KR20190091190A - Substrate treatment method - Google Patents

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Abstract

Provided is a technique for cleaning an opposing part in a substrate processing process while reducing the risk of contamination of a substrate. A substrate processing method includes a substrate liquid treatment process of performing a liquid treatment on the upper surface of the substrate in a state where the lower surface of the opposing part faces the upper surface of the substrate and is rotated in a horizontal posture and a cleaning process for cleaning the opposing part wherein the cleaning process is performed in the substrate liquid treatment process. The cleaning process for cleaning the opposing part includes: a rinse liquid supplying process of supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate; a liquid film forming process of forming the liquid film of the rinse liquid supplied in the rinse liquid supplying process on the upper surface of the substrate by rotating the substrate in a horizontal posture; and a rinse liquid supplying process of supplying a rinse liquid to the lower surface of an opposing part in the liquid film forming process in the state in which the liquid film is formed in the upper surface of the substrate. The rotational speed of the substrate in the film forming process is lower than the rotational speed of the substrate in the substrate liquid treatment process.

Description

기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT METHOD}Substrate Processing Method {SUBSTRATE TREATMENT METHOD}

본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing method for processing a substrate. Examples of the substrate to be processed include a semiconductor substrate, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a flat panel display (FPD) such as an organic EL (Electroluminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a magneto magnetism. Disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.

종래부터, 기판의 상면에 대향부의 하면을 대향시켜 이것들을 수평 자세로 회전시킨 상태에서 기판의 상면에 액 처리를 실시하는 기술이 알려져 있다. 이 기술에서는, 액 처리시에 기판의 상면에 공급된 처리액의 일부가 비산되어, 대향부의 하면에 부착되는 경우가 있다. 대향부의 하면에 부착된 처리액을 방치하면, 그 처리액이 파티클 등의 이물질이 되어 기판을 오염시킬 우려가 있다. 따라서, 적절한 타이밍에서 대향부의 하면에 세정액을 공급하여 그 하면을 세정하는 세정 처리가 실행된다.Background Art Conventionally, a technique has been known in which a liquid treatment is applied to an upper surface of a substrate in a state in which a lower surface of an opposing portion is opposed to an upper surface of the substrate and rotated in a horizontal posture. In this technique, a part of the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate during the liquid processing may scatter and adhere to the lower surface of the opposing part. If the processing liquid adhering to the lower surface of the opposing part is left, the processing liquid may be foreign matter such as particles and contaminate the substrate. Therefore, the cleaning process which supplies a washing | cleaning liquid to the lower surface of an opposing part at appropriate timing, and wash | cleans the lower surface is performed.

예를 들어, 특허문헌 1 에는, 기판 처리를 실시하고 있지 않는 기간에 (즉, 장치의 기판 유지부에 기판이 유지되고 있지 않는 기간에), 대향부의 측방에 형성된 세정 노즐로부터 대향부의 하면에 세정액을 공급하여 그 하면을 세정하는 장치가 개시되어 있다.For example, Patent Literature 1 discloses a cleaning liquid on a lower surface of an opposing part from a cleaning nozzle formed on the side of the opposing part in a period during which no substrate treatment is performed (that is, in a period when the substrate is not held by the substrate holding part of the apparatus). An apparatus is provided for supplying a metal and cleaning the lower surface thereof.

일본 공개특허공보 2003-45838호Japanese Laid-Open Patent Publication 2003-45838

한편, 기판 처리의 과정에서 (즉, 기판 유지부에 기판이 유지되는 기간에), 대향부의 하면을 세정하는 경우도 있을 수 있다. 그러나, 이 경우, 세정시에 대향부의 하면으로부터 세정액이나 이물질이 낙하하고, 이것들이 기판의 상면에 부착되어 그 기판을 오염시킬 우려가 있다.On the other hand, in the process of substrate processing (that is, in the period in which the substrate is held in the substrate holding portion), the lower surface of the opposite portion may be cleaned. In this case, however, the cleaning liquid and foreign matters fall from the lower surface of the opposing portion during the cleaning, and these may adhere to the upper surface of the substrate and contaminate the substrate.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 기판이 오염될 리스크를 저감시키면서 기판 처리의 과정에서 대향부를 세정할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.This invention is made | formed in view of the said subject, Comprising: It aims at providing the technique which can wash | clean the opposing part in the process of a substrate process, reducing the risk of a board | substrate contamination.

상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태는, 기판의 상면에 대향하는 하면을 갖는 대향부를 사용하여 상기 기판을 처리하는 처리 공정을 포함하는 기판 처리 방법으로서, 상기 기판의 상기 상면에 액 처리를 실시하는 기판 액 처리 공정과, 상기 대향부를 세정하는 대향부 세정 공정을 포함하고, 상기 대향부 세정 공정은, 상기 기판의 상기 상면에 린스액을 공급하는 린스액 공급 공정과, 상기 기판의 상기 상면에 상기 린스액 공급 공정에서 공급된 상기 린스액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정에서 상기 기판의 상기 상면에 상기 액막이 형성된 상태에서, 상기 대향부의 상기 하면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 공정을 갖는다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, 1st aspect is a substrate processing method including the process process of processing the said board | substrate using the opposing part which has a lower surface which opposes the upper surface of a board | substrate, and performs a liquid process on the said upper surface of the said board | substrate. And a counterpart cleaning step of washing the opposing part, wherein the counterpart cleaning step includes a rinse liquid supply step of supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate, and the upper surface of the substrate. A liquid film forming step of forming a liquid film of the rinse liquid supplied in the rinse liquid supplying step, and a cleaning liquid supply for supplying a cleaning liquid to the lower surface of the opposite portion in a state where the liquid film is formed on the upper surface of the substrate in the liquid film forming step. Has a process.

또, 제 2 양태는, 제 1 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 기판 액 처리 공정은, 상기 기판의 상기 상면에 상기 대향부의 상기 하면을 대향시켜 이것들을 수평 자세로 회전시킨 상태에서 액 처리하는 공정을 포함한다.Moreover, a 2nd aspect is a substrate processing method of a 1st aspect, Comprising: The said substrate liquid processing process is a process of liquid-processing in the state which opposes the said lower surface of the said opposing part to the said upper surface of the said board | substrate, and rotated them in the horizontal attitude | position. It includes.

또, 제 3 양태는, 제 1 또는 제 2 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 액막 형성 공정은, 상기 기판을 수평 자세로 회전시키는 공정을 포함하고, 상기 액막 형성 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도는, 상기 기판 액 처리 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도보다 저속이다.Moreover, a 3rd aspect is a board | substrate processing method of a 1st or 2nd aspect, The said liquid film formation process includes the process of rotating the said board | substrate to a horizontal attitude | position, The rotation speed of the said board | substrate in the said liquid film formation process Is slower than the rotational speed of the substrate in the substrate liquid processing step.

또, 제 4 양태는, 제 1 내지 제 3 양태 중 어느 하나의 기판 처리 방법으로서, 상기 액막 형성 공정은, 상기 기판의 상기 상면에 대한 상기 린스액의 공급량을 증가시키는 공정을 포함한다.Moreover, a 4th aspect is a substrate processing method in any one of 1st-3rd aspect, The said liquid film formation process includes the process of increasing the supply amount of the said rinse liquid with respect to the said upper surface of the said board | substrate.

또, 제 5 양태는, 제 1 내지 제 4 양태 중 어느 하나의 기판 처리 방법으로서, 상기 기판 액 처리 공정은, 상기 대향부를 상기 기판에 대향하는 대향 위치에 배치하는 제 1 기판 액 처리 공정을 포함하고, 상기 대향부 세정 공정은, 상기 세정액 공급 공정의 전에 상기 대향 위치보다 상방의 위치에 배치하는 공정을 포함한다.Moreover, a 5th aspect is a board | substrate processing method in any one of 1st-4th aspect, The said board | substrate liquid processing process includes the 1st board | substrate liquid processing process which arrange | positions the said opposing part in the opposing position which opposes the said board | substrate. In addition, the counterpart cleaning step includes a step of disposing at a position above the counterpart position before the cleaning liquid supply step.

또, 제 6 양태는, 제 5 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 기판 액 처리 공정은, 상기 대향부를 상기 대향 위치보다 상방의 퇴피 위치에 배치하는 제 2 기판 액 처리 공정을 포함하고, 상기 대향부 세정 공정은, 상기 세정액 공급 공정의 전에 상기 퇴피 위치보다 상기 기판에 가까운 세정 위치에 배치하는 공정을 포함한다.Moreover, a 6th aspect is a substrate processing method of a 5th aspect, Comprising: The said substrate liquid processing process includes the 2nd board | substrate liquid processing process which arrange | positions the said opposing part to the retreat position above the said opposing position, The said opposing part The cleaning step includes a step of disposing at a cleaning position closer to the substrate than the retracted position before the cleaning liquid supplying step.

또, 제 7 양태는, 제 1 내지 제 6 양태 중 어느 하나의 기판 처리 방법으로서, 상기 린스액 공급 공정과 상기 세정액 공급 공정이 병행하여 실시된다.Moreover, a 7th aspect is a substrate processing method in any one of 1st-6th aspect, Comprising: The said rinse liquid supply process and the said washing liquid supply process are performed in parallel.

또, 제 8 양태는, 제 1 내지 제 6 양태 중 어느 하나의 기판 처리 방법으로서, 상기 린스액 공급 공정은, 상기 세정액 공급 공정에 앞서 실시된다.Moreover, 8th aspect is a substrate processing method in any one of 1st-6th aspect, The said rinse liquid supply process is performed before the said washing | cleaning liquid supply process.

또, 제 9 양태는, 제 3 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 세정액 공급 공정과 병행하여 실시되고, 상기 액막 형성 공정에 있어서의 상기 기판의 상기 회전 속도와 동일한 회전 속도로 상기 대향부를 수평 자세로 회전시키는 제 1 대향부 회전 공정을 추가로 갖는다.Moreover, a 9th aspect is a substrate processing method of a 3rd aspect, Comprising: It is performed in parallel with the said washing | cleaning liquid supply process, The said opposing part in a horizontal attitude | position at the same rotational speed as the said rotational speed of the said substrate in the said liquid film formation process. It further has a 1st opposing part rotation process which rotates.

또, 제 10 양태는, 제 9 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 세정액 공급 공정 및 상기 제 1 대향부 회전 공정의 후에 실시되고, 상기 액막 형성 공정에 있어서의 상기 기판의 상기 회전 속도보다 고속으로 상기 대향부를 회전시키는 제 2 대향부 회전 공정을 추가로 갖는다.In addition, the tenth aspect is the substrate processing method of the ninth aspect, which is performed after the cleaning liquid supplying step and the first counterpart rotating step, and is performed at a higher speed than the rotational speed of the substrate in the liquid film forming step. It further has a 2nd counterpart rotation process which rotates a counterpart.

또, 제 11 양태는, 제 10 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 대향부의 상기 하면의 높이가, 상기 기판의 주위를 둘러싸는 컵의 상단보다 높고, 또한 상기 기판 액 처리 공정에 있어서 상기 기판의 상기 상면에 각 액을 공급하는 각 노즐의 각 개구보다 낮게 되도록 상기 대향부를 승강시키는 대향부 승강 공정을 추가로 갖고, 상기 대향부 승강 공정에서 상기 대향부의 상기 하면의 높이를 조정한 상태에서, 상기 제 2 대향부 회전 공정이 실시된다.The eleventh aspect is a substrate processing method of the tenth aspect, wherein a height of the lower surface of the opposing portion is higher than an upper end of a cup surrounding the substrate, and the substrate liquid treatment step is performed. The counter part elevating process of elevating the said opposing part so that it may become lower than each opening of each nozzle which supplies each liquid to an upper surface, In the state which adjusted the height of the said lower surface of the said opposing part in the said opposing part raising process, Two opposing part rotation processes are performed.

또, 제 12 양태는, 제 1 내지 제 11 양태 중 어느 하나의 기판 처리 방법으로서, 상기 대향부 세정 공정은, 상기 액 처리 중 상기 기판의 상기 상면을 발수화하는 발수화 처리의 전에 실시된다.The twelfth aspect is the substrate treatment method according to any one of the first to eleventh aspects, wherein the opposing portion washing step is performed before the water repellent treatment for water repelling the upper surface of the substrate during the liquid treatment.

또, 제 13 양태는, 제 1 내지 제 12 양태 중 어느 하나의 기판 처리 방법으로서, 상기 액 처리에는 유기 용제를 사용한 처리가 포함되고, 상기 대향부는 내유기 용제성의 재질이다.Moreover, a 13th aspect is a substrate processing method in any one of the 1st-12th aspect, Comprising: The said liquid process includes the process using the organic solvent, The said opposing part is an organic solvent-resistant material.

또, 제 14 양태는, 제 1 내지 제 13 양태 중 어느 하나의 기판 처리 방법으로서, 상기 대향부의 상기 하면이, 상기 기판의 상면보다 크게 넓어져 있다.Moreover, 14th aspect is a board | substrate processing method in any one of 1st-13th aspect, The said lower surface of the said opposing part spreads wider than the upper surface of the said board | substrate.

제 1 내지 제 14 양태에 관련된 기판 처리 방법에서는, 액막 형성 공정시에 기판 액 처리시에 비해 기판의 회전 속도가 저속이므로, 기판의 상면에 두꺼운 액막을 형성할 수 있다. 세정액 공급 공정에서는 그 액막이 형성된 상태에서 대향부의 하면에 세정액을 공급하기 때문에, 대향부의 하면으로부터 세정액이나 이물질이 낙하하였다고 하더라도, 이것들은 기판의 상면에 부착되지 않고 액막에 의해 기판의 외측으로 밀려 떠내려가기 쉽다. 따라서, 기판이 오염될 리스크를 저감시키면서, 기판 처리의 과정에서 대향부를 세정할 수 있다.In the substrate processing method according to the first to fourteenth aspects, since the rotational speed of the substrate is lower than that of the substrate liquid processing at the liquid film forming step, a thick liquid film can be formed on the upper surface of the substrate. In the cleaning liquid supplying step, the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the opposing portion in the state where the liquid film is formed. Therefore, even if the cleaning liquid and foreign matter have fallen from the lower surface of the opposing portion, they are not adhered to the upper surface of the substrate but are pushed out of the substrate by the liquid film. easy. Therefore, it is possible to clean the opposing portion in the course of substrate processing while reducing the risk of contamination of the substrate.

도 1 은 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 2 는 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 3 은 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 4 는 제 1 실시형태의 노즐 (71) 을 아래에서 본 하면도이다.
도 5 는 제 1 실시형태의 노즐 (73) 을 아래에서 본 하면도이다.
도 6 은 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7 은 대향부 세정 공정에 있어서의 각 처리의 타이밍 차트이다.
도 8 은 비교예에 있어서, 대향부 세정 공정 후의 기판 (9) 의 상면의 오염을 나타내는 평면도이다.
도 9 는 제 1 실시형태에 있어서, 대향부 세정 공정 후의 기판 (9) 의 상면의 오염을 나타내는 평면도이다.
도 10 은 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (1a) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 11 은 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (1a) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 12 는 제 2 실시형태의 노즐 (71) 을 아래에서 본 하면도이다.
도 13 은 제 2 실시형태의 노즐 (71) 의 근방을 나타내는 개략 단면도이다.
도 14 는 제 2 실시형태의 대향부 세정 공정에 있어서의 각 처리의 타이밍 차트이다.
도 15 는 제 3 실시형태의 기판 처리 장치 (1b) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 16 은 제 3 실시형태의 기판 처리 장치 (1b) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 17 은 기판 처리 장치 (1, 1b) 의 변형예에 관련된 대향부 세정 공정 (스텝 ST6a) 에 있어서의 각 처리의 타이밍 차트이다.1 is a schematic side view illustrating the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment.
2 is a schematic side view illustrating the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment.
3 is a schematic side view illustrating the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment.
4 is a bottom view of the nozzle 71 of the first embodiment as seen from below.
5 is a bottom view of the nozzle 73 of the first embodiment as seen from below.
FIG. 6: is a figure which shows an example of the flow of a process of the board | substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 of 1st Embodiment.
7 is a timing chart of each process in the counter cleaning unit.
FIG. 8: is a top view which shows the contamination of the upper surface of the board | substrate 9 after a counter part washing process in a comparative example.
FIG. 9 is a plan view showing the contamination of the upper surface of the substrate 9 after the counterpart cleaning process in the first embodiment.
FIG. 10: is a schematic side view which shows the substrate processing apparatus 1a of 2nd Embodiment.
11 is a schematic side view illustrating the substrate processing apparatus 1a of the second embodiment.
12 is a bottom view of the nozzle 71 of the second embodiment as seen from below.
13 is a schematic cross-sectional view showing the vicinity of the nozzle 71 of the second embodiment.
It is a timing chart of each process in the counter part washing process of 2nd Embodiment.
15 is a schematic side view illustrating the substrate processing apparatus 1b of the third embodiment.
FIG. 16: is a schematic side view which shows the substrate processing apparatus 1b of 3rd Embodiment.
FIG. 17 is a timing chart of each process in the counter cleaning part (step ST6a) according to the modification of the substrate processing apparatuses 1, 1b.

이하, 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 도면에서는 동일한 구성 및 기능을 갖는 부분에 동일한 부호가 부여되고, 중복 설명이 생략된다. 또, 각 도면은 모식적으로 도시된 것이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment is described based on drawing. In the drawings, the same reference numerals are given to parts having the same configuration and function, and redundant description is omitted. In addition, each figure is shown typically.

＜1 실시형태＞<1 embodiment>

＜1.1 기판 처리 장치 (1) 의 구성＞<1.1 Structure of Substrate Processing Apparatus 1>

도 1, 도 2 및 도 3 은 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 를 나타내는 개략 측면도이다. 또한, 도 1 은 대향부 (5) 가 퇴피 위치 (L1) 에 있는 상태를 나타내고 있고, 도 2 는 대향부 (5) 가 대향 위치 (L2) 에 있는 상태를 나타내고 있고, 도 3 은 대향부 (5) 가 세정 위치 (L3) 에 있는 상태를 나타내고 있다. 바꿔 말하면, 도 1 은 대향부 이동 기구 (6) 에 의해 대향부 (5) 가 상방으로 이동된 상태의 기판 처리 장치 (1) 를 나타내고 있다. 도 2 는 대향부 이동 기구 (6) 에 의해 대향부 (5) 가 하방으로 이동된 상태의 기판 처리 장치 (1) 를 나타내고 있다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (9) (예를 들어, 반도체 기판) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다.1, 2 and 3 are schematic side views illustrating the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment. 1 has shown the state in which the opposing part 5 is in the retracted position L1, FIG. 2 has shown the state in which the opposing part 5 is in the opposing position L2, and FIG. 5) has shown the state which is in the washing position L3. In other words, FIG. 1 has shown the substrate processing apparatus 1 in the state in which the opposing part 5 was moved upward by the opposing-part moving mechanism 6. 2 shows the substrate processing apparatus 1 in a state where the opposing part 5 is moved downward by the opposing-part moving mechanism 6. The substrate processing apparatus 1 is a sheet type apparatus which processes the board | substrate 9 (for example, a semiconductor substrate) one by one.

기판 처리 장치 (1) 는, 챔버 (11) 내에, 주된 요소로서, 기판 (9) 을 수평 자세 (법선이 연직 방향을 따른 자세) 로 유지하는 스핀 척 (31) 과, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (9) 의 상면에 처리액을 공급하기 위한 노즐 (71, 73) 과, 스핀 척 (31) 의 주위를 둘러싸는 컵부 (4) 와, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (9) 의 상면 (91) 과 대향하는 하면 (513) 을 갖는 대향부 (5) 와, 대향부 (5) 를 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키는 대향부 이동 기구 (6) 를 구비한다.The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 31 and a spin chuck 31 which hold the substrate 9 in a horizontal posture (a posture along a vertical direction) as a main element in the chamber 11. Nozzles 71 and 73 for supplying the processing liquid to the upper surface of the held substrate 9, a cup portion 4 surrounding the spin chuck 31, and the substrate 9 held by the spin chuck 31. The opposing part 5 which has the lower surface 513 which opposes the upper surface 91 of), and the opposing-portion movement mechanism 6 which moves the opposing part 5 to a horizontal direction and a perpendicular direction are provided.

챔버 (11) 의 측벽의 일부에는, 챔버 (11) 에 대하여 반송 로봇이 기판 (9) 을 반출입하기 위한 반출입구 및 그 반출입구를 개폐하는 셔터가 형성되어 있다 (모두 도시 생략). 또, 챔버 (11) 의 천정벽에는, 기판 처리 장치 (1) 가 설치되어 있는 클린룸 내의 공기를 추가로 청정화하여 챔버 (11) 내의 처리 공간에 공급하기 위한 팬 필터 유닛 (FFU) 이 장착되어 있다. 팬 필터 유닛은, 클린룸 내의 공기를 도입하여 챔버 (11) 내로 내보내기 위한 팬 및 필터 (예를 들어 HEPA 필터) 를 구비하고 있고, 챔버 (11) 내의 처리 공간에 청정 공기의 다운 플로를 형성한다.A part of the side wall of the chamber 11 is provided with a carrying in / out port for carrying the substrate 9 in and out of the chamber 11 and a shutter for opening and closing the carrying in and out of the chamber 11 (both not shown). The ceiling wall of the chamber 11 is further equipped with a fan filter unit (FFU) for further purifying the air in the clean room where the substrate processing apparatus 1 is installed and supplying it to the processing space in the chamber 11. have. The fan filter unit is provided with a fan and a filter (for example, a HEPA filter) for introducing air in the clean room into the chamber 11 and forming a downflow of clean air in the processing space in the chamber 11. .

스핀 척 (31) 은, 연직 방향을 따라 연장되는 회전축 (37) 의 상단에 수평 자세로 고정된 원판 형상의 스핀 베이스 (32) 를 구비한다. 스핀 베이스 (32) 의 하방에는 회전축 (37) 을 회전시키는 스핀 모터 (33) 가 형성된다. 스핀 모터 (33) 는, 회전축 (37) 을 통하여 스핀 베이스 (32) 를 수평면 내에서 회전시킨다. 또, 스핀 모터 (33) 및 회전축 (37) 의 주위를 둘러싸도록 통상 (筒狀) 의 커버 부재 (34) 가 형성되어 있다.The spin chuck 31 includes a disk-shaped spin base 32 fixed in a horizontal posture at an upper end of the rotation shaft 37 extending along the vertical direction. Below the spin base 32, a spin motor 33 for rotating the rotating shaft 37 is formed. The spin motor 33 rotates the spin base 32 in the horizontal plane via the rotation shaft 37. Moreover, the normal cover member 34 is formed so that the circumference | surroundings of the spin motor 33 and the rotating shaft 37 may be enclosed.

원판 형상의 스핀 베이스 (32) 의 외경은, 스핀 척 (31) 에 유지되는 원형의 기판 (9) 의 직경보다 약간 크다. 따라서, 스핀 베이스 (32) 는, 유지해야 하는 기판 (9) 의 하면 (92) 의 전체면과 대향하는 유지면 (32a) 을 갖고 있다.The outer diameter of the disk-shaped spin base 32 is slightly larger than the diameter of the circular substrate 9 held by the spin chuck 31. Therefore, the spin base 32 has the holding surface 32a which opposes the whole surface of the lower surface 92 of the board | substrate 9 which should be hold | maintained.

