KR20080013586A - Photosensitive composition of positive type and manufacturing method of plasma display panel using it - Google Patents

Photosensitive composition of positive type and manufacturing method of plasma display panel using it Download PDF

Info

Publication number
KR20080013586A
KR20080013586A KR1020060075285A KR20060075285A KR20080013586A KR 20080013586 A KR20080013586 A KR 20080013586A KR 1020060075285 A KR1020060075285 A KR 1020060075285A KR 20060075285 A KR20060075285 A KR 20060075285A KR 20080013586 A KR20080013586 A KR 20080013586A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
display panel
plasma display
manufacturing
layer
partition wall
Prior art date
Application number
KR1020060075285A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박진우
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020060075285A priority Critical patent/KR20080013586A/en
Publication of KR20080013586A publication Critical patent/KR20080013586A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

A positive photosensitive composition, and a method for preparing a plasma display panel by using the composition are provided to reduce the step of manufacturing process for lowering a manufacturing cost and to improve the stability of a partition wall. A positive photosensitive composition comprises 50-90 wt% of diazonaphthoquinone and 10-50 wt% of a novolac resin. A method for preparing a plasma display panel comprises the steps of (S410) forming a partition wall layer on an underplate by using an underlayer material comprising the composition; (S420) patterning the partition wall layer by using a photomask; (S430) developing the patterned partition wall layer; and (S440) sintering the developed partition wall layer to form a partition wall.

Description

포지티브형의 감광성 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법{PHOTOSENSITIVE COMPOSITION OF POSITIVE TYPE AND MANUFACTURING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL USING IT}Positive type photosensitive composition and manufacturing method of plasma display panel using same {PHOTOSENSITIVE COMPOSITION OF POSITIVE TYPE AND MANUFACTURING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL USING IT}

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 일례를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view illustrating an example of a general plasma display panel.

도 2는 일반적인 감광성법을 이용하여 격벽을 형성하는 단계를 나타낸 개략 블록도이다.2 is a schematic block diagram showing a step of forming a partition wall using a general photosensitive method.

도 3은 일반적인 DFR을 이용하여 격벽을 형성하는 단계를 나타낸 개략 블록도이다.3 is a schematic block diagram illustrating a step of forming a partition wall using a general DFR.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 나타낸 개략 블록도이다.4 is a schematic block diagram illustrating a method of manufacturing a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 나타낸 개략 블록도이다.5 is a schematic block diagram illustrating a method of manufacturing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

도 6a 내지 6e는 본 발명의 실시예에 따른 격벽을 형성하는 단계를 나타낸 개략 단면도이다.6A through 6E are schematic cross-sectional views illustrating steps of forming a partition wall according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7a 내지 7d는 본 발명의 실시예에 따른 격벽을 형성하는 단계를 나타낸 개략 단면도이다.7A to 7D are schematic cross-sectional views illustrating steps of forming a partition wall according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

110, 210 : 하판 111 : 후면 글라스110, 210: Bottom 111: Rear glass

115, 130, 230 : 유전체층 113, 120, 220 : 어드레스 전극115, 130, 230: dielectric layers 113, 120, 220: address electrode

140, 240 : 격벽층 141, 241 : 소성된 격벽층140, 240: partition wall layer 141, 241: fired partition wall layer

142, 242 : 소성전 격벽 150, 250 : 포토레지스트142, 242: bulkhead before firing 150, 250: photoresist

112a, 160, 260 : 격벽112a, 160, 260: bulkhead

본 발명은 포지티브형 감광성 격벽 재료 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive partition wall material and a method of manufacturing a plasma display panel using the same.

플라즈마 디스플레이 패널(PDP : Plasma Display Panel)은 방전 현상을 이용하여 화상을 표시하는 발광형 소자의 일종으로서, 각 셀마다 액티브 소자를 장착할 필요가 없어서 제조 공정이 간단하고, 화면의 대형화가 용이하며, 응답속도가 빨라 대형화면을 가지는 화상표시장치의 표시소자로 각광받고 있다.Plasma Display Panel (PDP) is a type of light emitting device that displays an image by using a discharge phenomenon, and there is no need to mount an active device for each cell, so the manufacturing process is simple and the screen is easily enlarged. As a result, the response speed is fast becoming a display element of an image display device having a large screen.

이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널의 구조는 도 1에 도시된 바와 같이, 상부패널(10)과 하부패널(20)을 대향시켜 겹친 구조로 되어있다. 상기 상부패널(10)은 투명 기판(11)의 내면에 한 쌍의 유지전극이 배열되는데, 보통 이 유지전극은 각각 투명전극(12)과 버스전극(13)으로 이루어진다. As shown in FIG. 1, the plasma display panel has a structure in which the upper panel 10 and the lower panel 20 face each other and overlap each other. The upper panel 10 has a pair of sustain electrodes arranged on an inner surface of the transparent substrate 11, and usually the sustain electrodes comprise a transparent electrode 12 and a bus electrode 13, respectively.

이러한 유지전극은 AC 구동을 위한 유전체층(14)으로 피복되고, 이 유전체층(14)의 표면에는 보호막(15)이 형성된다.The sustain electrode is covered with a dielectric layer 14 for AC driving, and a protective film 15 is formed on the surface of the dielectric layer 14.

한편, 상기 하부패널(20)의 내면에는 하판(21) 위에 어드레스 전극(22)이 배열되고, 그 위에 유전체층(23)이 형성되는데, 이 유전체층(23) 위에는 어드레스 전극(22)을 구획하기 위한 스트라이프 또는 웰 타입의 격벽(24)이 형성되고, 이 격벽(24)에 의해 구획되는 셀에는 컬러표시를 위한 적색, 청색 및 녹색의 형광체층(26)이 도포되어 서브 픽셀을 이룬다.On the other hand, the inner surface of the lower panel 20, the address electrode 22 is arranged on the lower plate 21, the dielectric layer 23 is formed thereon, and the dielectric layer 23 is formed on the dielectric layer 23 for partitioning the address electrode 22 A stripe or well type partition wall 24 is formed, and red, blue, and green phosphor layers 26 for color display are applied to the cells partitioned by the partition wall 24 to form subpixels.

상기 격벽(24)에 의하여 방전셀(25)이 서브 픽셀마다 구획되고, 또한 이 방전셀(25)에는 방전가스가 봉입되며, 하나의 픽셀은 상기 3개의 서브 픽셀로 이루어진다.The discharge cell 25 is divided into subpixels by the partition wall 24, and discharge gas is enclosed in the discharge cell 25, and one pixel includes the three subpixels.

상기 격벽(24)의 형성방법은 주로 인쇄법, 샌드블라스팅법, 에칭법, 및 감광성 재료를 이용하는 포토리소그래피법이 적용되고 있다.As the method for forming the partition wall 24, a printing method, a sand blasting method, an etching method, and a photolithography method using a photosensitive material are mainly applied.

상기 인쇄법은 높은 칙소성을 가진 글라스 페이스트를 수차례 인쇄하여 원하는 정도의 격벽을 형성하는 방법이고, 샌드블라스팅법은 소성 전의 격벽재 위에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist: DFR)를 도포한 후, 이를 포토 마스크를 이용하여 노광하고 현상한 후에, 이와 같이 패터닝된 DFR을 마스크로 이용하여 샌드블라스팅으로 격벽 패턴을 형성한 후 소성하는 방법이다.The printing method is a method of forming a partition of a desired degree by printing a glass paste having a high thixotropy several times, sandblasting method after applying a dry film resist (DFR) on the partition material before firing, After exposure and development using a photo mask, the patterned DFR is used as a mask to form a barrier rib pattern by sand blasting and then fire.

또한, 에칭법은 상기 샌드블라스팅법 공정과 유사하나, 상기 샌드블라스팅 대신에 에칭액을 이용하여 격벽을 형성하는 것이다.In addition, the etching method is similar to the sandblasting process, but instead of the sandblasting, an etching solution is used to form partition walls.

그런데 상기 에칭법에는 2가지 방법이 현재 적용중인데, 격벽재 위에 올리는 DFR의 경우가 필름 형태인 것과 액상 PR(photo Resist)의 2가지 경우가 있다. 그러므로, 이 재료에 따른 공법의 차이가 있다. However, two methods are currently applied to the etching method, and there are two cases of DFR placed on the partition material, that is, a film form and a liquid photoresist (PR). Therefore, there is a difference in the method according to this material.

도 2는 현재 적용중인 감광성법의 공정을 나타낸 것이다. 하판 글라스에 전극층을 형성한 후, 유전체를 입히고 그 위에 격벽재를 인쇄나 시트, 또는 다이코팅을 통하여 코팅(S10)하여 건조를 한다. 2 shows a process of the photosensitive method currently applied. After forming the electrode layer on the lower glass, a dielectric is coated and the partition material is coated on the substrate through printing, sheeting, or die coating (S10) and dried.

여기에 사용되어지는 격벽 재료는 기존의 샌딩법이나 인쇄법에 사용되는 재료가 아니라, 감광성에 적합한 파우더와 UV에 감광되어 경화가 이루어질 수 있는 광경화용 비히클이 혼합된 페이스트를 기초로 만들어진 페이스트나 시트 형태의 재료이다. The bulkhead material used here is not a material used in the conventional sanding or printing method, but is a paste or sheet made of a paste containing a powder suitable for photosensitivity and a photocurable vehicle that can be cured by being exposed to UV light. It is a material of form.

기판 위에 이 감광성 격벽 재료를 페이스트 형태로 이용하거나 시트를 인쇄 또는 도포하여 건조한다. 다음 포토마스크로 하여 UV 노광(S20)을 한 후, 비노광부를 알칼리 수용액이나 H2O 등의 현상액을 사용하여 현상(S30)하고, 원하는 격벽 패턴을 얻은 후 이를 소성(S40)하여 최종 격벽을 형성한다.This photosensitive partition material is used on a substrate in the form of a paste, or the sheet is printed or coated to dry. Next, after the UV exposure (S20) as a photomask, the non-exposed part is developed using a developing solution such as aqueous alkali solution or H 2 O (S30), and after obtaining a desired partition wall pattern, it is fired (S40) to form a final partition wall. Form.

도 3은 DFR을 이용한 에칭용 격벽 형성방법이다. 일반 격벽재 중에 산에 잘 식각될 수 있는 파우더를 기본 재료로 하여 격벽재를 도포(S10)하고 난 후, 이를 소성하고 유기 DFR을 코팅(S11)한 후에 UV 노광(S20)하고, 이를 현상(S30)을 하여 DFR에 1차 패턴을 얻은 후, 비노광된 부분을 선택적으로 제거한다. 여기에 비노광된 부분을 산 용액을 사용하여 격벽 형상을 패터닝하게 되고, 이 패턴을 레지스트로 삼아 질산과 같은 산으로 에칭(S50)을 실시하여 최종적으로 격벽을 형성하게 된다.3 is a method of forming a barrier rib for etching using a DFR. After coating the partition wall material (S10) with a powder that can be easily etched in an acid in the general partition wall material (S10), it is fired and coated with an organic DFR (S11), followed by UV exposure (S20), and this development ( S30) to obtain a primary pattern in the DFR, and then selectively remove the unexposed part. The unexposed portion is patterned into a barrier rib shape using an acid solution, and the pattern is used as a resist to etch (S50) an acid such as nitric acid to finally form a barrier rib.

그러나 상기와 같은 종래의 격벽 형성방법에서 사용되는 네거티브 형(Negative Type)의 감광성 격벽 재료는 고정세의 패턴된 격벽을 얻을 수 없었고, 후막 공정에서도 격벽의 상폭/하폭의 제어가 어려워 방전 공간을 확대할 수 없다는 문제점이 있었다.However, the negative type photosensitive barrier material used in the conventional barrier rib formation method as described above cannot obtain a high-patterned patterned partition wall, and it is difficult to control the upper and lower widths of the partition wall even in the thick film process, thereby expanding the discharge space. There was a problem that can not be done.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고정세의 격벽을 형성할 수 있는 포지티브형의 감광성 격벽 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and to provide a positive photosensitive partition wall composition that can form a high-definition partition wall and a method of manufacturing a plasma display panel using the same.

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 포지티브형의 감광성 조성물은 50∼90 중량%의 다이아조나프토퀴논(DNQ : diazonaphthoquinone)과 10∼50 중량%의 노볼락 수지(NR : Novolak Resist)를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the positive photosensitive composition according to the embodiment of the present invention is 50 to 90% by weight of diazonaphthoquinone (DNQ: diazonaphthoquinone) and 10 to 50% by weight of novolac resin ( NR: Novolak Resist).

여기서, 포지티브형의 감광성 조성물은 수은 등의 G-선 노광으로 1㎛ 이하 패턴 해상도를 가지며, I-선 노광으로 0.5㎛ 이하 200㎚급 패턴 해상도를 갖는다.Here, the positive photosensitive composition has a pattern resolution of 1 μm or less by G-ray exposure such as mercury, and has a pattern resolution of 0.5 nm or less by 200 μm or less by I-ray exposure.

또한, 포지티브형의 감광성 조성물은 2.38% TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 알칼리 현상액에 NR 수지와 같이 용해되어 포지티브형의 미세 패턴을 얻을 수 있다.In addition, the positive photosensitive composition may be dissolved in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) alkaline developer together with an NR resin to obtain a positive fine pattern.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 포지티브형의 감광성 조성물을 포함하는 격벽 재료를 이용하여 하판 위에 격벽층을 형성하는 단계와, 포토마스크로 하여 상기 격벽층을 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 격벽층을 현상하는 단계, 및 상기 현상된 격벽층을 소성하여 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention includes the steps of forming a partition layer on a lower plate using a partition material including a positive photosensitive composition, patterning the partition layer using a photomask; Developing the patterned partition wall layer, and baking the developed partition wall layer to form a partition wall.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 포지티브형의 감광성 조성물을 포함하는 격벽 재료를 이용하여 하판 위에 격벽층을 형성하는 단계, 레이저로 하여 상기 격벽층을 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 격벽층을 현상하는 단계, 및 상기 현상된 격벽층을 소성하여 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a partition layer on a lower plate using a partition material comprising a positive photosensitive composition, patterning the partition layer using a laser, the Developing the patterned partition wall layer, and baking the developed partition wall layer to form a partition wall.

상기 패터닝하는 단계는 248㎚ 파장의 KrF 또는 193㎚ 파장의 ArF 고출력 엑사이머 레이저를 이용하고, 상기 격벽은 상기 레이저 광의 파장을 조절하여 가로 방향의 격벽과 세로 방향의 격벽의 높이를 서로 다르게 형성한다.The patterning may be performed using KrF having a wavelength of 248 nm or an ArF high power excimer laser having a wavelength of 193 nm, and the barrier ribs may be formed to have different heights in the horizontal direction and the vertical direction by adjusting the wavelength of the laser light. do.

여기서, 상기 격벽 재료는 상기 50∼90 중량%의 다이아조나프토퀴논(DNQ : diazonaphthoquinone), 10∼50 중량%의 노볼락 수지, 도전성 분말, 무기질계 바인더 및 감광성 비히클을 포함하는 포지티브형의 감광성 격벽 페이스트이고, 상기 감광성 비히클은 유기 바인더, 광산발생제(photoacid generator), 용매 및 첨가제를 포함하며, 슬러리 형태로 상기 하판의 유전체층 상에 도포된다.Here, the partition material is a positive photosensitive partition wall including the 50 to 90% by weight of diazonaphthoquinone (DNQ: diazonaphthoquinone), 10 to 50% by weight of novolac resin, conductive powder, inorganic binder and photosensitive vehicle It is a paste, the photosensitive vehicle comprising an organic binder, a photoacid generator, a solvent and an additive, and is applied on the lower dielectric layer in the form of a slurry.

또한, 상기 격벽 재료는 수은 등의 G-선 노광으로 1㎛ 이하 패턴 해상도와 I-선 노광으로 0.5㎛ 이하 200㎚급 패턴 해상도를 가지며, 2.38% TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 알칼리 현상액에 NR 수지와 같이 용해되어 포지티브형의 미세 패턴이 얻어진다.In addition, the barrier material has a pattern resolution of 1 μm or less by G-ray exposure such as mercury, and a 200 nm-class pattern resolution of 0.5 μm or less by I-ray exposure, and NR resin in a 2.38% TMAH (tetramethylammonium hydroxide) alkaline developer. It melt | dissolves and the positive fine pattern is obtained.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성과 그 작용을 설명하 며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.Hereinafter, the configuration and operation of the embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings, the configuration and operation of the invention shown in the drawings and described by it will be described as at least one embodiment, which By the technical spirit of the present invention described above and its core configuration and operation is not limited.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 나타낸 개략 블록도이다.4 is a schematic block diagram illustrating a method of manufacturing a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 본 발명에 따른 포지티브형의 감광성 조성물을 포함하는 격벽 재료를 이용하여 하판 위에 도포 또는 코팅하여 격벽층을 형성한다(S410). 다음, UV(자외선) 노광을 통해, 포토마스크로 하여 상기 격벽층을 패터닝하고(S420), 다음, 상기 패터닝된 격벽층을 현상하며(S430), 다음 상기 현상된 격벽층을 소성하여 격벽을 형성한다(S440).First, a barrier rib layer is formed by coating or coating a lower plate using a barrier material including a positive photosensitive composition according to the present invention (S410). Next, through the UV (ultraviolet) exposure, the barrier layer is patterned as a photomask (S420), and then the patterned barrier layer is developed (S430), and then the developed barrier layer is fired to form a barrier rib. (S440).

더 상세한 설명은 이하에 후술하겠지만, 상기 포지티브형의 감광성 조성물은 50∼90 중량%의 다이아조나프토퀴논(DNQ : diazonaphthoquinone)과 10∼50 중량%의 노볼락 수지(NR : Novolak Resist)를 포함하고, 수은 등의 G-선 노광으로 1㎛ 이하 패턴 해상도를 가지며, I-선 노광으로 0.5㎛ 이하 200㎚급 패턴 해상도를 갖는다. 또한, 2.38% TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 알칼리 현상액에 NR 수지와 같이 용해되어 포지티브형의 미세 패턴을 얻을 수 있다.A more detailed description will be made later, but the positive photosensitive composition comprises 50 to 90% by weight of diazonaphthoquinone (DNQ) and 10 to 50% by weight of novolac resin (NR: Novolak Resist). And mercury and the like have a pattern resolution of 1 m or less under G-ray exposure, and I-ray exposure have a 0.5 nm or less 200 nm pattern resolution. In addition, it is dissolved in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) alkaline developer together with an NR resin to obtain a positive fine pattern.

