KR20070106448A - 표면 세정 방법, 디바이스 제조방법, 세정 조립체, 세정장치 및 리소그래피 장치 - Google Patents

표면 세정 방법, 디바이스 제조방법, 세정 조립체, 세정장치 및 리소그래피 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070106448A
KR20070106448A KR1020070041363A KR20070041363A KR20070106448A KR 20070106448 A KR20070106448 A KR 20070106448A KR 1020070041363 A KR1020070041363 A KR 1020070041363A KR 20070041363 A KR20070041363 A KR 20070041363A KR 20070106448 A KR20070106448 A KR 20070106448A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
particles
cleaning
trap
contaminants
Prior art date
Application number
KR1020070041363A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100874736B1 (ko
Inventor
만디프 싱
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20070106448A publication Critical patent/KR20070106448A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100874736B1 publication Critical patent/KR100874736B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/003—Manipulation of charged particles by using radiation pressure, e.g. optical levitation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

Abstract

본 발명의 일 실시예는 표면 세정 방법을 제공한다. 상기 방법은 오염물 배척 디바이스를 이용하여 표면으로부터 오염물들을 적어도 부분적으로 배척하는 단계; 및 오염물 제거 디바이스를 이용하여 적어도 부분적으로 배척된 상기 오염물들을 캡처링하는 단계를 포함하고, 상기 오염물 제거 디바이스는 적어도 부분적으로 배척된 상기 오염물들을 트래핑하기 위하여 1 이상의 광학 트랩을 생성한다. 또한, 본 발명의 실시예들은 디바이스 제조방법, 광학 요소의 표면을 세정하는 방법, 세정 조립체 및 세정 장치, 그리고 리소그래피 장치를 제공한다.

Description

표면 세정 방법, 디바이스 제조방법, 세정 조립체, 세정 장치 및 리소그래피 장치{METHODS TO CLEAN A SURFACE, A DEVICE MANUFACTURING METHOD, A CLEANING ASSEMBLY, CLEANING APPARATUS, AND LITHOGRAPHIC APPARATUS}
이하, 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 예시의 방법으로 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 본 발명의 비-제한적(non-limiting) 실시예의 측면도;
도 3은 광학 트랩이 제 1 위치에 있는, 도 2에 나타낸 실시예의 세부(Q)를 나타낸 도;
도 4는 도 3과 유사하며 광학 트랩이 제 2 위치에 있는 것을 나타낸 도;
도 5는 대안실시예의 도 3과 유사한 세부를 나타낸 도;
도 6은 도 5의 라인 Ⅵ-Ⅵ에 걸친 단면도;
도 7은 비-제한적 대안실시예를 나타낸 도;
도 8은 도 7의 세부(R)를 나타낸 도이다.
본 발명은 표면 세정 방법, 디바이스 제조 방법, 세정 조립체, 세정 장치, 및 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼) 상의 (예를 들어, 하나의 다이, 하나의 다이의 일부, 또는 수개의 다이를 포함하는) 타겟부 상에 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사(transfer)는 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트) 층상으로의 이미징(imaging)을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부상에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 패턴을 기판상에 임프린팅(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.
리소그래피 장치는 통상적으로 세정 룸들에서 작동되고, 흔히 세정 공기로 플러싱되지만, 장치의 오염이 발생되며, 오염 장소 및 유형에 따라 다양한 문제들이 야기된다. 예를 들어, 세정 룸 내의 공기로부터 또는 마스크의 제조, 이송 및 저장으로부터 유도되는 마스크 상의 무기(inorganic) 오염들은 도즈 오차 및 마스크 피처들의 부적절한 이미징 또는 심지어 블랭크 영역들이 되어야 하는 곳에서의 마크들의 프린팅을 야기하는 투영 빔의 국부화된(localized) 흡수를 야기할 수 있다. 기판테이블 상의 미립자들은 기판을 왜곡시켜 핫 스폿(hot spot)들로서 알려진 국부화된 초점 오차들을 유발할 수 있다. 주변 공기 및 마스크들 및 기판들의 제조 등 이외에도, 오염원들에는 노광 및 장치의 이동하는 부분들 간의 기계적 접촉 동안 투영 빔에 의하여 기판으로부터 스퍼터링되는(sputtered) 레지스트 데브리(debris)가 포함되며, 이는 접촉 표면들로부터 미립자들이 떨어져 나오도록 야기할 수도 있다.
오염에 의하여 야기되는 오차들을 최소화시키기 위하여, 마스크, 마스크 테이블들 기판테이블들, 광학기와 같은 장치의 취약(susceptible) 부분 등은, 예를 들어 수작업으로 주기적으로 세정된다. 일반적으로, 이는 기판테이블을 세정하는데 2 시간 또는 그 이상의 시간이 걸리는 시간 소모적인 작업이고, 예를 들어 장치의 바람직하지 않은 휴지시간(downtime)을 야기하며 숙달된 기술자들에 의해 수행되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 장치 및 리소그래피 방법에서의 세정을 개선시키는 것이 바람직하다.
일 실시예에 따르면, 표면 세정 방법이 제공되며, 상기 방법은: 세정될 표면 으로부터의 오염물들을 적어도 부분적으로 제거하도록 구성 및 배치된 오염물 제거 디바이스(contaminant removal device)를 제공하는 단계; 및 오염물들을 캡처링(capture)하도록 구성 및 배치되는 오염물 제거 디바이스를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 오염물 제거 디바이스는 제거 디바이스에 의하여 적어도 부분적으로 제거되는 오염물들을 트래핑(trap)하기위하여 1 이상의 광학 트랩을 생성한다.
일 실시예에 따르면, 표면 세정 방법이 제공된다. 상기 방법은, 오염물 제거 디바이스를 이용하여 표면으로부터 오염물들을 적어도 부분적으로 제거하는 단계; 및 오염물 제거 디바이스를 이용하여 적어도 부분적으로 제거된 오염물들을 캡처링하는 단계를 포함하며, 상기 오염물 제거 디바이스는 적어도 부분적으로 제거된 오염물들을 캡처링하기 위한 1 이상의 광학 트랩을 생성한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표면 세정 방법이 제공되는데, 상기 방법은: 오염 입자들의 위치 좌표들을 알지 않고 상기 오염 입자들을 적어도 부분적으로 제거 및/또는 캡처링하기 위하여 표면을 따라 1 이상의 광학 트랩을 이동시키는 단계를 포함한다.
또한, 일 실시예는 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하는 단계를 포함하며, 상기 방법은 입자들을 광학적으로 제거, 트래핑 및/또는 캡처링하기 위하여 1 이상의 광학 트랩을 생성하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예는 광학 요소의 표면 세정 방법을 제공하며, 상기 방법은: 1 이상의 광학 트랩을 사용하여 상기 광학 요소의 표면 상에 존재하는 오염 입자들을 적어도 부분적으로 제거 및/또는 캡처링하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예는 표면 세정용 조립체를 제공하며, 상기 조립체는: 세정될 표면으로부터 오염물들을 적어도 부분적으로 제거하도록 구성 및 배치되는 1 이상의 오염물 제거 디바이스; 및 1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 1 이상의 입자 트래핑 장치를 포함한다.
또한, 일 실시예는 세정 장치를 제공하며, 상기 장치는 1 이상의 광학 트랩을 생성하고, 상기 1 이상의 광학 트랩 및 표면을 서로에 대해 이동시키고, 각 입자들을 제거 및/또는 캡처링하기 이전에 상기 입자들의 얻어진 위치 좌표들을 갖거나 및/또는 위치 좌표들을 얻지 않고 상기 표면상에 존재할 수도 있는 1 이상의 오염 입자들을 적어도 부분적으로 제거 및/또는 캡처링하도록 구성된다.
또 다른 실시예에 따르면, 표면 세정용 세정 장치가 제공되며, 상기 장치는 1 이상의 광학 트랩이 특정 세정 주기 내에 표면의 실질적인 각 부분에 도달하고, 상기 1 이상의 트랩이 상기 표면 상에 존재할 수도 있는 1 이상의 오염 입자들을 만날 수 있도록, 상기 1 이상의 광학 트랩을 생성하고 상기 표면을 따라 상기 1 이상의 광학 트랩을 이동시키도록 구성된다.
일 실시예에 따르면, 조립체는 1 이상의 광학 요소 및 1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 입자 트래핑 장치를 포함하고, 상기 조립체는 상기 입자 트래핑 장치가 상기 광학 트랩을 사용하여 상기 광학 요소의 적어도 일부를 세정하도록 구성된다.
일 실시예에서, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사(transfer)하도록 구성되는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 장치는 상기 리소그래피 장치 내의 입자들을 제거 및/또는 캡처링하기 위한 1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 1 이상의 광학 트랩을 포함한다.
다른 실시예에서는, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 구성되는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 장치는: 세정될 표면으로부터 적어도 부분적으로 오염물들을 제거하도록 구성 및 배치되는 1 이상의 오염물 제거 디바이스; 및 1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 1 이상의 입자 트래핑 장치를 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는, 다음에 설명되는 바와 같이 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 구성될 수 있다.
상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성되는 제 1 위치설정장치(PM)에 연결되도록 구성된 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT); 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정장치(PW)에 연결되도록 구성된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함) 상에 투영하도록 구성된 투영시스템(PS)(예를 들어, 굴절형 투영렌즈 시스템)을 포함한다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어시키기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 및 여타 유형의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학 구성요소를 포함할 수도 있다.