스핀 베이스 (32) 의 유지면 (32a) 의 둘레 가장자리부에는 복수의 척 핀 (35) 이 세워져 형성되어 있다. 복수의 척 핀 (35) 은, 원형의 기판 (9) 의 외주원에 대응하는 원주 상을 따라 균등한 간격을 두고 (예를 들어, 4 개의 척 핀 (35) 이면 90°간격으로) 배치되어 있다. 복수의 척 핀 (35) 은, 스핀 베이스 (32) 내에 수용된 도시가 생략된 링크 기구에 의해 연동하여 구동된다. 스핀 척 (31) 은, 복수의 척 핀 (35) 의 각각을 기판 (9) 의 외주단에 맞닿게 하여 기판 (9) 을 파지함으로써, 당해 기판 (9) 을 스핀 베이스 (32) 의 상방에서 유지면 (32a) 에 근접한 수평 자세로 유지할 수 있음과 함께, 복수의 척 핀 (35) 의 각각을 기판 (9) 의 외주단으로부터 이간시켜 파지를 해제할 수 있다.A plurality of chuck pins 35 are formed on the circumferential edge portion of the holding surface 32a of the spin base 32. The plurality of chuck pins 35 are arranged along the circumference corresponding to the outer circumferential circle of the circular substrate 9 at equal intervals (for example, at 90 ° intervals when the four chuck pins 35 are disposed). have. The plurality of chuck pins 35 are driven in conjunction with a link mechanism (not shown) accommodated in the spin base 32. The spin chuck 31 holds the substrate 9 above the spin base 32 by holding the substrate 9 by bringing each of the plurality of chuck pins 35 into contact with an outer peripheral end of the substrate 9. While being able to be held in a horizontal posture close to the holding surface 32a, each of the plurality of chuck pins 35 can be separated from the outer peripheral end of the substrate 9 to release the gripping.

스핀 모터 (33) 를 덮는 커버 부재 (34) 는, 그 하단이 챔버 (11) 의 바닥벽에 고정되고, 상단이 스핀 베이스 (32) 의 바로 아래에까지 도달하고 있다. 복수의 척 핀 (35) 에 의한 파지에 의해 스핀 척 (31) 이 기판 (9) 을 유지한 상태에서, 스핀 모터 (33) 가 회전축 (37) 을 회전시킴으로써, 기판 (9) 의 중심을 통과하는 연직 방향을 따른 중심축 (J1) 둘레로 기판 (9) 을 회전시킬 수 있다. 이와 같이, 스핀 척 (31), 스핀 모터 (33) 및 회전축 (37) 은, 기판 (9) 을 수평하게 유지하며 회전시키는 기판 회전부로서 기능한다.As for the cover member 34 which covers the spin motor 33, the lower end is fixed to the bottom wall of the chamber 11, and the upper end reaches to just below the spin base 32. As shown in FIG. In the state where the spin chuck 31 holds the substrate 9 by holding the plurality of chuck pins 35, the spin motor 33 rotates the rotation shaft 37 to pass through the center of the substrate 9. The substrate 9 can be rotated around the central axis J1 in the vertical direction. In this manner, the spin chuck 31, the spin motor 33, and the rotation shaft 37 function as the substrate rotation part for rotating the substrate 9 while keeping it horizontal.

이하, 중심축 (J1) 에 직교하는 방향을「직경 방향」이라고 한다. 또, 직경 방향에 있어서 중심축 (J1) 을 향하는 방향을「직경 방향 내방」이라고 하고, 직경 방향에 있어서 중심축 (J1) 측과는 반대측을 향하는 방향을「직경 방향 외방」이라고 한다.Hereinafter, the direction orthogonal to the central axis J1 is called "diameter direction." In addition, the direction toward the center axis J1 in the radial direction is called "diameter inner direction", and the direction toward the opposite side to the center axis J1 side in the radial direction is called "diameter direction outward".

컵부 (4) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 환상의 부재로서, 기판 (9) 및 스핀 척 (31) 의 직경 방향 외방에 배치된다. 컵부 (4) 는, 기판 (9) 및 스핀 척 (31) 의 주위의 전체 둘레에 걸쳐 배치되고, 기판 (9) 으로부터 주위를 향하여 비산되는 처리액 등을 받는 것이 가능하게 구성되어 있다. 컵부 (4) 는, 제 1 가드 (41) 와, 제 2 가드 (42) 와, 가드 이동 기구 (43) 와, 배출 포트 (44) 를 구비한다.The cup part 4 is an annular member centered on the central axis J1 and is disposed radially outward of the substrate 9 and the spin chuck 31. The cup part 4 is arrange | positioned over the perimeter of the circumference | surroundings of the board | substrate 9 and the spin chuck 31, and is comprised so that it can receive the processing liquid etc. which scatter from the board | substrate 9 toward the periphery. The cup part 4 is equipped with the 1st guard 41, the 2nd guard 42, the guard movement mechanism 43, and the discharge port 44. As shown in FIG.

제 1 가드 (41) 는, 제 1 가드 측벽부 (411) 과, 제 1 가드 천개부 (天蓋部) (412) 를 갖는다. 제 1 가드 측벽부 (411) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 제 1 가드 천개부 (412) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이며, 제 1 가드 측벽부 (411) 의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 펼쳐진다. 제 2 가드 (42) 는, 제 2 가드 측벽부 (421) 와, 제 2 가드 천개부 (422) 를 갖는다. 제 2 가드 측벽부 (421) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이며, 제 1 가드 측벽부 (411) 보다 직경 방향 외방에 위치한다. 제 2 가드 천개부 (422) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이며, 제 1 가드 천개부 (412) 보다 상방에서 제 2 가드 측벽부 (421) 의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 펼쳐진다.The first guard 41 has a first guard side wall portion 411 and a first guard canopy portion 412. The 1st guard side wall part 411 is substantially cylindrical shape centering on the central axis J1. The 1st guard opening part 412 is substantially annular plate shape centering on the central axis J1, and spreads out radially inward from the upper end part of the 1st guard side wall part 411. FIG. The second guard 42 has a second guard side wall portion 421 and a second guard canopy portion 422. The 2nd guard side wall part 421 is substantially cylindrical shape centering on the center axis J1, and is located radially outward rather than the 1st guard side wall part 411. FIG. The second guard cantilever 422 is in a substantially annular plate shape centering on the central axis J1, and is radially inward from the upper end of the second guard side wall part 421 above the first guard canopy part 412. Unfolds.

제 1 가드 천개부 (412) 의 내경 및 제 2 가드 천개부 (422) 의 내경은, 스핀 척 (31) 의 스핀 베이스 (32) 의 외경 및 대향부 (5) 의 외경보다 근소하게 크다. 제 1 가드 천개부 (412) 의 상면 및 하면은 각각, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다. 제 2 가드 천개부 (422) 의 상면 및 하면도 각각, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다.The inner diameter of the first guard canopy 412 and the inner diameter of the second guard canopy 422 are slightly larger than the outer diameter of the spin base 32 of the spin chuck 31 and the outer diameter of the opposing portion 5. The upper surface and the lower surface of the first guard canopy portion 412 are inclined surfaces facing downward as they respectively face in the radial direction outward. The upper and lower surfaces of the second guard canopy portion 422 are also inclined surfaces facing downward in the radial direction outward, respectively.

가드 이동 기구 (43) 는, 제 1 가드 (41) 및 제 2 가드 (42) 를 상하 방향으로 이동시킴으로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액 등을 받는 가드를 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이에서 전환시킨다. 컵부 (4) 의 제 1 가드 (41) 및 제 2 가드 (42) 에서 받아진 처리액 등은, 배출 포트 (44) 를 통하여 챔버 (11) 의 외부로 배출된다. 또, 제 1 가드 (41) 내 및 제 2 가드 (42) 내의 가스도 배출 포트 (44) 를 통하여 챔버 (11) 의 외부로 배출된다.The guard movement mechanism 43 moves the first guard 41 and the second guard 42 in the up and down direction so that the guard which receives the processing liquid from the substrate 9 or the like is provided with the first guard 41 and the second. Switch between guards 42. The processing liquid and the like received by the first guard 41 and the second guard 42 of the cup part 4 are discharged to the outside of the chamber 11 through the discharge port 44. Moreover, the gas in the 1st guard 41 and the 2nd guard 42 is also discharged | emitted to the exterior of the chamber 11 via the discharge port 44. FIG.

대향부 (5) 는, 내유기 용제성의 재질 (예를 들어, PCTFE (Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene) 등의 불소계 수지나 피크 PCTFE 등) 이며, 평면에서 봤을 때에 있어서 대략 원형의 부재이다. 대향부 (5) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향하는 하면 (513) 을 갖는 부재이다. 대향부 (5) 의 외경은, 기판 (9) 의 외경, 및 스핀 베이스 (32) 의 외경보다 크다.The opposing part 5 is an organic solvent-resistant material (for example, fluorine resin, such as PCTFE (Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene), peak PCTFE, etc.), and is a substantially circular member in plan view. The opposing part 5 is a member having a lower surface 513 facing the upper surface 91 of the substrate 9. The outer diameter of the opposing part 5 is larger than the outer diameter of the substrate 9 and the outer diameter of the spin base 32.

대향부 (5) 의 하면 (513) 은, 바람직하게는 친수면이다. 하면 (513) 을 친수면으로 하는 수단에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 일례로서, 코팅 가공에 의해 하면 (513) 에 친수성의 막을 형성하는 방법, 혹은 샌드 블라스트 가공에 의해 하면 (513) 에 미세 요철을 형성하는 방법을 들 수 있다.The lower surface 513 of the opposing portion 5 is preferably a hydrophilic surface. The means for making the lower surface 513 a hydrophilic surface is not particularly limited. As an example, the method of forming a hydrophilic film | membrane in the lower surface 513 by coating process, or the method of forming fine unevenness | corrugation in the lower surface 513 by sand blasting process is mentioned.

대향부 (5) 는, 본체부 (51) 를 구비한다. 본체부 (51) 는, 천개부 (511) 와, 측벽부 (512) 를 구비한다. 천개부 (511) 의 중앙부에는, 개구 (54) 가 형성되어 있다. 개구 (54) 는, 예를 들어 평면에서 봤을 때에 있어서 대략 원형이다. 개구 (54) 의 직경은, 기판 (9) 의 직경에 비해 작다. 천개부 (511) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상의 부재이며, 천개부 (511) 의 하면 (513) 이 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향한다. 측벽부 (512) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상의 부재이며, 천개부 (511) 의 외주부로부터 하방으로 펼쳐진다. 도 2 에 나타내는 상태에서는, 대향부 (5) 가 기판 (9) 과 일체적으로 중심축 (J1) 둘레로 회전되어, 대향부 (5) 의 하면 (513) 과 기판 (9) 의 상면 (91) 사이의 분위기가 챔버 (11) 내의 다른 공간의 분위기와는 차단된다.The opposing part 5 is equipped with the main-body part 51. As shown in FIG. The main body portion 51 includes a canopy portion 511 and a side wall portion 512. The opening 54 is formed in the center of the canopy 511. The opening 54 is substantially circular in plan view, for example. The diameter of the opening 54 is smaller than the diameter of the substrate 9. The canopy portion 511 is a substantially annular plate-shaped member centered on the central axis J1, and the lower surface 513 of the canopy portion 511 opposes the upper surface 91 of the substrate 9. The side wall part 512 is a substantially cylindrical member centering on the central axis J1, and is unfolded downward from the outer peripheral part of the canopy part 511. In the state shown in FIG. 2, the opposing portion 5 is integrally rotated around the central axis J1 with the substrate 9, so that the lower surface 513 of the opposing portion 5 and the upper surface 91 of the substrate 9 are rotated. The atmosphere between) is cut off from the atmosphere of the other space in the chamber 11.

대향부 이동 기구 (6) 는, 유지 회전 기구 (61) 와, 승강 기구 (62) 를 구비한다. 유지 회전 기구 (61) 는, 대향부 (5) 의 본체부 (51) 를 유지한다. 유지 회전 기구 (61) 는, 유지부 본체 (611) 와, 아암 (612) 과, 본체 회전부 (615) 를 구비한다. 본체 회전부 (615) 는, 유지부 본체 (611) 및 본체부 (51) 를 중심축 (J1) 둘레로 회전 가능한 기구이다.The opposing-portion movement mechanism 6 is equipped with the holding rotation mechanism 61 and the lifting mechanism 62. As shown in FIG. The holding and rotating mechanism 61 holds the main body 51 of the opposing part 5. The holding | maintenance rotating mechanism 61 is equipped with the holding part main body 611, the arm 612, and the main body rotation part 615. As shown in FIG. The main body rotating part 615 is a mechanism which can rotate the holding | maintenance part main body 611 and the main body part 51 about the central axis J1.

유지부 본체 (611) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 원통상으로 형성되어 있고, 대향부 (5) 의 본체부 (51) 에 접속되어 있다. 아암 (612) 은, 대략 수평하게 연장되는 봉상의 아암이다. 아암 (612) 의 일방의 단부는 본체 회전부 (615) 에 접속되고, 타방의 단부는 승강 기구 (62) 에 접속된다.The holding | maintenance part main body 611 is formed in the cylindrical form centering on the central axis J1, for example, and is connected to the main-body part 51 of the opposing part 5. The arm 612 is a rod-shaped arm extending substantially horizontally. One end of the arm 612 is connected to the main body rotating part 615, and the other end is connected to the lifting mechanism 62.

유지부 본체 (611) 의 중앙부로부터는 노즐 (71) 이 하방으로 돌출된다. 노즐 (71) 은, 유지부 본체 (611) 의 측부에 대해서는 비접촉으로 삽입되어 있다.The nozzle 71 protrudes downward from the center part of the holding part main body 611. The nozzle 71 is inserted in a noncontact manner with respect to the side part of the holding part main body 611.

도 1 에 나타내는 상태에서는, 대향부 (5) 가, 기판 (9) 및 스핀 척 (31) 의 상방에서, 유지 회전 기구 (61) 에 의해 매달아진다. 이하의 설명에서는, 도 1 에 나타내는 대향부 (5) 의 상하 방향의 위치를「퇴피 위치 (L1)」라고 한다. 퇴피 위치 (L1) 란, 대향부 (5) 가 대향부 이동 기구 (6) 에 의해 유지되어 스핀 척 (31) 으로부터 상방으로 이간된 위치이다.In the state shown in FIG. 1, the opposing part 5 is suspended by the holding rotation mechanism 61 above the substrate 9 and the spin chuck 31. In the following description, the position of the up-down direction of the opposing part 5 shown in FIG. 1 is called "retraction position L1." The retreat position L1 is a position where the opposing portion 5 is held by the opposing portion moving mechanism 6 and spaced apart upward from the spin chuck 31.

승강 기구 (62) 는, 대향부 (5) 를 유지 회전 기구 (61) 와 함께 상하 방향으로 이동시킨다. 도 2 는 대향부 (5) 가 도 1 에 나타내는 퇴피 위치 (L1) 로부터 하강한 상태를 나타내는 단면도이다. 이하의 설명에서는, 도 2 에 나타내는 대향부 (5) 의 상하 방향의 위치를「대향 위치 (L2)」라고 한다. 즉, 승강 기구 (62) 는, 대향부 (5) 를 퇴피 위치 (L1) 와 대향 위치 (L2) 사이에서 스핀 척 (31) 에 대하여 상대적으로 상하 방향으로 이동시킨다. 대향 위치 (L2) 는, 퇴피 위치 (L1) 보다 하방의 위치이다. 바꿔 말하면, 대향 위치 (L2) 란, 대향부 (5) 가 퇴피 위치 (L1) 보다 상하 방향에 있어서 스핀 척 (31) 에 근접하는 위치이다.The lifting mechanism 62 moves the opposing part 5 together with the holding and rotating mechanism 61 in the vertical direction. FIG. 2: is sectional drawing which shows the state which the opposing part 5 descended from the retracted position L1 shown in FIG. In the following description, the position in the up-down direction of the opposing part 5 shown in FIG. 2 is called "opposite position L2." That is, the lifting mechanism 62 moves the opposing part 5 in the up and down direction relative to the spin chuck 31 between the retracted position L1 and the opposing position L2. The opposing position L2 is a position below the evacuation position L1. In other words, the opposing position L2 is a position where the opposing portion 5 is closer to the spin chuck 31 in the up-down direction than the retracting position L1.

도 3 은 대향부 (5) 가 도 1 에 나타내는 퇴피 위치 (L1) 로부터 하강한 상태를 나타내는 단면도이다. 이하의 설명에서는, 도 3 에 나타내는 대향부 (5) 의 상하 방향의 위치를「세정 위치 (L3)」라고 한다. 세정 위치 (L3) 는, 퇴피 위치 (L1) 보다 하방으로서, 대향 위치 (L2) 보다 상방인 중간의 위치이다. 후술하는 바와 같이, 대향부 (5) 가 세정 위치 (L3) 에 배치된 상태에서, 노즐 (74) 로부터 대향부 (5) 의 하면 (513) 을 향하여 세정액이 토출됨으로써, 하면 (513) 의 세정이 실시된다.FIG. 3: is sectional drawing which shows the state which the opposing part 5 descended from the retracted position L1 shown in FIG. In the following description, the position of the up-down direction of the opposing part 5 shown in FIG. 3 is called "washing position L3." The washing position L3 is a lower position than the retracted position L1 and is an intermediate position that is higher than the opposite position L2. As will be described later, the cleaning liquid is discharged from the nozzle 74 toward the lower surface 513 of the opposing portion 5 in the state where the opposing portion 5 is disposed at the washing position L3, thereby cleaning the lower surface 513. This is carried out.

대향부 (5) 는, 본체 회전부 (615) 의 회전 구동력에 의해 중심축 (J1) 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다.The opposing part 5 is comprised so that rotation is possible about the central axis J1 by the rotation drive force of the main body rotation part 615. As shown in FIG.

기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (9) 의 하면 (92) 에 처리액을 공급하는 노즐 (72) 을 구비한다. 노즐 (72) 은, 대략 원통상의 노즐로서, 스핀 베이스 (32) 의 중앙부에 형성된 대략 원기둥상의 관통공에 장착되어 있다. 노즐 (72) 의 상단은 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (9) 의 하면 (92) 의 중앙부를 향하여 개구되어 있고, 노즐 (72) 로부터 토출된 처리액 또는 가스는 기판 (9) 의 하면 (92) 의 중앙부에 공급된다.The substrate processing apparatus 1 includes a nozzle 72 for supplying a processing liquid to the lower surface 92 of the substrate 9. The nozzle 72 is a substantially cylindrical nozzle and is attached to a substantially cylindrical through hole formed in the center portion of the spin base 32. The upper end of the nozzle 72 is opened toward the center of the lower surface 92 of the substrate 9 held by the spin chuck 31, and the processing liquid or gas discharged from the nozzle 72 is lower surface of the substrate 9. It is supplied to the center part of 92.

기판 처리 장치 (1) 는, 도시가 생략된 공급원으로부터 공급된 처리액을 기판 (9) 의 상면 (91) 에 토출하는 노즐 (73) 을 구비한다. 노즐 (73) 은, 아래를 향하여 개구되는 노즐로서, 예를 들어, 도시가 생략된 노즐 아암의 선단에 토출 헤드를 장착함으로써 구성된다. 도시가 생략된 모터로 노즐 아암의 기단부를 연직 방향을 따른 축의 둘레에서 회동 (回動) 시킴으로써, 스핀 척 (31) 에 유지되는 기판 (9) 의 상방에서 노즐 (73) 이 원호상으로 이동된다. 따라서, 노즐 (73) 은, 기판 (9) 의 상방에 위치하는 처리 위치 (도 1 에 이점쇄선으로 나타내는 위치) 와 기판 (9) 의 측방에 위치하는 대기 위치 (도 1 에 실선으로 나타내는 위치) 사이에서 이동 가능하다. 또한, 노즐 (73) 을 처리 위치로 이동시키는 것이 가능한 타이밍은, 도 1 에 나타내는 바와 같이 대향부 (5) 가 퇴피 위치 (L1) 에 있는 타이밍이다 (도 1 참조).The substrate processing apparatus 1 is equipped with the nozzle 73 which discharges the process liquid supplied from the supply source of omission of illustration to the upper surface 91 of the board | substrate 9. The nozzle 73 is a nozzle which opens downward, for example, is comprised by attaching a discharge head to the front-end | tip of the nozzle arm not shown. By rotating the proximal end of the nozzle arm around the axis in the vertical direction with a motor (not shown), the nozzle 73 is moved in an arc shape above the substrate 9 held by the spin chuck 31. . Therefore, the nozzle 73 is the processing position (position shown by the double-dotted line in FIG. 1) located above the board | substrate 9, and the standby position located in the side of the board | substrate 9 (position shown by a solid line in FIG. 1). It is movable between. In addition, the timing which can move the nozzle 73 to a processing position is the timing which the opposing part 5 is in the retracted position L1, as shown in FIG. 1 (refer FIG. 1).

도 4 는 제 1 실시형태의 노즐 (71) 을 아래에서 본 하면도이다. 도 5 는 제 1 실시형태의 노즐 (73) 을 아래에서 본 하면도이다. 노즐 (71, 73) 은, 도시가 생략된 복수의 처리액 공급원으로부터 공급된 처리액 각각을 토출 가능하게 구성되어 있다. 상세하게는, 노즐 (71) 의 하면에는 2 개의 개구 (712, 714, 715) 가 형성되어 있고, 노즐 (73) 의 하면에는 3 개의 개구 (731, 732, 733) 가 형성되어 있다.4 is a bottom view of the nozzle 71 of the first embodiment as seen from below. 5 is a bottom view of the nozzle 73 of the first embodiment as seen from below. The nozzles 71 and 73 are comprised so that discharge of each processing liquid supplied from the some process liquid supply source which is not shown in figure is possible. In detail, two openings 712, 714, 715 are formed in the lower surface of the nozzle 71, and three openings 731, 732, 733 are formed in the lower surface of the nozzle 73.

여기서는, 개구 (712) 로부터 순수를 토출 가능하고, 개구 (714) 로부터 IPA (isopropyl alcohol : 이소프로필알코올) 를 토출 가능하고, 개구 (715) 로부터 발수화제 (예를 들어, 실릴화제) 를 토출 가능한 경우에 대해 설명한다. 또, 개구 (731) 로부터 불산을 토출 가능하고, 개구 (732) 로부터 순수를 토출 가능하고, 개구 (733) 로부터 SC1 (과산화수소수 및 암모니아를 혼합한 처리액) 을 토출 가능한 경우에 대해 설명한다. 또한, 이것들은 일례이며, 다른 처리액이 기판 (9) 의 상면 (91) 에 토출 가능하게 구성되어도 된다. 또, 도시가 생략된 가스 공급원으로부터 공급된 가스 (예를 들어 질소 가스) 를 토출 가능한 개구가 형성되어도 된다. 또, 도시에서는 각각 1 개의 노즐 (71, 73) 을 나타내고 있지만, 처리액의 종류에 따라 복수의 노즐이 형성되어도 상관없다.Here, pure water can be discharged from the opening 712, IPA (isopropyl alcohol: isopropyl alcohol) can be discharged from the opening 714, and a water repellent (eg, silylating agent) can be discharged from the opening 715. The case is explained. Moreover, the case where hydrofluoric acid can be discharged from the opening 731, pure water can be discharged from the opening 732, and SC1 (processing liquid which mixed hydrogen peroxide water and ammonia) can be discharged from the opening 733 will be described. In addition, these are examples, and the other process liquid may be comprised so that ejection may be carried out to the upper surface 91 of the board | substrate 9. As shown in FIG. Moreover, the opening which can discharge the gas (for example, nitrogen gas) supplied from the gas supply source of omission of illustration may be formed. In addition, although one nozzle 71 and 73 is shown in the figure, the some nozzle may be formed according to the kind of process liquid.

