JP2019129291A - Substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を処理する基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機EL(Electroluminescence)表示装置などのFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing method for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor substrates, substrates for liquid crystal display devices, substrates for FPD (Flat Panel Display) such as organic EL (Electroluminescence) display devices, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, and for magneto-optical disks. Substrates, substrates for photomasks, ceramic substrates, substrates for solar cells, etc. are included.
従来より、基板の上面に対向部の下面を対向させてこれらを水平姿勢で回転させた状態で基板の上面に液処理を行う技術が知られている。この技術では、液処理の際に基板の上面に供給された処理液の一部が飛散し、対向部の下面に付着する場合がある。対向部の下面に付着した処理液を放置すると、該処理液がパーティクル等の異物になって基板を汚染する虞がある。よって、適宜のタイミングで対向部の下面に洗浄液を供給して該下面を洗浄する洗浄処理が実行される。 2. Description of the Related Art Conventionally, a technique is known in which liquid processing is performed on an upper surface of a substrate in a state where the lower surface of an opposing portion is opposed to the upper surface of the substrate and these are rotated in a horizontal posture. In this technique, a part of the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate may be scattered during liquid processing, and may adhere to the lower surface of the facing portion. When the processing liquid adhering to the lower surface of the facing portion is left as it is, the processing liquid may become foreign matter such as particles and contaminate the substrate. Therefore, the cleaning process of supplying the cleaning liquid to the lower surface of the facing portion at appropriate timing to clean the lower surface is performed.
例えば、特許文献1には、基板処理を行っていない期間に(すなわち、装置の基板保持部に基板が保持されていない期間に)、対向部の側方に設けられた洗浄ノズルから対向部の下面に洗浄液を供給して該下面を洗浄する装置が開示されている。
For example,
他方、基板処理の過程で(すなわち、基板保持部に基板が保持される期間に)、対向部の下面を洗浄する場合もあり得る。しかしながら、この場合、洗浄時に対向部の下面から洗浄液や異物が落下し、これらが基板の上面に付着して該基板を汚染する虞がある。 On the other hand, the lower surface of the facing portion may be cleaned in the process of substrate processing (that is, while the substrate is held by the substrate holder). However, in this case, there is a possibility that the cleaning liquid or foreign matter may fall from the lower surface of the facing portion during cleaning, and these may adhere to the upper surface of the substrate and contaminate the substrate.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板が汚染されるリスクを低減しつつ基板処理の過程で対向部を洗浄することができる技術を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of cleaning a facing portion in the course of substrate processing while reducing the risk of contamination of the substrate.
上記の課題を解決するため、第1態様は、基板の上面に対向する下面を有する対向部を用いて前記基板を処理する処理工程を含む基板処理方法であって、前記基板の前記上面に液処理を行う基板液処理工程と、前記対向部を洗浄する対向部洗浄工程とを含み、前記対向部洗浄工程は、前記基板の前記上面にリンス液を供給するリンス液供給工程と、前記基板の前記上面に前記リンス液供給工程で供給された前記リンス液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記液膜形成工程で前記基板の前記上面に前記液膜が形成された状態で、前記対向部の前記下面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを有する。 In order to solve the above problems, a first aspect is a substrate processing method including a processing step of processing the substrate using a facing portion having a lower surface facing the upper surface of the substrate, and a liquid is applied to the upper surface of the substrate. A substrate liquid processing step for performing processing, and a counter portion cleaning step for cleaning the counter portion, wherein the counter portion cleaning step includes: a rinsing liquid supply step for supplying a rinsing liquid to the upper surface of the substrate; A liquid film forming step of forming a liquid film of the rinse liquid supplied in the rinse liquid supply step on the upper surface, and a state in which the liquid film is formed on the upper surface of the substrate in the liquid film formation step; And supplying a cleaning liquid to the lower surface of the opposite portion.
また、第2態様は、第1態様の基板処理方法であって、前記基板液処理工程は、前記基板の前記上面に前記対向部の前記下面を対向させてこれらを水平姿勢で回転させた状態で液処理する工程を含む。 The second aspect is the substrate processing method according to the first aspect, wherein in the substrate liquid processing step, the lower surface of the facing portion is opposed to the upper surface of the substrate and the substrate is rotated in a horizontal posture. And a liquid treatment step.
また、第3態様は、第1または第2態様の基板処理方法であって、前記液膜形成工程は、前記基板を水平姿勢で回転させる工程を含み、前記液膜形成工程における前記基板の回転速度は、前記基板液処理工程における前記基板の回転速度よりも低速である。 Moreover, a 3rd aspect is a substrate processing method of the 1st or 2nd aspect, Comprising: The said liquid film formation process includes the process of rotating the said board | substrate in a horizontal attitude | position, The rotation of the said board | substrate in the said liquid film formation process The speed is slower than the rotational speed of the substrate in the substrate liquid processing step.
また、第4態様は、第1から第3態様のいずれか1つの基板処理方法であって、前記液膜形成工程は、前記基板の前記上面に対する前記リンス液の供給量を増加する工程を含む。 The fourth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, wherein the liquid film forming step includes a step of increasing a supply amount of the rinse liquid to the upper surface of the substrate. .
また、第5態様は、第1から第4態様のいずれか1つの基板処理方法であって、前記基板液処理工程は、前記対向部を前記基板に対向する対向位置に配する第1基板液処理工程を含み、前記対向部洗浄工程は、前記洗浄液供給工程の前に前記対向位置よりも上方の位置に配する工程を含む。 Further, the fifth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein the substrate liquid processing step includes a first substrate liquid in which the facing portion is disposed at a facing position facing the substrate. The processing step is included, and the opposite part cleaning step includes the step of disposing it at a position above the opposite position before the cleaning liquid supply step.
また、第6態様は、第5態様の基板処理方法であって、前記基板液処理工程は、前記対向部を前記対向位置よりも上方の退避位置に配する第2基板液処理工程を含み、前記対向部洗浄工程は、前記洗浄液供給工程の前に前記退避位置よりも前記基板に近い洗浄位置に配する工程を含む。 The sixth aspect is the substrate processing method according to the fifth aspect, wherein the substrate liquid processing step includes a second substrate liquid processing step in which the facing portion is disposed at a retracted position above the facing position. The opposite part cleaning step includes a step of arranging the cleaning portion closer to the substrate than the retracted position before the cleaning liquid supply step.
また、第7態様は、第1から第6態様のいずれか1つの基板処理方法であって、前記リンス液供給工程と前記洗浄液供給工程とが並行して行われる。 The seventh aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein the rinse liquid supply step and the cleaning liquid supply step are performed in parallel.
また、第8態様は、第1から第6態様のいずれか1つの基板処理方法であって、前記リンス液供給工程は、前記洗浄液供給工程に先立って行われる。 The eighth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein the rinsing liquid supply step is performed prior to the cleaning liquid supply step.
また、第9態様は、第1から第8態様のいずれか1つの基板処理方法であって、前記洗浄液供給工程と並行して行われ、前記液膜形成工程における前記基板の前記回転速度と同じ回転速度で前記対向部を水平姿勢で回転させる第1の対向部回転工程、をさらに有する。 The ninth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to eighth aspects, which is performed in parallel with the cleaning liquid supply step, and is the same as the rotation speed of the substrate in the liquid film forming step. A first facing portion rotating step of rotating the facing portion in a horizontal posture at a rotational speed;
また、第10態様は、第9態様の基板処理方法であって、前記洗浄液供給工程及び前記第1の対向部回転工程の後に行われ、前記液膜形成工程における前記基板の前記回転速度よりも高速で前記対向部を回転させる第2の対向部回転工程、をさらに有する。 A tenth aspect is the substrate processing method according to the ninth aspect, which is performed after the cleaning liquid supply step and the first facing portion rotation step, and is faster than the rotation speed of the substrate in the liquid film formation step. The method further includes a second opposing part rotating step of rotating the opposing part at high speed.
また、第11態様は、第10態様の基板処理方法であって、前記対向部の前記下面の高さが、前記基板の周囲を囲むカップの上端よりも高く、且つ前記基板液処理工程において前記基板の前記上面に各液を供給する各ノズルの各開口よりも低くなるよう前記対向部を昇降する対向部昇降工程、をさらに有し、前記対向部昇降工程で前記対向部の前記下面の高さを調整した状態で、前記第2の対向部回転工程が行われる。 An eleventh aspect is the substrate processing method according to the tenth aspect, wherein a height of the lower surface of the facing portion is higher than an upper end of a cup surrounding the substrate, and in the substrate liquid processing step, A counter lifting / lowering step of raising / lowering the counter so as to be lower than each opening of each nozzle for supplying each liquid to the upper surface of the substrate, and a height of the lower surface of the counter in the counter lifting / lowering step. In the state where the height is adjusted, the second facing portion rotating step is performed.
また、第12態様は、第1から第11態様のいずれか1つの基板処理方法であって、前記対向部洗浄工程は、前記液処理のうち前記基板の前記上面を撥水化する撥水化処理の前に行われる。 Further, the twelfth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to eleventh aspects, wherein the facing portion cleaning step is water repellent that repels the upper surface of the substrate in the liquid treatment. It takes place before processing.
また、第13態様は、第1から第12態様のいずれか1つの基板処理方法であって、前記液処理には有機溶剤を用いた処理が含まれ、前記対向部は耐有機溶剤性の材質である。 A thirteenth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to twelfth aspects, wherein the liquid processing includes processing using an organic solvent, and the facing portion is made of an organic solvent-resistant material. It is.
また、第14態様は、第1から第13態様のいずれか1つの基板処理方法であって、前記対向部の前記下面が、前記基板の上面よりも大きく広がっている。 A fourteenth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to thirteenth aspects, wherein the lower surface of the facing portion extends larger than the upper surface of the substrate.
第1から第14態様にかかる基板処理方法では、液膜形成工程の際に基板液処理の際に比べて基板の回転速度が低速なので、基板の上面に厚い液膜を形成することができる。洗浄液供給工程では該液膜が形成された状態で対向部の下面に洗浄液を供給するため、対向部の下面から洗浄液や異物が落下したとしても、これらは基板の上面に付着することなく液膜によって基板の外側に押し流されやすい。よって、基板が汚染されるリスクを低減しつつ、基板処理の過程で対向部を洗浄することができる。 In the substrate processing method according to the first to fourteenth aspects, since the rotation speed of the substrate is lower in the liquid film forming step than in the substrate liquid processing, a thick liquid film can be formed on the upper surface of the substrate. In the cleaning liquid supply process, since the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the opposing portion in a state where the liquid film is formed, even if the cleaning liquid or foreign matter falls from the lower surface of the opposing portion, these liquid films are not attached to the upper surface of the substrate. It is easy to be washed away by the outside of the substrate. Therefore, the facing portion can be cleaned in the course of substrate processing while reducing the risk of the substrate being contaminated.
以下、実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、重複説明が省略される。また、各図面は模式的に示されたものである。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In the drawings, parts having similar configurations and functions are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Each drawing is schematically shown.
<1 実施形態>
<1.1 基板処理装置1の構成>
図1、図2および図3は、第1実施形態の基板処理装置1を示す概略側面図である。なお、図1は対向部5が退避位置L1にある状態を示しており、図2は対向部5が対向位置L2にある状態を示しており、図3は対向部5が洗浄位置L3にある状態を示している。換言すると、図1は、対向部移動機構6によって対向部5が上方に移動された状態の基板処理装置1を示している。図2は、対向部移動機構6によって対向部5が下方に移動された状態の基板処理装置1を示している。基板処理装置1は、基板9(例えば、半導体基板)を1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
<1 embodiment>
<1.1 Configuration of
1, 2 and 3 are schematic side views showing the
基板処理装置1は、チャンバー11内に、主たる要素として、基板9を水平姿勢(法線が鉛直方向に沿う姿勢)に保持するスピンチャック31と、スピンチャック31に保持された基板9の上面に処理液を供給するためのノズル71,73と、スピンチャック31の周囲を取り囲むカップ部4と、スピンチャック31に保持された基板9の上面91と対向する下面513を有する対向部5と、対向部5を水平方向および鉛直方向に移動させる対向部移動機構6とを備える。
The
チャンバー11の側壁の一部には、チャンバー11に対して搬送ロボットが基板9を搬出入するための搬出入口およびその搬出入口を開閉するシャッターが設けられている(いずれも図示省略)。また、チャンバー11の天井壁には、基板処理装置1が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバー11内の処理空間に供給するためのファンフィルタユニット(FFU)が取り付けられている。ファンフィルタユニットは、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバー11内に送り出すためのファンおよびフィルタ(例えばHEPAフィルタ)を備えており、チャンバー11内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成する。
A part of the side wall of the
スピンチャック31は、鉛直方向に沿って延びる回転軸37の上端に水平姿勢で固定された円板形状のスピンベース32を備える。スピンベース32の下方には回転軸37を回転させるスピンモータ33が設けられる。スピンモータ33は、回転軸37を介してスピンベース32を水平面内にて回転させる。また、スピンモータ33および回転軸37の周囲を取り囲むように筒状のカバー部材34が設けられている。
The
円板形状のスピンベース32の外径は、スピンチャック31に保持される円形の基板9の径よりも若干大きい。よって、スピンベース32は、保持すべき基板9の下面92の全面と対向する保持面32aを有している。
The outer diameter of the disk-shaped
スピンベース32の保持面32aの周縁部には複数のチャックピン35が立設されている。複数のチャックピン35は、円形の基板9の外周円に対応する円周上に沿って均等な間隔をあけて(例えば、4個のチャックピン35であれば90°間隔にて)配置されている。複数のチャックピン35は、スピンベース32内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される。スピンチャック31は、複数のチャックピン35のそれぞれを基板9の外周端に当接させて基板9を把持することにより、当該基板9をスピンベース32の上方で保持面32aに近接した水平姿勢にて保持することができるとともに、複数のチャックピン35のそれぞれを基板9の外周端から離間させて把持を解除することができる。
A plurality of chuck pins 35 are provided upright on the peripheral edge of the holding
スピンモータ33を覆うカバー部材34は、その下端がチャンバー11の床壁に固定され、上端がスピンベース32の直下にまで到達している。複数のチャックピン35による把持によってスピンチャック31が基板9を保持した状態にて、スピンモータ33が回転軸37を回転させることにより、基板9の中心を通る鉛直方向に沿った中心軸J1まわりに基板9を回転させることができる。このように、スピンチャック31、スピンモータ33及び回転軸37は、基板9を水平に保持して回転させる基板回転部として機能する。
The lower end of the
以下、中心軸J1に直交する方向を「径方向」という。また、径方向において中心軸J1に向かう方向を「径方向内方」といい、径方向において中心軸J1側とは反対側に向かう方向を「径方向外方」という。 Hereinafter, the direction orthogonal to the central axis J1 is referred to as “radial direction”. In addition, a direction toward the central axis J1 in the radial direction is referred to as “radially inward”, and a direction toward the opposite side of the central axis J1 in the radial direction is referred to as “radially outward”.
カップ部4は、中心軸J1を中心とする環状の部材であり、基板9およびスピンチャック31の径方向外方に配置される。カップ部4は、基板9およびスピンチャック31の周囲の全周に亘って配置され、基板9から周囲に向かって飛散する処理液等を受けることが可能に構成されている。カップ部4は、第1ガード41と、第2ガード42と、ガード移動機構43と、排出ポート44とを備える。
The
第1ガード41は、第1ガード側壁部411と、第1ガード天蓋部412とを有する。第1ガード側壁部411は、中心軸J1を中心とする略円筒状である。第1ガード天蓋部412は、中心軸J1を中心とする略円環板状であり、第1ガード側壁部411の上端部から径方向内方に広がる。第2ガード42は、第2ガード側壁部421と、第2ガード天蓋部422とを有する。第2ガード側壁部421は、中心軸J1を中心とする略円筒状であり、第1ガード側壁部411よりも径方向外方に位置する。第2ガード天蓋部422は、中心軸J1を中心とする略円環板状であり、第1ガード天蓋部412よりも上方にて第2ガード側壁部421の上端部から径方向内方に広がる。
The
第1ガード天蓋部412の内径および第2ガード天蓋部422の内径は、スピンチャック31のスピンベース32の外径および対向部5の外径よりも僅かに大きい。第1ガード天蓋部412の上面および下面はそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。第2ガード天蓋部422の上面および下面もそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
The inner diameter of the
ガード移動機構43は、第1ガード41および第2ガード42を上下方向に移動することにより、基板9からの処理液等を受けるガードを第1ガード41と第2ガード42との間で切り替える。カップ部4の第1ガード41および第2ガード42にて受けられた処理液等は、排出ポート44を介してチャンバー11の外部へと排出される。また、第1ガード41内および第2ガード42内のガスも排出ポート44を介してチャンバー11の外部へと排出される。
The
対向部5は、耐有機溶剤性の材質(例えば、PCTFE(Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene)などのフッ素系樹脂やピークPCTFEなど)であり、平面視において略円形の部材である。対向部5は、基板9の上面91に対向する下面513を有する部材である。対向部5の外径は、基板9の外径、および、スピンベース32の外径よりも大きい。
The facing
対向部5の下面513は、好ましくは親水面である。下面513を親水面とする手段については特に限定されない。一例として、コーティング加工により下面513に親水性の膜を形成する方法、あるいは、サンドブラスト加工により下面513に微細凹凸を形成する方法が挙げられる。
The
対向部5は、本体部51を備える。本体部51は、天蓋部511と、側壁部512とを備える。天蓋部511の中央部には、開口54が設けられている。開口54は、例えば平面視において略円形である。開口54の直径は、基板9の直径に比べて小さい。天蓋部511は、中心軸J1を中心とする略円環板状の部材であり、天蓋部511の下面513が基板9の上面91に対向する。側壁部512は、中心軸J1を中心とする略円筒状の部材であり、天蓋部511の外周部から下方に広がる。図2に示す状態では、対向部5が基板9と一体的に中心軸J1まわりに回転されて、対向部5の下面513と基板9の上面91との間の雰囲気がチャンバー11内の他の空間の雰囲気とは遮断される。
The facing
対向部移動機構6は、保持回転機構61と、昇降機構62とを備える。保持回転機構61は、対向部5の本体部51を保持する。保持回転機構61は、保持部本体611と、アーム612と、本体回転部615とを備える。本体回転部615は、保持部本体611および本体部51を中心軸J1回りに回転可能な機構である。
The opposing
保持部本体611は、例えば、中心軸J1を中心とする円筒状に形成されており、対向部5の本体部51に接続されている。アーム612は、略水平に延びる棒状のアームである。アーム612の一方の端部は本体回転部615に接続され、他方の端部は昇降機構62に接続される。
The holding portion
保持部本体611の中央部からはノズル71が下方に突出する。ノズル71は、保持部本体611の側部に対しては非接触に挿入されている。
The
図1に示す状態では、対向部5が、基板9およびスピンチャック31の上方にて、保持回転機構61により吊り下げられる。以下の説明では、図1に示す対向部5の上下方向の位置を「退避位置L1」という。退避位置L1とは、対向部5が対向部移動機構6により保持されてスピンチャック31から上方に離間した位置である。
In the state shown in FIG. 1, the facing
昇降機構62は、対向部5を保持回転機構61と共に上下方向に移動させる。図2は、対向部5が図1に示す退避位置L1から下降した状態を示す断面図である。以下の説明では、図2に示す対向部5の上下方向の位置を「対向位置L2」という。すなわち、昇降機構62は、対向部5を退避位置L1と対向位置L2との間でスピンチャック31に対して相対的に上下方向に移動する。対向位置L2は、退避位置L1よりも下方の位置である。換言すると、対向位置L2とは、対向部5が退避位置L1よりも上下方向においてスピンチャック31に近接する位置である。
The lifting and lowering
図3は、対向部5が図1に示す退避位置L1から下降した状態を示す断面図である。以下の説明では、図3に示す対向部5の上下方向の位置を「洗浄位置L3」という。洗浄位置L3は、退避位置L1よりも下方であって、対向位置L2よりも上方である中間の位置である。後述するように、対向部5が洗浄位置L3に配された状態で、ノズル74から対向部5の下面513に向けて洗浄液が吐出されることにより、下面513の洗浄が行われる。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the facing
対向部5は、本体回転部615の回転駆動力により中心軸J1まわりに回転可能に構成されている。
The opposing
基板処理装置1は、基板9の下面92に処理液を供給するノズル72を備える。ノズル72は、略円筒状のノズルであり、スピンベース32の中央部に形成された略円柱状の貫通孔に取り付けられている。ノズル72の上端はスピンチャック31に保持された基板9の下面92の中央部に向けて開口しており、ノズル72から吐出された処理液又はガスは基板9の下面92の中央部に供給される。
The
基板処理装置1は、図示省略の供給源から供給された処理液を基板9の上面91に吐出するノズル73を備える。ノズル73は、下向きに開口するノズルであり、例えば、図示省略のノズルアームの先端に吐出ヘッドを取り付けることにより構成される。図示省略のモータでノズルアームの基端部を鉛直方向に沿った軸のまわりで回動することにより、スピンチャック31に保持される基板9の上方でノズル73が円弧状に移動される。したがって、ノズル73は、基板9の上方に位置する処理位置(図1に二点鎖線で示す位置)と、基板9の側方に位置する待機位置(図1に実線で示す位置)と、の間で移動可能である。なお、ノズル73を処理位置に移動させることが可能なタイミングは、図1に示すように対向部5が退避位置L1にあるタイミングである(図1参照)。
The
図4は、第1実施形態のノズル71を下から視た下面図である。図5は、第1実施形態のノズル73を下から視た下面図である。ノズル71,73は、図示省略の複数の処理液供給源から供給された処理液各々を吐出可能に構成されている。詳細には、ノズル71の下面には2つの開口712,714,715が設けられており、ノズル73の下面には3つの開口731、732,733が設けられている。
FIG. 4 is a bottom view of the
ここでは、開口712から純水を吐出可能であり、開口714からIPA(isopropyl alcohol:イソプロピルアルコール)を吐出可能であり、開口715から撥水化剤(例えば、シリル化剤)を吐出可能である場合について説明する。また、開口731からフッ酸を吐出可能であり、開口732から純水を吐出可能であり、開口733からSC1(過酸化水素水およびアンモニアを混合した処理液)を吐出可能である場合について説明する。なお、これらは一例であり、他の処理液が基板9の上面91に吐出可能に構成されてもよい。また、図示省略のガス供給源から供給されたガス(例えば窒素ガス)を吐出可能な開口が設けられてもよい。また、図示では各々1つのノズル71,73を示しているが、処理液の種類に応じて複数のノズルが設けられても構わない。
Here, pure water can be discharged from the
また、基板処理装置1は、図示省略の供給源から供給された洗浄液を対向部5の下面513に供給するノズル74を備える。ノズル74は、斜め上方に開口するノズルであり、例えば、図示省略のノズルアームの先端に吐出ヘッドを取り付けることにより構成される。図示省略のモータでノズルアームの基端部を鉛直方向に沿った軸のまわりで回動することにより、ノズル74は、対向部5に近付いてその下面513に向けて開口する処理位置(図1に二点鎖線で示す位置)と、対向部5から離間した待機位置(図1に実線で示す位置)と、の間で移動可能である。なお、ノズル74を処理位置に移動させることができるタイミングは、図1または図3に示すように、対向部5が退避位置L1または洗浄位置L3にあるタイミングである。
The
なお、本明細書では、薬液、純水およびIPAをまとめて処理液と呼ぶ場合がある。また、基板9に対してパーティクルや処理液の洗い流しを目的として用いられる液(典型的には、純水)をリンス液と呼ぶ場合がある。対向部5の下面513に対してパーティクルや処理液の洗い流しを目的として用いられる液(典型的には、純水)を洗浄液と呼ぶ場合がある。
In the present specification, a chemical solution, pure water and IPA may be collectively referred to as a treatment solution. In addition, a liquid (typically, pure water) used for the purpose of washing away particles and processing liquid on the
また、基板処理装置1は、装置各部の動作を制御する制御部10を備える。制御部10のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部10は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどを備えて構成される。制御部10のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置1の各動作機構が制御部10に制御され、基板処理装置1における処理が進行する。
The
<1.2 基板処理装置1の動作例>
図6は、第1実施形態の基板処理装置1における基板9の処理の流れの一例を示す図である。以下、基板処理装置1における処理例について説明する。なお、図6には、各工程にて、対向部5が配置される高さ位置を示している。
<1.2 Operation Example of
FIG. 6 is a view showing an example of the flow of processing of the
まず、対向部5が退避位置L1にある状態にて、基板9が外部の搬送ロボットによりチャンバー11内に搬入されてスピンベース32のチャックピン35上に載置される。その結果、該基板9がチャックピン35により下側から支持される(ステップST1)。
First, the
基板9が搬入されると、昇降機構62は対向部5を退避位置L1に配置したまま、スピンモータ33により基板9の回転が開始する。
When the
この状態で、基板9の上面91に対して各種処理液を用いた液処理が実行される。まず、ノズル73の開口731から基板9の上面91にフッ酸を供給するフッ酸処理が実行される(ステップST2)。フッ酸処理の際には、第1ガード41が基板9から飛散する処理液を受け止めることができる高さに位置している。フッ酸処理では、ノズル73の下面に設けられた開口731から回転される基板9の上面91にフッ酸を連続的に供給する。上面91に着液したフッ酸は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体でフッ酸処理が進行する。この期間は例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば800〜1000rpm(revolution per minute:回転数/分)である。
In this state, liquid processing using various processing liquids is performed on the
開口731からのフッ酸の吐出が停止された後、開口732からのリンス液の吐出が開始される(ステップST3)。リンス処理の際には、ノズル73の下面に設けられた開口732から回転される基板9の上面91に、リンス液を連続的に供給する。上面91に着液したリンス液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91上に残存していたフッ酸とともに基板9の外周縁から径方向外方へと飛散する。基板9から飛散するフッ酸およびリンス液は、第1ガード41の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。これにより、基板9の上面91のリンス処理とともに、第1ガード41の洗浄も実質的に行われる。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば1200rpmとなる。
After the discharge of the hydrofluoric acid from the
開口732からリンス液の吐出が停止された後、開口733からSC1液の吐出が開始される(ステップST4)。SC1処理の際には、ノズル73の下面に設けられた開口733から回転される基板9の上面91に、SC1液を連続的に供給する。上面91に着液したSC1液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体でSC1処理が進行する。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば800rpmである。基板9から飛散するSC1液は第2ガード42の内壁に受けられ、排出ポート44から廃棄される。
After the discharge of the rinse liquid is stopped from the
開口733からのSC1液の吐出が停止された後、開口732からのリンス液の吐出が開始される(ステップST5)。リンス処理の際にはノズル73の下面に設けられた開口732から回転される基板9の上面91に、リンス液を連続的に供給する。上面91に着液したリンス液は、基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91上に残存していたSC1液とともに基板9の外周縁から径方向外方へと飛散する。基板9から飛散するSC1液およびリンス液は、第1ガード41の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。これにより、基板9の上面91のリンス処理とともに、第1ガード41の洗浄も実質的に行われる。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば1200rpmとなる。
After the discharge of the SC1 liquid from the
なお、ステップST3またはステップST5のリンス処理において、ノズル73の開口732からではなくノズル71の開口712からリンス液が吐出されてもよい。また、ステップST3またはステップST5のリンス処理において、開口712,732の双方からリンス液が供給されてもよい。
In the rinse process of step ST3 or step ST5, the rinse liquid may be discharged not from the
その後、昇降機構62は対向部5を退避位置L1(図1参照)から洗浄位置L3(図3参照)まで下降させる。また、図示しない駆動機構により、ノズル74を処理位置(図3に示す位置)まで移動させる。そして、ノズル74から対向部5の下面513に洗浄液を供給することで、該下面513を洗浄する対向部洗浄処理を行う(ステップST6)。なお、対向部洗浄処理については、後述する<1.3 対向部洗浄工程の処理例>で詳細に説明する。
Thereafter, the
対向部洗浄処理を終えると、図示しない駆動機構により、ノズル74を待機位置(図1に実線で示す位置)まで移動させる。また、昇降機構62は対向部5を洗浄位置L3(図3参照)から対向位置L2(図2参照)に下降させる。これにより、スピンベース32の保持面32a、天蓋部511の下面513、および側壁部512の内周面により囲まれた空間が形成される。この状態で、ノズル71の開口714から基板9の上面91にIPAを供給するIPA処理が実行される(ステップST7)。IPA処理の際には、第2ガード42が基板9から飛散するIPAを受け止めることができる高さに位置している。IPA処理では、ノズル71の下面に設けられた開口714から回転される基板9の上面91にIPAを連続的に供給する。上面91に着液したIPAは、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体で純水がIPAに置換されるIPA処理が進行する。また、IPA置換を促す目的で基板9に対して図示省略の加熱機構で加熱処理を行ってもよい。この期間は例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば300rpmである。また、IPAの吐出流量は、例えば300ml/m(ミリリットル/分)である。
When the facing part cleaning process is finished, the
開口714からIPAの吐出が停止された後、開口715から撥水化剤の吐出が開始される(ステップST8)。撥水化処理の際には、ノズル73の下面に設けられた開口715から回転される基板9の上面91に、撥水化剤を連続的に供給する。上面91に着液した撥水化液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体で撥水性に表面改質する撥水化処理が進行する。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば500rpmである。基板9から飛散する撥水化剤は第2ガード42の内壁に受けられ、排出ポート44から廃棄される。また、撥水化剤の吐出流量は、例えば300ml/mである。
After the discharge of the IPA is stopped from the
開口715から撥水化剤の吐出が停止された後、上記と同様の処理条件でIPA処理が行われる(ステップST9)。各種の液処理が終了すると、次に、スピンドライ処理が実行される(ステップST10)。スピンドライ処理では、各種の液処理の際よりも速く基板9および対向部5が回転される。この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば1500rpmである。これにより、基板9および対向部5に付着した各種の液体は、外周縁から径方向外方へと飛散し、第2ガード42の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。
After the discharge of the water repellent agent from the
スピンドライ処理が終了すると、昇降機構62により対向部5が上昇されて図1に示す状態となり、基板9が外部の搬送ロボットによりスピンチャック31から搬出される(ステップST11)。
When the spin dry processing is completed, the opposing
これにより、基板処理装置1による各処理が終了する。ここで、基板処理装置1による処理には、基板9に対して液処理(上記例では、ステップST2〜ST5,ST7〜ST9)および基板9を乾燥させる乾燥処理(上記例では、ステップST10)を含む基板液処理工程と、基板液処理工程の過程で実行されて対向部5を洗浄する対向部洗浄工程(上記例では、ステップST6)とが含まれる。以下、対向部洗浄工程の詳細について説明する。
Thereby, each process by the
<1.3 対向部洗浄工程の処理例>
図7は、第1実施形態の対向部洗浄工程(ステップST6)における各処理のタイミングチャートである。以下、対向部5を洗浄する対向部洗浄工程の詳細について説明する。なお、対向部洗浄工程は、対向部5が図3に示す洗浄位置L3にあり、ノズル74が図1に二点鎖線で示す処理位置にある状態で実行される。
<1.3 Example of processing of facing part cleaning process>
FIG. 7 is a timing chart of each process in the facing portion cleaning process (step ST6) of the first embodiment. Hereinafter, the detail of the opposing part washing process which wash | cleans the opposing
まず、時刻t1から、リンス液供給工程101および液膜形成工程102が開始される。リンス液供給工程101とは、基板9の上面91にリンス液を供給する工程である。リンス液供給工程101では、開口712から基板9の上面91にリンス液が供給される。また、液膜形成工程102とは、スピンチャック31によって保持される基板9をスピンモータ33によって水平姿勢で回転させることで、基板9の上面91にリンス液供給工程101で供給されたリンス液の液膜を形成する工程である。
First, the rinse
なお、リンス液供給工程101におけるリンス液の供給は、リンス処理(ステップST5)と同様に、ノズル73の開口732からであってもよい。この場合、リンス処理(ステップST5)で開始される開口732からのリンス液の吐出を、対向部洗浄工程(ステップST6)のリンス液供給工程が開始される時刻t1以降も継続して行われてもよい。無論、開口732からのリンス液の吐出をリンス処理(ステップST5)にて停止し、その後、対向部洗浄工程(ステップST6)のリンス液供給工程101で再開するようにしてもよい。
The supply of the rinse liquid in the rinse
液膜形成工程102における基板9の回転速度は、例えば、10rpmであり、基板液処理工程(ステップST2〜ST5,ST7〜ST10)における基板の回転速度(上記の例では、300〜1500rpm)よりも低速である。このように、液膜形成工程102では基板液処理工程に比べて低速で基板9を回転させることで、基板9の上面91にリンス液の液膜を厚く形成することができる。また、このときに形成されるリンス液の液膜の平均膜厚は、例えば1mm〜2mmである。
The rotation speed of the
その後、時刻t2から、洗浄液供給工程103および第1の対向部回転工程104が開始される。洗浄液供給工程103とは、基板9の上面91にリンス液の液膜が形成された状態で、対向部5の下面513に洗浄液(例えば、リンス液と同じく純水)を供給する工程である。
Thereafter, at time t2, the cleaning
このように、洗浄液供給工程103ではリンス液の液膜が形成された状態で対向部5の下面513に洗浄液を供給するため、対向部5の下面513から洗浄液やパーティクル等の異物が落下したとしても、これらは基板9の上面91に付着することなく液膜によって基板9の外側に押し流されやすい。よって、基板9が汚染されるリスクを低減しつつ、基板処理の過程で対向部5を洗浄することができる。
As described above, in the cleaning
また、下面513を親水面とした場合、洗浄液供給工程103における対向部5の下面513からの洗浄液の落下を軽減することができる。また、洗浄液の落下が軽減されることにより、基板9上に形成されている液膜の崩壊を軽減することができる。これらの作用により、基板9が汚染されるリスクを低減することができる。
When the
なお、液膜形成工程102において、比較的厚いリンス液の液膜を形成するため、リンス液の流量を増加させてもよい。例えば、液膜形成工程102において基板9に供給されるリンス液の供給量を、ステップST3におけるリンス液の供給量よりも多くするとよい。また、液膜形成工程102のうち、洗浄液供給工程103において基板9に対するリンス液の供給量を、その洗浄液供給工程103の前または後におけるリンス液の供給量よりも多くするとよい。この場合、洗浄液供給工程103において、厚い液膜を形成することができるため、対向部5の下面513から落下した洗浄液中のパーティクルが基板9に付着することを有効に抑制できる。
In the liquid
また、第1の対向部回転工程104は、保持回転機構61によって保持される対向部5を本体回転部615によって水平姿勢で回転させる工程である。第1の対向部回転工程104は、洗浄液供給工程103と並行して行われ、第1の対向部回転工程104では液膜形成工程102における基板9の回転速度と同じ回転速度(例えば、10rpm)で対向部5を回転させる。なお、本例では、第1の対向部回転工程104において、対向部5の回転速度を、基板9の回転速度と同一としているが、異ならせてもよい。例えば、対向部5の回転速度を、基板9の回転速度よりも速い回転速度(例えば、100rpm)または遅い回転速度としてもよい。
In addition, the first facing
このように洗浄対象である対向部5が回転することで、洗浄液供給工程103では対向部5の下面513の全体を容易に洗浄することができる。また、対向部5の回転速度が基板9の回転速度と同じく低速なので、対向部5の下面513に供給された洗浄液が下方に液跳ねし難い。これにより、対向部5の下方に位置する基板9が汚染するリスクを減らすことができる。
By rotating the facing
また、対向部5の下面513は、スピンチャック31に保持された基板9よりも大きく広がっている。すなわち、下面513の径は、基板9の直径よりも大きくなっている。このように、対向部5の下面513を基板9よりも広くすることによって、対向部5から基板9に落下する洗浄液の単位面積あたりの落下量を小さくすることができる。つまり、下面513から基板9に向けて落下する液滴の大きさを小さくすることができる。これにより、下面513からの洗浄液の落下によるリンス液の液膜の崩壊を軽減することができる。したがって、落下した洗浄液による基板の汚染を有効に低減することができる。
Further, the
また、対向部5の下面513を基板9よりも広いため、洗浄液供給工程103において、回転する対向部5のうち、基板9よりも外側の部分から処理液を落下させることができる。これにより、基板9に落下する洗浄液の量を軽減することができる。したがって、落下した洗浄液による基板の汚染を有効に低減することができる。
Further, since the
対向部5aの下面513は、基板9よりも広くなっている。このため、基板9の前面を一括に覆った状態で基板9を乾燥処理することができる。このため、基板を均一に処理することができる。
The
その後、時刻t3になると、洗浄液供給工程103および第1の対向部回転工程104が終了する。本実施形態では、時刻t2〜t3の期間において、リンス液供給工程101と洗浄液供給工程103とが並行して行われる。このため、洗浄液供給工程103で対向部5の下面513から洗浄液や異物が落下したとしても、これらは新たに基板9の上面91に供給されるリンス液によって基板9の外側に押し流されやすい。よって、基板9が汚染されるリスクをさらに低減することができる。
Thereafter, at time t3, the cleaning
また、本実施形態では、対向部5が退避位置L1よりも低く、かつ、対向位置L2よりも高い洗浄位置L3に配した状態で、対向部5の下面513の洗浄が行われる。この場合、下面513を基板9に近づけることができるため、下面513からの洗浄液の落下による、基板9上のリンス液の液膜の崩壊を軽減することができる。したがって、落下した洗浄液による基板の汚染を有効に低減することができる。なお、対向部5を洗浄位置L3に配して下面513の洗浄を行うことは必須ではない。例えば、対向部5を退避位置L1に配した状態で、ノズル74から下面513に洗浄液が供給されることにより、下面513の洗浄が行われてもよい。この場合、退避位置L1が洗浄位置となる。
In the present embodiment, the
対向部5が対向位置L2に配された状態で実行されるIPA処理(ステップST7)、撥水化処理(ステップST8)またはIPA処理(ステップST9)は、第1基板液処理工程の例である。また、対向部5を退避位置L1に配した状態で実行されるフッ酸処理(ステップST2)、リンス処理(ステップST3)、SC1処理(ステップST4)またはリンス処理(ステップST5)は、第2基板液処理工程の例である。
The IPA process (step ST7), the water repellent process (step ST8), or the IPA process (step ST9) performed in the state where the facing
時刻t3から時刻t4にかけて、対向部昇降工程105が行われる。対向部昇降工程105では、対向部5の下面513の高さが、基板9の周囲を囲むカップ部4の上端よりも高く、且つ基板液処理工程において基板9の上面91に各液を供給する各ノズル73の各開口よりも低くなるよう、昇降機構62が対向部5を昇降する。
The facing part raising / lowering
対向部5の高さを調整した後、時刻t4から時刻t5にかけて、第2の対向部回転工程106が行われる。第2の対向部回転工程106は、洗浄液供給工程103及び第1の対向部回転工程104の後に行われ、液膜形成工程102における基板9の回転速度よりも高速(例えば、1500rpm)で対向部5を回転させる工程である。このように高速で対向部5を回転させることにより、対向部5の下面513に付着した洗浄液や対向部5の下面513に残存しうる異物を遠心力によって周囲に飛散させ、対向部5を乾燥させることができる。
After adjusting the height of the facing
また、本実施形態では、対向部昇降工程105で対向部5の下面513の高さを調整した状態で、第2の対向部回転工程106が行われる。第2の対向部回転工程106では、対向部5の下面513の高さがカップ部4の上端よりも高い位置にあるので、対向部5の下面513から遠心力で側方に飛散した洗浄液や異物がカップ部4の内壁に衝突して基板9の上面91に跳ね返ることを抑制できる。また、第2の対向部回転工程106では、対向部5の下面513の高さがノズル73の各開口よりも低い位置にあるので、対向部5の下面513から遠心力で側方に飛散した洗浄液や異物が各ノズル73の各開口付近に付着すること(ひいては、各ノズル73の使用時にこの付着物が基板9に落下すること)ことを抑制できる。
Further, in the present embodiment, in a state in which the height of the
そして、第2の対向部回転工程106が終了する時刻t5に、リンス液供給工程101および液膜形成工程102も終了し、対向部5を洗浄する対向部洗浄工程(ステップST6)も終了する。
Then, at the time t5 when the second facing
また、本実施形態では、対向部洗浄工程(ステップST6)が、液処理のうち基板9の上面91を撥水化する撥水化処理(ステップST8)の前に行われる。よって、撥水化処理後に基板9の上面91に残留した撥水化剤と対向部5の下面513から落下した洗浄液とが反応する(例えば、基板9の上面91に残留した撥水化剤と対向部5の下面513から落下した純水とが重合反応して撥水剤が高分子化する)ことを防止でき、基板9の上面91で異物が発生するリスクを低減することができる。
In the present embodiment, the facing portion cleaning process (step ST6) is performed before the water repellent process (step ST8) of the liquid process to repel the
また、本実施形態では、液処理には有機溶剤を用いた処理(ステップST7,ST9)が含まれ、対向部5は耐有機溶剤性の材質である。対向部5が耐有機溶剤性の材質なので、基板9に対して有機溶剤を用いた液処理が行われたとしても、対向部5が消耗し難い。このような材質を採用すると対向部5の表面が疎水性となって対向部5の下面513に供給された洗浄液が下方に液跳ねしやすくなるが、リンス液供給工程101で基板9の上面91には液膜が形成されるので基板9が汚染されるリスクを低減することができる。
Further, in the present embodiment, the liquid processing includes processing using an organic solvent (steps ST7 and ST9), and the facing
図8は、比較例において、対向部洗浄工程(ステップST6)後の基板9の上面91の汚れを示す平面図である。図9は、第1実施形態において、対向部洗浄工程(ステップST6)後の基板9の上面91の汚れを示す平面図である。なお、図8および図9では、上面91に付着するパーティクル等の異物を多数の黒丸印で示している。
FIG. 8 is a plan view showing dirt on the
この比較例は、液膜形成工程102における基板9の回転速度が基板液処理工程における基板9の回転速度と同程度(例えば、1000rpm)である点を除いては、本実施形態と同様である。図8および図9を比較して分かるように、比較例では、基板9の上面91に異物が多く残っており、且つこれらの異物が基板9の外周側に集中している。これに対して、本実施形態では、基板9の上面91に異物があまり残っておらず、且つこれらの異物が基板9の上面91の全面で分散している。よって、比較例に比べて本実施形態では歩留まりの向上を期待できる。このように異物の付着態様に差が生じたのは、本実施形態では液膜形成工程102における基板9の回転速度が低速であり、回転の遠心力が小さくなることで、基板9の上面91に相対的に厚い液膜が形成されたことに起因するものと考えられる。
This comparative example is the same as the present embodiment except that the rotation speed of the
<2 第2実施形態>
第2実施形態について説明する。なお、以下の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同符号またはアルファベット文字を追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。
<2 Second Embodiment>
A second embodiment will be described. In the following description, elements having the same functions as those already described may be given the same reference numerals or reference numerals with alphabetic characters added, and detailed description may be omitted.
第1実施形態の基板処理装置1では、本体回転部615により、対向部5が能動的に回転する構成とされている。これに対して、第2実施形態の基板処理装置1aでは、対向部5aは、受動的に回転する構成とされている。以下、基板処理装置1aについて説明する。
In the
図10および図11は、第2実施形態の基板処理装置1aを示す概略側面図である。なお、図10は、対向部5aが退避位置L1にある状態を示しており、図11は、対向部5aが対向位置L2にある状態を示している。
10 and 11 are schematic side views showing a
基板処理装置1aは、スピンチャック31に保持された基板9の上面に処理液を供給するためのノズル71を備える。ノズル71の構成については、後述する。
The
スピンベース32の保持面32aの周縁部には、複数の係合部36が立設されている。複数の係合部36は、複数のチャックピン35と同様、円形の基板9の外周円に対応する円周上に沿って均等な間隔をあけて(例えば、4個の係合部36であれば90°間隔にて)配置されている。また、複数の係合部36は、複数のチャックピン35よりも径方向外方に配置される。複数の係合部36の機能については、後述する。
A plurality of engaging
対向部5aは、本体部51aと、被保持部52と、係合部53とを備える。本体部51aは、本体部51と天蓋部511aと側壁部512とを備える。天蓋部511aの中央部には、開口54が設けられる。側壁部512は、中心軸J1を中心とする略円筒状の部材であり、天蓋部511aの外周部から下方に広がる。
The facing
複数の係合部53は、中心軸J1を中心として略等角度間隔にて、天蓋部511の下面513の外周部に周方向に配置される。複数の係合部53は、側壁部512の径方向内側に配置される。
The plurality of engaging
被保持部52は、本体部51の上面に接続される。被保持部52は、筒状部521と、フランジ部522とを備える。筒状部521は、本体部51の開口54の周囲から上方に突出する略筒状の部位である。筒状部521は、例えば、中心軸J1を中心とする略円筒状である。フランジ部522は、筒状部521の上端部から径方向外方に環状に広がる。フランジ部522は、例えば、中心軸J1を中心とする略円環板状である。
The held
対向部移動機構6の保持回転機構61aは、被保持部52を保持する。保持回転機構61aは、保持部本体611aと、アーム612と、フランジ支持部613と、支持部接続部614とを備える。
The holding and
保持部本体611aは、例えば、中心軸J1を中心とする略円板状である。保持部本体611は、対向部5のフランジ部522の上方を覆う。アーム612の一方の端部は保持部本体611aに接続され、他方の端部は昇降機構62に接続される。
The holding portion
保持部本体611aの中央部からはノズル71が下方に突出する。ノズル71は、筒状部521に非接触状態で挿入されている。
The
フランジ支持部613は、例えば、中心軸J1を中心とする略円環板状である。フランジ支持部613は、フランジ部522の下方に位置する。フランジ支持部613の内径は、対向部5のフランジ部522の外径よりも小さい。フランジ支持部613の外径は、対向部5のフランジ部522の外径よりも大きい。支持部接続部614は、例えば、中心軸J1を中心とする略円筒状である。支持部接続部614は、フランジ支持部613と保持部本体611aとをフランジ部522の周囲にて接続する。保持回転機構61aでは、保持部本体611aはフランジ部522の上面と上下方向に対向する保持部上部であり、フランジ支持部613はフランジ部522の下面と上下方向に対向する保持部下部である。
The
図10に示す位置に対向部5aが位置する状態では、フランジ支持部613は、対向部5aのフランジ部522の外周部に下側から接して、フランジ部522を支持する。換言すれば、対向部5aのフランジ部522が、対向部移動機構6の保持回転機構61aにより保持される。図10に示す状態では、これにより、対向部5aが、基板9およびスピンチャック31の上方にて、保持回転機構61aにより吊り下げられる。以下の説明では、図10に示す対向部5aの上下方向の位置を「退避位置L1a」という。退避位置L1aとは、対向部5aが対向部移動機構6により保持されてスピンチャック31から上方に離間した位置である。
In the state where the facing
フランジ支持部613には、対向部5aの位置ずれ(すなわち、対向部5aの移動および回転)を制限する移動制限部616が設けられる。図10示す例では、移動制限部616は、フランジ支持部613の上面から上方に突出する突起部である。移動制限部616が、フランジ部522に設けられた孔部に挿入されることにより、対向部5aの位置ずれが抑制される。
The
昇降機構62は、対向部5aを保持回転機構61aと共に上下方向に移動させる。図11は、対向部5aが図10に示す退避位置L1aから下降した状態を示す断面図である。以下の説明では、図11に示す対向部5aの上下方向の位置を「対向位置L2a」という。すなわち、昇降機構62は、対向部5aを退避位置L1aと対向位置L2aとの間でスピンチャック31に対して相対的に上下方向に移動する。対向位置L2aは、退避位置L1aよりも下方の位置である。換言すれば、対向位置L2aとは、対向部5aが退避位置L1aよりも上下方向においてスピンチャック31に近接する位置である。
The lifting and lowering
対向部5aが対向位置L2aに位置する状態では、対向部5aの複数の係合部53がそれぞれ、スピンチャック31の複数の係合部36と係合する。複数の係合部53は、複数の係合部36により下方から支持される。換言すれば、複数の係合部36は対向部5aを支持する対向部材支持部である。例えば、係合部36は、上下方向に略平行なピンであり、係合部36の上端部が、係合部53の下端部に上向きに形成された凹部に嵌合する。また、対向部5aのフランジ部522は、保持回転機構61のフランジ支持部613から上方に離間する。これにより、対向部5aは、対向位置L2aにて、スピンチャック31により保持されて対向部移動機構6から離間する。
In a state where the facing
対向部5aがスピンチャック31により保持された状態では、対向部5aの側壁部512の下端がスピンチャック31のスピンベース32の上面よりも下方、または、スピンベース32の上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。対向部5aが対向位置L2aに位置する状態でスピンモータ33が駆動されると対向部5aは、基板9およびスピンチャック31と共に回転する。このように、対向部5aが対向位置L2aに位置する状態では、スピンモータ33の回転駆動力により、基板9および対向部5aが一体的に中心軸J1まわりに回転される。他方、対向部5aが退避位置L1aに位置する状態では、スピンモータ33の回転駆動力により基板9が中心軸J1まわりに回転可能となり、対向部5aは回転不能である。
When the facing
図12は、第2実施形態のノズル71aを下から視た下面図である。ノズル71aの下面には、図示省略の複数の処理液供給源から供給された各処理液を吐出可能な構成として、複数の開口711〜715が設けられている。ここでは、開口711からフッ酸を吐出可能であり、開口712から純水を吐出可能であり、開口713からSC1(過酸化水素水およびアンモニアを混合した処理液)を吐出可能であり、開口714からIPA(isopropyl alcohol:イソプロピルアルコール)を吐出可能であり、開口715から撥水化剤(例えば、シリル化剤)を吐出可能である場合について説明する。なお、これらは一例であり、他の処理液が基板9の上面91に吐出可能に構成されてもよい。また、図示省略のガス供給源から供給されたガス(例えば窒素ガス)を吐出可能な開口が設けられてもよい。
FIG. 12 is a bottom view of the
図13は、第2実施形態のノズル71aの近傍を示す概略断面図である。図13に示すように、ノズル71aは、図示省略の供給源から供給された洗浄液を対向部5aの下面513に供給する。詳細には、ノズル71aは、斜め上方に向けて開口する開口716を有する。図11に示すように、対向部5aが対向位置L2aにある状態では、図13に示すように、ノズル71aの開口716が本体部51における天蓋部511aの下面513に向けられる。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing the vicinity of the
<基板処理装置1aの動作例>
以下、基板処理装置1aにおける処理例について、図6を参照しつつ説明する。以下の処理例では、基板9の液処理に用いる各処理液をノズル71aから供給する態様について説明するが、その一部をノズル73から供給する態様でも構わない。
<Operation Example of
Hereinafter, a processing example of the
まず、対向部5aが退避位置L1aにある状態にて、基板9が外部の搬送ロボットによりチャンバー11内に搬入されてスピンベース32のチャックピン35上に載置される。その結果、該基板9がチャックピン35により下側から支持される(ステップST1)。
First, the
基板9が搬入されると、昇降機構62は対向部5aを退避位置L1aから対向位置L2aまで下降させる。これにより、スピンベース32の保持面32a、天蓋部511aの下面513、および側壁部512の内周面により囲まれた空間が形成される。続いて、スピンモータ33により基板9の回転が開始する。
When the
この状態で、基板9の上面91に対して各種処理液を用いた液処理が実行される。まず、ノズル71aの開口711から基板9の上面91にフッ酸を供給するフッ酸処理が実行される(ステップST2)。フッ酸処理では、ノズル71aの下面に設けられた開口711から回転される基板9の上面91にフッ酸を連続的に供給する。上面91に着液したフッ酸は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体でフッ酸処理が進行する。この期間は例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば800〜1000rpmである。
In this state, liquid processing using various processing liquids is performed on the
開口711からのフッ酸の吐出が停止された後、開口712からのリンス液の吐出が開始される(ステップST3)。リンス処理の際には、ノズル71aの下面に設けられた開口712から回転される基板9の上面91に、リンス液を連続的に供給する。上面91に着液したリンス液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91上に残存していたフッ酸とともに基板9の外周縁から径方向外方へと飛散する。基板9から飛散するフッ酸およびリンス液は、第1ガード41の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。これにより、基板9の上面91のリンス処理とともに、第1ガード41の洗浄も実質的に行われる。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば1200rpmとなる。
After the discharge of hydrofluoric acid from the
開口712からリンス液の吐出が停止された後、開口713からSC1液の吐出が開始される(ステップST4)。SC1処理の際には、ノズル71aの下面に設けられた開口713から回転される基板9の上面91に、SC1液を連続的に供給する。上面91に着液したSC1液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体でSC1処理が進行する。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば800rpmである。基板9から飛散するSC1液は第2ガード42の内壁に受けられ、排出ポート44から廃棄される。
After the discharge of the rinse liquid from the
開口713からのSC1液の吐出が停止された後、開口712からのリンス液の吐出が開始される(ステップST5)。リンス処理の際にはノズル71aの下面に設けられた開口712から回転される基板9の上面91に、リンス液を連続的に供給する。上面91に着液したリンス液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91上に残存していたSC1液とともに基板9の外周縁から径方向外方へと飛散する。基板9から飛散するSC1液およびリンス液は、第1ガード41の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。これにより、基板9の上面91のリンス処理とともに、第1ガード41の洗浄も実質的に行われる。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば1200rpmとなる。
After the discharge of the SC1 liquid from the
対向部5aの下面513は、基板9よりも大きく広がっている。このため、基板9の全面を下面513で一括に覆った状態で、基板9を液処理または乾燥処理することができる。これにより、基板9の全面を均一に処理することができる。
The
その後、ノズル71aの開口716から、対向部5aの下面513に洗浄液を供給することで、該下面513を洗浄する対向部洗浄処理を行う(ステップST6)。なお、対向部洗浄処理については、後述する<対向部洗浄工程の処理例>で詳細に説明する。
After that, by supplying a cleaning liquid from the
対向部洗浄処理を終えると、ノズル71aの開口714から基板9の上面91にIPAを供給するIPA処理が実行される(ステップST7)。IPA処理の際には、第2ガード42が基板9から飛散するIPAを受け止めることができる高さに位置している。IPA処理では、ノズル71aの下面に設けられた開口714から回転される基板9の上面91にIPAを連続的に供給する。上面91に着液したIPAは、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体で純水がIPAに置換されるIPA処理が進行する。また、IPA置換を促す目的で基板9に対して図示省略の加熱機構で加熱処理を行ってもよい。この期間は例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば300rpmである。また、IPAの吐出流量は、例えば300ml/mである。
When the facing part cleaning process is finished, an IPA process of supplying IPA from the
開口714からIPAの吐出が停止された後、開口715から撥水化剤の吐出が開始される(ステップST8)。撥水化処理の際には、ノズル71aの下面に設けられた開口715から回転される基板9の上面91に、撥水化剤を連続的に供給する。上面91に着液した撥水化液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体で撥水性に表面改質する撥水化処理が進行する。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5aの回転速度は、例えば500rpmである。基板9から飛散する撥水化剤は第2ガード42の内壁に受けられ、排出ポート44から廃棄される。また、撥水化剤の吐出流量は、例えば300ml/mである。
After the discharge of the IPA is stopped from the
開口715から撥水化剤の吐出が停止された後、上記と同様の処理条件でIPA処理が行われる(ステップST9)。各種の液処理が終了すると、次に、スピンドライ処理が実行される(ステップST10)。スピンドライ処理の際には、各種の液処理の際よりも速く基板9および対向部5aが回転される。この期間中の基板9および対向部5aの回転速度は、例えば1500rpmである。これにより、基板9および対向部5に付着した各種の液体は、外周縁から径方向外方へと飛散し、第2ガード42の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。
After the discharge of the water repellent agent from the
スピンドライ処理が終了すると、昇降機構62により対向部5aが上昇されて図10に示す状態となり、基板9が外部の搬送ロボットによりスピンチャック31から搬出される(ステップST11)。
When the spin drying process is completed, the facing
これにより、基板処理装置1aによる各処理が終了する。ここで、第2実施形態の対向部洗浄工程(ここでは、ステップST6)の詳細について説明する。
Thereby, each process by the
<対向部洗浄工程の処理例>
図14は、第2実施形態の対向部洗浄工程(ステップST6)における各処理のタイミングチャートである。対向部洗浄工程は、対向部5aが図11に示す対向位置L2aにあり、ノズル71aの開口716が下面513に向けられている状態で実行される。すなわち、本実施形態では、対向位置L2aが、対向部5aを洗浄するときの洗浄位置となっている。
<Example of processing in the counter part cleaning process>
FIG. 14 is a timing chart of each process in the facing portion cleaning step (step ST6) of the second embodiment. The facing portion cleaning step is executed in a state where the facing
まず、時刻t1から、リンス液供給工程101および液膜形成工程102が開始される。リンス液供給工程101は、上述したように、基板9の上面91にリンス液を供給する工程である。リンス液供給工程101では、上記のステップST5と同様に、開口712から基板9の上面91にリンス液が供給される。また、液膜形成工程102は、上述したように、基板9をスピンモータ33によって水平姿勢で回転させることにより、基板9の上面91にリンス液供給工程101で供給されたリンス液の液膜を形成する工程である。
First, the rinse
液膜形成工程102のうち、第2の対向部回転工程106が行われるよりも前の期間(時刻t1〜t3)における基板9の回転速度は、例えば、10rpmである。この期間の回転速度は、基板液処理工程(ステップST2〜ST5,ST7〜ST10)における基板の回転速度(上記の例では、300〜1500rpm)よりも低速である。このように、液膜形成工程102では、基板液処理工程に比べて低速で基板9を回転させることにより、基板9の上面91にリンス液の液膜を厚く形成する。このときに形成されるリンス液の液膜の平均膜厚は、例えば1mm〜2mmである。
In the liquid
その後、時刻t2から、洗浄液供給工程103および第1の対向部回転工程104が開始される。洗浄液供給工程103は、本実施形態では、基板9の上面91にリンス液の液膜が形成された状態で、対向部5aの下面513に、ノズル71aの開口716から洗浄液(例えば、リンス液と同じく純水)を供給する工程である。
Thereafter, at time t2, the cleaning
このように、洗浄液供給工程103ではリンス液の液膜が形成された状態で対向部5aの下面513に洗浄液を供給するため、下面513から洗浄液やパーティクル等の異物が落下したとしても、これらは基板9の上面91に付着することなく液膜によって基板9の外側に押し流されやすい。よって、基板9が汚染されるリスクを低減しつつ、基板処理の過程で対向部5aを洗浄することができる。
As described above, since the cleaning liquid is supplied to the
また、第1の対向部回転工程104は、本実施形態では、係合部36に係合する対向部5aをスピンモータ33によって水平姿勢で回転させる工程である。第1の対向部回転工程104は、洗浄液供給工程103と並行して行われる。第1の対向部回転工程104では液膜形成工程102における基板9の回転速度と同じ回転速度(例えば、10rpm)で対向部5aを回転させる。
Moreover, the 1st opposing
このように洗浄対象である対向部5aが回転することで、洗浄液供給工程103では対向部5aの下面513の全体を容易に洗浄することができる。また、対向部5aの回転速度が基板9の回転速度と同じく低速なので、下面513に供給された洗浄液が下方に液跳ねし難い。これにより、対向部5aの下方に位置する基板9が汚染するリスクを減らすことができる。
By rotating the facing
その後、時刻t3になると、洗浄液供給工程103および第1の対向部回転工程104が終了する。本実施形態では、時刻t2〜t3の期間において、リンス液供給工程101と洗浄液供給工程103とが並行して行われる。このため、洗浄液供給工程103で対向部5の下面513から洗浄液や異物が落下したとしても、これらは新たに基板9の上面91に供給されるリンス液によって基板9の外側に押し流されやすい。よって、基板9が汚染されるリスクをさらに低減することができる。
Thereafter, at time t3, the cleaning
時刻t3から時刻t5にかけて、第2の対向部回転工程106が行われる。第2の対向部回転工程106は、洗浄液供給工程103及び第1の対向部回転工程104の後に行われる。また、液膜形成工程102のうち、第2の対向部回転工程106が行われる期間はは、それよりも前の期間(時刻t1〜t3)における基板9の回転速度(例えば、10rpm)よりも高速(例えば、1500rpm)で対向部5aを回転させる期間である。このように高速で対向部5aを回転させることにより、対向部5aの下面513に付着した洗浄液や対向部5aの下面513に残存しうる異物を遠心力によって周囲に飛散させ、対向部5aを乾燥させることができる。
From the time t3 to the time t5, the 2nd opposing
なお、液膜形成工程102のうち、第2の対向部回転工程106が行われる期間(時刻t3〜t5)は、基板9も対向部5aと同一の回転速度で高速に回転する。このため、この期間中、基板9上の液膜の厚さは、洗浄液供給工程103および第1の対向部回転工程104が行われる期間よりも薄くなる。しかしながら、第2の対向部回転工程106が実行されるときにおいても、この薄い液膜が基板9上に形成されていることにより、洗浄液の落下による基板9の汚染のリスクが軽減され得る。
In addition, during the period (time t3 to t5) in which the second facing
そして、第2の対向部回転工程106が終了する時刻t5に、リンス液供給工程101および液膜形成工程102も終了し、対向部5aを洗浄する対向部洗浄工程(ステップST6)も終了する。
Then, at the time t5 when the second facing
<3 第3実施形態>
次に、第3実施形態の基板処理装置1bについて説明する。図15および図16は、第3実施形態の基板処理装置1bを示す概略側面図である。なお、図15は対向部5aが退避位置L1aにある状態を示しており、図16は対向部5aが対向位置L2aにある状態を示している。
<3 Third Embodiment>
Next, a
本実施形態の基板処理装置1bは、第2実施形態の基板処理装置1aとほぼ同様の構成を備えている。ただし、基板処理装置1bでは、対向部移動機構6の保持回転機構61aが、本体回転部615を備えている。このため、基板処理装置1bでは、対向部5aは、能動的に回転することが可能に構成されている。
The
保持部本体611aの中央部からはノズル71bが下方に突出する。ノズル71bは、筒状部521に非接触状態で挿入される。ノズル71bの下面には、第2実施形態のノズル71aと同様に、開口711〜715が形成されている(図12参照)。ただし、ノズル71bには、開口716は設けられていない。
The
対向部5aがスピンチャック31により保持された状態では、対向部5aの側壁部512の下端がスピンチャック31のスピンベース32の上面よりも下方、または、スピンベース32の上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。対向部5aが対向位置L2aに位置する状態でスピンモータ33が駆動されると、対向部5は、基板9およびスピンチャック31と共に回転する。このように、対向部5aが対向位置L2aに位置する状態では、スピンモータ33の回転駆動力により、基板9および対向部5が一体的に中心軸J1まわりに回転される。他方、対向部5aが退避位置L1aに位置する状態では、スピンモータ33の回転駆動力により基板9が中心軸J1まわりに回転可能となり、本体回転部615の回転駆動力により対向部5aが中心軸J1まわりに回転可能となる。
When the facing
また、基板処理装置1bは、ノズル74を備える。ノズル74は、第1実施形態において説明したように、図示省略の供給源から供給された洗浄液を対向部5aの下面513に供給する。図示省略のモータでノズルアームの基端部を鉛直方向に沿った軸のまわりで回動することにより、ノズル74は、対向部5aに近付いてその下面513に向けて開口する処理位置(図15に二点鎖線で示す位置)と、対向部5aから離間した待機位置(図15に実線で示す位置)と、の間で移動可能である。なお、ノズル74を処理位置に移動できるには、図15に示すように対向部5aが退避位置L1aにあるタイミングである。
The
<基板処理装置1bの動作例>
以下、基板処理装置1bにおける処理例について、図6を参照しつつ説明する。以下の処理例では、基板9の液処理に用いる各処理液をノズル71bから供給する態様について説明するが、その一部をノズル73から供給する態様でも構わない。
<Operation Example of
Hereinafter, a processing example in the
まず、対向部5aが退避位置L1aにある状態にて(図15参照)、基板9が外部の搬送ロボットによりチャンバー11内に搬入されてスピンベース32のチャックピン35上に載置される。その結果、該基板9がチャックピン35により下側から支持される(ステップST1)。
First, the
基板9が搬入されると、昇降機構62は対向部5aを退避位置L1aから対向位置L2aまで下降させる。これにより、スピンベース32の保持面32a、天蓋部511aの下面513、および側壁部512の内周面により囲まれた空間が形成される。続いて、スピンモータ33により基板9の回転が開始する。
When the
この状態で、基板9の上面91に対して各種処理液を用いた液処理が実行される。まず、ノズル71bの開口711から基板9の上面91にフッ酸を供給するフッ酸処理が実行される(ステップST2)。フッ酸処理の際には、第1ガード41が基板9から飛散する処理液を受け止めることができる高さに位置している。フッ酸処理では、ノズル71bの下面に設けられた開口711から回転される基板9の上面91にフッ酸を連続的に供給する。上面91に着液したフッ酸は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体でフッ酸処理が進行する。この期間は例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5aの回転速度は、例えば800〜1000rpmである。
In this state, liquid processing using various processing liquids is performed on the
開口711からのフッ酸の吐出が停止された後、開口712からのリンス液の吐出が開始される(ステップST3)。リンス処理の際には、ノズル71bの下面に設けられた開口712から回転される基板9の上面91に、リンス液を連続的に供給する。上面91に着液したリンス液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91上に残存していたフッ酸とともに基板9の外周縁から径方向外方へと飛散する。基板9から飛散するフッ酸およびリンス液は、第1ガード41の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。これにより、基板9の上面91のリンス処理とともに、第1ガード41の洗浄も実質的に行われる。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5aの回転速度は、例えば1200rpmとなる。
After the discharge of hydrofluoric acid from the
開口712からリンス液の吐出が停止された後、開口713からSC1液の吐出が開始される(ステップST4)。SC1処理の際には、ノズル71bの下面に設けられた開口713から回転される基板9の上面91に、SC1液を連続的に供給する。上面91に着液したSC1液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体でSC1処理が進行する。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5aの回転速度は、例えば800rpmである。基板9から飛散するSC1液は第2ガード42の内壁に受けられ、排出ポート44から廃棄される。
After the discharge of the rinse liquid from the
開口713からのSC1液の吐出が停止された後、開口712からのリンス液の吐出が開始される(ステップST5)。リンス処理の際にはノズル71bの下面に設けられた開口712から回転される基板9の上面91に、リンス液を連続的に供給する。上面91に着液したリンス液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91上に残存していたSC1液とともに基板9の外周縁から径方向外方へと飛散する。基板9から飛散するSC1液およびリンス液は、第1ガード41の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。これにより、基板9の上面91のリンス処理とともに、第1ガード41の洗浄も実質的に行われる。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5aの回転速度は、例えば1200rpmとなる。
After the discharge of the SC1 liquid from the
その後、昇降機構62は対向部5aを対向位置L2aから退避位置L1aまで上昇させる。また、図示しない駆動機構により、ノズル74を処理位置(図15に二点鎖線で示す位置)まで移動させる。そして、ノズル74から対向部5aの下面513に洗浄液を供給することで、該下面513を洗浄する対向部洗浄処理を行う(ステップST6)。なお、対向部洗浄処理については、後述する<対向部洗浄工程の処理例>で詳細に説明する。
Thereafter, the
対向部洗浄処理を終えると、図示しない駆動機構により、ノズル74を待機位置(図15に実線で示す位置)まで移動させる。また、昇降機構62は対向部5aを退避位置L1aから対向位置L2aまで下降させる。この状態で、ノズル71bの開口714から基板9の上面91にIPAを供給するIPA処理が実行される(ステップST7)。IPA処理の際には、第2ガード42が基板9から飛散するIPAを受け止めることができる高さに位置している。IPA処理では、ノズル71bの下面に設けられた開口714から回転される基板9の上面91にIPAを連続的に供給する。上面91に着液したIPAは、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体で純水がIPAに置換されるIPA処理が進行する。また、IPA置換を促す目的で基板9に対して図示省略の加熱機構で加熱処理を行ってもよい。この期間は例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば300rpmである。また、IPAの吐出流量は、例えば300ml/mである。
When the facing part cleaning process is finished, the
開口714からIPAの吐出が停止された後、開口715から撥水化剤の吐出が開始される(ステップST8)。撥水化処理の際には、ノズル71bの下面に設けられた開口715から回転される基板9の上面91に、撥水化剤を連続的に供給する。上面91に着液した撥水化液は、該基板9の回転により基板9の外周部へと拡がり、上面91の全体で撥水性に表面改質する撥水化処理が進行する。この期間は、例えば30秒間である。また、この期間中の基板9および対向部5の回転速度は、例えば500rpmである。基板9から飛散する撥水化剤は第2ガード42の内壁に受けられ、排出ポート44から廃棄される。また、撥水化剤の吐出流量は、例えば300ml/mである。
After the discharge of the IPA is stopped from the
開口715から撥水化剤の吐出が停止された後、上記と同様の処理条件でIPA処理が行われる(ステップST9)。各種の液処理が終了すると、次に、スピンドライ処理が実行される(ステップST10)。スピンドライ処理の際には、各種の液処理の際よりも速く基板9および対向部5aが回転される。この期間中の基板9および対向部5aの回転速度は、例えば1500rpmである。これにより、基板9および対向部5aに付着した各種の液体は、外周縁から径方向外方へと飛散し、第2ガード42の内壁にて受けられ、排出ポート44を介して廃棄される。
After the discharge of the water repellent agent from the
スピンドライ処理が終了すると、昇降機構62により対向部5aが上昇されて図15に示す状態となり、基板9が外部の搬送ロボットによりスピンチャック31から搬出される(ステップST11)。
When the spin drying process is completed, the facing
これにより、基板処理装置1bによる各処理が終了する。ここで、第2実施形態の対向部洗浄工程(ここでは、ステップST6)の詳細について、図6を参照しつつ説明する。
Thereby, each process by the
<対向部洗浄工程の処理例>
対向部洗浄工程は、図15に示すように、対向部5aが退避位置L1aにあり、かつ、ノズル74が二点鎖線で示す処理位置にある状態で実行される。すなわち、本実施形態では、退避位置L1aが、対向部5aを洗浄するときの洗浄位置に相当する。
<Example of processing in the counter part cleaning process>
As shown in FIG. 15, the facing portion cleaning step is executed in a state where the facing
まず、時刻t1から、リンス液供給工程101および液膜形成工程102が開始される。リンス液供給工程101は、上述したように、基板9の上面91にリンス液を供給する工程である。リンス液供給工程101では、上記のステップST5と同様に、開口712から基板9の上面91にリンス液が供給される。また、液膜形成工程102は、上述したように、スピンチャック31によって保持される基板9をスピンモータ33によって水平姿勢で回転させることにより、基板9の上面91にリンス液供給工程101で供給されたリンス液の液膜を形成する工程である。
First, the rinse
液膜形成工程102における基板9の回転速度は、例えば、10rpmであり、基板液処理工程(ステップST2〜ST5,ST7〜ST10)における基板の回転速度(上記の例では、300〜1500rpm)よりも低速である。このように、液膜形成工程102では基板液処理工程に比べて低速で基板9を回転させることで、基板9の上面91にリンス液の液膜を厚く形成することができる。このときに形成されるリンス液の液膜の平均膜厚は、例えば1mm〜2mmである。
The rotation speed of the
その後、時刻t2から、洗浄液供給工程103および第1の対向部回転工程104が開始される。洗浄液供給工程103は、本実施形態では、基板9の上面91にリンス液の液膜が形成された状態で、ノズル74から対向部5aの下面513に洗浄液(例えば、リンス液と同じく純水)を供給する工程である。
Thereafter, at time t2, the cleaning
このように、洗浄液供給工程103ではリンス液の液膜が形成された状態で対向部5aの下面513に洗浄液を供給するため、下面513から洗浄液やパーティクル等の異物が落下したとしても、これらは基板9の上面91に付着することなく液膜によって基板9の外側に押し流されやすい。よって、基板9が汚染されるリスクを低減しつつ、基板処理の過程で対向部5aを洗浄することができる。
As described above, since the cleaning liquid is supplied to the
また、第1の対向部回転工程104は、保持回転機構61によって保持される対向部5を本体回転部615によって水平姿勢で回転させる工程である。第1の対向部回転工程104は、洗浄液供給工程103と並行して行われ、第1の対向部回転工程104では液膜形成工程102における基板9の回転速度と同じ回転速度(例えば、10rpm)で対向部5を回転させる。
In addition, the first facing
このように洗浄対象である対向部5aが回転することで、洗浄液供給工程103では対向部5aの下面513の全体を容易に洗浄することができる。また、対向部5aの回転速度が基板9の回転速度と同じく低速なので、下面513に供給された洗浄液が下方に液跳ねし難い。これにより、対向部5aの下方に位置する基板9が汚染するリスクを減らすことができる。
By rotating the facing
その後、時刻t3になると、洗浄液供給工程103および第1の対向部回転工程104が終了する。本実施形態では、時刻t2〜t3の期間において、リンス液供給工程101と洗浄液供給工程103とが並行して行われる。このため、洗浄液供給工程103で対向部5の下面513から洗浄液や異物が落下したとしても、これらは新たに基板9の上面91に供給されるリンス液によって基板9の外側に押し流されやすい。よって、基板9が汚染されるリスクをさらに低減することができる。
Thereafter, at time t3, the cleaning
時刻t3から時刻t4にかけて、対向部昇降工程105が行われる。対向部昇降工程105では、対向部5の下面513の高さが、基板9の周囲を囲むカップ部4の上端よりも高く、且つ基板液処理工程において基板9の上面91に各液を供給する各ノズル71b,73の各開口よりも低くなるよう、昇降機構62が対向部5を昇降する。
The facing part raising / lowering
そして、対向部5の高さを調整した後、時刻t4から時刻t5にかけて、第2の対向部回転工程106が行われる。第2の対向部回転工程106は、洗浄液供給工程103及び第1の対向部回転工程104の後に行われ、液膜形成工程102における基板9の回転速度よりも高速(例えば、1500rpm)で対向部5aを回転させる工程である。このように高速で対向部5aを回転させることにより、対向部5aの下面513に付着した洗浄液や対向部5aの下面513に残存しうる異物を遠心力によって周囲に飛散させ、対向部5aを乾燥させることができる。
Then, after the height of the facing
また、本実施形態では、対向部昇降工程105で対向部5aの下面513の高さを調整した状態で、第2の対向部回転工程106が行われる。第2の対向部回転工程106では、下面513の高さがカップ部4の上端よりも高い位置にあるので、下面513から遠心力で側方に飛散した洗浄液や異物がカップ部4の内壁に衝突して基板9の上面91に跳ね返ることを抑制できる。また、第2の対向部回転工程106では、下面513の高さがノズル71b,73の各開口よりも低い位置にあるので、下面513から遠心力で側方に飛散した洗浄液や異物が各ノズル71b,73の各開口付近に付着すること(ひいては、各ノズル71b,73の使用時にこの付着物が基板9に落下すること)ことを抑制できる。
Moreover, in this embodiment, the 2nd opposing
そして、第2の対向部回転工程106が終了する時刻t5に、リンス液供給工程101および液膜形成工程102も終了し、対向部5aを洗浄する対向部洗浄工程(ステップST6)も終了する。
Then, at the time t5 when the second facing
なお、本実施形態では、対向部5aが退避位置L1aにある状態で、対向部5aの洗浄が行われている。この退避位置L1aは、基板9を搬出入するとき(ステップST1,ST11)の位置である。しかしながら、対向部5aを退避位置L1aよりも下方、且つ、対向位置L2aよりも上方の位置に配して、下面513を洗浄してもよい。この場合、下面513が基板9に近くなるため、下面513からの洗浄液の落下による、基板9上のリンス液の液膜の崩壊を軽減することができる。したがって、落下した洗浄液による基板の汚染を有効に低減することができる。
In the present embodiment, cleaning of the facing
本実施形態の説明では、対向部洗浄工程(ステップST6)にて、対向部5を対向位置L2aに配置した状態で、対向部5の下面513の洗浄が行われている。しかしながら、第1実施形態にて説明したように、対向部洗浄工程において、対向部5を退避位置L1aと対向位置L2aとの間の高さ位置である洗浄位置に配した状態で、下面513の洗浄が行われてもよい。
In the description of the present embodiment, the
<4 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
<4 Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, various modifications can be made to the present invention other than those described above without departing from the scope of the present invention.
図17は、基板処理装置1,1bの変形例に係る対向部洗浄工程(ステップST6a)における各処理のタイミングチャートである。この変形例に係る対向部洗浄工程(ステップST6a)は、上記第1および第3実施形態に係る対向部洗浄工程(ステップST6)におけるリンス液供給工程101に比べて、短時間のリンス液供給工程101aを有する。より具体的には、リンス液供給工程101aは液膜形成工程102が開始する時刻t1に開始され、洗浄液供給工程103および第1の対向部回転工程104が開始する時刻t2に終了する。このようにリンス液供給工程101aが洗浄液供給工程103に先立って行われたとしても、液膜形成工程102が十分に低速で行われて、リンス液の表面張力により基板Wの上面91にリンス液が滞留してパドル状の液膜が保持されれば、該液膜の存在によって上記実施形態と同様に基板9の上面91が汚染されるリスクを低減することができる。
FIG. 17 is a timing chart of each process in the facing portion cleaning process (step ST6a) according to the modified example of the
また、上記実施形態では、基板処理装置1による液処理(ステップST2〜ST5,ST7〜ST9)の過程で対向部洗浄工程(ステップST6)が実行される態様について説明したが、本発明の適用態様はこれに限られるものではない。例えば、上記実施形態におけるステップST7〜ST9を省略することにより、基板処理装置1による液処理(ステップST2〜ST5)の後で乾燥処理(ステップST10)の前に対向部洗浄工程(ステップST6)が実行されてもよい。このように、対向部洗浄工程は基板液処理工程の過程における適宜のタイミングで実行可能である。
Moreover, although the said embodiment demonstrated the aspect by which an opposing part washing | cleaning process (step ST6) was performed in the process of the liquid processing (steps ST2-ST5, ST7-ST9) by the
また、第2実施形態および第3実施形態ではノズル71a,71bを用いて基板9の上面91に処理液を供給する態様について説明したが、ノズル71a,71bを用いた処理液供給に代えてノズル73を用いた処理液供給を行っても構わない。例えば、ステップST9におけるIPA処理の際に、対向部5を退避位置L1aに昇降させ、ノズル73を処理位置に移動して、該ノズル73から基板9の上面91に向けてIPAを供給してもよい。このようにノズル73を用いて処理液の供給を行う場合は、図示しないノズルアームを回動することにより、基板9の中央側の上方位置と基板9の外周側の上方位置との間でノズル73を揺動しながら処理液の供給を行ってもよい。
In the second embodiment and the third embodiment, the mode in which the processing liquid is supplied to the
上記実施形態では、リンス液として純水を利用する態様について説明したが、リンス液として純水以外の液体(例えば、炭酸水)が利用されてもよい。また、洗浄液についても、純水以外の液体(例えば、IPA)が利用されてもよい。 Although the said embodiment demonstrated the aspect which utilizes a pure water as rinse liquid, liquids (for example, carbonated water) other than a pure water may be utilized as a rinse liquid. In addition, a liquid other than pure water (for example, IPA) may be used for the cleaning liquid.
以上、実施形態およびその変形例に係る基板処理方法について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。 As described above, the substrate processing method according to the embodiment and the modifications thereof has been described. However, these are examples of the preferred embodiment of the present invention, and do not limit the scope of implementation of the present invention. Within the scope of the invention, the present invention can be freely combined with each embodiment, modified with any component in each embodiment, or omitted with any component in each embodiment.
1,1a,1b 基板処理装置
31 スピンチャック
33 スピンモータ
5,5a 対向部
513 下面
6 対向部移動機構
62 昇降機構
71,71a,71b,73,74 ノズル
9 基板
101,101a リンス液供給工程
102 液膜形成工程
103 洗浄液供給工程
104 第1の対向部回転工程
105 対向部昇降工程
106 第2の対向部回転工程
L1,L1a 退避位置
L2,L2a 対向位置
L3 洗浄位置
W 基板
1, 1a, 1b
Claims (14)
前記基板の前記上面に液処理を行う基板液処理工程と、
前記対向部を洗浄する対向部洗浄工程と、
を含み、
前記対向部洗浄工程は、
前記基板の前記上面にリンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記基板の前記上面に前記リンス液供給工程で供給された前記リンス液の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜形成工程で前記基板の前記上面に前記液膜が形成された状態で、前記対向部の前記下面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、
を有する、基板処理方法。 A substrate processing method comprising a processing step of processing the substrate using a facing portion having a lower surface facing the upper surface of the substrate,
A substrate liquid processing step of performing liquid processing on the upper surface of the substrate;
A counter part cleaning step for cleaning the counter part;
Including
The facing portion cleaning step includes
A rinse liquid supply step of supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate;
Forming a liquid film of the rinse liquid supplied in the rinse liquid supply process on the upper surface of the substrate;
A cleaning liquid supplying step of supplying a cleaning liquid to the lower surface of the facing portion in a state where the liquid film is formed on the upper surface of the substrate in the liquid film forming step;
A substrate processing method.
前記基板液処理工程は、前記基板の前記上面に前記対向部の前記下面を対向させてこれらを水平姿勢で回転させた状態で液処理する工程を含む、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 1,
The substrate liquid processing step includes a step of performing a liquid treatment in a state where the lower surface of the facing portion is opposed to the upper surface of the substrate and rotated in a horizontal posture.
前記液膜形成工程は、前記基板を水平姿勢で回転させる工程を含み、
前記液膜形成工程における前記基板の回転速度は、前記基板液処理工程における前記基板の回転速度よりも低速である、基板処理方法。 A substrate processing method according to claim 1 or claim 2, wherein
The liquid film forming step includes a step of rotating the substrate in a horizontal posture,
The substrate processing method, wherein a rotation speed of the substrate in the liquid film forming step is lower than a rotation speed of the substrate in the substrate liquid processing step.
前記液膜形成工程は、前記基板の前記上面に対する前記リンス液の供給量を増加する工程を含む、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, wherein
The substrate processing method, wherein the liquid film forming step includes a step of increasing a supply amount of the rinse liquid to the upper surface of the substrate.
前記基板液処理工程は、前記対向部を前記基板に対向する対向位置に配する第1基板液処理工程を含み、
前記対向部洗浄工程は、前記洗浄液供給工程の前に前記対向位置よりも上方の位置に配する工程を含む、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 4, wherein
The substrate liquid processing step includes a first substrate liquid processing step in which the facing portion is disposed at a facing position facing the substrate,
The substrate processing method, wherein the facing portion cleaning step includes the step of disposing it at a position above the facing position before the cleaning liquid supply step.
前記基板液処理工程は、前記対向部を前記対向位置よりも上方の退避位置に配する第2基板液処理工程を含み、
前記対向部洗浄工程は、前記洗浄液供給工程の前に前記退避位置よりも前記基板に近い洗浄位置に配する工程を含む、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 5, comprising:
The substrate liquid processing step includes a second substrate liquid processing step in which the facing portion is disposed at a retracted position above the facing position,
The substrate processing method, wherein the facing portion cleaning step includes disposing the cleaning portion closer to the substrate than the retracted position before the cleaning liquid supply step.
前記リンス液供給工程と前記洗浄液供給工程とが並行して行われる、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 6,
A substrate processing method in which the rinse liquid supply step and the cleaning liquid supply step are performed in parallel.
前記リンス液供給工程は、前記洗浄液供給工程に先立って行われる、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 6,
The rinsing liquid supply step is a substrate processing method performed prior to the cleaning liquid supply step.
前記洗浄液供給工程と並行して行われ、前記液膜形成工程における前記基板の前記回転速度と同じ回転速度で前記対向部を水平姿勢で回転させる第1の対向部回転工程、
をさらに有する、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 8, wherein
A first facing portion rotation step that is performed in parallel with the cleaning liquid supply step and rotates the facing portion in a horizontal posture at the same rotation speed as the rotation speed of the substrate in the liquid film formation step;
A substrate processing method further comprising:
前記洗浄液供給工程及び前記第1の対向部回転工程の後に行われ、前記液膜形成工程における前記基板の前記回転速度よりも高速で前記対向部を回転させる第2の対向部回転工程、
をさらに有する、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 9, comprising:
A second counter part rotation step, which is performed after the cleaning liquid supply step and the first counter portion rotation step, and rotates the counter portion at a speed higher than the rotation speed of the substrate in the liquid film formation step;
A substrate processing method further comprising:
前記対向部の前記下面の高さが、前記基板の周囲を囲むカップの上端よりも高く、且つ前記基板液処理工程において前記基板の前記上面に各液を供給する各ノズルの各開口よりも低くなるよう前記対向部を昇降する対向部昇降工程、
をさらに有し、
前記対向部昇降工程で前記対向部の前記下面の高さを調整した状態で、前記第2の対向部回転工程が行われる、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 10, comprising:
The height of the lower surface of the opposite portion is higher than the upper end of the cup surrounding the periphery of the substrate, and lower than the opening of each nozzle for supplying each liquid to the upper surface of the substrate in the substrate liquid processing step. A facing part lifting step for lifting and lowering the facing part,
And have
The substrate processing method, wherein the second facing portion rotation step is performed in a state in which the height of the lower surface of the facing portion is adjusted in the facing portion raising / lowering step.
前記対向部洗浄工程は、前記液処理のうち前記基板の前記上面を撥水化する撥水化処理の前に行われる、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 11, wherein
The said opposing part washing | cleaning process is a substrate processing method performed before the water-repellent treatment which water-repellentizes the said upper surface of the said substrate among the said liquid processes.
前記液処理には有機溶剤を用いた処理が含まれ、
前記対向部は耐有機溶剤性の材質である、基板処理方法。 A substrate processing method according to any one of claims 1 to 12,
The liquid treatment includes treatment with an organic solvent,
The substrate processing method, wherein the facing portion is made of an organic solvent resistant material.
前記対向部の前記下面が、前記基板の上面よりも大きく広がっている、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 13, wherein
The substrate processing method, wherein the lower surface of the facing portion is larger than the upper surface of the substrate.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023007911A1 (en) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002319561A (en) * | 2001-02-15 | 2002-10-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing device and substrate washing device |
JP2006086415A (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate washing device |
JP2007035866A (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus |
JP2015088737A (en) * | 2013-09-26 | 2015-05-07 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2016157811A (en) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2017073504A (en) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2017188665A (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4325831B2 (en) | 2001-07-26 | 2009-09-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus, rotating plate provided in substrate processing apparatus, and method for cleaning surrounding member |
KR100897431B1 (en) * | 2001-11-27 | 2009-05-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus and method |
US6742279B2 (en) * | 2002-01-16 | 2004-06-01 | Applied Materials Inc. | Apparatus and method for rinsing substrates |
US7470638B2 (en) * | 2006-02-22 | 2008-12-30 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates |
JP4762098B2 (en) * | 2006-09-28 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2010129809A (en) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing method, and substrate processing apparatus |
KR101258002B1 (en) * | 2010-03-31 | 2013-04-24 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP5666414B2 (en) * | 2011-10-27 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
KR101512560B1 (en) * | 2012-08-31 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus |
JP2014194965A (en) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP6271304B2 (en) * | 2013-03-29 | 2018-01-31 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP6426924B2 (en) * | 2013-09-30 | 2018-11-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP6270270B2 (en) * | 2014-03-17 | 2018-01-31 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP6523643B2 (en) * | 2014-09-29 | 2019-06-05 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2018
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002319561A (en) * | 2001-02-15 | 2002-10-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing device and substrate washing device |
JP2006086415A (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate washing device |
JP2007035866A (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus |
JP2015088737A (en) * | 2013-09-26 | 2015-05-07 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2016157811A (en) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2017073504A (en) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2017188665A (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023007911A1 (en) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI708641B (en) | 2020-11-01 |
JP7045867B2 (en) | 2022-04-01 |
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CN110076119A (en) | 2019-08-02 |
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