KR20080074738A - 발광 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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KR20080074738A
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타케히코 쿠보타
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 발광 장치의 틀(window frame) 영역을 축소함과 함께, 발광 소자의 휘도 불균일을 억제한다.
(해결 수단) 발광 장치(1)에 있어서는, 소자층(30)의 위에, 제2 층간 절연막(35)과, 보조 전극(150)과, 공통 전극(72)이 순서대로 적층된다. 보조 전극(150)의 단(端)(E4)은, 공통 전극(72)의 단(E2)보다도 기판(10)의 면 내에 있어서 외측에 위치하도록 형성되고, 공통 전극(72)의 단(E2)은, 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)보다도 외측에 위치하도록 형성된다. 보조 전극(150)은, 공통 전극(72)과 겹치지 않는 부분에서, 공통 전극(72)에 전위를 공급하는 제2 전극용 전원선과 접하는 부분을 갖는다.
공통 전극, 절연막, 단, 전원선

Description

발광 장치 및 전자 기기{LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은, 유기 EL(Electroluminescence) 소자 등의 발광 소자를 이용한 발광 장치에 관한 것이다.
기판 상의 유효 영역에 복수의 발광 소자가 배열되고, 유효 영역을 둘러싸는 주변 영역에 각종 배선 등이 배치된 발광 장치가 알려져 있다. 각각의 발광 소자는, 제1 전극과 제2 전극의 사이에 끼워져 유기 EL 재료 등의 발광 재료로 형성되는 발광층을 갖는다. 대부분의 경우, 이 제2 전극은 복수의 발광 소자에 공통되게 형성된 공통 전극이며, 상기 유효 영역 전체에 걸쳐 형성된다. 그러나, 전극 자체가 갖는 저항에 의해 전극의 면 내에 있어서 전압 강하가 발생하고, 기판에 있어서의 위치에 따라 발광 소자에 공급되는 전위가 불균일하여 발광 소자의 휘도가 위치에 따라 불균일하게 될 우려가 있다. 그래서, 종래부터, 공통 전극보다도 저저항의 재료로 형성되어 공통 전극과 전기적으로 접속된 보조 전극을 형성하여, 공통 전극의 저항을 낮추는 것이 행해지고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1).
[특허 문헌 1] 일본공개특허공보 2002-352963호
그런데, 보조 전극은, 예를 들면, 알루미늄 등의 차광성의 부재로 형성되는 경우가 많다. 이 때문에, 발광 소자로부터의 출사광을 차단하는 일이 없도록 발광 소자의 간극의 영역을 통과하도록 형성되는 것이 바람직하며, 고정밀도의 위치 맞춤 기구를 이용하여 형성되는 것이 바람직하다. 이에 대하여, 공통 전극은 광투과성의 재료로 형성되고, 유효 영역 전체를 덮는 영역에 균일하게 형성된다. 따라서, 보조 전극과 비교하여, 위치 맞춤에 있어서의 오차가 허용될 수 있다. 따라서, 보조 전극보다도 공통 전극의 위치 맞춤의 오차가 문제가 된다. 따라서, 공통 전극의 오차를 흡수 가능하도록 기판상에 있어서 주변 영역의 폭(소위, 「틀(window frame) 영역」)을 충분히 확보하는 것이 바람직하며, 장치의 소형화의 걸림돌이 되고 있었다.
또한, 발광 소자의 발광을 제어하기 위한 트랜지스터 등의 회로 소자는, 공통 전극이나 보조 전극의 하층에 배치된다. 이 때문에, 공통 전극 및 보조 전극과의 사이에 절연층을 형성하여, 공통 전극 및 보조 전극을 회로 소자로부터 절연한다. 그런데, 절연층이 단차(段差)를 포함하는 경우에는, 그 단차와 겹치는 상층 부분에서 전극에 단선이나 균열이 생길 우려가 있다. 단선이나 균열이 생긴 개소에서는 전극의 저항치가 증가하기 때문에, 발광 소자의 휘도 불균일이 현저해진다.
본 발명은 전술한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 발광 장치의 틀 영역을 축소함과 함께, 발광 소자의 휘도 불균일을 억제하는 것이 가능한 발광 장치를 제 공하는 것을 해결 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 발광 장치는, 기판 상에 복수의 발광 소자가 배열된 유효 영역과 당해 유효 영역을 둘러싸는 주변 영역을 가지며, 상기 각 발광 소자는 제1 전극과 제2 전극과 양자의 사이에 있는 발광층을 가지며, 상기 제2 전극은 상기 복수의 발광 소자에 공통으로 형성되고, 상기 발광 소자의 발광을 제어하기 위한 회로 소자가 배치된 소자층을 갖는 발광 장치로서, 상기 제2 전극과 전기적으로 접속한 보조 전극과, 상기 소자층의 상층에 배치됨과 함께, 상기 제2 전극 및 상기 보조 전극보다도 하층에 배치되는 부분을 가지며, 상기 제2 전극 및 상기 보조 전극을 상기 회로 소자로부터 절연하기 위한 절연층을 구비하며, 상기 제2 전극은, 상기 유효 영역을 덮고, 상기 주변 영역으로 삐어져 나와(extend) 균일하게 형성되고, 상기 보조 전극은, 상기 유효 영역에 있어서 상기 복수의 발광 소자의 간극을 통과하고, 상기 주변 영역의 일부에 형성되고, 상기 주변 영역에 있어서, 상기 제2 전극의 단(端)은, 상기 보조 전극의 단보다도 상기 기판의 면내에 있어서 내측에 위치함과 함께, 상기 절연층의 단보다도 외측에 위치한다.
본 발명의 발광 장치에 있어서는, 보조 전극의 단은 공통 전극의 단보다도 외측에 배치된다. 또한, 보조 전극은, 유효 영역에 있어서는, 발광 소자의 간극의 영역을 통과하도록 형성된다. 이 때문에, 고(高)정밀도의 위치 맞춤 기구를 이용하여 형성되는 것이 바람직하다. 이에 대하여, 공통 전극은 유효 영역 전체를 덮 는 영역에 균일하게 형성되기 때문에, 공통 전극을 형성할 때에는, 위치 맞춤 정밀도가 보조 전극만큼 요구되지 않는다. 즉, 보조 전극은 공통 전극보다도 작은 오차로 형성되는 경우가 많다. 따라서, 본 발명에 의하면, 공통 전극의 단을 보조 전극의 단보다도 외측에 배치하는 구성과 비교하여, 보조 전극의 오차에 따라 틀 영역을 축소할 수 있어, 장치의 소형화가 가능해진다. 그리고, 보조 전극은, 제2 전극보다도 저항이 낮아지도록 구성된다. 특히, 보조 전극은, 제2 전극보다도 저저항의 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제1 발광 장치에서는, 공통 전극의 단은 절연층의 단보다도 외측에 배치된다. 보조 전극 중, 절연층의 단과 겹치는 부분에서는, 단차에 의한 단선 또는 균열이 생기기 쉽지만, 공통 전극의 단이 단선 또는 균열이 생길 수 있는 개소보다도 외측까지 연장되어 형성되어 있기 때문에, 보조 전극에 단선 또는 균열이 생긴 경우에 있어서도, 저항치의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 발광 소자의 휘도 불균일을 억제하는 것이 가능하다. 덧붙여, 절연층은, 아크릴 등의 투습성(透濕性)의 재료로 형성되는 경우가 많다. 그 경우, 절연층을 통하여 외부로부터 수분이 진입하여, 발광층의 열화가 생길 우려가 있다. 그러나, 본 발명에서는, 공통 전극의 단이 절연층의 단보다도 외측에 배치됨으로써, 절연층에 수분이 진입하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 발광 소자의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 소자의 열화에 의한 휘도의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명의 매우 적합한 형태에 있어서, 상기 주변 영역에는, 상기 제2 전극에 전위를 공급하기 위한 제2 전극용 전원선이 배설(arrange)되고, 상기 보조 전극 은, 상기 제2 전극과 겹치지 않는 부분에서 상기 제2 전극용 전원선과 접하는 부분을 갖는다. 따라서, 보조 전극만이 제2 전극용 전원선과 겹치고, 이 겹치는 부분을 통하여 제2 전극에 전위가 공급된다. 한편, 절연층의 단차의 영향으로, 보조 전극에 단선 또는 균열이 생겨 저항치가 증가할 우려가 있다. 이 경우, 공통 전극에 공급되는 전압의 강하가 현저해진다. 그러나, 본 발명에서는, 공통 전극의 단이 절연층의 단보다도 외측에 배치되어 있기 때문에, 보조 전극 중 단선 또는 균열이 생기기 쉬운 개소(즉, 절연층의 단(端)의 단차(段差)와 겹치는 부분)보다도, 제2 전극용 전원선측으로 삐어져 나와 있다. 따라서, 절연층의 단의 단차에 의해 보조 전극에 단선이나 균열이 생긴 경우에도, 제2 전극용 전원선으로부터의 전위를 공통 전극 및 보조 전극의 다른 부분에 대하여 공급하는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 소자의 휘도 불균일이 억제된다.
상기 형태에 있어서, 상기 제2 전극은, 상기 보조 전극보다도 하층에 배치되는 것이 바람직하다. 이 형태에 의하면, 제2 전극이 보조 전극의 단차로부터 영향을 받는 일이 없기 때문에, 제2 전극의 단선 혹은 균열이 생길 가능성을 억제할 수 있다.
덧붙여, 상기 제2 전극 및 상기 보조 전극의 각각이, 상기 제2 전극용 전원선과 접하는 부분을 갖는 것이 바람직하다. 이 형태에 의하면, 보조 전극에 더하여, 제2 전극도 제2 전극용 전원선에 접하는 부분을 갖기 때문에, 제2 전극용 전원선으로부터 제2 전극까지의 저항을 저감할 수 있고, 전압의 강하에 기인하는 발광 소자의 휘도 불균일이 억제된다.
본 발명의 다른 매우 적합한 형태에 있어서, 상기 주변 영역에는, 상기 제2 전극에 전위를 공급하기 위한 제2 전극용 전원선이 배설되고, 상기 보조 전극은, 상면(上面)이 상기 제2 전극과 접하고 하면(下面)이 상기 제2 전극용 전원선과 접하는 부분을 갖는다. 보조 전극에 더하여, 제2 전극도 제2 전극용 전원선에 겹치는 부분을 갖기 때문에, 제2 전극용 전원선으로부터 제2 전극까지의 저항을 저감할 수 있어 전압의 강하에 기인하는 발광 소자의 휘도 불균일이 억제된다.
또한, 본 발명에 따른 제2 발광 장치는, 기판상에 복수의 발광 소자가 배열된 유효 영역과 당해 유효 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 발광 장치로서, 상기 복수의 발광 소자의 각각에 대응하여 형성된 복수의 제1 전극과, 상기 복수의 발광 소자에 공통으로 형성된 제2 전극과, 상기 복수의 제1 전극과 상기 제2 전극과의 사이에 개재하는 발광층과, 상기 제2 전극과 전기적으로 접속한 보조 전극과, 상기 발광 소자의 발광을 제어하기 위한 회로 소자가 배치된 소자층과, 상기 제2 전극 또는 상기 보조 배선과 상기 소자층과의 사이를 절연하는 절연층을 구비하고, 상기 절연층은, 상기 유효 영역 전체와 상기 주변 영역의 적어도 일부를 포함하는 제1 영역에 형성되어 있고, 상기 제2 전극은, 상기 유효 영역 전체에 있어서 상기 제1 영역과 겹치고, 상기 주변 영역에 있어서 상기 제1 영역보다도 제1 방향으로 삐어져 나온 제2 영역에 형성되어 있고, 상기 보조 전극은, 상기 유효 영역에 있어서 상기 복수의 발광 소자의 간극을 통과하도록 형성되어 있고, 그리고, 상기 주변 영역 중 상기 제2 영역이 상기 제1 영역보다도 삐어져 나온 측에 있어서, 상기 제1 영역의 내측과 상기 제1 영역의 외측이고 또한 상기 제2 영역의 내측인 영역을 통 과하여 상기 제2 영역의 외측에 이르도록 형성되어 있다.
본 발명에 있어서는, 공통 전극이 형성된 제2 영역이, 절연층이 형성된 제1 영역보다도 삐어져 나온 측에 있어서, 보조 전극은 제2 영역의 외측에 이르도록 형성된다. 또한, 보조 전극은, 유효 영역에 있어서는, 발광 소자의 간극의 영역을 통과하도록 형성된다. 따라서, 보조 전극의 형성에는 고정밀도의 위치 맞춤 기구가 이용되는 것에 대하여, 공통 전극은 유효 영역 전체를 덮는 영역에 균일하게 형성되기 때문에, 공통 전극을 형성할 때에는 위치 맞춤 정밀도가 보조 전극만큼 요구되지 않는다. 따라서, 보조 전극의 오차는 공통 전극보다도 작기 때문에, 본 발명에 의하면, 공통 전극의 단을 보조 전극의 단보다도 외측에 배치하는 구성과 비교하여, 보조 전극의 오차에 따라서 틀 영역을 축소할 수 있어, 장치의 소형화가 가능해진다.
또한, 보조 전극 중, 절연층의 단과 겹치는 부분에서는, 단차에 의한 단선 또는 균열이 생기기 쉽지만, 본 발명의 발광 장치에서는, 제2 영역이 제1 영역보다도 삐어져 나온 측에 있어서는, 공통 전극의 단은 보조 전극의 단선 또는 균열이 발생할 수 있는 개소보다도 외측까지 연장되어 형성되어 있다. 이 때문에, 보조 전극에 단선 또는 균열이 생긴 경우에 있어서도 저항치의 증가를 억제할 수 있다. 따라서, 발광 소자의 휘도 불균일을 억제하는 것이 가능하다. 덧붙여, 절연층은, 아크릴 등의 투습성의 재료로 형성되는 경우가 많다. 그 경우, 절연층을 통하여 외부로부터 수분이 진입하여, 발광층의 열화가 생길 우려가 있다. 그러나, 본 발명에서는, 공통 전극의 단이 절연층의 단보다도 외측에 배치됨으로써, 절연층에 수 분이 진입하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 발광 소자의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 소자의 열화에 의한 휘도의 저하를 억제할 수 있다.
상기 제2 발광 장치의 매우 적합한 형태에 있어서, 상기 복수의 발광 소자는, 매트릭스 형상으로 배열하고 있고, 상기 보조 전극은, 상기 복수의 발광 소자의 간극을 통과하고, 또한, 상기 유효 영역의 내측으로부터 외측에 이르도록, 상기 제1 방향을 따라 스트라이프(stripe) 형상으로 형성된 복수의 개별 전극을 갖는다. 바람직하게는, 상기 보조 전극은, 상기 주변 영역에 있어서 상기 복수의 개별 전극을 서로 접속하는 접속 전극을 추가로 갖도록 해도 좋다. 이 경우, 상기 절연층의 상기 제1 방향에 있어서의 단(端)이 상기 접속 전극과 겹치도록 상기 접속 전극을 배치하도록 해도 좋다.
상기 제2 발광 장치의 다른 매우 적합한 형태에 있어서, 상기 복수의 발광 소자는, 매트릭스 형상으로 배열하고 있고, 상기 보조 전극은, 상기 복수의 발광 소자의 간극을 통과하고, 또한, 상기 유효 영역의 내측으로부터 상기 제2 영역의 외측에 이르도록 상기 제1 방향을 따라 스트라이프 형상으로 형성된 복수의 개별 전극이다.
또한, 상기 제2 발광 장치에 대해서 전술한 어느 한 형태에 있어서, 바람직하게는, 상기 제2 전극에 전위를 공급하기 위한 제2 전극용 전원선이, 상기 제1 방향과 교차하도록 상기 주변 영역에 형성되어 있고, 상기 제2 전극용 전원선은, 상기 보조 전극과 전기적으로 접속되도록 해도 좋다. 이 경우, 상기 제2 전극용 전원선은, 상기 제1 영역의 외측에 형성하도록 해도 좋다.
또한, 본 발명은, 상기 어느 한 형태의 제1 또는 제2 발광 장치를 갖는 전자 기기로서도 파악된다. 이 전자 기기에 의하면, 전술한 어느 한 효과를 달성 가능하다.
이하, 첨부의 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 실시 형태를 설명한다. 또한, 도면에 있어서는, 각 부의 수치의 비율은 실제의 것과는 적절히 다르게 되어 있다.
<A-1: 제1 실시 형태>
도1a 는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치(1)의 구성의 일부를 나타내는 개략 평면도이고, 도1b 는 도1a 의 상태 후에 보조 전극(150) 및 화소 전극(76)을 추가로 형성한 상태를 나타내는 평면도이다. 도1a 에 나타내는 바와 같이, 이 발광 장치(1)는, 기판(10)과 플렉시블 기판(20)을 구비한다. 기판(10)의 단부에는 접속 단자가 형성되고, 이 접속 단자와 플렉시블 기판(20)에 형성된 접속 단자가, ACF(anisotropic conductive film: 이방성 도전막)라고 불리는 도전 입자를 함유한 필름 형상의 접착제를 개재하여 압착 고정된다. 또한, 플렉시블 기판(20)에는, 데이터선 구동 회로(200)가 형성되어 있고, 또한, 플렉시블 기판(20)을 통하여 각종의 전원 전압이 기판(10)에 공급된다.
기판(10)에는, 유효 영역(A)과, 그 외측(즉, 기판 또는 기판(10)의 외주(外周)와 유효 영역(A)의 사이)의 주변 영역(B)이 형성되어 있다. 주변 영역(B)에는 주사선 구동 회로(100A 및 100B), 및 프리차지 회로(120)가 형성되어 있다. 프리 차지 회로(120)는 기입 동작에 앞서, 데이터선(112)의 전위를 소정의 전위로 설정하기 위한 회로이다. 주사선 구동 회로(100A 및 100B), 및 프리차지 회로(120)는, 유효 영역(A)의 주변에 있는 주변 회로이다. 단, 주변 회로는, 단위 회로(P)나 배선의 양부(良否)를 검사하는 검사 회로(도시 안 함)를 포함해도 좋고, 데이터선 구동 회로(200)가 주변 영역(B)에 형성된 주변 회로이어도 좋다.
유효 영역(A)에는, 복수의 주사선(111)과 복수의 데이터선(112)이 형성되고, 그것들의 교차점의 각각의 근방에는 복수의 단위 회로(화소 회로)(P)가 형성되어 있다. 단위 회로(P)는 OLED(organic light emitting diode) 소자를 포함하고, 전류 공급선(113)으로부터 급전을 받는다. 복수의 전류 공급선(113)은 제1 전극용 전원선(130)에 접속되어 있다.
도2 는, 발광 장치(1)의 단위 회로(P)의 상세를 나타내는 회로도이다. 각 단위 회로(P)는, n채널형의 트랜지스터(68), p채널형의 트랜지스터(60), 용량 소자(69) 및, 발광 소자(OLED 소자)(70)를 포함한다. p채널형의 트랜지스터(60)의 소스 전극은 전류 공급선(113)에 접속되는 한편, 그 드레인 전극은 발광 소자(70)의 양극(陽極)에 접속된다. 또한, 트랜지스터(60)의 소스 전극과 게이트 전극과의 사이에는, 용량 소자(69)가 형성되어 있다. n채널형의 트랜지스터(68)의 게이트 전극은 주사선(111)에 접속되고, 그 소스 전극은, 데이선(112)에 접속되고, 그 드레인 전극은 트랜지스터(60)의 게이트 전극과 접속된다.
단위 회로(P)는, 그 단위 회로(P)에 대응하는 주사선(111)을 주사선 구동 회로(100A 및 100B)가 선택하면, 트랜지스터(68)가 온 되어, 데이터선(112)을 통하여 공급되는 데이터 신호를 내부의 용량 소자(69)에 유지(hold)한다. 그리고, 트랜지스터(60)가, 데이터 신호의 레벨에 따른 전류를 발광 소자(70)에 공급한다. 이에 따라, 발광 소자(70)는, 데이터 신호의 레벨에 따른 휘도로 발광한다.
또한, 도1a 에 나타내는 바와 같이, 주변 영역(B)의 외주부측(즉 기판 또는 기판(10)의 외주와 주변 영역(B)의 사이)에는, ㄷ자 형상의 제2 전극용 전원선(140)이 형성되어 있다. 제2 전극용 전원선(140)은, 후술하는 바와 같이 발광 소자의 음극(제2 전극)에 전원 전압(이 예에서는, Vss:그랜드 레벨)을 공급하기 위한 배선이다. 또한, 제2 전극용 전원선(140)을 ㄷ자 형상으로(즉, 기판(10)의 3변을 따라) 배설하는 대신에, 기판(10)의 대향하는 2변을 따라 형성하는 형태로 해도 좋다. 즉, 도시의 예에서는, 각 주사선 구동 회로(100A 및 100B)를 따라 배설해도 좋다.
발광 소자(70)는, 화소 전극(76)(양극)과 공통 전극(72)(음극)과의 사이에 끼워진 발광 기능층(발광층을 포함함)(74)을 갖는다(도4 참조). 공통 전극(72)은, 도1b 에 나타내는 바와 같이 유효 영역(A) 전체와 주변 영역(B)의 일부에 걸치는 영역(제2 영역)에 형성된다. 또한, 공통 전극(72)과 제2 전극용 전원선(140)을 접속하는 보조 전극(150)이, 주변 영역(B)에 있어서 주변 회로를 덮도록 형성된다. 보조 전극(150)은, 유효 영역(A)에 형성된 보조 전극의 제1 부분(150a)과, 주변 영역(B)에 형성된 보조 전극의 제2 부분(150b)을 포함하고 있다. 유효 영역(A)에서는 보조 전극(150)의 제1 부분(150a)과 화소 전극(76)이 접촉하지 않도록, 보조 전극(150)의 제1 부분(150a)이 격자 형상으로 형성되어 있다. 즉 발광 소자(70)의 간극에 보조 전극(150)의 제1 부분(150a)이 배치되어 있다. 본 명세서에서 말하는 보조 전극이란, 공통 전극(72)에 겹쳐서 전기적으로 접속되어, 공통 전극(72)의 저항을 낮추는 도체를 말한다. 명확화를 위해, 도3 에 도1b 의 일부를 확대하여 나타낸다.
이 실시 형태의 발광 장치(1)는, 톱(top) 이미션의 형식으로 구성되어 있고, 발광 기능층(74)으로부터의 빛이 공통 전극(72)을 통과하여 사출된다. 공통 전극(72)은, 투명 재료로 형성되어 있다. 이 때문에, 주변 영역(B)을 공통 전극(72)에 의해 차광할 수는 없다. 한편, 전술한 보조 전극(150)에는, 도전성 및 차광성을 갖는 금속이 이용되기 때문에, 보조 전극(150)에 의해 차광이 가능하다. 이에 따라, 주변 회로에 빛이 입사하여 광전류가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 보조 전극(150)은, 유효 영역(A)의 화소 전극(76)과 동일한 공정으로 형성될 수 있다. 따라서, 주변 영역(B)에 차광성을 부가하기 위해 특별한 공정은 불필요하다.
도4 에 발광 장치(1)의 부분 단면도를 나타낸다. 동도에 있어서, 유효 영역(A)에는 발광 소자(70)가 형성되는 한편, 주변 영역(B)에는 주변 회로인 주사선 구동 회로(100A)가 형성된다. 동도에 있어서 발광 장치(1)의 상면이 빛을 사출하는 사출면이 된다. 동도에 나타내는 바와 같이, 기판(10)의 위에 하지(base) 보호층(31)이 형성되고, 그 위에 트랜지스터(40, 50, 및 60)가 형성된다. 트랜지스터(40)는 n채널형, 트랜지스터(50 및 60)는 p채널형이다. 트랜지스터(40, 50)는 주사선 구동 회로(100A)의 일부이고, 트랜지스터(60)와 발광 소자(70)는 단위 회로(P)의 일부이다.
트랜지스터(40, 50, 및 60)는, 기판(10)의 표면에 형성된 산화규소를 주체로 하는 하지 보호층(31)의 위에 형성되어 있다. 하지 보호층(31)의 상층에는 실리콘층(401, 501 및 601)이 형성된다. 실리콘층(401, 501 및 601)을 덮도록, 게이트 절연층(32)이 하지 보호층(31)의 상층에 형성된다. 게이트 절연층(32)은, 예를 들면 산화규소로 형성된다. 게이트 절연층(32)의 상면 중 실리콘층(401, 501 및 601)에 대향하는 부분에 게이트 전극(42, 52 및 62)이 형성된다. 트랜지스터(40)에 있어서 게이트 전극(42)을 통하여 실리콘층(401)에는 Ⅴ족 원소가 도핑되고, 드레인 영역(40c) 및 소스 영역(40a)이 형성된다. 여기서, Ⅴ족 원소가 도핑되어 있지 않은 영역이 채널 영역(40b)이 된다.
트랜지스터(50 및 60)에 있어서 게이트 전극(52 및 62)을 통하여 실리콘층(501 및 601)에는 게이트 전극(52 및 62)을 통하여 Ⅲ족 원소가 도핑되고, 드레인 영역(50a 및 60a), 및 소스 영역(50c 및 60c)이 형성된다. 여기서, Ⅲ족 원소가 도핑되어 있지 않은 영역이 채널 영역(50b 및 60b)이 된다. 또한, 트랜지스터(40, 50, 및 60)의 게이트 전극(42, 52, 및 62)을 형성함과 동시에 주사선(111)이 형성된다.
제1 층간 절연층(33)이, 게이트 전극(42, 52, 및 62)을 덮도록 게이트 절연층(32)의 상층에 형성된다. 제1 층간 절연층(33)의 재료에는 산화규소 등이 이용된다. 또한, 소스 전극(41, 51, 및 63), 드레인·소스 전극(43) 및, 드레인 전극(61)이, 게이트 절연층(32) 및 제1 층간 절연층(33)에 걸쳐 개공(開孔)하는 콘택트 홀을 통하여 실리콘층(401, 501, 및 601)과 접속된다. 또한, 이들의 전극과 동 일한 공정으로 제2 전극용 전원선(140), 데이터선(112) 및 전류 공급선(113)이 형성된다. 이들의 전극 및 제2 전극용 전원선(140) 등은 도전성을 갖는 알루미늄 등의 재료로 형성된다.
회로 보호막(34)이, 소스 전극(41, 51, 및 63), 드레인·소스 전극(43), 드레인 전극(61) 및, 제2 전극용 전원선(140)을 덮도록 제1 층간 절연층(33)의 상층에 형성된다. 회로 보호막(34)은, 예를 들면, 질화규소나 산질화규소 등의 가스 투과율이 낮은 재료로부터 형성되어 있다. 또한, 이들의 질화규소나 산질화규소는, 비정질(非晶質) 재료이어도 좋고, 수소를 포함하고 있어도 좋다. 회로 보호막(34)에 의해, 트랜지스터(40, 50, 및 60)로부터의 수소의 이탈을 방지할 수 있다. 또한, 회로 보호막(34)을 소스 전극이나 드레인 전극의 아래에 형성해도 좋다.
제2 층간 절연막(35)이 회로 보호막(34)의 상층에 형성된다. 여기서, 제2 층간 절연막(35)은, 소스 전극(41, 51, 및 63), 드레인·소스 전극(43), 드레인 전극(61) 및, 제2 전극용 전원선(140)과, 후술의 화소 전극(76), 보조 전극(150), 또는 공통 전극(72)과의 사이에 형성되어, 이들을 절연하는 역할을 한다. 이 때에, 주사선이나 신호선에 공급되는 신호가 지연되지 않도록, 막두께가 설정된다. 또한, 제2 층간 절연막(35)은, 회로 보호막(34)에 대향하는 하면의 요철보다도 회로 보호막(34)과는 반대의 상면의 요철을 작게 하는 것이 바람직하다. 즉, 트랜지스터(40, 50, 및 60), 주사선(111), 데이터선(112), 전류 공급선(113) 등에 의해 생기는 요철을 평탄화하기 위해, 제2 층간 절연막(35)이 이용된다. 이 제2 층간 절 연막(35)은, 유효 영역(A) 전체와 주변 영역(B)의 적어도 일부를 포함하는 영역(제1 영역)에 형성된다. 전술의 제2 영역(공통 전극(72)이 형성되는 영역)은, 유효 영역(A) 전체에 있어서 제1 영역과 겹치고, 주변 영역(B)에 있어서 제1 영역보다도 기판(10)의 면 내에 있어서의 외측 방향으로 삐어져 나온 영역이다. 상세하게는, 본 실시 형태에 있어서는, 기판(10)의 4변 중 제2 전극용 전원선(140)이 배설된 좌우 양변 및 상변의 적어도 3변측에 있어서는, 제2 영역은 제1 영역보다도 기판(10)의 면 내에 있어서의 외측 방향으로 돌출되어 있다.
제2 층간 절연막(35)의 재료에는, 예를 들면, 아크릴계, 폴리이미드계의 유기 고분자 재료가 이용된다. 이 경우, 유기 수지에 패터닝(patterning)을 위한 감광성 재료를 혼합하여, 포토레지스트와 동일하게 노광으로 패터닝해도 좋다. 또는, 산화규소, 산질화규소 등의 무기 재료로부터 화학기상성장법(chemical vapor deposition: CVD)에 의해 제2 층간 절연막(35)을 형성하고, 에칭 등에 의해 그 상면을 평탄화해도 좋다. 무기 재료는 화학기상성장법에 의해 막을 형성한 경우, 그 막두께는 1㎛ 이하이고, 게다가 거의 균일하기 때문에, 상면이 하층의 요철의 영향을 받기 쉬운 것에 대하여, 유기 수지는 코팅에 의해 형성하기 때문에 그 막두께를 2∼3㎛ 정도로 크게 할 수 있고, 게다가 그 상면은 하층의 요철의 영향을 받기 어렵기 때문에 제2 층간 절연막(35)의 재료로 적합하다. 그러나, 어느 정도의 요철을 허용하는 것이라면, 산화규소, 산질화규소 등의 무기 재료를 제2 층간 절연막(35)에 이용할 수도 있다.
제2 층간 절연막(35)상에는, 유효 영역(A)에 화소 전극(76)(제1 전극) 및 보 조 전극의 제1 부분(150a)을 형성함과 동시에, 주변 영역(B)에 보조 전극의 제2 부분(150b)을 형성한다. 즉, 화소 전극(76)과 보조 전극(150)은 동일한 층에 있어서, 동일한 재료를 이용하여 동시에 형성된다. 이 실시 형태에 있어서의 화소 전극(76)은 발광 소자(70)의 양극이며, 발광 소자(70)마다 상호 이간되어 형성되어, 제2 층간 절연막(35) 및 회로 보호막(34)을 관통하는 콘택트 홀을 통하여 트랜지스터(60)의 드레인 전극(61)과 접속된다. 또한, 양극인 화소 전극(76)의 재료로서는, 워크 함수가 큰 재료가 바람직하여, 예를 들면, 니켈, 금, 백금 등 또는 그들의 합금이 매우 적절하다. 이들의 재료는 반사성을 가지기 때문에, 발광 기능층(74)에서 발광한 빛을 공통 전극(72)을 향하여 반사한다. 이 경우에는, 보조 전극(150)도 이들의 재료로 형성된다.
또한, 화소 전극(76)으로서는, 워크 함수가 높은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), 또는 ZnO2와 같은 산화 도전 재료로 이루어지는 광투과성, 도전성을 구비한 제1 층과, 반사성의 금속, 예를 들면 알루미늄으로 이루어지는 제2 층을 포함하고, 발광 기능층측에 제1 층이 형성되는 구성이어도 좋다. 이 경우에는, 보조 전극(150)은, 제1 층과 제2 층의 양쪽을 갖고 있어도 좋고, 이들 중 어느 한 층을 갖고 있어도 좋다.
보조 전극(150)은, 유효 영역(A)에 있어서 복수의 발광 소자(70)의 간극을 통과하도록 격자 형상으로 형성되고(제1 부분(150a)), 주변 영역(B)에 있어서는 공통 전극(72)이 형성된 제2 영역이, 제2 층간 절연막(35)이 형성된 제1 영역보다도 삐어져 나온 측(본 실시 형태에서는 기판(10)의 좌우 양변 및 상변측)에 있어서, 제1 영역의 내측과 제1 영역의 외측이고 그리고 제2 영역의 내측인 영역을 통과하여 제2 영역의 외측에 이르도록 형성된다(제2 부분(150b)). 보조 전극(150)은, 주변 영역(B)에 있어서, 회로 보호막(34)에 형성된 콘택트 홀을 통하여 제2 전극용 전원선(140)과 접속된다. 도시와 같이, 제2 전극용 전원선(140)상에는, 제2 층간 절연막(35)이 형성되지 않고, 회로 보호막(34)에 콘택트 홀을 형성하는 것만으로, 보조 전극(150)의 제2 부분(150b)을 제2 전극용 전원선(140)에 직접 접촉시킬 수 있다.
다음으로, 격벽(37)을 형성한다. 격벽(37)은, 각 화소 전극(76)의 외형 테두리를 덮도록 형성됨으로써, 개구부(37a)를 갖는다. 따라서, 개구부(37a)의 각각의 전체는, 화소 전극(76)에 겹치고, 발광 기능층(74)이 형성되기 전의 단계에서는, 개구부(37a)를 통하여 화소 전극(76)이 노출되어 있다. 격벽(37)은, 화소 전극(76)과 그 후에 형성되는 공통 전극(72)(제2 전극)과의 사이, 또는 복수의 화소 전극(76)끼리의 사이를 절연하는 것이다. 격벽(37)을 형성함으로써 각각의 화소 전극(76)을 독립하여 제어할 수 있고, 복수의 발광 소자를 각각 소정의 휘도로 발광시킬 수 있다. 즉 격벽(37)은 복수의 발광 소자를 구분한다. 예를 들면, 아크릴 또는 폴리이미드 등이 격벽(37)의 절연성 재료이다. 이 경우, 패터닝을 위해 감광성 재료를 혼합하여, 포토레지스트와 동일하게 노광으로 패터닝해도 좋다. 격벽(37)에는 콘택트 홀(CH)이 동시에 형성된다. 유효 영역(A)에 있어서, 이 콘택트 홀(CH)을 통하여 보조 전극(150)의 제1 부분(150a)과 후술하는 공통 전극(72)이 접 속된다. 또한, 주변 영역(B)에 있어서의 보조 전극(150)의 제2 부분(150b)의 위에는, 격벽(37)과 동일의 층이 형성되어 있지 않다.
다음으로, 화소 전극(76)의 위에, 적어도 발광층을 포함하는 발광 기능층(74)을 형성한다. 발광층에는 유기 EL 물질이 이용된다. 유기 EL 물질은, 저분자 재료이어도 좋고, 고분자 재료이어도 좋다. 발광 기능층(74)을 구성하는 다른 층으로서, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 블록층 및, 전자 블록층의 일부 또는 전부를 구비하고 있어도 좋다.
다음으로, 유효 영역(A) 및 주변 영역(B)에 걸쳐 보조 전극(150) 및 발광 기능층(74)을 덮도록, 공통 전극(72)(제2 전극)이 형성된다. 공통 전극(72)은 투명하며, 발광 소자(70)로부터의 빛은, 공통 전극(72)을 투과하여 도면 중 상측의 방향으로 사출된다. 이 실시 형태의 공통 전극(72)을 모든 발광 소자(70)의 음극으로서 기능시키기 위해, 공통 전극(72)은 전자를 주입하기 쉽도록, 워크 함수가 낮은 재료에 의해 형성된다. 예를 들면, 알루미늄, 칼슘, 마그네슘, 또는 리튬 등이나 그들의 합금이다. 또한, 이 합금은 워크 함수가 낮은 재료와 그 재료를 안정화시키는 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 마그네슘과 은의 합금이 매우 적절하다. 이들의 금속 또는 합금을 공통 전극(72)에 사용하는 경우에는, 투광성을 얻기 위해 두께를 작게 하면 좋다.
또한, 공통 전극(72)(제2 전극)은, 상기의 워크 함수가 낮은 재료, 또는, 워크 함수가 낮은 재료와 그 재료를 안정화시키는 재료로 이루어지는 제1 층과, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), 또는 ZnO2와 같은 산화 도전 재료로 이루어지는 광투과성, 도전성을 구비한 제2 층을 포함하고, 발광 기능층 측에 제1 층이 형성되는 구성이어도 좋다. ITO, IZO, 또는 ZnO2와 같은 산화 도전 재료는 치밀(緻密)한 소재이며, 가스 투과율이 낮다. 이와 같은 재료로 공통 전극(72)을 형성하면, 공통 전극(72)이 유효 영역(A) 및 주변 영역(B)에 걸쳐 형성되어 있기 때문에, 유효 영역(A)의 단위 회로(P) 및 주변 영역(B)의 주변 회로가 외기(外氣)로부터 보호되어, 이들의 열화가 억제된다. 이와 같이, 공통 전극(72)(제2 전극)이 상기의 제2 층을 포함하는 구성이면, 제1 층을 구성하는 재료와 비교하여 광투과성, 도전성이 우수하기 때문에, 공통 전극(72)의 전원 임피던스를 대폭 저감할 수 있음과 함께, 발광 기능층으로부터의 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 공통 전극(72)(제2 전극)이, 워크 함수가 낮은 재료와 그 재료를 안정화시키는 재료로 이루어지는 제1 층과, 상기의 산화 도전 재료로 이루어지는 제2 층을 포함하여 구성함으로써, 제1 층과 제2 층이 반응하여, 전자 주입 효율이 열화하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 공통 전극(72)을 형성함에 앞서, 격벽(37)에는 콘택트 홀(CH)이 형성된다. 이 콘택트 홀(CH)을 통하여 유효 영역(A)에 있어서 보조 전극의 제1 부분(150a)과 공통 전극(72)이 접속된다. 유효 영역(A)에 있어서 격자 형상으로 형성되는 보조 전극의 제1 부분(150a)(도1b 참조)에 공통 전극(72)이 접속됨으로써, 공통 전극(72)의 전원 임피던스를 대폭 저감할 수 있다. 이에 더하여, 보조 전극 의 제2 부분(150b)은, 주변 영역(B)에 있어서 격벽(37)에 의해 덮여 있지 않기 때문에 공통 전극(72)과 넓은 면적에서 면접촉하므로, 접속 저항을 낮출 수 있다. 따라서, 전원 임피던스를 대폭 저감하는 것이 가능해진다.
다음으로, 공통 전극(72) 및 보조 전극(150)을 덮도록 봉지막(sealing film;80)이 형성된다. 봉지막(80)에는, 예를 들면, 투명도가 높고 방습성이 양호한 산질화규소, 산화규소 등의 가스 투과율이 낮은 무기 재료가 이용된다. 이 봉지막(80)은, 주변 회로(트랜지스터(40, 50)를 갖는 주사선 구동 회로(100A, 100B) 및 프리차지 회로(120))의 영역 전체를 덮고 있다. 단, 기판(10)의 외단 테두리에는 봉지막(80)이 형성되지 않고, 이 외단 테두리에 있어서는, 회로 보호막(34)의 위에 실(seal;90)이 접합되고, 그 상부에 투명 봉지 기판(대향 기판)(110)이 접합된다. 실(90)은, 예를 들면, 접착제라도 좋고, 대향 기판(110)을 유지하기 위한 스페이서를 접착제로 접합해도 좋다.
도5 는, 도4 에 있어서의 영역(C)의 간략 단면도이다. 즉, 주변 영역(B) 중, 주사선 구동 회로(100)의 일부인 트랜지스터(40, 50)보다 외측의 단부의 단면도이다. 설명의 간략화를 위해, 도4 에 나타낸 하지 보호층(31), 게이트 절연층(32), 제1 층간 절연층(33), 회로 보호막(34) 및 이들의 각 층에 끼워진 트랜지스터(40, 50 및 60)의 각 전극을, 도5 에 있어서는 소자층(element layer;30)으로서 합쳐서 나타낸다. 이 소자층(30) 내의 상층부에는, 제2 전극용 전원선(140)이 형성되어 있고, 전술한 바와 같이, 제2 전극용 전원선(140)의 상면은 상층의 전극과의 콘택트 영역으로서 기능한다. 도4 에는, 소자층(30) 및 제2 전극용 전원 선(140) 외에, 제2 층간 절연막(35), 보조 전극(150), 공통 전극(72), 봉지막(80), 실(90) 및 대향 기판(110)이 나타나 있다. 이하, 이 도면을 참조하여, 각 층의 상대적인 위치 관계에 대해서 상세하게 설명한다.
또한, 전술한 바와 같이, 제2 층간 절연막(35)은 하층에 배치된 트랜지스터나 배선 등에 의해 생기는 요철을 평탄화하기 위해 이용된다. 덧붙여, 제2 층간 절연막(35)은, 아크릴계, 폴리이미드계의 절연성의 유기 고분자 재료 등으로 형성되기 때문에, 소자층(30) 내에 배치된 트랜지스터(40, 50, 60) 등의 회로 소자로부터 양극(76), 공통 전극(72), 보조 전극(150) 등의 전극을 절연하는 기능도 갖는다. 즉, 발광 소자의 발광을 제어하기 위한 회로 소자로부터 각 전극을 절연하는 절연층으로서 기능한다.
도5 에 나타나는 바와 같이, 제2 전극용 전원선(140)을 포함하는 소자층(30)의 상층에는 제2 층간 절연막(35)이 형성되고, 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)은, 제2 전극용 전원선(140)의 콘택트 영역의 내측의 단(E3)보다도 더욱 내측이다. 제2 층간 절연막(35)의 상면과, 소자층(30)의 상면 중 절연층의 단(E1)과 단(E3)의 사이에 끼워지는 영역 및 콘택트 영역에는, 보조 전극(150)의 제2 부분(150b)(이하, 단순히「보조 전극(150)」이라고 함)이 형성된다. 이에 따라, 보조 전극(150)은, 제2 전극용 전원선(140)과 접하여 겹치고, 제2 전극용 전원선(140)과 전기적으로 접속된다. 도시의 예에 있어서는, 보조 전극(150)의 단(E4)은 콘택트 영역의 외측의 단과 일치하고 있지만, 일치하고 있을 필요는 없고, 보조 전극(150)이 콘택트 영역을 덮도록 형성되어 있으면 좋다. 즉 보조 전극의 단(E4)은 콘택트 영역의 외측의 단보다도 더욱 외측에 위치하는 구성이어도 좋다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「내측」「외측」이란 기판(10)의 단(E5)을 기준으로 한 경우의 기판면 내에 있어서의 상대 위치를 나타낸다. 따라서, 전술의 설명에 있어서, 「단(E1)은, (중략) 단(E2)보다도 내측이다」란, 단(E1)과 기판(10)의 단(E5)과의 거리는, 단(E2)과 단(E5)과의 거리보다도 긴 것을 나타낸다.
보조 전극(150)의 위에는, 공통 전극(72)이 형성된다. 공통 전극(72)의 단(E2)은 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)보다도 외측에 위치한다. 한편, 공통 전극(72)의 단(E2)은, 보조 전극(150)의 단(E4)보다도 내측에 위치한다. 또한, 단(E2)은 제2 전극용 전원선(140)의 내측의 단(E3)보다도 내측에 위치한다. 환언하면, 보조 전극(150)은, 공통 전극(72)이 형성되어 있지 않은 부분(단(E2)보다 외측)에서, 제2 전극용 전원선(140)에 겹쳐서 전기적으로 접속되는 부분(단(E3)과 단(E4)의 사이)을 갖는다. 또한, 전술한 바와 같이, 보조 전극(150)은 화소 전극(76)과 동시에 형성되고, 이어서, 격벽(37), 발광 기능층(74)을 순서대로 형성한 후에, 격벽(37) 및 발광 기능층(74)을 덮도록, 공통 전극(72)이 형성된다.
전술한 바와 같이, 보조 전극(150)에는 도전성 및 차광성을 갖는 금속이 이용된다. 이 때문에, 유효 영역(A)에 있어서 보조 전극(150)과 화소 전극(76)이 겹치지 않도록, 보조 전극(150)의 제1 부분(150a)은 격자 형상으로 형성되어 있다. 즉, 유효 영역(A)에 있어서는, 발광 소자(70)로부터의 출사광을 차단하지 않도록, 발광 소자(70)의 간극에만 보조 전극(150)의 제1 부분(150a)이 배치된다. 발광 소자(70)는 서로 미소(微小)한 간격으로 배치되어 있기 때문에, 보조 전극(150)은 고 정밀도의 얼라인먼트 기구를 이용하여 형성되는 것이 바람직하다. 이에 대하여, 공통 전극(72)은, 투명 재료로 형성되기 때문에, 유효 영역(A)에 있어서 발광 소자(70)를 덮도록 유효 영역(A)내에 있어서 일관되게 형성되어 있다. 이 때문에, 공통 전극(72)은, 보조 전극(150)의 형성에 이용하는 얼라인먼트 기구보다도 정밀도가 낮은 것을 이용해도 형성하는 것이 가능하다. 그런데, 정밀도가 낮은 얼라인먼트 기구를 이용하여 공통 전극(72)이 형성된 경우, 공통 전극(72)의 단(E2)의 위치가 변동할 우려가 있다.
지금 여기서, 공통 전극(72)의 단(E2)의 위치의 오차의 범위를 t1으로 하고, 보조 전극(150)의 단(E4)의 위치의 오차의 범위를 t2라고 한다. 보조 전극(150)에 대하여 정밀도가 보다 높은 얼라인먼트 기구를 이용한 경우, t1＞t2가 된다. 또한 보조 전극(150)의 형성에 필요로 되는 정도의 정밀도를 갖는 단일의 얼라인먼트 기구를 보조 전극과 공통 전극(72)의 양쪽에 대하여 이용한 경우에는, 대략 t1=t2가 된다. 따라서, 보조 전극(150)의 오차 t2가 공통 전극(72)의 오차보다도 크게 될 가능성은 낮고, 가령, 후자의 경우에 있어서 t1＜t2가 되었다고 해도, 고정밀도의 얼라인먼트 기구를 이용하고 있기 때문에, t1의 오차는 그다지 문제가 되지 않는다. 그래서, 본 실시 형태에 있어서는, 보조 전극(150)의 단(E4)이 공통 전극(72)의 단(E2)보다도 외측에 위치하도록 구성한다. 이 구성에 의하면, 보조 전극(150)의 오차가 기판(10)의 단(E5)측에서 최대가 되는 위치(E4max)(단(E4)이 기판(10)의 단(E5)측에 가장 근접했을 경우의 위치)로부터 단(E5)까지의 거리를 고려하여, 주변 영역(B)의 폭(즉, 「틀 영역」)을 결정할 수 있다. 따라서, 보다 큰 오차가 허 용되는 공통 전극(72)의 단(E2)을 보조 전극(150)의 단(E4)보다도 외측에 배치하는 경우와 비교하여, 틀 영역을 축소하는 것이 가능해진다. 즉, 공통 전극(72)의 형성에 이용되는 얼라인먼트 기구의 정밀도가 틀 영역의 폭에 주는 영향을 저감하는 것이 가능해진다. 또한, 공통 전극(72)의 오차가 기판(10)의 단(E5)측에서 최대가 되는 위치(E2max)가, 보조 전극(150)의 오차가 기판(10)의 단(E5)측에서 최대가 되는 위치(E4max)보다도 내측이 되도록, 단(E2) 및 단(E4)의 기준 위치(오차가 없는 경우의 위치)를 정하는 것이 바람직하다.
또한, 이상의 구성에 있어서, 보조 전극(150)은 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)을 덮도록 형성되어 있다. 이 때문에, 단(E1) 부분의 단차에 의해, 보조 전극(150)에 단선이나 균열이 생기는 경우가 있다. 도6 에, 보조 전극(150)에 균열이 생긴 모습을 나타낸다. 도6 에 나타나는 바와 같이, 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)에 보조 전극(150)이 겹치는 부분에서, 보조 전극(150)에 균열(Ⅰ)이 생겨 있다. 균열(Ⅰ)이 생긴 개소에서는 전극의 저항치가 증가하고, 발광 소자(70)의 휘도 불균일이 발생할 우려가 있다. 그러나, 본 실시 형태의 발광 장치(1)에서는, 도6 에 나타내는 바와 같이, 공통 전극(72)의 단(E2)이 단(E1)보다도 외측에 위치한다. 즉, 공통 전극(72)은, 균열(Ⅰ)보다도 제2 전극용 전원선(140)에 가까운 영역에서 보조 전극(150)과 겹치는 부분(단(E1)과 단(E2)의 사이)을 갖고 있기 때문에, 균열(Ⅰ)에 의해 보조 전극(150)이 완전히 단선한 경우에도, 제2 전극용 전원선(140)으로부터 공급되는 전위를 공통 전극(72)에 공급할 수 있다. 또한, 균열(Ⅰ)에 의해 보조 전극(150)의 저항치가 증가한 경우에도, 공통 전극(72)을 통하여 전류가 흐르기 때문에 전압의 강하를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 소자(70)의 휘도 불균일이 억제된다.
덧붙여, 제2 층간 절연막(35)은 아크릴 등의 투습성의 재료로 구성되어 있기 때문에, 제2 층간 절연막(35)을 통하여 수분이 진입하여, 발광 재료의 열화가 생길 우려가 있다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 공통 전극(72)의 단(E2)을 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)보다도 외측에 배치하는 구성으로 하고 있다. 이에 따라, 단(E1)으로부터의 수분의 진입이 방지되고, 발광 소자의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 기능층(74)에 있어서의 발광층의 열화에 의한 발광 소자(70)의 휘도의 저하를 억제할 수 있다.
<A-2: 제1 실시 형태의 변형예>
전술한 실시 형태에서는, 보조 전극(150)과 화소 전극(76)이 동시에 형성된 경우의 구성에 대하여 설명했지만, 화소 전극(76)과 동시가 아니라 격벽(37)이 형성된 후의 공정에서 보조 전극(150)을 형성하도록 해도 좋다.
도7 은, 본 변형예에 따른 발광 장치(1A)의 부분 단면도이다. 도7 에 나타나는 바와 같이, 발광 장치(1A)에 있어서는, 제2 층간 절연막(35) 및 격벽(37)을 덮도록 보조 전극(150(150a, 150b))이 형성되어 있다. 전술한 실시 형태에서는, 도4 에 나타나는 바와 같이, 보조 전극(150)은 제2 층간 절연막(35)과 격벽(37)의 위에 형성된 부분을 갖고 있다. 이에 대하여, 이 변형예에서는, 격벽(37)이 있는 부분에서는, 격벽(37)의 위에 보조 전극(150)이 형성된다. 여기서, 격벽(37)은, 제2 층간 절연막(35)과 마찬가지로, 공통 전극(72)이나 보조 전극(15))을 트랜지스 터(40, 50, 60)로부터 분리하는 절연층으로서 기능한다. 또한, 전술한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 보조 전극(150)의 단(E4)은 제2 전극용 전원선(140)과 겹치고, 공통 전극(72)의 단(E2)은 보조 전극(150)의 단(E4)보다도 내측이고, 그리고, 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)의 외측에 형성된다.
발광 장치(1A)의 제조 공정의 개략은, 이하와 같다. 제2 층간 절연막(35)을 형성한 후, 제2 층간 절연막(35)의 상층에 화소 전극(76)을 형성한다. 이 후, 화소 전극(76)의 상층에 격벽(37)을 형성하고, 제2 층간 절연막(35) 및 격벽(37)의 위의 개구부(37a)를 제외하는 표면에 보조 전극(150)을 형성한다. 다음으로, 격벽(37)으로 획정된 화소 전극(76)상의 공간(즉, 개구부(37a))에 발광 기능층(74)을 형성한다. 또한, 역으로, 발광 기능층(74)을 형성한 후에 보조 전극(150)을 형성해도 좋다. 또한, 투명한 공통 전극(72)을 유효 영역(A) 및 주변 영역(B)에 걸쳐 형성한다. 이 후, 공통 전극(72)의 위에 봉지막(80)이 형성된다. 단, 기판(10)의 외단 테두리에는 봉지막(80)은 형성되지 않고, 이 외단 테두리에 있어서는, 회로 보호막(34)의 위에 실(90)이 접합되고, 그 상부에 투명 봉지 기판(110)이 접합된다.
보조 전극(150)을 형성한 후에 발광 기능층(74)을 형성하는 것이라면, 보조 전극(150)을 형성하는 시점에서 발광 기능층(74)이 아직 형성되어 있지 않기 때문에, 보조 전극(150)의 형성에 포토리소그래피를 이용해도 발광 기능층(74)을 열화시킬 우려가 없다. 따라서, 포토리소그래피에 의해 보조 전극(150)의 패턴을 형성할 수 있고, 트랜지스터(40, 50, 60)나 주사선(111) 등의 배선과 동일한 정밀도로 보조 전극(150)을 형성할 수 있다. 한편, 발광 기능층(74)을 형성한 후에 보조 전극(150)을 형성하는 것이라면, 보조 전극(150)이 발광 재료로 오염되는 일이 없이, 보조 전극(150)과 공통 전극(72)을 접속할 수 있다는 이점이 있다.
또한, 본 변형예에서는, 보조 전극(150)의 상층에 공통 전극(72)이 형성되기 때문에, 공통 전극(72)보다도 두꺼운 보조 전극(150)을 형성해도 공통 전극(72)에 응력이 걸리지 않는다. 따라서, 상층으로부터의 응력에 의한 공통 전극(72)의 변형이 억제된다.
또한, 보조 전극(150)은 공통 전극(72)과 동일한 재료를 이용해도 좋고, 보조 전극(150)은 공통 전극(72)보다도 저항이 높은 재료를 이용해도 좋다. 이 경우에는, 보조 전극(150)의 막두께를 공통 전극(72)보다도 두껍게 함으로써, 보조 전극(150)의 저항을 공통 전극(72)의 저항보다도 낮게 해도 좋다.
<B:제2 실시 형태>
다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광 장치(1B)에 대해서 설명한다. 발광 장치(1B)는, 공통 전극(72)의 단(E2)이 제2 전극용 전원선(140)의 내측의 단(E3)보다도 외측에 위치하는 점을 제외하고 제1 실시 형태의 발광 장치(1(도4)) 또는 발광 장치(1A(도7))와 동일하다. 따라서, 그 설명을 적절히 생략한다.
도8 에, 발광 장치(1B)의 부분 간략 단면도를 나타낸다. 도8 에 나타나는 바와 같이, 발광 장치(1B)에 있어서는, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 공통 전극(72)의 단(E2)은, 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)보다도 기판(10)의 면내에 있어서 외측에 형성되고, 보조 전극(150)의 단(E4)보다도 내측에 형성된다. 따라서, 상기 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.
덧붙여, 발광 장치(1B)에 있어서는, 공통 전극(72)의 단(E2)이, 제2 전극용 전원선(140)의 내측의 단(E3)보다도 외측에 위치한다. 제1 및 제2 실시 형태에서는 모두, 제2 전극용 전원선(140)과 공통 전극(72)은, 보조 전극(150)을 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 그러나, 제1 실시 형태에서는, 공통 전극(72)은, 제2 전극용 전원선(140)의 내측의 단(E3)보다 내측에서 보조 전극(150)과 접하는 것에 대하여, 제2 실시 형태에서는, 단(E3)과 단(E2)의 사이에서도 보조 전극(150)과 접하고 있다. 이 때문에, 공통 전극(72)으로부터 제2 전극용 전원선(14))까지의 저항을 저감할 수 있고, 상기 제1 실시 형태의 구성과 비교하여, 전압의 강하에 의한 발광 소자(70)의 휘도 불균일을 억제하는 것이 가능해진다.
<C: 제3 실시 형태>
다음으로, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치에 대해서 설명한다. 도9 는, 본 실시 형태에 따른 발광 장치(2A)의 부분 단면도이다. 도9 에 나타내는 바와 같이, 보조 전극(150)은 공통 전극(72)의 위에 면접촉하도록 형성되고, 보조 전극(150) 및 공통 전극(72)을 덮도록 봉지막(80)이 형성된다. 발광 장치(2A)는, 공통 전극(72)이 보조 전극(150)의 하층에 형성되는 점을 제외하고 제1 실시 형태의 변형예에 있어서의 발광 장치(1A(도7))와 동일하다. 따라서, 그 설명을 적절히 생략한다.
상기 발광 장치(1A)와 마찬가지로, 본 실시 형태에서는, 격벽(37)이 있는 부분에서는, 격벽(37)보다 상층에 보조 전극(150)이 형성된다. 따라서, 격벽(37)은, 제2 층간 절연막(35)과 마찬가지로, 공통 전극(72)이나 보조 전극(150)을 트랜지스터(40, 50, 60)로부터 분리하는 절연층으로서 기능한다.
발광 장치(2A)의 제조 공정의 개략은, 이하와 같다. 제2 층간 절연막(35)을 형성한 후, 제2 층간 절연막(35)의 상층에 화소 전극(76)을 형성한다. 이 후, 화소 전극(76)의 상층에 격벽(37)을 형성하고, 격벽(37)으로 획정된 화소 전극(76)상의 공간(즉, 개구부(37a))에 발광 기능층(74)을 형성한다. 또한, 투광성을 갖는 공통 전극(72)을 유효 영역(A) 및 주변 영역(B)에 걸쳐 형성한다. 이 후, 공통 전극(72)의 위의 개구부(37a)의 상층을 제외하는 영역에 보조 전극(150)을 형성하고, 봉지막(80)이 형성된다. 단, 기판(10)의 외단 테두리에는 봉지막(80)은 형성되지 않고, 이 외단 테두리에 있어서는, 회로 보호막(34)의 위에 실(90)이 접합되고, 그 상부에 투명 봉지 기판(110)이 접합된다.
도10 에, 도9 에 있어서의 영역(F)의 간략 단면도를 나타낸다. 도9 및 도10 에 나타나는 바와 같이, 발광 장치(2A)에 있어서는, 주사선 구동 회로(100)의 일부인 트랜지스터(40, 50)보다 기판(10)의 면내의 외측에 있어서, 공통 전극(72)의 단(E2)은, 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)보다도 외측에 형성되고, 보조 전극(150)의 단(E4)보다도 내측에 형성된다. 따라서, 상기 제1 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.
또한, 공통 전극(72)이 보조 전극(150)의 하층에 형성되기 때문에, 상기 제2 실시 형태의 구성과 비교하여, 보조 전극(150)의 단차의 영향에 의해 공통 전극(72)에 단선 또는 균열이 생길 가능성이 저감된다. 따라서, 공통 전극(72) 내의 전압의 강하에 의한 발광 소자(70)의 휘도 불균일이 억제된다.
<D: 제4 실시 형태>
다음으로, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치(2B)에 대해서 설명한다. 발광 장치(2B)에 있어서는, 공통 전극(72)이 보조 전극(150)의 하층에 형성되고, 그리고, 공통 전극(72)의 단(E2)이 제2 전극용 전원선(140)의 내측의 단(E3)보다도 외측에 위치한다. 또한, 발광 장치(2A)는, 이들 점을 제외하고 제3 실시 형태의 발광 장치(2A)와 동일하다. 따라서, 그 설명을 적절히 생략한다.
도11 에, 발광 장치(2B)의 부분 간략 단면도를 나타낸다. 도11 에 나타나는 바와 같이, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 공통 전극(72)의 단(E2)은, 제2 층간 절연막(35)의 단(E1)보다도 기판(10)의 면내에 있어서 외측에 형성되고, 보조 전극(150)의 단(E4)보다도 내측에 형성된다. 따라서, 제1 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.
덧붙여, 발광 장치(2B)에 있어서는, 공통 전극(72)은 보조 전극(150)의 하층에 형성되고, 그리고, 공통 전극(72)의 단(E2)이 제2 전극용 전원선(140)의 내측의 단(E3)보다도 외측에 위치한다. 따라서, 보조 전극(150)의 단차의 영향에 의해 공통 전극(72)에 단선 또는 균열이 생길 가능성이 저감된다. 또한, 공통 전극(72)이 제2 전극용 전원선(140)과 겹치는 부분을 갖기 때문에, 제2 전극용 전원선(140)의 콘택트 영역에 보조 전극(150)과 공통 전극(72)의 양쪽이 전기적으로 접속된다. 따라서, 전압의 강하에 의한 발광 소자(70)의 휘도 불균일이 억제된다.
<E: 변형예>
(1) 상기 제1∼제4 실시 형태에 있어서는, 공통 전극(72) 또는 보조 전극(150)의 상층을 봉지막(80)으로 덮음으로써, 소자층(30), 제2 전극용 전원선(140), 제2 층간 절연막(35), 공통 전극(72), 보조 전극(150)을 포함하는 층 구조를 외기로부터 보호하는 구성으로 하고 있었지만, 봉지막(80)을 생략하는 구성으로 해도 좋다.
도12 에 본 변형예에 따른 발광 장치(1E)의 간략 단면도를 나타낸다. 도12 에 나타나는 바와 같이, 발광 장치(1E)에 있어서는, 봉지막(80)이 형성되어 있지 않고, 실(90)과 대향 기판(110)에 의해, 기판(10)상에 형성된 층 구조를 보호하고 있다. 또한, 대향 기판(110)의 내측에, 수분을 흡착하기 위한 건조제(도시 생략)를 배치하거나, 또는, 대향 기판(110) 자체에 건조제를 매입한 것을 이용하는 구성으로 해도 좋다. 또한, 대향 기판(110)과 실(90)의 대신에 봉지캔을 이용해도 좋다.
도13 에 본 변형예에 따른 다른 발광 장치(1F)의 간략 단면도를 나타낸다. 도13 에 나타나는 바와 같이, 발광 장치(1F)에 있어서는, 대향 기판(110)과 기판(10)의 위에 형성된 층 구조와의 사이에 방습성 충전재(65)를 충전함으로써, 층 구조를 외기로부터 보호하고 있다. 방습성 충전재(65)로서는 광투과성이고 저흡습의 것이 바람직하고, 에폭시계, 또는 우레탄계 접착제 등을 이용할 수 있다.
(2) 상기 제1∼제4 실시 형태에 있어서는, 제2 전극용 전원선(140)이 주변 영역(B)에 ㄷ자 형상으로 형성된 형태에 대해서 설명했지만, 이에 한정되지 않고 적절히 변형이 가능하다.
각 도14 및 도15 는, 본 변형예에 따른 각 발광 장치의 레이아웃의 개략을 설명하기 위한 도면이다. 이들 도면에 있어서, 전술한 실시 형태와 공통되는 부분에 대해서는 동일의 부호를 붙이고, 그 설명은 적절히 생략한다.
도14a에 나타내는 바와 같이, 발광 장치(3A)에 있어서는, 기판(10)의 대향하는 2변의 각 변 테두리부를 따라 제2 전극용 전원선(140)이 배설된다. 또한, 남는 2변의 한쪽 변을 따르는 영역에 신호 입력 단자(G)가 배설되고, 당해 신호 입력 단자(G)의 기판(10)의 면내에 있어서의 내측에는 제1 전극용 전원선(130)이 배설된다. 제2 전극용 전원선(140)의 내측에는 유효 영역(A)을 따라 주사선 구동 회로(100A 및 100B)가 각각 유효 영역(A)을 따라 배치되고, 제2 전극용 전원선(140)에 의해 급전됨과 함께, 신호 입력 단자(G)를 통하여 외부로부터의 제어 신호가 부여된다. 또한, 제1 전극용 전원선(130)의 내측에는 데이터선 구동 회로(200)가 유효 영역(A)을 따라 배치된다. 데이터선 구동 회로(200)는, 제1 전극용 전원선(130)으로부터 급전되면서 신호 입력 단자(G)를 통하여 외부로부터의 제어 신호를 수취하여, 각 데이터선에 부여한다.
이 예에 있어서, 제2 층간 절연막(35)은, 유효 영역(A), 주사선 구동 회로(100A, 100B), 및 데이터선 구동 회로(200)의 전부, 및 제1 전극용 전원선(130)의 일부(도시의 예에서는, 신호 입력 단자(G)가 배설된 변을 길이 방향으로 했을 때, 길이 방향으로 연재하는 부분 전부와 길이 방향과 직교하는 방향으로 기판(10)의 하변(下邊)을 향하여 연장되는 부분의 일부)를 덮도록 형성된다. 또한, 공통 전극(72)은, 유효 영역(A) 및 주사선 구동 회로(100A, 100B)의 전부를 덮고, 제2 전극용 전원선(140)이 배설되는 측의 그 좌우의 단은, 제2 층간 절연막(35)의 단보다도 외측이고, 그리고, 제2 전극용 전원선(140)의 내측에 위치하거나, 또는 제2 전극용 전원선(140)과 겹치도록 형성된다. 한편, 공통 전극(72)의 단 중, 하변측(신호 입력 단자(G)측)의 단은, 유효 영역(A)의 외측 그리고 데이터선 구동 회로(200)의 내측에 위치하고, 상변측의 단은 제2 층간 절연막(35)의 단보다도 외측에 위치한다. 또한, 제1 전극용 전원선(130)과 제2 전극용 전원선(140)을 다른 층에서 형성하는 경우에는, 다른 변과 마찬가지로, 공통 전극(72)의 단이 제2 층간 절연막(35)의 하변측의 단보다도 외측에 위치하고, 제2 층간 절연막(35)을 완전히 덮도록 해도 좋다. 즉, 본 변형예에 있어서는, 공통 전극(72)이 형성되는 제2 영역은, 적어도 기판(10)의 좌우 양변측 및 상변측에 있어서 제2 층간 절연막(35)이 형성되는 제1 영역보다도 삐어져 나와 있다.
보조 전극은, 신호 입력 단자(G)가 배설되는 변과 동일한 방향을 길이로 하는 스트라이프 형상의 개별 전극(150c)으로서 형성된다. 상세하게는, 개별 전극(150c)은 유효 영역(A)에 있어서는 발광 소자(70)의 간극을 통과하고, 주변 영역(B)에 있어서는 제1 영역의 내측과 제1 영역의 외측이고 그리고 제2 영역의 내측인 영역을 통과하여, 제2 영역의 외측에 이르고, 또한, 제2 전극용 전원선(140)과 겹치는 영역까지 연장되어 제2 전극용 전원선(140)과 전기적으로 접속한다. 즉, 그 단은, 제2 층간 절연막(35)의 단보다도 외측이고, 그리고, 공통 전극(72)의 단보다도 외측에 위치한다. 본 변형예에 의해서도, 전술한 각 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.
다음으로, 도14b에 나타나는 바와 같이, 발광 장치(3B)는, 주사선 구동 회로와 데이터선 구동 회로의 위치가 역전하고 있는 점을 제외하고, 발광 장치(3A)와 동일한 구성을 하고 있다. 즉, 발광 장치(3B)에 있어서는, 주사선 구동 회로(100)가 기판(10)의 하변측의 주변 영역(B)에 있어서 유효 영역(A)을 따라 배치되고, 데이터선 구동 회로(200A, 200B)가 기판(10)의 각 좌변 및 우변측의 주변 영역(B)에 배치된다. 제2 전극용 전원선(140)은, 각 데이터선 구동 회로(200A, 200B)의 외측에, 기판(10)의 대향하는 2변(좌우 양변)을 따라 배치되고, 개별 전극(150c)은, 제2 전극용 전원선(140)과 직교하는 방향(즉, 신호 입력 단자(G)가 배설되는 변과 동일한 방향)을 길이로 한 스트라이프 형상으로 형성된다. 발광 장치(3A)와 마찬가지로, 개별 전극(150c)의 좌우의 각 단은, 제2 층간 절연막(35)의 단보다도 외측이고, 그리고, 공통 전극(72)의 단보다도 외측에 위치하고, 제2 전극용 전원선(140)과 겹쳐서 접하도록 형성된다. 따라서, 발광 장치(3B)에 의해서도, 전술한 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.
또한, 발광 장치(3A 및 3B) 중 어느 것에 있어서도, 도14a의 우측에 나타나는 바와 같이, 개별 전극(150c)이 스트라이프 형상의 복수의 개별 전극(150c)과 주변 영역(B)에 형성되어 복수의 개별 전극(150c)을 접속하는 접속 전극(150d)을 갖도록 해도 좋다. 이 경우, 접속 전극(150d)은, 제1 영역의 내측에 겹치는 부분과, 제1 영역의 외측이고 그리고 제2 영역의 내측인 영역을 통과하여 제2 영역의 외측에 이르는 부분을 갖고, 또한 제2 전극용 전원선(140)과 겹치도록 형성된다. 즉, 접속 전극(150d)은, 제2 전극용 전원선(140)과 겹칠 뿐만 아니라, 제2 층간 절연 막(35)의 단 및 공통 전극(72)의 단이 접속 전극(150d)과 겹치도록 배치되어 있다.
도15a 및 15b에, 발광 장치의 다른 레이아웃 예를 나타낸다. 도15a에 나타나는 바와 같이, 발광 장치(4A)에 있어서는, 기판(10)의 하변 테두리를 따라 신호 입력 단자(G)가 배설되고, 그 내측에 제2 전극용 전원선(140)이 ㄷ자 형상으로 배설된다. 또한, 제2 전극용 전원선(140)의 내측에는 제1 전극용 전원선(130)이 ㄷ자 형상으로 배설되고, 이 제1 전극용 전원선(130)과 유효 영역(A)과의 사이에 데이터선 구동 회로(200)가 배설된다. 주사선 구동 회로(100A, 100B)는 유효 영역(A)의 좌우 각 변을 따르는 영역에 각각 배설된다.
도시와 같이, 제2 층간 절연막(35)은, 유효 영역(A) 전체와, 주사선 구동 회로(100A, 100B) 및 데이터선 구동 회로(200)의 전부와, 제1 전극용 전원선(130)의 일부(도시의 예에서는, 신호 입력 단자(G)가 배설된 변을 길이 방향으로 했을 때, 길이 방향으로 연재하는 부분)를 덮도록 형성된다. 공통 전극(72)은, 제2 층간 절연막(35)과 거의 동일한 부분을 덮고, 그리고, 제2 층간 절연막(35)을 완전히 덮도록 형성된다. 즉, 그 직사각형 영역의 모든 변측(邊側)에 있어서, 공통 전극(72)의 단은 제2 층간 절연막(35)보다도 기판(10)의 면내에 있어서 외측에 위치한다. 따라서, 본 변형예에 있어서는, 기판(10)의 모든 변측에 있어서, 공통 전극(72)이 형성되는 제2 영역은, 기판(10)의 면내에 있어서의 외측 방향으로 제2 층간 절연막(35)이 형성되는 제1 영역보다도 삐어져 나와 있다.
도시와 같이, 보조 전극은, 주사선 구동 회로(100A, 100B)와 평행한 방향을 길이로 하여 연재하는 스트라이프 형상의 개별 전극(150e)으로서 형성된다. 기 판(10)의 하단측에 있어서의 개별 전극(150e)의 단은, 제2 전극용 전원선(140)과 겹쳐서 접하도록 형성된다. 또한, 이 예에 있어서, 개별 전극(150e)은 제1 전극용 전원선(130)과 교차하고 있지만, 제1 전극용 전원선(130)과 제2 전극용 전원선(140)을 별개의 층으로 형성함으로써, 개별 전극(150e)이 제1 전극용 전원선(130)과 접하는 일이 없이 제2 전극용 전원선(140)에만 접하도록 형성한다. 마찬가지로, 공통 전극(72)과 제1 전극용 전원선(130)과는 겹치지만, 제1 전극용 전원선(130)과 제2 전극용 전원선(140)을 별개의 층으로 형성함으로써, 공통 전극(72)과 제1 전극용 전원선(130)이 전기적으로 접촉하지 않는 구성으로 할 수 있다. 한편, 기판(10)의 상단측에 있어서의 개별 전극(150e)의 단은, 제2 층간 절연막(35)의 단(제1 영역)보다도 외측이고, 그리고, 또한, 공통 전극(72)의 단(제2 영역)보다도 외측에 위치한다. 따라서, 발광 장치(4A)에 의해서도, 전술한 각 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.
다음으로, 도15b에 나타나는 바와 같이, 발광 장치(4B)는, 주사선 구동 회로와 데이터선 구동 회로의 위치가 역전하고 있는 점을 제외하고, 발광 장치(4A)와 동일한 구성을 하고 있다. 즉, 발광 장치(4B)에 있어서는, 주사선 구동 회로(100)가 기판(10)의 하변측의 주변 영역(B)에 있어서 유효 영역(A)을 따라 배치되고, 데이터선 구동 회로(200A, 200B)가 기판(10)의 각 좌변 및 우변측의 주변 영역(B)에 배치된다. 제2 전극용 전원선(140)은, 기판(10) 하단측에 있어서 신호 입력 단자(G)보다도 내측에 ㄷ자 형상으로 배치되고, 개별 전극(150e)은, 데이터선 구동 회로(200A, 200B)와 평행한 방향을 길이로 한 스트라이프 형상으로 형성된다. 발 광 장치(4A)와 마찬가지로, 개별 전극(150e)의 상하의 각 단은, 제2 층간 절연막(35)의 단보다도 외측이고, 그리고, 공통 전극(72)의 단보다도 외측에 위치함과 함께, 하단은, 제2 전극용 전원선(140)과 졉쳐서 접하도록 형성된다. 따라서, 발광 장치(4B)에 의해서도, 전술한 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.
도14a, 도14b, 도15a 및 도15b에 나타내는 바와 같이, 주변 영역(B)에 있어서, 개별 전극(150c, 150e)은, 제2 전극용 전원선(140)의 연재 방향에 대하여 교차하는 방향으로, 스트라이프 형상으로 연재하고 있다. 즉, 도1∼도3 에서는, 보조 전극(150)은 제2 전극용 전원선(140)의 연재 방향으로도 연재하고 있지만, 제2 전극용 전원선(140)의 연재 방향에 대하여 교차하는 방향으로만 연재시켜도 좋다. 환언하면, 보조 전극(150)은, 제2 전극용 전원선(140)의 연재 방향과 평행하게 형성될 필요는 반드시 없고, 제2 전극용 전원선(140)과 교차하도록 형성되어 있으면 좋다.
<F: 전자 기기>
다음으로, 본 발명에 따른 발광 장치를 이용한 전자 기기에 대해서 설명한다. 도16 내지 도18 에는, 이상의 어느 한 형태에 따른 발광 장치를 표시 장치로서 채용한 전자 기기의 형태가 도시되어 있다.
도16 은, 발광 장치를 채용한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는, 각종의 화상을 표시하는 발광 장치(1, 1A, 1B, 1E, 1F, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B)와, 전원 스위치(2001)나 키보드(2002)가 설치된 본체부(2010)를 구비한다. 발광 장치(1, 1A, 1B, 1E, 1F, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B)는 유기 발광 다이오드 소자를 발광 소자(70)로서 사용하고 있기 때문에, 시야각이 넓고 보기 쉬운 화면을 표시할 수 있다.
도17 은, 발광 장치를 적용한 휴대 전화기의 구성을 나타내는 사시도이다. 휴대 전화기(3000)는, 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(3002)과, 각종의 화상을 표시하는 발광 장치(1, 1A, 1B, 1E, 1F, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B)를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써, 발광 장치(1, 1A, 1B, 1E, 1F, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B)에 표시되는 화면이 스크롤된다.
도18 은, 발광 장치를 적용한 휴대 정보 단말(PDA:Personal Digital Assistants)의 구성을 나타내는 사시도이다. 정보 휴대 단말(4000)은, 복수의 조작 버튼(4001) 및 전원 스위치(4002)와, 각종의 화상을 표시하는 발광 장치(1, 1A, 1B, 1E, 1F, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B)를 구비한다. 전원 스위치(4002)를 조작하면, 주소록이나 스케줄장과 같은 여러 가지 정보가 발광 장치(1, 1A, 1B, 1E, 1F, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B)에 표시된다.
또한, 본 발명에 따른 발광 장치가 적용되는 전자 기기로서는, 도16 내지 도18에 나타낸 기기 외에, 디지털 스틸 카메라, TV, 비디오 카메라, 카내비게이션 장치, 페이저(pager), 전자 수첩, 전자 페이퍼, 전자 계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, TV 전화, POS 단말, 프린터, 스캐너, 복사기, 비디오 플레이어, 터치 패널을 구비한 기기 등등을 들 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광 장치의 용도는 화상의 표시에 한정되지 않는다. 예를 들면, 광 기입형의 프린터나 전자 복사기와 같은 화상 형성 장치에 있어서는, 용지에 형성되어야 할 화상에 따라 감광체를 노 광하는 광 헤드(기입 헤드)가 사용되지만, 이런 종류의 광 헤드로서도 본 발명의 발광 장치는 이용된다.
도1a는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 구성의 일부를 나타내는 개략 평면도이고, 도1b는 도1a의 상태의 후에 보조 전극 및 화소 전극을 추가로 형성한 상태를 나타내는 평면도이다.
도2 는 동 장치의 화소 회로의 상세를 나타내는 회로도이다.
도3 은 도1b의 일부의 확대도이다.
도4 는 동 장치의 부분 단면도이다.
도5 는 동 장치의 부분 간략 단면도이다.
도6 은 동 장치의 보조 전극에 균열이 생긴 모습을 나타내는 도면이다.
도7 은 제1 실시 형태의 변형예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이다.
도8 은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 부분 간략 단면도이다.
도9 는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 부분 단면도이다.
도10 은 동 장치의 부분 간략 단면도이다.
도11 은 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치의 부분 간략 단면도이다.
도12 는 본 발명의 변형예에 따른 발광 장치의 부분 간략 단면도이다.
도13 은 본 발명의 변형예에 따른 발광 장치의 부분 간략 단면도이다.
도14 는 본 발명의 변형예에 따른 발광 장치의 레이아웃의 개략이다.
도15 는 본 발명의 변형예에 따른 발광 장치의 레이아웃의 개략이다.
도16 은 발광 장치를 채용한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다.
도17 은 발광 장치를 적용한 휴대 전화기의 구성을 나타내는 사시도이다.
도18 은 발광 장치를 적용한 휴대 정보 단말의 구성을 나타내는 사시도이다.
(부호의 설명)
1, 1A, 1B, 1E, 1F, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B : 발광 장치
10 : 기판
70 : 발광 소자
34 : 회로 보호막
35 : 제2 층간 절연막(절연층)
37 : 격벽
37a : 개구부
65 : 방습성 충전재
72 : 공통 전극(제2 전극)
74 : 발광 기능층
76 : 화소 전극(제1 전극)
80 : 봉지막(sealing film)
90 : 실(seal)
100A, 100B : 주사선 구동 회로(주변 회로)
110 : 대향 기판
111 : 주사선
112 : 데이터선
113 : 전원 공급선
120 : 프리차지 회로
140 : 제2 전극용 전원선
150 : 보조 전극
150c, 150e : 개별 전극
150d : 접속 전극
200, 200A, 200B : 데이터선 구동 회로
A : 유효 영역
B : 주변 영역
C, F : 영역
E1∼E5 : 단(端)
G : 신호 입력 단자
P : 단위 회로

Claims (13)

  1. 기판 상에 복수의 발광 소자가 배열된 유효 영역과 당해 유효 영역을 둘러싸는 주변 영역을 가지며, 상기 각 발광 소자는 제1 전극과 제2 전극과 양자의 사이에 있는 발광층을 가지며, 상기 제2 전극은 상기 복수의 발광 소자에 공통으로 형성되고, 상기 발광 소자의 발광을 제어하기 위한 회로 소자가 배치된 소자층을 갖는 발광 장치로서,
    상기 제2 전극과 전기적으로 접속한 보조 전극과,
    상기 소자층의 상층에 배치됨과 함께, 상기 제2 전극 및 상기 보조 전극보다도 하층에 배치되는 부분을 가지며, 상기 제2 전극 및 상기 보조 전극을 상기 회로 소자로부터 절연하기 위한 절연층
    을 구비하며,
    상기 제2 전극은, 상기 유효 영역을 덮고, 상기 주변 영역으로 삐어져 나와(extend) 균일하게 형성되고,
    상기 보조 전극은, 상기 유효 영역에 있어서 상기 복수의 발광 소자의 간극을 통과하여, 상기 주변 영역의 일부에 형성되고,
    상기 주변 영역에 있어서, 상기 제2 전극의 단(端)은, 상기 보조 전극의 단보다도 상기 기판의 면 내에 있어서 내측에 위치함과 함께, 상기 절연층의 단보다도 외측에 위치하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주변 영역에는, 상기 제2 전극에 전위를 공급하기 위한 제2 전극용 전원선이 배설(arrange)되고,
    상기 보조 전극은, 상기 제2 전극과 겹치지 않는 부분에서 상기 제2 전극용 전원선과 접하는 부분을 갖는 발광 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 전극은, 상기 보조 전극보다도 하층에 배치되는 발광 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 전극 및 상기 보조 전극의 각각이, 상기 제2 전극용 전원선과 접하는 부분을 갖는 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 주변 영역에는, 상기 제2 전극에 전위를 공급하기 위한 제2 전극용 전원선이 배설되고,
    상기 보조 전극은, 상면이 제2 전극과 접하고 하면이 상기 제2 전극용 전원선과 접하는 부분을 갖는 발광 장치.
  6. 기판 상에 복수의 발광 소자가 배열된 유효 영역과 당해 유효 영역을 둘러싸 는 주변 영역을 갖는 발광 장치로서,
    상기 복수의 발광 소자의 각각에 대응하여 형성된 복수의 제1 전극과,
    상기 복수의 발광 소자에 공통으로 형성된 제2 전극과,
    상기 복수의 제1 전극과 상기 제2 전극과의 사이에 개재하는 발광층과,
    상기 제2 전극과 전기적으로 접속한 보조 전극과,
    상기 발광 소자의 발광을 제어하기 위한 회로 소자가 배치된 소자층과,
    상기 제2 전극 또는 상기 보조 배선과 상기 소자층과의 사이를 절연하는 절연층
    을 구비하고,
    상기 절연층은, 상기 유효 영역 전체와 상기 주변 영역의 적어도 일부를 포함하는 제1 영역에 형성되어 있고,
    상기 제2 전극은, 상기 유효 영역 전체에 있어서 상기 제1 영역과 겹치고, 상기 주변 영역에 있어서 상기 제1 영역보다도 제1 방향으로 삐어져 나온 제2 영역에 형성되어 있고,
    상기 보조 전극은, 상기 유효 영역에 있어서 상기 복수의 발광 소자의 간극을 통과하도록 형성되어 있고, 또한, 상기 주변 영역 중 상기 제2 영역이 상기 제1 영역보다도 삐어져 나온 측에 있어서, 상기 제1 영역의 내측과 상기 제1 영역의 외측이고 또한 상기 제2 영역의 내측인 영역을 통과하여 상기 제2 영역의 외측에 이르도록 형성되어 있는 발광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자는, 매트릭스 형상으로 배열되어 있고,
    상기 보조 전극은, 상기 복수의 발광 소자의 간극을 통과하고, 또한, 상기 유효 영역의 내측으로부터 외측에 이르도록, 상기 제1 방향을 따라 스트라이프(stripe) 형상으로 형성된 복수의 개별 전극을 갖는 발광 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 보조 전극은, 상기 주변 영역에 있어서 상기 복수의 개별 전극을 서로 접속하는 접속 전극을 추가로 갖는 발광 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 절연층의 상기 제1 방향에 있어서의 단(端)이, 상기 접속 전극과 겹치도록 상기 접속 전극을 배치한 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자는, 매트릭스 형상으로 배열되어 있고,
    상기 보조 전극은, 상기 복수의 발광 소자의 간극을 통과하고, 또한, 상기 유효 영역의 내측으로부터 상기 제2 영역의 외측에 이르도록 상기 제1 방향을 따라 스트라이프 형상으로 형성된 복수의 개별 전극인 발광 장치.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 전극에 전위를 공급하기 위한 제2 전극용 전원선이, 상기 제1 방향과 교차하도록 상기 주변 영역에 형성되어 있고,
    상기 제2 전극용 전원선은, 상기 보조 전극과 전기적으로 접속되는 발광 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 전극용 전원선은, 상기 제1 영역의 외측에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  13. 제1항 내지 제12항에 기재된 발광 장치를 갖는 전자 기기.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101407587B1 (ko) * 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20160087987A (ko) * 2015-01-14 2016-07-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9461200B2 (en) 2009-02-10 2016-10-04 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
CN107546243A (zh) * 2016-06-27 2018-01-05 三星显示有限公司 显示设备
KR20180112200A (ko) * 2017-03-31 2018-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20190063573A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR20220061938A (ko) * 2014-10-29 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 음의 전원 전압을 보상하기 위한 디스플레이 패널, 이를 포함하는 디스플레이 모듈 및 모바일 장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102012160B1 (ko) 2009-05-02 2019-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널
KR20110019498A (ko) 2009-08-20 2011-02-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5799492B2 (ja) * 2010-10-05 2015-10-28 セイコーエプソン株式会社 照明装置
KR101834277B1 (ko) 2011-09-20 2018-03-07 주성엔지니어링(주) 발광 장치
KR101829890B1 (ko) 2011-12-23 2018-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102083983B1 (ko) * 2013-05-29 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102159267B1 (ko) * 2013-09-06 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104576688B (zh) 2013-10-10 2018-11-09 精工爱普生株式会社 发光装置以及电子设备
CN104733470A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 昆山国显光电有限公司 一种平板显示装置及其制备方法
KR102426691B1 (ko) * 2015-02-05 2022-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102483229B1 (ko) * 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20180035979A (ko) * 2016-09-29 2018-04-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102636565B1 (ko) * 2016-09-30 2024-02-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102325171B1 (ko) 2017-03-20 2021-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102527793B1 (ko) 2017-10-16 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR102523646B1 (ko) 2017-11-01 2023-04-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
JP2019091642A (ja) * 2017-11-15 2019-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102546170B1 (ko) 2018-01-19 2023-06-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102480092B1 (ko) * 2018-04-30 2022-12-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11963402B2 (en) 2019-03-25 2024-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having auxiliary wiring line electrically connected to metal nanowire
CN110112178B (zh) * 2019-04-04 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示装置
KR20210053395A (ko) 2019-11-01 2021-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11462608B2 (en) * 2020-03-25 2022-10-04 Apple Inc. Large panel displays with reduced routing line resistance
CN116229846A (zh) * 2020-12-02 2023-06-06 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板和显示装置
CN113097263B (zh) * 2021-03-25 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP2002352963A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Sony Corp 表示装置
JP2003059660A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Toshiba Corp 自己発光型表示装置の製造方法
JP4627966B2 (ja) * 2002-01-24 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
SG143063A1 (en) * 2002-01-24 2008-06-27 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4183951B2 (ja) * 2002-02-25 2008-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4545385B2 (ja) * 2002-03-26 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR100941129B1 (ko) * 2002-03-26 2010-02-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP4089544B2 (ja) * 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP4593179B2 (ja) * 2003-06-17 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5017851B2 (ja) * 2005-12-05 2012-09-05 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4742835B2 (ja) * 2005-12-05 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP5104274B2 (ja) * 2007-02-08 2012-12-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9954046B2 (en) 2009-02-10 2018-04-24 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US10522606B2 (en) 2009-02-10 2019-12-31 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US11257890B2 (en) 2009-02-10 2022-02-22 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US9461200B2 (en) 2009-02-10 2016-10-04 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US9608051B2 (en) 2009-02-10 2017-03-28 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US10872946B2 (en) 2009-02-10 2020-12-22 Joled, Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
US10096666B2 (en) 2009-02-10 2018-10-09 Joled Inc. Display apparatus, manufacturing method of display apparatus, and electronic device
KR101407587B1 (ko) * 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
US8872206B2 (en) 2011-06-02 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20220061938A (ko) * 2014-10-29 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 음의 전원 전압을 보상하기 위한 디스플레이 패널, 이를 포함하는 디스플레이 모듈 및 모바일 장치
KR20160087987A (ko) * 2015-01-14 2016-07-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107546243A (zh) * 2016-06-27 2018-01-05 三星显示有限公司 显示设备
CN107546243B (zh) * 2016-06-27 2023-05-09 三星显示有限公司 显示设备
KR20180112200A (ko) * 2017-03-31 2018-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20190063573A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN101242691A (zh) 2008-08-13
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