KR20080041673A - 공간적으로 선택적인 금속 피막을 가진 기체와 그 제조방법 및 용도 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기체 (基體) 표면의 금속 피막 부위가 영향받을 수 있는, 공간적으로 선택적인 금속 피막을 가진 기체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 기체의 촉매, 고체 전해질 센서 또는 광투과성 도전층으로서의 용도에 관한 것이다. 그 표면이 부분적으로 금속 피복된 생물학적 주형을 일부 포함하는 상기 공간적으로 선택적인 금속 피막을 가진 기체는 그 기체 표면에 생물학적 주형을 침착시킨 다음 금속을 피복을 수행함으로써 얻을 수 있다.

Description

공간적으로 선택적인 금속 피막을 가진 기체와 그 제조 방법 및 용도 {SUBSTRATE WITH SPATIALLY SELECTIVE METAL COATING, METHOD FOR PRODUCTION AND USE THEREOF}

본 발명은 기체 (基體) 표면의 금속 피막 부위가 영향을 받을 수 있는, 공간적으로 선택적인 금속 피막을 가진 기체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 기체의 촉매, 고체 전해질 센서 또는 광투과 도전층용의 용도에 관한 것이다.

어떤 반응을 개시하기 위한 활성 에너지를 낮추고, 이러한 방식으로 반응 중에서 소비되는 일이 없이 반응 속도를 높이는 물질을 촉매라고 한다. 콜로이드 상태의 금속은 촉매로서 알려져 있으며, 금속염 또는 금속 착물을 환원시킴으로써 제조된다.

한편으로는, 금속성의 활성 클러스터의 크기, 종류 및 분포, 다른 한편으로는 이들의 지지 구조체 내에서의 접근 용이성이 귀금속 촉매의 활성에 중요한 영향을 미친다.

슬레이트르 (Sleytr) 등은 WO 89/09406호에서 지지체 위에 분자 또는 물질을 고정 또는 침착시키는 방법에 대하여 특허를 받은 바 있다. 상기 지지체는 격자 상 수가 1~50 ㎚인 결정 격자 형태로 분자가 정렬된 단백질을 함유하는 최소한 1개층의 동일한 분자로 구성된다.

WO 97/48837호에는 입체적으로 고도로 정렬된 자가 구성 단백질에 기초한 금속성 나노 구조와 이들의 제조 방법이 개시되어 있다. 이들 자가 구성 단백질은 금속염 또는 금속 착물에 의하여 활성화되고, 이어서 단백질과 친화성이 있는 조건하의 금속화 욕(浴) 내에서 무전류 금속화할 수 있다.

또한, AT 410 805 B에서 슬레이트르 등은 S층 단백질을 침착시키는 방법을 개시하고 있는데, 여기서 S층 단백질은 순전하(純電荷)를 띄고 있고, 지지체 표면의 전위를 조절함으로써 용액과 지지체 표면 사이에 전기 화학적 전위차가 발생하며, 상기 효과하에 S층 단백질은 용액으로부터 지지체 표면에 침착하게 된 것이다.

귀금속을 사용하여 표면을 선택적으로 피복하기 위하여, 마이크로 전자 공학 분야에의 적용에 관한 문헌들이 알려져 있다. DE 692 31 893 T2에는 무전류 금속화법이 개시되어 있는데, 여기서 화학기(化學基)에 의하여 기체를 전처리함으로써 금속의 선택적인 침착이 실현된다.

DE 199 52 018 C1은 장식 기체가 나노미터 범위로 제조되는 방법을 개시하고 있다. 상기 방법은 석판 인쇄술로 구조화한 광저항층의 함몰부 내에 중합체 코어 쉘 (core-shell) 시스템의 정위(定位)에 기초한다.

문헌에 개시되어 있는 모든 기술은, 정위 가능한 장치의 도움에 의한 기입법(記入法) 또는 정위법에 의하여, 또는 마스킹법에 의하여 표면에 연속적인 금속의 선택적 침착을 달성한다. 연속 공정은 특히 소형의 구조를 제조하는 것에 관련 하여 매우 느리므로, 다수의 적용시 매우 고가이다. 마스킹법의 경우, 예컨대 석판 마스크법 또는 스탬핑법으로 미리 제조된 패턴들을 표면 위에 이동시킬 수 있으므로, 다수회 이용될 수 있다. 그러나, 상기 연속법과 마스킹법은 구조 형성 공정을 위하여 표면의 접근 용이성을 필요로 한다.

