KR20080072119A - 소스가스 공급장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 증착법에 의한 박막 증착시 원료가 되는 소스물질을 가스화하여 공급하는 소스가스 공급장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 소스가스 공급장치는 증착챔버 내로 유입되는 소스가스의 압력을 실시간으로 정확하게 제어할 수 있어서 박막 증착시 증착챔버 내의 증착압력을 효율적으로 조절할 수 있다.
소스물질, 압력, 화학증착법

Description

소스가스 공급장치{APPARATUS FOR SUPPLYING SOURCE GAS}
도 1은 종래의 소스가스 공급장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 소스가스 공급장치의 구성을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 소스가스 공급장치의 구성을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 소스가스 공급장치의 구성을 나타내는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
20, 30, 40: 소스가스 공급장치 21, 31, 41: 소스가스 저장부
22, 32, 42: 소스 물질 23, 33, 43: 히터
24, 34, 44: 운반가스 공급부 25, 35, 38, 46: 센서부
26, 36: 제어부 37, 45: 대기챔버
V1, V2, V3, V4, V5: 밸브
본 발명은 화학증착법에 의한 박막 증착시 고체 원료의 유량을 조절하는 소스가스 공급장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 화학증착법에 의한 박막 증착시 증착챔버 내로 유입되는 소스가스의 압력을 정확하게 실시간으로 제어할 수 있어서 증착챔버 내의 증착압력을 효과적으로 조절할 수 있는 소스가스 공급장치에 관한 것이다.
화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)에 의한 박막 증착은 반도체 소자의 절연층과 능동층, 액정 표시 소자의 투명 전극, 전기 발광표시 소자의 발광층과, 보호층 등의 여러 응용에 있어 기술적으로 매우 중요하다. 일반적으로, CVD에 의해 증착된 박막의 물성은 증착 압력, 증착 온도, 증착 시간 등의 CVD 공정 조건에 매우 민감하게 영향을 받는다. 예를 들어, 증착 압력의 변화에 따라 증착되는 박막의 조성, 밀도, 접착력, 증착 속도 등이 변할 수 있다.
CVD의 경우 증착 압력은 증착하고자 하는 박막 물질의 원료를 공급하는 소스가스 공급장치로부터 공급되는 소스가스의 유량(즉, 소스가스의 압력)에 직접적으로 영향을 받는다. 즉, CVD에서 증착 압력을 적절하게 제어하기 위해서는 무엇보다도 소스가스 공급장치의 소스가스의 압력을 정확하게 조절하여야 한다. 소스가스의 압력 조절은 증착 속도를 정밀하고 일정하게 조절할 필요가 있는 경우에 특히 중요하다.
도 1은 종래의 소스가스 공급장치(10)의 구성을 나타내는 도면이다. 종래의 소스가스 공급장치(10)는 소스물질(12)을 저장하는 소스물질 저장부(11), 히터(13), 운반가스 공급부(14) 및 다수의 밸브(V1~V5)로 구성된다. 일반적으로, 소 스물질은 상온에서 고체 상태로 존재하기 때문에 소스물질을 상온 이상으로 가열해야 소스물질이 소스가스화 되며, 이때 히터(13)가 소스물질을 가열하는 역할을 한다. 통상적으로 소스가스는 비중이 큰 관계로 이동도가 작기 때문에 운반가스를 이용하여 소스가스가 증착챔버 내로 원활하게 이동하도록 한다. 다수의 밸브는 상황에 따라 개폐되어 소스가스 및 운반가스의 유량을 조절한다. 예를 들어, 운반가스를 사용하지 않는 경우에는 밸브(V1, V3)는 폐쇄된다. 또한, 밸브(V1)의 개폐 여부에 따라 운반가스가 소스물질 저장부(13)를 통과할 수도 있고 통과하지 않을 수도 있다.
이와 같은 종래의 소스가스 공급장치는 다음과 같은 문제점이 있다. 첫째, 소스물질 저장부(11)에 남아 있는 소스물질(12)의 양에 따라 소스물질(12)의 증발 양이 달라지기 때문에 밸브(V2)의 개폐만으로는 소스가스의 압력을 정확하게 조절할 수 없다. 둘째, 소스물질(12)이 가열로 인해 휘발 및 응축 과정이 반복됨에 따라 소스물질(12)의 휘발 표면적이 계속 달라지게 되어 소스물질(12)의 증발 양이 달라지기 때문에 밸브(V2)의 개폐만으로는 소스가스의 압력을 정확하게 조절할 수 없다. 특히, 소스물질(12)이 분말 형태일 경우에는 소스물질(12)의 표면 조건이 계속 달라지게 되는 문제점이 발생된다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 화학 증착법에 의한 박막 증착시 증착챔버 내로 유입되는 소스가스의 압력을 정확하게 실시간으로 제어할 수 있는 소스가스 공급장치를 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 일 실시예에 따른 소스가스 공급장치는 소스물질이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부, 상기 소스 증발부의 압력을 체크하는 센서부 및 상기 센서부에서의 압력 체크 결과에 따라 증착챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절하는 제어부를 포함한다.
상기 소스가스 공급장치는 상기 소스가스를 증착챔버로 운반하는 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부를 더 포함할 수 있다. 상기 소스가스 공급장치에서 상기 센서부는 상기 소스가스가 상기 센서부에 증착되는 것을 방지하기 위한 수단을 포함할 수 있다. 상기 소스가스 공급장치에서 상기 제어부는 상기 센서부와 연동하는 밸브를 포함하며 상기 밸브의 개폐 정도를 통하여 상기 증착챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절할 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 일 실시예에 따른 소스가스 공급장치는 소스물질이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부, 상기 소스 증발부의 압력을 체크하는 제1 센서부, 상기 소스가스가 증착챔버로 유입되기 전에 대기하는 대기챔버, 및 상기 센서부에서의 압력 체크 결과에 따라 상기 대기챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절하는 제어부를 포함한다.
상기 소스가스 공급장치는 상기 대기챔버의 압력을 체크하는 제2 센서부를 더 포함할 수 있다. 상기 소스가스 공급장치는 상기 소스가스를 증착챔버로 운반하는 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부를 더 포함할 수 있다. 상기 소스가스 공급장치에서 상기 센서부는 상기 소스가스가 상기 센서부에 증착되는 것을 방지하 기 위한 수단을 포함할 수 있다. 상기 소스가스 공급장치에서 상기 제어부는 상기 센서부와 연동하는 밸브를 포함하며 상기 밸브의 개폐 정도를 통하여 상기 증착챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절할 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 일 실시예에 따른 소스가스 공급장치는 소스물질이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부, 상기 소스가스가 증착챔버로 유입되기 전에 대기하는 대기챔버, 상기 대기챔버의 압력을 체크하는 센서부를 포함한다.
상기 소스가스 공급장치는 상기 센서부에서의 압력 체크 결과에 따라 상기 대기챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절하는 밸브를 더 포함할 수 있다. 상기 소스가스 공급장치는 상기 소스가스를 증착챔버로 운반하는 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부를 더 포함할 수 있다. 상기 소스가스 공급장치에서 상기 센서부는 상기 소스가스가 상기 센서부에 증착되는 것을 방지하기 위한 수단을 포함할 수 있다.
이하 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 소스가스 공급장치(20)의 구성을 나타낸 도면이다. 소스가스 공급장치(20)는 소스물질(22)을 저장하는 소스물질 저장부(21), 히터(23), 운반가스 공급부(24), 센서부(25), 제어부(26) 및 다수의 밸브(V1~V5)로 구성된다.
소스물질 저장부(21), 히터(23), 운반가스 저장부(24) 및 밸브(V1~V5)의 역할을 상술한 종래의 소스가스 공급장치(10)에서와 동일하다. 소스가스의 이동도가 충분한 경우에는 운반가스가 필요하지 않기 때문에 운반가스 공급부(24)를 설치하지 않아도 된다. 운반가스를 사용하는 경우에 운반가스는 밸브(V1)의 개폐 여부에 따라 소스물질 저장부(13)를 통과할 수도 있고 통과하지 않을 수도 있으나, 일반적인 소스가스의 이동도를 고려할 때 운반가스가 소스가스 저장부(21)를 통과하도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 소스가스 공급장치(20)의 특징적 구성은 센서부(25)와 제어부(26)에 있다. 센서부(25)는 소스물질 저장부(21)에서의 소스가스의 압력을 측정한다. 압력 측정의 원리상 센서부(25)에 소스가스가 계속적으로 증착되는 것은 바람직하지 않기 때문에 센서부(25)에는 소스가스가 증착되는 것을 방지하기 위한 수단(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 센서부(25) 전단에 밸브를 설치하여 센서부(25)를 사용하지 않는 경우에는 밸브를 폐쇄시키는 방법, 센서부(25) 전단에 퍼지 라인을 설치하여 센서부(25)를 사용하지 않는 경우에는 소스가스가 센서부(25)에 도달하기 전에 퍼지시키는 방법 등을 상정할 수 있다. 제어부(26)는 센서부(25)에서의 측정 결과에 따라 증착챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절한다. 제어부(26)는 센서부(25)와 연동하는 밸브(미도시)를 포함하며 이 밸브를 통하여 증착챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절한다. 센서부(25)에서 측정된 압력은 미리 설정된 압력과 비교된 후 그 차이에 따라 제어부(26)에 설치된 밸브의 개폐 정도를 제어하여 소스가스의 압력을 조절한다. 이로써 소스물질(22)의 상태에 따라 소스물질 저장부(21)에서의 소스가스의 압력이 아무리 변해도 최종적으로 증착챔버에 유입되는 소스가스의 압력은 일정하게 유지할 수 있다.
소스가스 공급장치(20)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 소스가스를 공급하기 위해　히터(23)를 소정의 온도로 가열시 휘발이 되지 않는 온도 범위까지는 모든 밸브를 폐쇄하거나 밸브(V4)만 개방 상태이다. 휘발 온도 이상에 도달 후 증착 공정 진행 온도까지는 밸브(VI, V2, V4)을 열고 소량의 운반 가스를 공급한다. 실제 증착 공정에서는 밸브(V1, V2, V5)를 개방하여 공정을 진행한다. 제어부(26)는 센서부(25)를 통하여 측정한 소스가스의 압력이 미리 설정된 압력보다 높으면 제어부(26) 내의 밸브를 자동으로 개방하고 낮으면 폐쇄한다. 이때 소스가스의 흐름을 완전히 온 오프로 제어하는 것이 아니라 배관의 컨덕턴스를 미세하게 조절한다. 운반가스가 소스물질 저장부(21)를 통과하지 않는 경우에 밸브(V1)는 항상 폐쇄 상태로 둔다. 운반가스를 사용하는 경우에 운반가스가 소스물질 저장부(21)를 통과하는 경우라도 소스가스의 이동도를 높이기 위하여 밸브(V3)를 개방시킬 수 있다. 또한, 운반가스는 증착챔버의 퍼지용 가스로도 사용할 수 있는데, 이러한 경우에는 밸브(V3, V5)가 개방될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 소스가스 공급장치(30)의 구성을 나타낸 도면이다. 소스가스 공급장치(30)는 소스물질(32)을 저장하는 소스물질 저장부(31), 히터(33), 운반가스 공급부(34), 센서부(35, 38), 제어부(36), 대기챔버(37) 및 다수의 밸브(V1~V5)로 구성된다. 소스물질 저장부(31), 히터(33), 운반가스 저장부(34), 및 밸브(V1~V5)의 역할을 상술한 소스가스 공급장치(20)에서와 동일하므로 상세한 내용은 생략한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 소스가스 공급장치(30)의 특징적 구성은 센서 부(35), 제어부(36) 및 대기챔버(37)에 있다. 제1 실시예에서와 마찬가지로 본 실시예의 센서부(35) 역시 소스가스가 증착되는 것을 방지하기 위한 수단(미도시)을 포함할 수 있다. 제어부(36)는 센서부(35)에서의 측정 결과에 따라 증착챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절한다. 제어부(36)는 센서부(35)와 연동하는 밸브(미도시)를 포함하며 이 밸브를 통하여 대기챔버(37)로 유입될 소스가스의 압력을 조절한다. 센서부(35)에서 측정된 압력은 미리 설정된 압력과 비교된 후 그 차이에 따라 제어부(36)에 설치된 밸브의 개폐 정도를 제어하여 소스가스의 압력을 조절한다. 대기챔버(37)는 소스가스가 증착챔버 내로 유입되기 전에 대기하는 챔버로서 그 역할은 증착 압력을 정확하게 조절하기 위함이다. 즉, 대기챔버(37)를 소정 압력의 소스가스로 충진시킨 후 그 충진된 양만큼의 소스가스를 증착챔버 내로 유입하여 증착 공정을 진행하게 되면 소스의 유입량을 보다 정확하게 제어할 수 있다. 특히 본 실시예는 원자층 단위 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)과 같이 원자층 단위 또는 그 이하로 박막 증착시 증착되는 양을 미세하게 조절할 필요가 있는 경우에 효과적이다.
소스가스 공급장치(30)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 기본적인 동작은 상술한 소스가스 공급장치(20)의 동작과 동일하다. 다만, 제어부(36)를 통해 일정한 압력으로 유지된 소스가스는 증착챔버 내로 유입되기 전에 대기챔버(37)에 충진된다. 대기챔버(37) 내의 소스가스의 압력이 소정의 값에 도달하면 제어부(36) 내의 밸브를 폐쇄한다. 물론 밸브(V2)를 폐쇄하여 제어부(36)로의 소스가스의 흐름은 아예 차단할 수 있다. 대기챔버(37) 내의 소스가스의 압력은 제어부(36)를 통 과하는 소스가스의 유량과 경과 시간을 측정하여 계산한다. 대기챔버(37)의 압력은 이러한 계산 방식 대신에 대기챔버(37)에 추가적인 센서부(38)를 부착하여 직접 측정할 수도 있다. 이 경우 제어부(36)의 밸브는 센서부(35) 뿐만 아니라 센서부(38)와도 연동되는 것이 바람직하다. 제어부(36)의 밸브가 센서부(38)와도 연동되는 경우에는 센서부(38)의 측정 결과에 따라 제어부(36) 내의 밸브를 폐쇄시키는 것도 가능하다. 실제 증착 공정이 시작되면 밸브(V5)를 개방하여 대기챔버(37) 내의 소스가스 모두를 증착챔버 내로 유입시킨다. 운반가스 사용 여부에 따라 밸브(V1, V3)를 적절하게 개폐하며 그 기본적인 역할은 모두 제1 실시예의 경우와 동일하다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 소스가스 공급장치(40)의 구성을 나타낸 도면이다. 소스가스 공급장치(40)는 소스물질(42)을 저장하는 소스물질 저장부(41), 히터(43), 운반가스 공급부(44), 대기챔버(45), 센서부(46) 및 다수의 밸브(V1~V5)로 구성된다. 각 구성요소의 역할은 상술한 바와 같다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 소스가스 공급장치(40)는 제2 실시예의 변형예이다. 제3 실시예는 대기챔버(45)의 압력을 센서부(46)가 직접 측정하고 소정의 압력에 도달하였다고 판단되면 밸브(V2)를 폐쇄시켜 소스물질 저장부(41)로부터 대기챔버(45)로 공급되는 소스가스를 차단하는 것을 특징으로 한다. 제3 실시예는 제2 실시예서의 제어부(36)와 같은 구성이 없이도 대기챔버(45)의 압력을 조절하여 증착챔버 내로 유입되는 소스의 유입량을 보다 정확하게 제어할 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으 나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
본 발명에 따른 소스가스 공급장치는 화학 증착법에 의한 박막 증착시 소스물질 저장부 내의 소스물질의 상태와 관계없이 증착챔버 내로 유입되는 소스가스의 압력을 실시간으로 정확하게 제어할 수 있어서 실제 증착 과정 중에 증착챔버 내의 증착압력을 일정하게 조절할 수 있다.

Claims (13)

  1. 화학 증착법에 의한 박막 증착시 사용되는 소스가스 공급장치로서,
    소스물질이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부;
    상기 소스 증발부의 압력을 체크하는 센서부; 및
    상기 센서부에서의 압력 체크 결과에 따라 증착챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절하는 제어부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소스가스를 증착챔버로 운반하는 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부를 더 포함하는 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 센서부는 상기 소스가스가 상기 센서부에 증착되는 것을 방지하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 센서부와 연동하는 밸브를 포함하며, 상기 밸브의 개폐 정도를 통하여 상기 증착챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 화학 증착법에 의한 박막 증착시 사용되는 소스가스 공급장치로서,
    소스물질이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부;
    상기 소스 증발부의 압력을 체크하는 제1 센서부;
    상기 소스가스가 증착챔버로 유입되기 전에 대기하는 대기챔버; 및
    상기 센서부에서의 압력 체크 결과에 따라 상기 대기챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절하는 제어부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 대기챔버의 압력을 체크하는 제2 센서부를 더 포함하는 장치.
  7. 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스가스를 증착챔버로 운반하는 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부를 더 포함하는 장치.
  8. 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서부는 상기 소스가스가 상기 센서부에 증착되는 것을 방지하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 센서부와 연동하는 밸브를 포함하며, 상기 밸브의 개폐 정도를 통하여 상기 대기챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 화학 증착법에 의한 박막 증착시 사용되는 소스가스 공급장치로서,
    소스물질이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부;
    상기 소스가스가 증착챔버로 유입되기 전에 대기하는 대기챔버;
    상기 대기챔버의 압력을 체크하는 센서부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제11항에 있어서,
    상기 센서부에서의 압력 체크 결과에 따라 상기 대기챔버로 유입될 소스가스의 압력을 조절하는 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제10항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스가스를 증착챔버로 운반하는 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부를 더 포함하는 장치.
  13. 제10항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서부는 상기 소스가스가 상기 센서부에 증착되는 것을 방지하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010038972A2 (ko) * 2008-10-01 2010-04-08 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
KR101064306B1 (ko) * 2008-10-01 2011-09-14 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
KR200460716Y1 (ko) * 2009-12-23 2012-05-31 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
KR101323885B1 (ko) * 2012-05-04 2013-10-30 한국표준과학연구원 전구체의 증기압 측정장치 및 방법
WO2014204188A1 (ko) * 2013-06-20 2014-12-24 에스엔유 프리시젼 주식회사 진공 증착 장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5565962B2 (ja) 2009-03-04 2014-08-06 株式会社堀場エステック ガス供給装置
KR101087069B1 (ko) * 2009-03-23 2011-11-28 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급방법
US20110143035A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Byoung Ha Cho Thin Film Deposition System and Method for Depositing Thin Film
KR200453135Y1 (ko) 2010-08-23 2011-04-08 주식회사 테라세미콘 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치
CN103194729B (zh) * 2013-03-27 2015-09-02 中国科学院物理研究所 金属硫属化物薄膜的制备方法
DE102014109195A1 (de) * 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Dampfes aus mehreren flüssigen oder festen Ausgangsstoffen für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
KR102239241B1 (ko) * 2018-10-22 2021-04-12 주식회사 포스코 노즐 막힘 방지장치 및 노즐 막힘 방지방법
CN112048711A (zh) * 2019-06-06 2020-12-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种供气管路和气相沉积设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62273714A (ja) * 1986-05-21 1987-11-27 Clarion Co Ltd 有機金属ガス供給方法および装置
JPH0499279A (ja) * 1990-08-08 1992-03-31 Seiko Epson Corp 液体材料の気体化供給方法と供給装置
JP2002043282A (ja) * 2000-07-03 2002-02-08 Applied Materials Inc ガス供給装置及びガス供給方法
JP3947126B2 (ja) * 2002-04-11 2007-07-18 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP2003332246A (ja) * 2002-05-14 2003-11-21 Teijin Seiki Co Ltd センサー保護機構
JP2004015005A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Murata Mfg Co Ltd 薄膜製造装置及び薄膜の製造方法
JP3908625B2 (ja) * 2002-07-30 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6985373B2 (en) * 2002-08-23 2006-01-10 Energy Conversion Devices, Inc. Binary beam steering device
CN100339504C (zh) * 2004-07-07 2007-09-26 中国航空工业第一集团公司北京航空制造工程研究所 一种化学气相沉积固态先驱体供给设备
US20060144338A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Msp Corporaton High accuracy vapor generation and delivery for thin film deposition
JP4674123B2 (ja) * 2005-06-27 2011-04-20 セイコーエプソン株式会社 画像処理システム及び画像処理方法
KR101161020B1 (ko) * 2006-03-30 2012-07-02 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 원자층 성장 장치

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010038972A2 (ko) * 2008-10-01 2010-04-08 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
WO2010038972A3 (ko) * 2008-10-01 2010-07-01 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
KR101064306B1 (ko) * 2008-10-01 2011-09-14 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
KR200460716Y1 (ko) * 2009-12-23 2012-05-31 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
KR101323885B1 (ko) * 2012-05-04 2013-10-30 한국표준과학연구원 전구체의 증기압 측정장치 및 방법
WO2014204188A1 (ko) * 2013-06-20 2014-12-24 에스엔유 프리시젼 주식회사 진공 증착 장치

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CN101235487A (zh) 2008-08-06
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