JP2009520370A - 向上した感度でウエハを検査するシステム及び方法 - Google Patents
向上した感度でウエハを検査するシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009520370A JP2009520370A JP2008545977A JP2008545977A JP2009520370A JP 2009520370 A JP2009520370 A JP 2009520370A JP 2008545977 A JP2008545977 A JP 2008545977A JP 2008545977 A JP2008545977 A JP 2008545977A JP 2009520370 A JP2009520370 A JP 2009520370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- light
- inspection
- medium
- spot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title abstract description 182
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 151
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 162
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 69
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 69
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 66
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 33
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 claims description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 5
- 239000004816 latex Substances 0.000 claims description 5
- 229920000126 latex Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 241001519451 Abramis brama Species 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
355nmの波長における350mWレーザー動作を含んだSP2ツールを使用して、通常空気とヘリウム雰囲気の背景雰囲気拡散を測定した。SP2ツール内の通常空気雰囲気は、高純度ヘリウム(>98%純度)でSP2ツールのコレクタを「充満」することによってヘリウム雰囲気で置換した。ヘリウムタンク及び広角コレクタ(即ち上述の楕円鏡32)の底面に取り付けられた直径約50mmの400mm長のチューブを使用して、ヘリウムをシステムに提供した。約1 L/秒の推定流量でチューブ内のほぼ中間までヘリウムを注入した。ヘリウムはコレクタ内にまで流入し、コレクタ内の空気の幾らか、又は殆どを置換した。コレクタの中間部の開口部が、ヘリウムの流れがコレクタから一切の残留空気を「押し出す」ことを可能とした。2つの異なる雰囲気における拡散を測定した。さらに、広角コレクタを使用して、直角入射光及び斜角入射光の拡散を測定した。拡散光の測定に使用した検出器は、5000 ADCカウント/ppmの固定利得に設定されたPMTであった。表3はこれら測定の結果を含む。
Claims (26)
- ウエハを検査するように構成されたシステムであって、
前記ウエハ上のスポットに光を向け、前記ウエハ上の前記スポットから拡散した光に応答して出力信号を生成するように構成された検査サブシステムと、
前記ウエハ上の前記スポット近傍に位置する気体をその気体よりも少なく光を拡散させる媒体で置換することで前記システムの感度を向上させるように構成された気体フローサブシステムと、
前記出力信号を使用して前記ウエハ上の欠陥を検出するように構成されたプロセッサと
を有するシステム。 - 請求項1記載のシステムにおいて、前記媒体は、乾燥空気の可視及び紫外線波長における屈折率よりも小さい前記可視及び紫外線波長における屈折率を有するものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記媒体は主としてヘリウム元素からなるものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記媒体は主としてネオンからなるものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記気体フローサブシステムは、前記ウエハ上の前記スポット近傍の位置においてのみ、前記気体を前記媒体で置換するようにさらに構成されたものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、このシステムは、さらに、前記検査サブシステムの1又はそれ以上の光学部品を囲むハウジングを有し、前記気体フローサブシステムは、前記1又はそれ以上の光学部品上の物質の光分解を低減させるように、前記媒体を使用して前記ハウジングをパージし、前記媒体を使用して前記ハウジング内に正圧を維持するようにさらに構成されたものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記検査サブシステムは、前記出力信号が前記検査サブシステムの照明光路に沿って拡散した光に応答しないように、前記照明光路に沿って拡散した前記光を遮蔽するように構成された、1もしくはそれ以上の光学部品を有するものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記媒体は真空である。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記検査サブシステムは、未パターン化ウエハの検査サブシステムとしてさらに構成されたものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記検査サブシステムは、レーザー式検査サブシステムとしてさらに構成されたものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記ウエハ上の前記スポットに向けられた前記光は、紫外線を有するものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記検査サブシステムは、走査式検査サブシステムとしてさらに構成されたものである。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記システムの前記向上した感度は、露出した研磨シリコンウエハ上の約25nmの直径を有するポリスチレンラテックス球を検出するために十分な能力を有するものである。
- 検査システムに結合するように構成された気体フローサブシステムであって、前記気体フローサブシステムは、検査中に前記検査システムによって照明されたウエハ上のスポットの近傍に位置する気体を、その気体よりも少なく光を拡散させる媒体で置換することで、前記検査システムの感度を向上させるようにさらに構成されたものである気体フローサブシステム。
- ウエハを検査する方法であって、
前記ウエハ上のスポットに光を向け、前記ウエハ上の前記スポットから拡散した光に応答して出力信号を生成することによって前記ウエハを検査するステップと、
前記検査ステップ中に前記ウエハ上の前記スポットの近傍に位置する気体をその気体よりも少なく光を拡散させる媒体で置換することで、前記検査ステップの前記感度を向上させるステップと、
前記出力信号を使用して前記ウエハ上の欠陥を検出するステップと
を有する方法。 - 請求項15記載の方法において、前記媒体は、乾燥空気の可視及び紫外線波長における屈折率よりも小さい可視及び紫外線波長における屈折率を有するものである。
- 請求項15記載の方法において、前記媒体は、主としてヘリウム元素からなるものである。
- 請求項15記載の方法において、前記媒体は、主としてネオンからなるものである。
- 請求項15記載の方法において、前記置換するステップは、前記ウエハ上の前記スポットの近傍の位置においてのみ、前記気体を前記媒体で置換するステップを有するものである。
- 請求項15記載の方法において、この方法は、さらに、前記検査ステップに使用する1又はそれ以上の光学部品上の物質の光分解を低減させるために、前記1又はそれ以上の光学部品を囲むハウジングを前記媒体でパージするステップと、前記媒体を使用して前記ハウジング内に正圧を維持するステップとを有するものである。
- 請求項15記載の方法において、この方法は、さらに、前記出力信号が照明光路に沿って拡散した光に応答しないように、前記ウエハに前記光が向けられた前記照明光路に沿って拡散した前記光を遮蔽するステップを有するものである。
- 請求項15記載の方法において、前記媒体は真空を有するものである。
- 請求項15記載の方法において、前記ウエハ上の前記スポットに向けられた前記光は、レーザーによって生成された光を有するものである。
- 請求項15記載の方法において、前記ウエハ上の前記スポットに向けられた前記光は、紫外線を有するものである。
- 請求項15記載の方法において、前記検査ステップは、前記ウエハ全域に亘って前記スポットを走査するステップをさらに有するものである。
- 請求項15記載の方法において、前記検査ステップの前記向上した感度は、露出した研磨シリコンウエハ上の約25nmの直径を有するポリスチレンラテックス球を検出するために十分な能力を有するものである。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/302,936 | 2005-12-14 | ||
