TW202327407A - 用於電容耦合腔室的被覆部件 - Google Patents
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Abstract
提供一種用於處理基板的設備。一電容耦合電漿電極在一電容耦合電漿處理腔室內。一電漿限制部件在該電容耦合電漿處理腔室內，其中該電容耦合電漿電極和電漿限制部件中之至少一者包含：一金屬部件主體，其具有一面向電漿表面；及一電漿噴塗層，其在該面向電漿表面的上方。
Description
[相關申請案的交互參照]本申請案主張以下優先權：美國專利申請案第63/277,282號，申請於2021年11月9日，上述申請案係為了所有之目的藉由參照方式於此納入。
本揭露係關於電容耦合電漿處理裝置。更具體地，本揭露關於用於電容耦合電漿處理裝置的部件或提供該部件的方法。
此處所提供之先前技術說明係為了大體上介紹本發明之背景。在此先前技術章節所敘述之資訊，以及在申請時不適格作為先前技術之說明書的實施態樣，皆非有意地或暗示地被承認為對抗本發明之先前技術。
電容耦合電漿處理裝置具有面向電漿表面，其承受腐蝕該面向電漿表面之電壓。因此，許多電容耦合電漿處理裝置具有矽的面向電漿表面，因為矽的侵蝕形成不會汙染處理的揮發性副產物。面向電漿表面的侵蝕需要定期更換電容耦合電漿處理裝置的部件。此外，面向電漿表面的侵蝕導致處理漂移。
為了實現前述之目的且根據本揭露之目的，提供一種用於處理基板的設備。一電容耦合電漿電極在一電容耦合電漿處理腔室內。一電漿限制部件在該電容耦合電漿處理腔室內，其中該電容耦合電漿電極和電漿限制部件中之至少一者包含：一金屬部件主體，其具有一面向電漿表面；及一電漿噴塗層，其在該面向電漿表面的上方。
在另一表現形式中，一方法提供用於形成和使用電容耦合電漿處理腔室之電漿限制部件。一金屬部件主體具有一面向電漿表面。在該面向電漿表面上電漿噴塗一塗層。
以下將結合附隨圖示並在實施方式中，更詳細地描述本揭露的此些與其他特徵。
本揭露內容現將參照如附圖所示之若干較佳實施例而詳細敘述。為了提供對本發明的徹底理解，在以下的敘述中，說明了大量的特定細節。然而，對於熟悉本技藝者係可清楚瞭解，在毋須若干或全部此等特定細節之情況下即可實行本揭露內容。在其他的範例中，為了不使本揭露內容晦澀難懂，習知的處理步驟及/或結構未被詳細敘述。
電容耦合電漿(CCP)處理裝置具有面向電漿表面，其承受腐蝕面向電漿表面的電壓。因此，許多電漿處理裝置具有矽的面向電漿表面，因為矽的侵蝕形成揮發性副產物，其可被抽走而不汙染處理。面向電漿表面的侵蝕需要定期更換電容耦合電漿處理裝置的部件且該侵蝕導致處理漂移。
此外，矽表面的粗糙度不易控制和維持。如果可以控制和維持部件的面向電漿表面之表面粗糙度，則可調整表面粗糙度以增加沉積物在表面上的附著性。如此的沉積物可能是由電漿處理形成的聚合物副產物。表面上之沉積物附著性的增加減少了來自沉積物的剝落和汙染，因此減少了缺陷。
在電感耦合電漿處理腔室中，塗層承受的電壓比CCP處理腔室中的塗層低得多。因為CCP處理腔室中的部件承受在從100 eV到400 eV範圍內之高得多的電壓，所以預期部件的面向電漿表面將被侵蝕。
鋁為用於形成腔室元件的重量輕、不昂貴、且導電的材料。然而，鋁可能是增加所得半導體裝置中之缺陷的汙染物。由於預期CCP電漿處理腔室的面向電漿表面將被侵蝕，因此對於CCP處理腔室已避免了具有面向電漿表面的含鋁部件。
之前避免使用含氧化釔之塗層(用以保護電容耦合電漿處理裝置的部件)，因為承受高電壓的含氧化釔塗層會受侵蝕而形成氧化釔顆粒，由於氧化釔不形成揮發性副產物。如此的氧化釔顆粒會汙染電漿處理。此外，氧化釔暴露於含氟電漿可能導致氧化釔被侵蝕。
