KR20080041399A - 플라스틱 기판의 제조방법 - Google Patents

플라스틱 기판의 제조방법 Download PDF

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KR20080041399A
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장인배
최승렬
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주식회사 삼양사
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Abstract

본 발명은 플라스틱 필름 기판의 제조방법에 관한 것으로, 투명 플라스틱 기재 필름의 단면 또는 양면에 플라즈마 장치를 이용하여 무기박막을 적층하는 공정에서 증착온도를 조절하여 박막의 물성을 제어하는 플라스틱 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은 박막을 형성하는 단계에서 증착온도를 점차적으로 증가시켜서 플라스틱 필름 기판으로 사용되는 고분자 기재와 증착되는 무기박막의 비상용성을 보완하면서 높은 접착력을 확보하고, 또한 높은 가스차단특성을 얻는 것을 특징으로 한다.
전자 사이클로트론 공진 플라즈마, 기체 차단막, 무기박막, 접착력, 실리콘 산화막, 실리콘 질산화막, 필름기판

Description

플라스틱 기판의 제조방법{Process for preparing plastic substrate}
도1은 종래 기술에 따라 제조된 플라스틱 기판의 단면도.
도2는 선행문헌에서 제시된 방법에 따라 제조된 플라스틱 기판의 단면도.
도3은 본 발명에 따라 제조된 플라스틱 필름기판의 단면도.
도4는 온도 변화에 따른 무기박막의 FT-IR data.
도5a는 단일 탄소 함량을 가지는 무기박막을 개략적으로 도시한 도면.
도5b는 계단식으로 감소하는 탄소 함량을 가지는 무기박막을 개략적으로 도시한 도면.
도5c는 연속적으로 감소하는 탄소 함량을 가지는 무기박막을 개략적으로 도시한 도면.
<도면 부호의 상세 설명>
1, 8, 15 : 플라스틱 기재 필름
2, 9, 16 : 중간층 (유기 또는 유-무기 하이브리드 코팅)
3, 10, 17 : 플라즈마 표면 처리
4: 단일 무기박막층, 11: 다층 무기 박막층, 18: 연속무기박막층
5, 12, 19 : 플라즈마 표면처리
6, 13, 20 : 상단 표면 보호층 (유기 또는 유-무기 하이브리드 코팅)
7, 14, 21 : 하단 표면 보호층 (유기 또는 유-무기 하이브리드 코팅)
본 발명은 평판디스플레이용 또는 전자종이용 플라스틱 필름 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스틱 필름 기재 위에 무기산화박막 또는 무기질산화 박막을 형성하는 데 있어서 플라즈마 화학증착법(Chemical Vapor Deposition:CVD)에서 공정온도를 조절하여 증착된 박막의 물성을 연속적으로 변화시켜서 플라스틱 기재와 무기 박막과의 비상용성을 보완하여 접착력을 증대시키고, 높은 수준의 기체차단특성을 가지는 무기박막층이 형성된 평판 디스플레이용 또는 전자종이용 플라스틱 필름 기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이로 대표되는 평판디스플레이는 주로 유리를 기판으로 사용하여 왔으나, 유리기판 디스플레이는 디자인이 제한적일 뿐만 아니라 충격에 약하고, 박형화 및 경량화에도 한계가 있었다. 이러한 유리기판의 단점을 보완하기 위해서 플라스틱 기판의 개발이 요구되어 왔다. 플라스틱 기판은 유리기판 대비 두께는 1/3, 중량은 1/6 정도로 경량화 및 박형화가 가능하며, 내충격성도 우수하다.
플라스틱 기판으로 사용되는 기재로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에테르술폰 (PES), 폴리카보네이트 (PC), 폴리아릴레이트 (PAr) 또는 사이클릭 올레핀 코폴리머 (COC) 등이 있고, 이러한 재료들은 광학 필름으로 일반적으로 사용되고 있다.
상기 플라스틱 필름 기재에 무기물 전구체로 박막을 형성하여, 하드코팅 또는 가스 차단 박막 등을 형성하는 기술들이 활발히 연구되고 있다.
이러한 플라스틱 기판 제조시 실리콘산화물 (SiOx) 또는 실리콘 질산화물(SiOxNy) 등이 기체 차단 박막 형성에 주로 이용되고 있다.
종래의 플라스틱 기판 제조시 가장문제가 되는 부분은 플라스틱 필름 기재와 증착된 무기박막 사이의 비상용성이다. 이는 탄소와 수소로 이루어진 플라스틱 기재 위에 금속원소와 산소 등으로 구성된 무기물을 증착하는 경우 서로 다른 격자구조를 가지고 있는 물질들이 계면에서 섞이지 않고 반발하기 때문에 유발되는 것이다. 이를 비상용성 (incompatibility)이라고 하는데, 서로 다른 성질을 가지는 물질 사이의 계면에서의 비상용성은 두 물질의 접착력과 연관성을 가지게 된다. 따라서, 유기물인 플라스틱 필름 기재 상에 무기 박막을 증착할 때 박막 내에 탄소와 같은 유기원소가 일정수준 포함된 형태로 증착을 하는 방법으로 이런 비상용성을 보완할 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 산소와 무기막 유도체의 상대적인 분압비율을 바꾸거나 전력밀도를 변화시켜서 중간에 탄소를 포함하는 버퍼층을 형 성하는 기술이 소개되었다(국내 2004-0078329, WO 97-13902, 및 US6838197 B2). 그러나, 상기 선행문헌에서 사용된 방법은 산소와 무기막 유도체의 상대적인 분압 비율을 조정하는 경우, 압력이나 기타 다른 공정변수들이 동시에 변하게 되므로 일정한 공정조건을 조절하기 어렵고, 분압 비율의 변경시에 상안정화의 필요에 따라 발생하는 공정 사이사이의 시간적 공백이 발생할 수 밖에 없다. 또한, 위의 방법으로 증착된 박막의 경우에는 유기물과 무기물 사이의 비상용성을 보완하기 위해서 중간에 버퍼층을 형성하였으나, 유기물과 무기물 사이의 비상용성을 근본적으로 해결할 수 없었다.
또한 미국 특허공보 제6,933,225호에서도 무기박막을 연속적으로 증착하는 방법을 제시하였다. 상기 특허에서는 반도체 소자의 실리콘 산화박이 가지는 터널링 현상을 극복하기 위해서 실리콘 질산화막 등을 도입할 때 플라즈마 펄스 세기의 변화를 이용하여 불순물의 농도 구배가 있는 박막을 도입하였다. 그러나, 상기 특허에서의 연속적인 박막증착은 분자수준의 증착방법인 ALD(Atomic layer deposition)방법을 사용하여 기존의 CVD 방법에 비해서 매우 번거롭고 시간도 많이 걸리기는 단점이 있었다. 이 방법은 생산성을 고려한다면 그다지 효율적이지 못한 단점을 가지고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명자들은 플라즈마 화학증착법에서 반응챔버의 진공도 및 반응가스(산소, 아산화질소, 질소, 혹은 암모니아)와 무기물 유도체의 비율 등의 다른 공정변수의 변화 없이, 증착 온도만을 조절하는 경우 무기 박막의 탄소 함량이 연속적으로 변화하는 무기박막을 형성할 수 있다는 점을 밝혀 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 플라즈마 증착 온도를 조절하여 플라스틱 기재와 무기박막 사이의 접착력을 향상시킨 평판디스플레이용 또는 전자종이용 플라스틱 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 탄화수소를 포함하는 복합 무기 전구체 및 반응가스를 플라즈마 화학증착법으로 투명 플라스틱 기재필름의 일면 또는 양면에 증착시켜 무기박막을 형성하는 단계를 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명자들은 놀랍게도 플라즈마 화학증착법에서 반응챔버의 진공도 및 반응가스(산소, 아산화질소, 질소, 혹은 암모니아)와 무기물 유도체의 비율 등의 다른 공정변수의 변화 없이, 증착 온도의 조절만으로도 무기 박막의 탄소 함량이 연속적으로 변화하는 무기박막을 형성할 수 있다는 점을 밝혀내었다.
따라서 본 발명에 따른 플라스틱 기판의 제조방법은 탄화수소를 포함하는 복합 무기 전구체 및 반응가스를 플라즈마 화학증착법으로 투명 플라스틱 기재필름의 일면 또는 양면에 증착시켜 무기박막을 형성하는 단계에서 플라즈마 챔버 내의 증착온도를 증가시키는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 한다.
상기 증착온도를 증가시키는 조건은 특별히 제한되지 않으나, 증착 온도 범 위는 10~220℃이고, 증착온도의 증가는 연속적으로 또는 불연속적으로 증가될 수 있다. 상기에서 증착온도가 연속적으로 증가하는 경우를 예를 들면 실온에서 증착을 시작하여 10℃/min과 같이 일정한 속도로 온도를 증가시켜 200℃까지 증착온도를 증가시키는 경우를 의미한다. 또한 증착온도가 불연속적으로 증가하는 경우를 예를 들면 증착온도를 50℃, 70℃, 90℃, 및 110℃로 증가시키면서 각각의 온도에서 5분간 증착공정을 진행시키는 경우를 의미한다.
상기 증착온도가 연속적으로 증가되는 경우에 승온속도는 특별히 제한되지 않으나 적절한 막 물성의 변화를 고려할 때, 1 ~ 20℃/min인 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 제조방법에 있어서 화학증착법의 원료인 탄화수소를 포함하는 복합 무기 전구체 및 반응가스는 하기에 의해 구체화된다.
상기 탄화수소를 포함하는 복합무기 전구체는 헥사메틸디실록산 (hexamethyldisiloxane), 헥사메틸디실라잔 (hexamethyldisilazane), 테트라 에톡시 실란 (tetraethoxysilane), 테트라메톡시실란 (tetramethoxysilane), 메톡시 트리메틸실란 (methoxytrimethylsilane), 테트라메틸실란 (tetramethylsilane), 트리페닐 실란 (triphenylsilane), 테트라클로로 실란 (tetrachlorosilane), 트리클로로 메틸실란 (trichloromethylsilane), 트리메틸 클로로실란 (trimethylchlorosilane), 디메틸 디클로로실란 (dimethyldichlorosilane), 디메틸 클로로 실란 (dimethyl chlorosilane), 펜타키스 디메틸아미노 탄탈륨 (pentakis(dimethylamino) tantalum), 펜타에톡시 탄탈륨 ((penta ethoxy) tantalum), 티타늄 아이소프로폭사이드 (titanium isopropoxide), 티타늄 부톡사이드 (titanium butoxide), 지르코늄 테트라클로라이드 (zirconium tetrachloride) 및 지르코늄 테트라 터트 부톡사이드 (zirconium tetra-tert butoxide)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
또한 상기 반응 가스는 산소, 아산화질소, 질소 또는 암모니아를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 반응 가스 및 무기물 유도체의 비율은 필요에 따라 0 ~ 150 범위 안에서 조정할 수 있다.
한편 상기 플라스틱 기재필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 또는 사이클릭 올레핀 코폴리머와 같은 열가소성 수지 또는 에폭시 수지 또는 불포화 에스테르 수지와 같은 열경화성 수지로 형성된 것을 사용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
또한 본 발명에 따른 상기 무기박막은 Si, Ta, Ti 및 Zr로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 포함하는 금속산화물, 금속질산화물 또는 금속질화물인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 플라스틱 기판의 제조방법은 무기박막과의 접착력을 향상시키기 위하여 무기박막을 형성하는 단계 전에 투명 플라스틱 기재필름의 일면 또는 양면을 산소, 아르곤, 또는 질소 플라즈마로 전처리하는 단계를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 플라스틱 기판의 제조방법은 플라스틱 기재의 표면 거칠기를 보안하고 무기박막과의 접착력을 향상시키기 위하여 무기박막을 형성하는 단계 전에 투명 플라스틱 기재필름의 일면 또는 양면에 아크릴레이트계 수지로 코팅하는 단계를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
표 1은 PET, PC, PES 및 PI의 플라스틱 기재들과 유리의 알칼리, 케톤, 알코올에 대한 내화학성 결과를 나타낸 것이다. 표 1에 나타낸 바와 같이 플라스틱 기재는 유리에 비하여 내화학성이 떨어진다. 따라서 플라스틱 기판의 내화학성을 향상시키기 위하여 기판의 최외곽층에 추가의 코팅 층을 형성하는 것이 바람직하다.
Figure 112006081434808-PAT00001
본 발명에 따른 플라즈마 화학증착법은 특별히 제한되지 않으나 본 발며의 목적을 고려할 때, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학증착법을 이용하는 것이 바람직하다.
이하 도면을 참고하여 본 발명에 따른 일 실시예를 설명하면 하기와 같다.
도3은 본 발명에서 제조된 플라스틱 필름기판의 단면에 박막을 형성한 구조를 나타낸 것이다. 플라스틱 기재 필름의 한쪽 면에 플라스틱 기재의 표면 거칠기를 보완하고 무기박막과의 접착력에 기여하기 위해서, 실리콘 아크릴레이트계 코팅제로 된 중간층(16)을 형성하였다. 무기박막을 증착하기 전에 산소, 아르곤, 질소 플라즈마를 통해서 표면처리를 실시하여 표면을 활성화(17)시키는 경우 무기 박막의 표면 접착력이 증가할 수 있다. 연속적인 성질을 가지는 무기박막층(18)의 성막조건은 반응계의 진공도 및 반응가스 (산소, 아산화질소, 질소, 또는 암모니아)와 무기물 유도체의 비율 등 공정변수는 고정된 상태에서 온도만을 연속적으로 조절하여서 막질을 연속적으로 변화시켰다.
도4는 온도 증가에 따른 점진적인 막질의 변화를 보여주는 결과들이다. 이처럼 연속적인 성질을 가지는 무기박막층(18)위에 내용제성 및 내스크래치성을 확보하기 위한 아크릴레이트계 광경화 코팅제로 된 보호층(20)을 형성하였다. 또한 상기 보호층(20)의 접착력을 확보하기 위해서 산소, 질소, 또는 아르곤 플라즈마를 통해서 표면처리(19)를 실시하였다. 한편, 플라스틱 기재 필름의 반대 면에는 플라스틱 기판의 휘어짐을 보완해주면서 동시에 내용제성과 내스크래치성을 부여해주는 아크릴레이트계 광경화 코팅제로 된 보호층(21)을 코팅하였다.
실시예 1
100~200㎛ 두께의 플라스틱 기재 필름(PES)을 120~200℃ 컨벡션 오븐에서 1일간 어닐링을 실시하였다. 필름의 한쪽 면에 자동 도공기를 이용하여 실리콘 아크릴레이트를 코팅하고, 200 mJ의 UV를 이용하여 경화시켰다. 진공 챔버 내에 필름을 장착하고 배기하여 챔버 내의 압력을 5x10-6 torr로 낮추었다. 산소가스 60 sccm, 아르곤가스 10sccm을 주입하고 400 W의 ECR 전압을 걸어 플라즈마를 형성하였다. 이때 RF 바이어스는 -30 V로 고정하였다. 압력은 5x10-2 torr에서 표면처리를 실시하였다.
플라즈마가 형성된 챔버에 헥사메틸디실록산 (HMDSO)을 1.22 g/hr의 속도로 투입하면서 온도를 20℃에서 150℃로 승온속도는 20분 동안은 분당 7.5℃/min 올리고, 이후 20분 동안은 150℃에서 증착을 실시하였다. 헥사메틸디실록산의 투입을 중단하고 플라즈마를 이용해서 표면처리를 실시하였다. 기체투입을 중단한 후 질소를 챔버에 불어넣어 압력을 대기상태로 높인 후 필름을 꺼낸 후 필름의 양면에 자동 도공기를 이용하여 아크릴레이트계 하드코팅을 실시하였다. 제조된 기판은 투명하며, 구부러짐 현상이 발생하지 않았다.
실시예 2
실시예 1과 동일한 조건으로 실험을 진행하되, 플라즈마가 형성된 챔버에 헥사메틸디실록산(HMDSO)을 1.22 g/hr의 속도로 투입하면서 온도를 75 ℃, 90 ℃, 105 ℃, 120 ℃, 135℃, 150℃로 각각 증가시키면서 각 온도마다 10분간 증착시켰다.
도 4는 각각의 온도에서 증착된 막질의 FTIR 결과이다. 75℃에서 150℃로 갈수록 점차적으로 1270cm-1부근에서 발견되는 Si-CH3 피크(peak)의 강도 (intensity)와 1040cm-1 부근에서 발견되는 Si-O 피크와의 상대적인 비율인 Si-O/Si-CH3의 비가 점차 증가하여 도4f에서는 거의 무한대의 값을 가진다. 이 결과로 온도가 올라갈수록 박막내의 카본 함량이 점차 줄어드는 것을 알 수 있었다.
상기 비율에 대한 내용을 표 2에 나타내었다. 제조된 기판은 투명하며, 구부러짐 현상이 발생하지 않았다.
Figure 112006081434808-PAT00002
실시예 3
실시예 1과 표면처리 공정을 동일하게 가져간 후 배기하여 챔버 내의 압력을 5x10-6 torr 로 낮추었다. 실리콘 질산화막의 증착을 위해서 아산화질소 가스 100 sccm, 질소가스 10 sccm 을 주입하고 1200 W의 ECR 전압을 걸어 플라즈마를 형성하였다. 이때 RF 바이어스는 -30 V로 고정한다. 압력은 5x10-1 torr에서 증착을 실시하였다. 플라즈마가 형성된 챔버에 헥사메틸디실록산(HMDSO)을 1.22 g/hr의 속도로 투입하면서 온도를 75℃ 에서 150℃로 3.75 ℃/min의 속도로 승온하면서 20분간 증착하였고, 이어서 20분간 150℃에서 증착시켰다. 다시 헥사메틸디실록산의 투입을 중단하고 플라즈마를 이용해서 표면처리를 실시하였다. 기체투입을 중단한 후 질소를 챔버에 불어넣어 압력을 대기상태로 높인 후 필름의 양면에 자동 도공기를 이용하여 아크릴레이트계 하드코팅을 실시하였다. 제조된 기판은 투명하며, 구부러짐 현상이 발생하지 않았다.
실시예 4
실시예 1과 동일한 방법으로 실험하였으며, HMDSO 대신 헥사메틸디실라잔 (HMDS)을 사용하여 증착하였다. 제조된 기판은 투명하며, 구부러짐 현상이 발생하지 않았다.
비교예 1
실시예 1과 동일한 방법으로 실험하였으며, 온도를 120oC로 고정하여, 헥사메틸디실록산을 1.22g/hr 투입하여, 40분간 증착하였다.
실험예
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 기판의 접착력을 테스트하기 위하여 각 기판에 대하여 인치당 40온스의 접착력을 가지고 있는 3M #600 테이프를 이용하여 ASTM D3359 방법에 있는 cross hatch tape test를 이용하여 측정하고, 그 결과는 표 3에 나타내었다.
또한, 모콘 (MOCON) 장비를 이용하여 가스 차단특성을 측정하여 표 3에 나타내었다.
접착력 테스트 (40 oz./in) MOCON 테스트 (수증기 투과율) (gm/m2.day)
실시예 1 5B 0.3
실시예 2 5B 0.1
실시예 3 5B 0.09
실시예 4 5B < 0.005
비교예 1 0B 3.9
* ASTM D3359에 의하여 5B는 0%, 4B는 5% 이내, 3B는 5~15%, 2B는 15~35%, 1B는 35~65%, 0B는 65%이상 박리를 의미한다.
*PES의 수증기 투과율은 60 gm/m2.day
상기 표 3에서 실시예1 내지 4에서 제조된 기판은 박리가 일어나지 않았으며, 가스차단 특성도 우수함을 확인할 수 있었다.
본 발명에서는 플라스틱 기재 필름에 접착력이 향상된 중간층을 형성하고, 플라즈마 중합의 여러 개의 공정변수를 동시에 흔들지 않고, 온도 변화만으로도 무기막의 증착조건을 연속적으로 변화시킬 수 있으며, 이를 통해 플라스틱 기재와 무 기박막의 비상용성을 극복하고, 접착력과 가스차단 특성이 향상되는 효과를 달성하였다.

Claims (10)

  1. 탄화수소를 포함하는 복합 무기 전구체 및 반응가스를 플라즈마 화학증착법으로 투명 플라스틱 기재필름의 일면 또는 양면에 증착시켜 무기박막을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 단계는 플라즈마 챔버 내의 증착온도를 증가시키는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 증착온도 범위는 10~220℃이고, 증착온도는 연속적으로 또는 불연속적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 또는 전자종이용 플라스틱 기판의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 증착온도가 연속적으로 증가되는 경우에 승온속도는 1 ~ 20℃/min인 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 복합무기 전구체는 헥사메틸디실록산, 헥사메틸디실라잔, 테트라에톡시실란, 테트라메톡시실란, 메톡시트리메틸실란, 테트라메틸실란, 트리페닐실란, 테트라클로로 실란, 트리클로로 메틸실란, 트리메틸클로로실란, 디메틸디클로로실란, 디메틸클로로실란, 펜타키스 디메틸아미노 탄탈륨, 펜타에톡시 탄탈륨, 티타늄 아이소프로폭사이드, 티타늄 부톡사이드, 지르코늄 테트라클로라이드 및 지르코늄 테트라 터트 부톡사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 반응 가스는 산소, 아산화질소, 질소 또는 암모니아를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라스틱 기재필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 사이클릭 올레핀 코폴리머, 에폭시 수지, 또는 불포화 에스테르 수지로 형성된 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 화학증착법은 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무기박막은 Si, Ta, Ti 및 Zr로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 포함하는 금속산화물, 금속질산화물 또는 금속질화물인 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 무기박막을 형성하는 단계 전에 투명 플라스틱 기재필름의 일면 또는 양면을 산소, 아르곤, 질소 플라즈마로 전처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 무기박막을 형성하는 단계 전에 투명 플라스틱 기재필름의 일면 또는 양면에 아크릴레이트계 수지로 코팅하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 제조방법.
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