KR20080031117A - 처리 가스 공급 기구 및 처리 가스 공급 방법, 가스 처리장치, 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 - Google Patents

처리 가스 공급 기구 및 처리 가스 공급 방법, 가스 처리장치, 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20080031117A
KR20080031117A KR1020070098625A KR20070098625A KR20080031117A KR 20080031117 A KR20080031117 A KR 20080031117A KR 1020070098625 A KR1020070098625 A KR 1020070098625A KR 20070098625 A KR20070098625 A KR 20070098625A KR 20080031117 A KR20080031117 A KR 20080031117A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
processing gas
gas
flow path
process gas
Prior art date
Application number
KR1020070098625A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100915740B1 (ko
Inventor
료 사토
히토시 사이토
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20080031117A publication Critical patent/KR20080031117A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100915740B1 publication Critical patent/KR100915740B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/50—Filling, e.g. selection of gas mixture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/54—Means for exhausting the gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)

Abstract

본 발명은 처리 용기내가 설정 압력으로 되도록 하는 처리 가스를 단시간에 공급할 수 있는 처리 가스 공급 기구를 제공한다. 처리 가스 공급 기구(3)는, 기판(G)을 수용하는 처리 용기로서의 챔버(2)내에 처리 가스로서의 He 가스를 공급하기 위한 He 가스 공급원(30)과, He 가스 공급원(30)으로부터의 He 가스를 일시적으로 저류하기 위한 처리 가스 탱크(33)와, He 가스 공급원(30)으로부터의 He 가스를 처리 가스 탱크(33)에 송급하고, 처리 가스 탱크(33)내의 He 가스를 챔버(2)내에 송급하는 처리 가스 통류 부재(35)를 구비하고, He 가스가, 처리 가스 통류 부재(35)를 거쳐서 He 가스 공급원(30)으로부터 처리 가스 탱크(33)에 일단 저류되어, 처리 가스 탱크(33)로부터 챔버(2)내에 공급된다.

Description

처리 가스 공급 기구 및 처리 가스 공급 방법, 가스 처리 장치, 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체{MECHANISM AND METHOD FOR SUPPLYING PROCESS GAS, GAS PROCESSING APPARATUS, AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 처리 용기내에 수용된 평판 디스플레이(flat-panel display; FPD)용의 유리 기판 등의 피처리체에 소정의 처리가 실시되도록 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구 및 처리 가스 공급 방법, 및 이러한 처리 가스 공급 기구를 구비한 가스 처리 장치에 관한 것이다.
FPD의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리체인 FPD용의 유리 기판에 대하여 에칭이나 성막 등의 소정의 처리를 실시하기 위해서, 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 성막 장치 등의 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있다. 플라즈마 처리 장치에서는, 일반적으로 유리 기판이 처리 용기내의 탑재대상에 탑재된 상태에서 처리 용기내에 처리 가스를 공급하면서 고주파 전계를 발생시키는 것에 의해 생성된 처리 가스의 플라즈마에 의해 처리된다.
처리 용기내로의 처리 가스의 공급은 통상 일단부를 처리 가스 공급원에 접속하고, 타단부를 처리 용기에 접속한 배관 등의 유로를 거쳐서, 매스플로우 콘트롤러 등의 유량 조정 기구에 의해 유량 조정하면서 실행하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
그러나, 최근 FPD의 대형화가 지향되어, 1변이 2m를 넘는 것과 같은 거대한 유리 기판도 출현하기에 이르고 있고, 그에 따라 처리 용기가 커져 가고 있기 때문에, 전술한 종래의 처리 가스의 공급 태양에서는, 처리 가스의 공급을 시작하고 나서 처리 용기내의 압력이 설정 압력에 도달할 때까지 긴 시간을 필요로 하여, 스루풋(throughput)이 저하해버린다는 문제를 갖고 있다.
[특허문헌 1] 일본 공개 특허 제 2002-313898 호 공보
본 발명은, 이러한 사정에 비추어 이루어진 것으로, 처리 용기내가 설정 압력으로 되도록 하는 처리 가스를 단시간에 공급할 수 있는 처리 가스 공급 기구 및 처리 가스 공급 방법, 이러한 처리 가스 공급 기구를 구비한 가스 처리 장치, 및 이러한 처리 가스 공급 방법을 실행시키기 위한 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점에서는, 처리 용기내에 수용된 피처리체에 소정의 처리가 실시되도록 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구에 있어서, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급원과, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 일시적으로 저류하기 위한 처리 가스 탱크와, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송급하고, 상기 처리 가스 탱크내의 처리 가스를 상기 처리 용기내에 송급하는 처리 가스 통류(通流) 부재를 구비하고, 처리 가스가, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 처리 가스 탱크에 일단 저류되어, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 처리 용기내에 공급되는 것을 특징으로 하는 처리 가스 공급 기구를 제공한다.
또, 본 발명의 제 2 관점에서는, 피처리체를 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와, 상기 처리 용기내를 배기하는 배기 수단을 구비하고, 상기 처리 용기내에 피처리체를 수용한 상태에서, 상기 배기 수단에 의해 배기하면서 상기 처리 가스 공급 기구에 의해 처리 가스를 공급해서 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하는 가스 처리 장치에 있어서, 상기 처리 가스 공급 기구는, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급원과, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 일시적으로 저류하기 위한 처리 가스 탱크와, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송급하고, 상기 처리 가스 탱크내의 처리 가스를 상기 처리 용기내에 송급하는 처리 가스 통류 부재를 구비하고, 처리 가스가, 상기 처리 가스 공급 원으로부터 상기 처리 가스 탱크에 일단 저류되어, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 처리 용기내에 공급되는 것을 특징으로 하는 가스 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제 2 관점에 있어서, 상기 처리 가스 통류 부재는, 상기 처리 가스 공급원 및 상기 처리 용기에 접속된 제 1 처리 가스 유로와, 상기 제 1 처리 가스 유로로부터 분기해서 상기 처리 가스 탱크에 접속된 제 2 처리 가스 유로를 갖고, 상기 처리 가스 공급 기구는 처리 가스를 상기 처리 가스 공급원으로부터도 상기 처리 용기내에 공급하는 것이 바람직하다.
이 경우에, 상기 처리 가스 탱크는 복수 마련되어 있는 동시에, 상기 제 2 처리 가스 유로는 상기 처리 가스 탱크의 수에 대응하여 복수 마련되고, 상기 각 제 2 처리 가스 유로는, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖는 것이 바람직하고, 또한 이 경우에, 상기 처리 가스 공급 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 복수의 처리 가스 탱크의 일부로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급시키는 것과 병행해서, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 복수의 처리 가스 탱크의 나머지의 일부 또는 전부에 처리 가스를 저류시키는 것도 바람직하다.
혹은, 이 경우에, 상기 제 2 처리 가스 유로는, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖고, 상기 처리 가스 공급원은 다른 복수 종류의 처리 가스를 공급하도록 복수 마련되어 있는 동시에, 상기 제 1 처리 가스 유로는, 상기 처리 가스 공급원의 수에 대응하여 복수 분기해서 상기 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로를 갖고, 상기 제 2 처리 가스 유로의 상기 송입 유로는, 상기 제 1 처리 가스 유로의 상기 각 공급원 접속 유로로부터 분기하여 있는 것이 바람직하고, 또한 이 경우에, 상기 처리 가스 공급 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급시킨 후, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 제 1 처리 가스 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 상기 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급시키는 것과 병행해서, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 처리 가스 탱크에 상기 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 저류시키는 것도 바람직하다.
혹은, 이 경우에, 상기 처리 가스 탱크는 복수 마련되어 있는 동시에, 상기 제 2 처리 가스 유로는, 상기 처리 가스 탱크의 수에 대응하여 복수 마련되고, 상기 각 제 2 처리 가스 유로는, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖고, 상기 처리 가스 공급원은 다른 복수 종류의 처리 가스를 공급하도록 복수 마련되어 있는 동시에, 상기 제 1 처리 가스 유로는, 상기 처리 가스 공급원의 수에 대응하여 복수로 분기해서 상기 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로를 갖고, 상기 각 제 2 처리 가스 유로의 상기 송입 유로는 상기 제 1 처리 가스 유로의 상기 각 공급원 접속 유로로부터 분기하여 있는 것이 바람직하고, 또 한 이 경우에, 상기 처리 가스 공급 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 복수의 처리 가스 탱크의 일부로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급시키는 동시에, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 제 1 처리 가스 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 상기 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급시키는 것과 병행해서, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 복수의 처리 가스 탱크의 나머지의 일부 또는 전부에 상기 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 저류시키는 것도 바람직하다.
또한, 이들의 경우에, 상기 제 1 처리 가스 유로는, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 저류시킬 때에 통류시키는 저류용 유로와, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 용기내에 공급할 때에 통류시키는 공급용 유로를 별개로 갖고 있어도 좋다.
또, 이상의 본 발명의 제 2 관점에 있어서, 상기 배기 수단은, 상기 처리 용기에 복수 접속된 배기로와, 상기 배기로를 거쳐서 상기 처리 용기내를 배기하는 배기 장치를 갖는 경우에는, 상기 처리 가스 통류 부재와 상기 복수의 배기로중 일부에는 바이패스 유로가 접속되고, 상기 처리 가스 통류 부재내의 처리 가스가 상기 바이패스 유로를 거쳐서 상기 배기 수단에 의해 배출가능하게 구성되어 있고, 상기 바이패스 유로가 접속된 상기 배기로는 상기 바이패스 유로와의 접속부보다도 상류측이 개폐 가능한 것이 바람직하다.
