KR20070079896A - 공진대책 기능을 가지는 플라즈마처리장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 플라즈마처리장치에 있어서,진공용기와,상기 진공용기내에 설치되어 시료를 탑재하는 하부 전극과,상기 하부 전극에 대향하는 위치에 설치되는 상부 전극과,상기 하부 전극에 접속되는 제 1 정합기와,상기 제 1 정합기를 거쳐 상기 하부 전극에 전력을 공급하는 제 1 전원과,상기 상부 전극에 접속되는 제 2 정합기와,상기 제 2 정합기를 거쳐 상기 상부 전극에 전력을 공급하는 제 2 전원과,상기 제 1 정합기 내부 또는 근방에 설치된 전압 또는 위상을 검출하는 제 1 검출기와,상기 제 2 정합기 내부 또는 근방에 설치된 전압 또는 위상을 검출하는 제 2 검출기를 구비하고,상기 제 1 검출기와 상기 하부 전극 사이의 전송로, 또는 상기 제 2 검출기와 상기 상부 전극 사이의 전송로는, 하기식을 만족하도록 구성되고,여기서, L은 전송로의 인덕턴스 등, 공진을 일으키는 인덕턴스의 대표값, C는 전송로의 부유용량이나 플라즈마 이온 쉬스의 부유용량 등, 공진을 일으키는 정 전용량의 대표값, fB는 상기 상부 전극 또는 하부 전극에 인가되는 고주파 바이어스 주파수를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 전송로는, 내도체 선로의 주위에 외도체 선로가 형성되는 동축 선로이고, 상기 내도체 선로 및 상기 외도체 선로는, 비자성체의 전기전도성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 내도체 선로와 상기 외도체 선로 사이는, 비유전률이 낮은 상태로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 3항에 있어서,상기 내도체 선로와 상기 외도체 선로 사이는, 진공 또는 가스가 충전되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 내도체 선로의 바깥쪽과, 상기 외도체 선로의 안쪽 면에, 테프론코팅을 실시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 플라즈마처리장치에 있어서,진공용기와,상기 진공용기내에 설치되어 시료를 탑재하는 하부 전극과,상기 하부 전극에 대향하는 위치에 설치되는 상부 전극과,상기 하부 전극에 접속되는 제 1 정합기와,상기 제 1 정합기를 거쳐 상기 하부 전극에 전력을 공급하는 제 1 전원과,상기 상부 전극에 접속되는 제 2 정합기와,상기 제 2 정합기를 거쳐 상기 상부 전극에 전력을 공급하는 제 2 전원과,상기 제 1 정합기 내부 또는 근방에 설치된 전압 또는 위상을 검출하는 제 1 검출기와,상기 제 2 정합기 내부 또는 근방에 설치된 전압 또는 위상을 검출하는 제 2 검출기를 구비하고,상기 제 1 검출기와 상기 하부 전극 사이의 전송로, 또는 상기 제 2 검출기와 상기 상부 전극 사이의 전송로는, 내도체 선로의 주위에 외도체 선로가 형성되는 동축 선로이고,또한 상기 전송로의 상기 내도체 선로의 내경, 상기 외도체 선로의 내경, 상기 외도체 선로의 외경은, 하기식으로 나타내는 최저 공진 주파수(fL)가 최대가 되도록 구성되고,여기서Cs는 상기 상부 전극 또는 하부 전극의 부유용량,Cap는 상기 내도체 선로와 외도체 선로 사이의 정전용량으로서 하기식으로 나타내고,l은, 상기 전송로의 길이,Induct는 상기 전송로의 인덕턴스로서, 하기식으로 나타내고,μ1은 상기 내도체 선로의 비투자율,μ2는 상기 외도체 선로의 비투자율,Ctot는 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극의 정전용량(Cel)과 이온 쉬스의 정전용량(Csh)의 합성값으로서, 하기식으로 나타내는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 6항에 있어서,상기 내도체 선로 및 상기 외도체 선로는, 비자성체의 전기전도성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 플라즈마처리장치에 있어서,진공용기와,상기 진공용기내에 설치되어 시료를 탑재하는 하부 전극과,상기 하부 전극에 대향하는 위치에 설치되는 상부 전극과,상기 하부 전극에 접속되는 제 1 정합기와,상기 제 1 정합기를 거쳐 상기 하부 전극에 전력을 공급하는 제 1 전원과,상기 상부 전극에 접속되는 제 2 정합기와,상기 제 2 정합기를 거쳐 상기 상부 전극에 전력을 공급하는 제 2 전원과,상기 제 1 정합기 내부 또는 근방에 설치된 전압 또는 위상을 검출하는 제 1 검출기와,상기 제 2 정합기 내부 또는 근방에 설치된 전압 또는 위상을 검출하는 제 2 검출기와,상기 하부 전극에 상기 제 1 정합기로부터의 전력을 전달하고, 또한 상기 진 공용기 내로부터 진공용기 밖의 대기압하까지 연장하여 설치된 동축 선로와,상기 제 1 정합기와는 분리하여 설치되고, 또한 상기 동축 선로의 대기압측에 접속된 전압 또는 위상을 검출하는 검출기를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 8항에 있어서,상기 동축 선로는, 내도체 선로의 주위에 외도체 선로가 형성되는 동축 선로 이고, 상기 내도체 선로 및 상기 외도체 선로는, 비자성체의 전기전송성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 플라즈마처리장치에 있어서,진공용기와,상기 진공용기 내에 설치되어 시료를 탑재하는 하부 전극과,상기 하부 전극에 대향하는 위치에 설치되는 상부 전극과,상기 하부 전극에 접속되는 제 1 정합기와,상기 제 1 정합기를 거쳐 상기 하부 전극에 전력을 공급하는 제 1 전원과,상기 상부 전극에 접속되는 제 2 정합기와,상기 제 2 정합기를 거쳐 상기 상부 전극에 전력을 공급하는 제 2 전원과,상기 제 1 정합기 내부 또는 근방에 설치된 전압 또는 위상을 검출하는 제 1 검출기와,상기 제 2 정합기 내부 또는 근방에 설치된 전압 또는 위상을 검출하는 제 2 검출기와,상기 상부 전극에 상기 제 2 정합기로부터의 전력을 전달하고, 또한 상기 진공용기 내로부터 진공용기 밖의 대기압하까지 연장하여 설치된 동축 선로와,상기 제 2 정합기와는 분리하여 설치되고, 또한 상기 동축 선로의 대기압측에 접속된 전압 또는 위상을 검출하는 검출기를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
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