KR20080001895A - 플래쉬 메모리의 프로세스 검증 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플래시 메모리 웨이퍼 검증 방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 스크라이브레인으로 분리되는 다이들을 형성하고, 다이들 각각은 복수의 다이를 구비하는 단계, 상기 복수의 다이영역에 드레인 콘택 형성시, 상기 스크라이브레인상에 드레인 콘택 측정용 패턴을 동시에 형성하는 단계 및 상기 형성된 측정용 패턴이 위치하는 부분만 스캔하여 개폐여부를 판별하는 단계를 포함하고, 스크라이브레인에 딥 콘택 홀 폐쇄 측정 패턴을 삽입하여 검출하는 방법을 사용하여, 검출 범위를 축소하고 전자빔 검출 스캔 수의 감소로 인한 시간을 절약하게 되어 드레인 콘택 홀의 폐쇄 여부를 검사할 수 있으므로 매우 적은 시간에 드레인 콘택 홀의 개폐여부를 판별할 수 있다.
플래쉬 메모리, 스크라이브레인, 다이, 드레인 콘택 홀
Description
도 1은 종래의 플래쉬 메모리의 드레인 콘택 홀 검출방법을 설명하기 위한 평면이다.
도 2는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리의 드레인 콘택 홀 검출방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3(a) 및 도 3(b)는 본 발명의 드레인 콘택 홀 패턴의 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11, 101 : 웨이퍼 12, 102 : 레티클
본 발명은 플래시 메모리에 관한 것으로 특히, 플래시 메모리의 공정(process) 진행상태 검증 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체장치 제조공정에서는 웨이퍼 상에 일련의 단위공정들이 연속적으로 진행됨으로써 완성되며, 상기 단위공정 사이 사이에는 분석공정을 진행 함으로써 선행된 공정의 정상 유무를 분석하고 있다. 상기 분석공정은 인스펙션 장치(inspection apparatus)를 이용하여 웨이퍼 상에 존재하는 디펙트(defect)의 개수 및 위치를 분석한 후, 상기 분석결과가 입력된 마이크로스코프(Microscope) 등의 분석장비를 이용하여 웨이퍼 상에 존재하는 디펙트를 분류함으로써 선행된 공정의 정상 유무를 확인하고, 불량발생시 불량원인을 제거함으로써 수율을 향상시키고 있다.
반도체 메모리 장치 중 낸드 플래쉬 메모리 장치는 드레인 콘택 홀(drain contact hole) 형성 후에 드레인 콘택 홀의 비윤곽(not define)을 확인하기 위해 브라이트 필드(bright field) 장비, 다크 필드(dark field) 장비 또는 전자빔(e-beam) 장비를 사용할 수 있다. 그러나, 미세 콘택 홀인 드레인 콘택 홀의 폐쇄(not open) 여부를 확인하기 위해서는 더욱 정밀한 검사방법이 필요하다. 드레인 콘택 홀의 폐쇄 여부 확인은 드레인 콘택 홀 형성 후에 폴리(poly)를 채우고 일정 온도(약 700℃)에서 열처리한다. 이는, 셀 드레인 콘택 영역 및 페리 드레인 콘택 영역을 찾을 수 있는 패턴이 없으므로 전자빔을 사용하여 레티클 전체를 스캔하게 된다. 전자빔 검사를 통해 드레인 콘택 홀의 개폐(open) 여부에 따라 전자의 방출 정도 차이가 발생하며, 이에 기인한 드레인 콘택 홀의 밝기 차이를 이용하여 드레인 콘택 홀의 폐쇄여부를 확인할 수 있었다. 전자빔 장비의 느린 동작 속도(turn around time; TAT)로 인하여 도 1에서처럼 웨이퍼(wafer, 11) 한 장을 모두 스캔(scan)하여 검출할 시에 거의 하루 정도의 시간이 소요된다. 이는 레티클(12)의 모든 면을 스캔(13)하기 위해 전자빔 스캔이 20 내지 40회 정도의 횟수가 필요하 다. 이러한 방법은 검출작업에만 오랜 시간이 소모되므로 생산성 향상에 저해요소가 될 수 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 스크라이브레인(scribe lane)에 딥 콘택 홀 폐쇄 측정 패턴을 삽입하여 검출하는 방법을 사용하여, 검출 범위를 축소하고 전자빔 검출 스캔 수의 감소로 인한 시간을 절약하게 되어 드레인 콘택 홀의 폐쇄 여부를 검사한다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 측정 패턴을 형성하여 측정 장비로 SEM을 사용하여 확대 촬영된 사진으로 판별하도록 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플래시 메모리 웨이퍼 검증 방법은, 웨이퍼상에 스크라이브레인으로 분리되는 다이들을 형성하고, 다이들 각각은 복수의 다이를 구비하는 단계, 상기 복수의 다이영역에 드레인 콘택 형성시, 상기 스크라이브레인상에 드레인 콘택 측정용 패턴을 동시에 형성하는 단계 및 상기 형성된 측정용 패턴이 위치하는 부분만 스캔하여 개폐여부를 판별하는 단계를 포함하는 플래시 메모리 웨이퍼 검증 방법을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다 른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 2는 본 발명의 드레인 콘택 홀 검출방법의 실시예를 나타낸 도면이다. 웨이퍼(101)상에 형성된 레티클(102) 각각은 스크라이브레인에 의해 단위 필드로 분리되는 복수의 다이들을 형성한다. 스크라이브레인의 네 모서리에 셀 및 페리 드레인 콘택 홀(drain contact hall) 측정용 패턴을 형성한다. 측정용 패턴은 다이 내부의 드레인 콘택 홀 형성시에 동시에 형성한다. 즉, 셀 드레인 콘택 형성시에 스크라이브레인 부분상에 측정용 패턴을 동시에 형성하고, 페리 드레인 콘택 형성시에도 스크라이브레인 부분상에 측정용 패턴을 동시에 형성한다. 다이 안쪽의 드레인 콘택보다 다이의 최외각에 위치하는 드레인 콘택에서 폐쇄현상이 주로 발생하게 되는데 스크라이브레인에 형성된 패턴을 검사함으로써 다이 내부의 드레인 콘택의 개폐여부를 확인할 수 있다. 측정용 패턴 형성은 다음과 같다. 개폐 측정용 패턴은 다이 안쪽에서 형성되는 드레인 콘택 형성시, 같은 위상(topology)으로 형성되도록 ISO 패턴 형성 시부터 스크라이브레인상에 측정용 패턴을 형성한다. 드레인 콘택 플러그 폴리 형성 후에 열처리를 진행하고, 스크라이브에 있는 폐쇄 측정용 패턴만을(103) 검출범위로 지정하여 폐쇄 유무를 파악한다. 이때, 일반적인 스크라이브레인의 폭이 100㎛이므로, 패턴은 길이가 적어도 50㎛가 되도록 하고, 정사각형 모양이 되도록 한다.
형성되는 드레인 콘택의 패턴은 도 3에서와 같이 형성한다. (a)는 셀 드레인 콘택 홀 측정용 패턴의 예이고, (b)는 페리 드레인 콘택 홀 측정용 패턴의 일실시예이다. 형성되는 셀 드레인 콘택 측정용 패턴(a) 및 페리 드레인 콘택 측정용 패턴(b)의 모양은 각각 조금씩 다르다. 각각의 모양은 다이 내부에 형성되는 셀 및 페리 드레인 콘택 홀의 모양과 같게 형성된다. 레티클의 네 모서리에 각각 셀 및 페리 트레인 콘택 측정용 패턴을 형성하고, 전자빔 장비를 사용하여 패턴의 위치에서만 검출 작업을 수행한다. 따라서, 빠른 시간동안에 위상을 비교하여 개폐여부를 판별할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로, 상기와 같은 드레인 콘택 홀 측정용 패턴을 형성한다. 검출 작업시, CD-SEM(critical dimension scanning electron microscope) 장비를 사용하여 촬영한 사진을 분석함으로써 개폐여부를 판별할 수 있다. SEM으로 확대 촬영한 사진에서 흐리게 나오는 부분이 폐쇄된 영역임을 눈으로 확인할 수 있게 되므로 판별이 용이하며 특정 시간을 단축할 수 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 검증 방법은, 스크라이브레인에 딥 콘택 홀 폐쇄 측정 패턴을 삽입하여 검출하는 방법을 사용하여, 검출 범위를 축소하고 전자빔 검출 스캔 수의 감소로 인한 시간을 절약하게 되어 드레인 콘택 홀의 폐쇄 여부를 검사할 수 있으므로 매우 적은 시간에 드레인 콘택 홀의 개폐여부를 판별할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 측정 패턴을 형성하여 측정 장비로 전자빔 장비 대신에 SEM장비를 사용하여 개폐여부를 판별할 수 있다.
Claims (4)
- 웨이퍼상에 스크라이브레인으로 분리되는 다이들을 형성하고, 다이들 각각은 복수의 다이를 구비하는 단계;상기 복수의 다이영역에 드레인 콘택 형성시, 상기 스크라이브레인상에 드레인 콘택 측정용 패턴을 동시에 형성하는 단계; 및상기 형성된 측정용 패턴이 위치하는 부분만 스캔하여 개폐여부를 판별하는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리의 프로세스 검증 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 측정용 패턴은 셀 드레인 콘택 홀 측정용 패턴과 페리 드레인 콘택 홀 측정용 패턴을 각각 포함하는 플래시 플래쉬 메모리의 프로세스 검증 방법
- 제 2 항에 있어서, 상기 셀 드레인 콘택 홀 측정용 패턴은,다이 내부의 셀 드레인 콘택 형성시에 스크라이브레인상에 형성하고, 셀과 같은 모양으로 형성하는 플래시 메모리 웨이퍼 검증 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 페리 드레인 콘택 홀 측정용 패턴은,다이 내부의 페리 드레인 콘택 형성시에 스크라이브레인상에 형성하고, 페리와 같은 모양으로 형성하는 플래시 메모리 웨이퍼 검증 방법.
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| KR1020060060345A KR20080001895A (ko) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 플래쉬 메모리의 프로세스 검증 방법 |
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| KR1020060060345A KR20080001895A (ko) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 플래쉬 메모리의 프로세스 검증 방법 |
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| KR1020060060345A KR20080001895A (ko) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 플래쉬 메모리의 프로세스 검증 방법 |
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| KR (1) | KR20080001895A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8836020B2 (en) | 2011-02-01 | 2014-09-16 | Samsung Electronics Co., Ld. | Vertical nonvolatile memory devices having reference features |
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2006
- 2006-06-30 KR KR1020060060345A patent/KR20080001895A/ko not_active Application Discontinuation
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| US8836020B2 (en) | 2011-02-01 | 2014-09-16 | Samsung Electronics Co., Ld. | Vertical nonvolatile memory devices having reference features |
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