US11/302,936 US7372559B2 (en) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | Systems and methods for inspecting a wafer with increased sensitivity |
PCT/US2006/062097 WO2007087101A2 (en) | 2005-12-14 | 2006-12-14 | Systems and methods for inspecting a wafer with increased sensitivity |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009520370A true JP2009520370A (ja) | 2009-05-21 |
JP5178527B2 JP5178527B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=38138934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008545977A Active JP5178527B2 (ja) | 2005-12-14 | 2006-12-14 | 向上した感度でウエハを検査するシステム及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7372559B2 (ja) |
JP (1) | JP5178527B2 (ja) |
KR (1) | KR101249114B1 (ja) |
WO (1) | WO2007087101A2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7746459B2 (en) * | 2007-08-10 | 2010-06-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems configured to inspect a wafer |
US7623229B1 (en) | 2008-10-07 | 2009-11-24 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for inspecting wafers |
US9279774B2 (en) | 2011-07-12 | 2016-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
US8755044B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-06-17 | Kla-Tencor Corporation | Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems |
JP5894854B2 (ja) | 2012-05-11 | 2016-03-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
US8860937B1 (en) * | 2012-10-24 | 2014-10-14 | Kla-Tencor Corp. | Metrology systems and methods for high aspect ratio and large lateral dimension structures |
US9526553B2 (en) | 2014-04-04 | 2016-12-27 | K2M, Inc. | Screw insertion instrument |
US9762418B2 (en) * | 2014-11-06 | 2017-09-12 | Dell Products, Lp | Repeatable backchannel link adaptation for high speed serial interfaces |
JP6741407B2 (ja) * | 2015-08-17 | 2020-08-19 | 株式会社Screenホールディングス | 欠陥検査装置 |
US10145674B2 (en) * | 2016-05-02 | 2018-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of semiconductor structures with capillary condensation |
US10281263B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-05-07 | Kla-Tencor Corporation | Critical dimension measurements with gaseous adsorption |
US10041873B2 (en) * | 2016-05-02 | 2018-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Porosity measurement of semiconductor structures |
US10551320B2 (en) * | 2017-01-30 | 2020-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Activation of wafer particle defects for spectroscopic composition analysis |
US20240230555A9 (en) * | 2022-10-25 | 2024-07-11 | Kla Corporation | Gas flow configurations for semiconductor inspections |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03285339A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Hitachi Ltd | 汚染検出方法とその装置並びに半導体製造ライン |
JPH04112551A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハ検査装置の雑音排除方法 |
JP2003077969A (ja) * | 2002-05-31 | 2003-03-14 | Hitachi Ltd | 異物検出方法とその装置並びに半導体装置製造方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3626141A (en) * | 1970-04-30 | 1971-12-07 | Quantronix Corp | Laser scribing apparatus |
US4613207A (en) | 1984-05-08 | 1986-09-23 | Manchester R & D Partnership | Liquid crystal projector and method |
US5531857A (en) * | 1988-07-08 | 1996-07-02 | Cauldron Limited Partnership | Removal of surface contaminants by irradiation from a high energy source |
US5270781A (en) * | 1992-03-02 | 1993-12-14 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of determining shear stress employing a monomer-polymer laminate structure |
AU7682594A (en) | 1993-09-08 | 1995-03-27 | Uvtech Systems, Inc. | Surface processing |
US6271916B1 (en) * | 1994-03-24 | 2001-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Process and assembly for non-destructive surface inspections |
JP3271425B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2002-04-02 | ソニー株式会社 | 異物検査装置及び異物検査方法 |
EP0979398B1 (en) | 1996-06-04 | 2012-01-04 | KLA-Tencor Corporation | Optical scanning system for surface inspection |
JPH10335399A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Advantest Corp | 試料処理装置および方法 |
US6201601B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
AU9673198A (en) * | 1997-10-02 | 1999-04-27 | Aclara Biosciences, Inc. | Capillary assays involving separation of free and bound species |
EP0969493A1 (en) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam |
US6356653B2 (en) * | 1998-07-16 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for combined particle location and removal |
US7277171B1 (en) * | 2001-01-16 | 2007-10-02 | J.A. Woollan Co., Inc. | Flying mobile on-board ellipsometer, polarimeter, reflectometer and the like systems |
