KR20080021956A - 스탬퍼 이형처리 방법 - Google Patents

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KR20080021956A KR1020060085222A KR20060085222A KR20080021956A KR 20080021956 A KR20080021956 A KR 20080021956A KR 1020060085222 A KR1020060085222 A KR 1020060085222A KR 20060085222 A KR20060085222 A KR 20060085222A KR 20080021956 A KR20080021956 A KR 20080021956A
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Abstract

본 발명은 스탬퍼 표면의 이형성을 개선시킨 스탬퍼 이형처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양각 패턴을 구비한 스탬퍼를 준비하는 단계; 상기 스탬퍼의 패턴 상에 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘층 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계;를 포함하는 스탬퍼의 이형처리방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 실리콘층과 자기조립단분자막과의 높은 부착성으로 반복 이형성이 뛰어나고, 스탬퍼의 강도를 증가시키며, 자외선-오존 처리에 의한 개질을 통하여 재이형처리가 가능하다.
스탬퍼, 이형처리, 자기조립단분자막, 실리콘층

Description

스탬퍼 이형처리 방법{Method for release treatment of stamper}
도 1은 본 발명에 따른 스탬퍼의 이형처리 과정을 모식적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 실시예 1에서 이형처리한 니켈 스탬퍼의 표면 사진이고,
도 3은 본 발명의 실시예 2에서 이형처리한 폴리머 스탬퍼의 표면 사진이고,
도 4는 본 발명의 실시예 2에서 이형처리한 폴리머 스탬퍼의 패턴 부분을 확대하여 보여주는 SEM 사진이고,
도 5는 도 2의 세부 크기를 보여주기 위한 확대도이고,
도 6은 본 발명의 실시예 1에서 이형처리한 니켈 스템퍼를 이용하여 임프린팅을 실시한 절연성 필름의 형상사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 스탬퍼 20 : 실리콘층
30 : 자기조립단분자막
본 발명은 스탬퍼 이형처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스탬퍼 표면의 이형성을 개선시킨 스탬퍼 이형처리방법에 관한 것이다.
현재 전자 전기 기술은 21세기 고도 정보 통신 사회의 구현에 발 맞추기 위하여 더 많은 용량의 정보 저장, 더 빠른 정보 처리와 전송, 더 간편한 정보 통신망의 구축을 위해 빠르게 발전해가고 있다. 특히, 주어진 정보 전송 속도의 유한성이라는 조건 하에서, 이러한 요구 조건을 충족시킬 수 있는 한 방법으로서 그 구성 소자들을 가능한 더욱 작게 구현하는 동시에 신뢰성을 높여 새로운 기능성을 부여하기 위한 방안이 제시되고 있다.
상술한 바와 같이, 전자제품의 경박 단소화 추세에 따라 인쇄회로기판 역시 미세 패턴(fine pattern)화, 소형화 및 패키지화가 동시에 진행되고 있으며, 이에 따라 신호 처리 능력이 뛰어난 회로를 보다 좁은 면적에 구현하기 위해서 고밀도의 기판(line/space≤10㎛/10㎛, Microvia＜30㎛) 제조에 대한 필요성이 대두되고 있다.
지금까지 가장 널리 사용되고 있는 미세 구조 제작 기술 중의 하나는 UV 리소그래피(UV lithography)로서, 포토 레지스트 박막이 입혀진 기판 위에 자외선을 쪼아주어 회로 패턴을 형성시키는 방법이다. 그러나, UV 리소그라피 방법을 사용하여 기판을 제조할 때에는 회로로 사용되는 동박이 두꺼워야 한다는 점과 습식 에칭법을 사용해야 한다는 제한이 있기 때문에 UV 리소그라피로 10㎛ 이하의 미세 선폭을 형성할 경우 제품의 신뢰성이 떨어진다는 문제점을 안고 있다.
최근에는 인쇄회로기판의 집적도가 더욱 높아지는 추세이며 그에 따라 미세 패턴을 형성하는 방법에 대한 연구가 더욱 활발해지고 있는 바, 상술한 UV 리소그라피의 대체 공법으로서 회로 패턴 형성용 스탬퍼를 이용하여 고밀도의 기판을 제조하려는 시도가 주목을 받고 있다.
이와 같이 스탬퍼를 이용하여 인쇄회로기판과 같은 대면적의 기판을 제조할 경우 고가의 스탬퍼를 보호하고 성공적인 나노 임프린트 공정을 위하여 스탬퍼의 이형성을 확보하는 것이 무엇보다 중요하다.
지금까지는 나노 임프린트 공정에서 금속 또는 폴리머 스탬퍼의 이형성 향상을 위하여 이형제 처리, 플라즈마중합법, 자기조립단분자막(SAM) 코팅, NOVEC 코팅 등 다양한 표면처리 방법이 이용되어 왔다. 이와 같은 이형처리방법은 아직도 공정의 재현성과 반복성에 많은 문제점을 가지고 있어 개선의 여지가 많다.
따라서, 생산성 및 효율성이 높은 스탬퍼를 제작하기 위하여 스탬퍼의 이형성을 확보하기 위한 연구가 여전히 필요한 실정이다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 스탬퍼 표면의 이형성을 개선시킨 스탬퍼 이형처리방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은,
양각 패턴을 구비한 스탬퍼를 준비하는 단계;
상기 스탬퍼의 패턴 상에 실리콘층을 형성하는 단계; 및
상기 실리콘층 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계;
를 포함하는 스탬퍼의 이형처리방법를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스탬퍼는 금속 스탬퍼 또는 폴리머 스탬퍼이며, 금속 스탬퍼로는 니켈 스탬퍼가 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘층 형성은 화학기상증착(CVD)법으로 실란(SiH4) 가스를 이용하여 스탬퍼의 패턴 상에 실리콘층을 증착할 수 있다.
여기서, 상기 실란(SiH4) 가스는 1×10-5 내지 1×10-1Torr의 압력 및 100 내지 400℃ 온도 범위에서 주입되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 실리콘층은 1 내지 100nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자기조립단분자막을 형성하기 전에 상기 실리콘층을 자외선-오존 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 자외선-오존 처리는 오존 분위기에서 1 내지 30분 동안 자외선을 조사하여 상기 실리콘층의 표면을 개질하는 방법으로 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자외선-오존 처리 후 상기 스탬퍼를 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자기조립단분자막 형성은 스핀코팅(spin coating), 롤코팅(roll coating) 및 딥코팅(dip coating)으로 이루어진 군 으로부터 선택되는 하나의 방법으로 SAM 용액을 코팅시켜 수행될 수 있다. 딥 코팅을 이용할 경우, 구체적으로는 실리콘층이 형성된 스탬퍼를 SAM 용액에 담그고 5 내지 30분 동안 교반하여 자기조립단분자막을 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 SAM 용액으로는 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실-트리플루오로실란 등과 같은 실란계 SAM물질을 비수계 용매와 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자리조립단분자막 형성 후 스탬퍼를 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 세정 단계는 비수계 용매 및 탈이온수를 교대로 반복 사용하여 세정하는 것이 바람직하다. 또한, 추가적으로 스탬퍼 표면의 클러스터 등을 제거하기 위하여 상기 스탬퍼를 초음파 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 이형처리방법은 자기조립단분자막 형성 후 상기 자기조립단분자막을 자외선-오존 처리하여 탈착시키고, 자기조립단분자막을 다시 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이와 같이, 상기 자기조립단분자막을 탈착시키고, 자기조립단분자막을 다시 형성하는 단계를 반복하여 수행함으로써 재현성 및 반복성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 스탬프 이형처리방법에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
임프린팅시 스탬퍼를 보호하고 성공적인 나노패턴을 형성하기 위해서는 스팸퍼와 폴리머 사이의 접착을 방지하는 것이 중요하다.
일반적으로 실란계열의 자기조립단분자막(SAM)을 이용하여 표면처리할 수 있는 표면으로는 기본적으로 표면에 하이드록시기(-OH) 또는 카르복시기(-COOH)를 잘 형성할 수 있는 표면이 바람직하다. 예컨대, 실리카, 쿼츠, 글라스 등의 물질은 SAM 형성이 우수하고, 알루미늄이나 구리 등도 비교적 SAM 형성이 용이하다.
그러나, 임프린팅용 스탬프의 경우 일반적으로 사용되는 니켈과 같은 금속 포일(foil) 또는 폴리머는 상대적으로 SAM 형성이 용이하지 않아 스탬퍼와 SAM층과의 부착력이 떨어진다. 따라서, 임프린팅시 이형성이 나쁘고, 또한 접착력이 약해서 떨어져 나간 구조들을 제거해 줘야 하는 불편함이 있다. 이에 본 발명에서는 임프린팅용 스탬퍼의 SAM처리시 스탬퍼와 SAM층과의 접착력을 높여 이형성을 향상시키기 위한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 스탬프 이형처리방법을 모식적으로 나타내는 순서도이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 스탬프 이형처리방법은 양각 패턴을 구비한 스탬퍼(10)를 준비하는 단계(a단계); 상기 스탬퍼(10)의 패턴 상에 실리콘층(20)을 형성하는 단계(b단계); 및 상기 실리콘층(20) 상에 자기조립단분자막(30)을 형성하는 단계(c단계)를 포함한다.
본 발명에 따른 스탬프 이형처리방법은, 우선 양각 패턴을 구비한 스탬퍼(10)를 준비한다. (a단계)
상기 스탬퍼(10)로는 니켈 등의 금속 스탬퍼 또는 PET, 실리콘 등의 폴리머 스탬퍼를 사용할 수 있다. 보다 바람직하게는, 곡면 등의 비평면층에도 쉽게 나노 패턴을 형성할 수 있도록 유연한 스탬프를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 유연성을 갖기 위해서 금속 스탬퍼의 경우 두께가 50㎛ 이하의 얇은 니켈 툴-포일(tool-foil)을 사용할 수 있다. 상기 스탬퍼(10) 상부에는 소정의 양각 패턴을 구비하며, 상기 양각 패턴은 100nm 이하의 미세 패턴으로 이루어진다.
양각 패턴을 구비한 스탬퍼(10)를 준비하고 나면, 상기 스탬퍼(10)의 패턴 상에 실리콘층(20)을 형성한다. (b단계)
상기 실리콘층(20)은 뒤에 형성되는 자기조립단분자막(SAM)(30)과의 뛰어난 부착력을 나타내기 때문에 임프린팅시 반복 이형성을 개선시킬 수 있다.
이와 같은 실리콘층(20)의 형성은 화학기상증착(CVD)법으로 실란(SiH4) 가스를 이용하여 스탬퍼(20)의 패턴 상에 실리콘층(30)을 증착하는 방법으로 수행할 수 있다.
여기서, 상기 실란(SiH4) 가스는 1×10-5 내지 1×10-1Torr의 압력 및 100 내지 400℃ 온도 범위에서 주입되는 것이 바람직하다. 이와 같은 압력 및 온도 범위는 고상결정화 된 Si박막을 얻기 위해 고려한 것으로, 상기 범위를 벗어날 경우 결정성에 문제점이 발생할 수 있다.
또한, 상기 실리콘층은 1 내지 100nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 두께가 1nm 미만이면 부착력이 약해 바람직하지 못하고, 두께가 100nm를 초과하면 디멘젼(dimension)에 변화를 주어 바람직하지 못하다.
이와 같이 실리콘층(20)을 형성하고 나면, 이어서 자기조립단분자막(30)을 형성한다. (c단계)
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자기조립단분자막(30)을 형성하기 전에 상기 실리콘층(20)을 자외선-오존 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이는 자기조립단분자막(30)을 스탬퍼의 실리콘층(20) 표면에 형성시키기 위해서는 표면에 하이드록시기(-OH)를 형성시킬 필요가 있기 때문이다. 이와 같은 표면개질 방법으로서 일반적으로는 황산 등에 스탬퍼를 넣어 피라나 처리를 해주지만, 본 발명에서는 니켈 등의 금속 스탬퍼가 부식할 우려가 있으므로 자외선-오존 처리를 통하여 표면을 개질시키는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로, 상기 자외선-오존 처리는 오존 분위기에서 1 내지 30분 동안 자외선을 조사하여 상기 실리콘층(20)의 표면을 개질하는 방법으로 수행될 수 있다. 자외선-오존 처리 시간이 1분 미만이면 표면개질이 잘 이루어지지 않을 수 있으며, 공정성 면에서 자외선-오존 처리 시간이 30분을 초과할 필요가 없다.
상기 자외선-오존 처리 후 상기 스탬퍼를 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 구체적으로는 극성 용매를 이용하여 세정하는 것이 바람직하며, 본 발명의 일 실시예에 따르면 아세톤, 이소프로필알코올, 탈이온수 등의 순서로 세정한 후 건조시킬 수 있다.
이와 같이 실리콘층(20)의 자외선-오존 처리를 통하여 표면개질을 하고 나면, 상기 실리콘층(30) 상에 자기조립단분자막(30) 형성이 용이하다.
