KR20070093380A - 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이렌즈 - Google Patents
리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이렌즈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070093380A KR20070093380A KR1020070084443A KR20070084443A KR20070093380A KR 20070093380 A KR20070093380 A KR 20070093380A KR 1020070084443 A KR1020070084443 A KR 1020070084443A KR 20070084443 A KR20070084443 A KR 20070084443A KR 20070093380 A KR20070093380 A KR 20070093380A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lens
- lens group
- lenses
- relay
- relay lens
- Prior art date
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title abstract description 7
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000001179 pupillary effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B9/00—Optical objectives characterised both by the number of the components and their arrangements according to their sign, i.e. + or -
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
- G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/22—Telecentric objectives or lens systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/24—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for reproducing or copying at short object distances
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (13)
- 리소그래피 시스템의 구획 평면(delimiter plane)과 패턴 생성자 평면(pattern generator plane) 사이에 위치하는 릴레이 렌즈 시스템에 있어서,수신된 방사빔(beam of radiation)의 개구수(numerical aperture)를 감소시키는 세 개의 렌즈 - 상기 세 개의 렌즈는 적어도 두 개의 비구면 표면을 포함함 - 를 포함하는 제1 렌즈군;상기 제1 렌즈군으로부터 상기 방사빔을 수신하고, 동공 평면(pupil plane)에서 상기 방사빔의 특성들을 제어하는 적어도 하나의 렌즈를 갖는 제2 렌즈군;상기 제2 렌즈군으로부터 상기 방사빔을 수신하고, 패터닝 장치 평면(patterning device plane)에서 상기 방사빔의 필드 특성들을 제어하는, 단일 굴절률을 갖는 단일 물질로 이루어진 단일 렌즈로 구성되는 제3 렌즈군;상기 제1 및 제2 렌즈군들 사이에 위치하는 구경 조리개(aperture stop); 및상기 제2 및 제3 렌즈군들 사이에 위치하는 폴드 미러(fold mirror)를 포함하는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 렌즈군은 2개의 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 렌즈군은 3개의 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 렌즈군의 상기 3개의 렌즈 중의 적어도 하나는 메니스커스 렌즈(meniscus lens)인 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 렌즈군의 상기 3개의 렌즈 중의 적어도 2개는 양면이 볼록한 렌즈(biconvex lens)인 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제5항에 있어서, 상기 2개의 양면이 볼록한 렌즈 중의 하나는 비구면 표면(ashperical surface)을 갖는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 렌즈군의 적어도 하나의 렌즈는 적어도 하나의 비구면 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 렌즈군의 적어도 하나의 렌즈는 적어도 하나의 볼록 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제3 렌즈군의 상기 단일 렌즈는 두 개의 구면 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 제1 렌즈군 이전에 위치하는 광원; 및상기 패턴 생성자 표면의 상기 제3 렌즈군 이후에 위치하는 패턴 생성자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 렌즈군에 의해 제어되는 상기 특성들은 동공 수차 보정(pupil aberration correction), 동공 형상 보정(pupil shape correction), 타원율 보정(ellipticity correction) 및 텔렉센트릭성 보정(telecentricity correction) 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제3 렌즈군에 의해 제어되는 상기 필드 특성들은 상기 패턴 생성자 평면에서의 바람직한 필드 크기 생성 및 텔렉센트릭성 보정 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
- 3개의 렌즈 - 상기 세 개의 렌즈는 적어도 두 개의 비구면 표면을 포함함 - 를 포함하는 제1 렌즈군;2개 또는 3개의 렌즈를 포함하는 제2 렌즈군;단일 굴절률을 갖는 단일 물질로 이루어지고, 구면 수광 표면(spherical receiving surface) 및 비구면 발광 표면(aspherical transmitting surface)을 갖 는 단일 렌즈로 구성되는 제3 렌즈군;상기 제1 및 제2 렌즈군들 사이에 위치하는 구경 조리개; 및상기 제2 및 제3 렌즈군들 사이에 위치하는 폴드 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 릴레이 렌즈 시스템.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US39424402P | 2002-07-09 | 2002-07-09 | |
US60/394,244 | 2002-07-09 | ||
US10/607,193 | 2003-06-27 | ||
US10/607,193 US7289277B2 (en) | 2002-07-09 | 2003-06-27 | Relay lens used in an illumination system of a lithography system |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030046329A Division KR20040005677A (ko) | 2002-07-09 | 2003-07-09 | 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이 렌즈 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070093380A true KR20070093380A (ko) | 2007-09-18 |
KR100888011B1 KR100888011B1 (ko) | 2009-03-09 |
Family
ID=29740281
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030046329A KR20040005677A (ko) | 2002-07-09 | 2003-07-09 | 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이 렌즈 |
KR1020070084443A KR100888011B1 (ko) | 2002-07-09 | 2007-08-22 | 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이렌즈 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030046329A KR20040005677A (ko) | 2002-07-09 | 2003-07-09 | 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이 렌즈 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7289277B2 (ko) |
EP (1) | EP1380871B1 (ko) |
JP (1) | JP4159936B2 (ko) |
KR (2) | KR20040005677A (ko) |
CN (1) | CN1328608C (ko) |
DE (1) | DE60306042T2 (ko) |
SG (1) | SG105008A1 (ko) |
TW (1) | TWI301564B (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100426462C (zh) * | 2005-02-03 | 2008-10-15 | 日立笠户机械股份有限公司 | 图案形成方法 |
CN100388014C (zh) * | 2005-05-16 | 2008-05-14 | 中强光电股份有限公司 | 侧向照明式透镜组 |
GB0800677D0 (en) * | 2008-01-16 | 2008-02-20 | Zeiss Carl Smt Ag | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
CN103293863B (zh) * | 2012-02-24 | 2015-11-18 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻照明系统 |
CN104777609B (zh) * | 2015-04-03 | 2018-07-13 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光刻机照明光瞳偏振态测量用光学系统 |
US11442254B2 (en) | 2019-04-05 | 2022-09-13 | Inner Ray, Inc. | Augmented reality projection device |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US36832A (en) * | 1862-11-04 | Improvement in friction-couplings | ||
JPH03230112A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Minolta Camera Co Ltd | 投影レンズ系 |
US5402267A (en) | 1991-02-08 | 1995-03-28 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric reduction objective |
USRE38438E1 (en) * | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
US6680803B2 (en) * | 1996-12-21 | 2004-01-20 | Carl-Zeiss Smt Ag | Partial objective in an illuminating systems |
DE19653983A1 (de) * | 1996-12-21 | 1998-06-25 | Zeiss Carl Fa | REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
US5969882A (en) | 1997-04-01 | 1999-10-19 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
WO1999025008A1 (fr) * | 1997-11-07 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition par projection, procede d'exposition par projection, et procede de fabrication d'un dispositif d'exposition par projection |
JP2000143278A (ja) | 1998-11-10 | 2000-05-23 | Nikon Corp | 耐久性の向上された投影露光装置及び結像光学系の製造方法 |
JP4432153B2 (ja) * | 1999-08-03 | 2010-03-17 | 株式会社ニコン | ズームレンズ |
EP1115019A3 (en) | 1999-12-29 | 2004-07-28 | Carl Zeiss | Projection exposure lens with aspheric elements |
JP2002055277A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Nikon Corp | リレー結像光学系、および該光学系を備えた照明光学装置並びに露光装置 |
DE10113612A1 (de) | 2001-02-23 | 2002-09-05 | Zeiss Carl | Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem |
JP3985937B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2007-10-03 | オリンパス株式会社 | 蛍光用顕微鏡対物レンズ |
-
2003
- 2003-06-27 US US10/607,193 patent/US7289277B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-08 TW TW092118620A patent/TWI301564B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-09 JP JP2003194430A patent/JP4159936B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-09 SG SG200304198A patent/SG105008A1/en unknown
- 2003-07-09 CN CNB031474225A patent/CN1328608C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-09 EP EP03015468A patent/EP1380871B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-09 DE DE60306042T patent/DE60306042T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-09 KR KR1020030046329A patent/KR20040005677A/ko active Search and Examination
-
2007
- 2007-08-22 KR KR1020070084443A patent/KR100888011B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1328608C (zh) | 2007-07-25 |
EP1380871B1 (en) | 2006-06-14 |
US7289277B2 (en) | 2007-10-30 |
US20040008408A1 (en) | 2004-01-15 |
JP2004046189A (ja) | 2004-02-12 |
JP4159936B2 (ja) | 2008-10-01 |
DE60306042D1 (de) | 2006-07-27 |
EP1380871A3 (en) | 2004-03-03 |
KR20040005677A (ko) | 2004-01-16 |
TW200500819A (en) | 2005-01-01 |
TWI301564B (en) | 2008-10-01 |
DE60306042T2 (de) | 2006-11-02 |
SG105008A1 (en) | 2004-07-30 |
KR100888011B1 (ko) | 2009-03-09 |
CN1495461A (zh) | 2004-05-12 |
EP1380871A2 (en) | 2004-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100615068B1 (ko) | 반사 굴절 광학 시스템 및 이를 구비하는 노광 장치 | |
KR101500784B1 (ko) | 색 보정된 반사굴절 대물부 및 이를 포함하는 투영 노광 장치 | |
USRE38421E1 (en) | Exposure apparatus having catadioptric projection optical system | |
US6366410B1 (en) | Reticular objective for microlithography-projection exposure installations | |
US6213610B1 (en) | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same | |
KR100451339B1 (ko) | 높은개구수의링필드광학축소시스템 | |
JP3747958B2 (ja) | 反射屈折光学系 | |
US5675401A (en) | Illuminating arrangement including a zoom objective incorporating two axicons | |
CA2045944C (en) | Field compensated lens | |
US6717746B2 (en) | Catadioptric reduction lens | |
US6349005B1 (en) | Microlithographic reduction objective, projection exposure equipment and process | |
JP5396673B2 (ja) | 投影露光装置、投影露光方法及び投影対物レンズ | |
JP5106099B2 (ja) | 投影対物レンズ、マイクロリソグラフィのための投影露光装置及び反射レチクル | |
KR100485376B1 (ko) | 투영광학계와이를구비하는노광장치,및디바이스제조방법 | |
JP2000031041A (ja) | 縮小オブジェクティブ | |
KR100888011B1 (ko) | 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이렌즈 | |
US5891806A (en) | Proximity-type microlithography apparatus and method | |
JPH1010429A (ja) | 2回結像光学系 | |
TW202333001A (zh) | 投影透鏡、投影曝光裝置及投影曝光方法 | |
TW202334759A (zh) | 投影透鏡、投影曝光裝置及投影曝光方法 | |
Lin et al. | Optical Design of i-Line Stepper for Microlithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140221 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150223 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160222 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170224 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180223 Year of fee payment: 10 |