7372559B2 (ko)
JP (1) JP5178527B2 (ko)
KR (1) KR101249114B1 (ko)
WO (1) WO2007087101A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150070399A (ko) * 2012-10-24 2015-06-24 케이엘에이-텐코 코포레이션 고 종횡비 및 대 횡측 치수 구조물들을 위한 계측 시스템 및 방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7746459B2 (en) * 2007-08-10 2010-06-29 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems configured to inspect a wafer
US7623229B1 (en) 2008-10-07 2009-11-24 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for inspecting wafers
US9279774B2 (en) * 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
US8755044B2 (en) * 2011-08-15 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems
JP5894854B2 (ja) 2012-05-11 2016-03-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
US9526553B2 (en) 2014-04-04 2016-12-27 K2M, Inc. Screw insertion instrument
US9762418B2 (en) * 2014-11-06 2017-09-12 Dell Products, Lp Repeatable backchannel link adaptation for high speed serial interfaces
JP6741407B2 (ja) * 2015-08-17 2020-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 欠陥検査装置
US10041873B2 (en) * 2016-05-02 2018-08-07 Kla-Tencor Corporation Porosity measurement of semiconductor structures
US10281263B2 (en) 2016-05-02 2019-05-07 Kla-Tencor Corporation Critical dimension measurements with gaseous adsorption
US10145674B2 (en) * 2016-05-02 2018-12-04 Kla-Tencor Corporation Measurement of semiconductor structures with capillary condensation
US10551320B2 (en) * 2017-01-30 2020-02-04 Kla-Tencor Corporation Activation of wafer particle defects for spectroscopic composition analysis
WO2024091397A1 (en) * 2022-10-25 2024-05-02 Kla Corporation Gas flow configurations for semiconductor inspections

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3626141A (en) * 1970-04-30 1971-12-07 Quantronix Corp Laser scribing apparatus
US4613207A (en) 1984-05-08 1986-09-23 Manchester R & D Partnership Liquid crystal projector and method
US5531857A (en) * 1988-07-08 1996-07-02 Cauldron Limited Partnership Removal of surface contaminants by irradiation from a high energy source
JP3339856B2 (ja) * 1990-04-02 2002-10-28 株式会社日立製作所 異物検出方法及びそれを用いた半導体装置製造方法
JPH04112551A (ja) * 1990-09-03 1992-04-14 Hitachi Electron Eng Co Ltd ウエハ検査装置の雑音排除方法
US5270781A (en) * 1992-03-02 1993-12-14 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of determining shear stress employing a monomer-polymer laminate structure
WO1995007152A1 (en) * 1993-09-08 1995-03-16 Uvtech Systems, Inc. Surface processing
US6271916B1 (en) 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
JP3271425B2 (ja) * 1994-03-30 2002-04-02 ソニー株式会社 異物検査装置及び異物検査方法
US6081325A (en) * 1996-06-04 2000-06-27 Kla-Tencor Corporation Optical scanning system for surface inspection
JPH10335399A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Advantest Corp 試料処理装置および方法
US6201601B1 (en) 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
WO1999018438A1 (en) 1997-10-02 1999-04-15 Aclara Biosciences, Inc. Capillary assays involving separation of free and bound species
EP0969493A1 (en) * 1998-07-03 2000-01-05 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam
US6356653B2 (en) * 1998-07-16 2002-03-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for combined particle location and removal
US7277171B1 (en) * 2001-01-16 2007-10-02 J.A. Woollan Co., Inc. Flying mobile on-board ellipsometer, polarimeter, reflectometer and the like systems
US6359212B1 (en) * 2000-07-13 2002-03-19 Trw Inc. Method for testing solar cell assemblies and second surface mirrors by ultraviolet reflectometry for susceptibility to ultraviolet degradation
JP2002151400A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Canon Inc 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場
US6538730B2 (en) 2001-04-06 2003-03-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection system
US6813026B2 (en) 2001-04-11 2004-11-02 Therma-Wave, Inc. Purge system for optical metrology tool
US7061614B2 (en) 2001-10-16 2006-06-13 Therma-Wave, Inc. Measurement system with separate optimized beam paths
JP2003077969A (ja) * 2002-05-31 2003-03-14 Hitachi Ltd 異物検出方法とその装置並びに半導体装置製造方法
US7138640B1 (en) * 2002-10-17 2006-11-21 Kla-Tencor Technologies, Corporation Method and apparatus for protecting surfaces of optical components
US7369233B2 (en) 2002-11-26 2008-05-06 Kla-Tencor Technologies Corporation Optical system for measuring samples using short wavelength radiation
KR20050031439A (ko) * 2003-09-29 2005-04-06 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 편광판 및 이를 사용한 액정표시장치
US7349079B2 (en) 2004-05-14 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for measurement or analysis of a nitrogen concentration of a specimen
US7067819B2 (en) 2004-05-14 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement or analysis of a specimen using separated spectral peaks in light
US7359052B2 (en) 2004-05-14 2008-04-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
US7564552B2 (en) 2004-05-14 2009-07-21 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
US7417722B2 (en) 2004-12-19 2008-08-26 Kla-Tencor Technologies Corporation System and method for controlling light scattered from a workpiece surface in a surface inspection system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150070399A (ko) * 2012-10-24 2015-06-24 케이엘에이-텐코 코포레이션 고 종횡비 및 대 횡측 치수 구조물들을 위한 계측 시스템 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007087101A3 (en) 2008-08-07
US20070132987A1 (en) 2007-06-14
WO2007087101A2 (en) 2007-08-02
US7372559B2 (en) 2008-05-13
KR101249114B1 (ko) 2013-03-29
US20090009754A1 (en) 2009-01-08
US7697129B2 (en) 2010-04-13
JP5178527B2 (ja) 2013-04-10
JP2009520370A (ja) 2009-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101249114B1 (ko) 증가된 감도로 웨이퍼를 검사하는 시스템 및 방법
US7138640B1 (en) Method and apparatus for protecting surfaces of optical components
US6813026B2 (en) Purge system for optical metrology tool
US11921434B2 (en) Mask cleaning
US20050052642A1 (en) Method and its apparatus for inspecting defects
US7622310B2 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
JP2005338027A (ja) 欠陥検査方法及び欠陥検査装置並びに欠陥検査システム
US9244368B2 (en) Particle control near reticle and optics using showerhead
WO2007126612A2 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
JP5381607B2 (ja) 極端紫外光利用装置
TWI755822B (zh) 用於光源的端琢面保護以及用於度量衡應用的方法
TW201831993A (zh) 用於識別污染的設備及方法
JP4546902B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JP4385032B2 (ja) リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法
TWI775689B (zh) 內聯式腔室計量術
US20100000569A1 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
TWI807089B (zh) 蒸氣作為光學系統中之保護劑及生命延長劑
US20240133825A1 (en) Gas flow configurations for semiconductor inspections
US11624904B2 (en) Vapor as a protectant and lifetime extender in optical systems
JP2006201605A (ja) 顕微鏡観察装置
Grenon et al. Reticle surface contaminants and their relationship to subpellicle particle formation
TW202311725A (zh) 在極紫外線檢查系統中用於污染減輕之逆流氣體噴嘴
US20210341377A1 (en) Method and apparatus for measuring particles
WO2024091397A1 (en) Gas flow configurations for semiconductor inspections
Kim et al. Haze acceleration system for photo mask application by using high repetition ArF excimer laser

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160309

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180309

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190313

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200312

Year of fee payment: 8