또, 기판 처리 장치 (1) 는, 도시가 생략된 공급원으로부터 공급된 세정액을 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 공급하는 노즐 (74) 을 구비한다. 노즐 (74) 은, 비스듬히 상방으로 개구되는 노즐로서, 예를 들어, 도시가 생략된 노즐 아암의 선단에 토출 헤드를 장착함으로써 구성된다. 도시가 생략된 모터로 노즐 아암의 기단부를 연직 방향을 따른 축의 둘레에서 회동시킴으로써, 노즐 (74) 은, 대향부 (5) 에 접근하여 그 하면 (513) 을 향하여 개구되는 처리 위치 (도 1 에 이점쇄선으로 나타내는 위치) 와 대향부 (5) 로부터 이간된 대기 위치 (도 1 에 실선으로 나타내는 위치) 사이에서 이동 가능하다. 또한, 노즐 (74) 을 처리 위치로 이동시킬 수 있는 타이밍은, 도 1 또는 도 3 에 나타내는 바와 같이, 대향부 (5) 가 퇴피 위치 (L1) 또는 세정 위치 (L3) 에 있는 타이밍이다.Moreover, the substrate processing apparatus 1 is equipped with the nozzle 74 which supplies the washing | cleaning liquid supplied from the supply source of omission of illustration to the lower surface 513 of the opposing part 5. As shown in FIG. The nozzle 74 is a nozzle opened obliquely upward, for example, and is comprised by attaching a discharge head to the front-end | tip of the nozzle arm not shown. By rotating the proximal end of the nozzle arm around the axis along the vertical direction with a motor (not shown), the nozzle 74 approaches the opposing part 5 and opens toward the lower surface 513 (in FIG. 1). It is movable between the position indicated by the double-dotted line and the standby position separated from the opposing part 5 (the position indicated by the solid line in FIG. 1). In addition, the timing which can move the nozzle 74 to a processing position is the timing which the opposing part 5 is in the retracted position L1 or the washing position L3, as shown in FIG.

또한, 본 명세서에서는, 약액, 순수 및 IPA 를 합쳐 처리액이라고 부르는 경우가 있다. 또, 기판 (9) 에 대하여 파티클이나 처리액을 씻어버리는 것을 목적으로 하여 사용되는 액 (전형적으로는, 순수) 을 린스액이라고 부르는 경우가 있다. 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 대하여 파티클이나 처리액을 씻어버리는 것을 목적으로 하여 사용되는 액 (전형적으로는, 순수) 을 세정액이라고 부르는 경우가 있다.In addition, in this specification, chemical liquid, pure water, and IPA may be collectively called a processing liquid. Moreover, the liquid (typically pure water) used for the purpose of wash | cleaning a particle | grain and a process liquid with respect to the board | substrate 9 may be called a rinse liquid. The liquid (typically pure water) used for the purpose of washing a particle | grain or a process liquid with respect to the lower surface 513 of the opposing part 5 may be called a washing | cleaning liquid.

또, 기판 처리 장치 (1) 는, 장치 각 부의 동작을 제어하는 제어부 (10) 를 구비한다. 제어부 (10) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부 (10) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 출력 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓸 수 있는 메모리인 RAM 및 제어용 소프트웨어나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하여 구성된다. 제어부 (10) 의 CPU 가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치 (1) 의 각 동작 기구가 제어부 (10) 에 제어되고, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 처리가 진행된다.Moreover, the substrate processing apparatus 1 is equipped with the control part 10 which controls the operation | movement of each apparatus part. The hardware configuration of the controller 10 is the same as that of a general computer. That is, the control unit 10 stores a CPU that performs various arithmetic processing, a ROM that is a memory for reading output for storing basic programs, a RAM that can freely read and write various kinds of information, and control software and data. The two are provided with a magnetic disk or the like. By the CPU of the control unit 10 executing a predetermined processing program, each operation mechanism of the substrate processing apparatus 1 is controlled by the control unit 10, and the processing in the substrate processing apparatus 1 advances.

＜1.2 기판 처리 장치 (1) 의 동작예＞<1.2 Example of operation of substrate processing apparatus 1>

도 6 은 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다. 이하, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 처리예에 대해 설명한다. 또한, 도 6 에는, 각 공정에서 대향부 (5) 가 배치되는 높이 위치를 나타내고 있다.FIG. 6: is a figure which shows an example of the flow of a process of the board | substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 of 1st Embodiment. Hereinafter, the processing example in the substrate processing apparatus 1 is demonstrated. 6, the height position where the opposing part 5 is arrange | positioned at each process is shown.

먼저, 대향부 (5) 가 퇴피 위치 (L1) 에 있는 상태에서, 기판 (9) 이 외부의 반송 로봇에 의해 챔버 (11) 내에 반입되어 스핀 베이스 (32) 의 척 핀 (35) 상에 재치 (載置) 된다. 그 결과, 그 기판 (9) 이 척 핀 (35) 에 의해 하측으로부터 지지된다 (스텝 ST1).First, with the opposing part 5 in the retracted position L1, the substrate 9 is loaded into the chamber 11 by an external carrier robot and placed on the chuck pin 35 of the spin base 32. (Iii) As a result, the board | substrate 9 is supported by the chuck pin 35 from under (step ST1).

기판 (9) 이 반입되면, 승강 기구 (62) 는 대향부 (5) 를 퇴피 위치 (L1) 에 배치한 채로, 스핀 모터 (33) 에 의해 기판 (9) 의 회전이 개시된다.When the board | substrate 9 is carried in, the lifting mechanism 62 will start rotation of the board | substrate 9 by the spin motor 33, with the opposing part 5 arrange | positioned at the retracted position L1.

이 상태에서, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대하여 각종 처리액을 사용한 액 처리가 실행된다. 먼저, 노즐 (73) 의 개구 (731) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 불산을 공급하는 불산 처리가 실행된다 (스텝 ST2). 불산 처리시에는, 제 1 가드 (41) 가 기판 (9) 으로부터 비산되는 처리액을 받아낼 수 있는 높이에 위치하고 있다. 불산 처리에서는, 노즐 (73) 의 하면에 형성된 개구 (731) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 불산을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 불산은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 불산 처리가 진행된다. 이 기간은 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 ∼ 1000 rpm (revolution per minute : 회전수/분) 이다.In this state, liquid processing using various processing liquids is performed on the upper surface 91 of the substrate 9. First, the hydrofluoric acid treatment which supplies hydrofluoric acid to the upper surface 91 of the board | substrate 9 from the opening 731 of the nozzle 73 is performed (step ST2). At the time of hydrofluoric acid treatment, the 1st guard 41 is located in the height which can receive the process liquid scattered from the board | substrate 9. In the hydrofluoric acid treatment, hydrofluoric acid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 that is rotated from the opening 731 formed in the lower surface of the nozzle 73. The hydrofluoric acid that has been deposited on the upper surface 91 diffuses to the outer circumferential portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and the hydrofluoric acid treatment proceeds on the entire upper surface 91. This period is for example 30 seconds. In addition, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 800-1000 rpm (revolution per minute: rotation speed / minute), for example.

개구 (731) 로부터의 불산의 토출이 정지된 후, 개구 (732) 로부터의 린스액의 토출이 개시된다 (스텝 ST3). 린스 처리시에는, 노즐 (73) 의 하면에 형성된 개구 (732) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 린스액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 상에 잔존하고 있던 불산과 함께 기판 (9) 의 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 불산 및 린스액은, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 의 세정도 실질적으로 실시된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.After the discharge of hydrofluoric acid from the opening 731 is stopped, the discharge of the rinse liquid from the opening 732 is started (step ST3). In the rinsing process, the rinse liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 which is rotated from the opening 732 formed in the lower surface of the nozzle 73. The rinse liquid which landed on the upper surface 91 diffuses to the outer peripheral portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and from the outer peripheral edge of the substrate 9 together with the hydrofluoric acid remaining on the upper surface 91. It is scattered radially outward. The hydrofluoric acid and rinse liquid scattered from the substrate 9 are received at the inner wall of the first guard 41 and discarded through the discharge port 44. Thereby, with the rinse process of the upper surface 91 of the board | substrate 9, the 1st guard 41 is also wash | cleaned substantially. This period is 30 seconds, for example. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period becomes 1200 rpm, for example.

개구 (732) 로부터 린스액의 토출이 정지된 후, 개구 (733) 로부터 SC1 액의 토출이 개시된다 (스텝 ST4). SC1 처리시에는, 노즐 (73) 의 하면에 형성된 개구 (733) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 SC1 액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 SC1 액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 SC1 처리가 진행된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 rpm 이다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 SC1 액은 제 2 가드 (42) 의 내벽에 받아져, 배출 포트 (44) 로부터 폐기된다.After the discharge of the rinse liquid is stopped from the opening 732, the discharge of the SC1 liquid is started from the opening 733 (step ST4). At the time of SC1 processing, the SC1 liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 that is rotated from the opening 733 formed in the lower surface of the nozzle 73. SC1 liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and SC1 process progresses in the whole upper surface 91. This period is 30 seconds, for example. In addition, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 800 rpm, for example. The SC1 liquid scattered from the substrate 9 is received by the inner wall of the second guard 42 and discarded from the discharge port 44.

개구 (733) 로부터의 SC1 액의 토출이 정지된 후, 개구 (732) 로부터의 린스액의 토출이 개시된다 (스텝 ST5). 린스 처리시에는 노즐 (73) 의 하면에 형성된 개구 (732) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 린스액은, 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 상에 잔존하고 있던 SC1 액과 함께 기판 (9) 의 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 SC1 액 및 린스액은, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 의 세정도 실질적으로 실시된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.After the discharge of the SC1 liquid from the opening 733 is stopped, the discharge of the rinse liquid from the opening 732 is started (step ST5). In the rinsing process, the rinse liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 which is rotated from the opening 732 formed in the lower surface of the nozzle 73. The rinse liquid deposited on the upper surface 91 diffuses to the outer circumferential portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and from the outer peripheral edge of the substrate 9 together with the SC1 liquid remaining on the upper surface 91. It is scattered radially outward. The SC1 liquid and the rinse liquid scattered from the substrate 9 are received at the inner wall of the first guard 41 and discarded through the discharge port 44. Thereby, with the rinse process of the upper surface 91 of the board | substrate 9, the 1st guard 41 is also wash | cleaned substantially. This period is 30 seconds, for example. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period becomes 1200 rpm, for example.

또한, 스텝 ST3 또는 스텝 ST5 의 린스 처리에 있어서, 노즐 (73) 의 개구 (732) 로부터가 아니라 노즐 (71) 의 개구 (712) 로부터 린스액이 토출되어도 된다. 또, 스텝 ST3 또는 스텝 ST5 의 린스 처리에 있어서, 개구 (712, 732) 의 쌍방으로부터 린스액이 공급되어도 된다.In addition, in the rinse processing of step ST3 or step ST5, the rinse liquid may be discharged from the opening 712 of the nozzle 71, not from the opening 732 of the nozzle 73. Moreover, in the rinse process of step ST3 or step ST5, the rinse liquid may be supplied from both of the openings 712 and 732.

그 후, 승강 기구 (62) 는 대향부 (5) 를 퇴피 위치 (L1) (도 1 참조) 에서 세정 위치 (L3) (도 3 참조) 까지 하강시킨다. 또, 도시되지 않은 구동 기구에 의해, 노즐 (74) 을 처리 위치 (도 3 에 나타내는 위치) 까지 이동시킨다. 그리고, 노즐 (74) 로부터 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 세정액을 공급함으로써, 그 하면 (513) 을 세정하는 대향부 세정 처리를 실시한다 (스텝 ST6). 또한, 대향부 세정 처리에 대해서는, 후술하는 ＜1.3 대향부 세정 공정의 처리예＞ 에서 상세하게 설명한다.Thereafter, the elevating mechanism 62 lowers the opposing portion 5 from the retracted position L1 (see FIG. 1) to the cleaning position L3 (see FIG. 3). Moreover, the nozzle 74 is moved to the process position (position shown in FIG. 3) by the drive mechanism not shown. Then, by supplying the cleaning liquid from the nozzle 74 to the lower surface 513 of the opposing portion 5, the opposing portion washing process for washing the lower surface 513 is performed (step ST6). In addition, the opposing part washing process is demonstrated in detail in <the processing example of a 1.3 opposing part washing process> mentioned later.

대향부 세정 처리를 종료하면, 도시되지 않은 구동 기구에 의해, 노즐 (74) 을 대기 위치 (도 1 에 실선으로 나타내는 위치) 까지 이동시킨다. 또, 승강 기구 (62) 는 대향부 (5) 를 세정 위치 (L3) (도 3 참조) 에서 대향 위치 (L2) (도 2 참조) 로 하강시킨다. 이로써, 스핀 베이스 (32) 의 유지면 (32a), 천개부 (511) 의 하면 (513), 및 측벽부 (512) 의 내주면에 의해 둘러싸인 공간이 형성된다. 이 상태에서, 노즐 (71) 의 개구 (714) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 IPA 를 공급하는 IPA 처리가 실행된다 (스텝 ST7). IPA 처리시에는, 제 2 가드 (42) 가 기판 (9) 으로부터 비산되는 IPA 를 받아낼 수 있는 높이에 위치하고 있다. IPA 처리에서는, 노즐 (71) 의 하면에 형성된 개구 (714) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 IPA 를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 IPA 는, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 순수가 IPA 로 치환되는 IPA 처리가 진행된다. 또, IPA 치환을 촉진시킬 목적으로 기판 (9) 에 대하여 도시가 생략된 가열 기구로 가열 처리를 실시해도 된다. 이 기간은 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 300 rpm 이다. 또, IPA 의 토출 유량은, 예를 들어 300 ㎖/m (밀리리터/분) 이다.When the opposite part washing process is complete | finished, the drive mechanism which is not shown in figure moves the nozzle 74 to a standby position (position shown by a solid line in FIG. 1). Moreover, the lifting mechanism 62 lowers the opposing part 5 from the washing position L3 (see FIG. 3) to the opposing position L2 (see FIG. 2). Thereby, the space enclosed by the holding surface 32a of the spin base 32, the lower surface 513 of the canopy part 511, and the inner peripheral surface of the side wall part 512 is formed. In this state, an IPA process of supplying IPA to the upper surface 91 of the substrate 9 from the opening 714 of the nozzle 71 is performed (step ST7). In the IPA process, the 2nd guard 42 is located in the height which can receive the IPA scattered from the board | substrate 9, and is. In the IPA process, IPA is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 that is rotated from the opening 714 formed in the lower surface of the nozzle 71. The IPA liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and the IPA process which pure water replaces IPA in the whole upper surface 91 advances. Moreover, you may heat-process to the board | substrate 9 with the heating mechanism not shown in the figure for the purpose of promoting IPA substitution. This period is for example 30 seconds. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 300 rpm, for example. Moreover, the discharge flow volume of IPA is 300 ml / m (milliliters / minute), for example.

개구 (714) 로부터 IPA 의 토출이 정지된 후, 개구 (715) 로부터 발수화제의 토출이 개시된다 (스텝 ST8). 발수화 처리시에는, 노즐 (73) 의 하면에 형성된 개구 (715) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 발수화제를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 발수화액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 발수성으로 표면 개질하는 발수화 처리가 진행된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 500 rpm 이다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 발수화제는 제 2 가드 (42) 의 내벽에 받아져, 배출 포트 (44) 로부터 폐기된다. 또, 발수화제의 토출 유량은, 예를 들어 300 ㎖/m 이다.After the discharge of IPA is stopped from the opening 714, the discharge of the water repellent agent is started from the opening 715 (step ST8). In the water repellent treatment, the water repellent is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 which is rotated from the opening 715 formed in the lower surface of the nozzle 73. The water-repellent liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and the water-repellent process which surface-modifies water-repellently on the whole upper surface 91 advances. This period is 30 seconds, for example. In addition, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 500 rpm, for example. The water repellent agent scattered from the substrate 9 is received by the inner wall of the second guard 42 and discarded from the discharge port 44. Moreover, the discharge flow volume of a water repellent is 300 ml / m, for example.

개구 (715) 로부터 발수화제의 토출이 정지된 후, 상기와 동일한 처리 조건으로 IPA 처리가 실시된다 (스텝 ST9). 각종 액 처리가 종료되면, 다음으로, 스핀 드라이 처리가 실행된다 (스텝 ST10). 스핀 드라이 처리에서는, 각종 액 처리시보다 빠르게 기판 (9) 및 대향부 (5) 가 회전된다. 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 1500 rpm 이다. 이로써, 기판 (9) 및 대향부 (5) 에 부착된 각종 액체는, 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산되고, 제 2 가드 (42) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다.After the discharge of the water repellent agent from the opening 715 is stopped, the IPA process is performed under the same processing conditions as described above (step ST9). After the various liquid processes are completed, the spin dry process is performed next (step ST10). In the spin dry process, the substrate 9 and the opposing part 5 rotate faster than in the case of various liquid processes. The rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 1500 rpm, for example. Thereby, the various liquids adhering to the board | substrate 9 and the opposing part 5 are scattered radially outward from the outer peripheral edge, are received by the inner wall of the 2nd guard 42, and are discarded through the discharge port 44. FIG. .

스핀 드라이 처리가 종료되면, 승강 기구 (62) 에 의해 대향부 (5) 가 상승되어 도 1 에 나타내는 상태가 되고, 기판 (9) 이 외부의 반송 로봇에 의해 스핀 척 (31) 으로부터 반출된다 (스텝 ST11).When the spin dry process is completed, the opposing part 5 is raised by the elevating mechanism 62 to be in the state shown in FIG. 1, and the substrate 9 is carried out from the spin chuck 31 by an external carrier robot ( Step ST11).

이로써, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 각 처리가 종료된다. 여기서, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 처리에는, 기판 (9) 에 대하여 액 처리 (상기 예에서는, 스텝 ST2 ∼ ST5, ST7 ∼ ST9) 및 기판 (9) 을 건조시키는 건조 처리 (상기 예에서는, 스텝 ST10) 를 포함하는 기판 액 처리 공정과, 기판 액 처리 공정의 과정에서 실행되어 대향부 (5) 를 세정하는 대향부 세정 공정 (상기 예에서는, 스텝 ST6) 이 포함된다. 이하, 대향부 세정 공정의 상세한 내용에 대해 설명한다.Thereby, each process by the substrate processing apparatus 1 is complete | finished. Here, in the process by the substrate processing apparatus 1, the liquid process (step ST2-ST5, ST7-ST9 in the said example) and the drying process which dries the board | substrate 9 with respect to the board | substrate 9 (in the said example, A counterpart cleaning process (step ST6 in the above example) that includes a substrate liquid processing step including step ST10 and a counterpart 5 that is executed in the process of the substrate liquid processing step to clean the counterpart 5. Hereinafter, the detail of the opposing part washing process is demonstrated.

＜1.3 대향부 세정 공정의 처리예＞<1.3 Processing Example of Opposing Part Washing Process>

도 7 은 제 1 실시형태의 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 에 있어서의 각 처리의 타이밍 차트이다. 이하, 대향부 (5) 를 세정하는 대향부 세정 공정의 상세한 내용에 대해 설명한다. 또한, 대향부 세정 공정은, 대향부 (5) 가 도 3 에 나타내는 세정 위치 (L3) 에 있고, 노즐 (74) 이 도 1 에 이점쇄선으로 나타내는 처리 위치에 있는 상태에서 실행된다.FIG. 7 is a timing chart of each process in the counterpart cleaning process (step ST6) of the first embodiment. FIG. Hereinafter, the detail of the counter part washing process of washing the counter part 5 is demonstrated. In addition, the opposing-part washing process is performed in the state in which the opposing part 5 is in the washing position L3 shown in FIG. 3, and the nozzle 74 is in the processing position shown by the double-dotted line in FIG.

먼저, 시각 t1 에서부터, 린스액 공급 공정 (101) 및 액막 형성 공정 (102) 이 개시된다. 린스액 공급 공정 (101) 이란, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 공급하는 공정이다. 린스액 공급 공정 (101) 에서는, 개구 (712) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액이 공급된다. 또, 액막 형성 공정 (102) 이란, 스핀 척 (31) 에 의해 유지되는 기판 (9) 을 스핀 모터 (33) 에 의해 수평 자세로 회전시킴으로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액 공급 공정 (101) 에서 공급된 린스액의 액막을 형성하는 공정이다.First, the rinse liquid supply process 101 and the liquid film formation process 102 are started from time t1. The rinse liquid supply step 101 is a step of supplying a rinse liquid to the upper surface 91 of the substrate 9. In the rinse liquid supplying step 101, the rinse liquid is supplied from the opening 712 to the upper surface 91 of the substrate 9. In addition, the liquid film formation process 102 supplies the rinse liquid to the upper surface 91 of the substrate 9 by rotating the substrate 9 held by the spin chuck 31 in a horizontal position by the spin motor 33. It is a process of forming the liquid film of the rinse liquid supplied at the process (101).

또한, 린스액 공급 공정 (101) 에 있어서의 린스액의 공급은, 린스 처리 (스텝 ST5) 와 동일하게, 노즐 (73) 의 개구 (732) 로부터여도 된다. 이 경우, 린스 처리 (스텝 ST5) 에서 개시되는 개구 (732) 로부터의 린스액의 토출이, 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 의 린스액 공급 공정이 개시되는 시각 t1 이후에도 계속하여 실시되어도 된다. 물론, 개구 (732) 로부터의 린스액의 토출을 린스 처리 (스텝 ST5) 에서 정지하고, 그 후, 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 의 린스액 공급 공정 (101) 에서 재개하도록 해도 된다.In addition, supply of the rinse liquid in the rinse liquid supply process 101 may be sufficient from the opening 732 of the nozzle 73 similarly to the rinse process (step ST5). In this case, the discharge of the rinse liquid from the opening 732 started in the rinse processing (step ST5) may be continuously performed after the time t1 at which the rinse liquid supplying process of the counterpart cleaning process (step ST6) is started. Of course, discharge of the rinse liquid from the opening 732 may be stopped by the rinse process (step ST5), and it may be resumed by the rinse liquid supply process 101 of the opposing part washing process (step ST6) after that.

액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도는, 예를 들어, 10 rpm 으로서, 기판 액 처리 공정 (스텝 ST2 ∼ ST5, ST7 ∼ ST10) 에 있어서의 기판의 회전 속도 (상기의 예에서는, 300 ∼ 1500 rpm) 보다 저속이다. 이와 같이, 액막 형성 공정 (102) 에서는 기판 액 처리 공정에 비해 저속으로 기판 (9) 을 회전시킴으로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액의 액막을 두껍게 형성할 수 있다. 또, 이 때에 형성되는 린스액의 액막의 평균 막두께는, 예를 들어 1 ㎜ ∼ 2 ㎜ 이다.The rotation speed of the board | substrate 9 in the liquid film formation process 102 is 10 rpm, for example, and the rotation speed of the board | substrate in a board | substrate liquid processing process (step ST2-ST5, ST7-ST10) (the said In the example, it is slower than 300-1500 rpm). In this manner, in the liquid film forming step 102, the liquid film of the rinse liquid can be thickly formed on the upper surface 91 of the substrate 9 by rotating the substrate 9 at a lower speed than the substrate liquid processing step. Moreover, the average film thickness of the liquid film of the rinse liquid formed at this time is 1 mm-2 mm, for example.

그 후, 시각 t2 에서부터, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 이 개시된다. 세정액 공급 공정 (103) 이란, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액의 액막이 형성된 상태에서, 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 세정액 (예를 들어, 린스액과 동일하게 순수) 을 공급하는 공정이다.After that, the cleaning liquid supplying step 103 and the first counter rotating part 104 are started from time t2. The cleaning liquid supplying step 103 is a cleaning liquid (for example, pure water in the same manner as the rinse liquid) on the lower surface 513 of the opposing portion 5 in a state where a liquid film of rinse liquid is formed on the upper surface 91 of the substrate 9. It is a process to supply.