상기 감광성 조성물을 포함하는 격벽 재료는 50∼90 중량%의 다이아조나프토퀴논(DNQ : diazonaphthoquinone), 10∼50 중량%의 노볼락 수지, 도전성 분말, 무기질계 바인더 및 감광성 비히클을 포함하는 포지티브형의 감광성 격벽 페이스트이다. 상기 DNQ/NR의 조성물은 일종의 포토레지스트 재료로도 사용하지만, 미세가공 공정에 다방면으로 중요하게 사용되므로 NR 수지의 화학구조와 분자량 크기/분포의 조절, DNQ의 화학구조와 G-선과 I-선 파장에서의 광반응성 상관관계 조절 등으로 실제적 미세 패턴 향상에 대한 연구는 지속적으로 추구되고 있다. The partition material including the photosensitive composition has a positive type including 50 to 90% by weight of diazonaphthoquinone (DNQ: diazonaphthoquinone), 10 to 50% by weight of a novolak resin, conductive powder, an inorganic binder, and a photosensitive vehicle. It is a photosensitive partition wall paste. Although the composition of DNQ / NR is used as a kind of photoresist material, it is important in many aspects in the micromachining process, so the chemical structure and molecular weight size / distribution of NR resin are controlled, the chemical structure of DNQ, G-ray and I-ray. Research on the improvement of the actual fine pattern by adjusting the photoreactivity correlation at the wavelength is continuously pursued.

여기서, 상기 감광성 비히클은 유기 바인더, 광산발생제(photoacid generator), 용매 및 첨가제를 포함한다. 또한, 소성 온도는 500~600℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 540~580℃인 것이 바람직하다.Here, the photosensitive vehicle includes an organic binder, a photoacid generator, a solvent, and an additive. Moreover, it is preferable that baking temperature is 500-600 degreeC, More preferably, it is preferable that it is 540-580 degreeC.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 나타낸 개략 블록도이다.5 is a schematic block diagram illustrating a method of manufacturing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

먼저, 본 발명에 따른 포지티브형의 감광성 조성물을 포함하는 격벽 재료를 이용하여 하판 위에 도포 또는 코팅하여 격벽층을 형성한다(S510). 다음, 레이저의 이미징 방식을 통해 상기 격벽층을 직접 패터닝하고(S520), 다음, 상기 레이저 이미징으로 패터닝된 격벽층을 현상한다(S530), 다음, 현상된 격벽층을 소성하여 격벽을 형성한다(S540).First, a barrier rib layer is formed by coating or coating a lower plate using a barrier material including a positive photosensitive composition according to the present invention (S510). Next, the barrier rib layer is directly patterned through laser imaging (S520), and then the barrier rib layer patterned by the laser imaging is developed (S530). Next, the developed barrier rib layer is fired to form a barrier rib ( S540).

상기 단계(S520)에서 이용하는 레이저는 248㎚ 파장의 KrF 또는 193㎚ 파장의 ArF 고출력 엑사이머 레이저를 이용하고, 이 레이저 광의 파장을 조절하여 가로 방향의 격벽과 세로 방향의 격벽의 높이를 서로 다르게 형성할 수 있다. 또한, 소성 온도는 500~600℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 540~580℃인 것이 바람직하다.The laser used in the step S520 uses a KrF of 248 nm or an ArF high-power excimer laser of 193 nm, and adjusts the wavelength of the laser light so that the heights of the horizontal and vertical bulkheads are different from each other. Can be formed. Moreover, it is preferable that baking temperature is 500-600 degreeC, More preferably, it is preferable that it is 540-580 degreeC.

도 6a 내지 6e는 도 4에서 설명한 격벽을 형성하는 단계를 나타낸 개략 단면도이다.6A to 6E are schematic cross-sectional views illustrating steps of forming the partition wall described in FIG. 4.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 하판(110) 위에 어드레스 전극(120)을 형성하고, 이 어드레스 전극(120)을 덮는 유전체층(130)을 형성한 후에, 이 유전체층(130) 위에 본 발명에 따른 포지티브형의 감광성 조성물을 포함하는 격벽재료를 이용하여 격벽층(140)을 도포한다.First, as shown in FIG. 6A, an address electrode 120 is formed on a lower plate 110, and a dielectric layer 130 covering the address electrode 120 is formed, and then the present invention is formed on the dielectric layer 130. The partition layer 140 is coated using a partition material including the positive photosensitive composition.

다음, 도 6b와 같이, 격벽층(140)을 소성하고, 이러한 소성된 격벽층(141) 위에 감도가 우수한 액상 포토레지스트(PR: photo resist: 150)를 도포한다.Next, as shown in FIG. 6B, the barrier rib layer 140 is fired, and a liquid photoresist (PR) 150 having excellent sensitivity is applied onto the fired barrier rib layer 141.

다음, 도 6c와 같이, 상기 도포된 포토레지스트(150) 위에 포토 마스크를 이용하여 자외선(UV)에 노광시키고, 도 6d와 같이, 상기 포토 마스크 패턴대로 자외선에 노광된 부분이 광분해 반응을 일으켜 분해가 되고, 다음, 도 6e와 같이, 순수(H2O)나 알칼리 수용액으로 현상하게 되면 광분패된 부분은 현상이 되고, 자외선에 노출되지 않은 부분은 격벽(160)을 형성하게 된다.Next, as illustrated in FIG. 6C, the photoresist 150 is exposed to ultraviolet rays (UV) using a photo mask, and as illustrated in FIG. 6D, portions exposed to ultraviolet rays according to the photomask pattern cause photolysis reactions to decompose the photoresist. Then, as shown in Figure 6e, when developed in pure water (H 2 O) or alkaline aqueous solution is a light-dispersed portion is developed, and the portion not exposed to ultraviolet rays to form the partition wall (160).

도 7a 내지 7d는 도 5에서 설명한 격벽을 형성하는 단계를 나타낸 개략 단면도로서, 상기 감광성법의 장점과 레이저 이미징의 장점을 혼합하여 격벽을 형성하는 단계가 도시되어 있다.7A to 7D are schematic cross-sectional views illustrating the step of forming the partition described with reference to FIG. 5. The step of forming the partition by mixing the advantages of the photosensitive method and the advantages of laser imaging is shown.

먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 하부기판(210) 위에 어드레스 전극(220)을 형성하고, 이 어드레스 전극(220)을 덮는 유전체층(230)을 형성한 후에, 이 유전체층(230) 위에 레이저를 이용하여 패터닝이 가능한 포지티브형의 감광성 조성물이 포함된 격벽 재료를 이용하여 격벽층(240)을 도포하고 코팅한다.First, as shown in FIG. 7A, an address electrode 220 is formed on the lower substrate 210, a dielectric layer 230 covering the address electrode 220 is formed, and then a laser is applied on the dielectric layer 230. The barrier layer 240 is coated and coated using a barrier material including a positive photosensitive composition that can be patterned.

상기 감광성 격벽 재료는 전술한 바와 같이, 감광성을 가지도록 하는 광개시 제와, 포토 모노머를 포함하는 비히클을 포함하여, 레이저 광에 대하여 반응을 일으키는 재료를 이용한다.As described above, the photosensitive partition wall material includes a photoinitiator having a photosensitive property and a vehicle containing a photomonomer, and a material causing a reaction to laser light.

이후, 도 7b와 같이, 상기 격벽층(240)을 소성하지 않고, 레이저 광원을 이용하여 상기 격벽층(240) 위에 형성되어질 격벽의 패턴대로 이미징을 실시한다.Thereafter, as shown in FIG. 7B, imaging is performed according to the pattern of the partition wall to be formed on the partition layer 240 using a laser light source without firing the partition layer 240.

상기 이미징이 실시된 격벽층(240)은 현상에 의하여 도 7c와 같이, 격벽(242)의 패턴으로 형성된다.The partition layer 240 on which the imaging is performed is formed in a pattern of the partition wall 242 as illustrated in FIG. 7C.

이후, 상기 패턴이 형성된 격벽(242)을 소성하게 되면 도 7d와 같이, 격벽(160) 형성이 완성된다.Thereafter, when the barrier rib 242 having the pattern is fired, the barrier rib 160 is formed as shown in FIG. 7D.

상기 도 7a 내지 7d에 도시된 바와 같이, 포토마스크의 사용없이 고감도의 포지티브형의 감광성 조성물을 포함하는 격벽 재료를 사용하여 격벽을 레이저 이미징을 하여 얻게 되면 공정 단축과 재료비 절감 및 공정 비용 절감을 통해 고정세 격벽을 얻을 수 있게 된다.As shown in FIGS. 7a to 7d, when the partition wall is obtained by laser imaging using a partition material including a highly sensitive positive photosensitive composition without using a photomask, process shortening, material cost reduction, and process cost reduction may be achieved. High-definition bulkheads can be obtained.

또한, 전술한 단계에서 레이저 광원을 이용하여 격벽을 형상화할 때, 248㎚ 파장의 KrF 또는 193㎚ 파장의 ArF 고출력 엑사이머 레이저를 이용하고 상기 레이저 광의 파장을 조절하여 가로 방향의 격벽과 세로 방향의 격벽의 높이를 서로 다르게 형성할 수도 있다.In the above-described step, when the partition wall is formed by using a laser light source, a horizontal partition wall and a vertical direction are controlled by using a KrF having a wavelength of 248 nm or an ArF high output excimer laser having a wavelength of 193 nm and adjusting the wavelength of the laser light. Different heights of the bulkheads may be formed.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.The above embodiment is an example for explaining the technical idea of the present invention in detail, and the present invention is not limited to the above embodiment, various modifications are possible, and various embodiments of the technical idea are all protected by the present invention. It belongs to the scope.

본 발명에 따른 포지티브형의 감광성 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의하면, 제조 공정 수를 감소하여 격벽을 제조할 수 있으므로, 제조단가를 낮출 수 있다는 효과가 있다.According to the positive photosensitive composition and the method of manufacturing the plasma display panel using the same, the partition wall can be manufactured by reducing the number of manufacturing steps, thereby reducing the manufacturing cost.

더욱이, 간단한 공정으로 고정세의 격벽을 형성할 수 있으므로, 격벽의 안정성을 높인다는 효과가 있다.Furthermore, since a high-definition partition can be formed by a simple process, there is an effect of increasing the stability of the partition.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.

Claims (14)

50∼90 중량%의 다이아조나프토퀴논(DNQ : diazonaphthoquinone)과50 to 90% by weight of diazonaphthoquinone (DNQ) 10∼50 중량%의 노볼락 수지(NR : Novolak Resist)를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형의 감광성 조성물.A positive photosensitive composition comprising 10 to 50% by weight of a novolak resin (NR: Novolak Resist). 제 1 항에 있어서, 상기 포지티브형의 감광성 조성물은,The method of claim 1, wherein the positive photosensitive composition, 수은 등의 G-선 노광으로 1㎛ 이하 패턴 해상도를 갖는 것을 특징으로 하는 포지티브형의 감광성 조성물.Positive type photosensitive composition characterized by having a pattern resolution of 1 micrometer or less by G-ray exposure, such as mercury. 제 1 항에 있어서, 상기 포지티브형의 감광성 격벽 조성물은,The method of claim 1, wherein the positive photosensitive partition wall composition, I-선 노광으로 0.5㎛ 이하 200㎚급 패턴 해상도를 갖는 것을 특징으로 하는 포지티브형의 감광성 조성물.A positive photosensitive composition, characterized by I-ray exposure, having a pattern resolution of 0.5 nm or less and 200 nm class. 제 1 항에 있어서, 상기 포지티브형의 감광성 조성물은,The method of claim 1, wherein the positive photosensitive composition, 2.38% TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 알칼리 현상액에 NR 수지와 같이 용해되어 포지티브형의 미세 패턴이 얻어지는 것을 특징으로 하는 포지티브형의 감광성 조성물.A positive photosensitive composition, wherein a positive fine pattern is obtained by dissolving in a 2.38% TMAH (tetramethylammonium hydroxide) alkaline developer in the same manner as an NR resin. 포지티브형의 감광성 조성물을 포함하는 격벽 재료를 이용하여 하판 위에 격 벽층을 형성하는 단계;Forming a barrier layer on the bottom plate using a barrier material comprising a positive photosensitive composition; 포토마스크로 하여 상기 격벽층을 패터닝하는 단계;Patterning the barrier rib layer as a photomask; 상기 패터닝된 격벽층을 현상하는 단계; 및Developing the patterned partition wall layer; And 상기 현상된 격벽층을 소성하여 격벽을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Firing the developed barrier rib layer to form a barrier rib. 포지티브형의 감광성 조성물을 포함하는 격벽 재료를 이용하여 하판 위에 격벽층을 형성하는 단계;Forming a partition layer on the lower plate using a partition material including a positive photosensitive composition; 레이저로 하여 상기 격벽층을 패터닝하는 단계;Patterning the barrier layer with a laser; 상기 패터닝된 격벽층을 현상하는 단계; 및Developing the patterned partition wall layer; And 상기 현상된 격벽층을 소성하여 격벽을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Firing the developed barrier rib layer to form a barrier rib. 제 6 항에 있어서, 상기 패터닝하는 단계는,The method of claim 6, wherein the patterning step, 248㎚ 파장의 KrF 또는 193㎚ 파장의 ArF 고출력 엑사이머 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.A method of manufacturing a plasma display panel using KrF having a wavelength of 248 nm or an ArF high power excimer laser having a wavelength of 193 nm. 제 6 항에 있어서, 상기 격벽은,The method of claim 6, wherein the partition wall, 레이저 광의 파장을 조절하여 가로 방향의 격벽과 세로 방향의 격벽의 높이를 서로 다르게 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방 법.A method of manufacturing a plasma display panel characterized in that the height of the horizontal barrier ribs and the vertical barrier ribs are formed differently by adjusting the wavelength of the laser light. 제 5 항에 또는 제 6 항에 있어서, 상기 격벽 재료는7. The barrier material of claim 5 or 6 wherein the partition material is 상기 50∼90 중량%의 다이아조나프토퀴논(DNQ : diazonaphthoquinone), 10∼50 중량%의 노볼락 수지, 도전성 분말, 무기질계 바인더 및 감광성 비히클을 포함하는 포지티브형의 감광성 격벽 페이스트인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.It is a positive type photosensitive partition paste containing 50-90 weight% of diazonaphthoquinone (DNQ: diazonaphthoquinone), 10-50 weight% of novolak resin, an electroconductive powder, an inorganic binder, and a photosensitive vehicle, It is characterized by the above-mentioned. Method of manufacturing a plasma display panel. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 감광성 비히클은,The method of claim 5 or 6, wherein the photosensitive vehicle, 유기 바인더, 광산발생제(photoacid generator), 용매 및 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.A method of manufacturing a plasma display panel comprising an organic binder, a photoacid generator, a solvent, and an additive. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 격벽 재료는,The barrier rib material of claim 5 or 6, 슬러리 형태로 상기 하판의 유전체층 상에 도포되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The method of manufacturing a plasma display panel, characterized in that applied to the dielectric layer of the lower plate in the form of a slurry. 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 격벽 재료는, The method of claim 5 or 6, wherein the partition material, 수은 등의 G-선 노광으로 1㎛ 이하 패턴 해상도를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.A method of manufacturing a plasma display panel, characterized by having a pattern resolution of 1 µm or less by G-ray exposure of mercury or the like. 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 격벽 재료는, The method of claim 5 or 6, wherein the partition material, I-선 노광으로 0.5㎛ 이하 200㎚급 패턴 해상도를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.A plasma display panel manufacturing method characterized by having a pattern resolution of 0.5 nm or less and 200 nm class by I-ray exposure. 제 1 항에 있어서, 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 격벽 재료는,The method of claim 1, wherein the partition material, 2.38% TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 알칼리 현상액에 NR 수지와 같이 용해되어 포지티브형의 미세 패턴이 얻어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.A method of manufacturing a plasma display panel, characterized by dissolving in a 2.38% TMAH (tetramethylammonium hydroxide) alkaline developer together with an NR resin to obtain a positive fine pattern.
KR1020060075285A 2006-08-09 2006-08-09 Photosensitive composition of positive type and manufacturing method of plasma display panel using it KR20080013586A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060075285A KR20080013586A (en) 2006-08-09 2006-08-09 Photosensitive composition of positive type and manufacturing method of plasma display panel using it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060075285A KR20080013586A (en) 2006-08-09 2006-08-09 Photosensitive composition of positive type and manufacturing method of plasma display panel using it

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080013586A true KR20080013586A (en) 2008-02-13

Family

ID=39341327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060075285A KR20080013586A (en) 2006-08-09 2006-08-09 Photosensitive composition of positive type and manufacturing method of plasma display panel using it

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080013586A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102114117B1 (en) 2018-11-27 2020-05-22 인하대학교 산학협력단 Manufacture of positive-tone photoresist materials using highly fluorinated monomolecular photoresist and highly fluorinated amine derivatives having solubility in high fluorine solvent

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102114117B1 (en) 2018-11-27 2020-05-22 인하대학교 산학협력단 Manufacture of positive-tone photoresist materials using highly fluorinated monomolecular photoresist and highly fluorinated amine derivatives having solubility in high fluorine solvent

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004075232A1 (en) Original form for partition transfer intaglio and method for forming partitions of plasma display panel using the original form
US20030073042A1 (en) Process and materials for formation of patterned films of functional materials
JP5090265B2 (en) Printing plate manufacturing method, printing plate and reverse printing method
JPH02165540A (en) Formation of plasma display panel barrier
KR20080013586A (en) Photosensitive composition of positive type and manufacturing method of plasma display panel using it
KR20070011729A (en) Plasma display panel and fabricating method thereof
KR100863043B1 (en) Plasma display panel, fabricating method and barrier lib material composition thereof
KR100830439B1 (en) Plasma display panel, fabricating method and barrier lib material composition thereof
KR20080014224A (en) Barrier rib material and manufacturing method of plasma display panel using it
KR100350652B1 (en) Method for forming barrier rib and fluorescent layer of plasma display panel
KR20080024349A (en) Fabricating method of plasma display panel
KR20120071794A (en) High definition printing plate of liquid crystal display and method for manufacture using the same
KR19990053759A (en) Manufacturing Method of Plasma Display Panel
JP2006164987A (en) Green sheet, its manufacturing method, and manufacturing method of plasma display panel
KR940006293B1 (en) Plasma display panel
KR100364154B1 (en) Method for fabricating back panel of plasma display panel
KR100415619B1 (en) Method of Fabricating the Barrier Rib on Plasma Display Panel
KR20040085700A (en) Plasma display panel and method of fabricating the same
KR20000055548A (en) Method for Producing a Back-plate of a Plasma Display Panel
JP4218489B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
JP2001143616A (en) Method for manufacturing black stripes for plasma display panel
KR100212719B1 (en) Method for formation of thin film
JP2004281389A (en) Manufacturing method of plasma display panel, and plasma display panel
KR20050072220A (en) Partition manufacturing method of plasma display panel
KR20050072915A (en) Partition manufacturing method of plasma display panel

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination