KR20080025292A - 셀프-마스킹층을 갖는 포토마스크 및 그의 에칭 방법 - Google Patents
셀프-마스킹층을 갖는 포토마스크 및 그의 에칭 방법 Download PDFInfo
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Description
Claims (21)
- 포토마스크로서,반투명 기판; 및상기 기판 위로 배치되며 벌크 흡수층 위로 배치되는 셀프-마스크층을 포함하는, 불투명한 다층의 흡수층을 포함하며, 상기 셀프-마스크층은 산화 및 질소화 탄탈 및 실리콘-계(silicon-based) 물질들(TaSiON), 탄탈 보론 산화물-계 물질들(TaBO), 또는 산화 및 질소화 탄탈-계 물질들(TaON)중 하나를 포함하는, 포토마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 벌크 흡수층은 탄탈 실리사이드-계 물질들(TaSi), 질소화 탄탈 붕화물-계 물질들(TaBN), 또는 탄탈 질소화물-계 물질들(TaN)중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 벌크 흡수층은 상기 다층의 흡수층 두께의 약 80-85 퍼센트 사이이며, 상기 셀프-마스크층은 상기 다층의 흡수층 두께의 약 15-20 퍼센트 사이인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 포토마스크의 두께는 0.15 내지 0.25 인치 사이인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 불투명한 다층의 흡수층 두께는 40 내지 100 nm 사이인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,상기 셀프-마스크층은 산화 및 질소화 탄탈 및 실리콘-계 물질들(TaSiON)을 포함하며 상기 벌크 흡수층은 탄탈 실리사이드-계 물질들(TaSi)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,상기 셀프-마스크층은 탄탈 보론 산화물-계 물질들(TaBO)을 포함하며 상기 벌크 흡수층은 질소화 탄탈 붕화물-계 물질들(TaBN)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,상기 셀프-마스크층은 산화 및 질소화 탄탈-계 물질들(TaON)을 포함하며 상 기 벌크 흡수층은 탄탈 질소화물-계 물질들(TaN)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 포토마스크를 에칭하는 방법으로서,그 상부에 다층의 흡수층이 배치된 투명 기판을 포함하는 포토마스크를 제공하는 단계 - 상기 다층의 흡수층은 벌크 흡수층 위에 배치되는 셀프-마스크층을 포함하며, 상기 셀프-마스크층은 탄탈 및 산소를 포함하고 상기 벌크 흡수층은 탄탈을 포함하고 본질적으로 산소는 포함하지 않음 - ;상기 셀프-마스크층을 제 1 에칭 프로세스를 이용하여 에칭하는 단계; 및상기 제 1 에칭 프로세스와 상이한 제 2 에칭 프로세스를 이용하여 상기 벌크 흡수층을 에칭하는 단계 - 상기 벌크 흡수층의 에칭률은 상기 제 2 에칭 프로세스 동안 상기 셀프-마스크층의 에칭률 보다 큼 -를 포함하는, 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 포토마스크는 상기 다층의 흡수층 위에 배치되는 포토레지스트층을 더 포함하는 블랭크 포토마스크이며, 상기 셀프-마스크층은 비반사 서브층이며 상기 벌크 흡수층은 벌크 서브층이며, 상기 방법은,상기 포토레지스트층에 패터닝된 이미지를 생성하는 단계;상기 패터닝된 이미지에 해당하지 않는 비반사 서브층의 부분들이 노출되도 록, 상기 패터닝된 이미지에 해당하지 않는 포토레지스트층의 부분들을 제거하는 단계; 및상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하며, 상기 셀프-마스크층을 에칭하는 단계는, 상기 패터닝된 이미지에 해당하지 않는 상기 벌크 서브층의 부분들이 노출되도록, 상기 제 1 에칭 프로세스를 이용하여 상기 패터닝된 이미지에 해당하지 않는 상기 비반사 서브층의 노출된 부분들을 제거하는 단계를 더 포함하며,상기 벌크 흡수층을 에칭하는 단계는 상기 제 2 에칭 프로세스를 이용하여 상기 패터닝된 이미지에 해당하지 않는 상기 비반사 서브층 아래에 놓인 상기 벌크 서브층의 노출된 부분들을 제거하는 단계를 더 포함하며,상기 제 2 에칭 프로세스는 상기 패터닝된 이미지에 해당하지 않는 실질적으로 투명한층의 부분들이 노출되도록, 비반사 서브층 제거 속도 보다 적어도 10배 큰 벌크 서브층 제거 속도를 갖는, 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 셀프-마스크층은 산화 및 질소화 탄탈 및 실리콘-계 물질들(TaSiON), 탄탈 보론 산화물-계 물질들(TaBO), 또는 산화 및 질소화 탄탈-계 물질들(TaON)중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 벌크 흡수층은 탄탈 실리사이드-계 물질들(TaSi), 질소화 탄탈 붕화물-계 물질들(TaBN), 또는 탄탈 질소화물-계 물질들(TaN)중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 셀프-마스크층은 산화 및 질소화 탄탈 및 실리콘-계 물질들(TaSiON)을 포함하며 상기 벌크 흡수층은 탄탈 실리사이드-계 물질들(TaSi)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 셀프-마스크층은 탄탈 보론 산화물-계 물질들(TaBO)을 포함하며 상기 벌크 흡수층은 질소화 탄탈 붕화물-계 물질들(TaBN)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 셀프-마스크층은 산화 및 질소화 탄탈-계 물질들(TaON)을 포함하며 상기 벌크 흡수층은 탄탈 질소화물-계 물질들(TaN)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 제 1 에칭 프로세스는 불소 함유 가스, 사염화탄소(CCl4), 또는 염화수소(HCl)중 적어도 하나를 포함하는 프로세스 가스로 상기 셀프-마스크층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 제 1 에칭 프로세스는 삼불화메탄(CHF3), 사불화탄소(CF4), 육불화황(SF6), 육불화탄소(C2F6), 사염화탄소(CCl4), 또는 염화수소(HCl)중 적어도 하나를 포함하는 프로세스 가스로 상기 셀프-마스크층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 제 2 에칭 프로세스는 적어도 하나의 염소 함유 프로세스 가스로 상기 벌크 흡수층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 제 2 에칭 프로세스는 염소(Cl2), 사염화탄소(CCl4), 또는 염화수소(HCl)중 적어도 하나를 포함하는 프로세스 가스로 상기 벌크 흡수층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 셀프-마스크층을 에칭하기 이전에 상기-셀프 마스크층 상부에 포토레지스트층을 증착 및 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 2 에칭 프로세스는 상기 셀프-마스크층에 대한 상기 벌크 흡수층의 선택도를 적어도 10으로 유지하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 에칭 방법.
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