지지구조체는 패터닝 디바이스의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 지지구조체는, 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 종속적인 방식으로 패터닝 디바이스를 유지시킨다. 지지구조체는 패터닝 디바이스를 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 상기 지지구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 있을 수 있도록 한다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝 디바이스(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로 는 마스크들, 프로그램가능한 거울 어레이들 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크들은 리소그래피에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 액체(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디옵트릭시스템, 자기시스템, 전자기시스템 및 정전기 광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 소정 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형이다. 대안적으로는, 상기 장치는 (예를 들어, 상술된 바와 같이 소정 형태의 프로그램가능한 거울 어래이를 채용한 또는 반사 마스크를 채용한) 반사형일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서 는 추가 테이블들이 병행하여 사용될 수 있으며, 1 이상의 테이블이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피장치는 기판의 적어도 일 부분이 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우도록 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어 물로 덮이는 형태로 구성될 수도 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피장치 내의 여타의 공간들, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이에 적용될 수도 있다. 침지 기술은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 당 업계에서 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담기어야(submerge) 한다는 것을 의미하기 보다는, 노광시 투영시스템과 기판 사이에 액체가 배치된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지는 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭해질 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도세기분포를 조정하도록 구성되는 조정 기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면 내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT)) 상에서 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(B)은, 패터닝 디바이스(MA)를 가로질러 투영시스템(PS)을 통과하고, 상기 투영시스템(PS)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼서티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블(WT)은 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부들(C)을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지는 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제 2 위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크 테이블(MT)은 단지 짧은 행정액추에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부들을 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 패터닝 디바이스 정렬 마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결 정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선펄스들 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 활용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 1-8은 수 개의 세정 장치(10)의 세부들 및 적용례를 개략적으로 나타내고 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 리소그래피 장치는 상기 장치 내의 또는 상기 장치의 1 이상의 부분들 또는 표면들을 세정하기 위하여 1 이상의 세정 디바이스(또는 장치 또는 조립체들 또는 시스템들)을 포함할 수 있다. 도 1에서, 이러한 세정 디바이스들은 참조 부호 10a, 10b, 10c를 갖는 직사각형들로 개략적으로 도시되어 있다. 예를 들어, 상기 장치는 패터닝 디바이스(레티클, 마스크)(MA) 표면의 적어 도 일부를 세정하기 위한 1 이상의 세정 디바이스들(10a)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 장치는 적용되는 투영시스템의 타입에 따라 장치의 투영시스템(PS)의 적어도 일부, 예를 들어 렌즈 또는 거울의 표면의 적어도 일부를 세정하기 위한 1 이상의 세정 디바이스들(10b)을 포함할 수 있다. 더욱이, 일 예시로서 상기 장치에는 기판(W) 및/또는 기판 지지부(WT)의 표면의 적어도 일부를 세정하기 위하여 1 이상의 세정 디바이스들(10c)이 제공될 수 있다. 또한, 장치의 상이한 부분들, 예를 들어 조명시스템(IL), 조정기(AD), 인티그레이터(IN), 콘덴서(CO), 방사선 콜렉터, 포일 트랩, 및/또는 장치의 여타 부분들이나 영역들의 표면을 세정하기 위하여 1 이상의 세정 디바이스(10)가 제공될 수 있다.
추가 실시예에서, 장치의 세정 디바이스들(10) 중 1 이상은 오염물을 제거, 트래핑, 캡처링 또는 그렇지 않으면 다루도록(manipulate), 특히 1 이상의 광학 트랩을 사용하여 표면을 세정하도록 구성된다. 예를 들어, 세정 디바이스(10)는 리소그래피 장치 내의 입자들을 트래핑하기 위하여 1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 1 이상의 광학 트랩 생성기를 포함할 수 있다. 도 2-8에는 이러한 세정 디바이스들을 위한 비-제한적 예시들이 도시되어 있다.
또한, 예를 들어 세정 디바이스들(10) 중 1 이상은 표면을 세정하기 위한 각각의 조립체를 포함하거나, 또는 각각의 조립체에 의하여 또는 각각의 조립체에 제공될 수 있으며, 상기 조립체는: 세정될 표면으로부터의 오염물들을 (적어도 부분적으로) 제거하기 위하여 전자기장들을 사용하도록 구성 및 배치될 수 있는 1 이상의 오염물 제거 디바이스; 및 1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 1 이상의 입자 트래핑 장치를 포함한다.
도 2-4의 실시예에서, 1 이상의 광학 트랩들(15)은 입자들을 제거하는데 사용될 수 있으며, 입자들을 캡처링 및/또는 제거하는데 사용될 수 있다. 도 7-8에는, 별도의 오염 배척부(contaminant liberation)와 조합된 1 이상의 광학 트랩의 사용을 포함하는 세정 시스템/조립체(50)의 비-제한적 예시가 도시되어 있다.
이와 같은 광학 트랩들은 당업자에게 잘 알려져 있으며, 따라서 본 출원문에서는 상세히 기술되지 않을 것이다. 광학 트랩들을 생성하도록 구성되는 디바이스들의 몇몇 예시로는 광학 트위저들(optical tweezers) 및 광학 스패너들(optical spanners)이 있다. 예를 들어, 역사의 개관(overview of the history), 광학 트랩들의 공지된 응용례들 및 이러한 트랩들을 생성하기 위한 공지된 디바이스들은 출판물 "Optical micromanipulation takes hold", Kishan Dolakia and Peter Reece, Nanotoday, February 2006, Vol. 1, nr 1(Elsevier), 및 "Lights, action: optical tweezers", Justin E. Molloy and Miles J. Padgett, Contemporary Physics 2002, Vol.43, nr.4, pages 241-258(Taylor & Francis Ltd)에서 찾을 수 있으며, 이 두 출판물 모두는 그 전문이 본 명세서에서 인용 참조된다.
광학 트랩들은 주로 생물학적 재료를 다루기 위해 적용되어 왔다[예를 들어, US 2002/0115164A1(Wang 외) 참조]. 또한, 입자(들)에 대한 Orbital Angular Momentum의 전사에 의하여 Laguerre-Gauss(LG)의 빔 웨이스트에서 입자들이 트래핑될 수 있다는 것이 실험적으로 제시되어 왔으며[예를 들어, K. Dholakia, et.al., "Optical tweezers: the next generation", Physics World, 15, 31(2002) 및 M. Padgett, "Light, action: optical tweezers", Contemp. Phys. 43, 241(2002) 참조], 상기 참조 문헌 모두는 그 전문이 본 명세서에서 인용 참조된다.
이하, 마이크로 크기의 실리카 입자들 및 생물학적 종들의 취급은 루틴하며[W.M.Lee, et al., "Optical steering of high and low index microparticles by manipulating an off-axis optical vortex", J.Opt.A: Pure Appl. Opt. 7, 1(2005) 참조], 상기 참조문헌은 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조된다. 베셀(Bessel) 빔의 "무-회절(diffraction-free)" 특성들은 메인 로브(main lobe) 및 여라 측 로브들 내의 다수의 입자들을 트래핑하는데 사용되어 왔으며[D. McGloin and K. Dholakia, "Bessel beams: diffraction in a new light", Contemporary Physics, 46, 15(2002), 및 V. Garces-Chavez, et.al., "Optical levitation in a Bessel light beam", Appl. Phys. Lett., 85, 4001(2004), 및 K. Volke-Sepulveda, et.al., "Orbital angular momentum of a high-order Bessel light beam", J. Opt. B: Quantum Semiclass. Opt. 4, S82(2002) 참조], 상기 참조문헌 모두는 그 전문이 본 명세서에서 인용 참조된다. 또한, 2D 및 3D의 대상물들의 질량 이송을 위하여 이러한 빔 모드들을 멀티플렉싱(multiplex)하는 것이 알려져 있다[예를 들어, US 6,858,833 B1(Curtis et al.) 참조]. 본 발명의 기본 아이디어는 오염물 제거의 필드에서 및/또는 예를 들어 리소그래피에서 이러한 광학 트랩들 중 1 이상을 적용하기 위한 것이다.
오염물을 트래핑하기 위한 광학 트랩들의 적용은 종래기술의 오염물 제거 방법들보다 뛰어난 여러 장점들을 제공한다. 예를 들어, 일 실시예에서는, 표면 세정 방법에 있어 각각의 입자들을 만나기 이전에 이러한 입자들의 얻어진 위치 좌표들을 갖거나 및/또는 입자들의 위치 좌표들을 얻지 않고 표면 상에 또는 그 부근에 존재할 수도 있는 1 이상의 오염 입자들을 제거 및/또는 캡처링하기 위하여 상기 표면을 따라 1 이상의 광학 트랩(15)이 이동될 수 있다. 예를 들어, 입자들(25)을 제거, 디스로징(dislodging) 및/또는 캡처링 또는 트래핑하기 위하여, 및 예를 들어 트래핑된 입자들(25)을 추가 취급하거나 또는 없애기 위하여 표면을 따라 하나 또는 복수의 광학 트랩들(15)이 스캐닝될 수 있다. 이러한 발전형태는 신규한 광학적 방법들을 이용하여, 예를 들어 입자들의 초기 검출에 대한 필요 없이 멀티플렉싱된 Laquerre-Gauss(LG) 및 Bessel 빔 트랩들을 생성함으로써 분명하고 효율적인 '비-접촉식' 입자 제거 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 입자 제거 방법들 및 장치를 제공하는 단계를 포함하며, 특히 표면을 손상시키거나(harming) 또는 그렇지 않으면 표면을 훼손하지(impairing) 않고 상기 표면으로부터 입자들이 안전하게 제거될 수 있다. 예를 들어, 세정될 대상물(20)이 기판(W)인 경우에 광학 트랩(15)의 적용은 기판 표면(21)의 원하지 않는 교란들(disturbances)을 회피할 수 있다. 세정될 대상물이 광학 요소, 예를 들어 렌즈, 거울, 필터 요소, 레티클, 또는 여타 광학 요소인 경우에, 표면(12)의 적어도 일부는 표면의 원하는 광학적 특성들을 훼손하지 않고 광학 트랩에 의하여 세정될 수 있다.
도 2-4는, 예를 들어 도 1의 실시예의 세정 디바이스들(10a, 10b, 10c) 중 1 이상으로서 적용될 수 있는 세정 디바이스 또는 장치(10)의 일 실시예를 나타내고 있다. 세정 장치(10)는 대상물(20)의 표면(21), 예를 들어 기판, 레티클, 광학 요소의 표면(21)의 적어도 일부 및/또는 리소그래피 장치의 일부를 세정하도록 구성된다. 세정될 표면(21)은 당업자들이라면 명확히 이해할 수 있듯이 다양한 형상 및 형태들, 예를 들어 실질적으로 편평한 표면, 프로파일링된(profiled) 표면 또는 특정 릴리프(relief)를 갖는 표면 및/또는 다른 표면 타입들을 가질 수 있다. 세정 장치(10)는 1 이상의 광학 트랩(15)을 생성하고, 특히 각각의 입자들을 제거 및/또는 캡처링하기 이전에 이러한 입자들(25)의 위치 좌표들을 얻지 않고 표면(21) 상에 존재할 수도 있는 1 이상의 오염 입자들(25)을 제거 및/또는 캡처링하기 위해 상기 표면(21)을 따라 상기 1 이상의 광학 트랩(15)을 이동시키도록 구성된다. 이는 도 2-4에 도시되어 있다.
이해할 수 있으며 당업자에게 알려진 바와 같이, 세정 디바이스 또는 장치(10)는 1 이상의 광학 트랩(15)을 생성하기 위한 여러 상이한 방법들로 구성될 수 있다. 예를 들어, 장치(10)는 당업자에게 알려진 광학 트위저 및/또는 광학 스패너를 가질 수 있다. 세정 디바이스(10)는 오염물들(15)을 캡처링하도록 구성 및 배치되는 오염물 제거 디바이스 또는 입자 트래핑 장치 및/또는 오염물 제거 디바이스로 불릴 수 있다.