또한, 이상의 본 발명의 제 2 관점에 있어서, 상기 처리 용기내에, 상기 처리 가스 공급 기구에 의해 공급된 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구를 더 구비하고, 상기 소정의 처리는 처리 가스의 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 제 3 관점에서는, 처리 용기내에 수용된 피처리체에 소정의 처리가 실시되도록 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 방법에 있어서, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급원과, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 일시적으로 저류하기 위한 처리 가스 탱크와, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송급하고, 상기 처리 가스 탱크내의 처리 가스를 상기 처리 용기내에 송급하는 처리 가스 통류 부재를 준비하고, 처리 가스를, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 처리 가스 탱크에 일단 저류하여, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 처리 용기내에 공급하는 것을 특징으로 하는 처리 가스 공급 방법을 제공한다.
본 발명의 제 3 관점에 있어서, 상기 처리 가스 통류 부재를, 상기 처리 가스 공급원 및 상기 처리 용기에 접속된 제 1 처리 가스 유로와, 상기 제 1 처리 가스 유로로부터 분기해서 상기 처리 가스 탱크에 접속된 제 2 처리 가스 유로로 구성하여 두고, 처리 가스를 상기 처리 가스 공급원으로부터도 상기 처리 용기내에 공급하는 것이 바람직하다.
이 경우에, 상기 처리 가스 탱크를 복수 마련하는 동시에, 상기 제 2 처리 가스 유로를, 상기 처리 가스 탱크의 수에 대응하여 복수 마련하고, 상기 각 제 2 처리 가스 유로를, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖도록 구성하여 두고, 상기 복수의 처리 가스 탱크의 일부로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 것과 병행해서, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 복수의 처리 가스 탱크의 나머지의 일부 또는 전부에 처리 가스를 저류하는 것도 바람직하다.
혹은, 이 경우에, 상기 제 2 처리 가스 유로를, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖도록 구성하고, 상기 처리 가스 공급원을, 다른 복수 종류의 처리 가스를 공급하도록 복수 마련하는 동시에, 상기 제 1 처리 가스 유로를, 상기 처리 가스 공급원의 수에 대응하여 복수로 분기해서 상기 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로를 갖도록 구성하고, 상기 제 2 처리 가스 유로의 상기 송입 유로를, 상기 제 1 처리 가스 유로의 상기 각 공급원 접속 유로로부터 분기시켜 두어, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급한 후, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 제 1 처리 가스 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 상기 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급하는 것과 병행해서, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 처리 가스 탱크에 상기 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 저류하는 것도 바람직하다.
혹은, 이 경우에, 상기 처리 가스 탱크를 복수 마련하는 동시에, 상기 제 2 처리 가스 유로를, 상기 처리 가스 탱크의 수에 대응하여 복수 마련하고, 상기 각 제 2 처리 가스 유로를, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖도록 구성하고, 상기 처리 가스 공급원을, 다른 복수 종류의 처리 가스를 공급하도록 복수 마련하는 동시에, 상기 제 1 처리 가스 유로를, 상기 처리 가스 공급원의 수에 대응하여 복수로 분기해서 상기 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로를 갖도록 구성하고, 상기 제 2 처리 가스 유로의 상기 송입 유로를, 상기 제 1 처리 가스 유로의 상기 각 공급원 접속 유로로부터 분기시켜 두어, 상기 복수의 처리 가스 탱크의 일부로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급하는 동시에, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 제 1 처리 가스 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 상기 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급하는 것과 병행해서, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 복수의 처리 가스 탱크의 나머지의 일부 또는 전부에 상기 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 저류하는 것도 바람직하다.
또한, 본 발명의 제 4 관점에서는, 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에 상기의 처리 가스 공급 방법이 실행되도록, 컴퓨터에 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공한다.
본 발명에 따르면, 처리 가스를, 처리 가스 통류 부재를 거쳐서, 처리 가스 공급원으로부터 처리 가스 탱크에 일단 저류하여, 처리 가스 탱크로부터 처리 용기내에 공급하기 때문에, 처리 용기내가 설정 압력으로 되도록 하는 처리 가스를 단시간에 공급할 수 있다. 따라서, 피처리체의 처리 시간의 단축을 도모하는 것이 가능해진다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 가스 처리 장치의 일 실시형태인 플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도이다.
이 플라즈마 에칭 장치(1)는, 피처리체인 FPD용의 유리 기판(이하, 단지 「기판」이라고 기재함)(G)에 대하여 에칭을 실행하는 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 전계 발광(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다. 플라즈마 에칭 장치(1)는, 기판(G)을 수용하는 처리 용기로서의 챔버(2)와, 챔버(2)내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구(3)와, 챔버(2)내를 배기하는 배기 수단(4)과, 처리 가스 공급 기구(3)에 의해 챔버(2)내에 공급된 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구(5)를 구비하고 있다.
챔버(2)는, 예를 들어 표면이 알루마이트(alumite) 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지고, 기판(G)의 형상에 대응해서 사각통형상으로 형성되어 있다. 챔버(2)내의 바닥벽에는, 기판(G)을 탑재하는 탑재대로서의 서셉터(20)가 마련되어 있다. 서셉터(20)는 기판(G)의 형상에 대응해서 사각판형상 또는 기둥형상으로 형성되고 있고, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지는 기재(20a)와, 기재(20a)의 주연부를 덮는 절연 재료로 이루어지는 절연 부재(20b)와, 기재(20a) 및 절연 부재(20b)의 바닥부를 덮도록 마련되어서 이들을 지지하는 절연 재료로 이루어지는 절연 부재(20c)를 갖고 있다. 기재(20a)에는, 탑재된 기판(G)을 흡착하기 위한 정전 흡착 기구와, 탑재된 기판(G)의 온도를 조절하기 위한 냉매 유로 등의 냉각 수단 등으로 이루어지는 온도 조절 기구가 내장되어 있다(모두 도시하지 않음).
챔버(2)의 측벽에는, 기판(G)을 반입출하기 위한 반입출구(21)가 형성되어 있는 동시에, 이 반입출구(21)를 개폐하는 게이트 밸브(22)가 마련되어 있다. 반입출구(21)의 개방시에는, 도시하지 않은 반송 기구에 의해 기판(G)이 챔버(2) 내외에 반입출되도록 구성되어 있다.
챔버(2)의 바닥벽 및 서셉터(20)에는, 이들을 관통하는 관통 삽입 구멍(23)이, 예를 들어 서셉터(20)의 주연부 위치에 간격을 두고서 복수 형성되어 있다. 각 관통 삽입 구멍(23)에는, 기판(G)을 하방으로부터 지지해서 승강시키는 리프터 핀(24)이 서셉터(20)의 기판 탑재면에 대하여 돌몰(突沒) 가능하게 삽입되어 있다. 각 리프터 핀(24)의 하부에는 플랜지(25)가 형성되어 있고, 각 플랜지(25)에는, 리 프터 핀(24)을 둘러싸도록 마련된 신축가능한 벨로우즈(bellows)(26)의 일단부(하단부)가 접속되고, 이 벨로우즈(26)의 타단부(상단부)는 챔버(2)의 바닥벽에 접속되어 있다. 이로써, 벨로우즈(26)는, 리프터 핀(24)의 승강에 추종하여 신축하는 동시에, 관통 삽입 구멍(23)과 리프터 핀(24)의 간극을 밀봉하고 있다.
챔버(2)의 상부 또는 상부벽에는, 후술하는 처리 가스 공급 기구(3)에 의해 공급된 처리 가스를 챔버(2)내에 토출하는 동시에 상부 전극으로서 기능하는 샤워헤드(27)가 서셉터(20)와 대향하도록 마련되어 있다. 샤워헤드(27)는 접지되어 있고, 내부에 처리 가스를 확산시키는 가스 확산 공간(28)이 형성되고, 하면 또는 서셉터(20)와의 대향면에 가스 확산 공간(28)에서 확산된 처리 가스를 토출하기 위한 복수의 토출 구멍(29)이 형성되어 있다.
배기 수단(4)은, 챔버(2)의 예를 들어 바닥벽에 접속된 배기로로서의 배기관(41)과, 이 배기관(41)에 접속되고, 배기관(41)을 거쳐서 챔버(2)내를 배기하는 배기 장치(42)와, 배기관(41)의 배기 장치(42)와의 접속부보다도 상류측에 마련된, 챔버(2)내의 압력을 조정하기 위한 압력 조정 밸브(43)를 구비하고 있다. 배기 장치(42)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고, 이로써 챔버(2)내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인 가능하게 구성되어 있다. 배기관(41)은 챔버(2)의 원주방향에 간격을 두고서 복수 마련되고, 배기 장치(42) 및 압력 조정 밸브(43)는 각 배기관(41)에 대응하여 복수 마련되어 있다.