자기조립단분자막은 일반적으로 액상법과 기상법을 통하여 형성할 수 있는데, 기상법의 경우 대면적 스탬퍼 공정에서 재현성 및 반복성을 확보하기 어렵다. 따라서, 본 발명에서는 액상법을 이용하여 자기조립단분자막을 형성함으로써 이 문제를 해결한다.
바람직하게는, 상기 자기조립단분자막(30) 형성은 스핀코팅(spin coating), 롤코팅(roll coating) 및 딥코팅(dip coating) 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 SAM 용액을 코팅시켜 수행될 수 있다. 상기 코팅방법 중 딥 코팅을 이용할 경우, 본 발명의 일 실시예에 따르면 실리콘층(20)이 형성된 스탬퍼를 SAM 용액에 담그고 5 내지 30분 동안 교반하여 자기조립단분자막(30)을 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 SAM 용액으로는 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실-트리플루오로실란 등과 같은 실란계 SAM 물질을 비수계 용매와 혼합하여 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 스탬퍼 이형처리방법은 상기 자리조립단분자막(30) 형성 후 스탬퍼를 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 세정 단계는 비수계 용매 및 탈이온수를 교대로 반복 사용하여 세정하는 것이 바람직하다.
또한, 추가적으로 스탬퍼 표면의 클러스터 등을 제거하기 위하여 상기 스탬퍼를 초음파 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 이형처리방법은 자기조립단분자막(30) 형성 후 상기 자기조립단분자막(30)을 자외선-오존 처리하여 탈착시키고, 자기조립단분자막(30)을 다시 형성할 수 있다. 이와 같이, 상기 자기조립단분자막(30)을 탈착시키고, 이를 다시 형성하는 단계를 반복하여 수행함으로써 재현성 및 반복성을 향상시킬 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
<실시예 1>
우선 나노 패턴을 가지는 니켈 스탬퍼 위에 실리콘층을 형성하기에 앞서 아르곤 가스로 클린징을 시행하였다(조건: Base pressure: 1.0×10-5torr, RF Bias: -600V(rf 13.56 Mhz), Gas flow: Ar 40 sccm). 이어서, 상기 스탬프 위에 화학기상증착법을 이용하여 10nm 두께의 실리콘층을 증착하였다(조건: working pressure: 1.0×10-3torr, RF Bias: -300V(rf 13. 56 Mhz), Gas flow: SiH4 40 sccm). SAM 코팅을 하기 전에 상기 스탬퍼를 10분 정도 자외선-오존 처리한 뒤, 아세톤, 이소프로필알코올 및 탈이온수 순서로 상기 스탬퍼를 세정한 후 건조시켰다. 다음으로, 헥산과 SAM시약(헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실-트리클로로실란)을 1000:1 비율로 섞어서 교반기에서 5~10분 동안 혼합시켜 주었다. 스탬퍼를 상기 SAM 용액에 담그고 교반기에서 10분 동안 교반해 주었다. 스탬퍼를 꺼내어 헥산 및 탈이온수 순서로 3번 반복 세정하였다. 이어서 상기 SAM 코팅된 스탬퍼를 HFE에 3~5분 정도 초음파 처리한 뒤 같은 방법을 세정하였다.
<실시예 2>
스탬퍼로서 PMMA 폴리머를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 과정을 수행하여 이형처리하였다.
<실시예 3>
상기 실시예 1의 이형처리 후에 상기 스탬퍼를 자외선-오존 처리기에 넣고 약 10준간 처리하여 자기조립단분자막을 탈착시키고, 아세톤, 이소프로필알코올, 탈이온수 순서로 세정한 뒤 건조시켰다. 이어서, 상기 실시예 1에서의 자기조립단분자 형성과정을 반복하여 이형처리하였다.
상기 실시예 1에서 이형처리한 니켈 스탬퍼의 표면 사진을 도 2에 나타내었으며, 상기 실시예 2에서 이형처리한 폴리머 스탬퍼의 표면 사진을 도 3에 나타내었다. 도 4는 상기 실시예 2에서 이형처리한 폴리머 스탬퍼의 패턴 부분을 확대하여 보여주는 SEM 사진이다.
도 5는 도 2의 세부 크기를 보여주기 위한 것으로, 여기서 1로 표시한 가로폭은 1403.61㎛, 2로 표시한 2단 패턴의 하단부 직경은 66.11㎛, 3으로 표시한 2단 패턴의 상단부 직경은 31.65㎛, 4로 표시한 패턴 두께는 17.89㎛, 5로 표시한 패턴 사이의 간격은 44.03㎛이다.
도 2 내지 5에서 보는 바와 같이 본 발명에 따라 이형처리된 스탬퍼는 실리콘층에 의하여 자기조립단분자막이 스탬퍼에 잘 부착되었으며, 특히 폴리머 스탬퍼의 경우 강도가 증가한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 이형처리 뒤에도 해상도가 높은 패턴을 유지하고 있음을 확인할 수 있었다.
또한, 상기 실시예 1에서 이형처리한 니켈 스탬퍼를 이용하여 임프린팅을 실시한 절연성 필름의 형상 사진을 도 6에 나타내었다. 도 6을 참조하면, 본 발명에 따라 이형처리한 니켈 스탬퍼를 이용하여 임프린팅을 실시한 경우 이형성이 뛰어나고 깨끗하고 해상도 높은 패턴을 만들 수 있음을 확인할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 스탬퍼 이형처리방법은 실리콘층과 자기조립단분자막과의 높은 부착성으로 뛰어난 반복 이형성을 나타내며, 스탬퍼의 강도를 증가시키고, 자외선-오존 처리에 의한 개질을 통하여 재이형처리가 가능하다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 스탬퍼 이형처리방법은 실리콘층과 자기조립단분자막과의 높은 부착성으로 반복 이형성이 뛰어나고, 스탬퍼의 강도를 증가시키며, 자외선-오존 처리에 의한 개질을 통하여 재이형처리가 가능하다. 또한, 기상법이 아닌 액상법에 의하여 자기조립단분자막을 형성하기 때문에 공정 재현성과 반복성을 확보할 수 있다.

Claims (16)

  1. 양각 패턴을 구비한 스탬퍼를 준비하는 단계;
    상기 스탬퍼의 패턴 상에 실리콘층을 형성하는 단계; 및
    상기 실리콘층 상에 자기조립단분자막을 형성하는 단계;
    를 포함하는 스탬퍼의 이형처리방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스탬퍼는 금속 스탬퍼 또는 폴리머 스탬퍼인 스탬퍼의 이형처리방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘층 형성은 화학기상증착(CVD)법으로 실란(SiH4) 가스를 이용하여 스탬퍼의 패턴 상에 실리콘층을 증착하는 방법으로 수행되는 스탬퍼의 이형처리방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 실란(SiH4) 가스는 1×10-5 내지 1×10-1Torr의 압력 및 100 내지 400℃ 온도 범위에서 주입되는 스탬퍼의 이형처리방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘층은 1 내지 100nm의 두께로 형성되는 스탬퍼의 이형처리방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 자기조립단분자막을 형성하기 전에 상기 실리콘층을 자외선-오존 처리하는 단계를 더 포함하는 스탬퍼의 이형처리방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 자외선-오존 처리는 오존 분위기에서 1 내지 30분 동안 자외선을 조사하여 상기 실리콘층의 표면을 개질하는 방법으로 수행되는 스탬퍼의 이형처리방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 자외선-오존 처리 후 상기 스탬퍼를 세정하는 단계를 더 포함하는 스탬퍼의 이형처리방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 자기조립단분자막 형성은 스핀코팅(spin coating), 롤코팅(roll coating) 및 딥코팅(dip coating)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 SAM 용액을 코팅시켜 수행되는 스탬퍼의 이형처리방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 자기조립단분자막 형성은 상기 실리콘층이 형성된 스탬퍼를 SAM 용액에 담그고 5 내지 30분 동안 교반하여 수행되는 스탬퍼의 이형처리방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 SAM 용액은 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실-트리플루오로실란을 비수계 용매와 혼합한 용액인 스탬퍼의 이형처리방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 자리조립단분자막 형성 후 스탬프를 세정하는 단계를 더 포함하는 스탬퍼의 이형처리방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 세정 단계는 비수계 용매 및 탈이온수를 교대로 반복 사용하여 세정하는 단계인 스탬퍼의 이형처리방법.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 자기조립단분자막 형성 후 스탬퍼를 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 스탬퍼의 이형처리방법.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 이형처리방법은 자기조립단분자막 형성 후 상기 자기조립단분자막을 자외선-오존 처리하여 탈착시키고, 자기조립단분자막을 다시 형성하는 단계를 더 포함하는 스탬퍼의 이형처리방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 자기조립단분자막을 탈착시키고, 자기조립단분자막을 다시 형성하는 단계를 반복하여 수행하는 스탬퍼의 이형처리방법.
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