CCP處理腔室具有電漿限制部件。如此的電漿限制部件具有有助於限制和/或引導電漿流的面向電漿表面。如此的電漿限制部件可包括電極、限制環、和各種類型的襯墊，例如高流量襯墊和/或C形護罩。對於CCP處理腔室，若干電漿限制部件由矽製成並且為消耗部件，因為電漿會侵蝕矽。部件的侵蝕導致處理漂移並增加持有成本，因為必須更換消耗部件。此外，部件的表面粗糙度隨著部件被侵蝕而改變。一實施例提供具有更抗蝕刻的電漿限制部件之CCP處理腔室。用於電容耦合的電極也可能暴露於電漿並承受侵蝕和副產物沉積。當電極在基板上方時，沉積在電極上的副產物可能剝落並落在基板上，從而提供汙染物。
為了幫助了解，圖1為一實施例的流程圖。提供諸如鋁的金屬部件主體(步驟104)。鋁部件主體由純鋁或鋁合金製成，例如鋁6061。在一範例中，圖2A是部件208的鋁部件主體204之局部橫截面示意圖。在此範例中，鋁部件主體204是CCP處理系統的C形護罩之一部分。鋁部件主體204由鋁6061製成。鋁部件主體204具有面向電漿表面212。面向電漿表面212的可選之噴砂可用於增加面向電漿表面212的附著性。
接著，在鋁部件主體204的面向電漿表面212上形成未密封的陽極氧化層(步驟108)。在此實施例中，未密封陽極氧化層的形成(步驟108)包括第III型陽極氧化處理(也稱為硬質陽極氧化或硬塗層陽極氧化)，其中鋁部件主體204在0
oC至3
oC的溫度下承受硫酸浴和高電壓(高達100V)而形成氧化物或「陽極氧化」層。硬質陽極氧化處理產生陽極氧化層224，如圖2B所示，其厚度高達或大於約50μm。陽極氧化層224未按比例顯示，以便更好地繪示陽極氧化層224。在此實施例中，在陽極氧化之後沒有進行水密封或其他水熱或沉澱方法，因為如此的密封因電漿處理而破裂或退化的可能性更高。
在若干實施例中，陽極氧化層224至少為10μm且可厚達100μm。在其他實施例中，陽極氧化層224具有在20μm和50μm範圍內的厚度。在進一步的實施例中，陽極氧化層224具有在25μm和35μm範圍內的厚度。
根據一實施例，陽極氧化層224是氧化鋁層，其氧化鋁純度至少為99質量%。根據另一實施例，陽極氧化層224是氧化鋁層，其氧化鋁純度至少為99.5質量%。根據又另一實施例，陽極氧化層224是氧化鋁層，其氧化鋁純度至少為99.9質量%。陽極氧化層224的孔隙率不超過0.5體積%。在若干實施例中，陽極氧化層224的孔隙率在0.1體積%至0.5體積%的範圍內。
接著，電漿噴塗層沉積在未密封陽極氧化層上(步驟112)。在該實施例中，電漿噴塗層形成氧化釔鋁塗層。電漿噴塗，也稱為熱噴塗，是一種塗佈處理，其透過在兩個電極之間施加電位來形成焊炬，從而導致加速氣體的離子化(電漿)。此種類型的焊炬可很容易達到數千攝氏度的溫度，液化高熔點材料，例如陶瓷。在電漿噴塗頭中，所欲材料的顆粒，在該實施例中為氧化釔鋁粉末，被注入噴流中、熔化，接著朝向基板加速，使得熔化或塑化的材料塗覆部件的表面並冷卻，形成堅固的保形塗層。此些處理不同於使用汽化材料而非熔融材料的氣相沉積處理。在此實施例中，電漿噴塗層包含結晶和非晶釔鋁石榴石(Y
3Al
5O
12(YAG))的混合物。在若干實施例中，電漿噴塗層還包括釔鋁單斜晶系(Y
4Al
2O
9(YAM))或釔鋁鈣鈦礦(YAlO
3(YAP))。通常，氧化釔鋁塗層可為任何氧化釔鋁材料，例如YAG、YAM、和YAP中之至少一者。
圖2C是具有陽極氧化層224和陽極氧化層224上的電漿噴塗層228之部件208的鋁部件主體204的局部橫截面示意圖。在此實施例中，電漿噴塗層228的厚度為50μm至200μm(包括端點值)且粗糙度為2μm至10μm RA(包括端點值)。
在使用電漿噴塗將電漿噴塗層228沉積在面向電漿表面212上之後，部件208可進行額外的處理，例如清潔(步驟114)。在若干實施例中，清潔可為濕式清潔、噴砂、或提供能量(例如超音波或超音波振盪)之至少一者。在此實施例中，部件208附接到另一部件以形成C形護罩。圖2D是具有陽極氧化層224和陽極氧化層224上的電漿噴塗層228之部件208的鋁部件主體204之局部橫截面示意圖，其機械連接到第二C形護罩部件240。第二C形護罩部件240是底部C形護罩部件。在此實施例中，第二C形護罩部件240包括鋁部件主體244。在鋁部件主體244的面向電漿表面上形成陽極氧化層248。電漿噴塗層252沉積在陽極氧化層248上。在將部件208機械連接到第二C形護罩部件240之前，塗覆電漿噴塗層272，以允許電漿噴塗頭能夠接近而塗覆電漿噴塗層。
在此實施例中，一或更多螺栓256用於將部件208機械連接到第二C形護罩部件240。凸塊258放置在部件208附接到第二C形護罩部件240的位置前面。凸塊258防止電漿區域與部件208和第二C形護罩部件之間的接縫之間的視線間隙。第二C形護罩部件240的非面向電漿表面是裸露表面260。裸露表面260用於將鋁部件主體244電連接到地。部件208的部分非面向電漿表面也是裸露的，以便將鋁部件主體204接地。
在此實施例中，第二C形護罩部件240具有複數孔。圖2D示出孔264的橫截面圖。孔264被設計為允許處理氣體、離子、和可能的若干電漿從電漿區域流到排氣裝置。孔可為狹槽或孔洞。對於鋁部件主體244，可在鋁部件主體244中形成具有高深對寬的深寬比之小孔洞。在此實施例中，孔264的側壁塗覆了陽極氧化層248和電漿噴塗層252，形成孔側壁塗層268。電漿噴塗方法可能不足以塗覆孔的側壁。如此的電漿噴塗可能提供較靠近電漿噴塗源的較厚塗層和較遠離電漿噴塗源的較薄塗層或無塗層。在此實施例中，從面向電漿表面側和面向電漿表面的相對側兩者塗覆電漿噴塗層。因此，電漿噴塗層272形成在第二C形護罩部件240的非面向電漿表面上。遮罩可用於提供裸露表面260。在諸多實施例中，孔264可具有在0.01至5mm範圍內的寬度。在其他實施例中，孔的寬度可在2至10mm的範圍內。在其他實施例中，非面向電漿表面未被塗覆。在若干實施例中，非面向電漿表面的部分未被塗覆而是被陽極氧化，非面向電漿表面的其他部分也是裸露的。
將部件208安裝在CCP處理腔室中(步驟116)。圖3是可以安裝該部件的電漿處理系統之示意圖。在一或更多實施例中，電漿處理系統300包括提供氣體入口的氣體分配板306和靜電吸盤(ESC)308，其位於由腔室壁350封閉的CCP處理腔室309內。在CCP處理腔室309內，基板307位於ESC 308的頂部上。ESC 308作用為基板支撐件。ESC 308可提供來自ESC源348的偏壓。氣體源310通過氣體分配板306連接到CCP處理腔室309。ESC溫度控制器351連接到ESC 308並提供ESC 308之溫度控制。在此範例中，第一連接件313向內部加熱器311提供電力以加熱ESC 308的內部區域。第二連接件314向外部加熱器312提供電力以加熱ESC 308的外部區域。RF源330向下電極334和上電極提供RF功率。在此實施例中，上電極為氣體分配板306並接地。此實施例還具有接地的外部上電極345。下電極是ESC 308且為電容耦合電漿電極。在優選實施例中，13.56兆赫(MHz)、2 Mz、60 MHz、和/或可選的27 MHz功率源構成了RF源330和ESC源348。控制器335可控制地連接至RF源330、ESC源348、排氣幫浦320、以及氣體源310。高流量襯墊是CCP處理腔室309內的襯墊。在此實施中，高流量襯墊是包括部件208和第二C形護罩部件240的C形護罩。高流量襯墊限制來自氣體源的氣體。高流量襯墊具有孔264，用於保持受控的氣流從氣體源310流向排氣幫浦320。如此的CCP處理腔室之範例為Lam Research Corporation of Fremont, CA所製造的Exelan Flex
TM蝕刻系統。在此範例中，沒有電感耦合。
作為CCP處理腔室309的一部件，部件208用於處理基板。在此實施例中，透過提供沉積鈍化層的電漿蝕刻來處理基板(步驟120)。透過提供蝕刻劑和聚合氣體的處理氣體並使用電容耦合電漿射頻(RF)功率為氣體提供能量以形成電漿來形成電漿365。在此實施例中，電漿處理同時在塗層上沉積膜並蝕刻堆疊。在此範例中，提供高深寬比蝕刻，其中使用包含側壁沉積的聚合物。因為電漿蝕刻處理提供包含聚合物的側壁沉積物，若干聚合側壁沉積氣體沉積在電漿噴塗層228上，形成包含聚合物的沉積膜。在若干實施例中，沉積步驟和蝕刻步驟循環重複多次。
對於諸如氧化矽、氮化矽、氧化矽、氮化矽(ONON)的交替層之高深寬比記憶體堆疊，使用帶有鈍化層沉積的高電壓蝕刻。高電壓蝕刻會蝕刻矽部件和電漿噴塗層228。蝕刻電漿噴塗層228會導致金屬汙染物顆粒。然而，在該實施例中，在蝕刻期間於電漿噴塗層228提供含有聚合物的沉積防止或減少電漿噴塗層228的侵蝕。因此，該實施例提供了一種方法和設備，用於使用具有氧化釔塗層之面向電漿表面的高電壓CCP而提供堆疊的高深寬比蝕刻，其中電漿噴塗層的侵蝕很少或沒有侵蝕，並且減少或沒有汙染。在若干實施例中，高深寬比蝕刻在低溫下進行，例如在低於-10
oC的溫度下將基板冷卻的溫度。在若干實施例中，基板在蝕刻期間冷卻到在-80
oC至-20
oC範圍內之低溫。在低溫下，副產物附著變得更造成問題。在如此的溫度下，副產物也不會附著到腔室部件上，從而導致更多的剝落和汙染。若干實施例提供和矽部件相比而改進的粗糙度調整和改進的抗侵蝕性以便將粗糙度維持更長的時間。在若干實施例中，調整粗糙度以增加副產物附著從而減少汙染。隨著附著性的增加以減少汙染物，若干實施例可用於蝕刻具有多於200個交替層的堆疊。
不需要在蝕刻處理期間沉積膜來保護電感耦合電漿處理中的塗層。在電感耦合電漿處理腔室中之塗層承受的電壓比CCP處理腔室中之塗層低得多。因為CCP處理腔室中的塗層承受在從100 eV到400 eV範圍內之高得多的電壓，所以電漿噴塗層將被侵蝕形成顆粒汙染物。如此的塗層不會在電感耦合電漿處理腔室中被侵蝕。出乎意料地發現，當在CCP處理中使用時，蝕刻期間的沉積膜為電漿噴塗層提供了足夠的保護，其中面向電漿表面承受高於100 eV的靜電勢電壓。
在若干實施例中，CCP處理腔室的電漿限制部件之其他面向電漿的表面，例如接地電極(例如外部上電極345)的面向電漿表面，可塗覆未密封的陽極氧化層224和電漿噴塗層228。在若干實施例中，外部上電極345和氣體分配板306各自包括具有面向電漿表面之鋁電極主體和在該面向電漿表面上的電漿噴塗層。
在若干實施例中，諸如C形護罩的電漿限制部件放置得靠近晶圓和電極。在若干實施例中，C形護罩放置得比腔室壁到C形護罩更靠近晶圓或電極。如此的電漿限制部件允許在處理期間使用較低的離子能量，但也導致電漿限制部件暴露於比腔室壁更高能量的離子。
目前，CCP處理腔室的如此的電漿限制部件可由矽製成。用矽製造如此的部件之原因是如此的部件將承受如此高的電壓，以至於該部件會被侵蝕。如果矽部件在矽晶圓蝕刻處理期間被侵蝕，則矽部件的侵蝕不會在基板處理期間造成汙染。由於矽部件被侵蝕，因此矽部件是必須定期更換的消耗品。消耗性矽部件增加持有成本並且增加更換消耗性矽部件期間的停機時間。此外，消耗性矽部件的侵蝕導致處理漂移。為了保護矽部件，可在將晶圓之各者插入腔室之前塗覆預塗層，接著可以在由腔室取出晶圓之後使用清潔處理去除剩餘的預塗層。對每個處理過的晶圓使用預塗處理和清潔處理降低了處理量。
使用具有未密封陽極氧化層224和電漿噴塗層228的鋁部件替換消耗性矽部件，該鋁部件在CCP處理腔室中更抗侵蝕，允許用更永久的部件替換消耗性部件。透過延長部件的壽命或提供在CCP腔室的壽命內可持續的部件，可降低持有成本並且也可減少停機時間。此外，消耗性部件的消除減少處理漂移。此外，由於部件更耐侵蝕，表面粗糙度具有更長的使用時間。如果替換部件包含諸如鋁或釔的金屬且替換部件被侵蝕，則被侵蝕的鋁和釔將汙染基板的處理。為了防止如此的汙染，諸多實施例提供更抗蝕刻侵蝕的部件。諸多實施例中的接地部件未被侵蝕。如果電漿噴塗層228是氧化釔(Y
2O
3)而不是氧化釔鋁，則如此的氧化釔塗層將更容易形成氟化釔(YF
3)薄片。YF
3薄片是汙染源並導致處理漂移。在若干實施例中，承受偏壓的非接地部件以更快的速度被侵蝕，因為如此的部件將承受更高的電壓。
在其他實施例中，電漿噴塗層228包括尖晶石(立方晶系中的MgAl
2O
4)和氧化鑭鋯(LZO)中的至少一者。在其他實施例中，電漿噴塗層被塗覆到鋁部件主體的非陽極氧化表面上。在若干實施例中，電漿噴塗層被塗覆到鋁部件主體的非陽極氧化表面上，其在鋁部件主體的表面上具有天然氧化物層。在若干實施例中，可在鋁部件主體上提供氧化釔、氟化釔、氟氧化釔、和氟化鎂中的至少一者之電漿噴塗層。電漿噴塗層提供更容易紋理化的表面，從而在矽部件主體上提供改進的沉積附著性和改進的抗侵蝕性。
在諸多實施例中，電漿噴塗層224具有50μm至200μm的厚度(包括端點值)且粗糙度為2μm至10μm RA(包括端點值)。粗糙度可用於促進聚合物副產物對表面的附著性。增加的粗糙度可用於增加聚合物副產物對表面的附著性。增加的附著性可防止聚合物剝落並成為汙染物。此外，增加附著性可用於增加聚合物對電漿噴塗層228的保護，以防止或減少侵蝕。在其他實施例中，電漿噴塗層具有60μm至90μm的厚度(包括端點值)且粗糙度為4μm至8μm RA(包括端點值)。
雖然本揭露內容已針對數個較佳實施例而描述，但仍存有落於本揭露內容的範圍中之置換、改變、修改、及各種不同的替代等價者。值得注意的是，存有許多替代方式可施行本揭露內容的方法及設備。因此，以下所附的專利請求項旨在被理解為包含所有如此的置換、改變、修改、及各種不同的替代等價者，其皆在本揭露內容的真實精神與範圍之中。如本文所用，片語「A、B或C」應解釋為表示使用非排他邏輯「或(OR)」之邏輯(「A或B或C」)，而不應解釋為表示「僅」A或B或C之一。製程中的各個步驟可為選擇性且非必要的步驟。不同實施例可有一或多個步驟移除或步驟可為不同順序。此外，各種實施例可同時地而非依序地提供不同步驟。
104-120:步驟
204:鋁部件主體
208:部件
212:面向電漿表面
224:陽極氧化層
228:電漿噴塗層
240:第二C形護罩部件
244:鋁部件主體
248:陽極氧化層
252:電漿噴塗層
256:螺栓
258:凸塊
260:裸露表面
264:孔
268:孔側壁塗層
272:電漿噴塗層
300:電漿處理系統
306:氣體分配板
307:基板
308:靜電吸盤(ESC)
309:CCP處理腔室
310:蝕刻氣體源
311:內部加熱器
312:外部加熱器
313:第一連接件
314:第二連接件
320:排氣幫浦
330:RF源
334:下電極
335:控制器
345:外部上電極
348:ESC源
350:腔室壁
351:ESC溫度控制器
365:電漿
本揭露係藉由舉例的方式(且非限制性地)描繪於隨附圖式之圖形中，其中類似的參考符號代表相似的元件，且其中：
圖1係一實施例之流程圖。
圖2A-D係依據一實施例形成的一部件之示意橫截面圖。
圖3係可用於一實施例中的電漿處理腔室之視圖。
104-120:步驟
Claims (23)
- 一種用於處理基板的設備，包含： 一電容耦合電漿處理腔室； 一電容耦合電漿電極，其在該電容耦合電漿處理腔室內；及 一電漿限制部件，其在該電容耦合電漿處理腔室內，其中該電容耦合電漿電極和該電漿限制部件中之至少一者包含： 一金屬部件主體，其具有一面向電漿表面；及 一電漿噴塗層，其在該面向電漿表面的上方。
- 如請求項1之設備，更包含在該面向電漿表面與該電漿噴塗層之間的一陽極氧化層，且其中該金屬部件主體包含鋁或鋁合金。
- 如請求項1之設備，其中該電漿噴塗層，包含氧化釔鋁、尖晶石(立方晶系中的MgAl 2O 4)、及氧化鑭鋯(LZO)之至少一者。
- 如請求項1之設備，其中該電漿噴塗層具有之厚度為50μm至200μm(包括端點值)，以及粗糙度為2μm至10μm RA(包括端點值)。
- 如請求項1之設備，其中該電漿限制部件為接地的。
- 如請求項1之設備，更包含在該面向電漿表面與該電漿噴塗層之間的一陽極氧化層，其中該金屬部件主體包含鋁或鋁合金，且其中該金屬部件主體之一表面的部份為了使該電漿限制部件接地而未被該陽極氧化層和該電漿噴塗層覆蓋。
- 如請求項1之設備，其中該金屬部件主體包含第一金屬部件和機械連接至該第一金屬部件的第二金屬部件。
- 如請求項7之設備，其中該第一金屬部件和該第二金屬部件主要由鋁或鋁合金構成。
- 如請求項1之設備，更包含在該面向電漿表面與該電漿噴塗層之間的一陽極氧化層，其中該金屬部件主體包含鋁或鋁合金，且其中該陽極氧化層是一未密封陽極氧化層。
- 如請求項1之設備，更包含在該面向電漿表面與該電漿噴塗層之間的一陽極氧化層，其中該金屬部件主體包含鋁或鋁合金，其中該金屬部件主體具有複數帶有側壁的孔，且其中該側壁的表面被該陽極氧化層和該電漿噴塗層覆蓋。
- 一種用於如請求項1-10中任一項的設備中之電漿限制部件。
- 一種用於如請求項1-10中任一項的設備中之電容耦合電漿電極。
- 一種用於形成和使用電容耦合電漿處理腔室之電漿限制部件的方法，包含下列步驟： 提供具有一面向電漿表面的一金屬部件主體；及 在該面向電漿表面上電漿噴塗一塗層。
- 如請求項13之方法，更包含在該面向電漿表面上電漿噴塗該塗層的步驟之前，在該面向電漿表面上形成一陽極氧化層，且其中該金屬部件主體包含鋁或鋁合金。
- 如請求項13之方法，其中該塗層包含氧化釔鋁、尖晶石(立方晶系中的MgAl 2O 4)、及氧化鑭鋯(LZO)之至少一者。
- 如請求項13之方法，其中該塗層具有之厚度為50μm至100μm(包括端點值)，以及粗糙度為2μm至10μm RA(包括端點值)。
- 如請求項13之方法，其中該金屬部件主體主要由鋁或鋁合金構成。
- 如請求項13之方法，更包含在該面向電漿表面上電漿噴塗該塗層的步驟之前，在該面向電漿表面上形成一陽極氧化層，且其中該金屬部件主體包含鋁或鋁合金，其中電漿噴塗該塗層之步驟塗覆在該陽極氧化層的頂部上，而該陽極氧化層未密封。
- 如請求項13之方法，更包含將該金屬部件主體與第二金屬部件主體機械連接。
- 如請求項13之方法，更包含在該面向電漿表面上電漿噴塗該塗層的步驟之前，在該面向電漿表面上形成一陽極氧化層，其中該金屬部件主體包含鋁或鋁合金，且更包含將該電漿限制部件安裝為該電容耦合電漿處理腔室的一部件，其中該電漿限制部件為接地的，且其中該金屬部件主體之表面的部份為了使該電漿限制部件接地而未被該陽極氧化層覆蓋。
- 如請求項20之方法，更包含在該電容耦合電漿處理腔室中提供一堆疊的一電漿蝕刻，其中該電漿蝕刻在蝕刻該堆疊的同時在該電漿限制部件和該堆疊上沉積聚合物，且其中該電漿限制部件承受大於100 eV的一偏壓。
- 如請求項13之方法，其中該部件為用於電容耦合的一電極。
- 一種藉由如請求項13之方法製成的電漿限制部件。
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