KR20070084959A - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

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Abstract

리드프레임의 변색 등에 의한 휘도 저하가 억제된 발광다이오드 패키지가 제공된다. 본 발명의 발광다이오드 패키지는, 패키지 본체와; 상기 패키지 본체에 실장된 발광다이오드 칩과; 상기 패키지 본체에 형성되어 상기 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결된 리드 프레임과; 형광체를 포함하고 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 수지포장부와; 상기 수지포장부와 상기 리드프레임 사이에 형성되어 상기 리드프레임을 상기 수지포장부로부터 분리시키는 보호층을 포함한다.
LED(Light Emitting Diode), 형광체, 휘도

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
도1은 종래의 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도2는 종래의 발광다이오드 패키지에서 리드프레임의 변색을 나타내는 도면이다.
도3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도5는 보호층 유무에 따른 리드프레임의 변색 여부 및 리드프레 표면부의 성분분석 결과를 나타내는 도면이다.
도6은 보호층의 유무 및 여러가지 두께의 보호층에 따른 휘도변화를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 상세한 설명>
30, 30`... 발광다이오드 패키지 31... 패키지 본체
32... 리드프레임 33... 발광다이오드 칩
34... 수지포장부 35... 형광체
36,36`... 보호층
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 리드프레임 표면부의 열화에 의한 휘도 저하가 억제된 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 발광다이오드(이하, LED 라고도 함)는 공해를 유발하지 않는 친환경성 광원으로 다양한 분야에서 주목받고 있다. 최근에, LED 소자는 파장변환용 형광체와 결합하여 다른 발광파장을 제공하는 형태로 응용되고 있다. 대표적으로, 단파장계열의 광을 생성하는 LED 소자는 특정 형광체 또는 형광체 조합과 결합하여, 백색광을 제공하는 조명용 발광장치에 활발히 응용되고 있다.
도 1은 종래의 일 예로서 형광체를 이용하여 백색광을 방출하는 백색 발광 다이오드 패키지의 단면도이다. 도1을 참조하면, 종래의 발광다이오드 패키지(10)는, 상부에 반사컵을 갖는 패키지 본체(11)와, 이 본체(11)의 반사컵 바닥에 실장된 LED 칩(13)을 포함한다. LED 칩(13)은 반사컵 바닥에 배치된 리드프레임(12)과 전기적으로 접속되어 외부 단자에 연결된다. LED 칩(13)은 입자 형태의 형광체(15)를 함유한 수지포장부(14)에 의해 봉지된다. 예를 들어, 백색광을 출력하기 위해, LED 칩(13)은 청색광을 방출하고 수지포장부(14) 내의 형광체는 상기 청색광에 의해 여기되어 황색광을 방출할 수 있다. 이러한 청색광과 황색광은 혼합되어 백색광을 출력하게 된다.
최근에는 고휘도의 백색 발광다이오드 패키지를 구현하기 위하여 청색 여기 파장에서 발광효율이 좋은 황화물계 형광체를 사용하기도 한다. 또한 리드프레임(12)은 리드프레임(12)에 입사된 빛을 반사시켜 발광다이오드 패키지(10)의 전체적인 휘도를 높이는 역할을 하는데, 이러한 리드프레임(12)의 반사율을 높이기 위해 주로 은(Ag)도금된 리드프레임이 사용된다. 그러나, 고휘도 백색광을 구현하기 위해 황화물계 형광체를 사용할 경우, 상기 리드프레임(12)의 Ag 성분과 황화물계 형광체에 포함된 황(S)성분이 서로 반응하여 리드프레임(12) 표면에 AgS 등의 이물질이 생기기 쉽다. 이러한 이물질에 의해 리드프레임(12)이 검게 변색되고, 이에 따라 휘도가 저하되는 문제가 있다. 황화물계 형광체 내의 S 성분과 리드프레임의 Ag 성분 간의 반응은 수분(H2O)에 의해 가속화된다.
도 2는 종래의 발광다이오드 패키지에서 리드프레임의 변색을 나타내는 도면이다. 도 2(a)는 Ag로 도금되어 있는 동작전 상태의 리드프레임의 광학사진이며 도2(b)는 변색된 리드프레임의 광학사진이다. 리드프레임이 환경온도 85℃, 상대습도 85% 조건에서 24시간 동안 동작시키는 신뢰성 평가 시험을 겪으면, 도2 (b)와 같이 변색되는 것을 볼 수 있다. 변색의 원인은 전술한 바와 같이, 리드프레임의 Ag성분과 황화물계 형광체에 포함된 S성분의 화학적 반응에 의한 결과물인 AgS에 의한 것이며, 이는 리드프레임의 반사체 역활을 현저하게 방해하게 된다. 이는 발광다이오드 패키지의 휘도를 저하시키는 치명적인 문제점으로 작용한다.
또한, 황화물계 형광체를 사용하지 않는 경우에도, 수지포장부를 통한 리드프레임(12)으로의 수분침투에 의해 리드프레임(12) 표면의 취약부가 산화되는 등 이물질 침투에 의해 리드프레임(12)의 표면부가 열화될 수 있다. 이 경우에도, 리드프레임(12)의 반사율은 열화되며, 이를 방지할 수 있는 수단이 요구된다.
상기한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 리드프레임의 변색 등 리드프레임의 표면부의 열화에 의한 휘도저하가 방지된 발광다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 발광다이오드 패키지는, 패키지 본체와; 상기 패키지 본체에 실장된 발광다이오드 칩과; 상기 패키지 본체에 형성되어 상기 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결된 리드 프레임과; 형광체를 포함하고 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 수지포장부와; 상기 수지포장부와 상기 리드프레임 사이에 형성되어 상기 리드프레임을 상기 수지포장부로부터 분리시키는 보호층을 포함한다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 패키지 본체 상부에는 반사컵이 형성되어 있고, 상기 발광다이오드 칩은 상기 반사컵 내에 실장되며, 상기 리드프레임은 상기 반사컵 바닥에 형성되어 있을 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 수지포장부에 포함된 형광체는 황화물계 형광체일 수 있으며, 이에 더하여 상기 리드프레임은 Ag도금된 것일 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 보호층은 에폭시 레진으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 에폭시 성분과 실리콘 성분을 함유하는 하이브리드 에폭시 레진으로 형성될 수도 있다. 상기 보호층이 에폭시 레진 또는 하이브리드 에폭시 레진으로 형성된 경우, 상기 보호층의 두께는 바람직하게는 30㎛이상, 더 바람직하게는 60㎛이상, 더욱 더 바람직하게는 80㎛이상일 수 있다. 이와 달리, 상기 보호층은 SiO2, Al2O3, MgO 등의 산화막으로 형성될 수도 있다. 특히 보호층이 SiO2로 형성된 경우, 상기 보호층의 두께는 바람직하게는 50㎛이상, 더 바람직하게는 100㎛이상일 수 있다.
상기 보호층에 의한 빛의 흡수를 최소화하기 위해서, 상기 보호층의 두께는 상기 리드프레임의 상면으로부터 상기 발광다이오드 칩 상면까지의 높이보다 작은 것이 바람직하다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 보호층은 상기 리드프레임의 상면과 상 기 발광 다이오드 칩의 상면에 형성될 수 있다. 또한, 다른 실시형태에 따르면, 상기 보호층은 상기 발광다이오드 칩의 상면을 제외한 상기 리드프레임의 상면에 형성될 수도 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태 및 효과에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 발광다이오드 패키지(30)는 상부에 반사컵을 갖는 패키지 본체(31)와 상기 본체(31)의 반사컵 내에 실장된 LED 칩(33)을 포함한다. 패키지 본체(31)의 반사컵 바닥부에는 리드프레임(32)이 형성되어 있고, 이 리드프레임(32)은 와이어 등에 의해 상기 LED 칩(33)과 전기적으로 연결되어 있다. 리드프레임(32)은 산화방지 및 반사율 향상을 위해 통상적으로 Ag로 도금되어 있다. LED 칩(33)은 반사컵 내에 형성된 수지포장부(34)에 의해 봉지되어 있다. 수지포장부(43)에는, LED칩(33)의 방출광을 파장변환하는 입자 형태의 형광체(35)가 분산되어 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따르면, 상기 수지포장부(34)와 리드프레임(32)의 사이에는 보호층(36)이 형성되어 있다. 이 보호층(36)은 수지포장부(34)와 리드프레임(32)을 공간적으로 분리시킴으로써, 수지포장부(34) 내의 형광체(35)와 리드프레임(32) 간의 반응을 방지하고, 수분 등의 이물질이 리드프레임(32)으로 침투하는 것을 억제한다.
전술한 바와 같이 고휘도 백색 발광다이오드 패키지를 구현하기 위해 청색 LED 칩과 황화물계 황색 형광체를 사용할 수 있다. 이 경우, 황화물계 형광체 내의 S 성분과 리드프레임의 Ag 도금층 간의 반응에 의해 AgS 등의 이물질이 리드프레임 표면부에 발생하기 쉽다. 특히, AgS 생성 반응은 수분에 의해 가속화된다.
그러나, 본 실시형태에와 같이, 형광체(35)를 함유하는 수지포장부(34)와 리드프레임(32) 사이에 보호층(36)을 형성함으로써, 수지포장부(34)와 리드프레임(32)을 공간적으로 분리시킬 수 있게 되고 이에 따라 형광체(35)의 S 성분과 리드프레임(32)의 Ag 성분 간의 반응에 의한 AgS(리드프레임을 검색 변색시키는 역할을 함)의 생성을 막을 수 있다. 또한, 보호층(36)은 리드프레임으로의 수분 침투를 효과적으로 억제할 수 있는 재료(에폭시 레진, 하이브리드 에폭시 레진, 실리카 산화막(SiO2), Al2O3, MgO 등)로 형성할 수 있기 때문에, 수분 침투에 의한 AgS 생성 반 응의 가속 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 결국, 본 실시형태에 따르면, 종래 문제가 되었던 리드프레임 표면부의 변색에 의한 휘도 저하를 효과적으로 막을 수 있게 된다.
뿐만 아니라, 형광체(35)로서 황화물계 형광체 이외의 형광체를 사용하는 경우에도, 상기 보호층(36)은 리드프레임(32)으로의 이물질(수분 등)을 차단시키기 때문에, 리드프레임(32) 표면의 취약부에서 발생될 수 있는 산화 현상등 원하지 않는 표면부의 열화 현상을 방지할 수 있다. 이러한 리드프레임(32) 표면부의 열화 방지는 발광다이오드 패키지(30)의 휘도 저하를 막는 효과를 가져온다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(30')의 단면도이다. 전술한 실시형태(도 3 참조)에서는 보호층(36)이 리드프레임(32)의 상면 뿐만 아니라 LED 칩(33)의 상면에까지 연장되어 형성되어 있다. 그러나, 본 실시형태에서는, 보호층(36')은 상기 LED 칩(33)의 상면을 제외하여 리드프레임(32) 상면에만 형성되어 있다. 이와 같이 LED 칩(33)의 상면(출사면)에 보호층(36')이 없더라도, 보호층(36')이 수지포장부(34)와 리드프레임(32) 사이에 형성되어 있는 이상, 상기한 리드프레임(32)의 표면부 열화(예컨대, 검게 변색되는 현상)를 충분히 방지할 수 있다. 상기 보호층(36`)이외의 다른 구성요소는 도 3에서 설명한 바와 마찬가지이므로, 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.
바람직하게는, 보호층(36, 36')은, 리드프레임(32)으로의 수분침투와 형광체(35)와 리드프레임(32) 간의 반응을 충분히 억제할 수 있는 두께를 가진다. 보호층(36, 36')의 두께는 보호층의 재료에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 보호층(36, 36')이 에폭시 레진이나 하이브리드 에폭시 레진으로 이루어진 경우, 보호층(36, 36')의 두께는 바람직하게는 30㎛이상, 더 바람직하게는 60㎛이상, 더욱 더 바람직하게는 80㎛이상이다. 만약 보호층(36, 36')이 실리카 산화막(SiO2)으로 이루어진 경우에는, 보호층(36, 36')의 두께는 바람직하게는 50㎛이상, 더 바람직하게는 100㎛이상이다.
또한, 보호층(36, 36')에 의한 빛의 흡수를 최소화하기 위해서, 보호층(36, 36')의 두께는 리드프레임(32)의 상면으로부터 LED 칩(33) 상면까지의 높이보다 작은 것이 바람직하다. 보호층(36, 36')이 너무 두꺼우면, 리드프레임(32)에 의한 반사 효과가 낮아지고 LED 칩(33)이나 형광체(35)으로부터 방출된 빛이 보호층(36, 36')에 의해 흡수될 수 있다. 따라서, 보호층(36, 36')의 두께는 LED칩(33) 상면의 높이보다는 작은 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 보호층 유무에 따른 리드프레임의 변색 여부 및 리드프레임 표면부의 성분분석 결과를 나타내는 도면이다. 도 5의 (a) 및 (b)는 각각 종래예의 LED 패키지(도 1 참조) 및 발명예의 패키지(도 3 참조)에 대해서 신뢰성 평가 시험(환경온도 85℃, 상대습도 85%, 24시간 동작)을 실시한 후 얻은 결과를 나타낸다. 특히, 도 5(a) 및 (b)의 좌측 사진들은, 각각 종래예 및 발명예에 있어서 상기 신뢰성 평가 후에 찍은 발광다이오드 패키지의 평면도 사진들이다. 또한 도 5(a) 및 (b)의 우측 그래프들은, 각각 종래예 및 발명예에 있어서 상기 신뢰성 평가 시험후에 실시한 리드프레임 표면부에 대한 원소분석장치(EDAX)에 의한 분석 결과를 나타내는 그래프들이다. 이 시험에 사용된 발광다이오드 패키지들은 황화물계 황색 형광체와 청색 LED 칩과 Ag 도금된 리드프레임을 포함한다. 종래예(도 5(a))는 보호층을 사용하지 않았으나, 발명예(도 5(b))는 수지포장부와 리드프레임 간에 형성된 보호층을 사용하였다.
도 5(a)의 좌측 사진에 나타난 바와 같이, 보호층이 없는 경우에는 신뢰성 평가 시험후 리드프레임이 검게 변색되어 있음을 확인할 수 있다. 또한, 도 5(a)의 우측 그래프에 나타난 바와 같이, 보호층이 없는 경우에는 리드프레임 표면부에서 S 성분과 Cu 성분이 검출됨을 확인할 수 있다. 이러한 결과는 황화물계 형광체의 S 성분과 리드프레임의 Ag 성분이 반응하여 리드프레임의 표면부에 AgS가 형성되었기 때문이다. 리드프레임의 표면부에서 리드프레임의 베이스 물질인 Cu가 검출된 것은, AgS가 생성되면서 리드프레임 표면부의 Ag 도금이 벗겨진다는 것을 의미한다. 따라서, 보호층이 없는 경우에는 신뢰성 평가 시험 후에 리드프레임의 광반사 효과는 크게 저하됨을 알 수 있다.
도 5(b)의 좌측 사진에 나타난 바와 같이, 보호층을 형성한 경우에는, 상기 신뢰성 평가 시험 후에도 리드프레임은 검게 변색되지 않았음을 확인할 수 있다. 이러한 사실은 도 5(b)의 우측에 도시된 리드프레임 표면부에 대한 분석 결과 그래프를 통하여서도 알 수 있다. 상기 분석결과를 살펴보면 리드프레임 표면부에서는, 도금성분인 Ag성분만이 검출되었으며, 변색을 일으키는 AgS 내의 S성분이나 리드프레임의 베이스 물질인 Cu가 검출되지 않았다. 이는 상기 보호층이 리드프레임의 Ag도금을 보호한다는 것을 다시 한번 확인시켜준다. 이러한 보호층의 재료 및 보호층의 두께는 다양할 수 있으며, 이하에서 본 발명의 다양한 실시예를 제공한다.
(실시 예1)
보호층으로서 에폭시 레진을 사용할 수 있다. 상기 에폭시 레진은 투습율 및 수분함유율이 매우 낮으므로 수분이 리드프레임에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 에폭시 레진 보호층의 두께는 다양할 수 있으나, 두께가 너무 두꺼우면 리드프레임의 광반사 효과를 방해할 수 있다. 바람직하게는, 에폭시 레진의 두께는 상기 리드프레임의 변색을 방지하면서도 리드프레임의 광반사 효과를 크게 방해하지 않는 두께로 형성된다. 도 6은 보호층의 유무 및 여러가지 두께의 에폭시 레진 보호층에 따른 휘도변화를 나타내는 도면이다. 도 6의 (a), (b) 및 (c) 각각에는 신뢰성 평가 시험(환경온도 85℃, 상대습도 85%, 24시간 동작) 후의 LED 패키지의 평면도 사진이 도시되어 있다.
도 6(a)는, 보호층이 없는 종래 발광다이오드 패키지에 있어서, 상술한 신뢰성 평가 시험 이후의 휘도변화를 나타낸다. 도 6(a)에 나타난 바와 같이, 보호층이 없는 경우, 상기 신뢰성 평가 시험 이후에 LED 패키지는 초기 휘도(100%로 정함) 대비 65%의 휘도를 나타내었다. 따라서, 보호층이 전혀 없는 경우 신뢰성 평가 시험 후 약 35% 정도 휘도가 감소되었다.
도 6(b)는 30㎛의 두께로 에폭시 레진 보호층을 형성한 경우, 상기 신뢰성 평가 시험 이후의 휘도 변화를 나타낸다. 이 경우, 신뢰성 평가 시험 이후의 휘도는 초기(100%) 대비 88% 정도였다. 따라서, 상기 신뢰성 평가 시험후에 약 12%정도의 휘도 감소만이 초래되었다.
도 6(c)는 60㎛의 두께로 에폭시 레진 보호층을 형성한 경우, 상기 신뢰성 평가 시험 이후의 휘도의 변화를 나타낸다. 이 경우, 신뢰성 평가 시험 이후의 휘도는 초기(100%) 대비 95% 정도였다. 따라서, 상기 신뢰성 평가 시험후에 약 5%정도의 휘도 감소만이 초래되었다. 또한, 도시되지 않았지만, 상기 에폭시 레진을 80㎛의 두께로 보호층을 형성하는 경우에는 발광다이오드 패키지의 휘도변화가 관측되지 않는 것을 확인하였다.
(실시 예2)
보호층으로서 하이브리드 에폭시 레진을 사용할 수 있다. 상기 하이브리드 에폭시 레진은 에폭시기 및 실리콘기가 공중합체로 존재하는 폴리머로서, 상기 에폭시 레진과 마찬가지로 투습율 및 수분함유율이 매우 낮을 뿐 아니라, 기계적 안정성이 좋기 때문에 안정된 신뢰성을 보일 수 있다. 보호층으로서 하이브리드 에폭시 레진을 사용한 경우, 보호층의 두께에 따른 휘도 변화 양상은 에폭시 레진 보호층의 경우와 마찬가지로 나타났다. 예를 들어, 하이브리드 에폭시 레진을 사용하여 80㎛의 두께로 보호층을 형성한 경우, 상기 신뢰성 평가 시험 이후에 발광다이오드 패키지의 초기 대비 휘도 변화는 관측되지 않는 것으로 확인되었다.
(실시 예3)
보호층은 유리질의 실리카 산화막(SiO2)으로도 형성될 수 있다. 액상법을 사용하여 제조된 실리카 나노 입자를 젤화시켜 광투과성의 실리카 산화막을 얻었고 이 실리카 산화막을 보호층으로 사용하였다. 상기 실리카 산화막을 사용하여 50㎛ 두께의 보호층을 형성한 경우, 신뢰성 평가 시험후에 약 10%이하의 휘도 감소만이 관측되었다. 또한, 상기 실리카 산화막을 사용하여 100um 두께의 보호층을 형성한 경우, 초기 대비 휘도 열화율은 약 5%이하인 것으로 확인되었다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변 경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 수지포장부 내의 형광체와 리드프레임 간의 원하지 않는 반응을 방지함으로써 변색 등 리드프레임 표면부의 열화를 억제하는 효과가 있다. 또한, 리드프레임으로의 수분 등 이물질 침투를 효과적으로 막을 수 있다. 이에 따라, 발광다이오드 패키지의 휘도 저하를 억제할 수 있고 고휘도의 발광다이오드 패키지를 용이하게 구현할 수 있게 된다.

Claims (17)

  1. 패키지 본체;
    상기 패키지 본체에 실장된 발광다이오드 칩;
    상기 패키지 본체에 형성되어 상기 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결된 리드 프레임;
    형광체를 포함하고 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 수지포장부; 및
    상기 수지포장부와 상기 리드프레임 사이에 형성되어 상기 리드프레임을 상기 수지포장부로부터 분리시키는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 본체 상부에는 반사컵이 형성되어 있고,
    상기 발광다이오드 칩은 상기 반사컵 내에 실장되며,
    상기 리드프레임은 상기 반사컵 바닥에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 형광체는 황화물계 형광체인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 리드프레임은 Ag로 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은 에폭시 레진으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은 하이브리드 에폭시 레진으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 30㎛이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 60㎛이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 80㎛이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은 산화막으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 보호층은 Si02, Al2O3 및 MgO로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 보호층은 SiO2로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 50㎛이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 100㎛이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 상기 리드프레임의 상면으로부터 상기 발광다이오드 칩 상면까지의 높이보다 작은 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 리드프레임의 상면과 상기 발광 다이오드 칩의 상면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 발광다이오드 칩의 상면을 제외한 상기 리드프레임의 상면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
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