DE 199 30 893 B4에는 촉매 활성인 금속의 고립 클러스터가 차지하고 있는 고도로 정렬된 단백질의 용도, 즉 클러스터로 덮인 단백질이 변하지 않은 채 그대로 있는 화학적 수소화 반응용 지지체의 고정 촉매로서의 용도가 개시되어 있다. 고도로 정렬된 단백질은 표면에 금속 클러스터가 다소 규칙적인 형태로 침착되어 있는 지지체로서의 역할을 한다. 즉, 이 경우, 클러스터의 구조 형성은 기껏해야 자가 구성 단백질의 규칙적인 구조에 의하여 이루어진다. 불완전한 피막에 의하여 밑에 있는 기체에 금속 클러스터를 선택적으로 침착하고, 이에 따라 원하지 않는 부위에 금속이 침착되는 것을 예방하기 위한 단백질의 이용은 개시되어 있지 않다.

DE 102 28 056 A1은 DNA 분자 표면에 금속 클러스터를 선택적으로 불균질 성장시키기 위한 핵형성 중심을 발생시키는 방법을 개시하고 있다. 상기 DNA 분자들은 금속염과 환원제의 존재하에 수용액 중에서 금속화를 일으킨다. 핵형성 중심은 우수한 주형(鑄型; template)을 제공하므로, 공정을 적절히 조절하려면, 용액 중의 금속 클러스터의 균질한 핵형성이 방지될 수 있다. 그러나, 핵형성용 시드(seed)로서도 역시 작용할 수 있는 어떠한 추가의 지지 물질도 용액 중에 존재하지 않는다. 특히, 지지체 표면에서의 금속화에 앞서 상기 DNA 분자들은 침착되지 않는다. 따라서, 침착의 선택성은 균질한 핵형성의 억제와 DNA 염기 서열에 영향을 끼침에 의한 DNA 분자들의 부분 금속화 가능성에 근거한다.

예컨대, 연료 전지 기술에 있어서 접촉법의 새로운 적용과 접촉법의 효율성에 관한 더 큰 도전은 새로운 촉매 지지체의 개발에 이르게 하였다. 후자는 다소 조절된 내부 미소 구조를 가지고 있으므로, 기체 (氣體) 및 액체의 강력한 접촉이 촉매의 촉매 활성 중심에 의하여 접촉 처리되도록 하는 원인이 된다. 그러나, 지지체에 침착된 금속 클러스터는 모두 활성이 동일한 것은 분명히 아니다. 마찬가지로, 침착된 클러스터는 모두 접촉 처리될 기체 또는 액체에 동등하게 접근 가능한 것은 아니다. 귀금속 자원의 가격은 고가이며 고갈이 예상되는 결과, 촉매에서 사용되는 귀금속의 더 양호한 이용이 바람직하다.

그러므로, 본 발명의 목적은 기체 표면의 금속 피막 부위가 영향을 받을 수 있는, 공간적으로 선택적인 금속 피막을 가진 기체와 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명에 따르면, 상기 목적은 생물학적 주형들이 기체 표면에 침착된 후에만 금속 피복 공정을 수행하여 얻을 수 있는, 표면에 금속 피막과 함께 부분적으로 생물학적 주형들이 있는 공간적으로 선택적인 금속 피막을 가진 기체에 의하여 해결된다.

본 발명에 따라 제공된 금속 피막은 생물학적 주형 표면에 위치한다.

본 발명의 유리한 실시 상태에 있어서, 상기 생물학적 주형은 표면층 단백질 (S 단백질)이다.

상기 금속 피막은 금속 클러스터 및/또는 적어도 1종의 금속층으로 구성될 수 있다. 이와 관련하여, 금속 클러스터와 금속층은 상이한 금속으로 구성될 수 있다. 금속은 귀금속, 예컨대 Pt 및 Pd 등으로부터 선택되는 것이 좋다.

상기 기체는 Al₂O₃, 실리콘, 탄소 또는 고체 상태의 전해질로 구성되는 것이 좋다.