플라즈마 생성 기구(5)는, 서셉터(20)의 기재(20a)에 접속된, 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(51)과, 이 급전선(51)에 접속된 정합기(52) 및 고주파 전 원(53)을 구비하고 있다. 고주파 전원(53)으로부터는 예를 들어 13.56MHz의 고주파 전력이 서셉터(20)에 공급되고, 이로써 서셉터(20)는 하부 전극으로서 기능하고, 샤워헤드(27)와 함께 한쌍의 평행 평판 전극을 이루도록 구성되어 있다. 서셉터(20) 및 샤워헤드(27)는 플라즈마 생성 기구(5)의 일부를 구성하고 있다.
처리 가스 공급 기구(3)는, 처리 가스, 예를 들어 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스를 챔버(2)내에 공급하기 위한 처리 가스 공급원, 예를 들어 He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)과, He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터의 처리 가스를 일시적으로 저류 또는 충전하기 위한 복수, 예를 들어 2개의 처리 가스 탱크(33, 34)와, He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터의 처리 가스를 처리 가스 탱크(33, 34) 및 챔버(2)내에 송급하고, 처리 가스 탱크(33, 34)에 저류된 처리 가스를 챔버(2)내에 송급하는 배관 등으로 이루어진 처리 가스 통류 부재(35)를 구비하고 있다. 처리 가스 통류 부재(35)는, He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)과 챔버(2)에 접속된 제 1 처리 가스 유로(36)와, 2개의 처리 가스 탱크(33, 34)에 대응하도록 각각이 제 1 처리 가스 유로(36)로부터 분기해서 처리 가스 탱크(33, 34)에 접속된 제 2 처리 가스 유로(37, 38)를 갖고 있다.
제 1 처리 가스 유로(36)는, 3개의 처리 가스 공급원[He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)]에 대응하도록 3개로 분기해서 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)를 한쪽측 또는 상류측부에 갖고, 타단부 또는 하류측 단부가 가스 확산 공간(28)과 연통하도록 샤워헤드(27)의 상면에 접속되어 있다. 제 1 처리 가스 유로(36)에는, 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)에 각각 처리 가스의 유량을 조정하기 위한 매스플로우 콘트롤러(36d, 36e, 36f) 및 밸브(36g, 36h, 36i)가 마련되고, 제 2 처리 가스 유로(37, 38)와의 분기부보다도 다른쪽측의 예를 들어 일단부 및 타단부에도 각각 밸브(36s, 36t)가 마련되어 있다.
제 2 처리 가스 유로(37, 38)는 각각 제 1 처리 가스 유로(36)의 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)보다도 하류측으로부터 분기하고, 가스 확산 공간(28)과 연통하도록 샤워헤드(27)의 상면에 접속되고, 중간부에 처리 가스 탱크(33, 34)가 접속되어 있다. 이로써, 제 2 처리 가스 유로(37, 38)는 각각 처리 가스를 처리 가스 탱크(33, 34)에 송입하기 위한 송입 유로(37a, 38a)와, 처리 가스를 처리 가스 탱크(33, 34)로부터 송출하기 위한 송출 유로(37b, 38b)를 별개로 갖고 있다. 송입 유로(37a, 38a) 및 송출 유로(37b, 38b)에는 각각 밸브(37c, 38c) 및 밸브(37d, 38d)가 마련되고, 처리 가스 탱크(33, 34)에는 각각 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계(33a, 34a)가 마련되어 있다.
처리 가스 통류 부재(35), 예를 들어 제 1 처리 가스 유로(36)와 복수의 배기관(41)중 일부, 예를 들어 1개에는, 배관 등의 바이패스 유로(39)가 접속되어 있 고, 처리 가스 통류 부재(35)내의 처리 가스가 바이패스 유로(39)를 거쳐서 배기 수단(4)에 의해 배출 가능하게 되어 있다. 바이패스 유로(39)는, 배기관(41)의 압력 조정 밸브(43)와 배기 장치(42) 사이에 접속되어 있고, 이 압력 조정 밸브(43)를 폐쇄하는 것에 의해, 바이패스 유로(39)로부터 배출된 처리 가스가 배기관(41)을 거쳐서 챔버(2)내로 유입되는 것을 방지할 수 있도록 구성되어 있다.
플라즈마 에칭 장치(1)의 각 구성부는, 마이크로프로세서(컴퓨터)를 구비한 프로세스 콘트롤러(90)에 의해 제어된다. 이 프로세스 콘트롤러(90)에는, 공정 관리자가 플라즈마 에칭 장치(1)를 관리하기 위해 명령의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나 플라즈마 에칭 장치(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스(91)와, 플라즈마 에칭 장치(1)에서 실행되는 처리를 프로세스 콘트롤러(90)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피(recipe)가 저장된 기억부(92)가 접속되어 있다. 그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(91)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(92)로부터 호출해서 프로세스 콘트롤러(90)에 실행시킴으로써, 프로세스 콘트롤러(90)의 제어하에서 플라즈마 에칭 장치(1)에서의 처리가 실행된다. 또한, 상기 레시피는, 예를 들어 CD-ROM, 하드 디스크, 플래시 메모리(flash memory) 등의 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 또는 다른 장치로부터, 예를 들어 전용 회선을 거쳐서 수시로 전송시켜서 이용하는 것도 가능하다.
또한, 보다 구체적으로, 처리 가스 공급 기구(3)의 각 밸브(36g, 36h, 36i, 36s, 36t, 37c, 37d, 38c, 38d, 39a)는 프로세스 콘트롤러(90)에 접속된 유닛 콘트롤러(93)(제어부)에 의해 제어되는 구성으로 되어 있다. 그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(91)로부터의 지시 등에 의해 프로세스 콘트롤러(90)가 임의의 레시피를 기억부(92)로부터 호출해서 유닛 콘트롤러(93)에 제어시킨다.
이와 같이 구성된 플라즈마 에칭 장치(1)에 있어서는, 배기 수단(4)에 의해 챔버(2)내를 소정의 진공도로 유지한 채, 우선 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)가 개방된 상태에서, 기판(G)이 도시하지 않은 반송 기구에 의해 반입출구(21)로부터 반입된 후, 각 리프터 핀(24)을 상승시켜, 각 리프터 핀(24)에 의해 기판(G)을 반송 기구로부터 수취하여 지지시킨다. 반송 기구가 반입출구(21)로부터 챔버(2) 외부로 노출된 후, 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)를 폐색하는 동시에, 각 리프터 핀(24)을 하강시켜서 서셉터(20)의 기판 탑재면에 몰입(沒入)시켜, 기판(G)을 서셉터(20)에 탑재시킨다.
다음에, 처리 가스 공급 기구(3)에 의해 챔버(2)내에 처리 가스를 공급한다. 여기에서의 처리 가스의 공급은, 미리 He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터 처리 가스 탱크(33)에 충전시켜 두었던 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스를, 밸브(37d)를 개방하여 방출함으로써 실행한다.
챔버(2) 내부는 배기 수단(4)에 의해 배기되어 있기 때문에, 처리 가스 탱크(33)에 충전된 처리 가스를 공급한 것만으로는 시간의 경과와 함께 챔버(2)내의 압력이 저하해버린다. 따라서, 처리 가스 탱크(33)에 충전된 처리 가스의 공급시 또는 공급 직후에, 밸브(36s, 36t, 36g, 36h, 36i)를 개방하여서, He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터의 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스를 매스플로우 콘트롤러(36d, 36e, 36f)에 의해 유량 조정하여, 챔버(2)내에 공급하는 동시에, 압력 제어 밸브(43)에 의해 챔버(2)내를 설정 압력, 예를 들어 23.3Pa(0.175Torr)로 유지한다. 이로써, 챔버(2)내의 설정 압력으로 신속하게 유지할 수 있다. 또한, 처리 가스 통류 부재(35)를, He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)과 챔버(2)에 접속된 제 1 처리 가스 유로(36)와, 제 1 처리 가스 유로(36)로부터 분기해서 처리 가스 탱크(33, 34)에 각각 접속된 제 2 처리 가스 유로(37, 38)로 구성했기 때문에, He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터의 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스를, 제 1 처리 가스 유로(36)를 거쳐서, 큰 공간인 처리 가스 탱크(33, 34)를 통과시키지 않고 챔버(2)내에 단시간에 공급할 수 있고, 이로써 챔버(2)내의 압력 유지의 더욱더 신속화를 도모하는 것이 가능해진다.
이러한 상태에서, 서셉터(20)에 내장된 정전 흡착 기구에 직류 전압을 인가해서 기판(G)을 서셉터(20)에 흡착시키는 동시에, 서셉터(20)에 내장된 온도 조절 기구에 의해 기판(G)의 온도를 조절한다. 그리고, 고주파 전원(53)으로부터 정합기(52)를 거쳐서 서셉터(20)에 고주파 전력을 인가하여, 하부 전극으로서의 서셉터(20)와 상부 전극으로서의 샤워헤드(27) 사이에 고주파 전계를 발생시켜서 챔버(2)내의 처리 가스를 플라즈마화시킨다. 이러한 처리 가스의 플라즈마에 의해 기판(G)에 에칭 처리가 실시된다.
