KR20080020410A - Method for monitoring temperature of semiconductor machine - Google Patents

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Abstract

A method for monitoring temperature in semiconductor equipment is provided to monitor the variation of the temperature having a macro range by implementing annealing and the measurement of sheet resistance after an ion implantation. A pilot wafer is loaded in an ion implant equipment(S401). An ion implant process is executed on the loaded pilot wafer. An annealing process is executed on the ion implanted pilot wafer using a rapid thermal process equipment(S405). By measuring sheet resistance(Rs) on the annealed pilot wafer using an omnimap equipment, the temperature of the pilot wafer is monitored(S407). The pilot wafer is formed by sequentially depositing an oxide layer and a poly on a bare wafer.

Description

반도체 장비에서의 온도 모니터링 방법{METHOD FOR MONITORING TEMPERATURE OF SEMICONDUCTOR MACHINE}METHOD FOR MONITORING TEMPERATURE OF SEMICONDUCTOR MACHINE}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 장비에서의 온도 모니터링 방법을 수행하기 위한 개략적인 블록 구성도,1 is a schematic block diagram for performing a temperature monitoring method in a semiconductor device according to the present invention;

도 2a는 도 1에 도시된 이온주입장비를 상세하게 도시한 High Current Implanter M/C의 도면,Figure 2a is a view of the High Current Implanter M / C in detail showing the ion implantation equipment shown in Figure 1,

도 2b는 도 1에 도시된 라피드 서멀 프로세스 장비를 상세하게 도시한 도면,FIG. 2B is a detailed view of the rapid thermal process equipment shown in FIG. 1;

도 2c는 도 1에 도시된 옴니맵 장비에 의해 4-포인트 프로브 장비 중 2개의 프로브에서 전압(V)을 가해주고, 나머지 2개의 프로브에서 전류(I)를 읽어 저항을 측정하는 도면, FIG. 2C is a view of applying a voltage (V) at two probes of a four-point probe device by the omnimap device shown in FIG.

도 3은 본 발명에 따른 이온 주입부에 의해 이온 주입되는 온도에 따른 Rs 변화를 이온 주입 시에 쿨링(cooling)을 해주는 chiller 온도 split를 통하여 테스트한 데이터를 도시한 도면,3 is a view illustrating data tested through a chiller temperature split that cools a change in Rs according to a temperature implanted by an ion implanter according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 장비에서의 온도 모니터링 방법에 대한 상세 흐름도. 4 is a detailed flowchart of a temperature monitoring method in a semiconductor device according to the present invention;

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 장비에서 이온 주입시의 온도를 모니터링(Monitoring)하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for monitoring the temperature during ion implantation in a semiconductor device.

주지된 바와 같이, 이온주입장비는 Implant 장비 중에 Axcellis社의 High Current(GSD200E/200E2) 이온 주입 장비를 주로 사용한다. As is well known, the ion implantation equipment mainly uses Axcellis' High Current (GSD200E / 200E2) ion implantation equipment among the implant equipment.

이러한 이온주입장비에서 이온 주입시의 온도 모니터링 방법은 웨이퍼에 온도 도트(temp dot) 라는 것을 붙인 다음에 이온 주입 실시 후 온도 도트의 타는(burning) 정도를 보고 이온 주입시의 온도를 모니터링할 수 있다. In the ion implantation apparatus, a temperature monitoring method for ion implantation may attach a temperature dot to a wafer, and then monitor the temperature during ion implantation by viewing the burning degree of the temperature dot after performing ion implantation. .

다시 말하여, 상술한 온도 도트(예컨대, 온도 레벨 별로 되어 있어서 해당 온도 부분이 타게 되면 해당 장비는 그 온도 이상이라고 판단함)를 웨이퍼에 부쳐서 이온 주입 실히 후 온도가 몇 ℃ 인지를 모니터링 할 수 있다.In other words, the above-described temperature dot (for example, the temperature level is burned by the corresponding temperature part, the equipment determines that the temperature is higher than that) can be attached to the wafer to monitor the temperature of the ℃ after ion implantation. .

그러나, 상술한 바와 같은 온도 도트에 의한 온도 모니터링 방법은 큰 범위의 온도 모니터링은 가능하나 미세한 범위의 온도 모니터링은 부적합하다는 문제점을 갖는다. However, the above-described temperature monitoring method using temperature dots has a problem in that a large range of temperature monitoring is possible but a small range of temperature monitoring is not suitable.

이에, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 이온 주입 장비에서 산화막 및 폴리가 증착된 파일롯 웨이퍼(pilot wafer)에 이온 주입 실시 후 어닐링 진행 및 Rs(Sheet Resistence) 측정을 실시하여 웨이퍼 온도를 모니터링할 수 있는 반도체 장비에서의 온도 모니터링 방법을 제공함에 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, the object of the present invention is to perform annealing after performing ion implantation on a pilot wafer (oxide) and a poly-deposited pilot wafer in the ion implantation equipment and to measure Rs (Sheet Resistance) measurement The present invention provides a temperature monitoring method in a semiconductor device capable of monitoring the wafer temperature.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에서 반도체 장비에서의 온도 모니터링 방법은 이온주입장비 내에서 파일롯 웨이퍼를 로딩하는 과정과, 로딩된 파일롯 웨이퍼에 대하여 이온 주입을 실시하는 과정과, 이온 주입된 파일롯 웨이퍼에 대하여 라피드 서멀 프로세스 장비를 이용하여 어닐링을 진행하는 과장과, 어닐링된 파일롯 웨이퍼에 대하여 옴니맵 장비를 이용하여 Rs를 측정하여 파일롯 웨이퍼의 온도를 모니터링하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention for achieving the above object, the temperature monitoring method in the semiconductor device is a process of loading the pilot wafer in the ion implantation equipment, the process of performing ion implantation on the loaded pilot wafer, the ion implanted pilot wafer And an exaggerating annealing process using the rapid thermal process equipment, and monitoring the temperature of the pilot wafer by measuring Rs using an omnimap apparatus for the annealed pilot wafer.

이하, 본 발명의 실시예는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 기술 분야의 숙련자라면 이 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 잘 이해하게 될 것이다. Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention may exist, and a preferred embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Those skilled in the art will appreciate the objects, features and advantages of the present invention through this embodiment.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 장비에서의 온도 모니터링 방법을 위한 블록 구성도로서, 이온주입장비(101)와, 라피드 서멀 프로세스 장비(Rapid Thermal Process M/C)(103)와, 옴니맵(Omnimap) 장비(105)와, 모니터링부(107)를 포함한다.1 is a block diagram for a temperature monitoring method in a semiconductor device according to the present invention, an ion implantation equipment 101, a rapid thermal process equipment (Rapid Thermal Process M / C) (103), omni-map ( Omnimap) equipment 105 and a monitoring unit 107.

이온주입장비(101)는 일 예로서, 도 2a에 도시된 바와 같은 High Current Implanter M/C로 설명의 편의상 웨이퍼 로딩부(1011) 및 이온 주입부(1013)를 구비한다. As an example, the ion implantation apparatus 101 includes a wafer loading unit 1011 and an ion implantation unit 1013 for convenience of description as a High Current Implanter M / C as shown in FIG. 2A.

웨이퍼 로딩부(1011)는 다수개(예컨대, 13장)의 웨이퍼를 일시에 로딩시킬 수 있는 디스크로서, 파일롯 웨이퍼(Pilot wafer)(예컨대, 일반 웨이퍼(bare wafer) 상에 500Å∼1500Å 이내의 두께인 산화막과, 2000Å∼4000Å 이내의 두께인 폴리를 순차적으로 증착시킨 웨이퍼)를 로딩시켜 이온 주입부(1013)에 인가한 다. The wafer loading unit 1011 is a disk capable of loading a plurality of wafers (eg, 13 sheets) at a time. The wafer loading unit 1011 has a thickness of 500 to 1500 mm on a pilot wafer (for example, a bare wafer). A phosphorous oxide film and a wafer in which poly with a thickness of 2000 GPa to 4000 GPa are sequentially deposited) is loaded and applied to the ion implantation unit 1013.

이온 주입부(1013)는 웨이퍼 로딩부(1011)에 의해 로딩된 파일롯 웨이퍼에 대하여 이온 주입을 실시한다. 여기서, 이온 주입의 조건은 31P+ 또는 75As+의 도펀트와, 20∼80kev 이내의 에너지와, 1E15∼1E16의 도즈(Dose) 이다. The ion implantation unit 1013 performs ion implantation on the pilot wafer loaded by the wafer loading unit 1011. Here, ion implantation conditions are 31 P + or 75 As + dopant, energy within 20 to 80 kev, and dose of 1E15 to 1E16.

라피드 서멀 프로세스 장비(103)는 일 예로서, 도 2b에 도시된 바와 같은 장비로 이온 주입부(1013)에 의해 이온 주입된 파일롯 웨이퍼에 대하여 어닐링(Annealing)을 진행하여 격자 손상을 회복시켜준다. 여기서, 어닐링 조건은 900∼1100℃의 프로세스 온도와, 10∼60sec의 프로세스 시간이다. The rapid thermal process equipment 103 recovers lattice damage by annealing the pilot wafer ion-implanted by the ion implantation unit 1013 with the equipment as shown in FIG. 2B. . Here, annealing conditions are the process temperature of 900-1100 degreeC, and the process time of 10-60 sec.

옴니맵(Omnimap) 장비(105)는 일 예로서, 도 2c에 도시된 바와 같이 4-포인트 프로브 장비 중 2개의 프로브에서 전압(Voltage)(V)을 가해주고, 나머지 2개의 프로브에서 전류(Current)(I)를 읽어 저항을 측정하는 장비로서, 라피드 서멀 프로세스 장비(103)에 의해 어닐링되어 격자 손상이 회복된 파일롯 웨이퍼의 Rs(Sheet Resistance)를 49 포인트(point)로 측정한다. As an example, the omnimap device 105 applies a voltage (V) at two probes of the four-point probe device and a current (Current) at the other two probes as shown in FIG. 2C. As a device for reading resistance (I) and measuring resistance, the Rs (Sheet Resistance) of the pilot wafer annealed by the rapid thermal process equipment 103 and the lattice damage is recovered is measured at 49 points.

도 4의 흐름도를 참조하면, 상술한 구성을 바탕으로, 본 발명에 따른 반도체 장비에서의 온도 모니터링 방법에 대한 상세 흐름도이다.   Referring to the flowchart of FIG. 4, a detailed flowchart of a temperature monitoring method in a semiconductor device according to the present invention is based on the above-described configuration.

먼저, 이온주입장비(101)내 웨이퍼 로딩부(1011)는 다수개(예컨대, 13장)의 웨이퍼를 일시에 로딩시킬 수 있는 디스크로서, 파일롯 웨이퍼(Pilot wafer)(예컨대, 일반 웨이퍼(bare wafer)에 500Å∼1500Å 이내의 두께인 산화막과, 2000Å∼4000Å 이내의 두께인 폴리를 순차적으로 증착시킨 웨이퍼)를 로딩(S401)시켜 이온 주입부(1013)에 인가한다. First, the wafer loading unit 1011 in the ion implantation equipment 101 is a disk capable of loading a plurality of wafers (eg, 13 sheets) at a time, and is a pilot wafer (eg, a wafer wafer). ) Is loaded (S401) and applied to the ion implantation unit 1013 by loading (S401) an oxide film having a thickness of 500 kW to 1500 kW and a poly film having a thickness of 2000 kW to 4000 kW.

그러면, 이온 주입부(1013)는 웨이퍼 로딩부(1011)에 의해 로딩된 파일롯 웨이퍼에 대하여 31P+ 또는 75As+의 도펀트와, 20∼80kev 이내의 에너지와, 1E15∼1E16의 도즈(Dose)의 조건으로 이온 주입(S403)을 실시한다.Then, the ion implanter 1013 is ionized under the conditions of a dopant of 31P + or 75As +, energy within 20 to 80 kev, and dose of 1E15 to 1E16 to the pilot wafer loaded by the wafer loading unit 1011. Injection (S403) is performed.

이어서, 라피드 서멀 프로세스 장비(103)는 이온 주입부(1013)에 의해 이온 주입된 파일롯 웨이퍼에 대하여 900∼1100℃의 프로세스 온도와, 10∼60sec의 프로세스 시간으로 어닐링(Annealing)을 진행(S405)하여 격자 손상을 회복시켜준다.Subsequently, the rapid thermal process equipment 103 performs annealing with a process temperature of 900 to 1100 ° C. and a process time of 10 to 60 sec to the pilot wafer ion-implanted by the ion implantation unit 1013 (S405). To repair grid damage.

마지막으로, 옴니맵(Omnimap) 장비(105)는 4-포인트 프로브 장비 중 2개의 프로브에서 전압(Voltage)(V)을 가해주고, 나머지 2개의 프로브에서 전류(Current)(I)를 읽어 저항을 측정하는 장비로서, 라피드 서멀 프로세스 장비(103)에 의해 어닐링되어 격자 손상이 회복된 파일롯 웨이퍼의 Rs(Sheet Resistance)를 웨이퍼 상의 49개의 포인트(point)에서 측정(S407)한다. Finally, the Omnimap device 105 applies a voltage (V) at two of the four-point probe devices, and reads the current (I) at the other two probes to apply a resistance. As the measuring equipment, the sheet resistance (RS) of the pilot wafer annealed by the rapid thermal process equipment 103 and the lattice damage is recovered is measured (S407) at 49 points on the wafer.

즉, Rs는 수학식 1에 의해 측정된다.That is, Rs is measured by the equation (1).

Figure 112006063274451-PAT00001
Figure 112006063274451-PAT00001

여기서, F는 Correction factor(1:At lest 3x their spacing from the wafer edge, 0.5∼0.7:closer to the edge, the factor decreases)이고, S는 0.04∼1㎜이다.Where F is a correction factor (1: At lest 3x their spacing from the wafer edge, 0.5 to 0.7: closer to the edge, the factor decreases), and S is 0.04 to 1 mm.

다시 말하여, 옴니맵(Omnimap) 장비(105)에서의 Rs(Sheet Resistance) 측정은 웨이퍼 상의 49개의 포인트(point)에서 측정하며, 측정 평균(average) 값의 변화에 따라 온도 변화를 예측할 수 있는데, 일 예로서, 31P+, 40keV, 1E15의 이온 주입 조건에서 Rs 10∼15 가 변하면 온도 1℃가 변화한 것을 모니터링부(107)를 통해 출력한다.In other words, the sheet resistance (RS) measurement in the omnimap device 105 is measured at 49 points on the wafer, and the temperature change can be predicted according to the change of the average value. For example, when the Rs 10 to 15 are changed under the ion implantation conditions of 31P +, 40keV, and 1E15, the temperature of 1 ° C. is changed through the monitoring unit 107.

한편, 도 3은 이온 주입부(1013)에 의해 이온 주입되는 온도에 따른 Rs 변화를 이온 주입 시에 쿨링(cooling)을 해주는 chiller 온도 split를 통하여 테스트한 데이터를 도시한 도면이다. Meanwhile, FIG. 3 is a diagram illustrating data tested through a chiller temperature split that cools the change of Rs according to the temperature implanted by the ion implanter 1013 during ion implantation.

즉, 도 3을 참조하면, 온도 1℃에 Rs 10∼15 정도가 변화하는 것을 관찰할 수 있으며, 상술한 바와 같은 결과를 모니터링부(107)를 통해 주기적으로 하면서 이온 주입 장비(101)에서의 파일롯 웨이퍼 온도 변화를 관찰할 수 있다.That is, referring to FIG. 3, it can be observed that Rs 10 to 15 changes at a temperature of 1 ° C., while the above-described results are periodically monitored through the monitoring unit 107 in the ion implantation equipment 101. Pilot wafer temperature changes can be observed.

따라서, 본 발명에 따르면, 이온 주입 장비에서 산화막 및 폴리가 증착된 파일롯 웨이퍼에 이온 주입 실시 후 어닐링 진행 및 Rs 측정으로 웨이퍼의 온도를 모니터링함으로써, 기존에서와 같이 온도 도트를 이용하여 발생되는 큰 범위의 온도 모니터링은 가능하나 미세한 범위의 온도 모니터링은 부적합하다는 문제점을 해결할 수 있다. Therefore, according to the present invention, by performing ion implantation on the pilot wafer on which the oxide film and poly are deposited in the ion implantation equipment, and monitoring the temperature of the wafer by annealing progress and Rs measurement, a large range generated by using temperature dots as in the past Although temperature monitoring is possible, it is possible to solve the problem that minute temperature monitoring is not suitable.

또한, 본 발명의 사상 및 특허청구범위 내에서 권리로서 개시하고 있으므로, 본원 발명은 일반적인 원리들을 이용한 임의의 변형, 이용 및/또는 개작을 포함할 수도 있으며, 본 명세서의 설명으로부터 벗어나는 사항으로서 본 발명이 속하는 업계에서 공지 또는 관습적 실시의 범위에 해당하고 또한 첨부된 특허청구범위의 제한 범위 내에 포함되는 모든 사항을 포함한다. In addition, since the present invention is disclosed as a right within the spirit and claims of the present invention, the present invention may include any modification, use and / or adaptation using general principles, and the present invention as a matter deviating from the description of the present specification. It includes everything that falls within the scope of known or customary practice in the art to which it belongs and falls within the scope of the appended claims.

상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 이온 주입 장비에서 산화막 및 폴리가 증착된 파일롯 웨이퍼에 이온 주입 실시 후 어닐링 진행 및 Rs 측정으로 웨이퍼의 온도를 모니터링함으로써, 기존에서와 같이 온도 도트를 이용하여 발생되는 큰 범위의 온도 모니터링은 가능하나 미세한 범위의 온도 모니터링은 부적합하다는 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention is generated by using a temperature dot as in the past by monitoring the temperature of the wafer by an annealing progress and Rs measurement after performing ion implantation on the pilot wafer on which the oxide film and poly are deposited in the ion implantation equipment. A large range of temperature monitoring is possible, but a small range of temperature monitoring has the effect of solving the problem of inadequacy.

Claims (6)

이온주입장비와 라피드 서멀 프로세스 장비, 그리고 옴니맵 장비를 이용하여 웨이퍼 온도를 모니터링하는 방법으로서,As a method of monitoring wafer temperature using ion implantation equipment, rapid thermal process equipment, and omnimap equipment, 상기 이온주입장비 내에서 파일롯 웨이퍼를 로딩하는 과정과,Loading a pilot wafer in the ion implantation apparatus; 상기 로딩된 파일롯 웨이퍼에 대하여 이온 주입을 실시하는 과정과,Performing ion implantation on the loaded pilot wafer; 상기 이온 주입된 파일롯 웨이퍼에 대하여 상기 라피드 서멀 프로세스 장비를 이용하여 어닐링(Annealing)을 진행하는 과장과, Exaggerating annealing of the ion implanted pilot wafer using the rapid thermal process apparatus; 상기 어닐링된 파일롯 웨이퍼에 대하여 상기 옴니맵 장비를 이용하여 Rs(Sheet Resistance)를 측정하여 상기 파일롯 웨이퍼의 온도를 모니터링하는 과정Monitoring the temperature of the pilot wafer by measuring a sheet resistance (Rs) of the annealed pilot wafer using the omnimap equipment; 을 포함하는 이온주입장비에서의 온도 모니터링 방법.Temperature monitoring method in the ion implantation equipment comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 파일롯 웨이퍼는, 일반 웨이퍼(bare wafer) 상에 500Å∼1500Å 이내의 두께인 산화막과, 2000Å∼4000Å 이내의 두께인 폴리를 순차적으로 증착시킨 것을 특징으로 하는 이온주입장비에서의 온도 모니터링 방법.The pilot wafer is a temperature monitoring method in the ion implantation equipment, characterized in that the oxide film having a thickness of less than 500 ~ 1500kW and a poly with a thickness of less than 2000 ~ 4000Å sequentially deposited on a bare wafer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 이온 주입은, 31P+ 또는 75As+의 도펀트와, 20∼80kev 이내의 에너지와, 1E15∼1E16의 도즈(Dose)의 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 이온주입장 비에서의 온도 모니터링 방법.The ion implantation is carried out under conditions of 31 P + or 75 As + dopant, energy within 20 to 80 kev, and dose of 1E15 to 1E16. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 어닐링은, 900∼1100℃의 프로세스 온도와, 10∼60sec의 프로세스 시간의 조건으로 진행하는 것을 특징으로 하는 이온주입장비에서의 온도 모니터링 방법.The annealing is carried out under conditions of a process temperature of 900 to 1100 ℃ and a process time of 10 to 60 sec, the temperature monitoring method in the ion implantation equipment. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 옴니맵 장비는, 상기 파일롯 웨이퍼의 Rs를 웨이퍼 상의 49개의 포인트(point)에서 측정하는 것을 특징으로 하는 이온주입장비에서의 온도 모니터링 방법.The omnimap device, the temperature monitoring method in the ion implantation device, characterized in that for measuring the Rs of the pilot wafer at 49 points on the wafer (point). 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, The method according to claim 1 or 5, 상기 Rs는, Rs is, 수학식Equation
Figure 112006063274451-PAT00002
Figure 112006063274451-PAT00002
 (여기서, F는 Correction factor(1:At lest 3x their spacing from the wafer edge, 0.5∼0.7:closer to the edge, the factor decreases)이고, S는 0.04∼1㎜이다.)(F is the correction factor (1: At lest 3x their spacing from the wafer edge, 0.5-0.7: closer to the edge, the factor decreases), and S is 0.04-1 mm.) 에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 이온주입장비에서의 온도 모니터링 방법.Temperature monitoring method in the ion implantation equipment, characterized in that measured by.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103745947A (en) * 2014-01-29 2014-04-23 上海华力微电子有限公司 Monitoring method for laser annealing machine
CN106898546A (en) * 2017-03-13 2017-06-27 上海华力微电子有限公司 A kind of method of monitoring Ge ion implanting quality
CN109887870A (en) * 2019-03-22 2019-06-14 德淮半导体有限公司 The method for monitoring wafer cooling temperature

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103745947A (en) * 2014-01-29 2014-04-23 上海华力微电子有限公司 Monitoring method for laser annealing machine
CN106898546A (en) * 2017-03-13 2017-06-27 上海华力微电子有限公司 A kind of method of monitoring Ge ion implanting quality
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