KR20080065326A - 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 - Google Patents

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KR20080065326A
KR20080065326A KR20070002293A KR20070002293A KR20080065326A KR 20080065326 A KR20080065326 A KR 20080065326A KR 20070002293 A KR20070002293 A KR 20070002293A KR 20070002293 A KR20070002293 A KR 20070002293A KR 20080065326 A KR20080065326 A KR 20080065326A
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nitride semiconductor
semiconductor layer
type nitride
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light emitting
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KR20070002293A
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정명구
김용천
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삼성전기주식회사
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본 발명은 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 제1 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 p형 질화물 반도체층을 소정 두께만큼 식각하여 소정 형상의 표면 요철을 형성하는 단계; 및 상기 표면 요철이 형성된 상기 제1 p형 질화물 반도체층의 표면 단차를 따라 제2 p형 질화물 반도체층을 재성장시키는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
LED, 광추출 효율, 표면 요철, 식각, 재성장

Description

질화물 반도체 발광소자의 제조방법{Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting device}
도 1은 종래방법에 따라 제조된 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 표면 요철의 형상을 나타낸 단면도.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 표면 요철의 형상을 나타낸 평면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 기판 110: 버퍼층
120: n형 질화물 반도체층 130: 활성층
140a: 제1 p형 질화물 반도체층 140b: 제2 p형 질화물 반도체층
150: p형 전극 160: n형 전극
200: 표면 요철
본 발명은 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 ESD(Electro Static Discharge) 레벨 및 동작 전압 등의 전기광학적 특성의 열화를 방지하면서, 광추출 효율을 최대화할 수 있도록 한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
3족 질화물 반도체를 포함하는 LED 등의 발광소자가 개발된 후, LCD 백라이트(LCD backlight), 휴대폰의 키패드 및 조명용 광원 등 다양한 분야에서 질화물 반도체 발광소자가 광원으로 사용되고 있다.
이러한 질화물 반도체 발광소자(Light Emitting Device, 이하 "LED"라 함)를 개발하는 데에 있어서, LED의 발광 효율이 중요한 문제로 대두되고 있다. LED의 발광 효율은 빛의 생성 효율과 빛의 외부 광자 효율에 의해 결정되는데, 그 중에서 가장 큰 문제는 외부 광자 효율, 즉 활성층(active layer)에서 생성된 빛이 외부로 추출되는 효율이 낮다는 것이다.
질화물 반도체 LED의 외부 광자 효율을 저감시키는 결정적인 요인은, LED 소자의 경계면에서의 반사 특성, 특히 내부 전반사(total internal reflection) 현상이다. 즉, LED 소자 경계면에서 큰 굴절율 차이로 인해 생성된 빛의 일부만이 소자 경계면 밖으로 추출되고, 계면을 빠져나가지 못한 빛은 계면에서 전반사하여 소자 내부를 진행(traveling)하다가 열로 감쇠되어 버린다. 결과적으로 LED 소자 경계면에서의 내부 전반사에 의해 LED 소자의 발열량은 증가되고, 소자의 외부 추출 효율은 감소된다.
외부 광자 효율 개선하기 위해, 계면에 도달한 광자가 불규칙(random)하게 산란되도록 LED 소자의 표면을 러프닝(roughening)시켜 요철 형상을 만들어줄 수 있다. 예를 들어, 에피택셜 결정층(예컨대, p형 GaN계 반도체층) 성장시 성장 온도의 조절에 의해, 성장된 결정층의 표면에 피트(pits)을 발생시킬 수 있다. 결정층 표면에 생긴 피트(pits)에 의해 그 표면에는 거칠거칠한 요철 형상이 만들어지게 된다.
도 1은 종래방법에 따라 제조된 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 사파이어 기판(100) 상에 순차 형성된 버퍼층(110), n형 질화물 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)을 포함하고, 상기 p형 질화물 반도체층(140)의 상면은 거칠거칠한 요철면으로 되어 있다. 상기 p형 질화물 반도체층(140) 및 활성층(130)의 일부가 메사 식각으로 제거되어, 저면에 n형 질화물 반도체층(120)의 일부를 드러내고 있다.
그리고, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에는 p형 전극(150)이 형성되어 있고, 메사 식각에 의해 드러난 n형 질화물 반도체층(120) 상에는 n형 전극(160) 형성되어 있다.
상기 요철면을 갖는 p형 질화물 반도체층(140)은 성장 온도의 조절에 의해 형성된 것이다. 즉, 요철 표면을 갖도록 p형 질화물 반도체층(140) 표면을 러프닝 시키기 위해, 대략 800℃ 이하의 온도에서 p형 질화물 반도체층(140)을 성장시킨다.
통상적으로는 p형 질화물 반도체층을 성장시키기 위해서 1000℃ 이상의 온도에서 결정 성장 공정을 실시하지만, 특별히 결정 표면에 요철 형상을 만들어주기 위해서는, 상기한 바와 같이 약 800℃ 이하의 저온에서 결정 성장 공정을 실시한다. 상기한 범위의 온도에서 GaN계 결정을 성장시키면, 수직 방향의 성장 속도가 커짐으로써, 그 결정 표면에 피트가 형성되어 산과 골 모양과 같은 불규칙한 요철 형상이 만들어지는 바, 발광소자의 광추출 효율이 높아지게 된다.
그러나, 이와 같이 800℃ 이하의 저온에서 p형 질화물 반도체층(140)을 성장시키게 되면, p형 질화물 반도체층(140) 성장을 위한 질소 전구체(예컨대, NH3)가 잘 분해되지 않는다. 이와 같이 질소 전구체가 잘 분해되지 않으면, p형 질화물 반도체층(140) 성장시 N 원자가 부족하게 되어, 상기 p형 질화물 반도체층(140)에 n형 특성이 부가된다. 이에 따라, p형 질화물 반도체층(140)의 p형 특성이 상쇄되고 p형 질화물 반도체층(140)의 정공 농도가 감소하게 된다. 이러한 원인에 의해 p형 질화물 반도체층(140)의 품질이 저하되고, 동작 전압(Vf)이 증가하여 소자의 동작 전압 특성이 열화될 뿐만 아니라, ESD(Electro Static Discharge) 레벨 저하 등의 문제를 야기시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은 ESD 레벨 및 동작 전압 등의 전기광학적 특성 열화를 방지하면서, 광추출 효율을 최대화할 수 있는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 제1 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 p형 질화물 반도체층을 소정 두께만큼 식각하여 소정 형상의 표면 요철을 형성하는 단계; 및 상기 표면 요철이 형성된 상기 제1 p형 질화물 반도체층의 표면 단차를 따라 제2 p형 질화물 반도체층을 재성장시키는 단계;를 포함한다.
또한, 상기 제1 p형 질화물 반도체층의 식각은, 건식 식각 또는 습식 식각으로 수행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 건식 식각은, BCl3, H2, N2, Ar, HCl, HBr, SiCl4 및 Cl2 중 어느 하나의 가스 또는 어느 둘 이상의 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1 p형 질화물 반도체층의 식각은, 상기 제1 p형 질화물 반도체층 전체 두께의 50% 이하의 두께만큼 수행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 표면 요철은, 규칙성을 갖는 요철 구조 또는 비규칙성을 갖는 요철 구조로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 표면 요철은, 음각 또는 양각 요철로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 표면 요철은, 다각형의 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다각형은, 0°∼ 180°사이의 각도를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 표면 요철은, 구형, 다각형, 스트립(strip)형 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1 p형 질화물 반도체층은, 1,500Å∼5,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제2 p형 질화물 반도체층은, 10Å∼5,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제2 p형 질화물 반도체층은, 50mbar∼2,000mbar의 압력 및 800℃∼1,200℃의 온도 조건에서 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제2 p형 질화물 반도체층은, Mg, Zn, Be 및 Si 중 어느 하나의 불순물이 단독 도핑 또는 코도핑(co-doping)된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제2 p형 질화물 반도체층은, 상기 제1 p형 질화물 반도체층과 다른 Mg 도핑량을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 활성층은 양자우물층 및 양자장벽층이 교대로 1∼50회 적층된 양 자 우물 구조로 이루어지고, 상기 양자장벽층은 상기 양자우물층의 1∼20배의 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 n형 질화물 반도체층은 AlxInyGa(1-x-y)N(x+y=1,0≤x,y≤1)로 GaN 보다 밴드갭이 크거나 낮은층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1 p형 질화물 반도체층은 AlxInyGa(1-x-y)N(x+y=1,0≤x,y≤1)로 GaN 보다 밴드갭이 크거나 낮은층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 대하여 도 2a 내지 도 2d를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.
우선, 도 2a에 도시한 바와 같이, 질화물 반도체 물질의 성장을 위한 기 판(100) 상에 버퍼층(110), n형 질화물 반도체층(120), 활성층(130) 및 제1 p형 질화물 반도체층(140a)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)은, 후속의 표면 요철(200) 형성을 위한 식각 공정에서의 식각 두께를 고려하여 1,500Å∼5,000Å 정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 기판(100)은, 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게는 사파이어와 같은 투명한 재료를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 사파이어 이외에, 기판(100)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(110)은, 상기 기판(100) 상에 n형 질화물 반도체층(120)을 성장시키기 전에 상기 기판(100)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, 공정 조건 및 소자 특성에 따라 생략 가능하다.
상기 n형 질화물 반도체층(120)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(x+y=1, 0≤x,y≤1)을 갖는 반도체 물질로서, GaN보다 밴드갭이 크거나 낮은층을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 상기 n형 질화물 반도체층(120) 내의 n형 불순물 농도는 약 1×1016∼ 5×1019㎝-3 인 것이 바람직하며, 상기 n형 불순물의 농도가 두께에 따라 일정하거나 달라질 수 있다. 여기서, 상기 n형 불순물로는 Si, Ge 및 Sn 등을 사용할 수 있다.
상기 활성층(130)은 양자우물층 및 양자장벽층이 교대로 1∼50회 적층된 양 자 우물 구조로 이루어질 수 있으며, 이 때 양자장벽층은 양자우물층 두께의 1∼20배의 두께를 가질 수 있다.
상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)은 상기 n형 질화물 반도체층(120)과 마찬가지로 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(x+y=1, 0≤x,y≤1)을 갖는 반도체 물질로서, GaN보다 밴드갭이 크거나 낮은층을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)에는 Mg, Zn 및 Be 등과 같은 p형 불순물이 도핑되어 있다.
다음으로, 도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)을 소정 두께만큼 식각하여 소정 형상의 표면 요철(200)을 형성한다.
상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)의 식각은, 건식 식각 또는 습식 식각으로 수행할 수 있다. 이 중, 상기 건식 식각은 식각 가스로서 BCl3, H2, N2, Ar, HCl, HBr, SiCl4 및 Cl2 중 어느 하나의 가스를 단독으로 사용하거나, 또는 어느 둘 이상의 혼합 가스를 사용하는 것이 바람직하며, 이 경우 별도의 식각 마스크 없이 식각이 가능하다.
상기 표면 요철(200) 형성을 위한 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)의 식각은, 제1 p형 질화물 반도체층(140a) 전체 두께의 50% 이하의 두께만큼 수행하는 것이 바람직하다. 이는, 상기한 범위의 두께보다 큰 두께로 식각이 진행될 경우, 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)의 하부층에 식각에 의한 손상을 입힐 수도 있기 때문이다.
상기 표면 요철(200)은, 규칙성을 갖는 요철 구조로 이루어지거나, 또는 비 규칙성을 갖는 요철 구조로 이루어질 수 있다. 이 중, 규칙성을 갖는 요철 구조는 식각 마스크 등을 이용하여 형성될 수 있고, 비규칙성을 갖는 요철 구조는 식각 가스를 이용한 건식 식각 등에 의해 형성될 수 있다.
특히, 상기 표면 요철(200)은, 도 2b에 도시한 바와 같은 삼각형의 단면 형상을 가질 수도 있고, 또는 도 3에 도시한 바와 같은 사각형의 단면 형상을 가질 수도 있다. 뿐만 아니라, 상기 표면 요철(200)의 단면 형상은 상기한 바와 같은 형상에만 한정되지 않고, 본 발명의 기술사상 범위 내에서, 예컨대 0°∼ 180°, 바람직하게는 0°∼ 90°사이의 각도를 갖는 다각형 등을 포함하여 다양하게 변형될 수 있다.
그리고, 상기 표면 요철(200)은, 앞서의 도 2b 및 도 3에 도시한 바와 같이 소정 형상의 양각 요철로 이루어질 수도 있지만, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같은 음각 요철로 이루어질 수도 있다.
또한, 상기 표면 요철(200)은, 도 6에 도시한 바와 같은 구형, 도 7에 도시한 바와 같은 다각형, 도 8에 도시한 바와 같은 스트립(strip)형, 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 평면 형상을 가질 수 있다.
그런 다음, 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 표면 요철(200)이 형성된 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)의 표면 단차를 따라 제2 p형 질화물 반도체층(140b)을 재성장시킨다.
이와 같이, 제1 p형 질화물 반도체층(140a)의 표면 단차를 따라 제2 p형 질화물 반도체층(140b)을 재성장시키면, 상기 제2 p형 질화물 반도체층(140b)의 표면 이, 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)의 표면 요철(200)과 같은 형상으로 러프닝될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 p형 질화물 반도체층(140b)의 러프닝된 표면은 활성층(130)에서 생성된 광자의 산란 특성을 향상시켜 광자를 외부로 효율적으로 방출시킴으로써, 광추출 효율을 최대화하게 된다.
상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a) 상에 재성장되는 제2 p형 질화물 반도체층(140b)의 두께는 약 10Å∼5,000Å인 것이 바람직하며, 상기한 수치의 두께 범위 내에서 제2 p형 질화물 반도체층(140b)의 성장 두께 정도를 조절함으로써, 상기 제2 p형 질화물 반도체층(140b)의 표면이 평평하게 되지 않고, 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)의 표면 요철(200)과 같은 형상으로 러프닝될 수 있도록 한다.
여기서, 상기 제2 p형 질화물 반도체층(140b)은, 50mbar∼2,000mbar의 압력 및 800℃∼1,200℃의 온도 조건에서 형성하는 것이 바람직하다. 상기한 조건에서 제2 p형 질화물 반도체층(140b)을 성장시키면 결정 성장이 원활히 일어남으로써, 양질의 성장층을 얻을 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 p형 질화물 반도체층(140b) 표면을 러프닝시키기 위해, 성장 온도를 800℃ 이하로 낮추는 대신에, p형 질화물 반도체층의 성장을 두 단계로 나누어 진행하되, 제1 p형 질화물 반도체층(140a)을 성장시킨 후, 식각 공정으로 표면 요철(200)을 형성하고 나서, 그 표면 단차를 따라 제2 p형 질화물 반도체층(140b)을 재성장시키는 방법을 사용하고 있다.
따라서, 본 발명에 의하면, 성장 온도 감소에 따른 p형 질화물 반도체층 내의 N 원자 부족 현상을 억제할 수 있는 바, p형 질화물 반도체층의 품질 저하를 막 을 수 있고, 이에 따라 발광소자의 ESD 레벨 및 동작 전압 등의 전기광학적 특성 열화를 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 방출되는 광파장에 따라 표면 요철(200)의 크기, 각도 및 간격 등을 조절함으로써 발광효율을 더욱 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
한편, 상기 제2 p형 질화물 반도체층(140b)은, Mg, Zn, Be 및 Si 중 어느 하나의 불순물이 단독 도핑 또는 코도핑(co-doping)된 것이며, 도핑 농도는 약 1×1016∼5×1020㎝-3 인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제2 p형 질화물 반도체층(140b)은, 상기 제1 p형 질화물 반도체층(140a)과 다른 Mg 도핑량을 가질 수 있다.
그 다음에, 도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 n형 질화물 반도체층(120)의 일부가 드러나도록, 상기 제2,제1 p형 질화물 반도체층(140b,140a) 및 활성층(130)의 일부를 제거하는 메사 식각 공정을 수행한다. 그런 다음, 상기 제2 p형 질화물 반도체층(140b)과 상기 드러난 n형 질화물 반도체층(120) 상에 p형 전극(150)과 n형 전극(160)을 각각 형성한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범 위에 속하는 것이다.
앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 제1 p형 질화물 반도체층을 성장시킨 후, 식각 공정으로 표면 요철을 형성하고 나서, 상기 표면 요철이 형성된 제1 p형 질화물 반도체층의 표면 단차를 따라 제2 p형 질화물 반도체층을 재성장시킴으로써, 상기 제2 p형 질화물 반도체층의 표면을 러프닝시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 활성층에서 생성된 광자를 외부로 효율적으로 방출시킴으로써, 광추출 효율을 최대화할 수 있다. 또한, p형 질화물 반도체층의 표면을 러프닝시키기 위해 800℃ 이하에서의 저온 결정 성장 공정을 진행하지 않아도 되므로, p형 질화물 반도체층의 품질 저하를 막을 수 있고, 제조된 발광소자의 ESD 레벨 및 동작 전압 등의 전기광학적 특성 열화를 방지할 수 있다.

Claims (18)

  1. 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층 상에 제1 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제1 p형 질화물 반도체층을 소정 두께만큼 식각하여 소정 형상의 표면 요철을 형성하는 단계; 및
    상기 표면 요철이 형성된 상기 제1 p형 질화물 반도체층의 표면 단차를 따라 제2 p형 질화물 반도체층을 재성장시키는 단계;
    를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 p형 질화물 반도체층의 식각은, 건식 식각 또는 습식 식각으로 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 건식 식각은, BCl3, H2, N2, Ar, HCl, HBr, SiCl4 및 Cl2 중 어느 하나의 가스 또는 어느 둘 이상의 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 p형 질화물 반도체층의 식각은,
    상기 제1 p형 질화물 반도체층 전체 두께의 50% 이하의 두께만큼 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표면 요철은, 규칙성을 갖는 요철 구조 또는 비규칙성을 갖는 요철 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 표면 요철은, 음각 또는 양각 요철로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 표면 요철은, 다각형의 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 다각형은, 0°∼ 180°사이의 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 표면 요철은, 구형, 다각형, 스트립(strip)형 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 p형 질화물 반도체층은, 1,500Å∼5,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 p형 질화물 반도체층은, 10Å∼5,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제2 p형 질화물 반도체층은, 50mbar∼2,000mbar의 압력 및 800℃∼1,200℃의 온도 조건에서 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제2 p형 질화물 반도체층은, Mg, Zn, Be 및 Si 중 어느 하나의 불순물이 단독 도핑 또는 코도핑(co-doping)된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제2 p형 질화물 반도체층은, 상기 제1 p형 질화물 반도체층과 다른 Mg 도핑량을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 활성층은 양자우물층 및 양자장벽층이 교대로 1∼50회 적층된 양자 우물 구조로 이루어지고, 상기 양자장벽층은 상기 양자우물층의 1∼20배의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 n형 질화물 반도체층은 AlxInyGa(1-x-y)N(x+y=1, 0≤x,y≤1)로 GaN 보다 밴드갭이 크거나 낮은층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 제1 p형 질화물 반도체층은 AlxInyGa(1-x-y)N(x+y=1, 0≤x,y≤1)로 GaN 보다 밴드갭이 크거나 낮은층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 만들어진 질화물 반도체 발광소자.
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WO2013100619A1 (ko) * 2011-12-30 2013-07-04 일진엘이디(주) 탄소 도핑된 ｐ형 질화물층을 포함하는 질화물계 발광소자

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