기판(G)에 에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(53)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지한다. 다음에, 밸브(36g, 36h, 36i)를 폐쇄하여 He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터의 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스의 공급을 정지하는 동시에, 배기 수단(4)에 의해 챔버(2) 내부 및 제 1 처리 가스 유로(36) 또는 처리 가스 통류 부재(35) 내부의 처리 가스를 배출한다. 그리고, 정전 흡착 기구에 의한 기판(G)의 흡착을 해제하고, 그 후 챔버(2)내에 처리 가스를 공급하여, 챔버(2)내를 설정 압력, 예를 들어 26.7Pa(0.2Torr)로 유지한 상태에서 서셉터(20)에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화시켜, 기판(G)에 대하여 제전 처리를 실시한다. 여기에서의 처리 가스의 공급은, 밸브(38d)를 개방하여, 미리 He 가스 공급원(30)으로부터 처리 가스 탱크(34)에 충전시켜 두었던 He 가스를 방출하는 것과 병행해서, 밸브(36s, 36t, 36g)를 개방하여, 챔버(2)내가 설정 압력으로 유지되도록, He 가스 공급원(30)으로부터의 He 가스를 매스플로우 콘트롤러(36d)에 의해 유량 조정해서, 송급하는 것에 의해 실행한다. 이로써, 챔버(2)내의 압력을 순간적으로 설정 압력 또는 설정 압력 근방으로 유지할 수 있어, 기판(G)의 제전 처리를 신속하게 실행하는 것이 가능해진다.
기판(G)의 제전 처리를 실행한 후, 배기 수단(4)에 의해 챔버(2) 내부 및 제 1 처리 가스 유로(36) 또는 처리 가스 통류 부재(35) 내부의 처리 가스를 배출한다. 다음에, 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)를 개방하는 동시에, 리프터 핀(24)을 상승시켜, 기판(G)을 서셉터(20)로부터 상방으로 이격시킨다. 그 후에, 도시하지 않은 반송 기구가 반입출구(21)로부터 챔버(2)내로 진입하여 오면, 리프터 핀(24)을 하강시켜, 기판(G)을 반송 기구에 옮겨싣는다. 그 후, 기판(G)은 반송 기구에 의해 반입출구(21)로부터 챔버(2) 외부로 반출되게 된다.
처리 가스 탱크(33, 34)로의 처리 가스의 재충전은 기판(G)의 반입출시에 실행한다. 우선, 밸브(37c)를 개방하여, 처리 가스 탱크(33)에 처리 가스를 충전한다. 이때에는, 처리 가스가 처리 가스 탱크(34) 및 챔버(2)내로 유입되는 것을 방지하기 위해서, 밸브(37d, 38c, 36s)를 폐쇄하여 둔다. 처리 가스 탱크(33)로의 처리 가스의 충전이 완료한 후, 밸브(37c)를 폐쇄하고, 제 1 처리 가스 유로(36) 및 송입 유로(37a, 38a)에 잔류하고 있는 처리 가스를 배출하기 위해서, 밸브(39a)를 개방한다. 이때에는, 처리 가스가 챔버(2)내로 유입되지 않도록, 바이패스 유로(39)가 접속된 배기관(41)의 압력 조정 밸브(43)를 폐쇄하여 둔다. 처리 가스의 배출이 완료한 후, 처리 가스 탱크(33)로의 충전과 마찬가지로, 처리 가스의 처리 가스 탱크(34)로의 충전을 실행하고, 충전 완료후에는, 제 1 처리 가스 유로(36) 및 송입 유로(37a, 38a)에 잔류하고 있는 처리 가스의 배출을 마찬가지로 실행한다. 또한, 처리 가스의 충전은 처리 가스 탱크(34)를 먼저 실행하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 처리 가스 통류 부재(35)를 거쳐서, 처리 가스 공급원, 예를 들어 He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터의 처리 가스, 예를 들어 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스를 처리 가스 탱크(33, 34)에 일단 충전하여, 처리 가스 탱크(33, 34)에 충전된 처리 가스를 챔버(2)내에 공급해서 기판(G)의 플라즈마 에칭을 포함하는 처리를 실행하기 때문에, 챔버(2)의 용량이 클 경우에도, 이 챔버(2)내가 설정 압력으로 되도록 하는 처리 가스를 단시간에 공급할 수 있고, 이로써 처리 시간의 단축화를 도모하는 것이 가능해진다.
또, 본 실시형태에서는, 플라즈마 에칭 처리시에 공급되는 처리 가스를 충전하는데 처리 가스 탱크(33)를 사용하고, 플라즈마 에칭 처리후에 공급되는 처리 가스를 충전하는데 처리 가스 탱크(34)를 사용했지만, 이들은 교체해서 사용해도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 제 2 처리 가스 유로(37, 38)를 개별적으로 제 1 처리 가스 유로(36)로부터 분기시켜서 마련했지만, 이들을 일단부끼리가 합류한 상태에서 제 1 처리 가스 유로(36)로부터 분기시켜서 마련해도 좋다. 혹은, 제 2 처리 가스 유로(37, 38)를 샤워헤드(27)의 상면뿐만 아니라, 챔버(2)의 다른 부분, 예를 들어 측벽에 접속하여, 샤워헤드(27)를 통과시키지 않고 처리 가스를 챔버(2)내에 송급하도록 구성해도 좋다. 더욱이, 본 실시형태에서는, 제 2 처리 가스 유로(37, 38)의 송출 유로(37b, 38b)를 각각 챔버(2)에 접속했지만, 이들은 제 1 처리 가스 유로(36)에 접속해도 좋다. 더욱이, 본 실시형태에서는, 다른 처리 가스를 사용한 2종의 프로세스를 연속해서 실행하기 위해서 2개의 처리 가스 탱크(33, 34)를 사용했지만, 프로세스가 1종뿐인 경우 등에는 처리 가스 탱크는 1개만이어도 좋고, 3종 이상의 프로세스를 연속해서 실행하는 경우 등에는 3개 이상의 처리 가스 탱크를 사용해도 좋다.
다음에, 플라즈마 에칭 장치(1)를 사용하여, 처리 가스 탱크(33)에 처리 가 스를 소정의 압력으로 충전하는 시간(이하, 충전 시간이라 기재함), 및 처리 가스 탱크(33)에 충전한 처리 가스 및 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터의 처리 가스를 챔버(2)내에 공급하여, 챔버(2)내의 압력이 설정 압력 정도로 안정될 때까지의 시간(이하, 안정 시간이라 기재함)을 각각 측정했다. 여기에서의 플라즈마 에칭 장치(1)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 처리 가스 공급 기구(3)의 제 2 처리 가스 유로(37, 38)를 간단한 구조로 변형한 것을 사용했다. 여기에서의 제 2 처리 가스 유로(37, 38)는 각각 일단부가 제 1 처리 가스 유로(36)로부터 분기해서 타단부가 처리 가스 탱크(33, 34)에 접속되고, 중간부에 밸브(37z, 38z)가 마련되어 있다. 따라서, 여기에서의 제 2 처리 가스 유로(37, 38)는 각각 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터의 처리 가스를 처리 가스 탱크(33, 34)에 인도하기 위한 유로와, 처리 가스 탱크(33, 34)내의 처리 가스를 챔버(2)내에 인도하기 위한 유로를 겸하고 있다.
처리 가스인 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스의 유량비는 2:1:1, 합계 유량은 5slm으로 하고, 챔버(2)의 용량(l0)은 2310l, 처리 가스 탱크(33)의 용량(l1)은 3l, 챔버(2)내의 설정 압력(P0)은 23.3Pa(0.175Torr)로 하고, 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력(P1)이 26.7kPa(200Torr)인 경우(실시예 1), 53.3kPa(400Torr)인 경우(실시예 2), 80.0kPa(600Torr)인 경우(실시예 3)에 대해서 각각 측정을 실행했다. 또한, 비교예로서, 처리 가스 탱크(33)를 사용하지 않고 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터의 처리 가스만을 챔버(2)내에 공급했을 경 우의 안정 시간을 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
충전 시간 (초) 안정 시간 (초)
실시예 1 2 14
실시예 2 5 10
실시예 3 10 7
비교예 15
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1, 2, 3에서는, 비교예와 비교해서 안정 시간이 줄어드는 것이 확인되었다. 즉, 플라즈마 에칭 장치(1)를 사용함으로써, 처리 가스 탱크(33)를 사용하지 않은 종래형의 플라즈마 에칭 장치를 사용한 경우와 비교해서 안정 시간을 단축할 수 있다는 것이 확인되었다.
또, 충전 시간은 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력이 낮을수록 짧았지만, 안정 시간은 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력이 높을수록 짧아서, 80.0kPa의 경우에는 26.7kPa의 경우와 비교해서 거의 절반이 되는 것이 확인되었다. 이것은, 처리 가스 탱크(33)내에 충전되는 처리 가스의 압력이 낮으면, 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터 챔버(2)내에 공급되는 처리 가스가 제 2 처리 가스 유로(37)를 거쳐서 처리 가스 탱크(33)에 유입되어 버리는 것에도 기인하는 것으로 생각된다. 여기에서, 처리 가스 탱크(33)로부터 챔버(2)내로의 처리 가스 공급 개시 전후의 처리 가스 통류 부재(35)내의 압력 변화를 측정한 바, 처리 가스 탱크(33)로부터 챔버(2)내로의 처리 가스 공급 개시 직후의 처리 가스 통류 부재(35)내의 압력은, 도 3(a)의 화살표 부분에 도시하는 바와 같이, 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력(P1)이 26.7kPa인 경우에, 안정시의 처리 가스 통류 부재(35)내의 압력 29.9kPa(224Torr)에 가까워지고, 도 3(b)의 화살표 부분에 도시하는 바와 같이, 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력(P1)이 29.9kPa 미만인 경우, 예를 들어 17.9kPa(135Torr)인 경우에는, 안정시의 처리 가스 통류 부재(35)내의 압력보다도 낮고, 도 3(c)의 화살표 부분에 도시하는 바와 같이, 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력(P1)이 29.9kPa보다도 높은 경우, 예를 들어 53.3kPa인 경우에는, 안정시의 처리 가스 통류 부재(35)내의 압력보다도 높은 결과가 되었다. 또한, 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력(P1)이 17.9kPa인 경우에는, 26.7kPa의 경우와 비교해서 안정 시간이 2초 정도 길고, 즉 처리 가스 탱크(33)를 사용하지 않고 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터의 처리 가스만을 챔버(2)내에 공급했을 경우의 안정 시간보다도 긴 결과가 되었다. 따라서, 제 2 처리 가스 유로[37(38)]가, 처리 가스를 처리 가스 탱크[33(34)]에 송입하기 위한 유로와, 처리 가스를 처리 가스 탱크[33(34)]로부터 송출하기 위한 유로를 겸하고 있는 경우에는, 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력을 처리 가스 통류 부재(35)내의 압력보다도 높게 하면, 처리 가스 탱크(33, 34)로의 처리 가스의 유입을 방지할 수 있고, 처리 가스 탱크(33)에 충전되는 처리 가스의 압력을 높게 할수록, 안정 시간을 단축할 수 있는 것으로 생각된다.
다음에, 플라즈마 에칭 장치의 다른 실시형태에 대해서 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 가스 처리 장치의 다른 실시형태인 플라즈마 에칭 장 치의 개략 단면도이다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치(1')는, 플라즈마 에칭 장치(1)에 있어서의 처리 가스 공급 기구(3)의 제 2 처리 가스 유로(37, 38)의 송입 유로(37a, 38a) 및 바이패스 유로(39)를 변형한 것이며, 플라즈마 에칭 장치(1)와 동일 부위에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다. 플라즈마 에칭 장치(1')에 있어서의 처리 가스 공급 기구(3')의 제 2 처리 가스 유로[37'(38')]의 처리 가스 탱크[33(34)]로의 송입 유로[37a'(38a')]는 일단부 또는 상류측 단부가 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)의 매스플로우 콘트롤러(36d, 36e, 36f)보다도 상류측으로부터 각각 분기하도록 마련된 도입 분기 유로(37i, 37j, 37k)로부터, 더욱 분기된 분기 송입 유로[37e, 37f, 37g(38e, 38f, 38g)]와, 분기 송입 유로[37e, 37f, 37g(38e, 38f, 38g)]의 타단부 또는 하류측 단부끼리가 합류하여, 처리 가스 탱크[33(34)]에 접속된 합류 송입 유로[37h(38h)]를 갖고 있다. 도입 분기 유로(37i, 37j, 37k)에는 각각 매스플로우 콘트롤러(37l, 37m, 37n)가 마련되고, 분기 송입 유로(37e, 37f, 37g, 38e, 38f, 38g)에는 각각 밸브(37o, 37p, 37q, 38o, 38p, 38q)가 마련되어 있다.
처리 가스 공급 기구(3')에 있어서의 바이패스 유로(39)'는 한쪽측 또는 상류측이 분기해서 합류 송입 유로(37h, 38h)에 각각 접속되고, 각 분기부에 밸브(39b, 39c)가 마련되어 있다.
이와 같이 구성된 처리 가스 공급 기구(3')에 있어서는, He 가스 공급 원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터 제 1 처리 가스 통류 부재(35)를 거친 챔버(2)내로의 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스의 공급과 병행해서, He 가스 공급원(30), HCl 가스 공급원(31) 및 SF6 가스 공급원(32)으로부터 제 2 처리 가스 유로[37'(38')]를 거친 처리 가스 탱크[33(34)]로의 He 가스, HCl 가스 및 SF6 가스의 충전을 실행할 수 있는 동시에, 각 매스플로우 콘트롤러(36d, 36e, 36f, 37l, 37m, 37n) 및 각 밸브[36g, 36h, 36i, 37o(38o), 37p(38p), 37q(38q)]에 의해 챔버(2)내에 공급되는 He 가스의 유량, HCl 가스의 유량, SF6 가스 유량, 처리 가스 탱크[33(34)]에 보내지는 He 가스의 유량, HCl 가스의 유량, SF6 가스 유량을 개별적으로 조정할 수 있다. 또한, 바이패스 유로(39')를 분기시켜서 합류 송입 유로(37h, 38h)에 각각 접속함으로써, 합류 송입 유로(37h)를 포함하는 제 2 처리 가스 유로(37')내의 처리 가스와 합류 송입 유로(38h)를 포함하는 제 2 처리 가스 유로(38')내의 처리 가스를 별개로 배출할 수 있다. 따라서, 미리 처리 가스 탱크[33(34)]에 충전된 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스, 및 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터의 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 챔버(2)내에 공급하여, 어느 프로세스를 실행하는 것과 병행해서, 다음 프로세스에서 사용되는, 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 처리 가스 탱크[34(33)]에 충전할 수 있으므로, 사용되는 처리 가스의 종류나 비율 등이 다른 3종 이상의 프로세스를 연속적으로 실행하는 것이 가능해진다.
또, 본 실시형태에서는, 분기 송입 유로(37e, 38e, 37f, 38f, 379, 38g)를, 도입 분기 유로(37i, 37j, 37k)를 거쳐서 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)로부터 분기시켰지만, 도입 분기 유로(37i, 37j, 37k)를 거치지 않고 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)로부터 직접 분기시켜도 좋다. 이 경우에는, 분기 송입 유로(37e, 38e, 37f, 38f, 37g, 38g)에 각각 매스플로우 콘트롤러를 마련할 수 있다.
도 5는 플라즈마 에칭 장치(1)에 마련된 처리 가스 공급 기구(3)의 공급원 접속 유로의 변형예를 도시한 도면이다.
처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터 처리 가스 탱크(33, 34)로의 처리 가스의 충전을 단시간에 실행하기 위해서는, 처리 가스를 대유량으로 처리 가스 탱크(33, 34)로 보내도록, 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)에 마련된 매스플로우 콘트롤러 및 밸브를 대유량에 대응가능한 것으로 구성하는 것이 바람직하다. 그러나, 기판(G)의 처리 품질을 높이기 위해서는, 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터 챔버(2)내에 공급되는 처리 가스의 유량을 정밀하게 조정할 필요가 있고, 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)에 대유량에 대응가능한 매스플로우 콘트롤러를 마련하면, 유량의 미묘한 조정을 할 수 없어 기판(G)의 처리 품질을 저하시킬 우려가 있다. 여기에서, 도 5에 도시하는 바와 같이, 각 공급원 접속 유로(36a, 36b, 36c)에, 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터의 처리 가스를 처리 가스 탱크(33, 34)에 저류 또는 충전시킬 때에 통류시키는 저류용 유로(36j, 36k, 36l)와, 처리 가스 공급원(30, 31, 32)으로부터의 처리 가스를 챔버(2)내에 공급할 때에 통류시키는 공급용 유로(36m, 36n, 36o)를 분기시켜서 마련하고, 저류용 유로(36j, 36k, 36l)에 각각 대유량에 대응가능한 매스플로우 콘트롤러(36p) 및 밸브(36q)를 마련하는 동시에, 공급용 유로(36m, 36n, 36o)에 각각 미세 조정가능한 예를 들어 소유량용의 매스플로우 콘트롤러(36r) 및 밸브(36s)를 마련해도 좋다. 이러한 구성에 의해, 처리 가스 탱크(33, 34)로의 처리 가스의 충전을 단시간에 실행하면서, 챔버(2)내에 공급되는 처리 가스의 유량을 정밀하게 조정하는 것이 가능해진다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 각종의 변경이 가능하다. 상기 실시형태에서는, 하부 전극에 고주파 전력을 인가하는 RIE 타입의 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치에 적용한 예에 대해서 설명했지만, 이것에 한정하지 않고, 애싱, CVD 성막 등의 다른 플라즈마 처리 장치에 적용가능하고, 또한 기판 등의 피처리체를 처리 용기내에 수용해서 가스 처리하는, 플라즈마 처리 장치 이외의 가스 장치 전반에도 적용가능하다. 또한, 상기 실시형태에서는 FPD용의 유리 기판의 처리에 적용한 예에 대해서 설명했지만, 이것에 한정하지 않고, 반도체 기판 등의 기판 전반의 처리에 적용가능하고, 기판 이외의 피처리체의 처리에도 적용가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 가스 처리 장치의 일 실시형태인 플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도,
도 2는 처리 가스의 충전 시간, 및 처리 가스 공급시의 안정 시간의 측정에 이용한 플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도,
도 3은 처리 가스의 충전 시간, 및 처리 가스 공급시의 안정 시간의 측정 결과를 도시한 도면,
도 4는 본 발명에 따른 가스 처리 장치의 다른 실시형태인 플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도,
도 5는 플라즈마 에칭 장치에 마련된 처리 가스 공급 기구의 공급원 접속 유로의 변형예를 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1, 1' : 플라즈마 에칭 장치(가스 처리 장치)
2 : 챔버(처리 용기) 3, 3' : 처리 가스 공급 기구
4 : 배기 수단 5 : 플라즈마 생성 기구
41 : 배기관(배기로) 42 : 배기 장치
30 : He 가스 공급원(처리 가스 공급원)
31 : HCl 가스 공급원(처리 가스 공급원)
32 : SF6 가스 공급원(처리 가스 공급원)
33, 34 : 처리 가스 탱크 35 : 처리 가스 통류 부재
36 : 제 1 처리 가스 유로 36a, 36b, 36c : 공급원 접속 유로
36j, 36k, 36l : 저류용 유로 36m, 36n, 36o : 공급용 유로
37, 37', 38, 38' : 제 2 처리 가스 유로
37a, 37a', 38a, 38a' : 송입 유로 37b, 38b : 송출 유로
39, 39' : 바이패스 유로 90 : 프로세스 콘트롤러
91 : 유저 인터페이스 92 : 기억부
93 : 유닛 콘트롤러(제어부) G : 유리 기판(피처리체)

Claims (18)

  1. 처리 용기내에 수용된 피처리체에 소정의 처리가 실시되도록 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구에 있어서,
    상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급원과,
    상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 일시적으로 저류하기 위한 처리 가스 탱크와,
    상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송급하고, 상기 처리 가스 탱크내의 처리 가스를 상기 처리 용기내에 송급하는 처리 가스 통류 부재를 구비하고,
    처리 가스가, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 처리 가스 탱크에 일단 저류되어, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 처리 용기내에 공급되는 것을 특징으로 하는
    처리 가스 공급 기구.
  2. 피처리체를 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와, 상기 처리 용기내를 배기하는 배기 수단을 구비하고, 상기 처리 용기내에 피처리체를 수용한 상태에서, 상기 배기 수단에 의해 배기하면서 상기 처리 가스 공급 기구에 의해 처리 가스를 공급해서 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하는 가스 처리 장치에 있어서,
    상기 처리 가스 공급 기구는,
    상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급원과,
    상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 일시적으로 저류하기 위한 처리 가스 탱크와,
    상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송급하고, 상기 처리 가스 탱크내의 처리 가스를 상기 처리 용기내에 송급하는 처리 가스 통류 부재를 구비하고,
    처리 가스가, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 처리 가스 탱크에 일단 저류되어, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 처리 용기내에 공급되는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리 가스 통류 부재는, 상기 처리 가스 공급원 및 상기 처리 용기에 접속된 제 1 처리 가스 유로와, 상기 제 1 처리 가스 유로로부터 분기해서 상기 처리 가스 탱크에 접속된 제 2 처리 가스 유로를 갖고,
    상기 처리 가스 공급 기구는 처리 가스를 상기 처리 가스 공급원으로부터도 상기 처리 용기내에 공급하는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 처리 가스 탱크는 복수 마련되어 있는 동시에, 상기 제 2 처리 가스 유로는 상기 처리 가스 탱크의 수에 대응하여 복수 마련되고,
    상기 각 제 2 처리 가스 유로는, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 처리 가스 공급 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 처리 가스 탱크의 일부로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급시키는 것과 병행해서, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 복수의 처리 가스 탱크의 나머지의 일부 또는 전부에 처리 가스를 저류시키는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 가스 유로는, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖고,
    상기 처리 가스 공급원은 다른 복수 종류의 처리 가스를 공급하도록 복수 마련되어 있는 동시에, 상기 제 1 처리 가스 유로는 상기 처리 가스 공급원의 수에 대응하여 복수로 분기해서 상기 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로를 갖고,
    상기 제 2 처리 가스 유로의 상기 송입 유로는 상기 제 1 처리 가스 유로의 상기 각 공급원 접속 유로로부터 분기하여 있는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리 가스 공급 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급시킨 후, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 제 1 처리 가스 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 상기 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급시키는 것과 병행해서, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 처리 가스 탱크에 상기 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 저류시키는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 처리 가스 탱크는 복수 마련되어 있는 동시에, 상기 제 2 처리 가스 유로는 상기 처리 가스 탱크의 수에 대응하여 복수 마련되고,
    상기 각 제 2 처리 가스 유로는, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖고,
    상기 처리 가스 공급원은 다른 복수 종류의 처리 가스를 공급하도록 복수 마련되어 있는 동시에, 상기 제 1 처리 가스 유로는 상기 처리 가스 공급원의 수에 대응하여 복수로 분기해서 상기 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로를 갖고,
    상기 각 제 2 처리 가스 유로의 상기 송입 유로는 상기 제 1 처리 가스 유로의 상기 각 공급원 접속 유로로부터 분기하여 있는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 처리 가스 공급 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 처리 가스 탱크의 일부로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급시키는 동시에, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 제 1 처리 가스 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 상기 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급시키는 것과 병행해서, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 복수의 처리 가스 탱크의 나머지의 일부 또는 전부에 상기 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 저류시키는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  10. 제 3 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 가스 유로는, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 저류시킬 때에 통류시키는 저류용 유로와, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 용기내에 공급할 때에 통류시키는 공급용 유로를 별개로 갖는 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  11. 제 2 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배기 수단은, 상기 처리 용기에 복수 접속된 배기로와, 상기 배기로를 거쳐서 상기 처리 용기내를 배기하는 배기 장치를 갖고,
    상기 처리 가스 통류 부재와 상기 복수의 배기로중 일부에는 바이패스 유로가 접속되고, 상기 처리 가스 통류 부재내의 처리 가스가 상기 바이패스 유로를 거쳐서 상기 배기 수단에 의해 배출가능하게 구성되어 있고,
    상기 바이패스 유로가 접속된 상기 배기로는 상기 바이패스 유로와의 접속부보다도 상류측이 개폐가능한 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  12. 제 2 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 용기내에, 상기 처리 가스 공급 기구에 의해 공급된 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구를 더 구비하고,
    상기 소정의 처리는 처리 가스의 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리인 것을 특징으로 하는
    가스 처리 장치.
  13. 처리 용기내에 수용된 피처리체에 소정의 처리가 실시되도록 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 방법에 있어서,
    상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급원과, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 일시적으로 저류하기 위한 처리 가스 탱크와, 상기 처리 가스 공급원으로부터의 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송급하고, 상기 처리 가스 탱크내의 처리 가스를 상기 처리 용기내에 송급하는 처리 가스 통류 부재를 준비하고,
    처리 가스를, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 처리 가스 탱크에 일단 저류하여, 상기 처리 가스 탱크로부터 상기 처리 용기내에 공급하는 것을 특징으로 하는
    처리 가스 공급 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 처리 가스 통류 부재를, 상기 처리 가스 공급원 및 상기 처리 용기에 접속된 제 1 처리 가스 유로와, 상기 제 1 처리 가스 유로로부터 분기해서 상기 처리 가스 탱크에 접속된 제 2 처리 가스 유로로 구성하여 두고,
    처리 가스를 상기 처리 가스 공급원으로부터도 상기 처리 용기내에 공급하는 것을 특징으로 하는
    처리 가스 공급 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 처리 가스 탱크를 복수 마련하는 동시에, 상기 제 2 처리 가스 유로를, 상기 처리 가스 탱크의 수에 대응하여 복수 마련하고,
    상기 각 제 2 처리 가스 유로를, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖도록 구성하여 두고,
    상기 복수의 처리 가스 탱크의 일부로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 것과 병행해서, 상기 처리 가스 공급원으로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 복수의 처리 가스 탱크의 나머지의 일부 또는 전부에 처리 가스를 저류하는 것을 특징으로 하는
    처리 가스 공급 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 가스 유로를, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖도록 구성하고,
    상기 처리 가스 공급원을, 다른 복수 종류의 처리 가스를 공급하도록 복수 마련하는 동시에, 상기 제 1 처리 가스 유로를, 상기 처리 가스 공급원의 수에 대응하여 복수로 분기해서 상기 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로를 갖도록 구성하고,
    상기 제 2 처리 가스 유로의 상기 송입 유로를 상기 제 1 처리 가스 유로의 상기 각 공급원 접속 유로로부터 분기시켜 두고,
    상기 처리 가스 탱크로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급한 후, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 제 1 처리 가스 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 상기 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급하는 것과 병행해서, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 처리 가스 탱크에 상기 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 저류하는 것을 특징으로 하는
    처리 가스 공급 방법
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 처리 가스 탱크를 복수 마련하는 동시에, 상기 제 2 처리 가스 유로를, 상기 처리 가스 탱크의 수에 대응하여 복수 마련하고,
    상기 각 제 2 처리 가스 유로를, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크에 송입하기 위한 송입 유로와, 처리 가스를 상기 처리 가스 탱크로부터 송출하기 위한 송출 유로를 별개로 갖도록 구성하고,
    상기 처리 가스 공급원을, 다른 복수 종류의 처리 가스를 공급하도록 복수 마련하는 동시에, 상기 제 1 처리 가스 유로를, 상기 처리 가스 공급원의 수에 대응하여 복수로 분기해서 상기 각 처리 가스 공급원에 접속된 공급원 접속 유로를 갖도록 구성하고,
    상기 제 2 처리 가스 유로의 상기 송입 유로를 상기 제 1 처리 가스 유로의 상기 각 공급원 접속 유로로부터 분기시켜 두고,
    상기 복수의 처리 가스 탱크의 일부로부터 상기 송출 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급하는 동시에, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 제 1 처리 가스 유로를 거쳐서 상기 처리 용기내에 상기 소정의 종류 및 비율로 이루어지는 처리 가스를 공급하는 것과 병행해서, 상기 복수의 처리 가스 공급원의 일부 또는 전부로부터 상기 송입 유로를 거쳐서 상기 복수의 처리 가스 탱크의 나머지의 일부 또는 전부에 상기 소정의 종류 및 비율과는 다른 종류 및/또는 비율로 이루어지는 처리 가스를 저류하는 것을 특징으로 하는
    처리 가스 공급 방법.
  18. 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 제어 프로그램은, 실행시에 제 13 항 내지 제 17 항중 어느 한 항에 기재된 처리 가스 공급 방법이 실행되도록, 컴퓨터에 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는
    컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
KR1020070098625A 2006-10-02 2007-10-01 가스 처리 장치, 처리 가스 공급 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 KR100915740B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006270823A JP5235293B2 (ja) 2006-10-02 2006-10-02 処理ガス供給機構および処理ガス供給方法ならびにガス処理装置
JPJP-P-2006-00270823 2006-10-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080031117A true KR20080031117A (ko) 2008-04-08
KR100915740B1 KR100915740B1 (ko) 2009-09-04

Family

ID=39307254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070098625A KR100915740B1 (ko) 2006-10-02 2007-10-01 가스 처리 장치, 처리 가스 공급 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5235293B2 (ko)
KR (1) KR100915740B1 (ko)
CN (1) CN101159228B (ko)
TW (1) TWI416618B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101124810B1 (ko) * 2009-09-04 2012-03-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 에칭 방법
KR20180009185A (ko) * 2016-07-18 2018-01-26 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
KR20200066909A (ko) * 2018-12-03 2020-06-11 주식회사 원익아이피에스 가스공급장치 ? 가스공급제어방법
KR20200066908A (ko) * 2018-12-03 2020-06-11 주식회사 원익아이피에스 가스공급장치 및 가스공급제어방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283844A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Japan Steel Works Ltd:The 半導体処理装置
WO2010064651A1 (ja) * 2008-12-03 2010-06-10 大陽日酸株式会社 ガス供給方法
JP2012033150A (ja) 2010-06-30 2012-02-16 Toshiba Corp マスフローコントローラ、マスフローコントローラシステム、基板処理装置およびガス流量調整方法
US8997686B2 (en) 2010-09-29 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US9348339B2 (en) 2010-09-29 2016-05-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system
US10126760B2 (en) 2011-02-25 2018-11-13 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10353408B2 (en) 2011-02-25 2019-07-16 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10031531B2 (en) 2011-02-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery
CN103205719B (zh) * 2012-01-17 2015-09-09 上海北玻镀膜技术工业有限公司 气体通道模块及应用其的气体分配装置
JP6107327B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法
JP6027490B2 (ja) * 2013-05-13 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 ガスを供給する方法、及びプラズマ処理装置
CN103322411B (zh) * 2013-07-16 2015-07-22 兖矿集团有限公司 一种化工系统停运保护设备
CN104715995A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 中微半导体设备(上海)有限公司 一种气体供应装置及其等离子体反应装置
JP6410622B2 (ja) * 2014-03-11 2018-10-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び成膜方法
KR101764959B1 (ko) * 2014-03-21 2017-08-03 주식회사 엘지화학 고속 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
JP6318027B2 (ja) * 2014-06-27 2018-04-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6541406B2 (ja) * 2015-04-21 2019-07-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6678489B2 (ja) * 2016-03-28 2020-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6665760B2 (ja) * 2016-11-16 2020-03-13 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造装置及び製造方法
SG10202101459XA (en) * 2020-02-25 2021-09-29 Kc Co Ltd Gas mixing supply device, mixing system, and gas mixing supply method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318834U (ko) * 1986-07-23 1988-02-08
US5529657A (en) * 1993-10-04 1996-06-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
TW299559B (ko) * 1994-04-20 1997-03-01 Tokyo Electron Co Ltd
JPH11117070A (ja) * 1997-10-14 1999-04-27 Nissan Motor Co Ltd 化学的気相成長装置
JP4204840B2 (ja) * 2002-10-08 2009-01-07 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
DE10247913A1 (de) * 2002-10-14 2004-04-22 Robert Bosch Gmbh Plasmaanlage und Verfahren zum anisotropen Einätzen von Strukturen in ein Substrat
US6902648B2 (en) * 2003-01-09 2005-06-07 Oki Electric Industry Co., Ltd. Plasma etching device
US20070026150A1 (en) * 2003-07-04 2007-02-01 Takao Horiuchi Substrate processing system

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101124810B1 (ko) * 2009-09-04 2012-03-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 에칭 방법
KR20180009185A (ko) * 2016-07-18 2018-01-26 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
KR20200066909A (ko) * 2018-12-03 2020-06-11 주식회사 원익아이피에스 가스공급장치 ? 가스공급제어방법
KR20200066908A (ko) * 2018-12-03 2020-06-11 주식회사 원익아이피에스 가스공급장치 및 가스공급제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008091625A (ja) 2008-04-17
JP5235293B2 (ja) 2013-07-10
TWI416618B (zh) 2013-11-21
TW200832540A (en) 2008-08-01
CN101159228B (zh) 2012-09-05
CN101159228A (zh) 2008-04-09
KR100915740B1 (ko) 2009-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100915740B1 (ko) 가스 처리 장치, 처리 가스 공급 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102432446B1 (ko) 배치대 및 플라즈마 처리 장치
KR101089973B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 처리 가스 공급 장치
US20100022093A1 (en) Vacuum processing apparatus, method of operating same and storage medium
KR20150077254A (ko) 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20160024730A (ko) 플라즈마 처리 장치
US8561572B2 (en) Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method
KR101760982B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101989141B1 (ko) 성막 장치, 성막 장치의 클리닝 방법 및 기억 매체
KR20100115788A (ko) 처리 챔버의 배기 가스 유량의 제어 방법 및 처리 장치
JP2016225018A (ja) ガス処理装置およびそれに用いる多分割シャワーヘッド
JP2008277666A (ja) バルブ開閉動作確認方法、ガス処理装置および記憶媒体
KR100884851B1 (ko) 전열 가스 공급 기구 및 전열 가스 공급 방법과, 기판 처리장치 및 기판 처리 방법과, 컴퓨터 판독가능한 기억 매체
TWI445076B (zh) Vacuum processing device
US11004665B2 (en) Plasma processing apparatus
US11538665B2 (en) Gas supply system, substrate processing apparatus, and control method for gas supply system
US20220181122A1 (en) Support unit, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate
CN107093544A (zh) 预清洗腔室及半导体加工设备
US20210166958A1 (en) Piping assembly and substrate processing apparatus
CN108878245B (zh) 闸阀装置和基板处理系统
TW202201612A (zh) 基板搬運方法及基板處理裝置
TWM632959U (zh) 集成有氣體輸送系統的等離子體蝕刻設備
JP2018195722A (ja) 冷却循環システム、基板処理装置、及び冷却媒体循環流路のパージ方法
KR20060011674A (ko) 반도체 식각장비의 웨이퍼 냉각 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120802

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130801

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140808

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150730

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160727

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170804

Year of fee payment: 9