본 발명에 따르면, 상기 목적은 생물학적 주형들이 기체 표면에 침착되고, 이어서 생물학적 주형과 친화성이 있는 조건하에 금속화하거나, 또는 생물학적 주형들이 금속염 용액 중에서 활성화하고, 이어서 기체 표면에 침착된 다음, 생물학적 주형들과 친화성이 있는 유사한 조건하에 금속화하는 공간적으로 선택적인 금속 피막 기체를 제조하는 방법에 의하여 해결된다.

본 발명에 의하면, 상기 금속 피막은 기체 표면에 직접 위치하는 것이 아니라 기체에 이미 피복되어 있는 생물학적 주형 표면에 위치하는 것이다. 이와 관련하여, 상기 생물학적 주형들은 이들의 선택 가능한 크기 및 화학적 또는 물리적 성질의 결과로서 침착 위치의 조절을 가능하게 한다. 본 발명의 하나의 실시 상태에 따르면, 상기 생물학적 주형들은 기체 표면 위에 침착되기 전에 금속염 용액 중에서 활성화시킬 수 있다. 이러한 방식으로, 기체의 피복 전에 이미 생물학적 주형의 핵형성 중심의 효율성을 증가시키고 기체의 금속화 공정을 가속화시킬 수 있다. 상기 활성화는 생물학적 주형의 현탁액을 금속염 용액과 수 시간 혼합함으로써 달성될 수 있다.

생물학적 주형으로서는, 자가 구성 생물학적 주형, 주로 표층 단백질 (S층)이 좋다.

다수의 박테리아들은 그들의 세포벽 안에 주기적인 단백질막을 형성한다. 이들 단백질막에는 종의존적(種依存的)인 결정 대칭을 가진 나노 구멍들이 매우 규칙적으로 배열되어 있다. 동일한 형태학으로 된 인접 유닛들 사이의 공간은 형식에 따라 5~30 ㎚이다. 이들 구조 유닛은 동일한 단백질이나 당단백질로 이루어져 있기 때문에, 이들은 이화학적 표면 성질의 정확한 공간 변조(變調)를 가진다. 이것이 이들로 하여금 인공적인 초분자 구조를 형성하기 위한 이상적인 물질이 되도록 한다. 그 표면에는 규칙적인 패턴으로 배열된 나노 미터 크기의 클러스터 배열들이 형성될 수 있다. 단량체의 자가 구성능은 고체 상태 표면에 있는 표면적이 큰 단백질막으로서의 물/공기 경계에서의 단백질의 2차원 배열의 재구성을 가능하게 한다. 이러한 방식에 있어서, S층에 의하여 촉매 지지체 또는 센서의 표면에 일정의 수단으로 금속 나노 구조를 침착시키는 것이 가능하다.

침착되는 금속은 귀금속인 것이 좋다. 생물학적 주형 표면의 금속 클러스터의 금속 침착 방법으로서는 무전류 금속화가 좋다. 이와 관련하여, 금속 착물들은 표면에 결합되고 후속 공정에 의하여 금속으로 환원된 다음, 금속 클러스터가 형성된다.

본 발명에 의하면, 먼저 생물학적 주형은 기체, 예컨대 촉매로 적합한 기체 표면에 침착시킨다. 이어서, 생물학적 주형은 이들의 표면에 귀금속 클러스터를 양호하게 침착시키기 위한 시드 (seed)로서 작용하는데, 이는 그 주형 표면에서 금속 침착이 기체 표면에 직접 침착에 비하여 효과상 좋기 때문이다. 적절한 공정 제어에 의하여, 촉매에 대하여 양호한 부위에 막을 선택적으로 침착시키면, 촉매 반응에 대하여 최적의 방식으로 기체 표면에 촉매 활성 귀금속 클러스터를 배타적으로 침착시킬 수 있다.

또 한 가지 실시 상태에 있어서, 금속 착물들은 이미 금속염 용액 중에서 막유사 구조에 결합되어 있다. 기체 표면의 목적하는 부위에 침착되도록 조절한 후에, 상기 금속 착물들은 적절한 공정에 의하여 환원되어 금속 클러스터로 된다.