예를 들어, 도 2-4의 실시예에서 세정 장치(10)는 레이저 방사선(12)의 1 이상의 빔을 세정될 표면(21) 상이나 또는 그 부근의 회절-제한 스폿으로 크게 포커싱하여, 상기 표면(21) 상이나 또는 그 부근에 1 이상의 광학 트랩(15)을 제공하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 세정 장치(10)에는 레이저 빔(12)을 생성하기 위한 레이저(11), 및 포커싱 디바이스, 예를 들어 표면(21) 또는 그 부근에 광학 트랩을 형성하기 위하여 레이저 빔(12)을 크게 포커싱하기 위한 (큰 개구수의) 현미경 대물렌즈(microscope objective), 광학 시스템, 또는 렌즈 또는 렌즈 시스템을 포함하는 빔 제어기 및/또는 수정기(modifier)(13)가 제공될 수 있다(도 3의 세부 참조). 예를 들어, 광학 트랩(15)은 입자에 궤도 각 운동량(orbital angular momentum)을 부여하기 위하여 크게 포커싱되는 레이저 빔(12)으로부터 생성되거나 또는 추가 실시예에서는 1 이상의 LG 모드의 포커싱된 빔으로부터 생성되는 광학 구배 필드(optical gradient field)에 의하여 제공된다(이하 참조). 당업자라면 알 수 있듯이, 광학 구배 필드는 특히 유전 입자 재료에/재료 상에 작용하는 방사선 압력 또는 광학 구배 힘을 유도할 수 있으며, 상기 압력 또는 힘은 입자(25)를 트래핑할 수 있다. 예를 들어, 크게 포커싱되는 레이저 빔(12)은 대략 10㎛ 이하 또는 2㎛ 이하, 예를 들어 1㎛의 빔 폭을 가질 수 있다. 또한, 예를 들어, 크게 포커싱된 레이저 빔(12)은 입자(25)의 최소 크기(직경 또는 평균 크기)의 빔 폭을 가져, 이에 의해 취급될 수도 있다. 비-제한적 예시에서, 레이저 빔(12)은 입자(25)의 크기(직경 또는 평균 크기)의 2~4 배 가량의 범위 내의 빔 폭을 가져, 이에 의해 취급될 수도 있다.
추가 실시예에서, 세정 디바이스(10)는 각각의 레이저 빔(12)이 세정될 대상물(20)의 표면(21) 상으로 지향될 수 있는 작동 위치로부터, 노광시 사용되는 각각의 리소그래피 장치의 경로를 벗어나고, 예를 들어 각각의 리소그래피 장치의 어떠한 다른 부분들도 방해하지 않는 비-작동 위치까지 수축될 수 있도록 장착되는 세 정 헤드를 포함하거나, 상기 세정 헤드에 채용될 수 있다.
레이저 방사선은 다양한 파장들, 예를 들어, 가시광선 파장 범위, 자외선 파장, 적외선 파장 또는 여타 파장의 영역들 내의 파장을 가질 수도 있다. 빔(12)은 광학 트랩(15)이 상기 빔(12)의 포커싱 포인트에 형성되도록, 즉 방사선이 오염 입자(25)를 제거 및/또는 캡처링 하기 위하여 제거 및/또는 트래핑될 상기 오염 입자(25)와 상호작용할 수 있도록 이루어질 수 있다.
또한, 예를 들어, 일 실시예에서는 세정 디바이스(또는 오염물 제거 디바이스, 또는 배척 디바이스)(10)는 궤도 각 운동량(OAM)을 소유할 수 있는 소위 Bessel 빔이나 Laguerre-Gauss 빔, 또는 여타 적합한 빔 모드들을 생성하도록 구성될 수 있으며, 궤도 각 운동량은 광학 빔(12)으로부터 오염 입자(들)로 전달될 수 있다. 예를 들어, 이러한 빔들은 특정한 스핀 및 선회(gyrate)를 일으킬 수 있으며, 이는 표면(21)으로부터의 입자(25)의 제거를 개선할 수 있다. 이러한 광학 빔 모드들을 제공하기 위한 구성들은 당업자들에게 알려져 있다(상술된 내용 참조). 일 예시로서, 궤도 각 운동량을 갖는 광학 빔들(12)은 홀로그래픽적으로(holographically) 생성되거나, 및/또는 적합한 나선 위상 플레이트와 같은 적합한 위상 플레이트 및/또는 여타 적합한 수단을 이용하여 생성될 수 있다. 일 예시로서, 도 2에서 빔 제어기 및/또는 수정기(13)는 레이저 빔(12)의 입사 레이저 방사선의 모드를 원하는 궤도 각 운동량을 갖는 모드로 변화시켜, 입자(25)의 회전 또는 스피닝을 통해 상기 입자(25)를 배척하도록 상기 입자(25)와 상호작용할 수 있는 광학 트랩(15)을 제공할 수 있다. 이 경우에, 세정 디바이스(10)는 광학 트랩( 들)(15)을 통해 입자들(25)을 스피닝 또는 트위스팅함으로써 세정될 표면으로부터 입자들(25)을 배척할 수 있는 오염물 배척 디바이스로서 작동할 수 있다.
또한, 비-제한적 예시에서, 오염물 배척은 -예를 들어- 유전계 표면 또는 금속계 표면 상의 실리카 입자 및/또는 표면 상의 여타 오염물들의 경우에 존재할 수 있는 반 데르 발스 상호작용을 약화시키기 위하여, 들러붙은 입자를 열적으로 아지테이팅(agitate)하기 위해 추가 레이저 펄스가 트래핑 빔과 함께 전파되도록 함으로써 수행될 수도 있다(또한 이하 참조). 따라서, 트래핑 빔 자체는 입자의 쇼크-웨이브로 유발된 해제(release)를 개시하고 동시에 트래핑을 제공하기 위하여 펄스 모드로 작동될 수 있다.
일 실시예에서, 세정 장치(10)는 1 이상의 광학 트랩(15)(도 2-4에서의 것)이 특정 세정 주기 내에 표면(21)의 실질적인 각 부분에 도달하고, 상기 1 이상의 트랩(15)이 상기 표면(21) 상에 존재할 수도 있는 1 이상의 오염 입자를 만나고 배척하고 및/또는 캡처링할 수 있도록, 표면(21)을 따라 1 이상의 광학 트랩(15)을 이동시키도록 구성될 수도 있다. 이러한 방식으로, 표면(21)의 실질적인 각 부분, 바람직하게는 전체 표면(21)이 효율적으로 세정될 수 있다.
예를 들어, 일 실시예에서 표면(21)은 트래핑 장치(10)에 대하여 이동될 수 있다. 또한, 예를 들어 트래핑 장치(10)는 표면(21)에 대하여 이동될 수 있다. 더욱이, 도 2에 나타낸 바와 같이, 트래핑 장치는 표면(21)에 걸친 (광학 트랩(15)을 제공하는) 포커싱 영역을 스캐닝하기 위하여 나가는 광학 트래핑 빔(12)의 방향을 수정하도록 구성될 수 있다. 빔 제어기 및/또는 수정기(13)는 광학 빔(12)의 경로 에 배치될 수 있는 1 이상의 조정가능한 또는 이동가능한 빔 스티어링 거울들(도시 안됨)과 같은 적합한 광학기들을 활용하여, 이러한 빔 스티어링을 제공하도록 구성될 수 있다.
도 2-4의 실시예의 사용시, 표면(21) 또는 그 일부는 세정될 수 있으며, 세정 장치(10, 11, 13)는 표면(21) 또는 그 바로 위에 광학 트랩(12)을 생성한다. 여기서, 레이저(11)는 적합한 레이저 빔(12)을 제공할 수 있으며, 빔 제어기 및/또는 수정기(13)는 원하는 위치나, 표면(21)이나 그 부근에 광학 트랩(15)을 생성하는 조건들을 제공하기 위하여 레이저 빔(12)을 제어 및/또는 수정할 수 있다.
광학 트랩(15)이 표면(21) 상에 존재할 수도 있는 입자(25)를 배척 및/또는 캡처링하기 위해 상기 표면을 스캐닝할 수 있도록 상기 광학 트랩(15) 및 상기 표면(21)은 서로에 대해 이동되는 것이 바람직하다. 광학 트랩(15)이 표면(21)을 따라 또는 표면에 대하여 이동되는 스캐닝 방향들은 도면들에서 화살표(SC)로 나타나 있으며, 세정 장치(10)에 대한 표면(21)의 등가의 선택적 이동은 이중 화살표(SCS)로 나타나 있다. 이러한 방식으로, 1 이상의 오염 입자들(25)은 표면(21) 상의 이러한 입자들(25)의 사전 공지된 정확한 위치 좌표들 없이 배척 및/또는 트래핑될 수 있다.
또한, 상술된 바와 같이, 생성된 광학 트랩(15)은 표면(21) 상에 존재하는 입자들(25)에 궤도 각도 운동량을 전달하는데 적합할 수 있으며, 이는 표면(21)으로부터 입자들(25)의 배척(예를 들어, 흡수)을 개선시키는데 특히 유용하다. 따라 서, 예를 들어 반 데르 발스 결합들을 약화시키기 위한 두께의 단층의 적합한 유체를 적용하거나 또는 표면에 적용되는 적합한 유체 유동에 의한 것과 같은 상이한 방식으로 제거되거나 또한 광학 트랩(15)에 의하여 제거되도록 입자들은 효휼적으로 배척될 수 있다.
도 3에서, 입자(25)는 표면(21) 상에 존재한다. 바람직하게는, 입자의 위치는 세정 장치(10)에 의하여 알려지지 않는다. 하지만, 세정 장치는, 예를 들어 우연히 입자(25)를 향해 표면(21)에 걸쳐 광학 트랩(15)을 스캐닝한다. 따라서, 광학 트랩(15)은 도 4에 도시된 바와 같이 입자와 상호작용하고, 입자를 트래핑하고, 표면(21)으로부터 입자를 제거하기 위하여 입자(25)를 만날 수 있다. 여기서, 입자의 제거는 (표면(21)에 수직한 방향으로) 표면(21)으로부터의 입자(25)의 리프팅, 및/또는 표면(21)에 대한, 예를 들어 표면(21)에 따른 입자(25)의 제거를 포함할 수 있다. 또한, 광학 트랩은 표면(21)으로부터 입자(25)의 제거를 돕기 위하여 입자에 궤도 각 운동량을 전달할 수 있다. 또한, Bessel 빔들은 빔 중심으로부터 측방향으로 먼 입자들을 캡처링할 수 있는 것으로 알려져 있다.
또한, 일 예시로서, 사용시 광학 트랩(15)의 중심과 표면 사이의 거리(d)는 트래핑될 입자(25)의 평균 반경 또는 여타 크기와 대략 동일한 값으로 유지될 수 있다. 또한, 트랩의 중심과 표면(21) 사이의 다른 거리들(d)은 제거될 입자(들)의 크기 및 타입, 및 광학 트랩의 크기에 따라 적용될 수 있으며, 당업자라면 이에 대해 명확히 이해할 것이다. 일 실시예에서, 광학 트랩(15)의 중심과 표면(21) 사이의 거리(d)는, 예를 들어 빔 제어기 및/또는 수정기(13)에 의하여 또는 표면(21)과 세정 장치(10) 사이의 거리를 변화시킴으로써 변할 수도 있다. 예를 들어, 거리(d)의 1 이상의 작은 변화들은 표면(21)에 존재하는 입자(25)의 초기 제거나 감손 또는 픽업에 유용할 수 있다. 비-제한적 예시로서, 트랩의 중심과 표면(21) 간의 거리(d)의 변화는 표면(21)에 대해 수직방향으로 측정되는 입자의 높이 또는 입자의 직경과 같은 입자(25)의 크기들과 대략 동일한 스케일로 이루어질 수 있다.
세정 디바이스(10)는 또한, 세정될 표면(21)으로부터 먼 영역에 대해, 예를 들어 표면(21)에 걸친 또는 표면(21)에 따른 1 이상의 스캐닝 또는 스캐닝의 "후버링(hoovering)" 런들 후에 가령 입자 제거 영역(31)에 대해 광학 트랩(들)(15)을 이동시키도록 구성될 수도 있다(도 2 참조). 예를 들어, 입자 제거 영역(31)은 세정될 표면(21)이 (방향 SCS에 의한 것과 같이) 세정 디바이스(10)에 대해 이동되고 있는 경우 캡처링된 입자들을 수용하기 위하여 광학 트랩(15)을 향해 이동가능할 수도 있다. 일 예시로서, 세정 디바이스(10)는 트랩(15) 내에 캡처링될 수 있는 어떠한 입자들(25)도 해제 또는 전달하기 위하여 각각의 광학 트랩(15)을 취급하고, 입자 캡처링 영역을 통해 트랩(15)을 이동시키고, 및/또는 광학 트랩(15)을 '개방(open)'하거나 또는 원 상태로 돌릴(undo) 수 있다. 입자 제거 영역(31)은 광학 트랩(들)로부터 이러한 입자들(25)을 수용하고, 이러한 입자들(25)을 캡처링 및 유지하고, 및/또는 이러한 입자들을 추가 제거하도록 구성될 수 있다. 비-제한적 예시로서, 도 2에서는 상술된 표면 스캐닝 후에 1 이상의 광학 트랩(15)으로부터 입자들을 수용하고, 입자 제거 영역(31)으로부터 먼 이러한 입자들(25)을 펌핑 또는 서 킹(suck) 하고(화살표 A1으로 나타냄), 예를 들어 선택적으로 이러한 입자들을 추가 제거하기 위하여(화살표 A2로 나타냄) 입자 제거 영역(31)에 펌핑 장치 또는 석션 라인(30)이 제공되어 왔다.
상술된 바와 같이, 일 실시예에서는 표면(21)을 세정하기 위하여 1 보다 많은 광학 트랩(25)이 적용될 수 있다. 이는, 도 5-6에 도시된 실시예에 개략적으로 나타나 있다. 특히, 도 5-6의 실시예들은 세정 디바이스(10)가 복수의 광학 트랩(15)을 제공한다는 점에서 도 2-4에 도시된 실시예와 상이하다. 예를 들어, 세정 디바이스(10)는 멀티플렉싱된 빔 트랩들, 바람직하게는 멀티플렉싱된 Laguerre-Gauss 또는 Bessel 빔 트랩들을 생성하도록 구성될 수 있다. 트랩들의 멀티플렉싱은 당업자들에게 알려져 있다. 멀티플렉싱은 1 이상의 레이저 빔 소스를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 멀티플렉싱된 트랩 또는 다중 광학 트랩(도 5에 도시됨)은 다중 코히런트(coherent) 광학 빔들의 간섭의 적용에 의하여 간단한 방식으로 제공될 수 있다. 이러한 다중 코히런트 광학 빔들은 2 차원 또는 3 차원의 매우 많은 수의 트래핑 사이트(15), 예를 들어 100 이상 또는 1000 이상의 트래핑 사이트들을 제공할 수 있다. 또한, 다중 광학 트랩들을 형성하기 위하여 홀로그램들이 적용될 수 있다(예를 들어, US 6,858,833 참조). 예를 들어, 멀티플렉싱은 홀로그래픽 격자들, 나선 광 모듈레이터(spiral light modulator)들에 의하여, 금속계 또는 Si 기판 상의 마이크로 위상 플레이트들에 의하여, 다중 나선 위상 플레이트들, 또는 멀티플렉싱된 액시콘들(axicon)에 의하여 수행될 수 있다. 이러한 방식으로, 표면이 신속하게 세정될 수 있으며, 오염물들을 배척 및/또는 캡처링 하기 위하여 비교적 많은 수의 광학 트랩(15)이 동시에 다양한 표면 부분들에 도달할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 표면(21)에 대해 광학 트랩들을 스캐닝하기 위하여, 다양한 스캐닝 방향(SC1, SC2), 예를 들어 2 개의 직교 스캐닝 방향(SC1, SC2) 또는 상이한 방향들이 적용될 수 있다.
도 7-8은, 오염물 트래핑 디바이스(10) 이외에 별도의 오염물 배척 디바이스(40)가 제공된다는 점에서 도 2-6에 도시된 실시예들과는 상이한 조립체(50)의 일 실시예를 나타내고 있다. 여기서, 오염물 배척 디바이스(40) 및 오염물 트래핑 디바이스(10)는 다양한 방식으로 구성될 수 있으며, 예를 들어 서로 통합되거나, 별도의 개체이거나 및/또는 상이하게 구성될 수 있다. 조립체(50)는 특히 이러한 목적을 위해 1 이상의 광학 트랩(15)을 적용하거나 사용하지 않고 1 이상의 입자들을 배척하도록 구성되며, 1 이상의 광학 트랩(15)은 (적어도 부분적으로) 배척된 입자들(25)을 캡처링하고 및/또는 제거하는데 계속 사용된다. 여기서, 입자들(25)의 배척은 표면(21)에 대해 입자들(25)을 이동(제거)시키거나 이동(제거)시키지 않고 입자와 표면(21) 사이의 느슨한 결합들 또는 여타 힘들(예를 들어, 부착력, 흡수력)과 연관될 수 있다. 따라서, 배척되거나 또는 적어도 부분적으로 배척된 오염물이 세정될 표면과의 접촉시 또는 세정될 표면과의 접촉에서 계속 존재할 수 있다. 또한, 배척된 입자는 표면으로부터 제거될 수 있지만, 상기 표면으로부터 짧은 거리에 계속 배치될 수 있다. 예를 들어, 후술되는 바와 같이, 오염물 배척 디바이스(40)는 입자들을 배척하기 위한 1 이상의 입자 배척 빔(41)을 생성하도록 구성될 수 있으며, 트래핑 디바이스(10)는 1 이상의 별도의 트래핑 빔(12)을 생성하도록 구성된다. 하지만, 배척 디바이스(40)는 또한, 예를 들어 상이한 배척 기술들, 예컨대 배척될 입자들(25)의 타입(들)에 따라 전자기(예를 들어 전기 및/또는 자기) 장들을 표면에 적용하여 표면(21)으로부터 상이한 방식으로 입자들을 배척하도록 구성될 수도 있다.
예를 들어, 도 7, 8의 세정 조립체(50)는 오염물들과 표면간의 결합들을 약화시키도록 구성되는 1 이상의 오염물 배척 디바이스(40), 및 1 이상의 광학 트랩(15)을 생성하도록 구성되는 1 이상의 상술딘 입자 트래핑 장치(10)를 포함할 수 있다. 일 예시로서, 입자 트래핑 장치(10)는 광학 트위저 및/또는 광학 스패너에 의하여 제공될 수 있다. 또한, 예를 들어 오염물 배척 디바이스(40)는 표면(21) 및/또는 오염물들에 유체, 액체, 플라즈마, 콜드 플라즈마, 전자기장, 방사선 빔, 입자 빔 중 1 이상을 적용함으로써 표면(및 오염물들)을 처리하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 여기에서 콜드 플라즈마 처리법은 저-에너지 처리법이고 낮은 손상률의 방법을 제공할 수 있으며, [교류(AC)] 전자기장 및 화학적 상호작용이 오염물들과 표면 사이의 결합들을 약화시키기 위해 커플링 또는 조합될 수 있다.
예를 들어, 오염물 배척 디바이스(40)는 세정될 대상물(20)의 표면(21)과 오염 입자들(25) 간의 힘을 저감시키거나 깨도록 구성될 수 있다. 추가 실시예에서, 오염물 배척 디바이스(40)는 세정될 대상물의 표면(21)에 대해 방사선의 입자 배척 레이저 빔(41)을 지향시키는 레이저 디바이스(42)를 포함하여, 바람직하게는 표면 상의 오염물들(25)을 마멸시키거나(ablate) 열적으로 디스로징(dislodge)하는 것 중 1 이상을 수행할 수 있다. 이러한 레이저 디바이스(42)는 당업자에게 알려져 있으며, 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 입자 배척은 각 오염물 입자의 손상을 야기해서는 안된다. 따라서, 레이저 세정의 세기는 그에 의해 처리될 오염물 입자들의 손상 임계치보다 작은 것이 바람직하며, 표면이 상기 레이저에 의해 손상되지 않도록 이루어지는 것이 바람직하다. 일 예시로서, 오염물 배척 디바이스(40)는 드라이 레이저 세정 디바이스 또는 스팀 레이저 세정 디바이스를 포함할 수 있다. 레이저 세정은 이들 일시적(transient) 입자들의 적어도 일 부분을 제거하는데 사용될 수 있는 표면 세정의 특별한 한 가지 방법이다. 오염물 배척 디바이스(40)에 의해 제공되는 이러한 레이저 세정은 입자와 상기 입자(25)가 배치되는 표면(21) 사이의 인터페이스 에너지 또는 물리적 결합이라고도 지칭되는 정적(static) 또는 제타(zeta) 전위를 토대로 할 수 있다. 인터페이스 에너지는 입자의 직경과 표면 상의 입자의 접촉 직경의 비의 역(inverse)에 대한 것이다. 드라이 레이저 세정은 표면(21)을 향하여 레이저 방사선 빔을 지향시킬 수 있는, 예를 들어 특정 입자에 지향될 수 있는 레이저 세정의 한 가지 방법이다. 레이저 스팀 세정은 드라이 레이저 세정 기술을 채용하지만 드라이 레이저 세정으로부터 초래될 수 있는 손상을 적어도 부분적으로 저감시키기 위해 표면 상에 액체 인터페이스를 사용하는 한 가지 방법이며, 입자 내로 레이저 에너지를 전체적으로 분산시킬 필요 없이 추가적인 입자들의 제거를 가능하게 할 수도 있다. 추가 실시예에서는, 이 경우 트래핑 장치(10)가 (레이저) 배척 디바이스(40)에 의하여 표면으로부터 배척된 입자들(25)을 트래핑하도록 구성될 수 있다(도 8 참조).
예를 들어, 오염물 배척 디바이스(40)는 입자 배척 빔(41)을 사전설정된 입사 각도로 표면(21) 상에 지향시키도록 구성될 수 있다. 또한, 오염물 배척 디바이스(40)는 세정될 표면을 스캐닝하기 위하여 입자 배척 빔의 각도를 변화시키도록 구성 및 배치되는 빔 스캐닝 디바이스를 포함할 수 있다. 이동가능한 거울 또는 여타 스티어링 디바이스(도시 안됨)가 제공될 수 있으며, 이는 표면(21)을 따른 실제 배척 빔(41)의 신속한 스캔을 실행할 수 있다.
입자 배척 빔(41)은 세정될 표면에 대해 지향될 수 있으며, 마멸, 연소 및 열적 효과들의 조합에 의해 상기 표면으로부터 오염물들을 배척할 수 있다. 산소가 존재하는 경우, 오염물들은 주로 증발 및 연소될 수 있다. 증발된 오염물들은 증발되지 않는 보다 무거운 오염물들의 제거를 도울 수도 있으며, 입자 배척 빔(41)으로부터의 계속되는 에너지 흡수에 의해 플라즈마로 변화될 수도 있다. 무생물 오염물들, 주로 입자들은 레이저 빔(41)으로부터의 에너지를 신속하게 흡수하고, 초래된 열적 팽창은 표면으로부터 오염물을 디스로징하는 충격파를 야기한다. 입자들은 또한 마멸 및/또는 승화를 거칠 수도 있다. 레이저 배척 프로세스를 최적화하기 위하여, 입자 배척 빔(41)의 파장은 예측되는 오염물들에 의하여 최대한 흡수될 수 있도록 선택될 수 있다. 또한, 레이저 디바이스는 레이저 빔(41)의 파장을 변화시키도록 조정될 수 있다. 특히 짧은 펄스 길이, 예를 들어 100 nanoseconds보다 적은, 바람직하게는 10 nanoseconds 보다 적은 펄스 길이를 갖는 펄싱된 입자 배척 빔(41)이 매우 효과적이다. 펄싱된 소스에 의하면, 열적 충격파 효과가 제안된다(pronounced). 또한, 증발되거나 디스로징된 오염물들 상에 부딪히는(impinging) 후속 펄스들은 플라즈마, 나아가 충격파들을 발생시키며, 이는 오염물들의 디스로징을 돕는다. 큰 힘(high power)의 짧은 레이저 펄스들을 제공하기 위하여 Q-스위치(Q-switched) 레이저(42)가 사용될 수 있다. 따라서, 트래핑 빔과 공선적인(collinear) 펄싱된 배척 빔은, 입자 부근에서 레이저 충격파를 유발하여 반 데르 발스-런던 인력들을 극복함으로써 표면으로부터 입자를 디스로징하는 역할을 한다. 일단 디스로징되면, 트래핑 빔은 입자를 트래핑 및 제거할 수도 있다.
또한, 세정될 대상물(20) 상의 섬세한 막들을 보호하기 위하여, 입사 평면에 놓인 편광 평면을 갖는 편광된 레이저 빔이 사용될 수도 있다. 그 다음, 해당 표면 및/또는 막들에 대해 브루스터 각보다 작은 입사 각으로 입자 배척 빔(41)이 세정될 표면 상에 지향된다. 이러한 방식으로 세정될 표면(21)에서의 입자 배척 빔(41)의 흡수가 최소화되고, 따라서 표면(21) 및 상기 표면 상의 막들의 열화도 최소화된다.
(입자 배척) 레이저 빔(41)은 당업자라면 명확히 이해할 수 있듯이, 다양한 방식, 예를 들어 표면(21)을 이동시키거나, 레이저 소스(42)를 이동시키거나 및/또는 적합한 레이저 빔 스티어링을 제공함으로써 표면(21)의 사전설정된 위치로 지향될 수 있다. 오염물 배척 디바이스(40)는 오염에 취약하고 오염이 결정적으로 중요하거나 또는 오염물 검출기에 커플링될 수도 있는 구성요소의 영역들의 완전한 세척(sweep)을 수행하는데 사용될 수 있으며, 오염이 검출되는 장소들만을 세정하는데 사용될 수도 있다. 후자의 경우, 표면(21)의 요구되는 스폿들 만의 레이저 세정이 가능하도록 적합한 제어 시스템을 통해 위치설정 디바이스에 레이저 트리거 (trigger)가 커플링될 수 있다.
도 7-8에 나타낸 바와 같이, 조립체(50)는 세정될 표면(21)에 대해 1 이상의 광학 트랩(15)을 이동시키고 표면(21) 또는 그 부근에 존재하는 입자들을 캡처링하도록 구성될 수 있다. 여기서, 오염물 배척 디바이스(40)는 상술된 바와 같이 세정될 대상물의 다양한 부분들을 후속 처리하고, 상기 부분들로부터 오염물을 배척하도록 구성 및 배치될 수 있다. 트래핑 디바이스(10)는 (상술된 실시예들에서와 같이) 세정될 대상물에 대해 1 이상의 광학 트랩(15)을 이동시키도록 구성될 수 있으며, 입자 트래핑 장치는 오염물 배척 디바이스(40)에 의하여 상기 부분이 처리되어질 예정이거나, 처리 되어지거나 및/또는 처리된 후 상기 표면의 일부로 1 이상의 광학 트랩을 이동시키도록 구성된다.
도 7-8의 실시예의 사용시, 오염물 배척 디바이스(40)는 세정될 표면으로부터 오염물들(25)을 배척하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 오염물 배척 디바이스(40)는 오염물들을 배척하기 위하여 표면(21)의 1 이상의 부분들을 처리할 수 있다. 여기에서, 예를 들어 레이저 디바이스(42)는 표면에 걸쳐 사전설정된 방식으로, 또는 임의로 또는 상이한 방법으로 레이저 빔(41)을 스캐닝할 수 있다. 세정 디바이스의 입자 배척 작업은 각각의 입자들을 배척하기 이전에 이러한 입자들(25)의 위치 좌표들을 얻지 않고 달성되는 것이 바람직하다. 대안적으로, 입자 검출 디바이스(도시 안됨)가 제공되어 세정될 표면(21) 상에서 제거될 입자들(25)을 검출할 수 있으며, 세정 디바이스의 입자 배척 작업은 입자 검출 디바이스에 의하여 검출되는 입자들(25)의 위치 좌표들을 사용하여 달성된다.
사용시, 오염물 제거 디바이스(10)는 배척 디바이스(도 8 참조)에 의하여 배척되는 오염물들을 트래핑하기 위하여 1 이상의 광학 트랩(15)을 발생시킨다. 예를 들어, 레이저 디바이스(41)가 표면 일부를 처리하기 이전, 처리하는 동안 및/또는 처리 한 후에, 배척된 오염물들을 캡처링하기 위하여 오염물 배척 디바이스(40)에 의하여 처리된 표면 일부 또는 그 부근으로 1 이상의 광학 트랩(15)이 이동될 수 있다.
1 이상의 광학 트랩의 생성은, 예를 들어 1 이상의 레이저 빔(12)을 이용하는 도 2-6의 실시예들과 관련하여 상술된 방법들과 같거나 유사할 수 있다. 일 실시예에서, 도 7의 조립체(50)는 제 1 레이저 빔을 제공하기 위한 단 하나의 레이저 소스, 및 상기 제 1 레이저 빔을 입자들을 배척하는데 사용될 1 이상의 입자 배척 빔(41)과 광학 트랩(들)(15)을 제공하는데 사용될 1 이상의 트래핑 빔(12)으로 나누기 위한 빔 스플리터를 포함할 수 있다. 일 실시예에서는 빔들(12, 41)을 개별적으로 생성하기 위하여 별도의 레이저 소소들이 제공된다.
예를 들어, 사용시 광학 트랩(15)은 배척 디바이스(40)의 레이저 빔(41)이 표면(21) 내로 나아갈 경우 표면 섹션에 근접하여 배치되거나 표면 섹션으로부터 사전설정된 거리에 배치될 수 있다. 예를 들어, 트래핑 디바이스(10)에 의하여 생성되는 입자 트래핑 빔(12)의 스캐닝 방향(SC)은 입자 배척 빔(41)의 스캐닝 방향(SCL)(도 8 참조)과 같거나, 및/또는 입자 트래핑 빔(12)이 입자 배척 빔(41)(도 8 참조)을 따라 지향될 수 있다. 입자 배척 빔(41)(의 이동)에 대한 입자 트래핑 빔 (12)의 이동은 상이한 방식으로, 예를 들어 빔 이동들, 입사 각들 또는 여타 빔 파라미터들 간의 특정한(상이한) 상관관계를 이용하여 수행될 수도 있다. 트래핑 빔(12)의 작동은 입자 배척 빔(41)의 작동에 대해 상관되어야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 표면(21)(또는 그 일부)은 먼저 입자들(25)을 느슨하게 하거나 배척하기 위하여 입자 배척 빔(41)에 의하여 처리될 수 있으며, 그 후 1 이상의 광학 트랩(25)이 느슨해지거나 및/또는 배척된 입자들(25)을 트래핑(및 제거)하는데 사용된다. 또한, 상술된 바와 같이, 표면(21) 상이나 그 부근에 존재할 수도 있는 1 이상의 오염 입자들을 캡처링하기 위하여 1 이상의 광학 트랩(15)이 표면(21)을 따라 이동될 수 있으며, 이 경우에 각각의 입자들을 캡처링하기 이전에 이러한 입자들(25)의 위치 좌표를 얻거나 얻지 않는다. 또한, 일 실시예에서는 1 이상의 광학 트랩(15)이 특정한 세정 주기 내에 표면(21)의 실질적 각 부분에 도달하고, 1 이상의 트랩이 표면(21) 상이나 그 부근에 존재할 수도 있는 1 이상의 오염 입자들을 만날 수 있도록 상기 1 이상의 광학 트랩(15)이 표면(21)을 따라 이동될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 트랩에 의해 트래핑된 입자들을 이송시키거나 및/또는 표면(21)으로부터 입자들을 멀리 이동시키기 위하여, 1 이상의 광학 트랩이 제 1 위치(예컨대 세정될 표면(21) 부근)로부터 제 2 위치(예를 들어 상술된 제거 영역(A1))으로 이동될 수 있다.
일 실시예에서는, 디바이스 제조방법, 예를 들어 리소그래피 방법이 제공되며, 상기 방법은 패터닝 디바이스로부터 기판(예를 들어, 도 1 참조) 상으로 패턴을 전사하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은, 예를 들어 상술되고 및/또는 도 1-8에 도시된 것과 같은 입자 트래핑와 같거나 유사한 입자들을 광학적으로 트래핑하기 위하여 1 이상의 광학 트랩(15)을 생성하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 상기 방법은 광학적으로 트래핑된 입자들을 이동시키기 위하여 광학 트랩(15)을 이동시키는 단계를 포함할 수 있다. 추가 실시예들에서, 광학적으로 트래핑될 입자들(25)은 패터닝 디바이스(MA) 상이나 그 부근, 및/또는 기판(W) 상이나 그 부근에 배치될 수 있으며, 1 이상의 광학 트랩은 입자들(25)을 트래핑하기 위하여 패터닝 디바이스(MA) 상이나 그 부근, 및/또는 기판(W) 상이나 그 부근에 각각 생성된다. 추가 실시예에서, 상기 방법은: 투영시스템(예를 들어, 도 1 참조)을 활용하여 패터닝된 방사선 빔을 기판 상으로 투영하는 단계를 포함할 수 있으며, 광학적으로 트래핑될 입자들은 상기 투영시스템(PL)의 적어도 일부 상이나 그 부근에 배치될 수 있고, 상기 1 이상의 광학 트랩(15)은 입자들을 트래핑하기 위하여 각 투영시스템의 일부 상이나 그 부근에 생성된다.
예를 들어, 제거될 오염물은 다양한 크기들 및 형상들을 가질 수 있고 다양한 재료들을 포함하거나 다양한 재료들로 이루어질 수 있는 다양한 타입의 오염 입자들(25)을 포함할 수 있다. 일 예시로서, 리소그래피에서 오염물은, 유전 입자들, 금속 입자들 및 마스크 상의 무생물 오염물들, 기판테이블 상의 미립자들, 노광시, 및 미립자들이 접촉하는 표면들로부터 디스로징되도록 할 수도 있는 장치의 이동 부분들 간의 기계적 접촉시, 투영 빔에 의하여 스퍼터링되는 레지스트 데브리(resist debris), 및/또는 여타 오염물을 포함할 수 있다. 상술된 세정 방법들 및 디바이스들은 오염에 의하여 야기되는 리소그래피 오차들의 원하는 저감을 시간 효 율적인 방식으로 제공할 수 있다.
상술된 바에 따르면, 방사선 빔들의 기본적인 물리적 특성들의 이해를 바탕으로 한 새로운 발전들은 소위 Bessel 빔들의 특수한 "전파 불변(propagation invariant)" 특성 및 방사선 빔들의 Laguerre-Gauss(LG)에 기초한 "광학 트위저들" 및 "광학 스패너들"과 같은 효율적인 광학 트래핑 방법들을 유도하였다. 다수의 연구 그룹들(상술된 내용 참조)에 의하여, 직경이 수 미크론인 입자들 및 염색체들과 같은 생체분자들은 초점 영역(빔 웨이스트) 부근에서 트래핑되고 정확하게 현미조작(micromanipulate)될 수 있다는 것이 제시되어 왔다. 상술된 바에 따르면, 다른 이들은 공간 광 모듈레이터 또는 홀로그래픽 격자들을 사용함으로써 트래핑에 필요한 특성들을 갖는 방사선 빔들이 2 차원 또는 심지어 3 차원으로 멀티플렉싱될 수도 있다는 것을 제시하였다. 상술된 바에 따르면 그리고, 예를 들어 도 1-8로부터 광학 트래핑 기술은 리소그래피 구성요소들 및 시스템, 및/또는 다른 필드들에서의 입자 제거에 있어 유리하다.
예를 들어, 일 실시예에서 Bessel 빔들 및 LG 모드들의 OAM의 광학 필드가 입자들(25)을 트래핑하는데 사용될 수 있다. 이러한 빔들은 비교적 큰 입자 배척 및/또는 트래핑 힘들을 제공할 수 있다. 이들 빔의 크게 멀티플렉싱된 버전들은 다수의 광학 트위저들과 같이 각각의 빔 웨이스트로부터의 다수의 입자들(25)을 트래핑 및 제거하는데 사용될 수 있다. 멀티플렉싱은 홀로그래픽 격자들, 공간 광 모듈레이터, 금속계 또는 Si 기판들 상의 마이크로 위상 플레이트들, 다수의 나선 위상 플레이트들, 및/또는 멀티플렉싱된 액시콘들에 의하여 수행되거나, 또는 다른 방식 으로 수행될 수 있다. OAM 전사와 연관된 토크는 표면(21), 예를 들어 Si 웨이퍼들, 레티클들, 광학기들 상에 증착되는 유전 및 금속계 입자들을 제거하는데 사용될 수 있다. 이들 입자들(25)은 반 데르 발스 상호작용에 의해 표면(21)에 접촉되고 "광학 스패너" 작용에 의해 제거될 수 있다. 멀티플렉싱을 적용하는 일 실시예는 입자(들)(25)의 배치를 알지 않고 수 나노미터 내지 수 미크론 범위의 입자들(25)의 제거를 가능하게 할 수 있다. 세정될 부분이 레이저 필드들을 통해 이동되면, 입자들이 캡처링된다(예를 들어, 도 3-8 참조).
구성요소의 표면(21) 상의 오염물은, 예를 들어 리소그래피 투영장치의 생산 사이클 동안 검출 및/또는 세정될 수 있다. 예를 들어, 기판테이블의 지지 표면 상에 존재하는 오염물이 검출되는 경우, 기판테이블로부터의 기판의 언로딩과 또 다른 기판의 기판테이블 상으로의 로딩 사이에 1 이상의 광학 트랩(15)을 사용하여 기판테이블이 세정될 수 있다. 이와 유사하게, 오염물의 세정 및/또는 검출은 구성요소의 준비 동안 실행될 수도 있다. 예를 들어, 노광 위치 또는 정렬 위치, 예컨대 프리-얼라이너(pre-aligner) 또는 별도의 정렬 스테이션에서와 같은 정렬 프로세스 동안 세정 및/또는 검출이 실행될 수도 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 광학 트랩(15) 자체에 의한 일반적인 기판의 초음파 마멸(ultrasonic agitation) 또는 국부적인 초음파 마멸은 광학 트랩(15)에 의한 광학적 트래핑이 촉진되고 입자가 표면(21)으로부터 제거되도록 반 데르 발스-런던 인력을 극복하기 위한 수단을 제공할 수도 있다.
본 발명은 리소그래피 또는 그와 같은 리소그래피 기기로 제한되지 않는다. 여러 상이한 대상물들 및/또는 표면들은 본 발명의 지침들을 이용하여 세정될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 수리(repair) 프로세스, 예를 들어 광학 요소, 가령 레티클을 수리 또는 재구성하기 위한 방법 또는 기판, 가령 반도체 기판의 표면을 수리하기 위한 방법에 적용될 수 있다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대하여 언급되었으나, 본 명세서에서 기술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 여타의 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 여타의 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.
광학 리소그래피의 배경에서 본 발명의 실시예들의 사용례에 대하여 상술하고 있으나, 본 발명은, 여타의 응용례, 예를 들어 임프린트(imprint) 리소그래피, 전자 빔 기반의 방법들에 사용될 수도 있으며, 상황이 허락한다면 광학 리소그래피로만 제한되지는 않는다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 적용함으로써 레지스트가 경화되는(cured) 기판에 공급되는 레지스트의 층 내로 가압될 수도 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 레지스트 내에 패턴을 남기고 상기 레지스트로부터 벗어나 이동한다(moved out).
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장 또는 대략 이상의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선과 (예를 들어, 5-20nm의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔들을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술되었으나, 본 발명은 기술된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
또한, 예를 들어 입자의 배척은 부분적인 배척과 관련되어 있을 수 있다. 입 자의 배척은 오염 입자와 세정될 표면 간의 결합을 약화시키는 것과 관련되어 있을 수 있다.
상기 설명들은 예시에 지나지 않으며 제한의 의미는 없다. 따라서, 당업자라면 후속 청구범위를 벗어나지 않고 기술된 바와 같은 본 발명에 대해 수정들이 가해질 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명에 따르면, 리소그래피 장치 및 리소그래피 방법에서의 세정을 개선시킬 수 있다.

Claims (30)

  1. 표면 세정 방법에 있어서,
    오염물 배척 디바이스를 이용하여 상기 표면으로부터 오염물들을 적어도 부분적으로 배척하는 단계; 및
    오염물 제거 디바이스를 이용하여 적어도 부분적으로 배척된 상기 오염물들을 캡처링하는 단계를 포함하고,
    상기 오염물 제거 디바이스는 적어도 부분적으로 배척된 상기 오염물들을 트래핑하기 위하여 1 이상의 광학 트랩을 생성하는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 오염물 배척 디바이스는 유체, 액체, 플라즈마, 전자기 장, 방사선 빔 및 입자 빔을 포함하는 그룹으로부터 선택된 1 이상을 상기 표면 및 상기 오염물에 적용함으로써 상기 표면 상기 오염물들을 처리하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 오염물 배척 디바이스는 상기 표면 상의 오염물들을 적어도 마멸시키거나(ablate) 및/또는 열적으로 디스로징하기(dislodge) 위하여 세정될 상기 표면에 대해 방사선의 입자 배척 빔을 지향시키는 레이저 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 1 이상의 광학 트랩은 광학 트위저 및/또는 광학 스패너에 의하여 생성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 오염물 제거 디바이스는 상기 1 이상의 광학 트랩을 제공하기 위하여 레이저 방사선의 1 이상의 포커싱된 빔을 생성하는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 오염물 배척 디바이스 및/또는 오염물 제거 디바이스는 궤도 각 운동량을 상기 오염물에 전달하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 오염물 배척 디바이스 및 상기 오염물 제거 디바이스는 동일한 세정 디바이스에 의하여 제공되고, 상기 세정 디바이스는 1 이상의 오염물에 궤도 각 운동량을 전달하고 1 이상의 오염물을 캡처링 하기 위하여 1 이상의 광학 트랩을 생성 하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 1 이상의 광학 트랩은 상기 표면 상의 오염 입자들의 얻어진 위치 좌표들을 갖거나 및/또는 위치 좌표들을 얻지 않고 상기 표면을 따라 이동되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 1 이상의 광학 트랩은, 상기 1 이상의 광학 트랩이 특정 세정 주기 내에 상기 표면의 각 부분에 실질적으로 도달하고, 상기 1 이상의 광학 트랩이 상기 표면 상이나 그 부근에 존재할 수도 있는 1 이상의 오염 입자들을 만날 수 있도록 상기 표면을 따라 이동되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 오염물 배척 디바이스는 오염물들을 적어도 부분적으로 배척하기 위하여 상기 표면의 1 이상의 부분들을 처리하고, 상기 1 이상의 광학 트랩은 적어도 부분적으로 배척된 오염물들을 캡처링하기 위하여 상기 오염물 배척 디바이스에 의해 처리된 각각의 표면 일부로 또는 그 부근으로 이동되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 1 이상의 광학 트랩은 상기 트랩에 의하여 트래핑된 입자들을 이송하고 및/또는 입자들을 상기 표면으로부터 멀리 이동시키기 위하여 적어도 제 1 위치로부터 제 2 위치까지 이동되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  12. 표면 세정 방법에 있어서,
    입자들의 위치 좌표들을 알지 않고 오염 입자들을 적어도 부분적으로 배척하거나 및/또는 캡처링하기 위하여 상기 표면을 따라 1 이상의 광학 트랩을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  13. 디바이스 제조방법에 있어서,
    패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하는 단계; 및
    입자들을 광학적으로 배척, 트래핑 및/또는 캡처링하기 위하여 1 이상의 광학 트랩을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 입자들은 상기 패터닝 디바이스 상이나 그 부근, 및/또는 상기 기판 상이나 그 부근에 배치되고, 상기 1 이상의 광학 트랩은 상기 패터닝 디바이스 상이나 그 부근, 및/또는 상기 기판 상이나 그 부근에 각각 생성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    투영시스템을 이용하여 상기 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 더 포함하며,
    상기 입자들은 상기 투영시스템의 적어도 일부 상이나 그 부근에 배치되며, 상기 1 이상의 광학 트랩은 상기 투영시스템 일부 상이나 그 부근에 생성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  16. 광학 요소의 표면 세정 방법에 있어서,
    1 이상의 광학 트랩을 이용하여, 상기 광학 요소의 표면 상에 존재하는 오염 입자들을 적어도 부분적으로 배척 및/또는 캡처링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 광학 요소는 렌즈, 거울 요소, 레티클, 조명시스템, 조정기, 인티그레이터, 콘덴서, 방사선 콜렉터, 포일 트랩 및 광학 필터를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 방법.
  18. 표면 세정 조립체에 있어서,
    세정될 표면으로부터 오염물들을 적어도 부분적으로 배척하도록 구성 및 배 치되는 1 이상의 오염물 배척 디바이스; 및
    1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 1 이상의 광학 트래핑 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 세정 조립체.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 트래핑 방치는 상기 배척 디바이스에 의하여 상기 표면으로부터 적어도 부분적으로 배척된 입자들을 트래핑하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 조립체.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 배척 디바이스는 오염 입자들과 상기 표면 간의 힘을 저감시키거나 깨고, 및/또는 전자기 장들 및/또는 초음파 마멸을 이용하여 상기 표면으로부터 오염물들을 마멸시키고 열적으로 디스로징하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 조립체.
  21. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 배척 디바이스는 드라이 레이저 세정 디바이스 또는 스팀 레이저 세정 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 세정 조립체.
  22. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 1 이상의 광학 트랩 또는 세정될 표면, 또는 양자 모두를 서로에 대해 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 조립체.
  23. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 배척 디바이스는 상기 표면의 다양한 부분들을 후속 처리하여 상기 부분들로부터 오염물들을 적어도 부분적으로 배척하도록 구성 및 배치되고,
    상기 트래핑 장치는 상기 배척 디바이스에 의하여 처리되어질 예정이거나, 처리되거나 및/또는 처리된 표면의 1 이상의 부분으로 상기 1 이상의 광학 트랩을 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 조립체.
  24. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 1 이상의 광학 트랩은 광학 트위저 및/또는 광학 스패너에 의하여 생성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 조립체.
  25. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 트래핑 장치는 상기 표면 상이나 그 부근에 상기 1 이상의 광학 트랩을 제공하기 위하여 세정될 표면 상이나 그 부근에 레이저 방사선의 1 이상의 빔을 포커싱하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 세정 조립체.
  26. 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 구성되는 리소그래피 장치에 있어서,
    제 18 항 또는 제 19 항에 따른 1 이상의 조립체를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  27. 표면 세정을 위한 세정 장치에 있어서,
    입자들의 배척 및/또는 캡처링 이전에 이러한 입자들의 얻어진 위치 좌표를 갖거나 및/또는 위치 좌표를 얻지 않고, 1 이상의 광학 트랩을 생성하고, 상기 1 이상의 광학 트랩이나 상기 표면, 또는 양 자 모두를 서로에 대해 이동시켜 상기 표면 상에 존재하는 1 이상의 오염 입자들을 적어도 부분적으로 배척 및/또는 캡처링하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  28. 표면 세정을 위한 세정 장치에 있어서,
    1 이상의 광학 트랩을 생성하고, 상기 1 이상의 광학 트랩이 특정 세정 주기 내에 상기 표면의 각 부분에 실질적으로 도달하고, 상기 1 이상의 광학 트랩이 상기 표면 상에 존재하는 1 이상의 오염 입자들을 만날 수 있도록 상기 표면을 따라 상기 1 이상의 광학 트랩을 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  29. 적어도 광학 요소 및 1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 입자 트래핑 장치를 포함하는 조립체에 있어서,
    상기 입자 트래핑 장치는 상기 광학 트랩을 사용하여 상기 광학 요소의 적어 도 일부를 세정할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 조립체.
  30. 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 구성되는 리소그래피 장치에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 입자들을 배척하거나 및/또는 캡처링하기 위하여 1 이상의 광학 트랩을 생성하도록 구성되는 1 이상의 광학 트랩 생성기를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
KR1020070041363A 2006-04-28 2007-04-27 표면 세정 방법, 디바이스 제조방법, 세정 조립체, 세정장치 및 리소그래피 장치 KR100874736B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/413,216 2006-04-28
US11/413,216 US7628865B2 (en) 2006-04-28 2006-04-28 Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070106448A true KR20070106448A (ko) 2007-11-01
KR100874736B1 KR100874736B1 (ko) 2008-12-19

Family

ID=38050292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070041363A KR100874736B1 (ko) 2006-04-28 2007-04-27 표면 세정 방법, 디바이스 제조방법, 세정 조립체, 세정장치 및 리소그래피 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7628865B2 (ko)
EP (1) EP1850182A3 (ko)
JP (1) JP4727618B2 (ko)
KR (1) KR100874736B1 (ko)
CN (1) CN101063830B (ko)
SG (1) SG136912A1 (ko)
TW (1) TWI364630B (ko)

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7969548B2 (en) 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
EP2047479A2 (en) * 2006-07-26 2009-04-15 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Miniaturized optical tweezers based on high-na micro-mirrors
JP5029611B2 (ja) * 2006-09-08 2012-09-19 株式会社ニコン クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US7900641B2 (en) 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
JP2009006350A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Sony Corp レーザ加工装置とその加工方法、デブリ回収機構とその回収方法、並びに表示パネルの製造方法
DE102007033701A1 (de) * 2007-07-14 2009-01-22 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Anordnung zur Reinigung von optischen Oberflächen in plasmabasierten Strahlungsquellen
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
US9019466B2 (en) 2007-07-24 2015-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, reflective member and a method of irradiating the underside of a liquid supply system
US11311917B2 (en) 2007-08-09 2022-04-26 Bruker Nano, Inc. Apparatus and method for contamination identification
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
NL1036273A1 (nl) * 2007-12-18 2009-06-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus.
NL1036306A1 (nl) 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
US8339572B2 (en) 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036571A1 (nl) * 2008-03-07 2009-09-08 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Methods.
JP2010044030A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Fujitsu Ltd レーザクリーニング装置およびレーザクリーニング方法
GB0815774D0 (en) * 2008-08-29 2008-10-08 Univ St Andrews Optical manipulation
TWI426964B (zh) * 2008-09-17 2014-02-21 Hitachi High Tech Corp Organic EL mask cleaning device, organic EL display manufacturing device, organic EL display and organic EL mask cleaning method
JP5531261B2 (ja) * 2009-03-27 2014-06-25 国立大学法人 千葉大学 レーザー加工方法、円偏光光渦レーザービームを用いたレーザー加工方法、針状体を有する部材の製造方法、および針状体を有する部材
US20120081120A1 (en) * 2009-06-19 2012-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hyperpolarisation device using photons with orbital angular momentum
JP5702164B2 (ja) * 2010-03-18 2015-04-15 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置
US10051240B2 (en) 2010-06-14 2018-08-14 Howard Hughes Medical Institute Structured plane illumination microscopy
US8711211B2 (en) * 2010-06-14 2014-04-29 Howard Hughes Medical Institute Bessel beam plane illumination microscope
US8815739B2 (en) 2012-07-10 2014-08-26 Globalfoundries Inc. FinFET device with a graphene gate electrode and methods of forming same
AT13792U1 (de) * 2012-07-11 2014-08-15 High Q Laser Gmbh Laserstrahlführungsanordnung, Laserstrahlführungselement und Verfahren zur Strahlführung von Laserstrahlung
US9991090B2 (en) 2012-11-15 2018-06-05 Fei Company Dual laser beam system used with an electron microscope and FIB
US8869075B2 (en) 2012-12-18 2014-10-21 Globalfoundries Inc. Locally optimized coloring for cleaning lithographic hotspots
US10100393B2 (en) 2013-02-21 2018-10-16 Nlight, Inc. Laser patterning of multi-layer structures
US9440313B2 (en) * 2013-03-12 2016-09-13 Serenity Data Security, Llc Hard drive data destroying device
CN103698965B (zh) * 2013-12-12 2015-07-08 苏州佳世达光电有限公司 一种投影装置
CN103941541B (zh) * 2014-04-11 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板污染区域的位置标识方法和装置
US10069271B2 (en) 2014-06-02 2018-09-04 Nlight, Inc. Scalable high power fiber laser
US10618131B2 (en) 2014-06-05 2020-04-14 Nlight, Inc. Laser patterning skew correction
US10451902B2 (en) * 2014-08-08 2019-10-22 Nxgen Partners Ip, Llc Suppression of electron-hole recombination using orbital angular momentum semiconductor devices
US9837783B2 (en) 2015-01-26 2017-12-05 Nlight, Inc. High-power, single-mode fiber sources
NL2014262B1 (en) * 2015-02-09 2016-10-13 Stichting Vu Apparatus and method for controlling a plurality of optical traps.
US10050404B2 (en) 2015-03-26 2018-08-14 Nlight, Inc. Fiber source with cascaded gain stages and/or multimode delivery fiber with low splice loss
EP3278166A2 (en) 2015-03-31 2018-02-07 Samantree Medical SA Systems and methods for in-operating-theatre imaging of fresh tissue resected during surgery for pathology assessment
BR112017027975A2 (pt) * 2015-06-24 2018-08-28 University Of Dundee método e aparelho para redução de rendimento, e, superfície tratada a laser
GB201603991D0 (en) 2016-03-08 2016-04-20 Univ Dundee Processing method and apparatus
CN107924023B (zh) 2015-07-08 2020-12-01 恩耐公司 具有用于增加的光束参数乘积的中心折射率受抑制的纤维
US10726353B2 (en) 2015-08-03 2020-07-28 Nxgen Partners Ip, Llc Quantum mechanical framework for interaction of OAM with matter and applications in solid states, biosciences and quantum computing
CN108367389B (zh) 2015-11-23 2020-07-28 恩耐公司 激光加工方法和装置
US11179807B2 (en) 2015-11-23 2021-11-23 Nlight, Inc. Fine-scale temporal control for laser material processing
WO2017127573A1 (en) 2016-01-19 2017-07-27 Nlight, Inc. Method of processing calibration data in 3d laser scanner systems
CN105759074B (zh) * 2016-03-07 2018-12-25 浙江大学 一种光悬浮式微球的起支方法及装置
US10071400B2 (en) * 2016-06-20 2018-09-11 Texas Instruments Incorporated Ultrasonic lens cleaning with travelling wave excitation
EP3519871A1 (en) * 2016-09-29 2019-08-07 NLIGHT, Inc. Adjustable beam characteristics
US10730785B2 (en) 2016-09-29 2020-08-04 Nlight, Inc. Optical fiber bending mechanisms
US10690928B2 (en) * 2016-09-29 2020-06-23 Nlight, Inc. Methods of and systems for heat deposition in additive manufacturing
US10673198B2 (en) 2016-09-29 2020-06-02 Nlight, Inc. Fiber-coupled laser with time varying beam characteristics
US10673199B2 (en) 2016-09-29 2020-06-02 Nlight, Inc. Fiber-based saturable absorber
US10656427B2 (en) * 2016-09-29 2020-05-19 Nlight, Inc. Multicore fiber-coupled optical probing techniques
US10673197B2 (en) 2016-09-29 2020-06-02 Nlight, Inc. Fiber-based optical modulator
EP3525943B1 (en) * 2016-10-17 2020-07-08 ABB Schweiz AG Cleaning device and method for controlling a laser focus inside a fluid beam, and a system including the cleaning device
US10682675B2 (en) * 2016-11-01 2020-06-16 Texas Instruments Incorporated Ultrasonic lens cleaning system with impedance monitoring to detect faults or degradation
US11237387B2 (en) 2016-12-05 2022-02-01 Texas Instruments Incorporated Ultrasonic lens cleaning system with foreign material detection
US10663418B2 (en) 2017-02-03 2020-05-26 Texas Instruments Incorporated Transducer temperature sensing
CN106935307B (zh) * 2017-02-18 2018-07-06 浙江大学 基于脉冲激光的精确控制微球进行光悬浮的方法及装置
US11420238B2 (en) 2017-02-27 2022-08-23 Texas Instruments Incorporated Transducer-induced heating-facilitated cleaning
CN110651218B (zh) 2017-04-04 2022-03-01 恩耐公司 用于检流计扫描仪校准的设备、系统和方法
US11607704B2 (en) 2017-04-20 2023-03-21 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for electrostatic control of expelled material for lens cleaners
US10908414B2 (en) 2017-05-10 2021-02-02 Texas Instruments Incorporated Lens cleaning via electrowetting
CN109148259A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种砷化镓衬底的表面处理方法
CN109148650B (zh) * 2017-06-28 2020-11-27 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法
US10539776B2 (en) 2017-10-31 2020-01-21 Samantree Medical Sa Imaging systems with micro optical element arrays and methods of specimen imaging
US10928621B2 (en) 2017-10-31 2021-02-23 Samantree Medical Sa Sample dishes for use in microscopy and methods of their use
US11747603B2 (en) 2017-10-31 2023-09-05 Samantree Medical Sa Imaging systems with micro optical element arrays and methods of specimen imaging
CN107890710B8 (zh) * 2017-11-03 2024-01-05 堃昊电子科技(江苏)有限公司 一种基于超声波清洗的dpf清理装置
CN108801919A (zh) * 2018-07-08 2018-11-13 苏州美丽澄电子技术有限公司 一种用于微观防伪瓷器的光镊装置
US11239001B2 (en) * 2018-09-27 2022-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd Method for generating extreme ultraviolet radiation and an extreme ultraviolet (EUV) radiation source
CN111256278B (zh) * 2018-11-30 2023-05-23 青岛海高设计制造有限公司 蒸汽自清洁方法及装置、空调器
CN111256273B (zh) * 2018-11-30 2023-05-23 青岛海高设计制造有限公司 蒸汽自清洁方法及装置、空调器
CN111256274B (zh) * 2018-11-30 2023-05-23 青岛海高设计制造有限公司 蒸汽自清洁方法及装置、空调器
CN111256277B (zh) * 2018-11-30 2023-05-23 青岛海高设计制造有限公司 蒸汽自清洁方法及装置、空调器
CN114040820A (zh) * 2019-07-02 2022-02-11 恩特格里斯公司 使用激光能量从表面移除粒子的方法
US11145427B2 (en) * 2019-07-31 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Tool and method for particle removal
CN113385486B (zh) * 2020-03-11 2022-09-02 山东省科学院激光研究所 一种基于线结构光的激光清洗路径自动生成系统及方法
CN112993120A (zh) * 2020-08-14 2021-06-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 微器件的转移方法和转移系统
DE102020007017B4 (de) 2020-11-12 2022-10-06 Hochschule Mittweida (Fh) Verfahren zur Entfernung von Schmutzablagerungen an wenigstens einer geometrischen und mittels einer Mikrotechnik und/oder Nanotechnik hergestellten Struktur wenigstens eines Körpers und Verwendung eines ultrakurz gepulsten Lasers mit Pulsen im Burst-Modus
CN112296014A (zh) * 2020-11-24 2021-02-02 西北工业大学 一种声涡旋超声清洗装置
DE102020132282B3 (de) 2020-12-04 2022-02-24 Physik Instrumente (PI) GmbH & Co KG Reibkontaktmotor mit einem Lichtelement zum Emittieren von Laserstrahlen
US20220308464A1 (en) * 2021-03-26 2022-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and device for cleaning substrates
US11822231B2 (en) 2021-03-30 2023-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for removing particles from pellicle and photomask
KR102495226B1 (ko) * 2021-08-20 2023-02-06 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크용 기판의 세정방법, 블랭크 마스크용 기판 및 이를 포함하는 블랭크 마스크

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07110340B2 (ja) * 1991-05-09 1995-11-29 新技術事業団 レーザートラッピング方法
IL127720A0 (en) * 1998-12-24 1999-10-28 Oramir Semiconductor Ltd Local particle cleaning
US6784420B2 (en) * 2000-11-13 2004-08-31 Genoptix, Inc. Method of separating particles using an optical gradient
US6737634B2 (en) * 2002-01-16 2004-05-18 The University Of Chicago Use of multiple optical vortices for pumping, mixing and sorting
JP2005007530A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Fuji Photo Film Co Ltd 光ピンセット装置
US7492948B2 (en) 2003-06-26 2009-02-17 Denmarks Tekniske Universitet Generation of a desired wavefront with a plurality of phase contrast filters
US6943062B2 (en) * 2003-10-20 2005-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Contaminant particle removal by optical tweezers
KR100433174B1 (ko) 2003-10-23 2004-05-28 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 방사노즐 건식세정 장치 및 방법
JP2005268358A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Nikon Corp ミラーの洗浄装置及び照明光学装置
ATE373839T1 (de) 2004-03-31 2007-10-15 Univ Danmarks Tekniske Erzeugung eines gewünschten dreidimensionalen elektromagnetischen feldes
US20060077361A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Michael Sogard Means of removing particles from a membrane mask in a vacuum
JP2006114650A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Canon Inc 露光装置、走査露光装置、デバイス製造方法、原版のクリーニング方法、および原版
JP4681849B2 (ja) * 2004-10-22 2011-05-11 キヤノン株式会社 除去装置、当該除去装置を有する露光装置、デバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1850182A3 (en) 2009-07-15
JP2007300096A (ja) 2007-11-15
TWI364630B (en) 2012-05-21
US20070251543A1 (en) 2007-11-01
SG136912A1 (en) 2007-11-29
EP1850182A2 (en) 2007-10-31
CN101063830B (zh) 2013-04-10
KR100874736B1 (ko) 2008-12-19
TW200745782A (en) 2007-12-16
CN101063830A (zh) 2007-10-31
US7628865B2 (en) 2009-12-08
JP4727618B2 (ja) 2011-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100874736B1 (ko) 표면 세정 방법, 디바이스 제조방법, 세정 조립체, 세정장치 및 리소그래피 장치
JP6882420B2 (ja) 基板ホルダ及び基板ホルダ製造方法
US6856376B2 (en) Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP5535194B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法
JP2010045392A (ja) リソグラフィ装置、クリーニング・システム、及びリソグラフィ装置の部品から、その場で汚染物を取り除くクリーニング方法
US11048175B2 (en) Apparatus for and method cleaning a support inside a lithography apparatus
JP5331806B2 (ja) デブリ防止システムおよびリソグラフィ装置
EP1329773A2 (en) Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method
KR20120101982A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US7379151B2 (en) Exposure apparatus comprising cleaning apparatus for cleaning mask with laser beam
US7508494B2 (en) Lithographic apparatus and a subtrate table for exciting a shockwave in a substrate
KR102656123B1 (ko) 결함 최적화를 위한 레티클 배치의 제어
US11550231B2 (en) Apparatus for and method of in-situ particle removal in a lithography apparatus
US20220066332A1 (en) Apparatus and method for cleaning a support structure in a lighographic system
NL2009725A (en) Cleaning a support that holds a patterning device inside a lithography apparatus.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141201

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee