KR20070117816A

KR20070117816A - 편광판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시패널

Info

Publication number: KR20070117816A
Application number: KR1020060051934A
Authority: KR
Inventors: 김중현; 황인선; 황성용
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-06-09
Filing date: 2006-06-09
Publication date: 2007-12-13
Also published as: US20070285598A1; JP2007334346A

Abstract

랜덤한 편광의 출사량이 감소된 편광판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시패널이 개시된다. 스트라이프 타입의 도전성 격자선 패턴을 베이스 기판의 일면에 형성한다. 도전성 격자선 패턴에 대응하여 스트라이프 타입의 광흡수 패턴을 베이스 기판의 일면과 도전성 격자선 패턴의 사이에 형성하거나, 도전성 격자선 패턴 상에 형성한다. 도전성 격자선 패턴이 편광자로서 기능할 수 있도록 도전성 격자선 패턴이 포함하는 격자선들의 선폭 및 격자선들 간의 피치를 가시광선의 파장보다 작게 형성한다. 광흡수 패턴은 도전성 격자선 패턴에 의해 편광된 후 경계면에서 반사되어 랜덤한 편광이된 광의 일부를 흡수한다. 따라서, 편광판에 의해 편광된 광과 다른 편광성분의 출사량이 크게 감소되고, 표시패널의 대비비가 증가한다.

편광, 격자선, 광흡수, 반사, 대비비

Description

편광판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시패널{POLARIZER, METHOD FOR MANUFACTURING THE POLARIZER AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광판의 사시도이다.

도 2는 도 1에 도시된 편광판을 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광판의 제조방법의 공정도들이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 편광판 110 : 베이스 기판

111 : 제1 면 113 : 제2 면

130 : 광흡수 패턴 131 : 광흡수부

140 : 도전성 격자선 패턴 141 : 격자선

P : 피치 W : 선폭

L : 랜덤한 편광 200 : 표시패널

201 : 제1 기판 210 : 하부 베이스 기판

230 : 제1 광흡수층 240 : 제1 도전성 격자선 패턴

245 : 제1 평탄화층 TFT : 스위칭 소자

270 : 화소전극 LC : 액정층

301 : 제2 기판 310 : 상부 베이스 기판

330 : 제2 광흡수 패턴 340 : 제2 도전성 격자선 패턴

350 : 제2 평탄화층 360 : 광차단층

370 : 칼라필터부 390 : 공통전극

본 발명은 편광판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시패널에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 편광된 후 반사됨으로 인해 발생하는 불필요한 편광의 출사량을 감소시킨 편광판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시패널에 관한 것이다.

일반적으로, 액정표시장치는 크게 박막트랜지스터 기판과 칼라필터 기판이 합착되고 그 사이에 액정이 주입된 액정패널 및 상기 액정패널에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리를 포함한다. 상기 액정패널은 기본적으로 수동 소자이기 때문에 상기 백라이트 어셈블리가 상기 액정패널에 표시되는 영상의 휘도에 결정적 영향을 미친다.

상기 액정이 광셔터로서 기능하도록 상기 액정표시장치는 상기 액정패널의 배면 및 상면에 배치되는 편광판을 포함한다. 상기 편광판은 원리적으로 특정 방향의 편광만을 투과시키며, 이론적으로 최대 50 퍼센트(%) 정도의 광만을 투과시켜 상기 액정패널에 제공한다. 그러나 실질적으로는 상기 편광판에서의 광 손실 등에 의하여 편광 투과율 기준으로 상기 백라이트 어셈블리로부터 출사된 광 중 약 43 퍼센트 정도만 투과되어 광손실량이 상당하다.

또한, 상기 편광판이 부착된 액정패널을 제작하는데 소요되는 재료비중 상기 편광판의 재료비가 전체 재료비의 25 내지 30 퍼센트 정도를 차지하여, 상기 액정표시장치의 제조 원가를 크게 증가시키는 단점이 있다.

한편, 나노 스케일의 선폭 및 피치를 갖는 도전성 격자선들을 스트라이프 타입으로 배열하여 도전성 격자선 패턴을 형성하였을 때, 상기 도전성 격자선 패턴은 실질적으로는 DBEF(Dual Brightness Enhancement Film)와 동일하게 반사 및 편광을 하지만, 상기 DBEF의 편광도(수직 편광과 수평 편광의 비)보다 우수한 약 1000 : 1에 가까운 편광도를 갖는다. 따라서, 상기 도전성 격자선 패턴은 종래의 편광판을 대체할 수 있을 정도의 편광도를 갖는 것으로 알려져 있다.

그런데, TN 패널에 종래의 편광판을 사용하는 경우, 일반적으로 상기 TN 패널이 블랙(Black) 상태일 때, 편광자들의 길이 방향에 대해 약 45도의 각도를 이루며 상기 TN 패널에 입사하는 광이 일부 누설되는 빛샘 현상이 발생하는 문제점이 있다. 즉, 상기 편광판으로부터 원하지 않는 랜덤한 편광이 출사되는 문제점이 있다.

동일한 조건에서 상기 편광판 대신 상기 도전성 격자선 패턴을 사용하는 경 우, 상기와 같은 빛샘 현상은 더욱 커진다. 그 결과, 상기 도전성 격자선 패턴을 편광자로 사용하는 경우, 액정패널의 대비비(contrast ratio)를 저하시키는 문제점이 있다.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 원하지 않는 랜덤한 편광의 출사량을 감소시킨 편광판을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 편광판의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 편광판을 포함하는 표시패널을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여 일 실시예에 따른 편광판은 베이스 기판, 도전성 격자선 패턴 및 광흡수 패턴을 포함한다. 상기 베이스 기판은 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 포함한다. 상기 도전성 격자선 패턴은 상기 제1 면에 스트라이프 타입으로 형성된다. 상기 도전성 격자선 패턴은 상기 제1 면으로 입사하는 광을 반사 및 편광한다. 상기 광흡수 패턴은 상기 도전성 격자선 패턴에 대응하여 상기 제1 면에 형성된다. 상기 광흡수 패턴은 상기 도전성 격자선 패턴에 의해 편광된 후 임의의 경계면에서 반사된 광을 일부 흡수한다.

일 실시예에서, 상기 광흡수 패턴은 상기 제1 면과 도전성 격자선 패턴의 사이에 형성된다. 상기 광차단 패턴은 10 내지 100 나노미터(nm)의 두께를 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 도전성 격자선 패턴이 포함하는 격자선들 간의 피치 및 상기 격자선의 선폭은 100 내지 200 나노미터(nm)인 것을 특징으로 한다. 다른 실시예에서, 상기 도전성 격자선 패턴은 상기 제1 면과 광흡수 패턴의 사이에 형성된다.

본 발명의 다른 목적을 실현하기 위하여, 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다. 상기 제1 기판은 하부 베이스 기판, 제1 도전성 격자선 패턴, 제1 광흡수 패턴 및 다수의 화소부들을 포함한다. 상기 하부 베이스 기판은 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 포함한다. 상기 제1 도전성 격자선 패턴은 상기 하부 베이스 기판에 스트라이프 타입으로 형성되어 입사광을 반사 및 편광시킨다. 상기 제1 광흡수 패턴은 상기 제1 도전성 격자선 패턴에 대응하여 상기 하부 베이스 기판에 형성된다. 상기 화소부들은 상기 하부 베이스 기판에 형성된다. 상기 제2 기판은 상부 베이스 기판 및 다수의 칼라필터부들을 포함한다. 상기 상부 베이스 기판은 상기 제1 면과 대향하는 제3 면 및 상기 제3 면과 대향하는 제4 면을 포함한다. 상기 칼라필터부들은 상기 화소부들에 대향하여 상기 상부 베이스 기판에 형성된다. 상기 액정층은 상기 제1 기판과 제2 기판의 사이에 개재된다.

일 실시예에서, 상기 제2 기판은 제2 도전성 격자선 패턴 및 제2 광흡수 패턴을 포함한다. 상기 제2 도전성 격자선 패턴은 상기 상부 베이스 기판에 스트라이프 타입으로 형성되어 입사광을 반사 및 편광시킨다. 상기 제2 광흡수 패턴은 상기 제2 도전성 격자선 패턴에 대응하여 상기 상부 베이스 기판에 형성된다.

상기 화소부들은 상기 제1 도전성 격자선 패턴 및 제1 광흡수 패턴과 동일하 게 상기 제1 면에 형성되거나, 상기 제1 도전성 격자선 패턴 및 제1 광흡수 패턴과 달리 상기 제2 면에 형성될 수 있다. 상기 제2 도전성 격자선 패턴 및 제2 광흡수 패턴은 상기 칼라필터부들과 동일하게 상기 제3 면에 형성되거나, 상기 칼라필터부들과는 달리 상기 제4 면에 형성될 수 있다.

상기한 본 발명의 또 다른 목적을 실현하기 위하여, 일 실시예에 따른 편광판의 제조방법은 베이스 기판의 일면에 광흡수층을 형성하는 단계, 상기 광흡수층 상에 도전성 박막층을 형성하는 단계, 상기 도전성 박막층 상에 스트라이프 타입의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 도전성 박막층 및 광흡수층을 식각하여 상기 포토레지스트 패턴에 대응하는 도전성 격자선 패턴 및 광흡수 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 포토리소그래픽 방식 및 레이저간섭리소그래픽 방식 중 어느 하나의 방식을 사용하여 수행한다.

이러한, 편광판, 이를 갖는 표시패널 및 이의 제조방법에 의하면, 광흡수 패턴이 도전성 격자선 패턴에 의해 편광된 후 경계면에서 반사된 광의 일부를 흡수하기 때문에 편광판 또는 표시패널로부터 출사되는 광 중 원하지 않는 편광성분이 감소된다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.

편광판

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광판의 사시도이다.

도 1을 참조하면, 상기 편광판(100)은 베이스 기판(110), 도전성 격자선 패턴(140) 및 광흡수 패턴(130)을 포함한다.

상기 베이스 기판(110)은 광학적으로 등방성을 갖는 유리로 이루어진다. 상기 베이스 기판(110)은 제1 면(111) 및 상기 제1 면(111)과 대향하는 제2 면(113)을 포함한다.

상기 도전성 격자선 패턴(140)은 상기 제1 면(111)에 형성된다. 상기 도전성 격자선 패턴(140)은 직선 형상의 다수의 격자선(141)들을 포함한다. 상기 격자선(141)들은 서로 나란하게, 즉 스트라이프(stripe) 타입으로 배열된다. 상기 격자선(141)들은 Al, AlNd, AMO, Ag, Cu, Au 및 Mo 등의 광반사율이 우수한 메탈로 이루어진다.

상기 격자선(141)들의 편광기능은 상기 격자선(141)들 중심간의 간격으로 정의되는 피치(P), 상기 격자선(141)의 선폭(W) 및 높이에 영향을 받는 것으로 알려져 있으며, 상기 격자선(141)들을 넓은 파장의 빛에 대해 편광자로 사용하는 경우, 상기 피치(P)가 가장 중요한 요소로 알려져 있다. 또한, 상기 격자선(141)들이 편광자 기능을 하기 위해서는 상기 피치(P)가 입사되는 광의 파장보다 작아야 하는 것으로 알려져 있다. 만약, 상기 피치(P)가 입사광의 파장보다 길다면, 상기 격자선(141)들은 편광자보다는 회절격자의 기능을 하여 입사광을 회절시킨다.

상기 편광판(100)이 표시패널의 하나의 기판(10)으로 사용되는 경우, 상기 표시패널은 가시광선을 이용하여 영상을 표시하므로, 상기 격자선(141)들은 상기 가시광선에 대하여 우수한 편광도를 갖는 것이 바람직하다.

상기 가시광선의 파장은 대략 400 내지 700 나노미터(nm)이므로, 상기 피치(P)는 400 나노미터 이하인 것이 바람직하다. 최신 반도체 공정의 선폭(W)이 약 100 나노미터이고 선과 선사이의 공간 또한 필요하므로, 본 실시예에서, 상기 피치(P)는 100 내지 200 나노미터로 설계된다. 또한, 상기 격자선(141)의 선폭(W)은 상기 피치(P)와 비슷하게 100 내지 200 나노미터로 설계되며, 상기 격자선(141)의 두께는 상기 선폭(W)의 약 2 내지 3배인 것이 바람직하다.

상기 광흡수 패턴(130)은 상기 도전성 격자선 패턴(140)에 의해 편광된 후 경계면에서 반사되어 입사하는 광의 일부를 흡수한다. 상기 광흡수 패턴(130)은 상기 도전성 격자선 패턴(140)에 대응하여 상기 제1 면(111)에 형성된다. 따라서, 상기 광흡수 패턴(130)은 상기 도전성 격자선 패턴(140)이 포함하는 다수의 상기 격자선(141)들에 각각 대응하여 직선 타입의 다수의 광흡수부(131)들을 포함한다. 상기 광흡수부(131)들의 선폭(W) 및 상기 광흡수부(131)들 간의 피치(P)는 상기 격자선(141)들의 선폭(W) 및 상기 격자선(141)들 간의 피치(P)와 거의 동일하다.

상기 광흡수 패턴(130)은 상기 제1 면(111)과 상기 도전성 격자선 패턴(140)의 사이에 형성되거나, 상기 도전성 격자선 패턴(140) 상에 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 광흡수 패턴(130)은 상기 제1 면(111)과 도전성 격자선 패턴(140)의 사이에 개재된다.

상기 광흡수 패턴(130)은 광학적 밀도(optical density) 3.5 이상의 크롬(Cr) 등의 금속 박막 또는 카본(carbon) 계열의 유기 재료로 이루어질 수 있다. 상기 광흡수 패턴(130)은 상기 재질에 한정되지 않고 일반적으로 광흡수가 가능한 안료로 이루어질 수 있다.

명확한 설명을 위하여, 도 1에 도시된 바와 같이, x-y-z 좌표계를 도입한다. 여기서, 상기 x-축은 상기 격자선(141)들의 길이 방향과 수직을 이루며, 상기 y-축은 상기 격자선(141)들의 길이 방향과 나란하다. 상기 z-축은 상기 제1 면(111)의 법선 방향과 나란하다. 도 1에 도시된 절단선 I-I'은 상기 x-축과 제1 각도(Φ)를 이룬다.

도 1 및 도 2에서는 상기 편광판(100)에 입사하는 광의 진행을 명확히 예시하기 위하여, 외부로부터 대각선 방향으로 상기 제1 면(111)에 입사하는 랜덤한 편광(L)을 도시하였다. 상기 대각선 방향은 상기 x-축과 제1 각도(Φ)를 이루며, 상기 대각선 방향벡터를 상기 제1 면(111)에 투영한 벡터는 상기 I-I' 선과 나란하다.

도 2를 참조하면, 명확한 예시를 위하여 상기 랜덤한 편광(L)을 제1 광(v)과 제2 광(h)으로 단순화하여 설명한다. 여기서, 상기 제1 광(v)을 크기가 V이고, 상기 I-I' 선을 따른 절단면에 대하여 수직인 편광방향벡터를 갖는 광으로 정의한다. 상기 절단면이 상기 x-축과 상기 제1 각도(Φ)를 이루므로, 상기 제1 광(v)은 상기 y축과 상기 제1 각도(Φ)를 이룬다. 따라서, 상기 제1 광(v)의 편광방향벡터를 상기 x-y-z 좌표계로 표시하면 v = (VsinΦ, -V cosΦ, 0)로 표시된다.

상기 제2 광(h)을 크기가 H이고, 상기 절단면과 평행하며 상기 제1 면(111)과 제2 각도(θ)를 이루는 편광방향벡터를 갖는 광으로 정의한다. 따라서, 상기 제 1 광(v)과 제2 광(h)의 편광방향벡터는 서로 수직을 이룬다. 상기 제2 광(h)의 편광방향벡터를 상기 x-y-z 좌표계로 표시하면 h = (H cosθcosΦ, HcosθsinΦ, Hsinθ)로 표시된다.

상기 랜덤한 편광(L)은 가시광선으로서 약 400 내지 700 나노미터의 파장을 갖는다. 상기 격자선(141)들 간의 피치(P)는 약 200 나노미터 이하로 설계되기 때문에 상기 랜덤한 편광(L)은 상기 도전성 격자선 패턴(140)에 의해 반사 및 편광된다.

구체적으로, 상기 제1 광(v)과 제2 광(h)의 편광방향성분들 중에서 상기 y-축 성분은 상기 도전성 격자선 패턴(140)에 의해 전부 반사된다. 따라서, 상기 도전성 격자선 패턴(140)을 투과한 상기 제1 광(v) 및 제2 광(h)은 각각 제1 편광(POL1) = (VsinΦ, 0, 0) 및 제2 편광(POL2) = (H cosθcosΦ, 0, Hsinθ)으로 변환된다. 상기 제1 편광(POL1)과 제2 편광(POL2)의 대부분은 상기 제2 면(113)을 통하여 출사된다.

본 실시예에서와 달리, 편광판이 상기 광흡수 패턴(130)을 포함하는 않는 경우, 상기 제1 편광(POL1)과 제2 편광(POL2)의 나머지는 상기 제2 면(113)과 제1 면(111)에서 반복하여 반사된다. 이때, 상기 제2 면(113)과 제1 면(111)에서 반사율과 투과율은 상기 제1 편광(POL1)과 제2 편광(POL2)의 편광성분들에 따라 다르다.

따라서, 상기 제2 면(113)에서 상기 제1 편광(POL1)과 제2 편광(POL2)이 반사되어 형성된 반사광(r)은 반사를 거듭함에 따라 상기 y-축 방향의 편광방향벡터 성분을 포함하는 광으로 변환된다. 그 결과, 상기 제2 면(113)을 통하여 출사되는 광은 상기 y-축 방향의 편광방향벡터 성분을 갖는 광을 포함한다.

본 실시예에서, 상기 편광판은 상기 제1 면(111)과 도전성 격자선 패턴(140)의 사이에 개재된 상기 광흡수 패턴(130)을 포함한다. 따라서, 상기 반사광(r)이 상기 광흡수부(131)들 사이에 입사하는 경우, 상기 반사광(r)은 상기 도전성 격자선 패턴(140)에 의해 다시 반사 및 편광되어 상기 y-축 방향의 편광방향벡터 성분을 포함하는 광으로 변환된다.

상기 반사광(r)이 상기 광흡수부(131)들에 입사하는 경우, 상기 광흡수부(131)들은 상기 반사광(r)을 일부 흡수하며, 상기 반사광(r)의 나머지는 상기 광흡수부(131)들에서 반사된다. 따라서, 반사를 거듭함에 따라 발생되는 상기 y-축 방향의 편광방향벡터 성분의 양이 크게 감소된다. 그 결과, 상기 제2 면(113)으로부터 출사되는 상기 y-축 방향의 편광방향벡터 성분의 양도 크게 감소된다.

한편, 상기 반사광(r)을 상기 광흡수 패턴(130)이 대부분 흡수하는 경우, 상기 제2 면(113)으로부터 출사되는 광량이 필요 이상으로 감소될 수 있다. 따라서, 상기 편광판(100)으로부터의 출사광의 휘도의 과도한 감소를 방지하기 위하여 상기 광흡수 패턴(130)은 약 10 내지 100 나노미터의 두께를 갖는 것이 바람직하다.

이와 다른 실시예에서, 상기 편광판(100)은 상기 광흡수 패턴(130)을 대체하는 광흡수층을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 광흡수층은 상기 광흡수 패턴(130)과 같이 패턴을 이루지 않고 약 10 내지 100 나노미터의 두께로 상기 제1 면(111)에 전체적으로 형성된다.

이때, 상기 광흡수층의 두께는 매우 얇기 때문에 상기 도전성 격자선 패턴(140)의 편광에 의해 형성된 상기 제1 편광(POL1) 및 제2 편광(POL2)은 대부분 상기 광흡수층을 투과한다. 상기 광흡수층은 상기 제1 면(111)에 전체적으로 형성되어 있기 때문에, 상기 광흡수층에 의해 흡수되는 상기 반사광(r)의 양이 본 실시예의 경우보다 증가한다. 따라서, 상기 제2 면(113)을 통해 출사되는 광 중 y-축 방향의 편광방향벡터 성분의 양도 크게 감소된다.

표시패널

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

도 3을 참조하면, 표시패널(200)은 제1 기판(201), 제2 기판(301) 및 액정층(LC)을 포함한다.

상기 제1 기판(201)은 하부 베이스 기판(210), 제1 도전성 격자선 패턴(240), 제1 광흡수 패턴(230) 및 다수의 화소부들을 포함한다.

상기 하부 베이스 기판(210), 제1 도전성 격자선 패턴(240) 및 제1 광흡수 패턴(230)은 도 1 및 도 2에 도시된 베이스 기판(110), 도전성 격자선 패턴(140) 및 광흡수 패턴(130)과 각각 동일하다.

따라서, 상기 하부 베이스 기판(210)은 제1 면(211) 및 상기 제1 면(211)과 대향하는 제2 면(213)을 포함한다.

상기 제1 광흡수 패턴(230)은 상기 제1 면(211)에 10 내지 100 나노미터의 두께로 스트라이프 타입으로 형성된다. 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)은 상기 제1 광흡수 패턴(230) 상에 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)에 대응하여 스트라 이프 타입으로 형성된다. 즉, 상기 제1 광흡수 패턴(230)은 상기 제2 면(213)과 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)의 사이에 개재된다.

상기 제1 기판(201)은 제1 평탄화층(245)을 더 포함한다. 상기 제1 평탄화층(245)은 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)을 커버한다. 상기 제1 평탄화층(245)은 폴리카보네이트 등의 광투과율이 우수한 수지로 형성된다. 그 결과, 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240) 및 제1 광흡수 패턴(230)은 상기 제1 평탄화층(245)에 매립되며, 이로 인해 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240) 및 제1 광흡수 패턴(230)은 스크래치 등의 손상으로부터 보호된다.

상기 제2 면(213)에는 매트릭스 형태로 배열된 다수의 화소영역들이 정의된다. 상기 화소부들은 각 상기 화소영역에 형성된다. 상기 화소부들은 스위칭 소자(TFT) 및 화소전극(270)을 포함한다.

상기 스위칭 소자(TFT)는 게이트 전극(GE), 게이트 절연층(250), 반도체층(C), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 제2 면(213)에는 다수의 게이트 신호선들이 형성되며, 상기 게이트 전극(GE)은 각 게이트 신호선들로부터 연장된다. 상기 게이트 절연층(250)은 상기 게이트 신호선들 및 게이트 전극(GE)을 커버한다. 상기 반도체층(C)은 상기 게이트 전극(GE)에 대응하는 게이트 절연층(250) 상에 형성된다. 상기 게이트 절연층(250) 상에 상기 게이트 신호선들과 교차하는 소스 신호선들이 형성되며, 상기 소스 전극(SE)은 상기 소스 신호선들로부터 연장된다. 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 상기 반도체층(C) 상에서 서로 이격되어 대향한다.

상기 제1 기판(201)은 패시베이션층(260)을 더 포함한다. 상기 패시베이션층(260)은 상기 스위칭 소자(TFT)가 형성된 상기 하부 베이스 기판(210)의 전면적을 커버한다. 상기 화소전극(270)은 각 상기 화소영역에 대응하여 형성되며, 상기 스위칭 소자(TFT)의 출력전극인 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다.

상기 제2 기판(301)은 상부 베이스 기판(310) 및 다수의 칼라필터부(370)들을 포함한다. 상기 상부 베이스 기판(310)은 상기 하부 베이스 기판(210)과 동일하게 광학적으로 등방성인 유리로 이루어진다. 상기 상부 베이스 기판(310)은 상기 제1 면(211)과 대향하는 제3 면(311) 및 상기 제3 면(311)과 대향하는 제4 면(313)을 포함한다.

상기 제2 기판(301)은 광차단층(360), 오버코팅층(380), 공통전극(390), 제2 도전성 격자선 패턴(340), 제2 광흡수 패턴(330) 및 제2 평탄화층(350)을 더 포함한다.

상기 광차단층(360)은 상기 제3 면(311)에 형성되며, 상기 광차단층(360)에는 상기 화소영역들에 각각 대응하여 상기 제3 면(311)을 노출시키는 다수의 개구부들이 형성된다. 상기 칼라필터부(370)들은 상기 개구부들에 각각 형성되며, 상기 칼라필터부는 적색, 녹색 및 청색 칼라필터들을 포함한다. 상기 오버코팅층(380)은 상기 칼라필터부(370)들과 광차단층(360)을 커버하여 상기 칼라필터부(370)들과 광차단층(360)의 단차를 보상한다. 상기 공통전극(390)은 상기 오버코팅층(380) 상에 전면적으로 형성된다.

본 실시예에서, 상기 제2 광흡수 패턴(330)은 스트라이프 타입으로 상기 제4 면(313)에 형성되며, 상기 제2 도전성 격자선 패턴(340)은 상기 제2 광흡수 패턴(330)에 대응하는 스트라이프 타입으로 상기 제4 면(313)과 상기 제2 광흡수 패턴(330)의 사이에 개재된다. 상기 제2 광흡수 패턴(330)은 10 내지 100 나노미터의 두께로 형성되며, 상기 제2 도전성 격자선 패턴(340)이 포함하는 제2 격자선(341)들의 선폭 및 상기 제2 격자선(341)들 간의 피치는 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)의 그것들과 실질적으로 각각 동일하다.

이때, 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)이 포함하는 제1 격자선(241)들의 편광 방향과 상기 제2 격자선(341)들의 편광방향은 상기 표시패널(200)의 타입, 특히 상기 제1 기판(201)과 제2 기판(301)의 사이에 개재된 상기 액정층(LC)의 타입에 따라 변경될 수 있다. 예를 들어, 상기 액정층(LC)이 TN 액정 또는 STN 액정을 포함하는 경우, 상기 제1 격자선(241)들의 편광방향과 상기 제2 격자선(341)들의 편광방향은 서로 수직을 이루도록, 즉 직교니콜(Nicole) 상태로 배치될 수 있다.

상기 제2 평탄화층(350)은 상기 제2 광흡수 패턴(330)을 커버하여, 상기 제2 도전성 격자선 패턴(340) 및 제2 광흡수 패턴(330)을 보호한다.

여기서, 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)에 의해 편광된 광을 P 편광으로 정의한다. 또한, 도 1 및 도 2에서 설명한 것과 같이, 편광된 후 경계면에서 반사로 인해 발생된 비편광 성분의 광을 S 편광으로 정의한다.

상기 제1 평탄화층(245)을 통해 상기 제1 면(211)에 입사하는 랜덤한 편광은 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)을 투과하며 상기 P 편광으로 변환된다. 상기 P 편광은 대부분 상기 화소전극(270)을 통해 상기 액정층(LC)으로 출사된다. 상기 P 편광의 일부는 상기 제2 면(213) 또는 게이트 절연층(250), 패시베이션층(260) 및 화소전극(270)들 간의 경계면들에서 반사되어 반사광이 된다. 그 결과, 상기 반사광은 상기 S 편광을 포함하는 랜덤한 편광이 되어 상기 제1 면(211)에 다시 입사한다.

이때, 상기 제1 광흡수 패턴(230)은 상기 경계면들에서 반사된 광을 일부 흡수한다. 따라서, 상기 화소전극(270)을 통해 출사되는 상기 S 편광의 양이 감소한다. 즉, 상기 화소전극(270)을 통해 출사되는 광 중 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)에 의해 편광시키고자 하는 편광 성분과는 다른 불필요한 편광 성분이 감소한다.

한편, 상기 TN 또는 STN 액정이 트위스트된(twisted) 상태인 경우, 상기 액정층(LC)에 입사하는 상기 P 편광은 편광축이 회전하여 상기 S 편광이 되며, 상기 액정층(LC)으로부터 출사된 상기 S 편광은 상기 제3 면(311)을 경유하여 상기 제4 면(313)에 입사한다. 상기 제4 면(313)에 입사한 S 편광은 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)에 대하여 직교니콜 상태로 배치된 상기 제2 도전성 격자선 패턴(340)을 투과한다.

상기 제4 면(313)을 투과한 상기 S 편광의 대부분은 상기 제2 평탄화층(350)을 투과하며, 상기 S 편광의 나머지는 상기 제2 평탄화층(350)의 표면에서 반사되어 P 편광을 포함하는 랜덤한 편광이 된다. 상기 P 편광을 포함하는 랜덤한 편광의 일부는 상기 제2 도전성 격자선 패턴(340) 상에 형성된 상기 제2 광흡수 패턴(330)에 흡수된다. 그 결과, 상기 제2 평탄화층(350)으로부터 출사되는 광 중 불필요한 P 편광성분이 크게 감소된다.

또한, 상기 TN 또는 STN 액정이 트위스트가 해체된 경우, 상기 액정층(LC)에 입사하는 P 편광은 편광축을 유지하며, 상기 제3 면(311)을 경유하여 상기 제4 면(313)에 입사한다. 상기 제4 면(313)에 입사한 P 편광은 상기 제1 도전성 격자선 패턴(240)과 직교니콜 상태로 배치된 상기 제2 도전성 격자선 패턴(340)에 의해 반사된다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

도 4를 참조하면, 표시패널(400)은 제1 기판(401), 제2 기판(501) 및 액정층(LC)을 포함한다.

상기 표시패널(400)은 상기 제2 기판(501)을 제외하고는 도 3에 도시된 표시패널(400)과 실질적으로 동일하다.

상기 제2 기판(501)은 상부 베이스 기판(510), 제2 광흡수 패턴(530), 제2 도전성 격자선 패턴(540), 제2 평탄화층(550), 광차단층(560), 칼라필터부(570)들, 오버코팅층(580) 및 공통전극(590)을 포함한다. 상기 제2 기판(501)은 제2 도전성 격자선 패턴(540), 제2 광흡수 패턴(530) 및 제2 평탄화층(550)이 형성되는 위치를 제외하고는 도 3에 도시된 제2 기판(301)과 실질적으로 동일하다.

본 실시예에서, 상기 제2 도전성 격자선 패턴(540)은 스트라이프 타입으로 상기 상부 베이스 기판(510)의 제3 면(511)에 형성되고, 상기 제2 광흡수 패턴(530)은 상기 제2 도전성 격자선 패턴(540)에 대응하는 스트라이프 타입으로 상기 제3 면(511)과 상기 제2 도전성 격자선 패턴(540)의 사이에 개재된다.

상기 제2 평탄화층(550)은 상기 제2 도전성 격자선 패턴(540)을 커버한다.

상기 광차단층(560)은 상기 제2 평탄화층(550) 상에 형성되며, 상기 광차단층(560)에는 상기 제2 평탄화층(550)을 노출시키는 다수의 개구부들이 형성된다. 상기 칼라필터부(570)들은 상기 개구부들을 각각 커버한다. 상기 오버코팅층(580)은 상기 칼라필터부와 광차단층(560)을 커버하여 상기 칼라필터부(570)들과 광차단층(560)의 단차를 보상한다. 상기 공통전극(590)은 상기 오버코팅층(580) 상에 전면적으로 형성된다.

상기 제1 기판(401)의 제1 도전성 격자선 패턴(440)에 의한 편광 결과, 상기 액정층(LC)에는 P 편광이 입사된다. 상기 액정층(LC)이 트위스트 상태인 경우, 상기 P 편광은 상기 액정층(LC)을 투과하며 S 편광으로 변환된다. 상기 S 편광은 상기 공통전극(590), 오버코팅층(580) 및 칼라필터부(570)들을 경유하여 상기 제2 도전성 격자선 패턴(540)에 입사한다.

상기 제1 도전성 격자선 패턴(440)과 상기 제2 도전성 격자선 패턴(540)이 직교니콜 상태로 배치된 경우, 상기 S 편광은 상기 제2 도전성 격자선 패턴(540)을 투과한다. 이후, 상기 S 편광의 일부는 상기 상부 베이스 기판(510)의 제4 면(513)을 투과하며, 상기 S 편광의 나머지는 상기 제4 면(513)에서 반사되어 P 편광을 포함하는 랜덤한 편광이 된다. 상기 P 편광을 포함하는 랜덤한 편광은 상기 제3 면(511)에 다시 입사되며, 상기 제2 광흡수 패턴(530)은 상기 P 편광을 포함하는 랜덤한 편광을 일부 흡수한다. 따라서, 상기 제4 면(513)으로부터 출사되는 광 중 불필요한 P 편광성분이 크게 감소된다.

한편, 상기 액정층(LC)의 트위스트가 해체된 경우, 상기 P 편광은 편광축을 그대로 유지하며 상기 액정층(LC)을 투과하고, 상기 제1 도전성 격자선 패턴(440)과 직교니콜 상태로 배치된 상기 제2 도전성 격자선 패턴(540)에 의해 반사된다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

도 5를 참조하면, 표시패널(600)은 제1 기판(601), 제2 기판(701) 및 액정층(LC)을 포함한다.

상기 표시패널(600)은 상기 제1 기판(601)을 제외하고는 도 3에 도시된 표시패널(200)과 실질적으로 동일하다.

상기 제1 기판(601)은 하부 베이스 기판(610), 제1 도전성 격자선 패턴(640), 제1 광흡수 패턴(630), 제1 평탄화층(645), 스위칭 소자(TFT), 패시베이션층(660) 및 화소전극(670)을 포함한다. 상기 제1 기판(601)은 상기 제1 도전성 격자선 패턴(640), 제1 광흡수 패턴(630) 및 제1 평탄화층(645)이 형성되는 위치를 제외하고는 도 3에 도시된 제1 기판(201)과 실질적으로 동일하다.

본 실시예에서, 상기 제1 광흡수 패턴(630)은 상기 하부 베이스 기판(610)의제1 면(611)에 스트라이프 타입으로 형성되고, 상기 제1 도전성 격자선 패턴(640)은 상기 제1 면(611)과 상기 제2 광흡수 패턴(630)의 사이에 개재된다.

상기 제1 평탄화층(645)은 상기 제1 광흡수 패턴(630)을 커버한다.

상기 스위칭 소자(TFT), 패시베이션층(660) 및 화소전극(670)은 상기 제1 평탄화층(645) 상에 도 3에서 설명한 것과 동일하게 형성된다.

상기 하부 베이스 기판(610)의 제2 면(613)을 경유하여 상기 제1 면(611)에 입사한 랜덤한 편광의 일부는 상기 제1 도전성 격자선 패턴(640)에 의해 P 편광으로 편광되고, 나머지는 반사된다. 상기 P 편광의 일부는 상기 화소전극(670)을 투과하여 출사된다. 상기 P 편광의 나머지는 상기 제1 평탄화층(645), 게이트 절연층(650), 패시베이션층(660) 및 화소전극(670)들 간의 경계면들에서 반사를 반복하여 S 편광을 포함하는 랜덤한 편광으로 변환된다. 상기 제1 도전성 격자선 패턴(640) 상에 형성된 상기 제1 광흡수 패턴(630)은 상기 S 편광을 포함하는 랜덤한 편광을 일부 흡수한다. 그 결과, 상기 화소전극(670)을 투과하여 출사되는 불필요한 편광, 즉 S 편광의 성분이 크게 감소된다.

한편, 상기 제1 도전성 격자선 패턴(640)과 상기 제2 도전성 격자선 패턴(740)이 직교니콜 상태로 배치된 경우, 상기 화소전극(670)으로부터 출사된 P 편광은 트위스트된 액정층(LC)을 투과하며 S 편광으로 변환된다. 상기 S 편광은 상기 제2 도전성 격자선 패턴(740)을 투과하여 출사된다. 이때, 상기 S 편광의 일부가 상기 제2 평탄화층(750)의 표면에서 반사되어 P 편광성분을 포함하는 랜덤한 편광이 된다. 상기 제2 광흡수 패턴(730)은 상기 P 편광을 포함하는 랜덤한 편광의 일부를 흡수한다. 그 결과, 상기 제2 평탄화층(750)으로부터 출사되는 광 중 불필요한 편광성분의 양이 크게 감소된다.

또한, 상기 제1 기판(601)으로부터 상기 액정층(LC)으로 입사하는 불필요한 편광성분, 즉 S 편광은 상기 트위스트된 액정층(LC)을 투과하며 P 편광으로 변환되고, 상기 P 편광은 상기 제2 도전성 격자선 패턴(740)에 의해 반사된다. 그 결과, 상기 제2 평탄화층(750)으로부터 출사되는 광 중 불필요한 P 편광 성분의 양이 감 소된다.

한편, 상기 액정층(LC)의 트위스트가 해체된 상태인 경우, 상기 제1 기판(601)으로부터 상기 액정층(LC)으로 제공되는 P 편광은 편광방향을 유지하며 상기 제2 도전성 격자선 패턴(740)에 의해 반사된다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

도 6을 참조하면, 표시패널(800)은 제1 기판(801), 제2 기판(901) 및 액정층(LC)을 포함한다.

상기 표시패널(800)은 상기 제2 기판(901)을 제외하고는 도 5에 도시된 표시패널(600)과 실질적으로 동일하다. 상기 제2 기판(901)은 도 4에 도시된 제2 기판(501)과 실질적으로 동일하다.

도 3 내지 도 6에서는 상기 제1 기판들(201, 401, 601, 801)과 제2 기판들(301, 501, 701, 901)이 모두 편광을 위하여 제1 도전성 격자선 패턴들(240, 440, 640, 840) 또는 제2 도전성 격자선 패턴들(340, 540, 740, 940)을 포함한다. 이와 다른 실시예에서, 상기 제1 도전성 격자선 패턴들(240, 440, 640, 840) 및 제2 도전성 격자선 패턴들(340, 540, 740, 940)은 선택적으로 일반 편광판으로 대체될 수 있다.

편광판의 제조방법

도 7 내지 도 10을 참조하면, 편광판의 제조방법은 베이스 기판(210)의 일면 에 광흡수층(233)을 형성하는 단계, 상기 광흡수층(233) 상에 도전성 박막층(243)을 형성하는 단계, 상기 도전성 박막층(243) 상에 스트라이프 타입의 포토레지스트 패턴(PRP)을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴(PRP)을 식각 마스크로 상기 도전성 박막층(243) 및 광흡수층(233)을 식각하여 상기 포토레지스트 패턴(PRP)에 대응하는 도전성 격자선 패턴(240) 및 광흡수 패턴(230)을 형성하는 단계를 포함한다.

본 실시예에 따른 편광판의 제조방법에 의해 제조되는 편광판은 도 3에 도시된 제1 기판(201)에서 스위칭 소자(TFT), 패시베이션층(260) 및 화소전극(270)이 제거된 것과 동일하다. 따라서, 도 3에 도시된 도면부호를 동일하게 사용하여 설명한다.

먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 유리로 이루어진 베이스 기판(210)의 제1 면(211)에 광흡수층(233)을 형성한다. 광학적 밀도(optical density) 3.5 이상의 크롬(Cr) 등의 금속 박막, 카본(carbon) 계열의 유기 재료 및 일반적으로 광흡수가 가능한 안료들 중 어느 하나를 약 10 내지 100 나노미터의 두께로 상기 제1 면(211) 상에 도포하여 상기 광흡수층(233)을 형성한다.

이후, 상기 광흡수층(233) 상에 도전성 박막층(243)을 형성한다. Al, AlNd, AMO, Ag, Cu, Au 및 Mo 등의 광반사율이 우수한 메탈을 상기 제1 면(211)에 스퍼터링 또는 도금하는 등의 방법으로 상기 도전성 박막층(243)을 형성할 수 있다. 상기 도전성 박막층(243)은 수백 나노미터(nano meter), 예를 들어, 200 내지 400 나노미터의 두께를 갖도록 형성된다. 상기 스퍼터링 방법으로 상기 도전성 박막층(243) 을 형성하는 경우, 상기 베이스 기판(210)에 열손상을 차단하거나 최소화하기 위하여, 상기 도전성 박막층(243)의 재질이 되는 메탈은 비교적 낮은 온도에서 성형되는 것이 바람직하다.

계속해서, 상기 도전성 박막층(243) 상에 포토레지스트 패턴(PRP)을 형성한다. 먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 도전성 박막층(243) 상에 포토레지스트층(PRL)을 증착하고, 포토 마스크(MS)를 이용하여 상기 포토레지스트층(PRL)을 노광한다. 이후, 도 8에 도시된 바와 같이, 현상 공정을 통해 노광된 또는 노광되지 않은 포토레지스트층(PRL)을 제거하여 후속 공정에서 형성될 상기 도전성 격자선 패턴(240)에 대응하는 포토레지스트 패턴(PRP)을 형성한다.

본 실시예에서는 포토리소그래픽 방식을 통하여 상기 포토레지스트 패턴(PRP)을 형성하였지만, 이와 다른 실시예에서, 상기 포토레지스트 패턴(PRP)은 레이저간섭리소그래픽 방식을 사용하여 형성할 수 있다.

다음, 상기 포토레지스트 패턴(PRP)을 식각 마스크로 사용하여 상기 도전성 박막층(243) 및 광흡수층(233)을 식각한다. 상기 도전성 박막층(243) 및 광흡수층(233)은 동일한 건식 식각공정을 통해 식각될 수 있다. 그 결과, 도 9에 도시된 바와 같이, 서로 나란한 다수의 격자선(241)들을 포함하는 스트라이프 타입의 도전성 격자선 패턴(240) 및 상기 격자선(241)들에 각각 대응하는 광흡수부(231)들을 포함하는 스트라이프 타입의 광흡수 패턴(230)이 형성된다. 상기 격자선(241)들의 선폭 및 피치는 상기 광흡수부(231)들의 선폭 및 피치와 각각 동일하다.

이후, 도 10에 도시된 바와 같이, 스트립 공정을 통해 상기 도전성 격자선 패턴(240) 상에 잔류한 포토레지스트 패턴(PRP)을 제거하여 상기 편광판을 제조한다.

이와 다른 실시예에서, 광흡수층(233)을 형성하는 단계와 도전성 박막층(243)을 형성하는 단계의 순서를 서로 뒤바꿀 수 있다. 이에 따라 형성되는 광흡수 패턴(230)은 도전성 격자선 패턴(240) 상에 형성된다.

이상에서 상세하게 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 광흡수 패턴은 도전성 격자선 패턴에 의해 편광된 후 경계면에서 반사되어 다시 입사하는 랜덤한 편광의 일부를 흡수한다. 따라서, 편광판으로부터 출사되는 광 중 원하지 않는 편광성분의 양을 크게 감소시킬 수 있다. 그 결과, 상기 편광판을 채용하는 표시패널의 대비비(contrast ratio)를 증가시킬 수 있다. 또한, 표시패널에 채용되는 일반 편광판 및 DBEF를 도전성 격자선 패턴이 형성된 기판으로 대체할 수 있어 표시패널의 제조원가가 크게 감소된다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 포함하는 베이스 기판;

상기 제1 면에 스트라이프 타입으로 형성되어 입사광을 반사 및 편광하는 도전성 격자선 패턴; 및

상기 도전성 격자선 패턴에 대응하여 상기 제1 면에 형성되며, 상기 도전성 격자선 패턴에 의해 편광된 후 반사된 광을 일부 흡수하는 광흡수 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광판.
제1항에 있어서, 상기 광흡수 패턴은 상기 제1 면과 도전성 격자선 패턴의 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 편광판.
제1항에 있어서, 상기 도전성 격자선 패턴은 상기 제1 면과 광흡수 패턴의 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 편광판.
제1항에 있어서, 상기 광흡수 패턴은 10 내지 100 나노미터(nm)의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 편광판.
제1항에 있어서, 상기 도전성 격자선 패턴이 포함하는 격자선들 간의 피치 및 상기 격자선의 선폭은 100 내지 200 나노미터(nm)인 것을 특징으로 하는 편광 판.
제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 포함하는 베이스 기판;

상기 제1 면에 10 내지 100 나노미터(nm)의 두께로 전체적으로 형성된 광흡수층; 및

상기 광흡수층 상에 스트라이프 타입으로 형성된 도전성 격자선 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광판.
제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 포함하는 하부 베이스 기판, 상기 하부 베이스 기판에 스트라이프 타입으로 형성되어 입사광을 반사 및 편광시키는 제1 도전성 격자선 패턴, 상기 제1 도전성 격자선 패턴에 대응하여 상기 하부 베이스 기판에 형성된 제1 광흡수 패턴 및 상기 하부 베이스 기판에 형성된 다수의 화소부들을 포함하는 제1 기판;

상기 제1 면과 대향하는 제3 면 및 상기 제3 면과 대향하는 제4 면을 포함하는 상부 베이스 기판 및 상기 화소부들에 대향하여 상기 상부 베이스 기판에 형성된 다수의 칼라필터부들을 포함하는 제2 기판; 및

상기 제1 기판과 제2 기판의 사이에 개재된 액정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제7항에 있어서, 상기 제2 기판은

상기 상부 베이스 기판에 스트라이프 타입으로 형성되어 입사광을 반사 및 편광시키는 제2 도전성 격자선 패턴; 및

상기 제2 도전성 격자선 패턴에 대응하여 상기 상부 베이스 기판에 형성된 제2 광흡수 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제8항에 있어서, 상기 화소부들은 상기 제1 면에 형성되고,

상기 제1 도전성 격자선 패턴은 상기 제2 면에 형성되며,

상기 제1 광흡수 패턴은 상기 제2 면과 상기 제1 도전성 격자선 패턴의 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제9항에 있어서, 상기 칼라필터부들은 상기 제3 면에 형성되고,

상기 제2 광흡수 패턴은 상기 제4 면에 형성되며,

상기 제2 도전성 격자선 패턴은 상기 제4 면과 상기 제2 광흡수 패턴의 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제9항에 있어서, 상기 제2 도전성 격자선 패턴은 상기 제3 면에 형성되고,

상기 제2 광흡수 패턴은 상기 제3 면과 상기 제2 도전성 격자선 패턴의 사이에 개재되며,

상기 칼라필터부들은 상기 제2 도전성 격자선 패턴을 커버하는 평탄화층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제8항에 있어서, 상기 제1 광흡수 패턴은 상기 제1 면에 형성되고,

상기 제1 도전성 격자선 패턴은 상기 제1 면과 상기 제2 광흡수 패턴의 사이에 개재되며,

상기 화소부들은 상기 제1 광흡수 패턴을 커버하는 평탄화층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제12항에 있어서, 상기 칼라필터부들은 상기 제3 면에 형성되고,

상기 제2 광흡수 패턴은 상기 제4 면에 형성되며,

상기 제2 도전성 격자선 패턴은 상기 제4 면과 상기 제2 광흡수 패턴의 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제12항에 있어서, 상기 제2 도전성 격자선 패턴은 상기 제3 면에 형성되고,

상기 제2 광흡수 패턴은 상기 제3 면과 상기 제2 도전성 격자선 패턴의 사이에 개재되며,

상기 칼라필터부들은 상기 제2 도전성 격자선 패턴을 커버하는 평탄화층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 표시패널.
베이스 기판의 일면에 광흡수층을 형성하는 단계;

상기 광흡수층 상에 도전성 박막층을 형성하는 단계;

상기 도전성 박막층 상에 스트라이프 타입의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 도전성 박막층 및 광흡수층을 식각하여 상기 포토레지스트 패턴에 대응하는 도전성 격자선 패턴 및 광흡수 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광판의 제조방법.
제15항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는

포토리소그래픽 방식 및 레이저간섭리소그래픽 방식 중 어느 하나의 방식을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 편광판의 제조방법.