이와 같이, 세정액 공급 공정 (103) 에서는 린스액의 액막이 형성된 상태에서 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 세정액을 공급하기 때문에, 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 세정액이나 파티클 등의 이물질이 낙하하였다고 하더라도, 이것들은 기판 (9) 의 상면 (91) 에 부착되지 않고 액막에 의해 기판 (9) 의 외측으로 밀려 떠내려가기 쉽다. 따라서, 기판 (9) 이 오염될 리스크를 저감시키면서, 기판 처리의 과정에서 대향부 (5) 를 세정할 수 있다.Thus, in the washing | cleaning liquid supply process 103, since a washing | cleaning liquid is supplied to the lower surface 513 of the opposing part 5 in the state in which the liquid film of the rinse liquid was formed, a cleaning liquid, a particle | grains, etc. were made from the lower surface 513 of the opposing part 5, and so on. Even if foreign matters fall, they do not adhere to the upper surface 91 of the substrate 9 and are easily pushed out of the substrate 9 by the liquid film. Therefore, the counter part 5 can be cleaned in the process of substrate processing, reducing the risk that the board | substrate 9 will be contaminated.

또, 하면 (513) 을 친수면으로 한 경우, 세정액 공급 공정 (103) 에 있어서의 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터의 세정액의 낙하를 경감시킬 수 있다. 또, 세정액의 낙하가 경감됨으로써, 기판 (9) 상에 형성되어 있는 액막의 붕괴를 경감시킬 수 있다. 이것들의 작용에 의해, 기판 (9) 이 오염될 리스크를 저감시킬 수 있다.Moreover, when the lower surface 513 is made into a hydrophilic surface, the fall of the washing | cleaning liquid from the lower surface 513 of the opposing part 5 in the washing | cleaning liquid supply process 103 can be reduced. Moreover, the fall of the washing | cleaning liquid can be reduced, and the collapse of the liquid film formed on the board | substrate 9 can be reduced. By these actions, the risk that the substrate 9 will be contaminated can be reduced.

또한, 액막 형성 공정 (102) 에 있어서, 비교적 두꺼운 린스액의 액막을 형성하기 위해, 린스액의 유량을 증가시켜도 된다. 예를 들어, 액막 형성 공정 (102) 에 있어서 기판 (9) 에 공급되는 린스액의 공급량을, 스텝 ST3 에 있어서의 린스액의 공급량보다 많게 하면 된다. 또, 액막 형성 공정 (102) 중, 세정액 공급 공정 (103) 에 있어서 기판 (9) 에 대한 린스액의 공급량을, 그 세정액 공급 공정 (103) 의 전 또는 후에 있어서의 린스액의 공급량보다 많게 하면 된다. 이 경우, 세정액 공급 공정 (103) 에 있어서, 두꺼운 액막을 형성할 수 있기 때문에, 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 낙하한 세정액 중의 파티클이 기판 (9) 에 부착되는 것을 유효하게 억제할 수 있다.In addition, in the liquid film formation process 102, in order to form the liquid film of a comparatively thick rinse liquid, you may increase the flow volume of a rinse liquid. For example, what is necessary is just to make the supply amount of the rinse liquid supplied to the board | substrate 9 more than the supply amount of the rinse liquid in step ST3 in the liquid film formation process 102. In the liquid film forming step 102, when the supply amount of the rinse liquid to the substrate 9 in the cleaning liquid supply step 103 is greater than the supply amount of the rinse liquid before or after the cleaning liquid supply step 103. do. In this case, in the cleaning liquid supplying step 103, a thick liquid film can be formed, so that particles in the cleaning liquid dropped from the lower surface 513 of the opposing portion 5 can be effectively suppressed from adhering to the substrate 9. Can be.

또, 제 1 대향부 회전 공정 (104) 은, 유지 회전 기구 (61) 에 의해 유지되는 대향부 (5) 를 본체 회전부 (615) 에 의해 수평 자세로 회전시키는 공정이다. 제 1 대향부 회전 공정 (104) 은, 세정액 공급 공정 (103) 과 병행하여 실시되고, 제 1 대향부 회전 공정 (104) 에서는 액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도와 동일한 회전 속도 (예를 들어, 10 rpm) 로 대향부 (5) 를 회전시킨다. 또한, 본 예에서는, 제 1 대향부 회전 공정 (104) 에 있어서, 대향부 (5) 의 회전 속도를 기판 (9) 의 회전 속도와 동일하게 하고 있지만, 상이하게 해도 된다. 예를 들어, 대향부 (5) 의 회전 속도를 기판 (9) 의 회전 속도보다 빠른 회전 속도 (예를 들어, 100 rpm) 또는 느린 회전 속도로 해도 된다.In addition, the 1st opposing-part rotation process 104 is a process of rotating the opposing part 5 hold | maintained by the holding | maintenance rotating mechanism 61 by a main body rotation part 615 to a horizontal attitude | position. The 1st opposing part rotation process 104 is performed in parallel with the washing | cleaning liquid supply process 103, and in the 1st opposing part rotation process 104, the rotation speed of the board | substrate 9 in the liquid film formation process 102 The opposing part 5 is rotated at the same rotational speed (for example, 10 rpm). In addition, in this example, although the rotation speed of the opposing part 5 is made the same as the rotation speed of the board | substrate 9 in the 1st opposing part rotation process 104, you may make it different. For example, the rotation speed of the opposing part 5 may be made into the rotation speed faster (for example, 100 rpm) or slower than the rotation speed of the board | substrate 9.

이와 같이 세정 대상인 대향부 (5) 가 회전함으로써, 세정액 공급 공정 (103) 에서는 대향부 (5) 의 하면 (513) 의 전체를 용이하게 세정할 수 있다. 또, 대향부 (5) 의 회전 속도가 기판 (9) 의 회전 속도와 동일하게 저속이므로, 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 공급된 세정액이 하방으로 잘 튀지 않는다. 이로써, 대향부 (5) 의 하방에 위치하는 기판 (9) 이 오염될 리스크를 줄일 수 있다.As the counterpart 5 to be cleaned is rotated in this manner, in the cleaning liquid supply step 103, the entire lower surface 513 of the counterpart 5 can be easily cleaned. Moreover, since the rotational speed of the opposing part 5 is low speed similarly to the rotational speed of the board | substrate 9, the washing | cleaning liquid supplied to the lower surface 513 of the opposing part 5 does not splash well below. Thereby, the risk that the board | substrate 9 located under the opposing part 5 will be contaminated can be reduced.

또, 대향부 (5) 의 하면 (513) 은, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (9) 보다 크게 넓어져 있다. 즉, 하면 (513) 의 직경은, 기판 (9) 의 직경보다 크게 되어 있다. 이와 같이, 대향부 (5) 의 하면 (513) 을 기판 (9) 보다 넓게 함으로써, 대향부 (5) 로부터 기판 (9) 에 낙하하는 세정액의 단위 면적당의 낙하량을 작게 할 수 있다. 요컨대, 하면 (513) 으로부터 기판 (9) 을 향하여 낙하하는 액적의 크기를 작게 할 수 있다. 이로써, 하면 (513) 으로부터의 세정액의 낙하에 의한 린스액의 액막의 붕괴를 경감시킬 수 있다. 따라서, 낙하한 세정액에 의한 기판의 오염을 유효하게 저감시킬 수 있다.The lower surface 513 of the opposing portion 5 is wider than the substrate 9 held by the spin chuck 31. In other words, the diameter of the lower surface 513 is larger than the diameter of the substrate 9. Thus, by making the lower surface 513 of the opposing part 5 wider than the board | substrate 9, the fall amount per unit area of the washing | cleaning liquid falling from the opposing part 5 to the board | substrate 9 can be made small. In other words, the size of the droplet falling from the lower surface 513 toward the substrate 9 can be reduced. Thereby, collapse of the liquid film of the rinse liquid by the fall of the washing | cleaning liquid from the lower surface 513 can be reduced. Therefore, contamination of the board | substrate by the falling washing | cleaning liquid can be reduced effectively.

또, 대향부 (5) 의 하면 (513) 이 기판 (9) 보다 넓기 때문에, 세정액 공급 공정 (103) 에 있어서, 회전하는 대향부 (5) 중, 기판 (9) 보다 외측의 부분으로부터 처리액을 낙하시킬 수 있다. 이로써, 기판 (9) 에 낙하하는 세정액의 양을 경감시킬 수 있다. 따라서, 낙하한 세정액에 의한 기판의 오염을 유효하게 저감시킬 수 있다.Moreover, since the lower surface 513 of the opposing part 5 is wider than the board | substrate 9, in the washing | cleaning liquid supply process 103, in the washing | cleaning liquid supply process 103, it is a process liquid from the part outer side than the board | substrate 9 in the rotating part. Can fall. Thereby, the quantity of the washing | cleaning liquid falling to the board | substrate 9 can be reduced. Therefore, contamination of the board | substrate by the falling washing | cleaning liquid can be reduced effectively.

대향부 (5a) 의 하면 (513) 은, 기판 (9) 보다 넓게 되어 있다. 이 때문에, 기판 (9) 의 전면 (前面) 을 일괄로 덮은 상태에서 기판 (9) 을 건조 처리할 수 있다. 이 때문에, 기판을 균일하게 처리할 수 있다.The lower surface 513 of the opposing portion 5a is wider than the substrate 9. For this reason, the board | substrate 9 can be dried in the state which covered the whole surface of the board | substrate 9 collectively. For this reason, a board | substrate can be processed uniformly.

그 후, 시각 t3 이 되면, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 이 종료된다. 본 실시형태에서는, 시각 t2 ∼ t3 의 기간에 있어서, 린스액 공급 공정 (101) 과 세정액 공급 공정 (103) 이 병행하여 실시된다. 이 때문에, 세정액 공급 공정 (103) 에서 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 세정액이나 이물질이 낙하하였다고 하더라도, 이것들은 새로 기판 (9) 의 상면 (91) 에 공급되는 린스액에 의해 기판 (9) 의 외측으로 밀려 떠내려가기 쉽다. 따라서, 기판 (9) 이 오염될 리스크를 더욱 저감시킬 수 있다.Thereafter, when time t3 is reached, the cleaning liquid supplying step 103 and the first counterpart rotating step 104 are completed. In this embodiment, the rinse liquid supply process 101 and the washing liquid supply process 103 are performed in parallel in the period of time t2-t3. For this reason, even if the cleaning liquid and the foreign matter have fallen from the lower surface 513 of the opposing portion 5 in the cleaning liquid supplying step 103, these are newly prepared by the rinse liquid supplied to the upper surface 91 of the substrate 9. 9) It is easy to be pushed out of the air. Therefore, the risk that the substrate 9 will be contaminated can be further reduced.

또, 본 실시형태에서는, 대향부 (5) 가 퇴피 위치 (L1) 보다 낮고, 또한 대향 위치 (L2) 보다 높은 세정 위치 (L3) 에 배치된 상태에서, 대향부 (5) 의 하면 (513) 의 세정이 실시된다. 이 경우, 하면 (513) 을 기판 (9) 에 접근시킬 수 있기 때문에, 하면 (513) 으로부터의 세정액의 낙하에 의한, 기판 (9) 상의 린스액의 액막의 붕괴를 경감시킬 수 있다. 따라서, 낙하한 세정액에 의한 기판의 오염을 유효하게 저감시킬 수 있다. 또한, 대향부 (5) 를 세정 위치 (L3) 에 배치하여 하면 (513) 의 세정을 실시하는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 대향부 (5) 를 퇴피 위치 (L1) 에 배치한 상태에서, 노즐 (74) 로부터 하면 (513) 에 세정액이 공급됨으로써, 하면 (513) 의 세정이 실시되어도 된다. 이 경우, 퇴피 위치 (L1) 가 세정 위치가 된다.In addition, in this embodiment, the lower surface 513 of the opposing part 5 in a state where the opposing part 5 is disposed at the washing position L3 that is lower than the retracted position L1 and higher than the opposing position L2. Cleaning is performed. In this case, since the lower surface 513 can be made to approach the board | substrate 9, the collapse of the rinse liquid film of the rinse liquid on the board | substrate 9 by the fall of the washing | cleaning liquid from the lower surface 513 can be reduced. Therefore, contamination of the board | substrate by the falling washing | cleaning liquid can be reduced effectively. In addition, it is not essential to wash | clean the lower surface 513 by arrange | positioning the opposing part 5 in the washing | cleaning position L3. For example, the washing | cleaning of the lower surface 513 may be performed by supplying the washing | cleaning liquid from the nozzle 74 to the lower surface 513 in the state which arrange | positioned the opposing part 5 in the retracted position L1. In this case, the retracted position L1 becomes the washing position.

대향부 (5) 가 대향 위치 (L2) 에 배치된 상태에서 실행되는 IPA 처리 (스텝 ST7), 발수화 처리 (스텝 ST8) 또는 IPA 처리 (스텝 ST9) 는, 제 1 기판 액 처리 공정의 예이다. 또, 대향부 (5) 를 퇴피 위치 (L1) 에 배치한 상태에서 실행되는 불산 처리 (스텝 ST2), 린스 처리 (스텝 ST3), SC1 처리 (스텝 ST4) 또는 린스 처리 (스텝 ST5) 는, 제 2 기판 액 처리 공정의 예이다.The IPA process (step ST7), the water repellency process (step ST8), or the IPA process (step ST9) executed in the state where the opposing part 5 is disposed at the opposing position L2 is an example of the first substrate liquid processing step. . The hydrofluoric acid treatment (step ST2), rinse treatment (step ST3), SC1 treatment (step ST4), or rinse treatment (step ST5) performed in the state where the opposing portion 5 is disposed at the retracted position L1 are formed. 2 is an example of a substrate liquid treatment process.

시각 t3 에서 시각 t4 에 걸쳐서, 대향부 승강 공정 (105) 이 실시된다. 대향부 승강 공정 (105) 에서는, 대향부 (5) 의 하면 (513) 의 높이가 기판 (9) 의 주위를 둘러싸는 컵부 (4) 의 상단보다 높고, 또한 기판 액 처리 공정에 있어서 기판 (9) 의 상면 (91) 에 각 액을 공급하는 각 노즐 (73) 의 각 개구보다 낮게 되도록, 승강 기구 (62) 가 대향부 (5) 를 승강시킨다.From time t3 to time t4, the counter-part raising and lowering step 105 is performed. In the opposing part elevating step 105, the height of the lower surface 513 of the opposing part 5 is higher than the upper end of the cup part 4 surrounding the periphery of the substrate 9, and the substrate 9 in the substrate liquid treatment step. Lifting mechanism 62 raises and lowers opposing part 5 so that it may become lower than each opening of each nozzle 73 which supplies each liquid to the upper surface 91 of the upper surface 91 of FIG.

대향부 (5) 의 높이를 조정한 후, 시각 t4 에서 시각 t5 에 걸쳐서, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실시된다. 제 2 대향부 회전 공정 (106) 은, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 의 후에 실시되고, 액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도보다 고속 (예를 들어, 1500 rpm) 으로 대향부 (5) 를 회전시키는 공정이다. 이와 같이 고속으로 대향부 (5) 를 회전시킴으로써, 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 부착된 세정액이나 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 잔존할 수 있는 이물질을 원심력에 의해 주위로 비산시켜, 대향부 (5) 를 건조시킬 수 있다.After adjusting the height of the opposing part 5, the 2nd opposing part rotation process 106 is implemented from time t4 to time t5. The second counterpart rotation step 106 is performed after the cleaning liquid supply step 103 and the first counterpart rotation step 104 and is faster than the rotational speed of the substrate 9 in the liquid film formation step 102. It is a process of rotating the opposing part 5 by (for example, 1500 rpm). By rotating the opposing portion 5 at high speed in this manner, the cleaning liquid attached to the lower surface 513 of the opposing portion 5 and the foreign matter that may remain on the lower surface 513 of the opposing portion 5 are moved around by centrifugal force. The counterpart 5 can be dried by scattering.

또, 본 실시형태에서는, 대향부 승강 공정 (105) 에서 대향부 (5) 의 하면 (513) 의 높이를 조정한 상태에서, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실시된다. 제 2 대향부 회전 공정 (106) 에서는, 대향부 (5) 의 하면 (513) 의 높이가 컵부 (4) 의 상단보다 높은 위치에 있으므로, 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 원심력에 의해 측방으로 비산된 세정액이나 이물질이 컵부 (4) 의 내벽에 충돌하여 기판 (9) 의 상면 (91) 으로 튀어서 되돌아오는 것을 억제할 수 있다. 또, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 에서는, 대향부 (5) 의 하면 (513) 의 높이가 노즐 (73) 의 각 개구보다 낮은 위치에 있으므로, 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 원심력에 의해 측방으로 비산된 세정액이나 이물질이 각 노즐 (73) 의 각 개구 부근에 부착되는 것 (나아가서는, 각 노즐 (73) 의 사용시에 이 부착물이 기판 (9) 에 낙하하는 것) 것을 억제할 수 있다.In addition, in this embodiment, the 2nd opposing-part rotation process 106 is implemented in the state which adjusted the height of the lower surface 513 of the opposing-part 5 in the opposing-part raising / lowering process 105. In the 2nd opposing-part rotation process 106, since the height of the lower surface 513 of the opposing part 5 is in the position higher than the upper end of the cup part 4, by centrifugal force from the lower surface 513 of the opposing part 5 It is possible to prevent the cleaning liquid or foreign matter scattered laterally from colliding with the inner wall of the cup portion 4 and splashing back to the upper surface 91 of the substrate 9. Moreover, in the 2nd opposing-part rotation process 106, since the height of the lower surface 513 of the opposing part 5 is in the position lower than each opening of the nozzle 73, from the lower surface 513 of the opposing part 5 It is suppressed that the washing liquid and foreign matter scattered laterally by the centrifugal force adhere to each opening of each nozzle 73 (toward this, the deposit falls to the substrate 9 when each nozzle 73 is used). can do.

그리고, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 종료되는 시각 t5 에, 린스액 공급 공정 (101) 및 액막 형성 공정 (102) 도 종료되고, 대향부 (5) 를 세정하는 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 도 종료된다.And the rinse liquid supply process 101 and the liquid film formation process 102 are complete | finished at the time t5 which the 2nd opposing-part rotation process 106 complete | finished, and the counterpart washing process (step) which wash | cleans the opposing part 5 ST6) also ends.

또, 본 실시형태에서는, 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 이, 액 처리 중 기판 (9) 의 상면 (91) 을 발수화하는 발수화 처리 (스텝 ST8) 의 전에 실시된다. 따라서, 발수화 처리 후에 기판 (9) 의 상면 (91) 에 잔류한 발수화제와 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 낙하한 세정액이 반응하는 (예를 들어, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 잔류한 발수화제와 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 낙하한 순수가 중합 반응하여 발수제가 고분자화되는) 것을 방지할 수 있어, 기판 (9) 의 상면 (91) 에서 이물질이 발생할 리스크를 저감시킬 수 있다.In addition, in this embodiment, the counter part washing process (step ST6) is performed before the water repellency process (step ST8) which water-repells the upper surface 91 of the board | substrate 9 during a liquid process. Therefore, the water repellent remaining on the upper surface 91 of the substrate 9 after the water repellent treatment and the cleaning liquid dropped from the lower surface 513 of the opposing portion 5 react (for example, the upper surface of the substrate 9 ( The water repellent remaining in the 91 and the pure water falling from the lower surface 513 of the opposing portion 5 can be prevented from polymerizing and polymerizing the water repellent, so that foreign matters are removed from the upper surface 91 of the substrate 9. It can reduce the risk of occurrence.

또, 본 실시형태에서는, 액 처리에는 유기 용제를 사용한 처리 (스텝 ST7, ST9) 가 포함되며, 대향부 (5) 는 내유기 용제성의 재질이다. 대향부 (5) 가 내유기 용제성의 재질이므로, 기판 (9) 에 대하여 유기 용제를 사용한 액 처리가 실시되었다고 하더라도, 대향부 (5) 가 잘 소모되지 않는다. 이와 같은 재질을 채용하면 대향부 (5) 의 표면이 소수성으로 되어 대향부 (5) 의 하면 (513) 에 공급된 세정액이 하방으로 튀기 쉬워지지만, 린스액 공급 공정 (101) 에서 기판 (9) 의 상면 (91) 에는 액막이 형성되므로 기판 (9) 이 오염될 리스크를 저감시킬 수 있다.Moreover, in this embodiment, the liquid process contains the process (step ST7, ST9) which used the organic solvent, and the opposing part 5 is an organic-solvent-resistant material. Since the opposing part 5 is an organic solvent-resistant material, even if the liquid process using the organic solvent was performed with respect to the board | substrate 9, the opposing part 5 does not consume well. If such a material is adopted, the surface of the opposing part 5 becomes hydrophobic, and the cleaning liquid supplied to the lower surface 513 of the opposing part 5 is easy to splash downward, but the substrate 9 is not used in the rinse liquid supplying step 101. Since a liquid film is formed on the upper surface 91 of, the risk of contamination of the substrate 9 can be reduced.

도 8 은 비교예에 있어서, 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 후의 기판 (9) 의 상면 (91) 의 오염을 나타내는 평면도이다. 도 9 는 제 1 실시형태에 있어서, 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 후의 기판 (9) 의 상면 (91) 의 오염을 나타내는 평면도이다. 또한, 도 8 및 도 9 에서는, 상면 (91) 에 부착되는 파티클 등의 이물질을 다수의 흑색 동그라미 표시로 나타내고 있다.FIG. 8: is a top view which shows the contamination of the upper surface 91 of the board | substrate 9 after a counter part washing process (step ST6) in a comparative example. FIG. 9: is a top view which shows the contamination of the upper surface 91 of the board | substrate 9 after a counter part washing process (step ST6) in 1st Embodiment. In addition, in FIG.8 and FIG.9, the foreign material, such as a particle adhering to the upper surface 91, is shown by the many black circle display.

이 비교예는, 액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가 기판 액 처리 공정에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도와 동일한 정도 (예를 들어, 1000 rpm) 인 점을 제외하고는, 본 실시형태와 동일하다. 도 8 및 도 9 를 비교하여 알 수 있는 바와 같이, 비교예에서는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 이물질이 많이 잔존하고 있으며, 또한 이들 이물질이 기판 (9) 의 외주측에 집중되어 있다. 이에 대하여, 본 실시형태에서는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 이물질이 그다지 잔존하고 있지 않으며, 또한 이들 이물질이 기판 (9) 의 상면 (91) 의 전체면에서 분산되어 있다. 따라서, 비교예에 비해 본 실시형태에서는 수율의 향상을 기대할 수 있다. 이와 같이 이물질의 부착 양태에 차이가 발생한 것은, 본 실시형태에서는 액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도가 저속이라서, 회전의 원심력이 작아짐으로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 상대적으로 두꺼운 액막이 형성된 것에서 기인하는 것으로 생각된다.This comparative example shows that the rotational speed of the substrate 9 in the liquid film forming step 102 is about the same as the rotational speed of the substrate 9 in the substrate liquid processing step (for example, 1000 rpm). Except for this, it is the same as this embodiment. As can be seen by comparing FIG. 8 and FIG. 9, in the comparative example, many foreign matters remain on the upper surface 91 of the substrate 9, and these foreign matters are concentrated on the outer circumferential side of the substrate 9. . On the other hand, in this embodiment, the foreign material does not remain in the upper surface 91 of the board | substrate 9 so much, and these foreign matters are disperse | distributed in the whole surface of the upper surface 91 of the board | substrate 9. Therefore, compared with a comparative example, in this embodiment, the improvement of a yield can be expected. In this embodiment, the difference in the adhesion mode of the foreign matter is that the rotation speed of the substrate 9 in the liquid film forming step 102 is low, so that the centrifugal force of rotation becomes small, so that the upper surface ( 91 is considered to be due to the formation of a relatively thick liquid film.