US6359212B1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-03-19 | Trw Inc. | Method for testing solar cell assemblies and second surface mirrors by ultraviolet reflectometry for susceptibility to ultraviolet degradation |
JP2002151400A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Canon Inc | 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場 |
US6538730B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Defect detection system |
US6813026B2 (en) | 2001-04-11 | 2004-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Purge system for optical metrology tool |
US7061614B2 (en) | 2001-10-16 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Measurement system with separate optimized beam paths |
US7138640B1 (en) * | 2002-10-17 | 2006-11-21 | Kla-Tencor Technologies, Corporation | Method and apparatus for protecting surfaces of optical components |
US7369233B2 (en) | 2002-11-26 | 2008-05-06 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical system for measuring samples using short wavelength radiation |
KR20050031439A (ko) * | 2003-09-29 | 2005-04-06 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 편광판 및 이를 사용한 액정표시장치 |
US7564552B2 (en) | 2004-05-14 | 2009-07-21 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light |
US7359052B2 (en) | 2004-05-14 | 2008-04-15 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light |
US7067819B2 (en) | 2004-05-14 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement or analysis of a specimen using separated spectral peaks in light |
US7349079B2 (en) | 2004-05-14 | 2008-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for measurement or analysis of a nitrogen concentration of a specimen |
WO2006066207A2 (en) | 2004-12-19 | 2006-06-22 | Ade Corporation | System and method for inspecting a workpiece surface using combinations of light collectors |
-
2005
- 2005-12-14 US US11/302,936 patent/US7372559B2/en active Active
-
2006
- 2006-12-14 JP JP2008545977A patent/JP5178527B2/ja active Active
- 2006-12-14 US US12/097,172 patent/US7697129B2/en active Active
- 2006-12-14 WO PCT/US2006/062097 patent/WO2007087101A2/en active Application Filing
- 2006-12-14 KR KR1020087016683A patent/KR101249114B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03285339A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Hitachi Ltd | 汚染検出方法とその装置並びに半導体製造ライン |
JPH04112551A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハ検査装置の雑音排除方法 |
JP2003077969A (ja) * | 2002-05-31 | 2003-03-14 | Hitachi Ltd | 異物検出方法とその装置並びに半導体装置製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090009754A1 (en) | 2009-01-08 |
KR20080079304A (ko) | 2008-08-29 |
WO2007087101A3 (en) | 2008-08-07 |
KR101249114B1 (ko) | 2013-03-29 |
WO2007087101A2 (en) | 2007-08-02 |
US20070132987A1 (en) | 2007-06-14 |
JP5178527B2 (ja) | 2013-04-10 |
US7697129B2 (en) | 2010-04-13 |
US7372559B2 (en) | 2008-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5178527B2 (ja) | 向上した感度でウエハを検査するシステム及び方法 | |
US6813026B2 (en) | Purge system for optical metrology tool | |
US7342235B1 (en) | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument | |
JP6717777B2 (ja) | 試験体の測定または分析のためのシステムおよび方法 | |
US7138640B1 (en) | Method and apparatus for protecting surfaces of optical components | |
US7755764B2 (en) | Purge gas flow control for high-precision film measurements using ellipsometry and reflectometry | |
US7564552B2 (en) | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light | |
US7349079B2 (en) | Methods for measurement or analysis of a nitrogen concentration of a specimen | |
US7359052B2 (en) | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light | |
US7067819B2 (en) | Systems and methods for measurement or analysis of a specimen using separated spectral peaks in light | |
US20080073560A1 (en) | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument | |
WO2007126612A2 (en) | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument | |
US7663747B2 (en) | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument | |
US20240230555A9 (en) | Gas flow configurations for semiconductor inspections | |
JP4321163B2 (ja) | 露光用原版及び露光用原版の検査方法並びに露光方法 | |
Seitz et al. | Recent results on EUV mask blank multilayers and absorbers | |
IL158344A (en) | System and method for optical measurements by UV vacuum | |
JP2000180301A (ja) | レ―ザ耐久性測定装置およびホルダ | |
JP2005142485A (ja) | 光透過状態識別装置、露光装置、光透過状態識別方法及び露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5178527 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |