KR20070076274A - 가변 게인 저잡음 증폭기 회로 및 이를 구비하는 무선 통신수신기 - Google Patents
가변 게인 저잡음 증폭기 회로 및 이를 구비하는 무선 통신수신기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070076274A KR20070076274A KR1020060005444A KR20060005444A KR20070076274A KR 20070076274 A KR20070076274 A KR 20070076274A KR 1020060005444 A KR1020060005444 A KR 1020060005444A KR 20060005444 A KR20060005444 A KR 20060005444A KR 20070076274 A KR20070076274 A KR 20070076274A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistor
- current
- amount
- feedback
- circuit
- Prior art date
Links
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000005577 local transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
- H03F1/342—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback in field-effect transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
- H03F1/483—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers with field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3052—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
- H03G3/3078—Circuits generating control signals for digitally modulated signals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/42—Indexing scheme relating to amplifiers the input to the amplifier being made by capacitive coupling means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/54—Two or more capacitor coupled amplifier stages in cascade
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45511—Indexing scheme relating to differential amplifiers the feedback circuit [FBC] comprising one or more transistor stages, e.g. cascaded stages of the dif amp, and being coupled between the loading circuit [LC] and the input circuit [IC]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
Description
Claims (17)
- 게인 조절 가능한 광대역 저잡음 증폭기 회로에 있어서,입력 노드 및 출력 노드에 커플되고, 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 발생하는 제1 트랜지스터;상기 출력 신호를 상기 입력 노드로 피드백하는 제2 트랜지스터; 및상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스를 상보적으로 제어하는 조절 회로를 구비하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 조절 회로는소정의 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 전류량을 조절하는 메인 조절부; 및상기 소정의 제어 신호에 응답하여 상기 제2 트랜지스터의 전류량을 상기 제1 트랜지스터의 전류량과 상보적으로 조절하는 피드백 조절부를 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 2 항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기 회로는상기 제2 트랜지스터와 상기 피드백 조절부에 접속되는 제3 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 3 항에 있어서, 상기 메인 조절부는제1 기준 전류량을 공급하는 제1 전류원;상기 소정의 제어 신호의 상보 신호에 응답하여, 상기 제1 기준 전류량에 비례하는 제1 바이어스 전류를 생성하는 제1 전류 미러 회로; 및상기 제1 트랜지스터와 전류 미러 형태로 접속되어, 상기 제1 트랜지스터에 흐르는 전류량이 상기 제1 바이어스 전류에 비례하도록 하는 제2 전류 미러 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 4 항에 있어서, 상기 피드백 조절부는제2 기준 전류량을 공급하는 제2 전류원;상기 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 제2 기준 전류량에 비례하는 제2 바이어스 전류를 생성하는 제3 전류 미러 회로; 및상기 제3 트랜지스터와 전류 미러 형태로 접속되어, 상기 제2 트랜지스터에 흐르는 전류량이 상기 제2 바이어스 전류에 비례하도록 하는 제4 전류 미러 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 3 항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기 회로는상기 제1 트랜지스터와 상기 출력 노드 사이에 삽입되는 제4 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게인 저잡음 증폭기 회로는상기 출력 노드와 소정의 전원 전압 노드 사이에 직렬로 연결되는 저항 소자와 인덕턴스 소자를 포함하는 출력 부하를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 게인 조절 가능한 광대역 저잡음 증폭기 회로에 있어서,입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 발생하는 증폭부;상기 출력 신호를 입력 노드로 피드백하는 피드백부; 및상기 증폭부 및 상기 피드백부에 흐르는 전류량을 상보적으로 제어하는 조절 회로를 구비하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 8 항에 있어서,상기 증폭부는 상기 입력 노드 및 출력 노드에 커플되는 증폭 트랜지스터를 구비하고,상기 피드백부는 상기 출력 노드와 상기 입력 노드에 커플되는 피드백 트랜지스터를 구비하며,상기 조절 회로는 상기 증폭 트랜지스터에 흐르는 전류량과 상기 피드백 트랜지스터에 흐르는 전류량을 상호 반비례하게 조절하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 8 항에 있어서,상기 증폭부는 상기 입력 노드 및 출력 노드에 커플되는 증폭 트랜지스터 쌍을 구비하고,상기 피드백부는 상기 출력 노드와 상기 입력 노드에 커플되는 피드백 트랜지스터쌍을 구비하며,상기 조절 회로는 상기 증폭 트랜지스터 쌍에 흐르는 전류량과 상기 피드백 트랜지스터 쌍에 흐르는 전류량을 상호 반비례하게 조절하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 조절 회로는소정의 제어 신호에 응답하여 상기 증폭부의 전류량을 조절하는 메인 조절부; 및상기 소정의 제어 신호에 응답하여 상기 피드백부의 전류량을 상기 증폭부의 전류량과 상보적으로 조절하는 피드백 조절부를 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 11 항에 있어서,상기 메인 조절부는제1 기준 전류량을 공급하는 제1 전류원;상기 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 제1 기준 전류량에 비례하는 제1 바이어스 전류를 생성하는 제1 전류 미러 회로; 및상기 증폭 트랜지스터에 흐르는 전류량이 상기 제1 바이어스 전류에 비례하도록 조절하는 제2 전류 미러 회로를 구비하고,상기 피드백 조절부는제2 기준 전류량을 공급하는 제2 전류원;상기 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 제2 기준 전류량에 비례하는 제2 바이어스 전류를 생성하는 제3 전류 미러 회로; 및상기 피드백 트랜지스터에 흐르는 전류량이 상기 제2 바이어스 전류에 비례하도록 조절하는 제4 전류 미러 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 10 항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기 회로는상기 증폭 트랜지스터와 상기 출력 노드 사이에 삽입되는 제4 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 제 10 항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기 회로는상기 증폭 트랜지스터쌍과 상기 출력 노드 사이에 삽입되는 제4 트랜지스터쌍을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기 회로.
- 광대역 무선 통신 수신기에 있어서,입력 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기 회로;상기 저잡음 증폭기 회로의 출력 신호의 주파수를 하향 변환하는 믹서;상기 믹서의 출력 신호를 디지털 신호를 변환하는 A/D 컨버터; 및상기 디지털 신호로부터 데이터를 복원하는 디지털 신호 처리부를 구비하며,상기 저잡음 증폭기 회로는상기 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 발생하는 증폭부;상기 출력 신호를 입력 노드로 피드백하는 피드백부; 및상기 증폭부 및 상기 피드백부에 흐르는 전류량을 상보적으로 제어하는 조절 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 광대역 무선 통신 수신기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 조절 회로는소정의 제어 신호에 응답하여 상기 증폭부의 전류량을 조절하는 메인 조절부; 및상기 소정의 제어 신호에 응답하여 상기 피드백부의 전류량을 상기 증폭부의 전류량과 상보적으로 조절하는 피드백 조절부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광대역 무선 통신 수신기.
- 제 16 항에 있어서, 상기 소정의 제어 신호는상기 디지털 신호 처리부에서 출력되는 것을 특징으로 하는 광대역 무선 통신 수신기.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060005444A KR100856131B1 (ko) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | 가변 게인 저잡음 증폭기 회로 및 이를 구비하는 무선 통신수신기 |
US11/588,651 US7489200B2 (en) | 2006-01-18 | 2006-10-27 | Gain controllable low noise amplifier and wireless communication receiver having the same |
DE102006062577A DE102006062577A1 (de) | 2006-01-18 | 2006-12-29 | Breitbandverstärker und Breitbandkommunikationsempfänger |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060005444A KR100856131B1 (ko) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | 가변 게인 저잡음 증폭기 회로 및 이를 구비하는 무선 통신수신기 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070076274A true KR20070076274A (ko) | 2007-07-24 |
KR100856131B1 KR100856131B1 (ko) | 2008-09-03 |
Family
ID=38219869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060005444A KR100856131B1 (ko) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | 가변 게인 저잡음 증폭기 회로 및 이를 구비하는 무선 통신수신기 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7489200B2 (ko) |
KR (1) | KR100856131B1 (ko) |
DE (1) | DE102006062577A1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101445712B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2014-10-01 | 한국전자통신연구원 | 신호변환장치, 차동 신호변환장치 및 주파수 변환방법 |
KR20160113349A (ko) * | 2015-03-18 | 2016-09-29 | 삼성전기주식회사 | 전력 증폭기 |
WO2018004074A1 (ko) * | 2016-06-27 | 2018-01-04 | 이화여자대학교 산학협력단 | 콘스탄트 트랜스 컨덕턴스 전류 소스 및 이를 이용한 연산 증폭기 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1993201A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-19 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Switchable multiband LNA design |
US20080318544A1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-25 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | Frequency mixer |
KR100988460B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2010-10-20 | 한국전자통신연구원 | 광대역 저잡음 증폭기 |
JP5205403B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2013-06-05 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
US9130642B2 (en) * | 2010-03-18 | 2015-09-08 | Mediatek Inc. | Frequency-selective circuit with mixer module implemented for controlling frequency response, and related signal processing apparatus and method |
US8503960B2 (en) * | 2011-07-29 | 2013-08-06 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | Amplifier and associated receiver |
US9094634B2 (en) * | 2013-06-05 | 2015-07-28 | Silicon Laboratories Inc. | Amplifier for television tuner chip and method therefor |
US9748981B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-08-29 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Receiving a plurality of radio frequency bands |
EP3139498A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-08 | Nokia Technologies Oy | Method and apparatus for amplifying signals |
CN107590178B (zh) * | 2017-07-31 | 2020-10-16 | 杭州大搜车汽车服务有限公司 | 一种基于vin码的车型匹配方法、电子设备、存储介质 |
WO2021026539A1 (en) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | The Regents Of The University Of California | Noise reduction in high frequency amplifiers using transmission lines to provide feedback |
EP3823162B1 (en) * | 2019-11-14 | 2022-07-27 | Imec VZW | Digital rf circuitry |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1069189A (en) * | 1977-11-25 | 1980-01-01 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government | Modular low noise preamplifier |
US5661437A (en) * | 1994-08-15 | 1997-08-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Negative feedback variable gain amplifier circuit |
FI100751B (fi) | 1996-06-11 | 1998-02-13 | Nikolay Tchamov | Pienikohinainen vahvistin |
GB2321150B (en) | 1997-01-11 | 2000-12-06 | Plessey Semiconductors Ltd | Low noise amplifier |
KR100249497B1 (ko) | 1997-11-26 | 2000-03-15 | 정선종 | 저잡음 및 고증폭을 위한 능동 발룬 회로 |
KR20000041721A (ko) | 1998-12-23 | 2000-07-15 | 윤종용 | 캐스코드 구조의 저잡음 증폭 집적회로 |
KR20010063911A (ko) * | 1999-12-24 | 2001-07-09 | 박종섭 | 트랜지스터를 이용한 자동이득제어장치 |
TW472985U (en) * | 2001-01-05 | 2002-01-11 | Elan Microelectronics Corp | Current-controlled CMOS amplification circuit |
US6724235B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-04-20 | Sequoia Communications | BiCMOS variable-gain transconductance amplifier |
KR100499856B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2005-07-07 | 한국전자통신연구원 | 가변 이득 증폭기 |
KR100499858B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2005-07-08 | 한국전자통신연구원 | 가변 이득 증폭기 |
US6894564B1 (en) * | 2003-07-07 | 2005-05-17 | Analog Devices, Inc. | Variable-gain amplifier having error amplifier with constant loop gain |
US6930554B2 (en) * | 2003-07-18 | 2005-08-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Variable gain low noise amplifier and method |
US6864751B1 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-08 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Transimpedance amplifier with adjustable output amplitude and wide input dynamic-range |
US7292102B2 (en) * | 2004-09-10 | 2007-11-06 | Broadcom Corporation | Gain control scheme independent of process, voltage and temperature |
-
2006
- 2006-01-18 KR KR1020060005444A patent/KR100856131B1/ko active IP Right Grant
- 2006-10-27 US US11/588,651 patent/US7489200B2/en active Active
- 2006-12-29 DE DE102006062577A patent/DE102006062577A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101445712B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2014-10-01 | 한국전자통신연구원 | 신호변환장치, 차동 신호변환장치 및 주파수 변환방법 |
KR20160113349A (ko) * | 2015-03-18 | 2016-09-29 | 삼성전기주식회사 | 전력 증폭기 |
WO2018004074A1 (ko) * | 2016-06-27 | 2018-01-04 | 이화여자대학교 산학협력단 | 콘스탄트 트랜스 컨덕턴스 전류 소스 및 이를 이용한 연산 증폭기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7489200B2 (en) | 2009-02-10 |
KR100856131B1 (ko) | 2008-09-03 |
DE102006062577A1 (de) | 2007-07-26 |
US20070164826A1 (en) | 2007-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100856131B1 (ko) | 가변 게인 저잡음 증폭기 회로 및 이를 구비하는 무선 통신수신기 | |
US6888411B2 (en) | Radio frequency variable gain amplifier with linearity insensitive to gain | |
US8107901B2 (en) | Feedback loop with adjustable bandwidth | |
US6756924B2 (en) | Circuit and method for DC offset calibration and signal processing apparatus using the same | |
US7948309B2 (en) | DC-offset cancelled programmable gain array for low-voltage wireless LAN system and method using the same | |
US7292098B2 (en) | Operational amplifier | |
WO2005119907A2 (en) | General-purpose wideband amplifier | |
US7202741B2 (en) | Highly linear variable gain amplifier | |
TW200822534A (en) | Peak detector and fixed gain amplifier circuit for automatic gain control and variable gain amplifier circuit and method thereof | |
JP5434905B2 (ja) | 利得可変増幅器 | |
US10389312B2 (en) | Bias modulation active linearization for broadband amplifiers | |
US6600373B1 (en) | Method and circuit for tuning a transconductance amplifier | |
US10348260B2 (en) | Amplifier circuit and filter | |
US7501892B2 (en) | Amplifier circuit and communication device | |
US8050642B2 (en) | Variable gain amplifier and receiver including the same | |
US8179198B2 (en) | Variable gain amplifier having automatic power consumption optimization | |
US7928800B2 (en) | Programmable compensation network for operational amplifiers | |
US11264962B2 (en) | Fully differential amplifier including feedforward path | |
JP2007150433A (ja) | 可変利得増幅器およびそれを用いた送受信装置 | |
EP1523094A1 (en) | Automatically adjusting low noise amplifier | |
Cheng et al. | A high-linearity, 60-dB variable Gain amplicier with dual DC-offset cancellation for UWB systems | |
KR100801563B1 (ko) | 가변 이득 증폭기 | |
JP2011188343A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2008028766A (ja) | 電子回路、増幅回路およびそれを搭載した通信システム | |
CN115189652A (zh) | 放大电路、可变增益放大器和射频装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120802 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130731 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140731 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160801 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180731 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190731 Year of fee payment: 12 |