KR20080000786U - 휘도가 개량된 ｓｍｄ 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지 - Google Patents

휘도가 개량된 ｓｍｄ 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20080000786U
KR20080000786U KR2020070009807U KR20070009807U KR20080000786U KR 20080000786 U KR20080000786 U KR 20080000786U KR 2020070009807 U KR2020070009807 U KR 2020070009807U KR 20070009807 U KR20070009807 U KR 20070009807U KR 20080000786 U KR20080000786 U KR 20080000786U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
colloid
base
fixed
led chip
chip
Prior art date
Application number
KR2020070009807U
Other languages
English (en)
Other versions
KR200447228Y1 (ko
Inventor
위-밍 황
시안-챙 시에
Original Assignee
라이트하우스 테크놀로지 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 라이트하우스 테크놀로지 씨오., 엘티디. filed Critical 라이트하우스 테크놀로지 씨오., 엘티디.
Priority to KR2020070009807U priority Critical patent/KR200447228Y1/ko
Publication of KR20080000786U publication Critical patent/KR20080000786U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200447228Y1 publication Critical patent/KR200447228Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 고안은 LED 칩이 기능 영역 내에 고착되고, 정전기 방호칩이 오목홈 내에 고착됨으로써, LED 칩의 광선이 기능 영역 내에서 균일하게 반사되어 휘도 균일화의 효과를 향상시킬 수 있다.
이를 위한 해결 수단으로, 개량된 SMD 다이오드 홀더 구조는 콜로이드와 복수의 금속 홀더를 포함하고, 콜로이드의 양쪽에 기능 영역 및 오목홈을 형성하며, 금속 홀더는 콜로이드 내부에 위치하는 베이스 및 베이스로부터 콜로이드의 외측으로 연장되는 접속핀을 각각 가지고, 베이스의 상면 및 하면이 기능 영역 및 오목홈 내에서 노출되도록 다이오드 홀더 구조를 형성하였다. 또한 기능 영역 내의 하나의 베이스의 상면에 LED 칩을 고착하고, 오목홈의 다른 베이스의 하면에 정전기 방호칩을 고착하고, LED 칩, 정전기 방호칩 및 베이스를 와이어로 접속하며, 또한 기능 영역을 제1 실링 컴파운드로 덮고, 오목홈을 제2 실링 컴파운드로 덮어 다이오드 패키지를 구성하였다.
SMD, 다이오드, 휘도, 콜로이드, 베이스, 접속핀, 금속 홀더

Description

휘도가 개량된 ＳＭＤ 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지 {SMD diode holder structure to improve brightness and SMD diode package using the same}
도 1은 종래의 SMD 다이오드 패키지를 도시한 도면
도 2A는 종래의 SMD 다이오드 패키지의 다른 예를 도시한 도면
도 2B는 도 2A의 A부를 도시한 도면
도 3은 본 고안을 도시한 사시도
도 4는 본 고안을 다른 각도에서 도시한 사시도,
도 5는 본 고안에 따른 LED 칩 및 정전기 방호칩이 고착된 상태를 도시한 평단면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 금속 홀더 12 : 콜로이드
13 : LED 칩 14, 14' : 와이어
15 : 정전기 방호칩 16 : 에폭시 수지
21 : 홀더 211 : 함몰부
22 : 보호 소자 23, 23' : 접착 재료
24, 24' : 와이어 25 : 몰드 부재
251 : 원호형 딤플 26 : 발광 다이오드칩
30 : 콜로이드 31 : 기능 영역
32 : 오목홈 33 : 구획용 블록
40 : 금속 홀더 41 : 베이스
42 : 접속핀 411 : 상면
412: 하면 50 : LED 칩
51 : 제1 와이어 60 : 제1 실링 컴파운드
70 : 정전기 방호칩 71 : 제2 와이어
80 : 제2 실링 컴파운드
본 고안은 발광 다이오드의 디자인에 관한 것으로, 특히 제작이 편리하고 또한 양산이 용이한 휘도가 개량된 SMD(표면 실장 소자) 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지에 관한 것이다.
도 1은 현재 시판되고 있는 SMD(Surface Mount Device: 표면 실장 소자) 다이오드 패키지를 도시한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이 2개의 금속 홀더(11) 상에 사출 성형 등의 방식으로 내부로 함몰부된 콜로이드(12)가 형성되고, 콜로이드(12) 중 하나의 금속 홀더(11) 상에 LED 칩(13)이 고착되고, LED 칩(13) 및 2개의 금속 홀더(11) 상에 2개의 와이어(14)가 접속된다. 동시에 LED 칩(13)이 정전기 파괴 방지 효과를 갖도록 다른 금속 홀더(11) 상에 정전기 방호칩(15)이 고착되고, 다른 와이어(14')를 통해 대향하는 금속 홀더(11)에 접속된다. 마지막으로, 콜로이드(12) 내를 에폭시 수지(16)로 덮고, 2개의 금속 홀더(11)에 양극, 음극의 전압을 각각 인가하여 LED 칩(13)이 광선을 방사하는 동시에 정전기 방호칩(15)을 통해 LED 칩(13)이 정전기에 의해 파괴되는 것을 방지할 수 있다.
그러나, 상기된 SMD 다이오드 패키지에서는 그 LED 칩(13) 및 정전기 방호칩(15)이 모두 소정의 높이를 가지므로, LED 칩(13)이 주위로 방사하는 광선이 콜로이드(12) 내의 벽 가장자리 및 금속 홀더(11) 사이에서는 그 반사율이 높으나, 광이 정전기 방호칩(15)을 통과할 때에 정전기 방호칩(15)의 높이로 인해 영향을 받기 쉬워 차광 및 광 흡수의 효과가 발생하여 반사율이 나빠져 다이오드의 휘도 얼룩 현상을 일으키게 된다.
이에 상기 결점을 개선하기 위하여, 도 2A 및 도 2B에 도시된 바와 같이 2005년 4월 11일자로 공고된 중화민국 실용신안특허증서 번호 M261831에는 그 일면에 함몰부(211)를 갖는 홀더(21)와, 접착 재료(23)에 의해 상기 함몰부(211) 내에 고정되며 또한 와이어(24)를 통해 홀더(21)에 접속되는 보호 소자(22)와, 상기 함몰부(211)를 밀봉하며 또한 상기 함몰부(211)의 다른 면에 원호형 딤플(251)을 형성하는 몰드 부재(25)와, 접착 재료(23')에 의해 원호형 딤플(251) 내에 고정되며 2개의 와이어(14)를 통해 홀더(21)에 접속되는 발광 다이오드칩(26)을 포함하는 "발광 다이오드 정전기 방지 패키지"가 게시되어 있다. 따라서, 홀더(21)에 양극, 음극 전압을 각각 인가하면 발광 다이오드칩(26)이 광선을 방사하는 동시에 보호 소자(22)와 발광 다이오드 칩(26)이 대향하여 홀더(21)에 고정됨으로써, 보호 소 자(22)에 의한 차광 및 광 흡수 효과를 피하여 상기 결점을 방지할 수 있다.
상기된 "발광 다이오드 정전기 방지 패키지"는 그 실제 제조 과정이 다음과 같다. 보호 소자(22)의 저부를 도전성을 갖는 은 페이스트(도시 생략)로 함몰부(211) 내에 고착하고, 나아가 와이어(24)로 접속하며, 접착 재료(23)로 홀더(21)의 함몰부(211) 내에 고정한다. 그 후, 몰드 부재(25)가 사출 성형 또는 캐스팅 성형 등의 방식으로 함몰부(211), 보호 소자(22) 및 접착 재료(23)를 밀봉하는 동시에 원호형 딤플(251)의 외형을 형성한다. 마지막으로, 다른 면의 홀더(21) 내에 발광 다이오드칩(26)을 고정하고, 또한 와이어(24')를 접속시킴으로써, 상기 구조의 특징을 이룬다.
그러나, 상기된 발광 다이오드 정전기 방지 패키지는 그 실제 제조 과정에서 아래의 결점을 갖는다.
1) 홀더(21)에 대해서, 먼저 프레스 또는 에칭 등의 기술을 이용하여야만 상기의 함몰부(211)를 형성할 수 있는데, 와이어(24)를 접속하는 와이어 본딩의 제조 과정에서 홀더(21)가 판재 진동 및 푸시/인장 부족이 되기 쉬워 제품 신뢰성이 저하된다.
2) 함몰부(211)의 설계는 대부분 내부로 함몰된 딤플형(도 2A에 도시된 바와 같이)이 되는데, 보호 소자(22)를 고착시키는 은 페이스트의 양을 과다 사용하게 되면 버 현상이 발생하여 함몰부(211)의 벽면을 따라 보호 소자(22)의 측변에 부착되어 리크가 발생하는 경우가 있으며, 나아가 쇼트 현상이 발생하게 된다.
3) 몰드 부재(25)에 대해서, 여러 재료로 구성되어 있어도 모두 고온 용융에 의해 액체 상태에서 봉지 부분의 홀더(21), 함몰부(211), 보호 소자(22) 및 접착 재료(23)를 성형한다. 이 과정에서 고온에 의해 접착 재료(23)가 직접적으로 열화되는 등의 문제가 발생하기 쉽다.
이상과 같이, 상기와 같은 구조 설계가 실질적인 생산 목적을 달성할 수 없다는 것은 명확하다.
이에, 본 고안자는 상기 결점을 개량하고자 오랜 시간 이 분야에서 쌓은 경험을 바탕으로 관찰과 연구를 거듭하고, 나아가 학술 이론의 운용에 맞는 합리적인 설계와 상기 결점을 유효하게 개량할 수 있는 본 고안을 제안하기에 이르렀다.
본 고안은 LED 칩 및 정전기 방호칩이 고착된 다이오드 패키지를 형성하여 휘도 균일화의 목적을 달성하고, 나아가 제작이 용이하며 또한 양산 가능한 효과가 있고, 생산 과정에서 버에 의한 쇼트, 혹은 고온 성형시의 프로세스에 의해 제2 콜로이드의 열화를 피할 수 있는 휘도가 개량된 SMD 다이오드 홀더 구조를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 일측 내부에 함몰된 기능 영역을 가지고 다른 일측 내부에 함몰된 오목홈을 갖는 콜로이드와; 콜로이드 내에 각각 고착되며 콜로이드 내부에 위치하는 베이스 및 베이스로부터 콜로이드 외측으로 연장되는 접속핀을 각각 가지며, 각 베이스의 상면이 기능 영역 내에서 각각 노출되고, 각 베이스의 하면이 오목홈 내에서 각각 노출되는 복수의 금속 홀더를 포함하는 휘도가 개량된 SMD 다이오드 홀더 구조를 제공한다.
상기된 하나의 베이스 상면에 LED 칩을 고착하고, LED 칩 및 베이스의 상면 을 제1 와이어로 접속하며, 또한 제1 실링 컴파운드를 덮고, 상기 다른 베이스의 하면에 정전기 방호칩을 고착하고, 정전기 방호칩과 LED 칩이 고착된 베이스의 하면을 제2 와이어로 접속하며, 또한 제2 실링 컴파운드를 덮어 SMD 다이오드 패키지를 구성한다.
이하에 기재된 본 고안에 관한 상세한 설명 및 첨부 도면을 참조함으로써, 본 고안에 관한 특징 및 기술 내용을 보다 깊이 이해할 수 있으나, 이들 첨부 도면은 참고 및 설명을 위한 것으로, 본 고안의 주장 범위를 협의적으로 국한하는 것이 아니다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 "휘도가 개량된 SMD(표면 실장 소자) 다이오드 홀더 구조"는 콜로이드(30) 및 복수의 금속 홀더(40)를 포함한다.
상기 콜로이드(30)의 외형은 대부분 직육면체이나, 사면체나 다면체 또는 원형 등으로 하여도 된다. 본 고안은 그 외형에 한정되지 않는다. 상기 콜로이드(30)의 일측 내부에는 함몰되면서 경사지게 설계된 기능 영역(31)이 형성되고, 다른 일측 내부에는 함몰된 오목홈(32)이 형성되는데, 이 오목홈(32)의 사이즈는 기능 영역(31)보다 작게 형성된다. 상기 콜로이드(30)는 불도전성 재료 부재로, 예를 들면 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC)나 폴리프탈아미드(PolyPhthalAmide, PPA), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephthalate, PBT), 폴리메타크릴산메틸(Polymethylmethacrylate, PMMA) 혹은 다른 널리 알려진 열 가소성 수지 등이면 된다.
상기 금속 홀더(40)는 도전성 재료로, 예를 들면 Cu, Fe 등의 금속 재료로 이루어지며, 각각의 금속 홀더(40)가 콜로이드(30) 내에 고착되는데, 본 고안에서는 2개의 금속 홀더(40)의 사용을 예로 설명하고 있으나, 실제 요구에 따라 3개나 4개 이상의 금속 홀더(40)를 설치하여도 된다. 상기 콜로이드(30)가 사출 성형 등의 방법에 의해 각각의 금속 홀더(40)를 고착시킴에 따라 양산이 가능해지고 제조 코스트를 삭감시킬 수 있다.
상기된 각 금속 홀더(40)는 콜로이드(30)의 기능 영역(31)의 바닥면에 위치하는 베이스(41)와, 베이스(41)로부터 콜로이드(30)의 외측으로 연장되며 접점으로 사용되는 접속핀(42)을 각각 구비한다. 각 베이스(41)의 상면(411)은 기능 영역(31) 내에서 노출되고, 각 베이스(41)의 하면(412)은 오목홈(32) 내에서 노출된다. 또한, 각 베이스(41)는 간격을 두고 인접하게 배치되는데, 베이스(41)의 사이에는 콜로이드(30)에 의해 금속 홀더(40)의 극성(양, 음극)을 구획하기 위한 구획용 블록(33)이 형성된다. 상기와 같이 하여 본 고안의 SMD 다이오드 홀더 구조가 구성된다.
또한, 금속 홀더(40)의 표면(상면, 하면)에는 한층의 금속 반사층(도시 생략), 예를 들면 Ag나 Au, Pd 등의 고반사율 금속이 금속 도금됨으로써, 금속 홀더(40)의 광 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
도 5를 참조하여 본 고안에 따른 SMD 다이오드 패키지를 설명한다. 하나의 베이스(41)의 상면(411)에 접착재 고정 방식으로 LED 칩(50)을 고착시키는데(업계 에서 소위 다이 본딩이라 함), LED 칩(50)의 수는 금속 홀더(40)의 수에 따라 증가시킬 수 있으며, 동일한 금속 홀더(40)의 베이스(41) 상에 복수의 LED 칩(50)을 설치할 수도 있다. 예를 들면 R, G, B의 3개의 LED 칩(50)을 고착시키면 백광의 효과가 얻어진다. LED 칩(50)마다 2개의 제1 와이어(51)가 접속되는데, 제1 와이어(51)는 2개의 대향하는 서로 다른 전극인 베이스(41)의 상면(411)에 각각 접속된다(즉, 와이어 본딩 작업이 이루어진다). 또한, 콜로이드(30)의 기능 영역(31) 내에 광 투과가 가능한 제1 실링 컴파운드(60)를 덮어(패키지 작업) LED 칩(50) 및 제1 와이어(51)를 밀봉함으로써 LED 칩(50)이 습기 등의 영향으로 인해 손괴되는 것을 방지한다.
LED 칩(50)이 고착된 쪽과 대향하는 다른 베이스(41)의 하면(412)에는 정전기 방호칩(70)이 전기적으로 고착되고(예를 들면 은 페이스트), 또한 정전기 방호칩(70)에는 LED 칩(50)이 고착된 베이스(41)의 하면(412)에 이르는 제2 와이어(71)가 접속된다. 제2 와이어(71)의 수는 금속 홀더(40)의 수에 따라 결정되는데, 예를 들면 2개의 금속 홀더(40)는 하나의 제2 와이어(71)로 접속하면 되고, 3개의 금속 홀더(40)는 그 중 2개의 금속 홀더(40)에 LED 칩(50)이 고착되고 다른 금속 홀더(40)에 정전기 방호칩(70)이 고착되기 때문에 대향하는 2개의 금속 홀더(40)에 2개의 제2 와이어(71)를 각각 접속할 필요가 있다. 그 후, 오목홈(32) 내에 제2 실링 컴파운드(80)를 덮어 정전기 방호칩(70) 및 제2 와이어(71)를 덮음으로써, 정전기 방호칩(70)이 습기 등의 영향으로 인해 손괴되는 것을 방지한다. 상기와 같이 하여 본 고안의 SMD 다이오드 패키지를 구성한다.
제1 실링 컴파운드(60)는 에폭시 수지, 실리콘 또는 다른 수지 등의 실링 컴파운드재이며, 또한 제1 실링 컴파운드(60) 내에 더욱 다양한 형광분(예를 들면 황색) 등을 혼합한 색을 변경할 수 있는 믹스 실링 컴파운드이어도 된다. 또한, 제2 실링 컴파운드(80)는 상기 제1 실링 컴파운드(60)와 동일한 재질의 실링 컴파운드로, 광 투과성 또는 불투과성 중 어느 쪽이어도 된다.
한편, 본 고안에서는 각 접속 핀(42)이 베이스(41)로부터 콜로이드(30)의 외측으로 연장되어 대향하는 양쪽 가장자리에 각각 위치하며, 또한 적절한 절곡을 통해 콜로이드(30)의 바닥부(도시 생략)에 접착되도록 구성함으로써, 정방향 발광(Top View)형 SMD 다이오드를 형성할 수 있다. 아울러, 각 접속 핀(42)이 베이스(41)로부터 콜로이드(30)의 외측으로 연장되어 동일측 가장자리에 위치하며, 또한 적절한 절곡을 통해 콜로이드(30)의 측부 가장자리 면(도시 생략)에 접착되도록 구성함으로써, 측방향 발광(Side View)형인 SMD 다이오드를 형성할 수 있다.
상기와 같이 구성된 각 접속핀(42)으로 양극, 음극의 전압을 각각 인가하여 각 베이스(41)에 전압을 전송하는 동시에 제1 와이어(51)의 효과에 의해 LED 칩(50)은 광을 방사할 수 있다. 동시에, 정전기 방호칩(70) 및 제2 와이어(71)가 대향하는 금속 홀더(40)의 베이스(41)에 접속됨으로써, LED 칩(50)이 정전기 방호 효과를 가짐에 따라 LED 칩(50)이 정전기에 의한 파괴로 인해 효과를 상실하는 것을 방지할 수 있다.
즉, 본 고안은 휘도 균일화의 목적을 달성하는 동시에 LED 칩(50)의 정전기에 의한 파괴를 방지할 수 있고, 보다 대량 생산이 용이한 효과가 있으며, 생산 과 정에서 콜로이드(30)의 성형시 고온에 의해 제2 실링 컴파운드(80)가 열화되어 신뢰성이 저하되는 것을 피할 수 있는 휘도가 개량된 SMD 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지를 제공한다. 상기와 같은 본 고안은 이하의 이점 및 특징을 갖는다.
1) 본 고안은 LED 칩(50)이 기능 영역(31) 내에 고착되고, 정전기 방호칩(70)이 오목홈(32) 내에 대향하여 고착됨에 따라 LED 칩(50)이 방사하는 광선이 정전기 방호칩(70)에 의해 영향을 받는 것을 피할 수 있으며, 광선이 기능 영역(31) 내에서 균일하게 반사되어 휘도 균일화의 효과를 향상시킬 수 있다.
2) 본 고안은 먼저 콜로이드(30)와 금속 홀더(40)를 결합한 이후에 SMD 다이오드 홀더 구조를 형성하고, 후속 프로세스인 LED 칩(50) 및 정전기 방호칩(70) 등의 작업을 수행함에 따라 콜로이드(30)가 고온 성형될 때에 제2 실링 컴파운드가 열화되는 것을 피할 수 있고, 아울러 생산 제조 과정에서의 불량률이나 체크 코스트 및 생산 제조 코스트를 저하시키는 등의 목적을 달성할 수 있으며, 제작이 용이하고 또한 양산이 용이하다는 효과를 갖는다.
3) 본 고안은 SMD 다이오드 홀더 구조를 형성한 후, 그 금속 홀더(40) 및 콜로이드(30)의 구조 설계를 통해 후속 프로세스인 정전기 방호칩(70)의 고착 작업과 제2 와이어(71)를 접속하는 와이어 본딩 과정에서 금속 홀더(40)가 판재 진동 및 푸시/인장 부족을 일으켜 제품의 신뢰도를 저하시키는 것을 방지할 수 있다.
4) 본 고안은 금속 홀더(40)와 콜로이드(30)의 오목홈(32) 사이의 구조 설계를 통해 오목홈(32)의 공간 영역을 크게 형성하고, 베이스(41)를 평면형으로 형성함에 따라 은 페이스트를 이용하여 정전기 방호칩(70)의 고착시 버가 발생하여도 은 페이스트가 정전기 방호칩(70)의 측변에 부착되는 것을 피할 수 있으므로, 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
이상은 본 고안의 바람직한 구체적인 실시예에 불과한 것으로, 본 고안의 실용신안등록청구범위를 제한하는 것은 아니며, 해당 분야의 통상의 지식을 갖는 전문가는 본 고안의 분야 속에서 적당한 변경이나 수식 등을 실시할 수 있으나, 이들 실시는 본 고안의 권리 범위 내에 포함된다.
본 고안은 아래의 효과를 갖는다.
1) LED 칩이 기능 영역 내에 고착되고, 정전기 방호칩이 오목홈 내에 대향하여 고착됨에 따라 LED 칩이 방사하는 광선이 정전기 방호칩에 의해 영향을 받는 것을 피할 수 있으며, 광선이 기능 영역 내에서 균일하게 반사되어 휘도 균일화의 효과를 향상시킬 수 있다.
2) 콜로이드와 금속 홀더를 결합한 이후에 후속 프로세스인 LED 칩 및 정전기 방호칩 등의 작업을 수행함에 따라 콜로이드가 고온 성형될 때에 제2 실링 컴파운드가 열화되는 것을 피할 수 있고, 아울러 생산 제조 과정에서의 불량률이나 체크 코스트 및 생산 제조 코스트를 저하시키는 등의 목적을 달성할 수 있으며, 제작이 용이하고 또한 양산이 용이하다는 효과를 갖는다.
3) SMD 다이오드 홀더 구조를 형성한 후, 그 금속 홀더 및 콜로이드의 구조 설계를 통해 후속 프로세스인 정전기 방호칩의 고착 작업과 제2 와이어를 접속하는 와이어 본딩 과정에서 금속 홀더가 판재 진동 및 푸시/인장 부족을 일으켜 제품의 신뢰도를 저하시키는 것을 방지할 수 있다.
4) 금속 홀더와 콜로이드의 오목홈 사이의 구조 설계를 통해 은 페이스트를 이용하여 정전기 방호칩의 고착시 버가 발생하여도 은 페이스트가 정전기 방호칩의 측변에 부착되는 것을 피할 수 있으므로, 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (5)

  1. 일측 내부에 함몰된 기능 영역을 가지고, 다른 일측 내부에 함몰된 오목홈을 갖는 콜로이드와,
    각각 상기 콜로이드 내에 고착되며, 상기 콜로이드 내부에 위치하는 베이스 및 상기 베이스로부터 콜로이드 외측으로 연장되는 접속핀을 각각 가지고, 상기 각 베이스의 상면이 상기 기능 영역 내에서 각각 노출되고, 상기 각 베이스의 하면이 상기 오목홈 내에서 각각 노출되는 복수의 금속 홀더를 포함하는 휘도가 개량된 SMD 다이오드 홀더 구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접속핀이 상기 콜로이드의 동일측에 위치하거나, 상기 접속핀이 상기 콜로이드의 양측에 대향되게 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 휘도가 개량된 SMD 다이오드 홀더 구조.
  3. 일측 내부에 함몰된 기능 영역을 가지고, 다른 일측 내부에 함몰된 오목홈을 갖는 콜로이드와,
    각각 상기 콜로이드 내에 고착되며, 상기 콜로이드 내부에 위치하는 베이스 및 상기 베이스로부터 콜로이드 외측으로 연장되는 접속핀을 각각 가지고, 상기 각 베이스의 상면이 상기 기능 영역 내에서 각각 노출되고, 상기 각 베이스의 하면이 상기 오목홈 내에서 각각 노출되는 복수의 금속 홀더와,
    상기 하나의 베이스의 상면에 고착되고, 이들 베이스의 상면과 제1 와이어로 접속되는 적어도 하나의 LED 칩과,
    상기 콜로이드의 기능 영역 내에 결합되고, 상기 LED 칩을 덮는 제1 실링 컴파운드와,
    상기 LED 칩과 대향하는 다른 베이스의 바닥면에 고착되고, LED 칩이 고착된 베이스 바닥면과 제2 와이어로 접속되는 정전기 방호칩과,
    상기 콜로이드의 오목홈 내에 결합되고, 상기 정전기 방호칩을 덮는 제2 실링 컴파운드를 포함하는 휘도가 개량된 SMD 다이오드 패키지.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 접속핀이 상기 콜로이드의 동일측에 위치되거나, 상기 접속핀이 상기 콜로이드의 양측에 대향되게 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 휘도가 개량된 SMD 다이오드 패키지.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 실링 컴파운드 내에 형광분의 혼합식 실링 컴파운드재가 믹스된 것을 특징으로 하는 휘도가 개량된 SMD 다이오드 패키지.
KR2020070009807U 2006-10-25 2007-06-14 Ｓｍｄ 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지 KR200447228Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020070009807U KR200447228Y1 (ko) 2006-10-25 2007-06-14 Ｓｍｄ 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW95139336 2006-10-25
KR2020070009807U KR200447228Y1 (ko) 2006-10-25 2007-06-14 Ｓｍｄ 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080000786U true KR20080000786U (ko) 2008-04-30
KR200447228Y1 KR200447228Y1 (ko) 2010-01-07

Family

ID=41323741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020070009807U KR200447228Y1 (ko) 2006-10-25 2007-06-14 Ｓｍｄ 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200447228Y1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100680267B1 (ko) 2005-09-16 2007-02-08 주식회사 인포피아 식별정보를 포함하는 바이오 센서 및 바이오 센서의식별정보 판독장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623576B1 (ko) * 2004-09-10 2006-09-20 윤성노 소형 광소자 패키지 및 그 제조방법
KR100670532B1 (ko) * 2005-01-28 2007-01-16 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR100616679B1 (ko) 2005-05-11 2006-08-28 삼성전기주식회사 측면 발광다이오드 패키지
KR200427111Y1 (ko) * 2006-07-10 2006-09-22 주식회사 티씨오 정전기 보호용 고휘도 발광다이오드

Also Published As

Publication number Publication date
KR200447228Y1 (ko) 2010-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3134330U (ja) 輝度が改良されるｓｍｄダイオードホルダ構造およびそのパッケージ
US11043623B2 (en) Package including lead component having recess
JP4744178B2 (ja) 発光ダイオード
US6881980B1 (en) Package structure of light emitting diode
US8471287B2 (en) LED package and method for making the same
JP2019096905A (ja) 発光装置
JP6276557B2 (ja) Ｌｅｄ発光装置
JP6253949B2 (ja) Ｌｅｄ発光装置
JP4961978B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP3797636B2 (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP3219881U (ja) 発光素子パッケージ
JP5277610B2 (ja) 発光装置及び面発光装置並びに発光装置用パッケージ
JP2008027999A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP2017117867A (ja) 発光装置
JP2013143496A (ja) Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP2013115116A (ja) Ｌｅｄモジュール
TW201044651A (en) Semiconductor light emitting device
JPH07211940A (ja) 平面発光型ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
JP5350947B2 (ja) 発光ダイオード
KR20160037789A (ko) 패키지의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 및 발광 장치
KR200447228Y1 (ko) Ｓｍｄ 다이오드 홀더 구조 및 그 패키지
JP3621175B2 (ja) 面発光照明装置
CN110890355A (zh) 发光二极管封装件
US20220199873A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
CN208706680U (zh) Led封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121126

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131128

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141222

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151120

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161121

Year of fee payment: 8