KR20070090531A - 플라즈마 에칭장치 및 플라즈마 처리실 내 부재의 형성방법 - Google Patents
플라즈마 에칭장치 및 플라즈마 처리실 내 부재의 형성방법 Download PDFInfo
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- 플라즈마를 이용하여 처리실 내에서 피처리물을 에칭 처리하는 플라즈마 에칭 처리장치에 있어서,상기 플라즈마가 접촉하는 처리실 내벽을 피복하는 용사피막과,상기 처리실 내벽의 기재의 조면 처리된 표면과 상기 용사피막과의 사이에 형성된 5㎛ 이하의 두께의 배리어막을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항에 있어서,상기 조면 처리된 상기 기재의 표면은 5㎛∼10㎛의 평균 거칠기를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항에 있어서,상기 기재가 알루미늄 또는 알루미늄 합금이고, 상기 배리어막으로서 상기 기재의 표면에 알루마이트층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항에 있어서,상기 기재가 스테인리스강이고,상기 배리어막은, 도금막, 스퍼터막 또는 CVD 막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항에 있어서,상기 기재가, 석영인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항에 있어서,상기 용사피막의 재료는, Y2O3, Gd203, Yb2O3, YF3 중 어느 1 종류 또는 2 종류 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 제 3항에 있어서,상기 배리어막의 두께는 0.1㎛∼5㎛ 이고,상기 용사피막의 재료는, Y2O3또는 YF3으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 플라즈마를 이용하여 처리실 내에서 피처리물을 에칭 처리하는 플라즈마 에칭 처리장치에 있어서,상기 처리실은, 상기 처리실의 측벽부를 구성하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금제의 원통 챔버 및 상기 원통 챔버 내에 착탈 가능하게 유지된 원통형상의 어스 커버를 포함하고,상기 어스 커버를 구성하는 기재가 알루미늄 또는 알루미늄 합금이고,상기 어스 커버는, 조면 처리된 상기 기재 표면에 형성된 두께 5㎛ 이하의 알루마이트층과, 상기 알루마이트층 위에 형성된 내플라즈마성 부재로 이루어지는 용사피막을 구비하고,상기 어스 커버는 상기 원통 챔버 내에 착탈 가능하게 유지되어 있고,상기 어스 커버와 상기 원통 챔버의 간극에 온도 조절용 가스를 공급하는 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 제 8항에 있어서,상기 어스 커버는 상기 기재의 전 표면에 알루마이트층이 형성되어 있고,상기 어스 커버의 상기 처리실 내에서 상기 플라즈마에 면하는 영역에, 두께 0.1㎛∼5㎛의 상기 알루마이트층과, 상기 내플라즈마성 부재로 이루어지는 상기 용사피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
- 플라즈마를 이용하여 처리실 내에서 피처리물을 에칭 처리하는 플라즈마 에칭 처리장치에 있어서의 처리실의 내벽을 형성하는 플라즈마처리실 내벽의 형성방법에 있어서,상기 처리실 내벽의 기재 표면을 조면화 처리하고,상기 조면화된 상기 처리실 내벽의 기재 표면에 두께 5㎛ 이하의 배리어막을 형성하고,상기 배리어막 위에 내플라즈마성의 용사피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리실 내벽의 형성방법.
- 제 10항에 있어서,상기 기재의 표면을 블라스트처리 또는 연삭처리로 5㎛∼10㎛의 평균 거칠기로 조면화한 후,상기 기재의 표면에 도금, 양극 산화, CVD 또는 PVD 중 어느 하나의 방법에 의해 상기 배리어막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리실 내벽의 형성방법.
- 제 10항에 있어서,상기 기재가 알루미늄 또는 알루미늄 합금이고,상기 배리어막으로서 0.1㎛∼5㎛의 양극 산화막을 형성하고,Y2O3, Gd2O3, Yb203, YF3 중 어느 1 종류 또는 2 종류 이상으로 구성되는 재료에 의해 상기 용사피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리실 내벽의 형성방법.
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