＜2 제 2 실시형태＞<2nd second embodiment>

제 2 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 이미 설명한 요소와 동일한 기능을 갖는 요소에 대해서는, 동일 부호 또는 알파벳 문자를 추가한 부호를 부여하여, 상세한 설명을 생략하는 경우가 있다.2nd Embodiment is described. In addition, in the following description, about the element which has the same function as the element already demonstrated, the code | symbol which added the same code | symbol or an alphabetic character may be abbreviate | omitted, and detailed description may be abbreviate | omitted.

제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 에서는, 본체 회전부 (615) 에 의해, 대향부 (5) 가 능동적으로 회전하는 구성으로 되어 있다. 이에 대하여, 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (1a) 에서는, 대향부 (5a) 는 수동적으로 회전하는 구성으로 되어 있다. 이하, 기판 처리 장치 (1a) 에 대해 설명한다.In the substrate processing apparatus 1 of 1st Embodiment, it is the structure by which the main body rotation part 615 rotates the opposing part 5 actively. On the other hand, in the substrate processing apparatus 1a of 2nd Embodiment, the opposing part 5a is made to rotate manually. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1a is demonstrated.

도 10 및 도 11 은 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (1a) 를 나타내는 개략 측면도이다. 또한, 도 10 은 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1) 에 있는 상태를 나타내고 있고, 도 11 은 대향부 (5a) 가 대향 위치 (L2) 에 있는 상태를 나타내고 있다.10 and 11 are schematic side views illustrating the substrate processing apparatus 1a of the second embodiment. 10 has shown the state in which the opposing part 5a is in the retracted position L1, and FIG. 11 has shown the state in which the opposing part 5a is in the opposing position L2.

기판 처리 장치 (1a) 는, 스핀 척 (31) 에 유지된 기판 (9) 의 상면에 처리액을 공급하기 위한 노즐 (71) 을 구비한다. 노즐 (71) 의 구성에 대해서는, 후술한다.The substrate processing apparatus 1a includes a nozzle 71 for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate 9 held by the spin chuck 31. The structure of the nozzle 71 is mentioned later.

스핀 베이스 (32) 의 유지면 (32a) 의 둘레 가장자리부에는, 복수의 걸어맞춤부 (36) 가 세워져 형성되어 있다. 복수의 걸어맞춤부 (36) 는, 복수의 척 핀 (35) 과 동일하게, 원형의 기판 (9) 의 외주원에 대응하는 원주 상을 따라 균등한 간격을 두고 (예를 들어, 4 개의 걸어맞춤부 (36) 이면 90°간격으로) 배치되어 있다. 또, 복수의 걸어맞춤부 (36) 는, 복수의 척 핀 (35) 보다 직경 방향 외방에 배치된다. 복수의 걸어맞춤부 (36) 의 기능에 대해서는, 후술한다.A plurality of engaging portions 36 are erected on the circumferential edge portion of the holding surface 32a of the spin base 32. The plurality of engaging portions 36 are equally spaced along the circumferential image corresponding to the outer circumferential circle of the circular substrate 9, similarly to the plurality of chuck pins 35 (eg, four hooks The back of the fitting portion 36 is disposed at 90 ° intervals. Moreover, the some engaging part 36 is arrange | positioned radially outward rather than the some chuck pin 35. The function of the some engaging part 36 is mentioned later.

대향부 (5a) 는, 본체부 (51a) 와, 피유지부 (52) 와, 걸어맞춤부 (53) 를 구비한다. 본체부 (51a) 는, 본체부 (51) 와 천개부 (511a) 와 측벽부 (512) 를 구비한다. 천개부 (511a) 의 중앙부에는, 개구 (54) 가 형성된다. 측벽부 (512) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상의 부재이며, 천개부 (511a) 의 외주부로부터 하방으로 펼쳐진다.The opposing part 5a is equipped with the main-body part 51a, the to-be-held part 52, and the engaging part 53. As shown in FIG. The main body portion 51a includes a main body portion 51, a canopy portion 511a, and a side wall portion 512. The opening 54 is formed in the center part of the canopy part 511a. The side wall part 512 is a substantially cylindrical member centering on the central axis J1, and is unfolded downward from the outer peripheral part of the canopy part 511a.

복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 천개부 (511) 의 하면 (513) 의 외주부에 둘레 방향으로 배치된다. 복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 측벽부 (512) 의 직경 방향 내측에 배치된다.The plurality of engaging portions 53 are arranged in the circumferential direction on the outer circumferential portion of the lower surface 513 of the canopy portion 511 at approximately equiangular intervals about the central axis J1. The plurality of engaging portions 53 are disposed in the radially inner side of the side wall portion 512.

피유지부 (52) 는, 본체부 (51) 의 상면에 접속된다. 피유지부 (52) 는, 통상부 (521) 와, 플랜지부 (522) 를 구비한다. 통상부 (521) 는, 본체부 (51) 의 개구 (54) 의 주위로부터 상방으로 돌출되는 대략 통상의 부위이다. 통상부 (521) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 플랜지부 (522) 는, 통상부 (521) 의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 환상으로 펼쳐진다. 플랜지부 (522) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이다.The held portion 52 is connected to the upper surface of the main body portion 51. The held portion 52 includes a normal portion 521 and a flange portion 522. The normal part 521 is a substantially normal site | part which protrudes upwards from the circumference | surroundings of the opening 54 of the main-body part 51. FIG. The normal part 521 is substantially cylindrical shape centering on the central axis J1, for example. The flange portion 522 extends annularly outward from the upper end of the normal portion 521 in the radial direction. The flange part 522 is substantially annular plate shape centering on the center axis J1, for example.

대향부 이동 기구 (6) 의 유지 회전 기구 (61a) 는, 피유지부 (52) 를 유지한다. 유지 회전 기구 (61a) 는, 유지부 본체 (611a) 와, 아암 (612) 과, 플랜지 지지부 (613) 와, 지지부 접속부 (614) 를 구비한다.The holding rotating mechanism 61a of the opposing-part moving mechanism 6 holds the held portion 52. The holding | maintenance rotating mechanism 61a is equipped with the holding part main body 611a, the arm 612, the flange support part 613, and the support part connection part 614. As shown in FIG.

유지부 본체 (611a) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원판상이다. 유지부 본체 (611) 는, 대향부 (5) 의 플랜지부 (522) 의 상방을 덮는다. 아암 (612) 의 일방의 단부는 유지부 본체 (611a) 에 접속되고, 타방의 단부는 승강 기구 (62) 에 접속된다.The holding | maintenance part main body 611a is substantially disk shape centering on the central axis J1, for example. The holding part main body 611 covers the upper part of the flange part 522 of the opposing part 5. One end of the arm 612 is connected to the holding part main body 611a, and the other end is connected to the lifting mechanism 62.

유지부 본체 (611a) 의 중앙부로부터는 노즐 (71) 이 하방으로 돌출된다. 노즐 (71) 은, 통상부 (521) 에 비접촉 상태로 삽입되어 있다.The nozzle 71 protrudes downward from the center part of the holding | maintenance part main body 611a. The nozzle 71 is inserted into the normal part 521 in a non-contact state.

플랜지 지지부 (613) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이다. 플랜지 지지부 (613) 는, 플랜지부 (522) 의 하방에 위치한다. 플랜지 지지부 (613) 의 내경은, 대향부 (5) 의 플랜지부 (522) 의 외경보다 작다. 플랜지 지지부 (613) 의 외경은, 대향부 (5) 의 플랜지부 (522) 의 외경보다 크다. 지지부 접속부 (614) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 지지부 접속부 (614) 는, 플랜지 지지부 (613) 와 유지부 본체 (611a) 를 플랜지부 (522) 의 주위에서 접속시킨다. 유지 회전 기구 (61a) 에서는, 유지부 본체 (611a) 는 플랜지부 (522) 의 상면과 상하 방향으로 대향하는 유지부 상부이고, 플랜지 지지부 (613) 는 플랜지부 (522) 의 하면과 상하 방향으로 대향하는 유지부 하부이다.The flange support part 613 is a substantially annular plate shape centering on the central axis J1, for example. The flange supporter 613 is located below the flange 522. The inner diameter of the flange support part 613 is smaller than the outer diameter of the flange part 522 of the opposing part 5. The outer diameter of the flange support part 613 is larger than the outer diameter of the flange part 522 of the opposing part 5. The support part connection part 614 is substantially cylindrical shape centering on the central axis J1, for example. The support part connection part 614 connects the flange support part 613 and the holding part main body 611a around the flange part 522. In the holding rotation mechanism 61a, the holding part main body 611a is a holding part upper part which opposes the upper surface of the flange part 522 in the up-down direction, and the flange supporting part 613 is in the up-down direction with the lower surface of the flange part 522. Opposite holding part lower part.

도 10 에 나타내는 위치에 대향부 (5a) 가 위치하는 상태에서는, 플랜지 지지부 (613) 는, 대향부 (5a) 의 플랜지부 (522) 의 외주부에 하측으로부터 접하여, 플랜지부 (522) 를 지지한다. 바꿔 말하면, 대향부 (5a) 의 플랜지부 (522) 가 대향부 이동 기구 (6) 의 유지 회전 기구 (61a) 에 의해 유지된다. 도 10 에 나타내는 상태에서는, 이로써, 대향부 (5a) 가, 기판 (9) 및 스핀 척 (31) 의 상방에서, 유지 회전 기구 (61a) 에 의해 매달아진다. 이하의 설명에서는, 도 10 에 나타내는 대향부 (5a) 의 상하 방향의 위치를「퇴피 위치 (L1a)」라고 한다. 퇴피 위치 (L1a) 란, 대향부 (5a) 가 대향부 이동 기구 (6) 에 의해 유지되어 스핀 척 (31) 으로부터 상방으로 이간된 위치이다.In the state where the opposing part 5a is located in the position shown in FIG. 10, the flange support part 613 contacts the outer peripheral part of the flange part 522 of the opposing part 5a from the lower side, and supports the flange part 522. . In other words, the flange portion 522 of the opposing portion 5a is held by the holding and rotating mechanism 61a of the opposing portion moving mechanism 6. In the state shown in FIG. 10, the opposing part 5a is suspended by the holding rotation mechanism 61a above the board | substrate 9 and the spin chuck 31 by this. In the following description, the position of the opposing part 5a shown in FIG. 10 in the up-down direction is called "retraction position L1a." The retreat position L1a is a position where the opposing portion 5a is held by the opposing portion moving mechanism 6 and spaced apart upward from the spin chuck 31.

플랜지 지지부 (613) 에는, 대향부 (5a) 의 위치 어긋남 (즉, 대향부 (5a) 의 이동 및 회전) 을 제한하는 이동 제한부 (616) 가 형성된다. 도 10 에 나타내는 예에서는, 이동 제한부 (616) 는, 플랜지 지지부 (613) 의 상면으로부터 상방으로 돌출되는 돌기부이다. 이동 제한부 (616) 가, 플랜지부 (522) 에 형성된 구멍부에 삽입됨으로써, 대향부 (5a) 의 위치 어긋남이 억제된다.In the flange support part 613, the movement limit part 616 which limits the position shift of the opposing part 5a (namely, the movement and rotation of the opposing part 5a) is formed. In the example shown in FIG. 10, the movement limiting part 616 is a protrusion projecting upward from the upper surface of the flange support part 613. By shifting the movement limiting part 616 into the hole formed in the flange part 522, the position shift of the opposing part 5a is suppressed.

승강 기구 (62) 는, 대향부 (5a) 를 유지 회전 기구 (61a) 와 함께 상하 방향으로 이동시킨다. 도 11 은 대향부 (5a) 가 도 10 에 나타내는 퇴피 위치 (L1a) 로부터 하강한 상태를 나타내는 단면도이다. 이하의 설명에서는, 도 11 에 나타내는 대향부 (5a) 의 상하 방향의 위치를「대향 위치 (L2a)」라고 한다. 즉, 승강 기구 (62) 는, 대향부 (5a) 를 퇴피 위치 (L1a) 와 대향 위치 (L2a) 사이에서 스핀 척 (31) 에 대하여 상대적으로 상하 방향으로 이동시킨다. 대향 위치 (L2a) 는, 퇴피 위치 (L1a) 보다 하방의 위치이다. 바꿔 말하면, 대향 위치 (L2a) 란, 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 보다 상하 방향에 있어서 스핀 척 (31) 에 근접하는 위치이다.The lifting mechanism 62 moves the opposing part 5a in the up-down direction together with the holding rotation mechanism 61a. FIG. 11: is sectional drawing which shows the state which the opposing part 5a descended from the retraction position L1a shown in FIG. In the following description, the position of the opposing part 5a shown in FIG. 11 in the up-down direction is called "a counterpart L2a." That is, the lifting mechanism 62 moves the opposing portion 5a in the up and down direction relative to the spin chuck 31 between the retracted position L1a and the opposing position L2a. The opposite position L2a is a position lower than the retracted position L1a. In other words, the opposing position L2a is a position where the opposing portion 5a is closer to the spin chuck 31 in the up-down direction than the retracting position L1a.

대향부 (5a) 가 대향 위치 (L2a) 에 위치하는 상태에서는, 대향부 (5a) 의 복수의 걸어맞춤부 (53) 가 각각, 스핀 척 (31) 의 복수의 걸어맞춤부 (36) 와 걸어 맞춰진다. 복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 복수의 걸어맞춤부 (36) 에 의해 하방으로부터 지지된다. 바꿔 말하면, 복수의 걸어맞춤부 (36) 는 대향부 (5a) 를 지지하는 대향 부재 지지부이다. 예를 들어, 걸어맞춤부 (36) 는, 상하 방향으로 대략 평행한 핀이며, 걸어맞춤부 (36) 의 상단부가, 걸어맞춤부 (53) 의 하단부에 위를 향하여 형성된 오목부에 끼워 맞춰진다. 또, 대향부 (5a) 의 플랜지부 (522) 는, 유지 회전 기구 (61) 의 플랜지 지지부 (613) 로부터 상방으로 이간된다. 이로써, 대향부 (5a) 는, 대향 위치 (L2a) 에서, 스핀 척 (31) 에 의해 유지되어 대향부 이동 기구 (6) 로부터 이간된다.In a state where the opposing portion 5a is located at the opposing position L2a, the plurality of engaging portions 53 of the opposing portions 5a engage with the plurality of engaging portions 36 of the spin chuck 31, respectively. Fit. The plurality of engaging portions 53 are supported from below by the plurality of engaging portions 36. In other words, the plurality of engaging portions 36 are opposing-member support portions that support the opposing portions 5a. For example, the engaging portion 36 is a pin that is substantially parallel in the vertical direction, and the upper end portion of the engaging portion 36 is fitted to the concave portion formed upward on the lower end portion of the engaging portion 53. . Moreover, the flange part 522 of the opposing part 5a is spaced apart upwards from the flange support part 613 of the holding | maintenance rotation mechanism 61. As shown in FIG. Thereby, the opposing part 5a is hold | maintained by the spin chuck 31 in the opposing position L2a, and is spaced apart from the opposing part movement mechanism 6.

대향부 (5a) 가 스핀 척 (31) 에 의해 유지된 상태에서는, 대향부 (5a) 의 측벽부 (512) 의 하단이 스핀 척 (31) 의 스핀 베이스 (32) 의 상면보다 하방, 또는 스핀 베이스 (32) 의 상면과 상하 방향에 관하여 동일한 위치에 위치한다. 대향부 (5a) 가 대향 위치 (L2a) 에 위치하는 상태에서 스핀 모터 (33) 가 구동되면 대향부 (5a) 는, 기판 (9) 및 스핀 척 (31) 과 함께 회전한다. 이와 같이, 대향부 (5a) 가 대향 위치 (L2a) 에 위치하는 상태에서는, 스핀 모터 (33) 의 회전 구동력에 의해, 기판 (9) 및 대향부 (5a) 가 일체적으로 중심축 (J1) 둘레로 회전된다. 한편, 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 에 위치하는 상태에서는, 스핀 모터 (33) 의 회전 구동력에 의해 기판 (9) 이 중심축 (J1) 둘레로 회전 가능해지고, 대향부 (5a) 는 회전 불능이다.In the state where the opposing portion 5a is held by the spin chuck 31, the lower end of the side wall portion 512 of the opposing portion 5a is lower than the upper surface of the spin base 32 of the spin chuck 31 or spins. It is located in the same position with respect to the upper surface and the up-down direction of the base 32. When the spin motor 33 is driven in the state where the opposing part 5a is located at the opposing position L2a, the opposing part 5a rotates together with the substrate 9 and the spin chuck 31. In this way, in the state where the opposing part 5a is located at the opposing position L2a, the substrate 9 and the opposing part 5a are integrally formed by the rotational driving force of the spin motor 33. Rotated around. On the other hand, in the state where the opposing part 5a is located in the retracted position L1a, the substrate 9 can be rotated around the central axis J1 by the rotational driving force of the spin motor 33, and the opposing part 5a Is impossible to rotate.

도 12 는 제 2 실시형태의 노즐 (71a) 을 아래에서 본 하면도이다. 노즐 (71a) 의 하면에는, 도시가 생략된 복수의 처리액 공급원으로부터 공급된 각 처리액을 토출 가능한 구성으로서, 복수의 개구 (711 ∼ 715) 가 형성되어 있다. 여기서는, 개구 (711) 로부터 불산을 토출 가능하고, 개구 (712) 로부터 순수를 토출 가능하고, 개구 (713) 로부터 SC1 (과산화수소수 및 암모니아를 혼합한 처리액) 을 토출 가능하고, 개구 (714) 로부터 IPA (isopropyl alcohol : 이소프로필알코올) 를 토출 가능하고, 개구 (715) 로부터 발수화제 (예를 들어, 실릴화제) 를 토출 가능한 경우에 대해 설명한다. 또한, 이것들은 일례이며, 다른 처리액이 기판 (9) 의 상면 (91) 에 토출 가능하게 구성되어도 된다. 또, 도시가 생략된 가스 공급원으로부터 공급된 가스 (예를 들어 질소 가스) 를 토출 가능한 개구가 형성되어도 된다.12 is a bottom view of the nozzle 71a of the second embodiment as seen from below. In the lower surface of the nozzle 71a, a plurality of openings 711 to 715 are formed as a structure capable of discharging each processing liquid supplied from a plurality of processing liquid supply sources (not shown). Here, hydrofluoric acid can be discharged from the opening 711, pure water can be discharged from the opening 712, and SC1 (a treatment liquid mixed with hydrogen peroxide solution and ammonia) can be discharged from the opening 713, and the opening 714 can be discharged. The case where IPA (isopropyl alcohol: isopropyl alcohol) can be discharged from this, and a water repellent (for example, a silylating agent) can be discharged from the opening 715 is demonstrated. In addition, these are examples, and the other process liquid may be comprised so that ejection may be carried out to the upper surface 91 of the board | substrate 9. As shown in FIG. Moreover, the opening which can discharge the gas (for example, nitrogen gas) supplied from the gas supply source of omission of illustration may be formed.

도 13 은 제 2 실시형태의 노즐 (71a) 의 근방을 나타내는 개략 단면도이다. 도 13 에 나타내는 바와 같이, 노즐 (71a) 은, 도시가 생략된 공급원으로부터 공급된 세정액을 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 공급한다. 상세하게는, 노즐 (71a) 은, 비스듬히 상방을 향하여 개구되는 개구 (716) 를 갖는다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 대향부 (5a) 가 대향 위치 (L2a) 에 있는 상태에서는, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 노즐 (71a) 의 개구 (716) 가 본체부 (51) 에 있어서의 천개부 (511a) 의 하면 (513) 을 향한다.13 is a schematic cross-sectional view showing the vicinity of the nozzle 71a of the second embodiment. As shown in FIG. 13, the nozzle 71a supplies the washing | cleaning liquid supplied from the supply source of omission of illustration to the lower surface 513 of the opposing part 5a. In detail, the nozzle 71a has the opening 716 opened diagonally upward. As shown in FIG. 11, in the state in which the opposing part 5a is in the opposing position L2a, as shown in FIG. 13, the opening 716 of the nozzle 71a is the opening part in the main-body part 51. As shown in FIG. The lower surface of 511a faces 513.

＜기판 처리 장치 (1a) 의 동작예＞<Operation Example of Substrate Processing Apparatus 1a>

이하, 기판 처리 장치 (1a) 에 있어서의 처리예에 대해, 도 6 을 참조하면서 설명한다. 이하의 처리예에서는, 기판 (9) 의 액 처리에 사용하는 각 처리액을 노즐 (71a) 로부터 공급하는 양태에 대해 설명하지만, 그 일부를 노즐 (73) 로부터 공급하는 양태여도 상관없다.Hereinafter, the process example in the substrate processing apparatus 1a is demonstrated, referring FIG. Although the following process example demonstrates the aspect which supplies each process liquid used for the liquid process of the board | substrate 9 from the nozzle 71a, the aspect which supplies a part from the nozzle 73 may be sufficient.

먼저, 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 에 있는 상태에서, 기판 (9) 이 외부의 반송 로봇에 의해 챔버 (11) 내에 반입되어 스핀 베이스 (32) 의 척 핀 (35) 상에 재치된다. 그 결과, 그 기판 (9) 이 척 핀 (35) 에 의해 하측으로부터 지지된다 (스텝 ST1).First, in the state where the opposing part 5a is in the retracted position L1a, the substrate 9 is loaded into the chamber 11 by an external transfer robot and placed on the chuck pin 35 of the spin base 32. do. As a result, the board | substrate 9 is supported by the chuck pin 35 from under (step ST1).

기판 (9) 이 반입되면, 승강 기구 (62) 는 대향부 (5a) 를 퇴피 위치 (L1a) 에서 대향 위치 (L2a) 까지 하강시킨다. 이로써, 스핀 베이스 (32) 의 유지면 (32a), 천개부 (511a) 의 하면 (513), 및 측벽부 (512) 의 내주면에 의해 둘러싸인 공간이 형성된다. 계속해서, 스핀 모터 (33) 에 의해 기판 (9) 의 회전이 개시된다.When the board | substrate 9 is carried in, the lifting mechanism 62 lowers the opposing part 5a from the retracted position L1a to the opposing position L2a. Thereby, the space enclosed by the holding surface 32a of the spin base 32, the lower surface 513 of the canopy part 511a, and the inner peripheral surface of the side wall part 512 is formed. Subsequently, rotation of the substrate 9 is started by the spin motor 33.

이 상태에서, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대하여 각종 처리액을 사용한 액 처리가 실행된다. 먼저, 노즐 (71a) 의 개구 (711) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 불산을 공급하는 불산 처리가 실행된다 (스텝 ST2). 불산 처리에서는, 노즐 (71a) 의 하면에 형성된 개구 (711) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 불산을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 불산은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 불산 처리가 진행된다. 이 기간은 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 ∼ 1000 rpm 이다.In this state, liquid processing using various processing liquids is performed on the upper surface 91 of the substrate 9. First, the hydrofluoric acid treatment which supplies hydrofluoric acid to the upper surface 91 of the board | substrate 9 from the opening 711 of the nozzle 71a is performed (step ST2). In the hydrofluoric acid treatment, hydrofluoric acid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 which is rotated from the opening 711 formed in the lower surface of the nozzle 71a. The hydrofluoric acid that has been deposited on the upper surface 91 diffuses to the outer circumferential portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and the hydrofluoric acid treatment proceeds on the entire upper surface 91. This period is for example 30 seconds. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 800-1000 rpm, for example.

개구 (711) 로부터의 불산의 토출이 정지된 후, 개구 (712) 로부터의 린스액의 토출이 개시된다 (스텝 ST3). 린스 처리시에는, 노즐 (71a) 의 하면에 형성된 개구 (712) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 린스액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 상에 잔존하고 있던 불산과 함께 기판 (9) 의 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 불산 및 린스액은, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 의 세정도 실질적으로 실시된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.After the discharge of hydrofluoric acid from the opening 711 is stopped, the discharge of the rinse liquid from the opening 712 is started (step ST3). At the time of a rinse process, the rinse liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the board | substrate 9 rotated from the opening 712 formed in the lower surface of the nozzle 71a. The rinse liquid which landed on the upper surface 91 diffuses to the outer peripheral portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and from the outer peripheral edge of the substrate 9 together with the hydrofluoric acid remaining on the upper surface 91. It is scattered radially outward. The hydrofluoric acid and rinse liquid scattered from the substrate 9 are received at the inner wall of the first guard 41 and discarded through the discharge port 44. Thereby, with the rinse process of the upper surface 91 of the board | substrate 9, the 1st guard 41 is also wash | cleaned substantially. This period is 30 seconds, for example. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period becomes 1200 rpm, for example.

개구 (712) 로부터 린스액의 토출이 정지된 후, 개구 (713) 로부터 SC1 액의 토출이 개시된다 (스텝 ST4). SC1 처리시에는, 노즐 (71a) 의 하면에 형성된 개구 (713) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 SC1 액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 SC1 액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 SC1 처리가 진행된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 rpm 이다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 SC1 액은 제 2 가드 (42) 의 내벽에 받아져, 배출 포트 (44) 로부터 폐기된다.After the discharge of the rinse liquid is stopped from the opening 712, the discharge of the SC1 liquid is started from the opening 713 (step ST4). At the time of SC1 processing, the SC1 liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 that is rotated from the opening 713 formed in the lower surface of the nozzle 71a. SC1 liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and SC1 process progresses in the whole upper surface 91. This period is 30 seconds, for example. In addition, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 800 rpm, for example. The SC1 liquid scattered from the substrate 9 is received by the inner wall of the second guard 42 and discarded from the discharge port 44.

개구 (713) 로부터의 SC1 액의 토출이 정지된 후, 개구 (712) 로부터의 린스액의 토출이 개시된다 (스텝 ST5). 린스 처리시에는 노즐 (71a) 의 하면에 형성된 개구 (712) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 린스액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 상에 잔존하고 있던 SC1 액과 함께 기판 (9) 의 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 SC1 액 및 린스액은, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 의 세정도 실질적으로 실시된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.After the discharge of the SC1 liquid from the opening 713 is stopped, the discharge of the rinse liquid from the opening 712 is started (step ST5). In the rinsing process, the rinse liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 which is rotated from the opening 712 formed in the lower surface of the nozzle 71a. The rinse liquid which landed on the upper surface 91 diffuses to the outer peripheral portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and the outer peripheral edge of the substrate 9 with the SC1 liquid remaining on the upper surface 91. From the radial direction outward. The SC1 liquid and the rinse liquid scattered from the substrate 9 are received at the inner wall of the first guard 41 and discarded through the discharge port 44. Thereby, with the rinse process of the upper surface 91 of the board | substrate 9, the 1st guard 41 is also wash | cleaned substantially. This period is 30 seconds, for example. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period becomes 1200 rpm, for example.

대향부 (5a) 의 하면 (513) 은, 기판 (9) 보다 크게 넓어져 있다. 이 때문에, 기판 (9) 의 전체면을 하면 (513) 으로 일괄로 덮은 상태에서, 기판 (9) 을 액 처리 또는 건조 처리할 수 있다. 이로써, 기판 (9) 의 전체면을 균일하게 처리할 수 있다.The lower surface 513 of the opposing portion 5a is wider than the substrate 9. For this reason, in the state which covered the whole surface of the board | substrate 9 collectively by the lower surface 513, the board | substrate 9 can be liquid-processed or dry-processed. Thereby, the whole surface of the board | substrate 9 can be processed uniformly.

그 후, 노즐 (71a) 의 개구 (716) 로부터 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 세정액을 공급함으로써, 그 하면 (513) 을 세정하는 대향부 세정 처리를 실시한다 (스텝 ST6). 또한, 대향부 세정 처리에 대해서는, 후술하는 ＜대향부 세정 공정의 처리예＞ 에서 상세하게 설명한다.Thereafter, the cleaning liquid is supplied from the opening 716 of the nozzle 71a to the lower surface 513 of the opposing portion 5a, thereby performing an opposing portion washing process for cleaning the lower surface 513 (step ST6). In addition, the counter part washing process is demonstrated in detail in <the processing example of a counter part washing process> mentioned later.

대향부 세정 처리를 종료하면, 노즐 (71a) 의 개구 (714) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 IPA 를 공급하는 IPA 처리가 실행된다 (스텝 ST7). IPA 처리시에는, 제 2 가드 (42) 가 기판 (9) 으로부터 비산되는 IPA 를 받아낼 수 있는 높이에 위치하고 있다. IPA 처리에서는, 노즐 (71a) 의 하면에 형성된 개구 (714) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 IPA 를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 IPA 는, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 순수가 IPA 로 치환되는 IPA 처리가 진행된다. 또, IPA 치환을 촉진시킬 목적으로 기판 (9) 에 대하여 도시가 생략된 가열 기구로 가열 처리를 실시해도 된다. 이 기간은 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 300 rpm 이다. 또, IPA 의 토출 유량은, 예를 들어 300 ㎖/m 이다.When the opposite part cleaning process is complete | finished, IPA process which supplies IPA to the upper surface 91 of the board | substrate 9 from the opening 714 of the nozzle 71a is performed (step ST7). In the IPA process, the 2nd guard 42 is located in the height which can receive the IPA scattered from the board | substrate 9, and is. In the IPA process, IPA is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 that is rotated from the opening 714 formed in the lower surface of the nozzle 71a. The IPA liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and the IPA process which pure water replaces IPA in the whole upper surface 91 advances. Moreover, you may heat-process to the board | substrate 9 with the heating mechanism not shown in the figure for the purpose of promoting IPA substitution. This period is for example 30 seconds. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 300 rpm, for example. Moreover, the discharge flow volume of IPA is 300 ml / m, for example.

개구 (714) 로부터 IPA 의 토출이 정지된 후, 개구 (715) 로부터 발수화제의 토출이 개시된다 (스텝 ST8). 발수화 처리시에는, 노즐 (71a) 의 하면에 형성된 개구 (715) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 발수화제를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 발수화액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 발수성으로 표면 개질하는 발수화 처리가 진행된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5a) 의 회전 속도는, 예를 들어 500 rpm 이다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 발수화제는 제 2 가드 (42) 의 내벽에 받아져, 배출 포트 (44) 로부터 폐기된다. 또, 발수화제의 토출 유량은, 예를 들어 300 ㎖/m 이다.After the discharge of IPA is stopped from the opening 714, the discharge of the water repellent agent is started from the opening 715 (step ST8). In the water repelling treatment, the water repellent is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 which is rotated from the opening 715 formed in the lower surface of the nozzle 71a. The water-repellent liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and the water-repellent process which surface-modifies water-repellently on the whole upper surface 91 advances. This period is 30 seconds, for example. In addition, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5a in this period is 500 rpm, for example. The water repellent agent scattered from the substrate 9 is received by the inner wall of the second guard 42 and discarded from the discharge port 44. Moreover, the discharge flow volume of a water repellent is 300 ml / m, for example.

개구 (715) 로부터 발수화제의 토출이 정지된 후, 상기와 동일한 처리 조건으로 IPA 처리가 실시된다 (스텝 ST9). 각종 액 처리가 종료되면, 다음으로, 스핀 드라이 처리가 실행된다 (스텝 ST10). 스핀 드라이 처리시에는, 각종 액 처리시보다 빠르게 기판 (9) 및 대향부 (5a) 가 회전된다. 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5a) 의 회전 속도는, 예를 들어 1500 rpm 이다. 이로써, 기판 (9) 및 대향부 (5) 에 부착된 각종 액체는, 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산되고, 제 2 가드 (42) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다.After the discharge of the water repellent agent from the opening 715 is stopped, the IPA process is performed under the same processing conditions as described above (step ST9). After the various liquid processes are completed, the spin dry process is performed next (step ST10). In the spin dry process, the substrate 9 and the opposing part 5a are rotated faster than in the case of various liquid processes. The rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5a in this period is 1500 rpm, for example. Thereby, the various liquids adhering to the board | substrate 9 and the opposing part 5 are scattered radially outward from the outer peripheral edge, are received by the inner wall of the 2nd guard 42, and are discarded through the discharge port 44. FIG. .

스핀 드라이 처리가 종료되면, 승강 기구 (62) 에 의해 대향부 (5a) 가 상승되어 도 10 에 나타내는 상태가 되고, 기판 (9) 이 외부의 반송 로봇에 의해 스핀 척 (31) 으로부터 반출된다 (스텝 ST11).When the spin dry process is completed, the opposing part 5a is raised by the elevating mechanism 62 to be in the state shown in FIG. 10, and the substrate 9 is carried out from the spin chuck 31 by an external carrier robot ( Step ST11).

이로써, 기판 처리 장치 (1a) 에 의한 각 처리가 종료된다. 여기서, 제 2 실시형태의 대향부 세정 공정 (여기서는, 스텝 ST6) 의 상세한 내용에 대해 설명한다.Thereby, each process by the substrate processing apparatus 1a is complete | finished. Here, the detail of the opposing part washing process (step ST6 here) of 2nd Embodiment is demonstrated.

＜대향부 세정 공정의 처리예＞<Processing example of the counterpart cleaning process>

도 14 는 제 2 실시형태의 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 에 있어서의 각 처리의 타이밍 차트이다. 대향부 세정 공정은, 대향부 (5a) 가 도 11 에 나타내는 대향 위치 (L2a) 에 있고, 노즐 (71a) 의 개구 (716) 가 하면 (513) 을 향하고 있는 상태에서 실행된다. 즉, 본 실시형태에서는, 대향 위치 (L2a) 가 대향부 (5a) 를 세정할 때의 세정 위치가 되고 있다.FIG. 14 is a timing chart of each process in the opposing-part washing step (step ST6) of the second embodiment. FIG. The opposing-part washing process is performed in the state in which the opposing part 5a is in the opposing position L2a shown in FIG. 11, and the opening 716 of the nozzle 71a is facing the lower surface 513. FIG. That is, in this embodiment, the opposing position L2a becomes the washing position at the time of washing | cleaning the opposing part 5a.

먼저, 시각 t1 에서부터, 린스액 공급 공정 (101) 및 액막 형성 공정 (102) 이 개시된다. 린스액 공급 공정 (101) 은, 상기 서술한 바와 같이, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 공급하는 공정이다. 린스액 공급 공정 (101) 에서는, 상기 스텝 ST5 와 동일하게, 개구 (712) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액이 공급된다. 또, 액막 형성 공정 (102) 은, 상기 서술한 바와 같이, 기판 (9) 을 스핀 모터 (33) 에 의해 수평 자세로 회전시킴으로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액 공급 공정 (101) 에서 공급된 린스액의 액막을 형성하는 공정이다.First, the rinse liquid supply process 101 and the liquid film formation process 102 are started from time t1. The rinse liquid supplying step 101 is a step of supplying the rinse liquid to the upper surface 91 of the substrate 9 as described above. In the rinse liquid supplying step 101, the rinse liquid is supplied from the opening 712 to the upper surface 91 of the substrate 9 in the same manner as in the step ST5. Moreover, the liquid film formation process 102 rotates the board | substrate 9 to a horizontal posture by the spin motor 33 as mentioned above, and the rinse liquid supply process 101 to the upper surface 91 of the board | substrate 9 is carried out. ) To form a liquid film of the rinse liquid supplied from

액막 형성 공정 (102) 중, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실시되는 것보다 전의 기간 (시각 t1 ∼ t3) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도는, 예를 들어, 10 rpm 이다. 이 기간의 회전 속도는, 기판 액 처리 공정 (스텝 ST2 ∼ ST5, ST7 ∼ ST10) 에 있어서의 기판의 회전 속도 (상기 예에서는, 300 ∼ 1500 rpm) 보다 저속이다. 이와 같이, 액막 형성 공정 (102) 에서는, 기판 액 처리 공정에 비해 저속으로 기판 (9) 을 회전시킴으로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액의 액막을 두껍게 형성한다. 이 때에 형성되는 린스액의 액막의 평균 막두께는, 예를 들어 1 ㎜ ∼ 2 ㎜ 이다.In the liquid film formation process 102, the rotation speed of the board | substrate 9 in period (time t1-t3) before the 2nd opposing part rotation process 106 is implemented is 10 rpm, for example. The rotational speed of this period is slower than the rotational speed (300-1500 rpm in the said example) of the board | substrate in a board | substrate liquid process process (step ST2-ST5, ST7-ST10). As described above, in the liquid film forming step 102, the liquid film of the rinse liquid is thickly formed on the upper surface 91 of the substrate 9 by rotating the substrate 9 at a lower speed than the substrate liquid processing step. The average film thickness of the liquid film of the rinse liquid formed at this time is 1 mm-2 mm, for example.

그 후, 시각 t2 에서부터, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 이 개시된다. 세정액 공급 공정 (103) 은, 본 실시형태에서는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액의 액막이 형성된 상태에서, 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 노즐 (71a) 의 개구 (716) 로부터 세정액 (예를 들어, 린스액과 동일하게 순수) 을 공급하는 공정이다.After that, the cleaning liquid supplying step 103 and the first counter rotating part 104 are started from time t2. In the present embodiment, the cleaning liquid supplying step 103 includes the opening 716 of the nozzle 71a on the lower surface 513 of the opposing portion 5a in a state where a liquid film of rinse liquid is formed on the upper surface 91 of the substrate 9. ) Is a step of supplying the cleaning liquid (for example, pure water in the same manner as the rinse liquid).

이와 같이, 세정액 공급 공정 (103) 에서는 린스액의 액막이 형성된 상태에서 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 세정액을 공급하기 때문에, 하면 (513) 으로부터 세정액이나 파티클 등의 이물질이 낙하하였다고 하더라도, 이것들은 기판 (9) 의 상면 (91) 에 부착되지 않고 액막에 의해 기판 (9) 의 외측으로 밀려 떠내려가기 쉽다. 따라서, 기판 (9) 이 오염될 리스크를 저감시키면서, 기판 처리의 과정에서 대향부 (5a) 를 세정할 수 있다.Thus, in the cleaning liquid supply process 103, since the cleaning liquid is supplied to the lower surface 513 of the opposing portion 5a in the state where the liquid film of the rinse liquid is formed, even if foreign matter such as cleaning liquid or particles falls from the lower surface 513, These do not adhere to the upper surface 91 of the substrate 9 and are easily pushed out of the substrate 9 by the liquid film. Therefore, the counterpart 5a can be cleaned in the course of substrate processing while reducing the risk of contamination of the substrate 9.

또, 제 1 대향부 회전 공정 (104) 은, 본 실시형태에서는, 걸어맞춤부 (36) 에 걸어 맞춰지는 대향부 (5a) 를 스핀 모터 (33) 에 의해 수평 자세로 회전시키는 공정이다. 제 1 대향부 회전 공정 (104) 은, 세정액 공급 공정 (103) 과 병행하여 실시된다. 제 1 대향부 회전 공정 (104) 에서는 액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도와 동일한 회전 속도 (예를 들어, 10 rpm) 로 대향부 (5a) 를 회전시킨다.In addition, in this embodiment, the 1st opposing-part rotation process 104 is a process of rotating the opposing part 5a engaged with the engaging part 36 to horizontal position by the spin motor 33. As shown in FIG. The first counter rotating part 104 is performed in parallel with the cleaning liquid supplying step 103. In the 1st opposing-part rotation process 104, the opposing part 5a is rotated by the same rotational speed (for example, 10 rpm) as the rotational speed of the board | substrate 9 in the liquid film formation process 102. FIG.

이와 같이 세정 대상인 대향부 (5a) 가 회전함으로써, 세정액 공급 공정 (103) 에서는 대향부 (5a) 의 하면 (513) 의 전체를 용이하게 세정할 수 있다. 또, 대향부 (5a) 의 회전 속도가 기판 (9) 의 회전 속도와 동일하게 저속이므로, 하면 (513) 에 공급된 세정액이 하방으로 잘 튀지 않는다. 이로써, 대향부 (5a) 의 하방에 위치하는 기판 (9) 이 오염될 리스크를 줄일 수 있다.Thus, by rotating the opposing part 5a which is a washing | cleaning object, in the washing | cleaning liquid supply process 103, the whole of the lower surface 513 of the opposing part 5a can be wash | cleaned easily. Moreover, since the rotational speed of the opposing part 5a is low speed similarly to the rotational speed of the board | substrate 9, the washing | cleaning liquid supplied to the lower surface 513 does not splash well below. Thereby, the risk that the board | substrate 9 located under the opposing part 5a will be contaminated can be reduced.

그 후, 시각 t3 이 되면, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 이 종료된다. 본 실시형태에서는, 시각 t2 ∼ t3 의 기간에 있어서, 린스액 공급 공정 (101) 과 세정액 공급 공정 (103) 이 병행하여 실시된다. 이 때문에, 세정액 공급 공정 (103) 에서 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 세정액이나 이물질이 낙하하였다고 하더라도, 이것들은 새로 기판 (9) 의 상면 (91) 에 공급되는 린스액에 의해 기판 (9) 의 외측으로 밀려 떠내려가기 쉽다. 따라서, 기판 (9) 이 오염될 리스크를 더욱 저감시킬 수 있다.Thereafter, when time t3 is reached, the cleaning liquid supplying step 103 and the first counterpart rotating step 104 are completed. In this embodiment, the rinse liquid supply process 101 and the washing liquid supply process 103 are performed in parallel in the period of time t2-t3. For this reason, even if the cleaning liquid and the foreign matter have fallen from the lower surface 513 of the opposing portion 5 in the cleaning liquid supplying step 103, these are newly prepared by the rinse liquid supplied to the upper surface 91 of the substrate 9. 9) It is easy to be pushed out of the air. Therefore, the risk that the substrate 9 will be contaminated can be further reduced.

시각 t3 에서 시각 t5 에 걸쳐서, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실시된다. 제 2 대향부 회전 공정 (106) 은, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 의 후에 실시된다. 또, 액막 형성 공정 (102) 중, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실시되는 기간은, 그것보다 전의 기간 (시각 t1 ∼ t3) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도 (예를 들어, 10 rpm) 보다 고속 (예를 들어, 1500 rpm) 으로 대향부 (5a) 를 회전시키는 기간이다. 이와 같이 고속으로 대향부 (5a) 를 회전시킴으로써, 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 부착된 세정액이나 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 잔존할 수 있는 이물질을 원심력에 의해 주위로 비산시켜, 대향부 (5a) 를 건조시킬 수 있다.From time t3 to time t5, the second counter rotating part 106 is performed. The second counterpart rotation step 106 is performed after the cleaning liquid supply step 103 and the first counterpart rotation step 104. In the liquid film forming step 102, the period in which the second counter rotating part 106 is performed is the rotational speed of the substrate 9 in the period (times t1 to t3) before that (for example, It is a period of rotating the opposing part 5a at a higher speed (for example, 1500 rpm) than 10 rpm). By rotating the opposing portion 5a at high speed in this manner, the cleaning liquid attached to the lower surface 513 of the opposing portion 5a and the foreign matter remaining on the lower surface 513 of the opposing portion 5a are moved around by centrifugal force. It can scatter and dry the opposing part 5a.

또한, 액막 형성 공정 (102) 중, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실시되는 기간 (시각 t3 ∼ t5) 은, 기판 (9) 도 대향부 (5a) 와 동일한 회전 속도로 고속으로 회전한다. 이 때문에, 이 기간 중, 기판 (9) 상의 액막의 두께는, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 이 실시되는 기간보다 얇아진다. 그러나, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실행될 때에 있어서도, 이 얇은 액막이 기판 (9) 상에 형성되어 있음으로써, 세정액의 낙하에 의한 기판 (9) 의 오염의 리스크가 경감될 수 있다.In the liquid film forming step 102, the period (times t3 to t5) during which the second counterpart rotation step 106 is performed also rotates the substrate 9 at a high speed at the same rotational speed as the counterpart 5a. . For this reason, in this period, the thickness of the liquid film on the substrate 9 becomes thinner than the period during which the cleaning liquid supplying step 103 and the first counter rotating part 104 are performed. However, even when the second counter rotating part 106 is executed, the thin liquid film is formed on the substrate 9, so that the risk of contamination of the substrate 9 due to the drop of the cleaning liquid can be reduced.

그리고, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 종료되는 시각 t5 에, 린스액 공급 공정 (101) 및 액막 형성 공정 (102) 도 종료되고, 대향부 (5a) 를 세정하는 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 도 종료된다.And the rinse liquid supply process 101 and the liquid film formation process 102 are complete | finished at the time t5 which the 2nd opposing-part rotation process 106 complete | finished, and the counterpart washing process (step) which wash | cleans the opposing part 5a ST6) also ends.

＜3 제 3 실시형태＞<3rd embodiment>

다음으로, 제 3 실시형태의 기판 처리 장치 (1b) 에 대해 설명한다. 도 15 및 도 16 은 제 3 실시형태의 기판 처리 장치 (1b) 를 나타내는 개략 측면도이다. 또한, 도 15 는 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 에 있는 상태를 나타내고 있고, 도 16 은 대향부 (5a) 가 대향 위치 (L2a) 에 있는 상태를 나타내고 있다.Next, the substrate processing apparatus 1b of 3rd Embodiment is demonstrated. 15 and 16 are schematic side views illustrating the substrate processing apparatus 1b of the third embodiment. 15 has shown the state in which the opposing part 5a is in the retracted position L1a, and FIG. 16 has shown the state in which the opposing part 5a is in the opposing position L2a.

본 실시형태의 기판 처리 장치 (1b) 는, 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (1a) 와 거의 동일한 구성을 구비하고 있다. 단, 기판 처리 장치 (1b) 에서는, 대향부 이동 기구 (6) 의 유지 회전 기구 (61a) 가 본체 회전부 (615) 를 구비하고 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치 (1b) 에서는, 대향부 (5a) 는, 능동적으로 회전하는 것이 가능하게 구성되어 있다.The substrate processing apparatus 1b of this embodiment has the structure substantially the same as the substrate processing apparatus 1a of 2nd Embodiment. However, in the substrate processing apparatus 1b, the holding | maintenance rotation mechanism 61a of the opposing-part movement mechanism 6 is equipped with the main body rotation part 615. As shown in FIG. For this reason, in the substrate processing apparatus 1b, the opposing part 5a is comprised so that it can rotate actively.

유지부 본체 (611a) 의 중앙부로부터는 노즐 (71b) 이 하방으로 돌출된다. 노즐 (71b) 은, 통상부 (521) 에 비접촉 상태로 삽입된다. 노즐 (71b) 의 하면에는, 제 2 실시형태의 노즐 (71a) 과 동일하게, 개구 (711 ∼ 715) 가 형성되어 있다 (도 12 참조). 단, 노즐 (71b) 에는, 개구 (716) 는 형성되어 있지 않다.The nozzle 71b protrudes downward from the center part of the holding | maintenance part main body 611a. The nozzle 71b is inserted into the normal part 521 in a non-contact state. Openings 711 to 715 are formed on the lower surface of the nozzle 71b similarly to the nozzle 71a of the second embodiment (see FIG. 12). However, the opening 716 is not formed in the nozzle 71b.

대향부 (5a) 가 스핀 척 (31) 에 의해 유지된 상태에서는, 대향부 (5a) 의 측벽부 (512) 의 하단이 스핀 척 (31) 의 스핀 베이스 (32) 의 상면보다 하방, 또는 스핀 베이스 (32) 의 상면과 상하 방향에 관하여 동일한 위치에 위치한다. 대향부 (5a) 가 대향 위치 (L2a) 에 위치하는 상태에서 스핀 모터 (33) 가 구동되면, 대향부 (5) 는 기판 (9) 및 스핀 척 (31) 과 함께 회전한다. 이와 같이, 대향부 (5a) 가 대향 위치 (L2a) 에 위치하는 상태에서는, 스핀 모터 (33) 의 회전 구동력에 의해, 기판 (9) 및 대향부 (5) 가 일체적으로 중심축 (J1) 둘레로 회전된다. 한편, 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 에 위치하는 상태에서는, 스핀 모터 (33) 의 회전 구동력에 의해 기판 (9) 이 중심축 (J1) 둘레로 회전 가능해지고, 본체 회전부 (615) 의 회전 구동력에 의해 대향부 (5a) 가 중심축 (J1) 둘레로 회전 가능해진다.In the state where the opposing portion 5a is held by the spin chuck 31, the lower end of the side wall portion 512 of the opposing portion 5a is lower than the upper surface of the spin base 32 of the spin chuck 31 or spins. It is located in the same position with respect to the upper surface and the up-down direction of the base 32. When the spin motor 33 is driven in the state where the opposing part 5a is located at the opposing position L2a, the opposing part 5 rotates together with the substrate 9 and the spin chuck 31. In this way, in the state where the opposing portion 5a is positioned at the opposing position L2a, the substrate 9 and the opposing portion 5 are integrally formed by the rotational driving force of the spin motor 33. Rotated around. On the other hand, in the state where the opposing part 5a is located in the retracted position L1a, the substrate 9 can be rotated around the central axis J1 by the rotational driving force of the spin motor 33, and the main body rotating part 615 The opposing portion 5a can be rotated around the central axis J1 by the rotational driving force of.

또, 기판 처리 장치 (1b) 는 노즐 (74) 을 구비한다. 노즐 (74) 은, 제 1 실시형태에 있어서 설명한 바와 같이, 도시가 생략된 공급원으로부터 공급된 세정액을 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 공급한다. 도시가 생략된 모터로 노즐 아암의 기단부를 연직 방향을 따른 축의 둘레에서 회동시킴으로써, 노즐 (74) 은, 대향부 (5a) 에 접근하여 그 하면 (513) 을 향하여 개구되는 처리 위치 (도 15 에 이점쇄선으로 나타내는 위치) 와 대향부 (5a) 로부터 이간된 대기 위치 (도 15 에 실선으로 나타내는 위치) 사이에서 이동 가능하다. 또한, 노즐 (74) 을 처리 위치로 이동시킬 수 있으려면, 도 15 에 나타내는 바와 같이 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 에 있는 타이밍이다.In addition, the substrate processing apparatus 1b includes a nozzle 74. As described in the first embodiment, the nozzle 74 supplies the cleaning liquid supplied from the supply source, not shown, to the lower surface 513 of the opposing portion 5a. By rotating the proximal end of the nozzle arm around the axis along the vertical direction with a motor (not shown), the nozzle 74 approaches the opposing portion 5a and opens toward the lower surface 513 (see FIG. 15). It is movable between the position shown by the double-dotted line and the standby position (position shown by the solid line in FIG. 15) separated from the opposing part 5a. In addition, in order to be able to move the nozzle 74 to a processing position, as shown in FIG. 15, it is the timing which the opposing part 5a is in the retracted position L1a.

＜기판 처리 장치 (1b) 의 동작예＞<Operation Example of Substrate Processing Apparatus 1b>

이하, 기판 처리 장치 (1b) 에 있어서의 처리예에 대해, 도 6 을 참조하면서 설명한다. 이하의 처리예에서는, 기판 (9) 의 액 처리에 사용하는 각 처리액을 노즐 (71b) 로부터 공급하는 양태에 대해 설명하지만, 그 일부를 노즐 (73) 로부터 공급하는 양태여도 상관없다.Hereinafter, the process example in the substrate processing apparatus 1b is demonstrated, referring FIG. Although the following process example demonstrates the aspect which supplies each process liquid used for the liquid process of the board | substrate 9 from the nozzle 71b, the aspect which supplies a part from the nozzle 73 may be sufficient.

먼저, 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 에 있는 상태에서 (도 15 참조), 기판 (9) 이 외부의 반송 로봇에 의해 챔버 (11) 내에 반입되어 스핀 베이스 (32) 의 척 핀 (35) 상에 재치된다. 그 결과, 그 기판 (9) 이 척 핀 (35) 에 의해 하측으로부터 지지된다 (스텝 ST1).First, in the state where the opposing part 5a is in the retracted position L1a (see FIG. 15), the substrate 9 is loaded into the chamber 11 by an external carrier robot to allow the chuck pins of the spin base 32 ( 35) is mounted on. As a result, the board | substrate 9 is supported by the chuck pin 35 from under (step ST1).

기판 (9) 이 반입되면, 승강 기구 (62) 는 대향부 (5a) 를 퇴피 위치 (L1a) 에서 대향 위치 (L2a) 까지 하강시킨다. 이로써, 스핀 베이스 (32) 의 유지면 (32a), 천개부 (511a) 의 하면 (513), 및 측벽부 (512) 의 내주면에 의해 둘러싸인 공간이 형성된다. 계속해서, 스핀 모터 (33) 에 의해 기판 (9) 의 회전이 개시된다.When the board | substrate 9 is carried in, the lifting mechanism 62 lowers the opposing part 5a from the retracted position L1a to the opposing position L2a. Thereby, the space enclosed by the holding surface 32a of the spin base 32, the lower surface 513 of the canopy part 511a, and the inner peripheral surface of the side wall part 512 is formed. Subsequently, rotation of the substrate 9 is started by the spin motor 33.

이 상태에서, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대하여 각종 처리액을 사용한 액 처리가 실행된다. 먼저, 노즐 (71b) 의 개구 (711) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 불산을 공급하는 불산 처리가 실행된다 (스텝 ST2). 불산 처리시에는, 제 1 가드 (41) 가 기판 (9) 으로부터 비산되는 처리액을 받아낼 수 있는 높이에 위치하고 있다. 불산 처리에서는, 노즐 (71b) 의 하면에 형성된 개구 (711) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 불산을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 불산은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 불산 처리가 진행된다. 이 기간은 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5a) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 ∼ 1000 rpm 이다.In this state, liquid processing using various processing liquids is performed on the upper surface 91 of the substrate 9. First, the hydrofluoric acid treatment which supplies hydrofluoric acid to the upper surface 91 of the board | substrate 9 from the opening 711 of the nozzle 71b is performed (step ST2). At the time of hydrofluoric acid treatment, the 1st guard 41 is located in the height which can receive the process liquid scattered from the board | substrate 9. In the hydrofluoric acid treatment, hydrofluoric acid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 that is rotated from the opening 711 formed in the lower surface of the nozzle 71b. The hydrofluoric acid that has been deposited on the upper surface 91 diffuses to the outer circumferential portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and the hydrofluoric acid treatment proceeds on the entire upper surface 91. This period is for example 30 seconds. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5a in this period is 800-1000 rpm, for example.

개구 (711) 로부터의 불산의 토출이 정지된 후, 개구 (712) 로부터의 린스액의 토출이 개시된다 (스텝 ST3). 린스 처리시에는, 노즐 (71b) 의 하면에 형성된 개구 (712) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 린스액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 상에 잔존하고 있던 불산과 함께 기판 (9) 의 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 불산 및 린스액은, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 의 세정도 실질적으로 실시된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5a) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.After the discharge of hydrofluoric acid from the opening 711 is stopped, the discharge of the rinse liquid from the opening 712 is started (step ST3). At the time of a rinse process, the rinse liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the board | substrate 9 rotated from the opening 712 formed in the lower surface of the nozzle 71b. The rinse liquid which landed on the upper surface 91 diffuses to the outer peripheral portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and from the outer peripheral edge of the substrate 9 together with the hydrofluoric acid remaining on the upper surface 91. It is scattered radially outward. The hydrofluoric acid and rinse liquid scattered from the substrate 9 are received at the inner wall of the first guard 41 and discarded through the discharge port 44. Thereby, with the rinse process of the upper surface 91 of the board | substrate 9, the 1st guard 41 is also wash | cleaned substantially. This period is 30 seconds, for example. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5a in this period becomes 1200 rpm, for example.

개구 (712) 로부터 린스액의 토출이 정지된 후, 개구 (713) 로부터 SC1 액의 토출이 개시된다 (스텝 ST4). SC1 처리시에는, 노즐 (71b) 의 하면에 형성된 개구 (713) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 SC1 액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 SC1 액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 SC1 처리가 진행된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5a) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 rpm 이다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 SC1 액은 제 2 가드 (42) 의 내벽에 받아져, 배출 포트 (44) 로부터 폐기된다.After the discharge of the rinse liquid is stopped from the opening 712, the discharge of the SC1 liquid is started from the opening 713 (step ST4). At the time of SC1 processing, the SC1 liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 that is rotated from the opening 713 formed in the lower surface of the nozzle 71b. SC1 liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and SC1 process progresses in the whole upper surface 91. This period is 30 seconds, for example. In addition, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5a in this period is 800 rpm, for example. The SC1 liquid scattered from the substrate 9 is received by the inner wall of the second guard 42 and discarded from the discharge port 44.

개구 (713) 로부터의 SC1 액의 토출이 정지된 후, 개구 (712) 로부터의 린스액의 토출이 개시된다 (스텝 ST5). 린스 처리시에는 노즐 (71b) 의 하면에 형성된 개구 (712) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 린스액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 상에 잔존하고 있던 SC1 액과 함께 기판 (9) 의 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 SC1 액 및 린스액은, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 의 세정도 실질적으로 실시된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5a) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.After the discharge of the SC1 liquid from the opening 713 is stopped, the discharge of the rinse liquid from the opening 712 is started (step ST5). In the rinsing process, the rinse liquid is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 which is rotated from the opening 712 formed in the lower surface of the nozzle 71b. The rinse liquid which landed on the upper surface 91 diffuses to the outer peripheral portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9, and the outer peripheral edge of the substrate 9 with the SC1 liquid remaining on the upper surface 91. From the radial direction outward. The SC1 liquid and the rinse liquid scattered from the substrate 9 are received at the inner wall of the first guard 41 and discarded through the discharge port 44. Thereby, with the rinse process of the upper surface 91 of the board | substrate 9, the 1st guard 41 is also wash | cleaned substantially. This period is 30 seconds, for example. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5a in this period becomes 1200 rpm, for example.

그 후, 승강 기구 (62) 는 대향부 (5a) 를 대향 위치 (L2a) 에서 퇴피 위치 (L1a) 까지 상승시킨다. 또, 도시되지 않은 구동 기구에 의해, 노즐 (74) 을 처리 위치 (도 15 에 이점쇄선으로 나타내는 위치) 까지 이동시킨다. 그리고, 노즐 (74) 로부터 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 세정액을 공급함으로써, 그 하면 (513) 을 세정하는 대향부 세정 처리를 실시한다 (스텝 ST6). 또한, 대향부 세정 처리에 대해서는, 후술하는 ＜대향부 세정 공정의 처리예＞ 에서 상세하게 설명한다.Thereafter, the elevating mechanism 62 raises the opposing portion 5a from the opposing position L2a to the retracted position L1a. Moreover, the drive mechanism which is not shown in figure moves the nozzle 74 to a process position (position shown with a dashed-dotted line in FIG. 15). Then, by supplying the cleaning liquid from the nozzle 74 to the lower surface 513 of the opposing portion 5a, the opposing portion washing process for washing the lower surface 513 is performed (step ST6). In addition, the counter part washing process is demonstrated in detail in <the processing example of a counter part washing process> mentioned later.

대향부 세정 처리를 종료하면, 도시되지 않은 구동 기구에 의해, 노즐 (74) 을 대기 위치 (도 15 에 실선으로 나타내는 위치) 까지 이동시킨다. 또, 승강 기구 (62) 는 대향부 (5a) 를 퇴피 위치 (L1a) 에서 대향 위치 (L2a) 까지 하강시킨다. 이 상태에서, 노즐 (71b) 의 개구 (714) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 IPA 를 공급하는 IPA 처리가 실행된다 (스텝 ST7). IPA 처리시에는, 제 2 가드 (42) 가 기판 (9) 으로부터 비산되는 IPA 를 받아낼 수 있는 높이에 위치하고 있다. IPA 처리에서는, 노즐 (71b) 의 하면에 형성된 개구 (714) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 IPA 를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 IPA 는, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 순수가 IPA 로 치환되는 IPA 처리가 진행된다. 또, IPA 치환을 촉진시킬 목적으로 기판 (9) 에 대하여 도시가 생략된 가열 기구로 가열 처리를 실시해도 된다. 이 기간은 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 300 rpm 이다. 또, IPA 의 토출 유량은, 예를 들어 300 ㎖/m 이다.When the opposite part washing process is complete | finished, the drive mechanism which is not shown in figure moves the nozzle 74 to a standby position (position shown by a solid line in FIG. 15). Moreover, the lifting mechanism 62 lowers the opposing part 5a from the retracted position L1a to the opposing position L2a. In this state, an IPA process of supplying IPA to the upper surface 91 of the substrate 9 from the opening 714 of the nozzle 71b is executed (step ST7). In the IPA process, the 2nd guard 42 is located in the height which can receive the IPA scattered from the board | substrate 9, and is. In the IPA process, IPA is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 that is rotated from the opening 714 formed in the lower surface of the nozzle 71b. The IPA liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and the IPA process which pure water replaces IPA in the whole upper surface 91 advances. Moreover, you may heat-process to the board | substrate 9 with the heating mechanism not shown in the figure for the purpose of promoting IPA substitution. This period is for example 30 seconds. Moreover, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 300 rpm, for example. Moreover, the discharge flow volume of IPA is 300 ml / m, for example.

개구 (714) 로부터 IPA 의 토출이 정지된 후, 개구 (715) 로부터 발수화제의 토출이 개시된다 (스텝 ST8). 발수화 처리시에는, 노즐 (71b) 의 하면에 형성된 개구 (715) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에 발수화제를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액된 발수화액은, 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 확산되어, 상면 (91) 의 전체에서 발수성으로 표면 개질하는 발수화 처리가 진행된다. 이 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 500 rpm 이다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 발수화제는 제 2 가드 (42) 의 내벽에 받아져, 배출 포트 (44) 로부터 폐기된다. 또, 발수화제의 토출 유량은, 예를 들어 300 ㎖/m 이다.After the discharge of IPA is stopped from the opening 714, the discharge of the water repellent agent is started from the opening 715 (step ST8). At the time of water repellent treatment, the water repellent is continuously supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 which is rotated from the opening 715 formed in the lower surface of the nozzle 71b. The water-repellent liquid which landed on the upper surface 91 spreads to the outer peripheral part of the board | substrate 9 by the rotation of the board | substrate 9, and the water-repellent process which surface-modifies water-repellently on the whole upper surface 91 advances. This period is 30 seconds, for example. In addition, the rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5 in this period is 500 rpm, for example. The water repellent agent scattered from the substrate 9 is received by the inner wall of the second guard 42 and discarded from the discharge port 44. Moreover, the discharge flow volume of a water repellent is 300 ml / m, for example.

개구 (715) 로부터 발수화제의 토출이 정지된 후, 상기와 동일한 처리 조건으로 IPA 처리가 실시된다 (스텝 ST9). 각종 액 처리가 종료되면, 다음으로, 스핀 드라이 처리가 실행된다 (스텝 ST10). 스핀 드라이 처리시에는, 각종 액 처리시보다 빠르게 기판 (9) 및 대향부 (5a) 가 회전된다. 이 기간 중의 기판 (9) 및 대향부 (5a) 의 회전 속도는, 예를 들어 1500 rpm 이다. 이로써, 기판 (9) 및 대향부 (5a) 에 부착된 각종 액체는, 외주 가장자리로부터 직경 방향 외방으로 비산되고, 제 2 가드 (42) 의 내벽에서 받아져, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다.After the discharge of the water repellent agent from the opening 715 is stopped, the IPA process is performed under the same processing conditions as described above (step ST9). After the various liquid processes are completed, the spin dry process is performed next (step ST10). In the spin dry process, the substrate 9 and the opposing part 5a are rotated faster than in the case of various liquid processes. The rotation speed of the board | substrate 9 and the opposing part 5a in this period is 1500 rpm, for example. Thereby, the various liquids adhering to the board | substrate 9 and the opposing part 5a are scattered radially outward from the outer peripheral edge, are received by the inner wall of the 2nd guard 42, and are discarded through the discharge port 44. FIG. .

스핀 드라이 처리가 종료되면, 승강 기구 (62) 에 의해 대향부 (5a) 가 상승되어 도 15 에 나타내는 상태가 되고, 기판 (9) 이 외부의 반송 로봇에 의해 스핀 척 (31) 으로부터 반출된다 (스텝 ST11).When the spin dry process is completed, the opposing part 5a is raised by the elevating mechanism 62 to be in the state shown in FIG. 15, and the substrate 9 is carried out from the spin chuck 31 by an external carrier robot ( Step ST11).

이로써, 기판 처리 장치 (1b) 에 의한 각 처리가 종료된다. 여기서, 제 2 실시형태의 대향부 세정 공정 (여기서는, 스텝 ST6) 의 상세한 내용에 대해, 도 6 을 참조하면서 설명한다.Thereby, each process by the substrate processing apparatus 1b is complete | finished. Here, the detail of the opposing part washing process (step ST6 here) of 2nd Embodiment is demonstrated, referring FIG.

＜대향부 세정 공정의 처리예＞<Processing example of the counterpart cleaning process>

대향부 세정 공정은, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 에 있고, 또한 노즐 (74) 이 이점쇄선으로 나타내는 처리 위치에 있는 상태에서 실행된다. 즉, 본 실시형태에서는, 퇴피 위치 (L1a) 가 대향부 (5a) 를 세정할 때의 세정 위치에 상당한다.As shown in FIG. 15, the opposing-part washing process is performed in the state in which the opposing part 5a is in the retracted position L1a, and the nozzle 74 is in the process position shown by the double-dotted line. That is, in this embodiment, the retraction position L1a is corresponded to the washing position at the time of washing | cleaning the opposing part 5a.

먼저, 시각 t1 에서부터, 린스액 공급 공정 (101) 및 액막 형성 공정 (102) 이 개시된다. 린스액 공급 공정 (101) 은, 상기 서술한 바와 같이, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 공급하는 공정이다. 린스액 공급 공정 (101) 에서는, 상기 스텝 ST5 와 동일하게, 개구 (712) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액이 공급된다. 또, 액막 형성 공정 (102) 은, 상기 서술한 바와 같이, 스핀 척 (31) 에 의해 유지되는 기판 (9) 을 스핀 모터 (33) 에 의해 수평 자세로 회전시킴으로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액 공급 공정 (101) 에서 공급된 린스액의 액막을 형성하는 공정이다.First, the rinse liquid supply process 101 and the liquid film formation process 102 are started from time t1. The rinse liquid supplying step 101 is a step of supplying the rinse liquid to the upper surface 91 of the substrate 9 as described above. In the rinse liquid supplying step 101, the rinse liquid is supplied from the opening 712 to the upper surface 91 of the substrate 9 in the same manner as in the step ST5. In addition, in the liquid film forming step 102, as described above, the upper surface (of the substrate 9) is rotated by rotating the substrate 9 held by the spin chuck 31 in a horizontal posture by the spin motor 33. 91) is a step of forming a liquid film of the rinse liquid supplied in the rinse liquid supply step 101.

액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도는, 예를 들어, 10 rpm 으로서, 기판 액 처리 공정 (스텝 ST2 ∼ ST5, ST7 ∼ ST10) 에 있어서의 기판의 회전 속도 (상기 예에서는, 300 ∼ 1500 rpm) 보다 저속이다. 이와 같이, 액막 형성 공정 (102) 에서는 기판 액 처리 공정에 비해 저속으로 기판 (9) 을 회전시킴으로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액의 액막을 두껍게 형성할 수 있다. 이 때에 형성되는 린스액의 액막의 평균 막두께는, 예를 들어 1 ㎜ ∼ 2 ㎜ 이다.The rotation speed of the board | substrate 9 in the liquid film formation process 102 is 10 rpm, for example, and the rotation speed of the board | substrate in a board | substrate liquid processing process (step ST2-ST5, ST7-ST10) (the said example) At 300 to 1500 rpm). In this manner, in the liquid film forming step 102, the liquid film of the rinse liquid can be thickly formed on the upper surface 91 of the substrate 9 by rotating the substrate 9 at a lower speed than the substrate liquid processing step. The average film thickness of the liquid film of the rinse liquid formed at this time is 1 mm-2 mm, for example.

그 후, 시각 t2 에서부터, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 이 개시된다. 세정액 공급 공정 (103) 은, 본 실시형태에서는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액의 액막이 형성된 상태에서, 노즐 (74) 로부터 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 세정액 (예를 들어, 린스액과 동일하게 순수) 을 공급하는 공정이다.After that, the cleaning liquid supplying step 103 and the first counter rotating part 104 are started from time t2. In the present embodiment, the cleaning liquid supplying step 103 includes a cleaning liquid (for example, a cleaning liquid (for example) on the lower surface 513 of the opposing portion 5a from the nozzle 74 in a state where a liquid film of rinse liquid is formed on the upper surface 91 of the substrate 9. For example, pure water in the same manner as the rinse liquid is supplied.

이와 같이, 세정액 공급 공정 (103) 에서는 린스액의 액막이 형성된 상태에서 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 세정액을 공급하기 때문에, 하면 (513) 으로부터 세정액이나 파티클 등의 이물질이 낙하하였다고 하더라도, 이것들은 기판 (9) 의 상면 (91) 에 부착되지 않고 액막에 의해 기판 (9) 의 외측으로 밀려 떠내려가기 쉽다. 따라서, 기판 (9) 이 오염될 리스크를 저감시키면서, 기판 처리의 과정에서 대향부 (5a) 를 세정할 수 있다.Thus, in the cleaning liquid supply process 103, since the cleaning liquid is supplied to the lower surface 513 of the opposing portion 5a in the state where the liquid film of the rinse liquid is formed, even if foreign matter such as cleaning liquid or particles falls from the lower surface 513, These do not adhere to the upper surface 91 of the substrate 9 and are easily pushed out of the substrate 9 by the liquid film. Therefore, the counterpart 5a can be cleaned in the course of substrate processing while reducing the risk of contamination of the substrate 9.

또, 제 1 대향부 회전 공정 (104) 은, 유지 회전 기구 (61) 에 의해 유지되는 대향부 (5) 를 본체 회전부 (615) 에 의해 수평 자세로 회전시키는 공정이다. 제 1 대향부 회전 공정 (104) 은, 세정액 공급 공정 (103) 과 병행하여 실시되고, 제 1 대향부 회전 공정 (104) 에서는 액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도와 동일한 회전 속도 (예를 들어, 10 rpm) 로 대향부 (5) 를 회전시킨다.In addition, the 1st opposing-part rotation process 104 is a process of rotating the opposing part 5 hold | maintained by the holding | maintenance rotating mechanism 61 by a main body rotation part 615 to a horizontal attitude | position. The 1st opposing part rotation process 104 is performed in parallel with the washing | cleaning liquid supply process 103, and in the 1st opposing part rotation process 104, the rotation speed of the board | substrate 9 in the liquid film formation process 102 The opposing part 5 is rotated at the same rotational speed (for example, 10 rpm).

이와 같이 세정 대상인 대향부 (5a) 가 회전함으로써, 세정액 공급 공정 (103) 에서는 대향부 (5a) 의 하면 (513) 의 전체를 용이하게 세정할 수 있다. 또, 대향부 (5a) 의 회전 속도가 기판 (9) 의 회전 속도와 동일하게 저속이므로, 하면 (513) 에 공급된 세정액이 하방으로 잘 튀지 않는다. 이로써, 대향부 (5a) 의 하방에 위치하는 기판 (9) 이 오염될 리스크를 줄일 수 있다.Thus, by rotating the opposing part 5a which is a washing | cleaning object, in the washing | cleaning liquid supply process 103, the whole of the lower surface 513 of the opposing part 5a can be wash | cleaned easily. Moreover, since the rotational speed of the opposing part 5a is low speed similarly to the rotational speed of the board | substrate 9, the washing | cleaning liquid supplied to the lower surface 513 does not splash well below. Thereby, the risk that the board | substrate 9 located under the opposing part 5a will be contaminated can be reduced.

그 후, 시각 t3 이 되면, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 이 종료된다. 본 실시형태에서는, 시각 t2 ∼ t3 의 기간에 있어서, 린스액 공급 공정 (101) 과 세정액 공급 공정 (103) 이 병행하여 실시된다. 이 때문에, 세정액 공급 공정 (103) 에서 대향부 (5) 의 하면 (513) 으로부터 세정액이나 이물질이 낙하하였다고 하더라도, 이것들은 새로 기판 (9) 의 상면 (91) 에 공급되는 린스액에 의해 기판 (9) 의 외측으로 밀려 떠내려가기 쉽다. 따라서, 기판 (9) 이 오염될 리스크를 더욱 저감시킬 수 있다.Thereafter, when time t3 is reached, the cleaning liquid supplying step 103 and the first counterpart rotating step 104 are completed. In this embodiment, the rinse liquid supply process 101 and the washing liquid supply process 103 are performed in parallel in the period of time t2-t3. For this reason, even if the cleaning liquid and the foreign matter have fallen from the lower surface 513 of the opposing portion 5 in the cleaning liquid supplying step 103, these are newly prepared by the rinse liquid supplied to the upper surface 91 of the substrate 9. 9) It is easy to be pushed out of the air. Therefore, the risk that the substrate 9 will be contaminated can be further reduced.

시각 t3 에서 시각 t4 에 걸쳐서, 대향부 승강 공정 (105) 이 실시된다. 대향부 승강 공정 (105) 에서는, 대향부 (5) 의 하면 (513) 의 높이가 기판 (9) 의 주위를 둘러싸는 컵부 (4) 의 상단보다 높고, 또한 기판 액 처리 공정에 있어서 기판 (9) 의 상면 (91) 에 각 액을 공급하는 각 노즐 (71b, 73) 의 각 개구보다 낮게 되도록, 승강 기구 (62) 가 대향부 (5) 를 승강시킨다.From time t3 to time t4, the counter-part raising and lowering step 105 is performed. In the opposing part elevating step 105, the height of the lower surface 513 of the opposing part 5 is higher than the upper end of the cup part 4 surrounding the periphery of the substrate 9, and the substrate 9 in the substrate liquid treatment step. The lifting mechanism 62 raises and lowers the opposing part 5 so as to be lower than each opening of each nozzle 71b, 73 for supplying the liquid to the upper surface 91 of the upper surface 91 of the upper surface 91.

그리고, 대향부 (5) 의 높이를 조정한 후, 시각 t4 에서 시각 t5 에 걸쳐서, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실시된다. 제 2 대향부 회전 공정 (106) 은, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 의 후에 실시되고, 액막 형성 공정 (102) 에 있어서의 기판 (9) 의 회전 속도보다 고속 (예를 들어, 1500 rpm) 으로 대향부 (5a) 를 회전시키는 공정이다. 이와 같이 고속으로 대향부 (5a) 를 회전시킴으로써, 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 부착된 세정액이나 대향부 (5a) 의 하면 (513) 에 잔존할 수 있는 이물질을 원심력에 의해 주위로 비산시켜, 대향부 (5a) 를 건조시킬 수 있다.And after adjusting the height of the opposing part 5, the 2nd opposing part rotation process 106 is implemented from time t4 to time t5. The second counterpart rotation step 106 is performed after the cleaning liquid supply step 103 and the first counterpart rotation step 104 and is faster than the rotational speed of the substrate 9 in the liquid film formation step 102. It is a process of rotating the opposing part 5a at (for example, 1500 rpm). By rotating the opposing portion 5a at high speed in this manner, the cleaning liquid attached to the lower surface 513 of the opposing portion 5a and the foreign matter remaining on the lower surface 513 of the opposing portion 5a are moved around by centrifugal force. It can scatter and dry the opposing part 5a.

또, 본 실시형태에서는, 대향부 승강 공정 (105) 에서 대향부 (5a) 의 하면 (513) 의 높이를 조정한 상태에서, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 실시된다. 제 2 대향부 회전 공정 (106) 에서는, 하면 (513) 의 높이가 컵부 (4) 의 상단보다 높은 위치에 있으므로, 하면 (513) 으로부터 원심력에 의해 측방으로 비산된 세정액이나 이물질이 컵부 (4) 의 내벽에 충돌하여 기판 (9) 의 상면 (91) 으로 튀어서 되돌아오는 것을 억제할 수 있다. 또, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 에서는, 하면 (513) 의 높이가 노즐 (71b, 73) 의 각 개구보다 낮은 위치에 있으므로, 하면 (513) 으로부터 원심력에 의해 측방으로 비산된 세정액이나 이물질이 각 노즐 (71b, 73) 의 각 개구 부근에 부착되는 것 (나아가서는, 각 노즐 (71b, 73) 의 사용시에 이 부착물이 기판 (9) 에 낙하하는 것) 것을 억제할 수 있다.Moreover, in this embodiment, the 2nd opposing-part rotation process 106 is implemented in the state which adjusted the height of the lower surface 513 of the opposing-part 5a in the opposing-part raising / lowering process 105. As shown in FIG. In the second counter rotating part 106, since the height of the lower surface 513 is at a position higher than the upper end of the cup portion 4, the cleaning liquid or foreign matter scattered laterally by the centrifugal force from the lower surface 513 is the cup portion 4 It can be suppressed that it collides with the inner wall of and bounces back to the upper surface 91 of the board | substrate 9, and returns. Moreover, in the 2nd opposing part rotation process 106, since the height of the lower surface 513 is in the position lower than each opening of the nozzle 71b, 73, the washing | cleaning liquid and foreign substance which were scattered laterally by the centrifugal force from the lower surface 513 Adhering to the vicinity of each opening of each of these nozzles 71b and 73 can be suppressed (in addition, falling of this deposit to the board | substrate 9 at the time of use of each nozzle 71b, 73).

그리고, 제 2 대향부 회전 공정 (106) 이 종료되는 시각 t5 에, 린스액 공급 공정 (101) 및 액막 형성 공정 (102) 도 종료되고, 대향부 (5a) 를 세정하는 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 도 종료된다.And the rinse liquid supply process 101 and the liquid film formation process 102 are complete | finished at the time t5 which the 2nd opposing-part rotation process 106 complete | finished, and the counterpart washing process (step) which wash | cleans the opposing part 5a ST6) also ends.

또한, 본 실시형태에서는, 대향부 (5a) 가 퇴피 위치 (L1a) 에 있는 상태에서, 대향부 (5a) 의 세정이 실시되고 있다. 이 퇴피 위치 (L1a) 는, 기판 (9) 을 반출입할 때 (스텝 ST1, ST11) 의 위치이다. 그러나, 대향부 (5a) 를 퇴피 위치 (L1a) 보다 하방, 또한 대향 위치 (L2a) 보다 상방의 위치에 배치하여, 하면 (513) 을 세정해도 된다. 이 경우, 하면 (513) 이 기판 (9) 에 가까워지기 때문에, 하면 (513) 으로부터의 세정액의 낙하에 의한, 기판 (9) 상의 린스액의 액막의 붕괴를 경감시킬 수 있다. 따라서, 낙하한 세정액에 의한 기판의 오염을 유효하게 저감시킬 수 있다.In addition, in this embodiment, the facing part 5a is wash | cleaned in the state in which the facing part 5a is in the retracted position L1a. This retreat position L1a is a position of carrying out the substrate 9 (steps ST1, ST11). However, the lower surface 513 may be cleaned by placing the opposing portion 5a below the retracted position L1a and above the opposing position L2a. In this case, since the lower surface 513 comes close to the substrate 9, the collapse of the rinse liquid film on the substrate 9 due to the drop of the cleaning liquid from the lower surface 513 can be reduced. Therefore, contamination of the board | substrate by the falling washing | cleaning liquid can be reduced effectively.

본 실시형태의 설명에서는, 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 에서, 대향부 (5) 를 대향 위치 (L2a) 에 배치한 상태에서, 대향부 (5) 의 하면 (513) 의 세정이 실시되고 있다. 그러나, 제 1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 대향부 세정 공정에 있어서, 대향부 (5) 를 퇴피 위치 (L1a) 와 대향 위치 (L2a) 사이의 높이 위치인 세정 위치에 배치한 상태에서, 하면 (513) 의 세정이 실시되어도 된다.In the description of the present embodiment, the lower surface 513 of the opposing portion 5 is washed in the state in which the opposing portion 5 is disposed at the opposing position L2a in the opposing portion washing step (step ST6). . However, as described in the first embodiment, in the opposing-part washing step, in the state where the opposing part 5 is disposed at the washing position which is the height position between the retracted position L1a and the opposing position L2a, the lower surface ( 513 may be cleaned.

＜4 변형예＞<4 modifications>

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였지만, 이 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상기 서술한 것 이외에 다양한 변경을 실시하는 것이 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention can be variously changed except having mentioned above, unless the meaning is deviated from the meaning.

도 17 은 기판 처리 장치 (1, 1b) 의 변형예에 관련된 대향부 세정 공정 (스텝 ST6a) 에 있어서의 각 처리의 타이밍 차트이다. 이 변형예에 관련된 대향부 세정 공정 (스텝 ST6a) 은, 상기 제 1 및 제 3 실시형태에 관련된 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 에 있어서의 린스액 공급 공정 (101) 에 비해, 단시간의 린스액 공급 공정 (101a) 을 갖는다. 보다 구체적으로는, 린스액 공급 공정 (101a) 은 액막 형성 공정 (102) 이 개시되는 시각 t1 에 개시되고, 세정액 공급 공정 (103) 및 제 1 대향부 회전 공정 (104) 이 개시되는 시각 t2 에 종료된다. 이와 같이 린스액 공급 공정 (101a) 이 세정액 공급 공정 (103) 에 앞서 실시되었다고 하더라도, 액막 형성 공정 (102) 이 충분히 저속으로 실시되어, 린스액의 표면 장력에 의해 기판 (W) 의 상면 (91) 에 린스액이 체류하여 퍼들상의 액막이 유지되면, 그 액막의 존재에 의해 상기 실시형태와 동일하게 기판 (9) 의 상면 (91) 이 오염될 리스크를 저감시킬 수 있다.FIG. 17 is a timing chart of each process in the counter cleaning part (step ST6a) according to the modification of the substrate processing apparatuses 1, 1b. The counterpart cleaning process (step ST6a) which concerns on this modification is a short time rinse liquid compared with the rinse liquid supply process 101 in the counterpart cleaning process (step ST6) which concerns on the said 1st and 3rd embodiment. It has a supply process 101a. More specifically, the rinse liquid supplying step 101a is started at time t1 when the liquid film forming step 102 is started, and at time t2 when the cleaning liquid supplying step 103 and the first counter rotating part 104 are started. It ends. In this way, even if the rinse liquid supplying step 101a is performed before the cleaning liquid supplying step 103, the liquid film forming step 102 is performed at a sufficiently low speed, and the upper surface 91 of the substrate W is affected by the surface tension of the rinse liquid. If the rinse liquid stays in the) and the puddle liquid film is retained, the risk that the upper surface 91 of the substrate 9 will be contaminated in the same manner as in the above embodiment due to the presence of the liquid film can be reduced.

또, 상기 실시형태에서는, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 액 처리 (스텝 ST2 ∼ ST5, ST7 ∼ ST9) 의 과정에서 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 이 실행되는 양태에 대해 설명하였지만, 본 발명의 적용 양태는 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 실시형태에 있어서의 스텝 ST7 ∼ ST9 를 생략함으로써, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 액 처리 (스텝 ST2 ∼ ST5) 의 후이며 건조 처리 (스텝 ST10) 의 전에 대향부 세정 공정 (스텝 ST6) 이 실행되어도 된다. 이와 같이, 대향부 세정 공정은 기판 액 처리 공정의 과정에 있어서의 적절한 타이밍에서 실행 가능하다.Moreover, in the said embodiment, although the aspect by which the counter part washing process (step ST6) is performed in the process of the liquid process (step ST2-ST5, ST7-ST9) by the substrate processing apparatus 1 was demonstrated, of this invention The application aspect is not limited to this. For example, by omitting steps ST7 to ST9 in the above-described embodiment, the counterpart cleaning process (after the liquid treatment (steps ST2 to ST5) by the substrate processing apparatus 1 and before the drying treatment (step ST10) ( Step ST6) may be executed. Thus, the counterpart cleaning process can be performed at an appropriate timing in the process of the substrate liquid processing process.

또, 제 2 실시형태 및 제 3 실시형태에서는 노즐 (71a, 71b) 을 사용하여 기판 (9) 의 상면 (91) 에 처리액을 공급하는 양태에 대해 설명하였지만, 노즐 (71a, 71b) 을 사용한 처리액 공급 대신에 노즐 (73) 을 사용한 처리액 공급을 실시해도 상관없다. 예를 들어, 스텝 ST9 에 있어서의 IPA 처리시에, 대향부 (5) 를 퇴피 위치 (L1a) 로 승강시키고, 노즐 (73) 을 처리 위치로 이동시켜, 그 노즐 (73) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 IPA 를 공급해도 된다. 이와 같이 노즐 (73) 을 사용하여 처리액의 공급을 실시하는 경우에는, 도시되지 않은 노즐 아암을 회동시킴으로써, 기판 (9) 의 중앙측의 상방 위치와 기판 (9) 의 외주측의 상방 위치 사이에서 노즐 (73) 을 요동시키면서 처리액의 공급을 실시해도 된다.Moreover, although the aspect which supplied the process liquid to the upper surface 91 of the board | substrate 9 using the nozzle 71a, 71b was demonstrated in 2nd Embodiment and 3rd Embodiment, the nozzle 71a, 71b was used. Instead of the processing liquid supply, the processing liquid supply using the nozzle 73 may be performed. For example, at the time of IPA processing in step ST9, the opposing part 5 is elevated to the retracted position L1a, the nozzle 73 is moved to the processing position, and the substrate 9 is removed from the nozzle 73. You may supply IPA toward the upper surface 91 of the. Thus, when supplying a process liquid using the nozzle 73, the nozzle arm which is not shown in figure is rotated, and between the upper position of the center side of the board | substrate 9, and the upper position of the outer peripheral side of the board | substrate 9 The processing liquid may be supplied while swinging the nozzle 73.

상기 실시형태에서는, 린스액으로서 순수를 이용하는 양태에 대해 설명하였지만, 린스액으로서 순수 이외의 액체 (예를 들어, 탄산수) 가 이용되어도 된다. 또, 세정액에 대해서도, 순수 이외의 액체 (예를 들어, IPA) 가 이용되어도 된다.In the said embodiment, although the aspect using pure water as a rinse liquid was demonstrated, liquid other than pure water (for example, carbonated water) may be used as a rinse liquid. Moreover, also about washing | cleaning liquid, liquids (for example, IPA) other than pure water may be used.

이상, 실시형태 및 그 변형예에 관련된 기판 처리 방법에 대해 설명하였지만, 이것들은 본 발명에 바람직한 실시형태의 예로서, 본 발명의 실시의 범위를 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 각 실시형태의 자유로운 조합, 혹은 각 실시형태의 임의의 구성 요소의 변형, 혹은 각 실시형태에 있어서 임의의 구성 요소의 생략이 가능하다.As mentioned above, although the substrate processing method which concerns on embodiment and its modification was demonstrated, these are an example of a preferable embodiment to this invention, and do not limit the scope of implementation of this invention. In the present invention, within the scope of the invention, free combination of each embodiment, modification of any component of each embodiment, or omission of any component in each embodiment is possible.

1, 1a, 1b : 기판 처리 장치
31 : 스핀 척
33 : 스핀 모터
5, 5a : 대향부
513 : 하면
6 : 대향부 이동 기구
62 : 승강 기구
71, 71a, 71b, 73, 74 : 노즐
9 : 기판
101, 101a : 린스액 공급 공정
102 : 액막 형성 공정
103 : 세정액 공급 공정
104 : 제 1 대향부 회전 공정
105 : 대향부 승강 공정
106 : 제 2 대향부 회전 공정
L1, L1a : 퇴피 위치
L2, L2a : 대향 위치
L3 : 세정 위치
W : 기판1, 1a, 1b: substrate processing apparatus
31: spin chuck
33: spin motor
5, 5a: opposite side
513: if
6: counterpart moving mechanism
62: lifting mechanism
71, 71a, 71b, 73, 74: nozzle
9: substrate
101, 101a: rinse liquid supply process
102: liquid film forming process
103: cleaning liquid supply process
104: first opposing part rotation process
105: counter lift step
106: second opposing part rotation process
L1, L1a: retracted position
L2, L2a: opposite positions
L3: Cleaning position
W: Substrate

Claims (14)

기판의 상면에 대향하는 하면을 갖는 대향부를 사용하여 상기 기판을 처리하는 처리 공정을 포함하는 기판 처리 방법으로서,
상기 기판의 상기 상면에 액 처리를 실시하는 기판 액 처리 공정과,
상기 대향부를 세정하는 대향부 세정 공정을 포함하고,
상기 대향부 세정 공정은,
상기 기판의 상기 상면에 린스액을 공급하는 린스액 공급 공정과,
상기 기판의 상기 상면에 상기 린스액 공급 공정에서 공급된 상기 린스액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,
상기 액막 형성 공정에서 상기 기판의 상기 상면에 상기 액막이 형성된 상태에서, 상기 대향부의 상기 하면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 공정을 갖는, 기판 처리 방법.A substrate processing method comprising a processing step of treating the substrate by using an opposing portion having a lower surface facing the upper surface of the substrate,
A substrate liquid treatment step of performing a liquid treatment on the upper surface of the substrate;
An opposite part washing step of washing the opposite part,
The counter cleaning part,
A rinse liquid supplying step of supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate;
A liquid film forming step of forming a liquid film of the rinse liquid supplied in the rinse liquid supplying step on the upper surface of the substrate;
And a cleaning liquid supplying step of supplying a cleaning liquid to the lower surface of the opposite portion in a state where the liquid film is formed on the upper surface of the substrate in the liquid film forming step. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 액 처리 공정은, 상기 기판의 상기 상면에 상기 대향부의 상기 하면을 대향시켜 이것들을 수평 자세로 회전시킨 상태에서 액 처리하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The said substrate liquid processing process includes the process of liquid-processing in the state which opposes the said lower surface of the said opposing part to the said upper surface of the said board | substrate, and rotated them in a horizontal attitude | position. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 액막 형성 공정은, 상기 기판을 수평 자세로 회전시키는 공정을 포함하고,
상기 액막 형성 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도는, 상기 기판 액 처리 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도보다 저속인, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The liquid film forming step includes a step of rotating the substrate in a horizontal position,
A substrate processing method in which the rotational speed of the substrate in the liquid film forming step is lower than the rotational speed of the substrate in the substrate liquid processing step. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 액막 형성 공정은, 상기 기판의 상기 상면에 대한 상기 린스액의 공급량을 증가시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The said liquid film formation process includes the process of increasing the supply amount of the rinse liquid with respect to the said upper surface of the said board | substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 액 처리 공정은, 상기 대향부를 상기 기판에 대향하는 대향 위치에 배치하는 제 1 기판 액 처리 공정을 포함하고,
상기 대향부 세정 공정은, 상기 세정액 공급 공정의 전에 상기 대향 위치보다 상방의 위치에 배치하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The substrate liquid processing step includes a first substrate liquid processing step of arranging the opposing part at an opposing position facing the substrate,
The said counter part cleaning process includes the process of arrange | positioning in the position above the said opposing position before the said washing | cleaning liquid supply process. 제 5 항에 있어서,
상기 기판 액 처리 공정은, 상기 대향부를 상기 대향 위치보다 상방의 퇴피 위치에 배치하는 제 2 기판 액 처리 공정을 포함하고,
상기 대향부 세정 공정은, 상기 세정액 공급 공정의 전에 상기 퇴피 위치보다 상기 기판에 가까운 세정 위치에 배치하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 5, wherein
The said substrate liquid processing process includes the 2nd substrate liquid processing process which arrange | positions the said facing part to the retreat position above the said opposing position,
The said counter part washing process includes the process of arrange | positioning in the washing | cleaning position closer to the said board | substrate than the said retracted position before the said washing | cleaning liquid supply process. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 린스액 공급 공정과 상기 세정액 공급 공정이 병행하여 실시되는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing method of performing the said rinse liquid supply process and the said washing | cleaning liquid supply process in parallel. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 린스액 공급 공정은, 상기 세정액 공급 공정에 앞서 실시되는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The said rinse liquid supply process is performed before the said washing | cleaning liquid supply process. 제 3 항에 있어서,
상기 세정액 공급 공정과 병행하여 실시되고, 상기 액막 형성 공정에 있어서의 상기 기판의 상기 회전 속도와 동일한 회전 속도로 상기 대향부를 수평 자세로 회전시키는 제 1 대향부 회전 공정을 추가로 갖는, 기판 처리 방법.The method of claim 3, wherein
A substrate processing method further comprising: a first opposed portion rotating step performed in parallel with the cleaning liquid supplying step and rotating the opposite portion in a horizontal position at the same rotational speed as the rotational speed of the substrate in the liquid film forming step. . 제 9 항에 있어서,
상기 세정액 공급 공정 및 상기 제 1 대향부 회전 공정의 후에 실시되고, 상기 액막 형성 공정에 있어서의 상기 기판의 상기 회전 속도보다 고속으로 상기 대향부를 회전시키는 제 2 대향부 회전 공정을 추가로 갖는, 기판 처리 방법.The method of claim 9,
The board | substrate which is performed after the said washing | cleaning liquid supply process and a said 1st opposing-part rotation process, and has a 2nd opposing-part rotation process which rotates the said opposing part at speed higher than the said rotational speed of the said board | substrate in the said liquid film formation process, The board | substrate Treatment method. 제 10 항에 있어서,
상기 대향부의 상기 하면의 높이가, 상기 기판의 주위를 둘러싸는 컵의 상단보다 높고, 또한 상기 기판 액 처리 공정에 있어서 상기 기판의 상기 상면에 각 액을 공급하는 각 노즐의 각 개구보다 낮게 되도록 상기 대향부를 승강시키는 대향부 승강 공정을 추가로 갖고,
상기 대향부 승강 공정에서 상기 대향부의 상기 하면의 높이를 조정한 상태에서, 상기 제 2 대향부 회전 공정이 실시되는, 기판 처리 방법.The method of claim 10,
The height of the lower surface of the opposing portion is higher than the upper end of the cup surrounding the periphery of the substrate, and lower than the respective opening of each nozzle for supplying the liquid to the upper surface of the substrate in the substrate liquid processing step. It further has an opposing part lifting process which raises and lowers an opposing part,
The said 2nd opposing-part rotation process is performed in the state which adjusted the height of the said lower surface of the said opposing-part in the said opposing-part raising process. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 대향부 세정 공정은, 상기 액 처리 중 상기 기판의 상기 상면을 발수화하는 발수화 처리의 전에 실시되는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The said counter part washing process is performed before the water-repellent process of water-repelling the said upper surface of the said board | substrate during the said liquid process. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 액 처리에는 유기 용제를 사용한 처리가 포함되고,
상기 대향부는 내유기 용제성의 재질인, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The liquid treatment includes a treatment using an organic solvent,
The said opposing part is a substrate processing method of the organic solvent-resistant material. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 대향부의 상기 하면이, 상기 기판의 상면보다 크게 넓어져 있는, 기판 처리 방법.
The method according to claim 1 or 2,
The said lower surface of the said opposing part is largely wider than the upper surface of the said board | substrate processing method.
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