생물학적 주형을 메조 구멍 또는 나노 구멍이 마련되어 있는 기체 표면에 침착시킬 때, 후속되는 금속 피복 공정에서 촉매에 대하여 접근 가능하거나 효율적인 중심들이 생성되도록 생물학적 주형의 크기 및 구조에 기초하여 침착을 조절할 수 있다. 더 깊은 구멍 구조에서의 귀금속 착물의 확산 및 귀금속 클러스터의 침착은 접근 용이성이 낮기 때문에 기체 또는 액체가 접촉 반응하는 데에 유리하지 않다. 생물학적 주형 표면에서의 선택적인 금속 침착은 비효율적인 금속 클러스터의 생성과 고가의 귀금속 자원의 억제되지 않은 손실을 방지해준다.

또 하나의 양호한 실시 상태에 따르면, 상기 생물학적 주형은 시드 형성자로서의 그의 성질 및 그의 입체적인 형상과 관련하여 균일한 나노 구조를 가지는데, 금속 클러스터의 침착 공정에서 이 나노 구조는 크기 분포도가 좁은 균질하고 조밀한 배열을 강화시킨다.

본 발명에 따르면, 생물학적 주형들은 표면을 점유하는 데 사용된다. 현재 알려져 있는 구조화 방법과 반대로, 선택적인 침착을 위한 추가의 기술들이 이용될 수 있다.

- 용액 중의 생물학적 주형의 표면에서의 흡착 효과 때문에, 선택적인 침착이 국소적으로 상이한 유동 조건에 의하여 실현될 수 있다. 예를 들면, 내면이 있는 착물 지지 구조를 통과하는 유동의 경우에, 선택적인 피복이 상이한 정도로 유동에 노출된 영역에서 실현될 수 있다. 용액 중의 생체 분자들의 대응하는 최소 농도, 유속의 증가 및/또는 유동이 큰 영역에서의 긴 유동 지속 시간 때문에, 생물학적 주형이 마련된 표면의 완전한 피복이 달성될 있다. 유동이 약한 영역에서는, 동일한 시간 중에, 한편으로는 상기 용액에 의하여 생체 분자들은 매우 더 적게 제공되므로, 침착은 실질적으로 저하된 수준으로 실현된다. 통상의 침지 피복에서는, 건조시 피복 용액이 특히 유동이 약한 영역에 머무르기 때문에 반대의 효과가 관찰될 수 있다.

- 생물학적 주형들 또는 이들의 집합체의 크기에 따라, 표면의 피복시킬 구멍 내부로의 침투가 손상될 수 있다. 이어서 상기 생물학적 주형들은 상기 표면 또는 일정한 크기 이상의 구멍 내에만 선택적으로 침착된다. 생체 분자들은 일정한 배열을 가지므로, 역시 특정의 크기로 존재한다. 더욱이, 생체 분자들의 크기는 집합체의 형성에 의하여 조절될 수 있다. 이와 관련하여, 일정한 크기를 다시 생성하기 위하여 참여하는 상기 생체 분자들의 수를 조절하는 것이 가능하다.

- 선택적인 침착을 달성하기 위하여 물질 표면에서의 다양한 화학적 및/또는 물리적 성질을 얻는 데에는 생물학적 주형들의 특이적 결합 메커니즘이 이용될 수 있다. 그러나, 금속 클러스터의 직접 침착은 매우 덜 특이적이다.

- 생물학적 주형의 침착은 전기장에 의하여 조절될 수 있다. 이 효과는 생물학적 주형이 있는 표면을 선택적으로 점유하기 위한 목적하는 방식에서 역시 사용될 수 있다. 금속 클러스터와는 대조적으로, 생체 분자의 경우에는, 상이한 표면 전하를 이용함으로써, 반대 전하를 가지고 있어서 정전기 인력을 일으키는 기체 표면 영역에서 양호한 침착을 달성할 수 있다. 따라서, 부호가 동일한 기체 표면 전하도 역시 침착을 방지할 수 있다. 다양한 표면 전하는 예컨대 하전된 표면의 입체 구조화에 의하여 매우 간단하게 달성될 수 있다. 이 때, 전하는 국소적인 모서리 및 단부에 집중된다.

통상 환원에 의하여 표면을 금속을 사용하여 화학적으로 피복시키는 경우에, 클러스터의 형성은 용액 (균일한 핵형성) 중에서 그리고 피복시킬 표면에서 일어날 수 있다. 표면의 적절한 전처리와 적절한 공정 제어에 의하여, 균질한 핵형성을 광범위하게 억제할 수 있다는 것은 알려져 있다. 이 때, 금속 클러스터의 형성은 표면에서 광범위하게 일어나는데, 이는 표면의 피막을 다소 균일하도록 해준다. 본 발명에 따른 생물학적 주형에 의한 표면의 선택적인 점유 결과, 용액 중의 균일한 핵형성이 방지될 수 있을 뿐만 아니라 생물학적 주형이 없는 인접 영역이 금속 클러스터로 피복되는 것이 방지될 수 있다. 생물학적 주형이 있는 표면의 선택적인 점유를 금속 클러스터 또는 금속층에 의한 선택적인 피복으로 변형시키는 것은 이 방법으로서만 가능하다.

이러한 효과는 선행 기술의 촉매 기체에서는 일어나지 않으므로 예상 가능한 것이 아니다.

본 발명의 중요한 특징은 침착이 적용 필요성이 없거나 또는 적용에 해로운 위치에 금속이 침착되는 것을 피하고자 하는 데 있다. 예컨대, 접촉 반응에 참여하지 않는 귀금속의 침착이 상당한 비용 인자를 나타내는 귀금속 촉매와, 센서 효과가 층의 구조화 이후에만 달성되는 것인 센서 표면이 있다.

상기 생물학적 주형 표면에 금속 클러스터 및/또는 금속층이 침착될 수 있다. 금속 클러스터 및 금속 피막은 상이한 금속으로 구성될 수 있다. 백금, 팔라듐 등의 귀금속이 좋다.

이와 관련하여, 금속 클러스터의 침착은 항상 피복 공정의 제1 단계이다. 계속되는 클러스터 침착은 증가하는 수효의 클러스터들의 상호 접촉을 일으키므로, 결국 폐쇄층이 생성된다. 연속적인 전도성이 달성되는 즉시, 상기 공정은 전기 화학적 피복법에 의하여 계속될 수 있다. 제1 단계에서 침착된 클러스터들이 충분한 귀금속으로 구성되는 경우, 예컨대 니켈, 코발트 또는 구리 등의 기타의 금속에 의한 추가의 피복도 역시 계속될 수 있다. 이 목적으로는, 이 기술 분야에서 알려져 있는 바와 같이 무전류 금속화법이 이용된다.

Al₂O₃, 실리콘, 탄소, 고체 전해질 또는 투과성 전기 도전층으로 된 기체가 상기 금속화법을 위한 기체로서 이용된다.

또한, 본 발명은 본 발명에 따른 촉매용 기체, 고체 전해질 센서 또는 필요에 따라 투과성 전기 도전층으로서의 용도를 포함한다.

불균질 촉매들은 접촉 반응시킬 기체 또는 액체가 통과하는 지지체로 구성된다. 상기 지지체는 촉매 활성 물질로 구성되거나, 귀금속 촉매의 경우에는 촉매 활성 귀금속 입자로 피복된다. 폐쇄형 금속 피복과는 반대로, 통상 1~50 ㎚ 범위의 미소 클러스터의 침착은 부피가 동일한 귀금속에 대하여 표면적이 더 넓은 장점이 있다. 표면적을 더 증가시키기 위하여, 통상 입자 형태로 존재하고, 그 표면의 실제의 지지체는 피막으로서 침착되어 있는 중간 지지체 표면에 금속 클러스터를 침착시키는 것이 일반적이다. 이 중간 지지체는 내부 표면적이 크다 (예컨대, 감마 산화알루미늄 또는 활성 탄소). 따라서, 상기 실제의 지지체 표면에 비하여 매우 다량의 귀금속 입자들이 여기에 침착될 수 있으므로, 촉매 활성은 증가된다. 그러나, 금속염 용액을 상기 중간 지지체의 구멍 구조 내에 침투시키는 것은 비교적 조절되지 않은 방식으로 일어난다. 그러나, 이들 재료의 전체 다공도의 상당 부분은 매우 작은 다공성 형태이다. 고유동 저항의 결과, 적용시 접촉 반응시킬 기체 또는 액체의 접촉은 더 어려워지게 되거나, 전혀 가능하지 않다. 본 발명에 따른 생물학적 주형을 이용하면, 이 경우 주형의 크기에 기초한 침착 위치를 선택할 수 있게 된다. 따라서, 생물학적 구조 표면에서의 금속 클러스터의 후속되는 침착은 고가의 귀금속 자원의 조절되지 않은 손실을 예방하는 한편, 촉매 활성은 동일하게 유지된다.

본 발명에 따른 피막을 이용함으로써, 기체 표면에는 3상(相) 경계면 (금속 피막/기체(基體)-기체(氣體)상/액체상)의 고비율로 제공될 수 있다. 이러한 기체는 고체 전해질 센서에 적합하다.

본 발명에 따른 기체는 광투과성 전기 도전층, 예컨대 디스플레이 장치에 적합하다. 이러한 목적을 위해서는, 광투과성 전기 도전층 위에 생물학적 주형을 침착시킨 다음 금속화시킨다. 디스플레이 장치를 배열할 때, 전하를 분산시킬 수 있는 층이 필요하다. 물론, 이들 층은 광학 기능에 부정적인 영향을 미치지 않도록 동시에 높은 광투과도를 지녀야 한다. 또한, 정전기 전하의 감소가 유리한 비전도성 기체를 피막시키는 다양한 적용법이 있다. 그러나, 동시에 외관은 변하지 않아야 한다.

첨부 도면에 의하여 본 발명의 실시 상태를 더욱 상세히 설명하겠다.

도 1은 실시예 1에 따른 기체의 SEM 영상을 나타낸 것이다.

도 2는 DSC 도표를 나타낸 것이다.

도 3은 DSC 도표를 나타낸 것이다.

실시예 1

생물학적 주형으로 조절된 피복에 의한 금속 클러스터를 가진 표면의 목적하는 피막 (바실루스 스파에리쿠스 (Bacillus sphaericus) NCTC 9602 표면의 S층 패치).

S층 제조는 엔겔하드 등 (Engelhard, H.; Saxton, W.; Baumeister, W.)의 논문 ("Three-dimensional structure of tetragonal surface layer of Sporosarcina urea"; J. Bacteriol. 168(1), 309, 1986)에 기초한다. 4℃에서 단리 및 정제된 S 층을 저장하기 위한 표준 완충액은 3 mM NaN₃ 및 1 mM MgCl₂가 첨가된 50 mM TRIS/HCl 용액으로 구성된다.

추가 실험 작업을 위한 S층 용액은 표준 농도가 10 ㎎/㎖이다.

금속 클러스터에 의한 단백질 피막용 계산값에 기초하여, 적어도 24 시간 전에 준비한 K₂PtCl₄ 3 mM의 용액에 단백질 용액 13 ㎕를 첨가한다. 광선을 차단하고 S층 용액과 금속 착물 용액 사이의 상호 반응을 24 시간 동안 수행한다. 이 배양 시간 후에, 클러스터 형성에 요하는 필요한 수효의 금속 착물을 주형에 결합시킨다. 기체로서 Al₂O₃ 입자를 첨가하고, 활성 생체 분자가 기체에 흡수되는 24 시간의 흡착 시간 후에, 상기 기체 재료를 용액으로부터 꺼내어 수회 세척하는 단계를 거친다. 이어서, 피복된 기체에 히드라진을 환원제로서 첨가하여, 결합된 금속염 착물을 귀금속 클러스터로 환원시킨다.

이어서, 이와 같이 하여 준비된 물질, 그 중에서도 특히 촉매 활성 물질의 특성화 및 검사용으로 전도성 박피를 표면에 붙이고 전자 현미경을 이용하여 검사한다. 도 1은 기술한 바와 같이 하여 제조한 시료의 전자 현미경 영상을 나타내고 있다. 생물학적 물질이 있는 영역의 금속 클러스터의 유일한 침착을 분명하게 볼 수 있다. 따라서, 이 실시예는 기체 표면에 대한 금속 클러스터의 선택적인 침착 가능성을 나타내고 있다. 이 기술 분야에서 알려져 있는 추가의 화학 금속 피복법에 의하여, 존재하는 클러스터를 연속적인 금속층으로 변형시킬 수 있다. 이어서, 이러한 방식으로 형성된 표면은 전기 전도성을 나타내고, 동시에 높은 3상 경계 (금속 피막-기체-기체상 또는 금속 피막-기체-액체상)의 비율이 존재한다. 이러한 방식으로 제조된 기체는 특히 감도가 높은 고체 전해질 센서로서 이용될 수 있다.

실시예 2

실시예 1에서와 동일하게 생물학적 주형을 사용하지만, 각각 기체 표면에서의 단백질 단량체의 전술한 재결정화를 이용하는 조절 피복에 의한 금속 클러스터를 가진 표면의 목적하는 피막.

사용된 S층 표준 용액을 냉동 건조하고, 이어서 0.8 M TRIS 완충 구아니딘 염산염 용액에 현탁시켜서, 단백질의 최종 농도가 10 ㎎/㎖로 되도록 하였다. 상기 시약들을 30분간 상호 반응시킨 후에, 상기 용액을 준비된 투석 호스 (VISKING 유형 27/32) 또는 투석실로 옮겨, 물과 이어서 MgCl₂ 무함유 표준 완충 용액에 대하여 투석시킨다. 이 단계 후에 투석 호스 중에 존재하는 용액을 적절한 반응 용기에 옮겨서 4 ℃, 20,000 g에서 10분간 원심 분리시킨다. 이 단계에서 제조된 펠릿을 버리고, 상층의 단량체 용액을 후속 작업에 이용한다. (현존하는 지식에 기초하면, 단량체 용액은 약 5일간 안정하며, 이후에는 자가 동화 생성물이 생성된다.)

금방 조제된 단량체 용액은, MgCl₂를 첨가하여 (최종 농도 1 mM) Si 기체 표면에서 재결정화시킨다. 30 ℃, 초고습도에서, 상기 단백질 단량체는 단층 내의 Si 기체 표면에서 24 시간 내에 재결정화한다. 수회의 세척 단계 후에, 이러한 방식으로 기능화한 Si 기체를 금속 착물 용액과 접촉시킨 다음, 실시예 1과 동일하게 하여 금속 클러스터에 의하여 피복시킨다.

S층 패치 표면의 침착에 비하여, Si 기체 표면에 직접 단백질 단량체를 재결정화시키는 장점은 단백질 단층이 형성된다는 것과, 그 결과 생물학적 물질의 양이 절약된다는 것이다. 생물학적 주형으로 피복된 표면적의 비율은 외부의 변수 (예컨대, 온도, 용액의 pH)에 의하여 조절될 수 있다. 실시예 1에서와 마찬 가지로, 이와 같이 하여 제조된 기체는 고체 전해질 센서의 3상 경계 영역으로서 적합하다.

실시예 3

생물학적 주형 (바실루스 스파에리쿠스 (Bacillus sphaericus NCTC 9602)의 S층 패치)을 사용한 조절 피복에 의한 배기 가스상에서 촉매 활성을 나타내는 귀금속 클러스터를 사용하는 표면의 목적하는 피막과 염화물 및 히드라진의 이용의 소거.

S층의 제조는 엥겔하르트 등 (Engelhard, H., Saxton, W. 및 Baumeister, W.)에 의한 논문 ("Three-dimensional structure of tetragonal surface layer of Sporosarcina urea," J. Bacteriol. 168(1), 309, 1986)에 기초한다. 단리 및 정제시킨 S층 (4 ℃)을 저장하기 위한 표준 완충액은 3 mM NaN₃ 및 1 mM MgCl₂가 첨가된 50 mM TRIS/HCl로 구성되어 있다.

후속 실험 작업을 위한 S층 용액은 표준 농도가 10 ㎎/ℓ이다.

산화알루미늄 입자들 (각 100 ㎎)을 활성 S층 용액에 825 ㎕로 현탁시키고 24 시간 동안 상호 반응하도록 한다. 이어서, 증류시킨 H₂O로 2회 세척하는 단계를 수행한다.

S층으로 피복된 입자에 Pt(NO₃)₂ 용액 10.83 ㎖를 첨가하여 혼합하고, 실온에서 광선을 차단하여 72 시간 배양시킨다. 이 기간 중에 Pt 착물의 클러스터에 필요로 하는 S층 단백질과의 결합이 이루어진다.

상층액을 버리고 입자들을 증류시킨 H₂O로 1회 그리고 다시 2회 세척한다.

상기 산화알루미늄 입자에 NaBH₄ 2.4 ㎖를 첨가함으로써 금속성 백금이 되도록 환원시킨다. 환원 종결 표시자로서 기체 발생이 이용될 수 있다. 환원은 30~60분 후에 완결되어야 한다.

상층액을 다시 버린다. 각각 증류시킨 H₂O 10 ㎖로 2회 세척하고, 생성물을 40 ℃에서 건조시킨다.

Pt 클러스터 침착의 시각적 특성화를 위하여는, 전자 현미경 정밀 검사에 의한 검사가 적합하다. 촉매 활성을 평가하기 위하여, 생물학적 주형은 사용하지 않지만 동일한 절차에 따라 수행되는 대조 제조법이 수행된다. 도 2는 촉매 활성을 평가하기 위한 DSC 측정 (차등 열분석) 결과를 나타내는 것이다. 생물학적 주형을 이용함으로써 제조된 촉매는 유사한 촉매 효과를 나타낸다 (반응 온도 대조 촉매보다 단지 10 ℃ 이상). 그러나, 백금의 함량은 유의적인 절감 (백금 함량의 1.1%에서 0.24%로 감소)을 나타낸다. 생물학적 주형을 이용하여 백금 용액의 농도를 변화시키는 실험의 반복 결과는 촉매 중의 백금의 함량뿐만 아니라 촉매 활성이 그 공정에 이용된 농도와 무관하다는 사실을 나타낸다. 이것은 백금의 침착량이 오직 생물학적 주형에 의하여 결정되고 조절된다는 점을 분명히 나타내는 것이다 (도 3).

Claims (17)

1. 기체 (基體) 표면에 생물학적 주형들을 침착시킨 후에 금속 피복 공정을 수행하여 얻게 되는, 표면의 일부에 금속으로 피복된 생물학적 주형들이 있는 공간적으로 선택적인 금속 피막을 가진 기체.
2. 제1항에 있어서, 상기 생물학적 주형들은 표층 단백질 (S층)인 것을 특징으로 하는 기체.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 피막은 금속 클러스터 및/또는 1종 이상의 금속층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기체.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 금속 피막은 귀금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기체.
5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 금속 클러스터 및 금속 피막은 상이한 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기체.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기체는 Al₂O₃, 실리콘, 탄소 또는 고체 전해질로 구성되는 것을 특징으로 하는 기체.
7. 기체 표면에 금속 클러스터를 공간적으로 선택적인 침착을 행하기 위한 방법에 있어서, 상기 생물학적 주형을 상기 기체 표면에 침착시킨 다음, 상기 생물학적 주형에 친화성인 조건하에 금속화시키거나, 상기 생물학적 주형들을 금속 용액 중에서 활성화시키고, 이어서 상기 기체 표면에 침착시킨 다음, 상기 생물학적 주형들에 친화성인 조건하에 금속화시키는 것을 특징으로 하는 기체 표면에 금속 클러스터를 공간적으로 선택적인 침착을 행하기 위한 방법.
8. 제6항에 있어서, 상기 금속 클러스터 및/또는 금속 피막들은 침착되는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 금속 피막은 1종 이상의 금속염 용액 중에서 무전류 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
10. 제7항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 생물학적 주형의 침착은 그 침착에 사용되는 용액을 함유하는 생물학적 주형의 농도 또는 유속을 변화시켜 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
11. 제7항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 생물학적 주형의 크기와 이 들의 결합 메카니즘은 목적하는 침착에 이용되는 것을 특징으로 하는 방법.
12. 제7항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 생물학적 주형의 침착은 전기장을 가함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 방법.
13. 제7항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 생물학적 주형은 기체 표면에서 단량체로서 재결정화하는 것을 특징으로 하는 방법.
14. 제7항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 표층 단백질 (S층)은 생물학적 주형으로서 이용되고 귀금속으로 피복되는 것을 특징으로 하는 방법.
15. 촉매, 고체 전해질 센서 또는 광투과성 도전층으로서의 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 기체의 용도.
16. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 기체 1종 이상을 함유하는 촉매.
17. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 기체 1종 이상을 함유하는 고체 전해질 센서.

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