KR20070076825A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 n형 클래드층, n형 웨이브 가이드층, 활성층, p형 웨이브 가이드층, p형 클래드층이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 p형 클래드층 상부에 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 기판 하부에 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 n-패드 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 질화물 기판 하부에 n-패드 전극을 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같이 투명 전도성이 있으며 질화물 기판과 오믹 접촉을 이루는 물질로 형성함으로써, 기존의 스크라이빙 공정을 수행하기 위한 마스크 공정을 별도로 수행할 필요가 없어 제조 공정이 단순해지고 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
반도체 레이저 다이오드, 프리 스탠딩 기판, 스크라이빙, TCO

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법{ Semiconductor laser diode and Fabricating method thereof }
도 1은 종래의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 일 실시예를 나타낸 단면도.
도 2는 종래의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 다른 실시예를 나타낸 단면도.
도 3은 종래의 질화물 반도체 레이저 다이오드를 단위 소자로 분리하는 공정을 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 실시예를 나타낸 단면도.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조방법의 실시예를 나타낸 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200 : 질화물 기판 110, 210 : n형 클래드층
120, 220 : n형 웨이브 가이드층 130, 230 : 활성층
140, 240 : p형 웨이브 가이드층 150, 250 : p형 클래드층
160, 260 : p-패드 전극 170, 270 : n-패드 전극
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 질화물 기판 하부에 투명 전도성이 있고 낮은 저항을 가지며 질화물 기판과 오믹 접촉이 가능한 물질로 n-패드 전극을 형성하는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 레이저 다이오드는 광의 주파수 폭이 좁고 지향성이 첨예하다는 이유로 광 통신, 다중 통신, 우주 통신과 같은 곳에서 실용화되어 가고 있으며, 아울러 고속 레이저 프린팅이나 컴팩트 디스크 플레이어 및 컴팩트 디스크 재생/기록 장치와 같은 광 저장 장치 등에서 폭 넓게 사용되고 있다.
특히, 질화물계 반도체 레이저 다이오드는 천이 방식이 레이저 발진 확률이 높은 직접 천이형이고, 넓은 밴드 갭 에너지에 의해 자외선 영역에서 녹색영역으로 이어지는 단파장의 발진 파장을 제공하기 때문에 광 저장 장치의 광원용으로 주목 받고 있다.
또한, 질화물계 반도체 레이저 다이오드는 비소(As)를 주성분으로 사용하지 않으므로 환경 친화적인 면에서도 높은 호응을 얻고 있다.
일반적으로 질화물계 반도체 레이저 다이오드는 사파이어와 같은 이종 기판 상에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), SVPE(Sublimation Vapor Phase Epitaxy) 등과 같은 기상 성장법에 의해 성장시킨다.
그런데, 사파이어(Al2O3) 기판 상에 질화물계 화합물 반도체의 단결정을 성장시키는 경우, 사파이어(Al2O3) 기판과 상기 사파이어 기판 상에서 에피택셜 성장되는 질화물계 화합물 반도체의 단결정 사이에는 격자 부정합 및 열팽창 계수의 차이가 나타나게 된다.
사파이어(Al2O3)와 질화갈륨(GaN)의 경우를 살펴보면, 상기 사파이어(Al2O3)는 격자 상수가 a:4.758(Å)이고, c:12.991(Å)이며, 열팽창 계수는 a:7.5(×10-6/K)이고, c:8.5(×10-6/K)인데 반하여, 상기 질화갈륨(GaN)은 격자 상수가 a:3.189(Å)이고, c:5.185(Å)이며, 열팽창 계수는 a:5.59(×10-6/K)이고, c:3.17(×10-6/K)이다.
이와 같이, 상기 사파이어와 질화갈륨 사이에는 격자 상수(16.02 %) 및 열팽창 계수(35.5 %)의 차이가 많이 나기 때문에, 사파이어 기판과 질화갈륨의 계면 상에 전위(Dislocation)와 같은 결함이 발생하게 되는데, 이는 소자의 전기적 특성을 저하시키는 원인이 된다.
상기 전위는 반도체층을 종방향 즉, 기판 면에 수직한 방향으로 관통하는 관통 전위(Threading Dislocation)로서, 사파이어 기판 상에 성장된 질화물계 화합물 반도체는 109 ~ 1010 개/㎝3 의 전위밀도를 가진다.
상기 관통 전위는 조성이 상이한 질화물계 화합물 반도체 각 층을 따라 최상 층에 이르기까지 전파되며, 이것에 의해 예를 들면, 레이저 다이오드의 임계 전류값 및 소자 수명 등의 소자 특성이 나빠지는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 프리 스탠딩(Free Standing)된 질화물 기판을 이용하여 반도체 소자를 제조하려는 시도가 이루어지고 있다.
프리 스탠딩된 질화물 기판을 이용하는 경우, 상기 질화물계 화합물 반도체와 재료가 동일하기 때문에 격자 부정합이 없어 양질의 결정이 성장될 수 있다.
프리 스탠딩 기판을 제조하는 방법은, 사파이어 기판 상에 질화물 반도체층을 일정한 두께로 형성시킨 후, 기계적인 래핑(Lapping) 공정을 수행하거나 레이저를 조사하여 사파이어 기판을 질화물 반도체층으로부터 분리하여 프리 스탠딩 질화물 기판을 얻는다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 일 실시예를 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 질화물 기판(10) 상부에 n형 클래드층(11), n형 웨이브 가이드층(12), 활성층(13), p형 웨이브 가이드층(14), p형 클래드층(15)이 순차적으로 적층되어 있고,
상기 p형 클래드층(15)부터 n형 클래드층(11)의 일부분까지 메사 식각되어 n형 클래드층(11)의 일부가 상부로부터 노출되어 있고,
상기 노출된 n형 클래드층(11) 상부에 n-패드 전극(16)이 형성되어 있고, 상기 p형 클래드층(15) 상부에 형성된 p-패드 전극(17)으로 이루어져 있다.
종래의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조방법은, 먼저 사파이어 기판 상부에 질화물 반도체층을 적층한 후, 사파이어 기판을 질화물 반도체층으로부터 분리하여 프리 스탠딩된 질화물 기판(10)을 준비한다.
다음으로, 상기 질화물 기판(10) 상부에 n형 클래드층(11), n형 웨이브 가이드층(12), 활성층(13), p형 웨이브 가이드층(14), p형 클래드층(15)을 순차적으로 적층한다.
이어서, 상기 p형 클래드층(15)부터 n형 클래드층(11)의 일부분까지 메사 식각하여 n형 클래드층(11)의 일부를 노출시킨 후, 상기 노출된 n형 클래드층(11) 상부와 p형 클래드층(15) 상부에 금속 박막을 증착하여 각각 n-패드 전극(16)과 p-패드 전극(17)을 형성한다.
이렇게 형성된 반도체 레이저 다이오드는, 와이어 본딩(Wire Bonding)을 통해 외부와 전기적으로 연결하기 위한 n-패드 전극(16)을 형성하기 위해, p형 클래드층(15)부터 n형 클래드층(11)의 일부분까지 메사 식각을 하여야 하기 때문에 식각된 면적 만큼의 광 출력의 손실이 나타나게 된다.
도 2는 종래의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 질화물 기판(20) 상부에 n형 클래드층(21), n형 웨이브 가이드층(22), 활성층(23), p형 웨이브 가이드층(24), p형 클래드층(25)이 순차적으로 적층되어 있고,
상기 p형 클래드층(25) 상부에 p-패드 전극(26)이 형성되어 있고, 상기 질화 물 기판(20) 하부에 형성된 n-패드 전극(27)으로 이루어져 있다.
이러한 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조방법은, 먼저 프리 스탠딩된 질화물 기판(20)을 준비한 후, 상기 질화물 기판(20) 상부에 n형 클래드층(21), n형 웨이브 가이드층(22), 활성층(23), p형 웨이브 가이드층(24), p형 클래드층(25)을 순차적으로 적층한다.
다음으로, 상기 p형 클래드층(25) 상부에 p-패드 전극(26)을 형성한 후, 질화물 기판(20)의 하부면을 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정으로 연마하여 질화물 기판(20)의 두께를 줄인다.
이어서, 질화물 기판(20) 하부에 n-패드 전극(27)을 형성한 후, 단위 소자의 경계부를 스크라이빙(Scribing)하여 단위 소자로 분리한다.
이때, 단위 소자로 분리하기 위한 스크라이빙 공정을 수행하기 위해서는, 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 방향을 스크라이빙하는 방향과 맞도록 정렬하는 기준을 제공하여야 한다.
따라서, 질화물 기판(20) 하부에 n-패드 전극(27)을 형성할 때, 마스크 공정을 통하여 단위 소자의 경계를 이루는 영역에는 n-패드 전극(27)을 형성하지 않는다.
이 경우, 100 ㎛정도의 얇은 두께의 질화물 기판(20) 상에 마스크 공정을 수행하게 되므로 기판을 깨뜨릴 위험이 있게 된다.
도 3은 종래의 질화물 반도체 레이저 다이오드를 단위 소자로 분리하는 공정을 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, n-패드 전극(27)은 질화물 기판 (20) 하부에 단위 소자의 경계를 이루는 영역에는 형성되지 않으며, 스크라이빙 팁(30)을 이용하여 단위 소자로 분리하게 된다.
이와 같이, 단위 소자의 경계를 이루는 영역에 n-패드 전극(27)이 형성되지 않게 하려면, 질화물 기판(20) 하부에 n-패드 전극과 포토 레지스트를 순차적으로 전면에 형성한 후, 포토 레지스트를 패터닝하고 패터닝된 포토 레지스트를 식각 마스크로 하여 n-패드 전극을 식각하여야 하는데, 이러한 공정을 진행하는 중에 얇은 두께의 질화물 기판(20)이 손상될 위험이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 질화물 기판 하부에 n-패드 전극을 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같이 투명 전도성이 있으며 질화물 기판과 오믹 접촉을 이루는 물질로 형성함으로써, 제조 공정을 단순화하고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 실시예는, 기판 상부에 n형 클래드층, n형 웨이브 가이드층, 활성층, p형 웨이브 가이드층, p형 클래드층이 순차적으로 형성되어 있고;
상기 p형 클래드층 상부에 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 기판 하부에 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 n-패드 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 제조방법의 실시예는, 질화물 기판 상 부에 n형 클래드층, n형 웨이브 가이드층, 활성층, p형 웨이브 가이드층, p형 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 p형 클래드층 상부에 p-패드 전극을 형성하는 단계와, 상기 질화물 기판 하부에 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 n-패드 전극을 형성하는 단계와, 상기 n-패드 전극 하부에 스크라이빙 공정을 수행하여 별개의 레이저 다이오드로 분리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 도 4 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 도 4는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 실시예를 나타낸 단면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 질화물 기판(100) 상부에 n형 클래드층(110), n형 웨이브 가이드층(120), 활성층(130), p형 웨이브 가이드층(140), p형 클래드층(150)이 순차적으로 적층되어 있고,
상기 p형 클래드층(150) 상부에 p-패드 전극(160)이 형성되어 있고, 상기 질화물 기판(100) 하부에 형성된 n-패드 전극(170)으로 이루어져 있다.
여기서, 상기 질화물 기판(100)은 프리 스탠딩(Free Standing) 기판으로서 n-GaN 또는 n-AlN 으로 이루어지며 80 ~ 150 ㎛의 두께를 가진다.
상기 질화물 기판(100) 상부에 형성된 n형 클래드층(110)은 소정의 굴절률을 갖는 Inx(AlyGa1-y)N으로 이루어지는데, 여기서 0〈 x〈1 과 0〈 y〈1 의 값을 가진다.
즉, n형 클래드층(110)은 n-AlGaN, n-InGaN, n-AlGaInN 등의 질화물계 화합물 반도체로 형성할 수 있다.
상기 n형 클래드층(110) 상부에 형성된 n형 웨이브 가이드층(120)은 활성층(130)보다 굴절률이 낮은 물질로 이루어지는데, 주로 n-GaN으로 이루어진다.
상기 n형 웨이브 가이드층(120) 상부에 형성된 활성층(130)은 Inx(AlyGa1-y)N으로 이루어지는 장벽층과 Inx(AlyGa1-y)N로 이루어지는 우물층의 단일 양자 우물 구조 또는 상기 장벽층과 우물층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 다중 양자 우물 구조로 이루어진다.
여기서, 상기 활성층(130)의 In, Al, Ga의 성분을 조절함으로써 InN(~1.8eV)의 에너지 밴드 갭을 갖는 장파장에서부터 AlN(~6.2eV)의 에너지 밴드 갭을 갖는 단파장의 레이저 다이오드를 자유롭게 제작할 수 있다.
상기 활성층(130) 상부에 형성된 p형 웨이브 가이드층(140)은 활성층(130)보다 굴절률이 낮은 물질로 이루어지며, 주로 p-GaN으로 이루어진다.
상기 n형 웨이브 가이드층(120), 활성층(130), p형 웨이브 가이드층(140)은 실질적으로 레이징(Lasing)이 일어나는 부분으로, 상기 n형 웨이브 가이드층(120) 및 p형 웨이브 가이드층(140)과 상기 활성층(130)과의 굴절률의 차이로 인하여 상기 활성층(130) 영역에서 생성되는 빛이 상기 활성층(130)을 벗어나지 않게 된다.
즉, n형 웨이브 가이드층(120) 및 p형 웨이브 가이드층(140)은 활성층(130)에서 발생된 빛을 활성층(130) 내에 가두어 두는 역할을 한다.
상기 p형 웨이브 가이드층(140) 상부에 형성된 p형 클래드층(150)은 주입된 도전성 불순물이 다른 것을 제외하고는 상기 n형 클래드층(110)과 동일한 물질층으로 이루어진다.
즉, p형 클래드층(150)은 상기 n형 클래드층(110)에 따라 p-AlGaN, p-InGaN, p-AlGaInN 등의 질화물계 화합물 반도체로 형성할 수 있다.
상기 p형 클래드층(150) 상부에 형성된 p-패드 전극(160)은 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt) 중에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어진다.
여기서, 상기 p형 클래드층(150)과 상기 p-패드 전극(160) 사이에 오믹 컨택을 위한 오믹층(미도시)을 더 형성할 수 있다.
상기 오믹층은 광 반사 특성을 이용한 레이저 다이오드의 임계 전류를 낮추기 위해서 반사 특성을 갖는 것이 바람직하며, Ni, Ti, Au 등의 합금을 이용한 단일층 또는 다중층으로 형성한다.
상기 질화물 기판(100) 기판 하부에 형성된 n-패드 전극(170)은 투명 전도성을 가지고 낮은 저항을 가지며 상기 질화물 기판(100)과 오믹 접촉이 가능한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
즉, 상기 n-패드 전극(170)은 TCO(Transparent Conductive Oxide) 예를 들면, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO) 또는 알루미늄이 도핑된 산화 아연 (Al:ZnO) 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 구조의 레이저 다이오드에서는 p-전극 패드(160)와 n-전극 패드(170)가 칩의 상하 양면에 별도로 형성되므로 칩의 면적을 줄일 수 있어 웨이퍼 당 칩 생산량을 크게 향상시킬 수 있다.
그리고, n-패드 전극(170)을 투명하고 전도성이 있으며 질화물 기판(100)과 오믹 접촉이 가능한 TCO로 형성하게 되면, 질화물 기판(100)과의 오믹 컨택을 위한
별도의 오믹층을 형성할 필요가 없게 된다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조방법의 실시예를 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 프리 스탠딩된 질화물 기판(200)을 준비한다(도 5a).
상기 질화물 기판(200)을 제조하는 방법은 다음과 같다. 즉, 사파이어 기판 상에 질화물 반도체층을 일정한 두께로 형성시킨 후, 기계적인 래핑(Lapping) 공정을 수행하거나 레이저를 조사하여 사파이어 기판을 질화물 반도체층으로부터 분리하여 프리 스탠딩된 질화물 기판을 얻는다.
여기서, 상기 질화물 기판(100)은 n-GaN 또는 n-AlN으로 이루어지며, 200 ~ 400 ㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 질화물 기판(200) 상부에 n형 클래드층(210), n형 웨이브 가이드층(220), 활성층(230), p형 웨이브 가이드층(240), p형 클래드층(250)을 순차 적으로 적층한다(도 5b).
상기 질화물 기판(200) 상부에 형성되는 n형 클래드층(210), n형 웨이브 가이드층(220), 활성층(230), p형 웨이브 가이드층(240), p형 클래드층(250)은 금속유기화학증착법(MOCVD), 액상에피택셜법(LPE), 분자빔에피택셜법(MBE) 등을 사용하여 형성한다.
이어서, 상기 p형 클래드층(250) 상부에 p-패드 전극(260)을 형성한다(도 5c).
상기 p-패드 전극(260)은 전자빔 증착(E-Beam Vaporation) 또는 스퍼터링(Sputtering) 방법을 사용하여 형성한다.
그리고, 상기 p-패드 전극(260)은 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt) 중에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어진다.
여기서, 상기 p형 클래드층(250) 상부에 p-패드 전극(260)을 형성하기 전에 p형 클래드층(250)과의 오믹 컨택을 위한 오믹층을 더 형성할 수 있다.
상기 오믹층은 광 반사 특성을 이용한 레이저 다이오드의 임계 전류를 낮추기 위해서 반사 특성을 갖는 것이 바람직하며, Ni, Ti, Au 등의 합금을 이용한 단일층 또는 다중층으로 형성한다.
다음으로, 상기 질화물 기판(200)의 하부면을 래핑(Lapping) 및 폴리싱 (Polishing) 공정으로 연마한다(도 5d).
상기 연마 공정은 열방출을 보다 용이하게 하기 위해서 수행하며, 이때 연마된 질화물 기판(205)의 두께는 80 ~ 150 ㎛로 줄어들게 된다.
이어서, 상기 연마된 질화물 기판(205)의 하부에 n-패드 전극(270)을 형성한다(도 5e).
여기서, n-패드 전극(270)은 투명 전도성을 가지고 낮은 저항을 가지며 상기 연마된 질화물 기판(205)과 오믹 접촉이 가능한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
즉, 상기 n-패드 전극(270)은 TCO(Transparent Conductive Oxide) 예를 들면, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO) 또는 알루미늄이 도핑된 산화 아연(Al:ZnO) 등으로 이루어질 수 있다.
그 후, 스크라이빙용 팁(280)으로 상기 n-패드 전극(270)의 하부면을 스크라이빙하여 연마된 질화물 기판(205) 상부에 형성된 복수개의 발광 구조물을 별개의 단위 소자로 분리한다(도 5f).
이와 같이, 상기 n-패드 전극(270)을 TCO(Transparent Conductive Oxide) 와 같은 투명하고 전도성이 있는 물질로 형성하게 되면, 기존의 스크라이빙 공정을 수행하기 위한 마스크 공정을 별도로 수행할 필요가 없어 제조 공정이 단순해지고 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면 질화물 기판 하부에 n-패드 전극을 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같이 투명 전도성이 있으며 질화물 기판과 오믹 접촉을 이루는 물질로 형성함으로써, 기존의 스크라이빙 공정을 수행하기 위한 마스크 공정을 별도로 수행할 필요가 없어 제조 공정이 단순해지고 제조 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (7)

  1. 기판 상부에 n형 클래드층, n형 웨이브 가이드층, 활성층, p형 웨이브 가이드층, p형 클래드층이 순차적으로 형성되어 있고;
    상기 p형 클래드층 상부에 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 기판 하부에 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 n-패드 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 질화물 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 TCO(Transparent Conductive Oxide)는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 알루미늄이 도핑된 ZnO 인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 p형 클래드층과 p-패드 전극 사이에 반사 특성을 갖는 오믹층을 더 포 함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  5. 질화물 기판 상부에 n형 클래드층, n형 웨이브 가이드층, 활성층, p형 웨이브 가이드층, p형 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계;
    상기 p형 클래드층 상부에 p-패드 전극을 형성하는 단계;
    상기 질화물 기판 하부에 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 n-패드 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 n-패드 전극 하부에 스크라이빙 공정을 수행하여 별개의 레이저 다이오드로 분리하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 TCO(Transparent Conductive Oxide)는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 알루미늄이 도핑된 ZnO 인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 p-패드 전극을 형성한 후, 상기 질화물 기판 하부를 래핑 및 폴리싱 공정을 통하여 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이 오드의 제조방법.
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