KR20070073451A - Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same - Google Patents

Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20070073451A
KR20070073451A KR1020060001383A KR20060001383A KR20070073451A KR 20070073451 A KR20070073451 A KR 20070073451A KR 1020060001383 A KR1020060001383 A KR 1020060001383A KR 20060001383 A KR20060001383 A KR 20060001383A KR 20070073451 A KR20070073451 A KR 20070073451A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pauls
wafers
wafer
coating liquid
coating
Prior art date
Application number
KR1020060001383A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
백종기
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060001383A priority Critical patent/KR20070073451A/en
Publication of KR20070073451A publication Critical patent/KR20070073451A/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005—Vacuum work holders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

A semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to improve productivity and to enhance throughput of a photo process by forming simultaneously a coating layer on a plurality of wafers using a multistage type structure. A semiconductor manufacturing apparatus includes a plurality of bowls, a plurality of vacuum chucks, a coating solution supply unit and a driving unit. The plurality of bowls(10a,10b) are arranged like a multistage type structure. The vacuum chuck is fixed to an inner portion of each bowl in order to support an edge portion of a wafer. The coating solution supply unit sprays a coating solution onto each wafer. The driving unit(40) is connected with the bowls in order to rotate the bowls.

Description

반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법{Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same} Semiconductor manufacturing apparatus and fabrication method using the same {Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A방향에서 바라본 바울을 설명하기 위한 측면도이다. FIG. 2 is a side view for explaining Paul viewed from the direction A of FIG. 1.

도 3은 도 1의 B-B'를 절단한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 1.

도 4는 도 1의 C-C'를 절단한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG. 1.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

1 : 반도체 제조 장치 10a, 10b : 바울1: semiconductor manufacturing apparatus 10a, 10b: Paul

11 : 분사 노즐 11 : 개구부11 injection nozzle 11 opening

15 : 서포터 20 : 진공척15: supporter 20: vacuum chuck

30 : 코팅액 공급부 40 : 제1 구동부30: coating liquid supply unit 40: first drive unit

50 : 다단 암 60 : 제2 구동부50: multi-stage arm 60: second drive unit

본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 생산성이 향상된 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device using the same improved productivity.

일반적으로 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하기 위해 사진(photo lithography) 공정이 수행된다. 사진 공정은 웨이퍼에 포토레지스트를 코팅하는 공정, 포토레지스트 상에 미세 패턴을 형성하는 노광 공정 및 포토레지스트를 현상하는 현상 공정을 순차적으로 수행함으로써 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성한다.In general, a photo lithography process is performed to form a fine pattern on a wafer. The photographic process forms a fine pattern on the wafer by sequentially performing a process of coating a photoresist on the wafer, an exposure process of forming a fine pattern on the photoresist, and a developing process of developing the photoresist.

이러한 사진 공정 중 포토레지스트를 코팅하는 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위해 스핀 코팅 장치를 이용한다. 이러한 스핀 코팅 장치는 고속으로 회전하는 웨이퍼 상에 포토레지스트를 분사하고, 원심력에 의해 포토레지스트가 웨이퍼 중앙에서 가장자리로 퍼져 나가면서 웨이퍼 전체를 코팅하게 된다.The process of coating the photoresist during this photo process uses a spin coating apparatus to form a photoresist film on the wafer. The spin coating apparatus sprays a photoresist on a wafer rotating at high speed, and the entire photoresist is coated while the photoresist is spread from the center of the wafer to the edge by centrifugal force.

그런데, 종래의 스핀 코팅 장치는 하나의 웨이퍼 단위로 포토레지스트막을 형성한다. 즉, 단일 암(single arm)을 이용하여 단일 회전 척(single spin chuck) 상에 웨이퍼를 놓고, 웨이퍼 상에 포토레지스트막을 형성하게 된다. 따라서, 종래의 스핀 코팅 장치는 생산성이 떨어지고, 사진 공정 전체의 작업 처리량(throughput) 역시 떨어지는 문제점이 있었다.By the way, the conventional spin coating apparatus forms a photoresist film in one wafer unit. That is, the wafer is placed on a single spin chuck using a single arm, and a photoresist film is formed on the wafer. Therefore, the conventional spin coating apparatus has a problem in that productivity is lowered and throughput of the entire photographic process is also lowered.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 생산성이 향상된 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a semiconductor manufacturing apparatus having improved productivity and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 반도체 제조 장치를 이용한 반도체 소자의 제조 방법를 제공하는 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor manufacturing apparatus.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 다단(multistage) 배치된 다수의 바울(bowl), 각 바울 내에 고정 장착되고, 웨이퍼의 에지(edge)를 지지하는 다수의 진공척, 각 웨이퍼 상에 코팅액을 분사하는 코팅액 공급부, 및 다수의 바울과 연결되어 다수의 바울 전체를 회전시키는 구동부를 포함한다.The semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention for achieving the above technical problem is a plurality of poles (multistage) arranged, a plurality of fixedly mounted in each of the poles, a plurality of edges (edge) of the wafer A vacuum chuck, a coating liquid supply for spraying the coating liquid on each wafer, and a driving portion connected to the plurality of pauls to rotate the entire plurality of pauls.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 다단 배치된 다수의 바울과, 각 바울 내에 고정 장착되고 웨이퍼의 에지를 지지하는 다수의 진공척과, 각 웨이퍼 상에 코팅액을 분사하는 코팅액 공급부와, 다수의 바울과 연결되어 다수의 바울 전체를 회전시키는 구동부를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공하고, 다수의 진공척에 각각 다수의 웨이퍼를 동시에 배치하고, 다수의 웨이퍼 상에 각각 코팅액을 동시에 분사하고, 다수의 바울 전체를 회전시켜, 다수의 웨이퍼 상에 코팅막을 동시에 형성하는 것을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a semiconductor device, a plurality of Pauls arranged in multiple stages, a plurality of vacuum chucks fixedly mounted in each Paul and supporting edges of a wafer, and on each wafer. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a coating liquid supply unit for spraying a coating liquid onto the liquid, and a driving unit connected to a plurality of Pauls to rotate the entire plurality of Pauls, and simultaneously placing a plurality of wafers in a plurality of vacuum chucks, and a plurality of wafers. Spraying the coating liquid onto each of the layers simultaneously, and rotating the entirety of the plurality of poles, thereby simultaneously forming a coating film on the plurality of wafers.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 도 2는 도 1의 A방향에서 바라본 바울(bowl)을 설명하기 위한 측면도이다. 도 3은 도 1의 B-B'를 절단한 단면도이다. 도 4는 도 1의 C-C'를 절단한 단면도이다. 1 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a side view illustrating a bowl viewed from the direction A of FIG. 1. 3 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 1. 4 is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG. 1.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치(1)는 다수의 바울(10a, 10b), 다수의 진공척(20), 코팅액 공급부(30), 제1 구동부(40), 다단 암(50), 제2 구동부(60)을 포함한다.1 to 4, a semiconductor manufacturing apparatus 1 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a plurality of Pauls 10a and 10b, a plurality of vacuum chucks 20, a coating liquid supply unit 30, and a first driving unit. 40, the multi-stage arm 50, and the second driver 60.

다수의 바울(10a, 10b)은 다단(multistage)으로 배치된다. 구체적으로, 다수의 서포터(supporter)(15)가 다수의 바울(10a, 10b)에 연결되어 있어, 다수의 바울(10a, 10b)이 서로 소정 간격을 갖고 배치되도록 지지한다.Many Pauls 10a, 10b are arranged in multistage. Specifically, a plurality of supporters 15 are connected to a plurality of Pauls 10a and 10b to support the plurality of Pauls 10a and 10b to be arranged at a predetermined interval from each other.

다수의 진공척(20)은 각 바울(10a, 10b) 내에 고정 장착되고 웨이퍼(W)의 에지(edge)를 지지한다. 이러한 진공척(20)은 웨이퍼(W)의 에지를 지지하기 이해서 진공 홀(vacuum hole)(21)이 링 형태로 배열된 링형 진공척일 수 있다. A plurality of vacuum chucks 20 are fixedly mounted in each of the poles 10a and 10b and support the edges of the wafer W. As shown in FIG. The vacuum chuck 20 may be a ring-type vacuum chuck in which a vacuum hole 21 is arranged in a ring shape to support the edge of the wafer W.

특히, 웨이퍼(W) 상에 코팅막을 형성하기 위해서는 웨이퍼(W)가 회전해야 하 는데, 본 발명에서는 웨이퍼가 놓여진 진공척만이 회전하는 것이 아니고, 진공척(20)이 바울(10a, 10b)에 고정 장착되어 있어 바울(10a, 10b)의 회전에 의해 진공척(20)이 회전된다. 이와 같이 구성한 이유는 다음과 같다. 진공척만을 회전시키기 위해서는 바울 하부에 관통홀이 형성되고, 진공척과 연결된 회전축이 관통홀을 관통하도록 구성해야 한다. 그런데, 상부 바울(10a)에 이러한 관통홀이 형성되어 있으면, 상부 바울(10a)에서 하부 바울(10b)로 코팅액이 떨어질 수 있으므로 이를 방지하기 위해서 바울(10a, 10b)을 회전시킴으로써 웨이퍼(W)가 회전되도록 한 것이다.In particular, in order to form a coating film on the wafer W, the wafer W needs to be rotated. In the present invention, the vacuum chuck 20 on which the wafer is placed is not rotated, but the vacuum chuck 20 is the paul 10a, 10b. It is fixed to the vacuum chuck 20 is rotated by the rotation of the paul (10a, 10b). The reason for this configuration is as follows. In order to rotate only the vacuum chuck, a through hole is formed in the lower part of the paul, and a rotating shaft connected to the vacuum chuck must be configured to pass through the through hole. However, if such a through hole is formed in the upper paul 10a, the coating liquid may fall from the upper paul 10a to the lower paul 10b, so that the wafers W are rotated by rotating the pauls 10a and 10b to prevent this. Is to be rotated.

제1 구동부(40)는 다수의 바울(10a, 10b)과 연결되어 다수의 바울(10a, 10b) 전체를 회전시키는 역할을 한다.The first driving unit 40 is connected to the plurality of Pauls 10a and 10b to rotate the entire plurality of Pauls 10a and 10b.

코팅액 공급부(30)는 코팅액을 공급하는 코팅액 공급 라인(31)과, 코팅액 공급 라인(31)의 일단에 연결되어 코팅액을 분사하는 분사 노즐(32)을 포함할 수 있다. 여기서, 분사 노즐(32)은 코팅액 공급 라인의 내경보다 작은 내경을 갖고 있어, 베르누이의 정리(Bernoulli's theorem)에 따라 분사 노즐(32)에서 코팅액이 분사되는 속도 및 압력이 증가하게 된다. 한편, 이러한 코팅액 공급부(30)는 도면에서는 표시하지 않았으나 다수의 웨이퍼(W) 상에 코팅액을 동시에 분사할 수 있도록 다단 노즐로 구성될 수 있다.The coating liquid supply unit 30 may include a coating liquid supply line 31 for supplying a coating liquid and a spray nozzle 32 connected to one end of the coating liquid supply line 31 to spray the coating liquid. Here, the spray nozzle 32 has an inner diameter smaller than the inner diameter of the coating liquid supply line, and according to Bernoulli's theorem, the speed and pressure at which the coating liquid is sprayed from the spray nozzle 32 increase. Meanwhile, although not shown in the drawing, the coating solution supply unit 30 may be configured as a multi-stage nozzle to simultaneously spray the coating solution onto a plurality of wafers (W).

코팅액은 포토레지스터, 반사 방지막(Anti Reflective Coating; ARC) 등일 수 있다.The coating liquid may be a photoresist, an anti reflective coating (ARC), or the like.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치(1)는 다수의 진공척 (20) 각각에, 다수의 웨이퍼(W)를 동시에 로딩(loading) 및/또는 언로딩(unloading)하는 다단 암(arm)을 포함할 수 있다.In addition, the semiconductor manufacturing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention is a multi-stage arm that simultaneously loads and / or unloads a plurality of wafers W on each of the plurality of vacuum chucks 20. may include an arm.

이러한 다단 암(50)은 수직 암(51)과, 수직 암(51)에 연결되고 다수의 웨이퍼(W)가 각각 놓여지는 다수의 수평 암(52a, 52b)을 포함할 수 있다. 제2 구동부(60)는 수직 암(51)을 상하 방향으로 이동시킨다.The multi-stage arm 50 may include a vertical arm 51 and a plurality of horizontal arms 52a and 52b connected to the vertical arm 51 and on which a plurality of wafers W are placed. The second driving unit 60 moves the vertical arm 51 in the vertical direction.

또한, 다수의 수평 암(52a, 52b)은 소정 거리만큼 상하로 이동 가능하다. 각 바울(10a, 10b)에는 웨이퍼(W)와 수평 암(52a, 52b)이 출입 가능하도록 도 2에 도시된 것과 같은 개구부(11)가 형성되어 있는데, 수평 암(52a, 52b)이 소정 거리만큼 상하로 이동하여 개구부(11)와의 위치를 맞추게 된다.In addition, the plurality of horizontal arms 52a and 52b are movable up and down by a predetermined distance. In each of the pauls 10a and 10b, an opening 11 as shown in FIG. 2 is formed to allow the wafer W and the horizontal arms 52a and 52b to enter and exit, and the horizontal arms 52a and 52b have a predetermined distance. It moves up and down as much as possible to match the position with the opening 11.

정리하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치(1)는 다수의 웨이퍼(W) 상에 코팅막을 동시에 형성하기 위해서, 코팅막이 형성될 수 있는 처리 영역을 다단으로 형성된다. 즉, 다수의 바울(10a, 10b)이 다단(multistage)으로 배치되고, 각 바울(10a, 10b) 내에 웨이퍼(W)를 지지하는 다수의 진공척(20)이 설치된다. 또한, 다수의 진공척(20)에 웨이퍼(W)를 동시에 로딩 및/또는 언로딩하기 위해 다단 암(50)을 사용하고, 다수의 웨이퍼(W) 상에 코팅액을 동시에 분사할 수 있도록 다단 노즐을 사용할 수 있다. 이와 같이 구성함으로써, 다수의 웨이퍼(W) 상에 코팅막을 동시에 형성할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다. 사진 공정 전체의 작업 처리량 역시 향상시킬 수 있다.In summary, in the semiconductor manufacturing apparatus 1 according to the exemplary embodiment of the present invention, in order to simultaneously form a coating film on a plurality of wafers W, the processing region in which the coating film may be formed is formed in multiple stages. That is, a plurality of pauls 10a and 10b are arranged in multistage, and a plurality of vacuum chucks 20 for supporting the wafer W are provided in each of the pauls 10a and 10b. In addition, the multi-stage arm 50 is used to simultaneously load and / or unload the wafers W to the plurality of vacuum chucks 20, and the multi-stage nozzle to spray the coating liquid on the plurality of wafers W at the same time. Can be used. By configuring in this way, since a coating film can be formed simultaneously on many wafers W, productivity can be improved. Throughput for the entire photographic process can also be improved.

또한, 도 1에서는 2단의 처리 영역 예로 들었으나, 이에 제한되지 않는다. 즉, 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명의 일 실시예를 통해서 3단 이 상의 처리 영역을 형성하는 것은 자명하다.In addition, in FIG. 1, although an example of a two-stage processing area is not limited thereto. That is, it will be apparent to those skilled in the art to form the processing region of three or more stages through the embodiment of the present invention.

이하에서, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device using a semiconductor manufacturing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

우선 다단 배치된 다수의 바울(10a, 10b)과, 각 바울(10a, 10b) 내에 고정 장착되고 웨이퍼(W)를 각각 지지하는 다수의 진공척과, 각 웨이퍼(W) 상에 코팅액을 분사하는 코팅액 공급부(30)와, 다수의 바울(10a, 10b)과 연결되어 다수의 바울(10a, 10b) 전체를 회전시키는 제1 구동부(40)를 포함하는 반도체 소자용 제조 장치(1)를 제공한다(S10). First, a plurality of Pauls 10a and 10b arranged in multiple stages, a plurality of vacuum chucks fixedly mounted in each of the Pauls 10a and 10b and supporting the wafers W, respectively, and a coating liquid for spraying a coating liquid onto each wafer W. Provided is a semiconductor device manufacturing apparatus 1 including a supply unit 30 and a first drive unit 40 connected to a plurality of Pauls 10a and 10b to rotate the entire plurality of Pauls 10a and 10b ( S10).

다단 암(50)을 이용하여 다수의 진공척(20)에 각각 다수의 웨이퍼(W)를 동시에 배치한다(S20). Using the multi-stage arm 50, a plurality of wafers W are simultaneously arranged on the plurality of vacuum chucks 20 (S20).

다단 노즐을 이용하여 다수의 웨이퍼(W) 상에 각각 코팅액을 동시에 분사한다(S30).The coating liquid is sprayed on each of the plurality of wafers W simultaneously using the multi-stage nozzle (S30).

제1 구동부(40)는 다수의 바울(10a, 10b) 전체를 회전시켜, 다수의 웨이퍼(W) 상에 코팅막을 동시에 형성한다(S40).The first driver 40 rotates the entirety of the plurality of pauls 10a and 10b to simultaneously form a coating film on the plurality of wafers W (S40).

여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 코팅액을 분사하면서 웨이퍼를 회전하지 않고, 코팅액을 먼저 분사하고 이후에 웨이퍼를 회전하게 됨을 유의한다. 이와 같이 하는 이유는, 코팅액을 분사하면서 웨이퍼(W)를 회전하면, 다수의 바울이 소정 간격을 갖고 배치되도록 지지하는 다수의 서포터(15)에 코팅액 공급부(30)가 걸릴 수 있기 때문이다.Here, in the method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, it is noted that without spraying the coating while spraying the coating liquid, the coating liquid is sprayed first and then the wafer is rotated. The reason for doing this is that when the wafer W is rotated while spraying the coating liquid, the coating liquid supply part 30 may be caught by the plurality of supporters 15 that support the plurality of Pauls to be arranged at predetermined intervals.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 따르면, 다수의 웨이퍼 상에 코팅막을 동시에 형성할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있고, 사진 공정 전체의 작업 처리량 역시 향상시킬 수 있다.According to the semiconductor manufacturing apparatus and the manufacturing method of a semiconductor device using the same as described above, it is possible to form a coating film on a plurality of wafers at the same time to improve the productivity, it is also possible to improve the throughput of the entire photo process.

Claims (8)

다단(multistage) 배치된 다수의 바울(bowl);Multiple bowls arranged in multiple stages; 상기 각 바울 내에 고정 장착되고, 웨이퍼의 에지(edge)를 지지하는 다수의 진공척;A plurality of vacuum chucks fixedly mounted in each of the pauls, the vacuum chucks supporting edges of the wafer; 상기 각 웨이퍼 상에 코팅액을 분사하는 코팅액 공급부; 및A coating liquid supply unit spraying a coating liquid on each wafer; And 상기 다수의 바울과 연결되어 상기 다수의 바울 전체를 회전시키는 구동부를 포함하는 반도체 제조 장치.And a driving unit connected to the plurality of Pauls to rotate the entire plurality of Pauls. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 진공척은 링형 진공척인 반도체 제조 장치.And said vacuum chuck is a ring vacuum chuck. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 바울에 연결되어, 상기 다수의 바울이 서로 소정 간격을 갖고 배치되도록 지지하는 다수의 서포터(supporter)를 포함하는 반도체 제조 장치.And a plurality of supporters connected to the plurality of Pauls to support the plurality of Pauls so as to be arranged at a predetermined interval from each other. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 진공척 각각에, 상기 다수의 웨이퍼를 동시에 로딩 및/또는 언로딩하는 다단 암(arm)을 포함하는 반도체 제조 장치.And a plurality of arms on each of the plurality of vacuum chucks for simultaneously loading and / or unloading the plurality of wafers. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 다단 암은 수직 암과, 상기 수직 암에 연결되고 상하로 이동 가능하며 다수의 웨이퍼가 놓여지는 다수의 수평암을 포함하는 반도체 제조 장치.The multi-stage arm includes a vertical arm and a plurality of horizontal arms connected to the vertical arm and movable up and down and on which a plurality of wafers are placed. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 각 바울은 상기 웨이퍼와 상기 수평암이 출입가능하도록 개구부가 형성된 반도체 제조 장치.And each of the pauls has an opening formed to allow the wafer and the horizontal arm to enter and exit. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 코팅액 공급부는 상기 다수의 웨이퍼 상에 상기 코팅액을 동시에 분사할 수 있도록 다단 노즐을 포함하는 반도체 제조 장치.The coating solution supply unit includes a multi-stage nozzle to simultaneously spray the coating solution on the plurality of wafers. 다단 배치된 다수의 바울과, 상기 각 바울 내에 고정 장착되고 웨이퍼의 에지를 지지하는 다수의 진공척과, 상기 각 웨이퍼 상에 코팅액을 분사하는 코팅액 공급부와, 상기 다수의 바울과 연결되어 상기 다수의 바울 전체를 회전시키는 구동부를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공하고, A plurality of poles arranged in multiple stages, a plurality of vacuum chucks fixedly mounted in the respective poles to support the edges of the wafer, a coating liquid supply unit for spraying the coating liquid onto the respective wafers, and the plurality of Pauls connected to the plurality of Pauls It provides a semiconductor manufacturing apparatus including a drive unit for rotating the whole, 상기 다수의 진공척에 각각 상기 다수의 웨이퍼를 동시에 배치하고,Simultaneously placing the plurality of wafers on the plurality of vacuum chucks, respectively, 상기 다수의 웨이퍼 상에 각각 코팅액을 동시에 분사하고,Simultaneously spraying a coating solution onto the plurality of wafers, 상기 다수의 바울 전체를 회전시켜, 상기 다수의 웨이퍼 상에 코팅막을 동시에 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.Rotating all of the plurality of pauls to form a coating film on the plurality of wafers simultaneously.
KR1020060001383A 2006-01-05 2006-01-05 Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same KR20070073451A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060001383A KR20070073451A (en) 2006-01-05 2006-01-05 Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060001383A KR20070073451A (en) 2006-01-05 2006-01-05 Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070073451A true KR20070073451A (en) 2007-07-10

Family

ID=38508052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060001383A KR20070073451A (en) 2006-01-05 2006-01-05 Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070073451A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018182500A1 (en) * 2017-03-28 2018-10-04 Akribis Systems Pte Ltd High density manufacturing cell (hdmc) structure or the like

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018182500A1 (en) * 2017-03-28 2018-10-04 Akribis Systems Pte Ltd High density manufacturing cell (hdmc) structure or the like

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10732508B2 (en) Coating and developing method and coating and developing apparatus
JP5681560B2 (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
US10935825B2 (en) Substrate processing method
US11806743B2 (en) Spin dispenser module substrate surface protection system
JP6325067B2 (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
JP6256828B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6688112B2 (en) Substrate processing equipment
JP6945314B2 (en) Board processing equipment
JP6356207B2 (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
JP2015092619A (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
JP5391014B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10854477B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5390873B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2008187083A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP2018139331A (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
US11845090B2 (en) Nozzle apparatus, apparatus and method for treating substrate
JP6710608B2 (en) Substrate processing method
KR20070073451A (en) Fabricating apparatus for semiconductor device and fabricating method using the same
JP6817821B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
KR101934883B1 (en) semiconductor fabricating method and apparatus
JP2004022783A (en) Treatment device
JP6442361B2 (en) Substrate processing equipment
JP2019129291A (en) Substrate processing method
KR102504087B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
JP6771080B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination